JP2008094803A - Photosensitive resin composition and its laminate - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive resin composition having excellent sensitivity and resolution of a resist pattern after development, generating little scum in a developing stage, having excellent contrast after exposure, forming peeled pieces having small sizes, giving a cured film having excellent softness and useful as a DFR for the preparation of a substrate for an alkali-developing printed circuit board, a lead frame and a semiconductor package. <P>SOLUTION: The photosensitive resin composition contains (a) 20-90 mass% binder resin composed of a linear polymer having a carboxy group content of 100-600 in terms of an acid equivalent and a weight-average molecular weight of 20,000-500,000, (b) 5-75 mass% photopolymerizable monomer having at least one terminal ethylenic unsaturated group and (c) 0.01-30 mass% photopolymerization initiator containing a specific compound. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、感光性樹脂組成物及び感光性樹脂積層体に関し、詳しくは、プリント配線板、リードフレーム及び半導体パッケージ用基板、サンドブラスト工程を経て得られる凹凸基板等の作成に適したアルカリ現像可能な感光性樹脂組成物及び感光性樹脂積層体に関する。   The present invention relates to a photosensitive resin composition and a photosensitive resin laminate, and in particular, can be alkali-developable suitable for producing printed wiring boards, lead frames, semiconductor package substrates, uneven substrates obtained through a sandblasting process, and the like. The present invention relates to a photosensitive resin composition and a photosensitive resin laminate.

従来、プリント配線板、リードフレーム及び半導体パッケージ用基板、サンドブラスト工程を経て得られる凹凸基板の作製用のレジストとして、支持層と感光性樹脂層を必須層として含む、いわゆる、ドライフィルムレジスト(以下、DFR、と略称する場合もある)が用いられている。DFRは、一般に支持層である支持層上に感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層し、多くの場合、さらに感光性樹脂層上に保護層を積層することにより調製される。用いられる感光性樹脂組成物としては、現在、現像液として弱アルカリ水溶液を用いるアルカリ現像型が一般的である。
DFRを用いてプリント配線板を作製するには、一般的に、以下の方法が用いられている。まず、保護層がある場合にはこれを剥離して銅張積層板等の永久回路作成用基板上に、ラミネーター等を用いて感光性樹脂層と支持層を、感光性樹脂層を基板側に密着するようにラミネートし、配線パターンのマスクフィルム等を通して露光を行い、必要に応じて支持層を剥離し、現像液により未露光部分の感光性樹脂層を溶解又は分散除去し、基板上に光硬化により形成されたレジストパターンを形成させる。次に、形成されたレジストパターンをマスクとして、基板の金属表面をエッチング又はめっきによる処理を行い、さらに、レジストパターンを現像液よりも強いアルカリ水溶液を用いて剥離して、プリント配線板等を形成する方法である。
Conventionally, as a resist for producing a printed wiring board, a lead frame and a semiconductor package substrate, a concavo-convex substrate obtained through a sandblasting process, a so-called dry film resist (hereinafter, referred to as a required film) including a support layer and a photosensitive resin layer as essential layers. DFR may be abbreviated as DFR). The DFR is generally prepared by laminating a photosensitive resin layer made of a photosensitive resin composition on a support layer which is a support layer, and in many cases, further laminating a protective layer on the photosensitive resin layer. As the photosensitive resin composition used, an alkali developing type using a weak alkaline aqueous solution as a developing solution is generally used.
In order to produce a printed wiring board using DFR, the following methods are generally used. First, if there is a protective layer, peel it off and use a laminator or the like to place the photosensitive resin layer and the support layer on the permanent circuit creation substrate such as a copper clad laminate, and the photosensitive resin layer on the substrate side. Lamination is performed so as to adhere to each other, exposure is performed through a mask film of a wiring pattern, the support layer is peeled off as necessary, and the photosensitive resin layer in an unexposed portion is dissolved or dispersed and removed with a developer, and light is applied to the substrate. A resist pattern formed by curing is formed. Next, using the formed resist pattern as a mask, the metal surface of the substrate is treated by etching or plating, and the resist pattern is peeled off using an alkaline aqueous solution stronger than the developer to form a printed wiring board, etc. It is a method to do.

最近は、工程の簡便さから、貫通孔(スルーホール)を硬化したレジストで覆い、その後にエッチングを行う、いわゆる、テンティング法が多用されている。エッチングには、塩化第二銅、塩化第二鉄、銅アンモニア錯体溶液等が用いられる。
近年のプリント配線板の回路の微細化に伴い、レジストパターンの高解像性が要求され、生産性の観点からは、露光時間短縮のため感光性樹脂組成物の感度の向上が要求されている。
高解像度、高感度は、感光性樹脂組成物に含まれる光重合性モノマーの架橋密度の向上により達成されるが、架橋密度を向上させると光硬化後の硬化膜が硬く、もろくなる傾向がある。
Recently, a so-called tenting method, in which through holes (through holes) are covered with a hardened resist and then etched, is often used because of the simplicity of the process. For the etching, cupric chloride, ferric chloride, a copper ammonia complex solution, or the like is used.
With the recent miniaturization of the printed wiring board circuit, high resolution of the resist pattern is required. From the viewpoint of productivity, it is required to improve the sensitivity of the photosensitive resin composition in order to shorten the exposure time. .
High resolution and high sensitivity are achieved by improving the crosslinking density of the photopolymerizable monomer contained in the photosensitive resin composition, but when the crosslinking density is improved, the cured film after photocuring tends to be hard and brittle. .

露光方式は、用途に応じ多様化している。近年、レーザーによる直接描画(以下、「直接描画露光」という)というフォトマスクを不要とするマスクレス露光が近年急激な広がりを見せている。マスクレス露光の光源としては波長350〜410nmの光、特にi線またはh線(405nm)が用いられる場合が多い。この直接描画方式を導入することにより、マスク費用全廃に代表される大幅なコスト削減が可能となる。また基板の伸縮に対するマスク位置精度の向上や露光作業のオート化により歩留まりを大きく向上させることができる。マスクデータをデジタル処理するだけで多種多様の回路パターンが形成可能であるため、短納期化も可能となる。
レジストパターンの高解像性及び感光性樹脂組成物の感度の向上という要求に対しては、感光性樹脂組成物中に2−(ο−クロロフェニル)−4、5−ジフェニルイミダゾ−ル二量体を開始剤として用いることによって達成されることが知られている。
Exposure methods are diversified depending on the application. In recent years, maskless exposure that does not require a photomask called direct drawing by laser (hereinafter referred to as “direct drawing exposure”) has been rapidly spreading in recent years. As a light source for maskless exposure, light having a wavelength of 350 to 410 nm, particularly i-line or h-line (405 nm) is often used. By introducing this direct drawing method, it is possible to greatly reduce the cost represented by the total elimination of mask costs. Further, the yield can be greatly improved by improving the mask position accuracy with respect to the expansion and contraction of the substrate and by automating the exposure operation. Since various circuit patterns can be formed only by digitally processing the mask data, the delivery time can be shortened.
In response to the demand for high resolution of the resist pattern and improvement of the sensitivity of the photosensitive resin composition, 2- (ο-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer in the photosensitive resin composition It is known to be achieved by using as an initiator.

しかしながら、上記開始剤を含む感光性樹脂組成物を利用したDFRを用いて現像を行
った場合には、上記光重合開始剤はアルカリ現像液に対する分散安定性が悪く、現像液は、繰り返し使用されるものであるために、未露光部分の感光性樹脂組成物の現像液に対する溶解割合が高くなると、凝集物(スカム)として発生しやすくなるという問題がある。スカムが発生すると、現像後の基板上にスカムが付着してショートや断線の欠陥につながる。スカムを除去するための現像槽の掃除の頻度も多くなる。これゆえ、凝集物を低減する目的で、(b)光重合性不飽和化合物として、現像液分散性の良い、アルキルフェノール型単官能モノマーを用いる試み(特許文献1)や、フェノキシ型官能モノマーを用いる試み(特許文献2)があるが、いずれも満足するものではなかった。
また、特許文献3には、少なくとも一つの親水性基を有する少なくとも1種のヘキサアリールビイミダゾール化合物の開示があり、スラッジの蓄積が少なく、水性にて剥離可能な光重合性組成物を処理する方法が記載されている。しかしながら、本願比較例で示すように、光硬化後のレジストの硬化膜柔軟性に欠けるという問題があった。
However, when development is performed using DFR using a photosensitive resin composition containing the initiator, the photopolymerization initiator has poor dispersion stability with respect to an alkaline developer, and the developer is used repeatedly. Therefore, when the dissolution ratio of the photosensitive resin composition in the unexposed portion with respect to the developer is increased, there is a problem that it tends to be generated as an aggregate (scum). When scum occurs, the scum adheres to the substrate after development, leading to a short circuit or disconnection defect. The frequency of cleaning the developing tank for removing the scum also increases. Therefore, for the purpose of reducing aggregates, (b) an attempt to use an alkylphenol type monofunctional monomer having good developer dispersibility as a photopolymerizable unsaturated compound (Patent Document 1) or a phenoxy type functional monomer is used. Although there was an attempt (Patent Document 2), none of them was satisfactory.
Further, Patent Document 3 discloses at least one hexaarylbiimidazole compound having at least one hydrophilic group, which treats a photopolymerizable composition that has little sludge accumulation and can be peeled off in water. A method is described. However, as shown in the comparative example of the present application, there is a problem that the cured film of the resist after photocuring lacks flexibility.

特許文献4には、少なくとも分子内に1つのエチレン性不飽和二重結合を有するアリールビスイミタゾールと、分子内に1つのエチレン性不飽和二重結合および1つ以上の親水性基を含有する化合物、とが共重合した構造を有する高分子開始剤の開示が有り、現像凝集物の少ない感光性樹脂組成物が開示されている。
このように、現像工程での現像液分散安定性に優れ、凝集物を発生しない感光性樹脂組成物が求められている。
また、露光後の欠陥検査機による判定では、未露光部分と露光部分のコントラストを識別して行うものが一般的であり、生産性向上のために露光直後の感光性樹脂層が良好なコントラストを有することが要求されている。
また、剥離形状が大きいと、剥離工程において剥離機の搬送ロールに絡みつくという不具合が生じる。
Patent Document 4 contains arylbisimitazole having at least one ethylenically unsaturated double bond in the molecule, and one ethylenically unsaturated double bond and one or more hydrophilic groups in the molecule. There is a disclosure of a polymer initiator having a structure obtained by copolymerization with a compound to be developed, and a photosensitive resin composition with little development aggregate is disclosed.
Thus, there is a need for a photosensitive resin composition that is excellent in developer dispersion stability in the development process and does not generate aggregates.
In addition, the determination by the defect inspection machine after the exposure is generally performed by discriminating the contrast between the unexposed part and the exposed part, and the photosensitive resin layer immediately after the exposure has a good contrast in order to improve productivity. It is required to have.
Moreover, when the peeling shape is large, there arises a problem that it is entangled with the transport roll of the peeling machine in the peeling process.

特開2001−174986号公報JP 2001-174986 A 特開2001−305730号公報JP 2001-305730 A 特許第3479510号公報Japanese Patent No. 3479510 特開2006−232995号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2006-232929

本発明の課題は、感度に優れるとともに、高解像性を有し、現像工程におけるスカムの発生が少なく、露光後の未露光部分と露光部分とのコントラスト性に優れ、レジスト剥離片が小さく、硬化膜柔軟性に優れる感光性樹脂組成物を提供することである。   The problems of the present invention are excellent in sensitivity, high resolution, little occurrence of scum in the development process, excellent contrast between the unexposed part after exposure and the exposed part, and the resist strip is small, It is to provide a photosensitive resin composition having excellent cured film flexibility.

本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定の化合物を光重合開始剤として含有する感光性樹脂組成物を用いることによって、上記課題を解決できることを見いだし、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、以下の通りである。
1.下記一般式(I)で表される化合物、
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that the above problems can be solved by using a photosensitive resin composition containing a specific compound as a photopolymerization initiator. It came to complete.
That is, the present invention is as follows.
1. A compound represented by the following general formula (I):

Figure 2008094803
(Xは水素又は炭素数1〜6の炭化水素基、Y及びZは、それぞれ独立にハロゲン基、炭素数1〜6の炭化水素基、アルコキシ基、及びヒドロキシル基からなる群より選ばれる一種の基であり、nは1〜10の整数、mは1〜5の整数、m及びmはそれぞれ独立に0〜5の整数である。)
Figure 2008094803
(X is hydrogen or a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, Y and Z are each independently selected from the group consisting of a halogen group, a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, and a hydroxyl group. And n 1 is an integer of 1 to 10, m 1 is an integer of 1 to 5, and m 2 and m 3 are each independently an integer of 0 to 5.)

2.感光性樹脂組成物全体に対して、(a)カルボキシル基含有量が酸当量で100〜600であり、かつ、重量平均分子量が5千〜50万の線状重合体からなるバインダー用樹脂:20〜90質量%、(b)少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する光重合性モノマー:5〜75質量%、(c)光重合開始剤:0.01〜30質量%を含有し、(c)光重合性開始剤として下記一般式(I)を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物、

Figure 2008094803
(Xは水素又は炭素数1〜6の炭化水素基、Y及びZは、それぞれ独立に、ハロゲン基、炭素数1〜6の炭化水素基、アルコキシ基、及びヒドロキシル基からなる群より選ばれる一種の基であり、nは1〜10の整数、mは1〜5の整数、m及びmは0〜5の整数である。) 2. (A) Resin for binders comprising a linear polymer having a carboxyl group content of 100 to 600 in terms of acid equivalent and a weight average molecular weight of 5,000 to 500,000 with respect to the entire photosensitive resin composition: 20 -90 mass%, (b) photopolymerizable monomer having at least one terminal ethylenically unsaturated group: 5-75 mass%, (c) photopolymerization initiator: 0.01-30 mass%, c) A photosensitive resin composition comprising the following general formula (I) as a photopolymerizable initiator:
Figure 2008094803
(X is hydrogen or a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and Y and Z are each independently selected from the group consisting of a halogen group, a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, and a hydroxyl group. And n 1 is an integer of 1 to 10, m 1 is an integer of 1 to 5, m 2 and m 3 are integers of 0 to 5.)

3.(a)バインダー用樹脂が下記一般式(II)及び一般式(III)で表される群より選ばれる少なくとも一種の化合物を共重合成分として含有することを特徴とする前記2.記載の感光性樹脂組成物、

Figure 2008094803
(Lは、炭素数1〜6の炭化水素基又はアルコキシ基、ヒドロキシル基、及びハロゲン基からなる群より選ばれる一種の基であり、pは0〜5の整数である。) 3. (A) The binder resin contains at least one compound selected from the group represented by the following general formula (II) and general formula (III) as a copolymerization component. The photosensitive resin composition according to the description,
Figure 2008094803
(L is a kind of group chosen from the group which consists of a C1-C6 hydrocarbon group or an alkoxy group, a hydroxyl group, and a halogen group, and p is an integer of 0-5.)

Figure 2008094803
(Rは水素原子又はメチル基、Mは、炭素数1〜6の炭化水素基又はアルコキシ基、ヒドロキシル基、及びハロゲン基からなる群より選ばれる一種の基であり、qは0〜5の整数である。)
Figure 2008094803
(R 0 is a hydrogen atom or a methyl group, M is a kind of group selected from the group consisting of a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group, a hydroxyl group, and a halogen group, and q is 0-5. (It is an integer.)

4.(b)光重合性モノマーとして下記一般式(IV)、(V)、(VI)及び(VII)で表される群より選ばれる少なくとも一種の化合物を含有することを特徴とする前記2.又は3.記載の感光性樹脂組成物、

Figure 2008094803
(R及びRは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。また、R及びRは、炭素数2〜6のアルキレン基であり、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、異なっている場合、−(R−O)−及び−(R−O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。n、n3、及びnは、0又は正の整数であり、これらの合計は2〜40である。) 4). (B) The photopolymerizable monomer contains at least one compound selected from the group represented by the following general formulas (IV), (V), (VI) and (VII): Or 3. The photosensitive resin composition according to the description,
Figure 2008094803
(R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom or a methyl group. R 1 and R 2 are each an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, which may be the same or different. If they are different, the repeating unit of-(R 1 -O)-and-(R 2 -O)-may be a block structure or a random structure, and n 2 , n 3, n 4 and n 5 are 0 or a positive integer, the sum of which is 2-40.)

Figure 2008094803
(R及びRは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。R及びRは炭素数2〜6のアルキレン基を示し、これらは同一であっても相違していてもよく、異なっている場合、−(R−O)−及び−(R−O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。n、n7、及びnは、0又は正の整数であり、これらの合計は2〜40である。)
Figure 2008094803
(R 7 and R 8 are each independently a hydrogen atom or a methyl group. R 5 and R 6 represent an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, which may be the same or different. When different, the repeating unit of-(R 5 -O)-and-(R 6 -O)-may be a block structure or a random structure, and n 6 , n 7, n 8 and n 9 are 0 Or a positive integer, the sum of which is 2-40.)

Figure 2008094803
(R及びR10はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基であり、n10,n11及びn12は、それぞれ3〜15の整数である。)
Figure 2008094803
(R 9 and R 10 are each independently a hydrogen atom or a methyl group, and n 10 , n 11, and n 12 are each an integer of 3 to 15)

Figure 2008094803
(R11は炭素数4〜12の2価の有機基、R12、R13は水素またはメチル基を表す。また、A及びBは、炭素数2〜6のアルキレン基であり、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、異なっている場合、−(A−O)−及び−(B−O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。m、m6、及びmは、0又は正の整数であり、これらの合計は2〜40である。)
Figure 2008094803
(R 11 represents a divalent organic group having 4 to 12 carbon atoms, R 12 and R 13 represent hydrogen or a methyl group. A and B are alkylene groups having 2 to 6 carbon atoms, which are the same as each other. In the case where they are different, the repeating unit of-(AO)-and-(BO)-may be a block structure or a random structure, m 5 , m 6, m 7. And m 8 is 0 or a positive integer, and the sum of these is 2 to 40.)

5.前記2.〜4.のいずれか一つに記載の感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を支
持層上に設けた感光性樹脂積層体、
6.基板上に前記5.記載の感光性樹脂積層体を用いて感光性樹脂層を形成する積層工程、露光工程、現像工程を含むレジストパターンの形成方法、
7.前記露光工程において、直接描画して露光する事を特徴とする前記6.に記載のレジストパターン形成方法、
8.前記6.又は7.記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングするかまたはめっきする工程を含むプリント配線板の製造方法、
9.前記6.又は7.に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングする工程を含むリードフレームの製造方法、
10.前記6.又は7.に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングするかまたはめっきする工程を含む半導体パッケージの製造方法、
11.前記6.又は7.に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、サンドブラスト工程によって加工する方法、である。
5. 2. ~ 4. A photosensitive resin laminate in which a photosensitive resin layer comprising the photosensitive resin composition according to any one of the above is provided on a support layer;
6). 4. on the substrate. A method of forming a resist pattern including a lamination step of forming a photosensitive resin layer using the photosensitive resin laminate described above, an exposure step, and a development step;
7). In the exposure step, direct drawing and exposure are performed. A resist pattern forming method according to claim 1,
8). 6. above. Or 7. A method for producing a printed wiring board comprising a step of etching or plating a substrate on which a resist pattern is formed by the method described above,
9. 6. above. Or 7. A method for producing a lead frame, comprising a step of etching a substrate on which a resist pattern is formed by the method described in 1.
10. 6. above. Or 7. A method of manufacturing a semiconductor package, including a step of etching or plating a substrate on which a resist pattern is formed by the method described in 1.
11. 6. above. Or 7. A method in which a substrate on which a resist pattern is formed by the method described in 1. is processed by a sandblasting process.

本発明の感光性樹脂組成物は、感度に優れ、高解像性を有し、現像工程によるスカムの発生が少なく、露光後の未露光部分と露光部分とのコントラスト性に優れ、レジスト剥離片が小さく、硬化膜柔軟性に優れるという効果を奏するものである。 The photosensitive resin composition of the present invention has excellent sensitivity, high resolution, little occurrence of scum by the development process, excellent contrast between the unexposed part after exposure and the exposed part, and a resist strip. Is small and has the effect of being excellent in the flexibility of the cured film.

以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の感光性樹脂組成物に用いる(a)バインダー用樹脂を構成する線状重合体に含まれるカルボキシル基の量は、酸当量で100〜600である必要があり、好ましくは200〜400である。酸当量とは、その中に1当量のカルボキシル基を有する線状重合体の質量を言う。線状重合体中のカルボキシル基は、感光性樹脂組成物にアルカリ水溶液に対する現像性や剥離性を与えるために必要である。酸当量が100未満では、現像耐性が低下し、解像性及び密着性に悪影響を及ぼし、600を超えると、現像性及び剥離性が低下する。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The amount of carboxyl groups contained in the linear polymer constituting the binder resin (a) used in the photosensitive resin composition of the present invention must be 100 to 600, preferably 200 to 400, in terms of acid equivalent. is there. An acid equivalent means the mass of the linear polymer which has a 1 equivalent carboxyl group in it. The carboxyl group in the linear polymer is necessary for imparting developability and releasability to the alkaline aqueous solution to the photosensitive resin composition. When the acid equivalent is less than 100, the development resistance is lowered, adversely affecting the resolution and adhesion, and when it exceeds 600, the developability and the peelability are lowered.

(a)バインダー用樹脂を構成する線状重合体の分子量は、5千〜50万である。線状重合体の分子量が、50万を超えると現像性が低下し、5千未満ではテンティング膜強度が低下し、エッジフュ−ズ(保存時の感光性樹脂層のはみ出し)が著しくなる。本発明の効果をさらに良く発揮するためには、線状重合体の分子量は、1万〜30万が好ましい。なお、酸当量の測定は、平沼自動滴定装置(COM−555)を用い、0.1mol/Lの水酸化ナトリウムを用いて電位差滴定法により行われる。重量平均分子量は、日本分光製ゲルパ−ミエ−ションクロマトグラフィ−(GPC)(ポンプ:Gulliver、PU−1580型、カラム:Shodex(KF−807、KF−806M、KF−806M、KF−802.5)4本直列、移動層溶媒:テトラヒドロフラン、ポリスチレン標準サンプル(昭和電工(株)製 Shodex STANDARD SM−105 Polystyrene)による検量線使用)により重量平均分子量(ポリスチレン換算)として求められる。   (A) The molecular weight of the linear polymer constituting the binder resin is 5,000 to 500,000. When the molecular weight of the linear polymer exceeds 500,000, the developability decreases. When the molecular weight is less than 5,000, the tenting film strength decreases, and the edge fuse (excess of the photosensitive resin layer during storage) becomes remarkable. The molecular weight of the linear polymer is preferably 10,000 to 300,000 in order to achieve the effects of the present invention better. The acid equivalent is measured by the potentiometric titration method using Hiranuma automatic titrator (COM-555) and 0.1 mol / L sodium hydroxide. The weight average molecular weight was measured by gel permeation chromatography (GPC) manufactured by JASCO (pump: Gulliver, PU-1580 type, column: Shodex (KF-807, KF-806M, KF-806M, KF-802.5). It is calculated | required as a weight average molecular weight (polystyrene conversion) by 4 series, moving bed solvent: Tetrahydrofuran, a polystyrene standard sample (The calibration curve use by Showex STANDARD SM-105 Polystyrene by Showa Denko KK).

(a)バインダー用樹脂を構成する線状重合体は、下記の2種類の単量体の中より、各々一種又はそれ以上の単量体を共重合させることにより得られる。
第一の単量体は、分子中に重合性不飽和基を一個有するカルボン酸又は酸無水物である。例えば、(メタ)アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル等が挙げられる。中でも、特に(メタ)アクリル酸が好ましい。
第二の単量体は、非酸性で、分子中に重合性不飽和基を一個有し、感光性樹脂層の現像性、エッチング及びめっき工程での耐性、硬化膜の可とう性等の種々の特性を保持するよ
うに選ばれる。このようなものとしては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロニトリル、フェニル基を有するビニル化合物(例えば、スチレン、メチルスチレン等のスチレン誘導体)及びベンジル(メタ)アクリレート等が挙げられる。中でも、特に、高解像度の観点より、下記一般式(II)で表されるスチレン及びその誘導体や下記一般式(III)で表されるベンジル(メタ)アクリレート及びその誘導体が好ましい。
(A) The linear polymer constituting the binder resin is obtained by copolymerizing one or more monomers from the following two types of monomers.
The first monomer is a carboxylic acid or acid anhydride having one polymerizable unsaturated group in the molecule. Examples include (meth) acrylic acid, fumaric acid, cinnamic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, maleic acid half ester, and the like. Among these, (meth) acrylic acid is particularly preferable.
The second monomer is non-acidic, has one polymerizable unsaturated group in the molecule, has various properties such as developability of the photosensitive resin layer, resistance to etching and plating processes, and flexibility of the cured film. Chosen to retain the characteristics of Examples of such compounds include alkyl (meth) acrylates such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, and 2-ethylhexyl (meth) acrylate, and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate. , 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, (meth) acrylonitrile, vinyl compounds having a phenyl group (for example, styrene derivatives such as styrene and methylstyrene) and benzyl (meth) acrylate. Among these, styrene and its derivatives represented by the following general formula (II) and benzyl (meth) acrylate and its derivatives represented by the following general formula (III) are particularly preferable from the viewpoint of high resolution.

Figure 2008094803
(Lは、炭素数1〜6の炭化水素基又はアルコキシ基、ヒドロキシル基、及びハロゲン基からなる群より選ばれる一種の基であり、pは0〜5の整数である。)
Figure 2008094803
(L is a kind of group chosen from the group which consists of a C1-C6 hydrocarbon group or an alkoxy group, a hydroxyl group, and a halogen group, and p is an integer of 0-5.)

Figure 2008094803
(Rは水素原子又はメチル基、Mは、炭素数1〜6の炭化水素基又はアルコキシ基、ヒドロキシル基、及びハロゲン基からなる群より選ばれる一種の基であり、qは0〜5の整数である。)
Figure 2008094803
(R 0 is a hydrogen atom or a methyl group, M is a kind of group selected from the group consisting of a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group, a hydroxyl group, and a halogen group, and q is 0-5. (It is an integer.)

上記一般式(II)で表されるスチレン及びその誘導体は、(a)熱可塑性共重合体中に3〜85質量%含有することが好ましい。解像度という観点より3質量%以上であり、現像性という観点より85質量%以下である。
上記一般式(III)で表されるベンジル(メタ)アクリレート及びその誘導体は、(a)熱可塑性共重合体中に3〜85質量%含有することが好ましい。解像性という観点より3質量%以上であり、現像性という観点より85質量%以下である。
(a)バインダー用樹脂は、上記単量体の混合物を、アセトン、メチルエチルケトン、イソプロパノール等の溶剤で希釈した溶液に、過酸化ベンゾイル、アゾイソブチロニトリル等のラジカル重合開始剤を適量添加し、過熱攪拌することにより合成を行うことが好ましい。混合物の一部を反応液に滴下しながら合成を行う場合もある。反応終了後、さらに溶剤を加えて、所望の濃度に調整する場合もある。合成手段としては、溶液重合以外に、塊状重合、懸濁重合及び乳化重合を用いていもよい。
(a)バインダー用樹脂の感光性樹脂組成物全体に対する割合は、20〜90質量%の範囲であり、好ましくは30〜70質量%である。(a)バインダー用樹脂の割合が、20質量%未満である場合と90質量%を超える場合には、露光、現像によって形成されるレジストパターンが、レジストとしての特性、例えば、テンティング、エッチング及び各種めっき工程において十分な耐性等を有しない。
The styrene represented by the general formula (II) and derivatives thereof are preferably contained in 3 to 85% by mass in the (a) thermoplastic copolymer. From the viewpoint of resolution, it is 3% by mass or more, and from the viewpoint of developability, it is 85% by mass or less.
The benzyl (meth) acrylate represented by the general formula (III) and derivatives thereof are preferably contained in the thermoplastic copolymer (3) to 85% by mass. From the viewpoint of resolution, it is 3% by mass or more, and from the viewpoint of developability, it is 85% by mass or less.
(A) The binder resin is obtained by adding an appropriate amount of a radical polymerization initiator such as benzoyl peroxide or azoisobutyronitrile to a solution obtained by diluting the mixture of monomers with a solvent such as acetone, methyl ethyl ketone, or isopropanol. The synthesis is preferably carried out by superheated stirring. In some cases, the synthesis is performed while a part of the mixture is dropped into the reaction solution. After completion of the reaction, a solvent may be further added to adjust to a desired concentration. As synthesis means, bulk polymerization, suspension polymerization, and emulsion polymerization may be used in addition to solution polymerization.
(A) The ratio with respect to the whole photosensitive resin composition of resin for binders is the range of 20-90 mass%, Preferably it is 30-70 mass%. (A) When the ratio of the binder resin is less than 20% by mass or more than 90% by mass, the resist pattern formed by exposure and development has characteristics as a resist, such as tenting, etching, and the like. It does not have sufficient resistance in various plating processes.

本発明の感光性樹脂組成物に用いる(b)光重合性モノマーとしては、末端に光重合可能な基を有する化合物であれば良く、例えば、1、6−ヘキサンジオ−ルジ(メタ)アクリレート、1、4−シクロヘキサンジオ−ルジ(メタ)アクリレート、またポリプロピレングリコ−ルジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコ−ルジ(メタ)アクリレート、2−ジ(p−ヒドロキシフェニル)プロパンジ(メタ)アクリレート、グリセロ−ルトリ(メタ)アクリレート、トリメチロ−ルプロパントリ(メタ)アクリレート、ポリオキシプロピルトリメチロ−ルプロパントリ(メタ)アクリレート、ポリオキシエチルトリメチロ−ルプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリト−ルペンタ(メタ)アクリレート、トリメチロ−ルプロパントリグリシジルエ−テルトリ(メタ)アクリレート、ビスフェノ−ルAジグリシジルエ−テルジ(メタ)アクリレート及び、β−ヒドロキシプロピル−β’−(アクリロイルキシ)プロピルフタレート、フェノキシポリエチレングリコ−ルアクリレート等が挙げられる。
(b)光重合性モノマーとして、下記一般式で表される(IV)〜(VII)からなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物を含有することは、本発明の好ましい実施形態である。
The (b) photopolymerizable monomer used in the photosensitive resin composition of the present invention may be a compound having a photopolymerizable group at the terminal, such as 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1 4-cyclohexanediol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, 2-di (p-hydroxyphenyl) propanedi (meth) acrylate, glycerol tri ( (Meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, polyoxypropyltrimethylolpropane tri (meth) acrylate, polyoxyethyltrimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol pen (Meth) acrylate, trimethylolpropane triglycidyl ether tertri (meth) acrylate, bisphenol A diglycidyl ether terdi (meth) acrylate, and β-hydroxypropyl-β ′-(acryloyloxy) propyl phthalate, phenoxypolyethyleneglycol -Luacrylate and the like.
(B) It is a preferred embodiment of the present invention that the photopolymerizable monomer contains at least one compound selected from the group consisting of (IV) to (VII) represented by the following general formula.

Figure 2008094803
(R及びRは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。また、R及びRは、炭素数2〜6のアルキレン基であり、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、異なっている場合、−(R−O)−及び−(R−O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。n、n3、及びnは、0又は正の整数であり、これらの合計は2〜40である。)
Figure 2008094803
(R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom or a methyl group. R 1 and R 2 are each an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, which may be the same or different. If they are different, the repeating unit of-(R 1 -O)-and-(R 2 -O)-may be a block structure or a random structure, and n 2 , n 3, n 4 and n 5 are 0 or a positive integer, the sum of which is 2-40.)

Figure 2008094803
(R及びRは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。R及びRは炭素数2〜6のアルキレン基を示し、これらは同一であっても相違していてもよく、異なって
いる場合、−(R−O)−及び−(R−O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。n、n7、及びnは、0又は正の整数であり、これらの合計は2〜40である。)
Figure 2008094803
(R 7 and R 8 are each independently a hydrogen atom or a methyl group. R 5 and R 6 represent an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, which may be the same or different. When different, the repeating unit of-(R 5 -O)-and-(R 6 -O)-may be a block structure or a random structure, and n 6 , n 7, n 8 and n 9 are 0 Or a positive integer, the sum of which is 2-40.)

上記一般式(IV)及び(V)で表される化合物においては、R及びR、R及びRは、エチレン基またはプロピレン基が好ましい。n+n+n+n又はn+n+n+nの下限は2以上が好ましく、上限は40以下が好ましい。これらの値が2未満では硬化膜の柔軟性およびテンティング性が悪化し、これらの値が40を超えると、解像度に対する効果が充分でない。
上記一般式(IV)で表される化合物としては、2,2−ビス{4−(p−アクリロキシポリエトキシ)シクロヘキシル}プロパンまたは2,2−ビス{4−(メタクリロキシポリエトキシ)シクロヘキシル}プロパンのエトキシ基がモノエトキシ、ジエトキシ、トリエトキシ、テトラエトキシ、ペンタエトキシ、ヘキサエトキシ、ヘプタエトキシ、オクタエトキシ、ノナエトキシ、デカエトキシ、ウンデカエトキシ、ドデカエトキシ、トリデカエトキシ、テトラデカエトキシ、ペンタデカエトキシであり、また、アルキレン基にエチレン基とプロピレン基の混合物も挙げられ、2,2−ビス{4−(アクリロキシポリアルキレンオキシ)シクロヘキシル}プロパンまたは2,2−ビス{4−(メタクリロキシポリアルキレンオキシ)シクロヘキシル}プロパンのアルキレンオキシ基がオクタエトキシとジプロピルオキシのブロック構造の付加物やランダム構造の付加物およびテトラエトキシとテトラプロピルオキシのブロック構造の付加物やランダム構造の付加物が挙げられる。これらの中でも、2,2−ビス{4−(メタクロキシペンタエトキシ)シクロヘキシル}プロパンが最も好ましい。
In the compounds represented by the general formulas (IV) and (V), R 1 and R 2 , R 5 and R 6 are preferably ethylene groups or propylene groups. The lower limit of n 2 + n 3 + n 4 + n 5 or n 6 + n 7 + n 8 + n 9 is preferably 2 or more, and the upper limit is preferably 40 or less. If these values are less than 2, the flexibility and tenting properties of the cured film deteriorate, and if these values exceed 40, the effect on resolution is not sufficient.
Examples of the compound represented by the general formula (IV) include 2,2-bis {4- (p-acryloxypolyethoxy) cyclohexyl} propane or 2,2-bis {4- (methacryloxypolyethoxy) cyclohexyl}. The ethoxy group of propane is monoethoxy, diethoxy, triethoxy, tetraethoxy, pentaethoxy, hexaethoxy, heptaethoxy, octaethoxy, nonaethoxy, decaethoxy, undecaethoxy, dodecaethoxy, tridecaethoxy, tetradecaethoxy, pentadecaethoxy. In addition, a mixture of an ethylene group and a propylene group is also included in the alkylene group, and 2,2-bis {4- (acryloxypolyalkyleneoxy) cyclohexyl} propane or 2,2-bis {4- (methacryloxypolyalkylene) Oxy) cyclo Alkyleneoxy groups cyclohexyl} propane adducts of adducts and random structure of the block structure of the adduct and tetraethoxy and tetrapropyloxy adducts and random structure of the block structure of octa ethoxy and di propyloxy and the like. Among these, 2,2-bis {4- (methacryloxypentaethoxy) cyclohexyl} propane is most preferable.

上記一般式(V)で表される化合物の具体例としては、ビスフェノールAの両端にそれぞれ平均2モルのエチレンオキサイドを付加したポリエチレングリコールのジメタクリレート(2,2−ビス{4−(メタクロキシジエトキシ)フェニル}プロパン)(新中村化学工業(株)製NKエステルBPE−200)やビスフェノールAの両端にそれぞれ平均5モルのエチレンオキサイドを付加したポリエチレングリコールのジメタクリレート(2,2−ビス{4−(メタクロキシペンタエトキシ)フェニル}プロパン)(新中村化学工業(株)製NKエステルBPE−500)、ビスフェノールAの両端にそれぞれ平均6モルのエチレンオキサイドと平均2モルのプロピレンオキサイドを付加したポリアルキレングリコールのジメタクリレート、ビスフェノールAの両端にそれぞれ平均15モルのエチレンオキサイドと平均2モルのプロピレンオキサイドを付加したポリアルキレングリコールのジメタクリレートがある。   Specific examples of the compound represented by the general formula (V) include polyethylene glycol dimethacrylate (2,2-bis {4- (methacryloxydi) having an average of 2 moles of ethylene oxide added to both ends of bisphenol A. Ethoxy) phenyl} propane) (NK ester BPE-200 manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) and diglycolate of polyethylene glycol (2,2-bis {4 -(Methacryloxypentaethoxy) phenyl} propane) (NK ester BPE-500, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.), poly having an average of 6 moles of ethylene oxide and an average of 2 moles of propylene oxide added to both ends of bisphenol A. Dimethacrylate of alkylene glycol There are dimethacrylate polyalkylene glycol obtained by adding each average 15 moles of ethylene oxide and average 2 moles of propylene oxide to both ends of bisphenol A.

Figure 2008094803
(R及びR10はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基であり、n10,n11及びn12は、それぞれ3〜15の整数である。)
Figure 2008094803
(R 9 and R 10 are each independently a hydrogen atom or a methyl group, and n 10 , n 11, and n 12 are each an integer of 3 to 15)

上記一般式(VI)で表される化合物は、n10、n11及びn12が、それぞれ、3よりも小さいと当該化合物の沸点が低下して、レジストの臭気が強くなり、使用が困難になる。n10,n11及びn12が、20を越えると単位重量あたりの光活性部位の濃度が低くなるため、実用的感度が得られない。
上記一般式(VI)で表される化合物の具体例としては、例えば、平均12モルのプロピレンオキサイドを付加したポリプロピレングリコ−ルにエチレンオキサイドをさらに両
端にそれぞれ平均3モル付加したグリコ−ルのジメタクリレ−トが挙げられる。
In the compound represented by the general formula (VI), when n 10 , n 11 and n 12 are smaller than 3, respectively, the boiling point of the compound is lowered, the odor of the resist is increased, and the use is difficult. Become. When n 10 , n 11, and n 12 exceed 20, the concentration of the photoactive site per unit weight becomes low, so that practical sensitivity cannot be obtained.
Specific examples of the compound represented by the above general formula (VI) include, for example, glycol dimethacrylate obtained by adding an average of 3 moles of ethylene oxide to both ends of polypropylene glycol to which an average of 12 moles of propylene oxide is added. -G.

Figure 2008094803
(R11は炭素数4〜12の2価の有機基、R12、R13は水素またはメチル基を表す。また、A及びBは、炭素数2〜6のアルキレン基であり、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、異なっている場合、−(A−O)−及び−(B−O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。m、m6、及びmは、0又は正の整数であり、これらの合計は2〜40である。)
Figure 2008094803
(R 11 represents a divalent organic group having 4 to 12 carbon atoms, R 12 and R 13 represent hydrogen or a methyl group. A and B are alkylene groups having 2 to 6 carbon atoms, which are the same as each other. In the case where they are different, the repeating unit of-(AO)-and-(BO)-may be a block structure or a random structure, m 5 , m 6, m 7. And m 8 is 0 or a positive integer, and the sum of these is 2 to 40.)

上記一般式(VII)で表される化合物において、R11は、ヘキサメチレン基、シクロヘキシル基、及びトリメチルヘキサメチレン基が好ましい。A及びBは、エチレン基またはプロピレン基が好ましい。n13及びn14は、それぞれ15を超えると単位重量あたりの光活性部位の濃度が低くなるため、実用的感度が得られない。
上記一般式(VII)で表される化合物としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネ−ト、トリレンジイソシアネ−ト、又は2,2,4,−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネ−ト等のジイソシアネ−ト化合物と、一分子中にヒドロキシル基と(メタ)アクリル基を有する化合物(2−ヒドロキシプロピルアクリレ−ト、オリゴプロピレングリコ−ルモノメタクリレ−ト等)とのウレタン化合物等がある。具体的には、ヘキサメチレンジイソシアネ−トとオリゴプロピレングリコ−ルモノメタクリレ−ト(日本油脂(株)製ブレンマ−PP1000)との反応物、ヘキサメチレンジイソシアネ−トとオリゴエチレングリコ−ルモノメタクリレ−トとの反応物及びヘキサメチレンジイソシアネ−トとオリゴエチレングリコ−ルオリゴプロピレングリコールモノメタクリレ−トとの反応物等がある。
In the compound represented by the general formula (VII), R 11 is preferably a hexamethylene group, a cyclohexyl group, or a trimethylhexamethylene group. A and B are preferably ethylene groups or propylene groups. When n 13 and n 14 each exceed 15 , the concentration of the photoactive site per unit weight becomes low, so that practical sensitivity cannot be obtained.
Examples of the compound represented by the general formula (VII) include diisocyanates such as hexamethylene diisocyanate, tolylene diisocyanate, or 2,2,4, -trimethylhexamethylene diisocyanate. And urethane compounds of a compound having a hydroxyl group and a (meth) acryl group in one molecule (such as 2-hydroxypropyl acrylate and oligopropylene glycol monomethacrylate). Specifically, a reaction product of hexamethylene diisocyanate and oligopropylene glycol monomethacrylate (Nippon Yushi Co., Ltd., Bremer-PP1000), hexamethylene diisocyanate and oligoethylene glycol And a reaction product of hexamethylene diisocyanate and oligoethylene glycol oligopropylene glycol monomethacrylate.

(b)光重合可能な不飽和化合物の割合は、感光性樹脂組成物全体に対して、5〜75質量%の範囲である。(b)光重合可能な不飽和化合物の割合が、5質量%未満では感度が充分に得られず、75質量%を越えるとエッジフューズが著しくなる。好ましくは10〜70質量%、さらに好ましくは15〜60質量%である。
本発明の感光性樹脂組成物に用いられる(c)光重合開始剤としては、下記一般式(I)で表される化合物を含有する。光重合開始剤とは、各種の活性光線、例えば紫外線等により活性化され、重合を開始する化合物である。
(B) The ratio of the photopolymerizable unsaturated compound is in the range of 5 to 75% by mass with respect to the entire photosensitive resin composition. (B) If the ratio of the photopolymerizable unsaturated compound is less than 5% by mass, sufficient sensitivity cannot be obtained, and if it exceeds 75% by mass, the edge fuse becomes remarkable. Preferably it is 10-70 mass%, More preferably, it is 15-60 mass%.
The photopolymerization initiator (c) used in the photosensitive resin composition of the present invention contains a compound represented by the following general formula (I). The photopolymerization initiator is a compound that is activated by various actinic rays, such as ultraviolet rays, and starts polymerization.

Figure 2008094803
(Xは水素又は炭素数1〜6の炭化水素基、Y及びZは、それぞれ独立に、ハロゲン基、炭素数1〜6の炭化水素基、アルコキシ基、及びヒドロキシル基からなる群より選ばれる一種の基であり、nは1〜10の整数、mは1〜5の整数、m及びmはそれぞれ独立に0〜5の整数である。)
Figure 2008094803
(X is hydrogen or a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and Y and Z are each independently selected from the group consisting of a halogen group, a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, and a hydroxyl group. And n 1 is an integer of 1 to 10, m 1 is an integer of 1 to 5, and m 2 and m 3 are each independently an integer of 0 to 5.)

上記一般式(I)で表される2,4,5−トリアリールイミダゾール2量体としては、例えば、2−(p−メトキシトリエトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(p−エトキシトリエトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(p−メトキシテトラエトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(p−エトキシテトラエトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体等があるが、特に、2−(p−メトキシトリエトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体が好ましい。
上記一般式(I)で表される化合物にp−アミノフェニルケトンを併用することは好ましく、p−アミノフェニルケトンとしては、例えば、p−アミノベンゾフェノン、p−ブチルアミノフェノン、p−ジメチルアミノアセトフェノン、p−ジメチルアミノベンゾフェノン、p−p’−ビス(エチルアミノ)ベンゾフェノン、p−p’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン[ミヒラーズケトン]、p−p’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、p−p’−ビス(ジブチルアミノ)ベンゾフェノン等が挙げられる。
Examples of the 2,4,5-triarylimidazole dimer represented by the general formula (I) include 2- (p-methoxytriethoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (P-ethoxytriethoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (p-methoxytetraethoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (p-ethoxytetraethoxyphenyl) Although there are -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (p-methoxytriethoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer is particularly preferable.
It is preferable to use p-aminophenyl ketone in combination with the compound represented by the general formula (I). Examples of p-aminophenyl ketone include p-aminobenzophenone, p-butylaminophenone, and p-dimethylaminoacetophenone. , P-dimethylaminobenzophenone, pp′-bis (ethylamino) benzophenone, pp′-bis (dimethylamino) benzophenone [Michler's ketone], pp′-bis (diethylamino) benzophenone, pp′- And bis (dibutylamino) benzophenone.

本発明の感光性樹脂組成物には、上記で示された化合物以外に、他の光重合開始剤を併用することも可能である。他の光重合開始剤としては、例えば、2−エチルアントラキノン、2−tert−ブチルアントラキノン等のキノン類、ベンゾフェノン等の芳香族ケトン類、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル等のベンゾインエーテル類、ベンジルジメチルケタ−ル、ベンジルジエチルケタ−ル等が挙げられる。9−フェニルアクリジン等のアクリジン類、1−フェニル−1、2−プロパンジオン−2−ο−ベンゾイルオキシム、1−フェニル−1、2−プロパンジオン−2−(ο−エトキシカルボニル)オキシム等のオキシムエステル類等を用いてもよい。組み合わせで用いる開始剤としては、例えば、チオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン等のチオキサントン類と、ジメチルアミノ安息香酸アルキルエステル化合物等の三級アミン化合物との組み合わせが挙げられる。   In addition to the compounds shown above, other photopolymerization initiators can be used in combination with the photosensitive resin composition of the present invention. Other photopolymerization initiators include, for example, quinones such as 2-ethylanthraquinone and 2-tert-butylanthraquinone, aromatic ketones such as benzophenone, benzoin ethers such as benzoin, benzoin methyl ether and benzoin ethyl ether, Examples thereof include benzyl dimethyl ketal and benzyl diethyl ketal. Acridines such as 9-phenylacridine, oximes such as 1-phenyl-1,2-propanedione-2-ο-benzoyloxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (ο-ethoxycarbonyl) oxime Esters may be used. Examples of the initiator used in combination include a combination of a thioxanthone such as thioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, and 2-chlorothioxanthone and a tertiary amine compound such as a dimethylaminobenzoic acid alkyl ester compound.

(c)光重合開始剤の割合は、感光性樹脂組成物全体に対して、0.01〜30質量%であり、好ましくは0.05〜10質量%である。(c)光重合開始剤の割合が、30質量%を超えると感光性樹脂組成物の活性吸収率が高くなり、感光性積層体として用いた場合、感光性樹脂層の底の部分の重合による硬化が不十分になり、0.01質量%未満では
十分な感度が得られない。
上記一般式(I)の割合は、感光性樹脂組成物全体に対して、0.01〜20質量%であることが好ましく、より好ましくは0.05〜10質量%である。上記一般式(I)の割合が、感光性樹脂組成物の活性吸収率の観点より、20質量%以下が好ましく、感度の観点より、0.01質量以上が好ましい。
(C) The ratio of a photoinitiator is 0.01-30 mass% with respect to the whole photosensitive resin composition, Preferably it is 0.05-10 mass%. (C) When the ratio of the photopolymerization initiator exceeds 30% by mass, the active absorption rate of the photosensitive resin composition increases, and when used as a photosensitive laminate, it is caused by polymerization of the bottom portion of the photosensitive resin layer. Curing becomes insufficient, and if it is less than 0.01% by mass, sufficient sensitivity cannot be obtained.
It is preferable that the ratio of the said general formula (I) is 0.01-20 mass% with respect to the whole photosensitive resin composition, More preferably, it is 0.05-10 mass%. The proportion of the general formula (I) is preferably 20% by mass or less from the viewpoint of the active absorption rate of the photosensitive resin composition, and is preferably 0.01 mass or more from the viewpoint of sensitivity.

本発明の感光性樹脂組成物の熱安定性及び保存安定性を向上させるために、感光性樹脂組成物にラジカル重合禁止剤を含有させることは、好ましい。用いられるラジカル重合禁止剤としては、例えば、p−メトキシフェノ−ル、ハイドロキノン、ピロガロ−ル、ナフチルアミン、tert−ブチルカテコ−ル、塩化第一銅、2、6ージ−tert−ブチル−p−クレゾ−ル、2、2’−メチレンビス(4−エチル−6−tert−ブチルフェノ−ル)、2、2’−メチレンビス(4−メチル−6−tert−ブチルフェノ−ル)、ニトロソフェニルヒドロキシアミンアルミニウム塩、ジフェニルニトロソアミン等が挙げられる。   In order to improve the thermal stability and storage stability of the photosensitive resin composition of the present invention, it is preferable to contain a radical polymerization inhibitor in the photosensitive resin composition. Examples of the radical polymerization inhibitor used include p-methoxyphenol, hydroquinone, pyrogallol, naphthylamine, tert-butylcatechol, cuprous chloride, and 2,6-di-tert-butyl-p-crezo. -2,2,2'-methylenebis (4-ethyl-6-tert-butylphenol), 2,2'-methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenol), nitrosophenylhydroxyamine aluminum salt, And diphenylnitrosamine.

本発明の感光性樹脂組成物には、染料、顔料等の着色物質を含有させることもできる。用いられる着色物質としては、例えば、フクシン、フタロシアニングリ−ン、オ−ラミン塩基、パラマジエンタ、クリスタルバイオレット、メチルオレンジ、ナイルブル−2B、ビクトリアブル−、マラカイトグリ−ン、ベイシックブル−20、ダイアモンドグリ−ン等が挙げられる。
本発明の感光性樹脂組成物には、光照射により発色する発色系染料を含有させることもできる。用いられる発色系染料としては、例えば、ロイコ染料又はフルオラン染料と、ハロゲン化合物の組み合わせがある。ロイコ染料としては、例えば、トリス(4ージメチルアミノ−2−メチルフェニル)メタン[ロイコクリスタルバイオレット]、トリス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)メタン[ロイコマラカイトグリ−ン]等が挙げられる。ハロゲン化合物としては、臭化アミル、臭化イソアミル、臭化イソブチレン、臭化エチレン、臭化ジフェニルメチル、臭化ベンザル、臭化メチレン、トリブロモメチルフェニルスルフォン、4臭化炭素、トリス(2、3−ジブロモプロピル)ホスフェ−ト、トリクロロアセトアミド、ヨウ化アミル、ヨウ化イソブチル、1、1、1−トリクロロ−2、2−ビス(p−クロロフェニル)エタン、ヘキサクロロエタン、トリアジン化合物、等が挙げられる。トリアジン化合物としては、2、4、6−トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4、6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジンが挙げられる。このような発色系染料の中でも、トリブロモメチルフェニルスルフォンとロイコ染料との組み合わせや、トリアジン化合物とロイコ染料との組み合わせが有用である。
The photosensitive resin composition of the present invention may contain coloring substances such as dyes and pigments. Examples of the coloring material used include fuchsin, phthalocyanine green, olamine base, paramadienta, crystal violet, methyl orange, Nile Bull-2B, Victoria Bull-, Malachite Green, Basic Bull-20, Diamond Green. Or the like.
The photosensitive resin composition of the present invention may contain a coloring dye that develops color when irradiated with light. Examples of the coloring dye used include a combination of a leuco dye or a fluorane dye and a halogen compound. Examples of the leuco dye include tris (4-dimethylamino-2-methylphenyl) methane [leuco crystal violet], tris (4-dimethylamino-2-methylphenyl) methane [leucomalachite green], and the like. Examples of the halogen compound include amyl bromide, isoamyl bromide, isobutylene bromide, ethylene bromide, diphenylmethyl bromide, benzal bromide, methylene bromide, tribromomethylphenyl sulfone, carbon tetrabromide, tris (2, 3 -Dibromopropyl) phosphate, trichloroacetamide, amyl iodide, isobutyl iodide, 1,1,1-trichloro-2,2-bis (p-chlorophenyl) ethane, hexachloroethane, triazine compounds and the like. Examples of the triazine compound include 2,4,6-tris (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine. Among such coloring dyes, a combination of tribromomethylphenylsulfone and a leuco dye or a combination of a triazine compound and a leuco dye is useful.

本発明の感光性樹脂組成物には、可塑剤等の添加剤を含有させることもできる。用いられる添加剤としては、例えば、ジエチルフタレート等のフタル酸エステル類やp−トルエンスルホンアミド等が挙げられる。
本発明の感光性樹脂組成物は、均一に溶解した調合液とするために、溶媒を含有してもよい。用いられる溶媒としては、メチルエチルケトン(MEK)に代表されるケトン類、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類が挙げられる。感光性樹脂組成物の調合液の粘度が25℃で500〜4000mPa・secとなるように溶媒を調製することが好ましい。
The photosensitive resin composition of the present invention may contain an additive such as a plasticizer. Examples of the additive used include phthalic acid esters such as diethyl phthalate and p-toluenesulfonamide.
The photosensitive resin composition of the present invention may contain a solvent in order to obtain a uniformly dissolved preparation. Examples of the solvent used include ketones typified by methyl ethyl ketone (MEK), and alcohols such as methanol, ethanol, and isopropyl alcohol. It is preferable to prepare the solvent so that the viscosity of the preparation liquid of the photosensitive resin composition is 500 to 4000 mPa · sec at 25 ° C.

本発明の感光性樹脂積層体は、上記感光性樹脂組成物を支持層上に塗工して作成する。
支持層としては、活性光を透過する透明なものが好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレ−トフィルム、ポリビニルアルコ−ルフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、塩化ビニリデン共重合体フィルム、ポリメタクリル酸メチル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリアクリロニト
リルフィルム、スチレン共重合体フィルム、ポリアミドフィルム、セルロース誘導体フィルム等が挙げられ、これらの延伸されたものでも使用可能である。支持層の厚みは、薄い方が画像形成性及び経済性の面で有利であるが、強度を維持する観点から10〜30μmのものが一般的である。また、ヘーズとしては5%以下であるものが用いられる。
The photosensitive resin laminate of the present invention is prepared by coating the photosensitive resin composition on a support layer.
The support layer is preferably a transparent layer that transmits active light, such as polyethylene terephthalate film, polyvinyl alcohol film, polyvinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, polyvinylidene chloride film, vinylidene chloride copolymer. Examples include a coalesced film, a polymethyl methacrylate copolymer film, a polystyrene film, a polyacrylonitrile film, a styrene copolymer film, a polyamide film, and a cellulose derivative film, and these stretched films can also be used. A thinner support layer is more advantageous in terms of image formation and economy, but a thickness of 10 to 30 μm is common from the viewpoint of maintaining strength. Moreover, what is 5% or less is used as a haze.

支持層に積層した感光性樹脂層の反対側の表面には、必要に応じて、保護層を積層してもよい。支持層よりも保護層の方が、感光性樹脂層との密着力が充分小さく、容易に剥離できることが保護層としての重要な特性である。用いられる保護層としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等が挙げられる。保護層の膜厚は10〜100μmが好ましく、10〜50μmがより好ましい。
感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂積層体を積層する基板としては、プリント配線板用、リードフレーム用及び半導体パッケージ用の基板等が挙げられる。
感光性樹脂層の厚みは、用途において異なるが、プリント配線板作製用には、一般的には、1〜100μmが用いられ、好ましくは5〜50μmであり、感光性樹脂層が薄いほど解像性は向上し、感光性樹脂層が厚いほど膜強度が向上する。
感光性樹脂積層体を用いたプリント配線板等の作成工程は、公知の技術により行われるが、以下に簡単に述べる。
A protective layer may be laminated on the surface opposite to the photosensitive resin layer laminated on the support layer, if necessary. An important characteristic of the protective layer is that the protective layer has a sufficiently small adhesion to the photosensitive resin layer and can be easily peeled off than the support layer. Examples of the protective layer used include a polyethylene film and a polypropylene film. The thickness of the protective layer is preferably 10 to 100 μm, and more preferably 10 to 50 μm.
As a board | substrate which laminates | stacks the photosensitive resin laminated body which consists of a photosensitive resin composition, the board | substrate for printed wiring boards, a lead frame, a semiconductor package, etc. are mentioned.
Although the thickness of the photosensitive resin layer varies depending on the application, generally 1 to 100 μm is used for the production of a printed wiring board, preferably 5 to 50 μm, and the thinner the photosensitive resin layer, the higher the resolution. The film strength is improved as the photosensitive resin layer is thicker.
A process for producing a printed wiring board or the like using the photosensitive resin laminate is performed by a known technique, but will be briefly described below.

<レジストパターン形成方法>
本発明の感光性樹脂積層体を用いたレジストパターンは、積層工程、露光工程、及び現像工程を含む工程によって形成することができる。具体的な方法の一例を示す。
まず、ラミネーターを用いて積層工程を行う。感光性樹脂積層体が保護層を有する場合には保護層を剥離した後、ラミネーターで感光性樹脂層を基板表面に加熱圧着し積層する。この場合、感光性樹脂層は基板表面の片面だけに積層しても良いし、両面に積層しても良い。この時の加熱温度は一般的に40〜160℃である。また、該加熱圧着は二回以上行うことにより密着性及び耐薬品性が向上する。この時、圧着は二連のロールを備えた二段式ラミネーターを使用しても良いし、何回か繰り返してロールに通し圧着しても良い。
<Resist pattern formation method>
A resist pattern using the photosensitive resin laminate of the present invention can be formed by a process including a lamination process, an exposure process, and a development process. An example of a specific method is shown.
First, a lamination process is performed using a laminator. In the case where the photosensitive resin laminate has a protective layer, the protective layer is peeled off, and then the photosensitive resin layer is heat-pressed and laminated on the substrate surface with a laminator. In this case, the photosensitive resin layer may be laminated only on one side of the substrate surface or on both sides. The heating temperature at this time is generally 40 to 160 ° C. Moreover, adhesion and chemical resistance are improved by performing the thermocompression bonding twice or more. At this time, for the crimping, a two-stage laminator having two rolls may be used, or it may be repeatedly crimped through the roll several times.

次に、露光機を用いて露光工程を行う。必要ならば支持体を剥離しフォトマスクを通して活性光により露光する。露光量は、光源照度及び露光時間より決定される。光量計を用いて測定しても良い。
露光工程において、マスクレス露光方法を用いてもよい。マスクレス露光はフォトマスクを使用せず基板上に直接描画して露光する。光源としては波長350〜410nmの半導体レーザーや超高圧水銀灯などが用いられる。描画パターンはコンピューターによって制御され、この場合の露光量は、光源照度および基板の移動速度によって決定される。
Next, an exposure process is performed using an exposure machine. If necessary, the support is peeled off and exposed to active light through a photomask. The exposure amount is determined from the light source illuminance and the exposure time. You may measure using a photometer.
In the exposure process, a maskless exposure method may be used. In maskless exposure, exposure is performed by directly drawing on a substrate without using a photomask. As the light source, a semiconductor laser having a wavelength of 350 to 410 nm, an ultrahigh pressure mercury lamp, or the like is used. The drawing pattern is controlled by a computer, and the exposure amount in this case is determined by the light source illuminance and the moving speed of the substrate.

次に、現像装置を用いて現像工程を行う。露光後、感光性樹脂層上に支持体がある場合には、必要に応じてこれを除き、続いてアルカリ水溶液の現像液を用いて未露光部を現像除去し、レジスト画像を得る。アルカリ水溶液としては、NaCO、KCO等の水溶液を用いる。これらは感光性樹脂層の特性に合わせて選択されるが、0.2〜2質量%の濃度、20〜40℃のNaCO水溶液が一般的である。該アルカリ水溶液中には、界面活性剤、消泡剤、現像を促進させるための少量の有機溶剤などを混入させてもよい。
上述の工程によってレジストパターンが得られるが、場合によっては、さらに100〜300℃の加熱工程を行うこともできる。この加熱工程を実施することにより、更なる耐薬品性向上が可能となる。加熱には、熱風、赤外線、遠赤外線等の方式の加熱炉を用いる。
Next, a developing process is performed using a developing device. After the exposure, if there is a support on the photosensitive resin layer, it is removed if necessary, and then the unexposed portion is developed and removed using a developer of an alkaline aqueous solution to obtain a resist image. An aqueous solution of Na 2 CO 3 , K 2 CO 3 or the like is used as the alkaline aqueous solution. These are selected in accordance with the characteristics of the photosensitive resin layer, but a Na 2 CO 3 aqueous solution having a concentration of 0.2 to 2% by mass and 20 to 40 ° C. is generally used. In the alkaline aqueous solution, a surfactant, an antifoaming agent, a small amount of an organic solvent for promoting development, and the like may be mixed.
Although a resist pattern is obtained by the above-mentioned process, a heating process at 100 to 300 ° C. can be further performed depending on the case. By carrying out this heating step, chemical resistance can be further improved. For heating, a heating furnace of a hot air, infrared ray, far infrared ray or the like is used.

<プリント配線板の製造方法>
本発明のプリント配線板の製造方法は、基板として銅張り積層板やフレキシブル基板を
用いた上述のレジストパターン形成方法に続いて、以下の工程を経ることで行われる。
まず、現像により露出した基板の銅面をエッチング法、またはめっき法等の既知の方法をもちいて導体パターンを形成する。
その後、レジストパターンを、現像液よりも強いアルカリ性を有する水溶液により基板から剥離して所望のプリント配線板を得る。剥離用のアルカリ水溶液(以下、「剥離液」ともいう。)についても特に制限はないが、2〜5質量%の濃度、40〜70℃のNaOH、KOHの水溶液が一般的に用いられる。剥離液にも、少量の水溶性溶媒を加える事は可能である。
<Method for manufacturing printed wiring board>
The method for producing a printed wiring board according to the present invention is performed through the following steps following the above-described resist pattern forming method using a copper-clad laminate or a flexible substrate as a substrate.
First, a conductor pattern is formed on the copper surface exposed by development using a known method such as an etching method or a plating method.
Thereafter, the resist pattern is peeled from the substrate with an aqueous solution having alkalinity stronger than that of the developer to obtain a desired printed wiring board. The alkaline aqueous solution for peeling (hereinafter also referred to as “peeling solution”) is not particularly limited, but an aqueous solution of NaOH or KOH at a concentration of 2 to 5% by mass, 40 to 70 ° C. is generally used. It is possible to add a small amount of a water-soluble solvent to the stripping solution.

<リードフレームの製造方法>
本発明のリードフレームの製造方法は、基板として銅、銅合金、鉄系合金等の金属板を用いた上述のレジストパターンの形成方法に続いて、以下の工程を経ることで行われる。
まず、現像により露出した基板をエッチングして導体パターンを形成する。
その後、レジストパターンを上述のプリント配線板の製造方法と同様の方法で剥離して、所望のリードフレームを得る。
<Lead frame manufacturing method>
The lead frame manufacturing method of the present invention is performed through the following steps following the above-described resist pattern forming method using a metal plate of copper, copper alloy, iron-based alloy or the like as a substrate.
First, a conductive pattern is formed by etching the substrate exposed by development.
Thereafter, the resist pattern is peeled off by a method similar to the method for manufacturing a printed wiring board described above to obtain a desired lead frame.

<半導体パッケージの製造方法>
本発明の半導体パッケージを製造方法は、基板としてLSIとしての回路形成が終了したウェハを用いた上述のレジストパターンの形成方法に続いて、以下の工程を経ることで行われる。
現像により露出した開口部に銅、はんだ等の柱状のめっきを施して、導体パターンを形成する。
その後、レジストパターンを上述のプリント配線板の製造方法と同様の方法で剥離し、更に、柱状めっき以外の部分の薄い金属層をエッチングにより除去することにより、所望の半導体パッケージを得る。
<Semiconductor package manufacturing method>
The method for producing a semiconductor package of the present invention is performed by performing the following steps following the above-described resist pattern forming method using a wafer on which a circuit as an LSI has been formed as a substrate.
A conductor pattern is formed by performing columnar plating such as copper or solder on the opening exposed by development.
Thereafter, the resist pattern is peeled by the same method as the above-described printed wiring board manufacturing method, and the thin metal layer other than the columnar plating is removed by etching to obtain a desired semiconductor package.

<サンドブラストによる加工工法>
本発明の感光性樹脂積層体をドライフィルムレジストとして用いてサンドブラスト工法により基材に加工を施す場合には、基材上に前記した方法と同様な方法で、感光性樹脂積層体をラミネートし、露光、現像を施す。更に形成されたレジストパターン上からブラスト材を吹き付け目的の深さに切削するサンドブラスト処理工程、基材上に残存した樹脂部分をアルカリ剥離液等で基材から除去する剥離工程を経て、基材上に微細なパターンを加工することができる。上前記サンドブラスト処理工程に用いるブラスト材は公知のものが用いられ、例えばSiC,SiO、Al、CaCO、ZrO、ガラス、ステンレス等の2〜100μm程度の微粒子が用いられる。
<Processing method by sandblasting>
When processing the substrate by the sandblasting method using the photosensitive resin laminate of the present invention as a dry film resist, the photosensitive resin laminate is laminated on the substrate in the same manner as described above, Exposure and development are performed. Further, a blasting material is sprayed from the formed resist pattern to be cut to a desired depth, and a resin part remaining on the base material is removed from the base material with an alkaline stripping solution, etc. A fine pattern can be processed. The blasting material used for the above-mentioned sandblasting process may be a known material, for example, fine particles of about 2 to 100 μm such as SiC, SiO 2 , Al 2 O 3 , CaCO 3 , ZrO, glass, stainless steel and the like.

<参考例1>
TriethyleneglycolmonomethyletherTosylate(TGME Tosylate)の合成
300mlの3つ口フラスコにNaOH(9.94g,0.249mol)/HO50ml、Triethyleneglycolmonomethylether(28.75g,0.175mol)/THF 50mlを加え、0℃に冷却し撹拌しながらp−toluenesulfonylchloride(30.85g,0.162mol)/THF 50mlを滴下し2h撹拌した(≦5℃)。その後氷水150mlに入れ、塩化メチレンで二度抽出し、水で二度、飽和食塩水で一度洗浄した後MgSOで一晩乾燥した。その後溶媒を留去し、黄色透明液体を得た。これを、IR,H−NMR,FAB−MSで同定した。
IRは、日本分光株式会社(JASCO)製の型番FT/IR−410で、条件NaC1法で測定を行った。
H−NMRは、日本電子株式会社(JEOL)製の型番500MHz JNM ECP−500で、条件溶媒CDC13、TMSを内部標準として測定を行った。
FAB−MSは、日本電子株式会社(JEOL)製の型番JMS−700で、条件FABモードでイオン化して測定を行った。
IR(cm−1)(NaCl):3033(ν,ArC−H),2878(ν,O−CH−CH−O),1357(ν,SO),1177(ν,SO),1098(ν,C−O−C),
H−NMR(500MHz,Acetone−d6)δ(ppm):2.47(s,3H),3.28(s,3H),3.45−3.68(m,10H),4.16(t,J=7Hz,2H),7.49(d,J=13Hz,2H),7.82(d,J=13Hz,2H)
MS(FAB)m/z:319(MH
<Reference Example 1>
Synthesis of Triethyleneglycolylmethyl Tosylate (TGME Tosylate) In a 300 ml three-necked flask, NaOH (9.94 g, 0.249 mol) / 50 ml of H 2 O, Triethylenegenelymomethylether (28.75 g, 0.175 ml, cooled to 0,175 g, 0.175 ml, 0.175 ml). While stirring, 50 ml of p-toluenesulfonyl chloride (30.85 g, 0.162 mol) / THF was added dropwise and stirred for 2 h (≦ 5 ° C.). Thereafter, the mixture was put in 150 ml of ice water, extracted twice with methylene chloride, washed twice with water and once with saturated brine, and then dried over MgSO 4 overnight. Thereafter, the solvent was distilled off to obtain a yellow transparent liquid. This was identified by IR, 1 H-NMR, FAB-MS.
IR was model number FT / IR-410 manufactured by JASCO Corporation (JASCO), and measurement was performed by the conditional NaC1 method.
1 H-NMR was a model number 500 MHz JNM ECP-500 manufactured by JEOL Ltd. (JEOL), and measurement was performed using the condition solvents CDC13 and TMS as internal standards.
FAB-MS was model number JMS-700 manufactured by JEOL Ltd. (JEOL), and measurement was performed by ionization in a conditional FAB mode.
IR (cm −1 ) (NaCl): 3033 (ν, ArC—H), 2878 (ν, O—CH 2 —CH 2 —O), 1357 (ν, SO 2 ), 1177 (ν, SO 2 ), 1098 (ν, C—O—C),
1 H-NMR (500 MHz, Acetone-d6) δ (ppm): 2.47 (s, 3H), 3.28 (s, 3H), 3.45-3.68 (m, 10H), 4.16 (T, J = 7 Hz, 2H), 7.49 (d, J = 13 Hz, 2H), 7.82 (d, J = 13 Hz, 2H)
MS (FAB) m / z: 319 (MH <+> )

<参考例2>
p−(Triethyleneglycolmonomethylether)Benzaldehyde(p−TGME benzaldehyde)の合成
200mlのナスフラスコにTGME Tosylate(20.0g,62.8mmol),4−hydroxybenzaldehyde(8.70g,71.2mmol),KCO(11.8g ,85.3mmol)を入れ、toluene 50ml,DMF100mlを溶媒に加えて24h還流した。反応物をろ過し、ろ液を留去した。その後、SiOカラム(溶離液 酢酸エチル:ヘキサン=1:1)で精製した。その後溶媒を留去し、黄色透明液体を得た。これを、IR,H NMR,FAB−MSで同定した。
IR(cm−1)(NaCl):3073(ν,ArC−H),2876(ν,O−CH−CH−O),1692(ν,C=O),1111(ν,C−O−C)
H NMR(500MHz,CDCl)δ(ppm):3.38(s,3H),3.55(t,J=5Hz,2H),3.65−3.75(m,6H),3.89(t,J=5Hz,2H),4.22(t,J=5Hz,2H),7.02(d,J=9Hz,2H),7.83(d,J=9Hz,2H),9.88(s,1H)
MS(FAB)m/z:269(MH
<Reference Example 2>
p- (Triethyleneglycolmonomethylether) Benzaldehyde (p- TGME benzaldehyde) Synthesis 200ml eggplant flask TGME Tosylate (20.0g, 62.8mmol), 4-hydroxybenzaldehyde (8.70g, 71.2mmol), K 2 CO 3 (11 8 g, 85.3 mmol), and 50 ml of toluene and 100 ml of DMF were added to the solvent and refluxed for 24 h. The reaction product was filtered and the filtrate was distilled off. Thereafter, SiO 2 column (eluent ethyl acetate: hexane = 1: 1). Thereafter, the solvent was distilled off to obtain a yellow transparent liquid. This was identified by IR, 1 H NMR, FAB-MS.
IR (cm −1 ) (NaCl): 3073 (ν, ArC—H), 2876 (ν, O—CH 2 —CH 2 —O), 1692 (ν, C═O), 1111 (ν, C—O) -C)
1 H NMR (500 MHz, CDCl 3 ) δ (ppm): 3.38 (s, 3H), 3.55 (t, J = 5 Hz, 2H), 3.65-3.75 (m, 6H), 3 .89 (t, J = 5 Hz, 2H), 4.22 (t, J = 5 Hz, 2H), 7.02 (d, J = 9 Hz, 2H), 7.83 (d, J = 9 Hz, 2H) , 9.88 (s, 1H)
MS (FAB) m / z: 269 (MH <+> )

<参考例3>
(p−メトキシトリエトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾールの合成
100mlのナスフラスコにbenzil(2.37g,11.3mmol),p−TGMEbenzaldehyde(3.10g,11.6mmol),ammoniumacetate(7.16g,92.9mmol)を入れ、aceticacid20mlを溶媒に加えて3h還流した。反応混合物の溶媒を留去し、塩化メチレンと水で3回抽出した。有機層を一晩NaSOで乾燥し、その後溶媒を留去し、SiOカラム(溶離液は当初クロロホルムを使い、後に酢酸エチルを使用)で精製した。その後溶媒を留去し、1晩真空乾燥し、黄白色粘性固体を得た。これを、IR,H NMR,FAB−MSで同定した。
IR(cm−1)(CCl):3266(ν,N−H),3058(ν,ArC−H),2876(ν,O−CH−CH−O),1097(ν,C−O−C)
H NMR(500MHz,Acetone−d6)δ(ppm):3.28(s,3H),3.47(t,J=5Hz,2H),3.57−3.61(m,4H),3.67(t,J=5Hz,2H),3.84(t,J=5Hz,2H),4.19(t,J=5Hz,2H),7.04−7.05(m,2H),7.28−7.36(m,6H),7.59−7.60(m,4H),8.05−8.07(m,2H)
MS(FAB)m/z:459(MH
<Reference Example 3>
Synthesis of (p-methoxytriethoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole Benzil (2.37 g, 11.3 mmol), p-TGMEbenzaldehyde (3.10 g, 11.6 mmol), ammonium acetate (7. 16 g, 92.9 mmol) was added, and 20 ml of acetic acid was added to the solvent and refluxed for 3 h. The solvent of the reaction mixture was distilled off and extracted three times with methylene chloride and water. The organic layer was dried over Na 2 SO 4 overnight, after which the solvent was distilled off and purified on a SiO 2 column (eluent initially using chloroform and later using ethyl acetate). Thereafter, the solvent was distilled off, followed by vacuum drying overnight to obtain a yellowish white viscous solid. This was identified by IR, 1 H NMR, FAB-MS.
IR (cm -1) (CCl 4 ): 3266 (ν, N-H), 3058 (ν, ArC-H), 2876 (ν, O-CH 2 -CH 2 -O), 1097 (ν, C- OC)
1 H NMR (500 MHz, Acetone-d6) δ (ppm): 3.28 (s, 3H), 3.47 (t, J = 5 Hz, 2H), 3.57-3.61 (m, 4H), 3.67 (t, J = 5 Hz, 2H), 3.84 (t, J = 5 Hz, 2H), 4.19 (t, J = 5 Hz, 2H), 7.04-7.05 (m, 2H) ), 7.28-7.36 (m, 6H), 7.59-7.60 (m, 4H), 8.05-8.07 (m, 2H)
MS (FAB) m / z: 459 (MH <+> )

<実施例1>
2−(p−メトキシトリエトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体の合成
200mlナスフラスコに参考例3で得られた(p−メトキシトリエトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール(3.38g,7.38mmol)を入れてCHCl 50mlで溶解し、K[Fe(CN)](8.96g,24.9mmol)を加えて、さらにNaOH/HO 8.99g/50mlを入れて、20h還流した。反応後、水50mlを加えて分液した。有機層を一晩NaSOで乾燥し、その後溶媒を留去し、SiOカラム(溶離液 酢酸エチル)で精製した。その後溶媒を留去し、1晩真空乾燥し、緑色粘性固体を得た。これを、IR,1H NMR,FAB−MSで同定した。
IR(cm−1)(CCl):3059(ν,ArC−H),2875(ν,O−CH−CH−O),1111(ν,C−O−C)
H NMR(500MHz,Acetone−d6)δ(ppm):2.80−2.84(m,6H),3.44−4.33(m,24H),6.53−8.44(m,28H)MS(FAB)m/z:915(MH
<Example 1>
Synthesis of 2- (p-methoxytriethoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer (p-methoxytriethoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole (3) obtained in Reference Example 3 in a 200 ml eggplant flask .38 g, 7.38 mmol) and dissolved in 50 ml of CH 2 Cl 2 , K 3 [Fe (CN) 6 ] (8.96 g, 24.9 mmol) was added, and NaOH / H 2 O 8.9 g was added. / 50 ml was added and refluxed for 20 h. After the reaction, 50 ml of water was added for liquid separation. The organic layer was dried over Na 2 SO 4 overnight, after which the solvent was distilled off and purified on a SiO 2 column (eluent ethyl acetate). Thereafter, the solvent was distilled off, followed by vacuum drying overnight to obtain a green viscous solid. This was identified by IR, 1H NMR, FAB-MS.
IR (cm −1 ) (CCl 4 ): 3059 (ν, ArC—H), 2875 (ν, O—CH 2 —CH 2 —O), 1111 (ν, C—O—C)
1 H NMR (500 MHz, Acetone-d6) δ (ppm): 2.80-2.84 (m, 6H), 3.44-4.33 (m, 24H), 6.53-8.44 (m , 28H) MS (FAB) m / z: 915 (MH + )

<実施例2〜9、比較例1〜3>
表1に示す各々の実施例及び比較例の組成比で、各化合物を均一に溶解して感光性樹脂組成物の混合溶液を調製した。調製した混合溶液を、厚さ20μmのポリエチレンテレフタレ−トフィルムにバ−コ−タ−を用いて均一に塗布し、95℃の乾燥機中で4分乾燥した。この時の感光性樹脂層の厚さは40μmであった。ポリエチレンテレフタレ−トフィルムを積層していない感光性樹脂層の表面上に、25μmのポリエチレンフィルムを張り合わせ、DFRを得た。
35μm圧延銅箔を積層した銅張積層板表面を、湿式バフロ−ル(スリ−エム(株)製、スコッチブライト(登録商標)#600、2連)で研磨し、得られたDFRのポリエチレンフィルムを剥しながら、感光性樹脂層を銅張積層板にホットロ−ルラミネーターにより、105℃でラミネ−トし、積層体を得た。
<Examples 2-9, Comparative Examples 1-3>
Each compound was uniformly dissolved at the composition ratio of each Example and Comparative Example shown in Table 1 to prepare a mixed solution of the photosensitive resin composition. The prepared mixed solution was uniformly applied to a polyethylene terephthalate film having a thickness of 20 μm using a bar coater and dried in a dryer at 95 ° C. for 4 minutes. At this time, the thickness of the photosensitive resin layer was 40 μm. A DFR was obtained by laminating a 25 μm polyethylene film on the surface of the photosensitive resin layer on which no polyethylene terephthalate film was laminated.
The DFR polyethylene film obtained by polishing the surface of a copper-clad laminate on which 35 μm rolled copper foil is laminated with a wet buffer (manufactured by 3M, Scotch Bright (registered trademark) # 600, 2 series). Then, the photosensitive resin layer was laminated on a copper clad laminate at 105 ° C. with a hot roll laminator to obtain a laminate.

得られた積層体について、以下の評価を行った。
(1)感度試験
銅張積層板にラミネ−トされた積層体にスト−ファ−製21段ステップタブレットを通して超高圧水銀ランプ((株)オ−ク製作所製、HMW−201KB)により40mJ/cmで露光した。続いて、ポリエチレンテレフタレ−ト支持層を剥離した後、30℃の1質量%の炭酸ナトリウム水溶液を約45秒間スプレ−した。得られた硬化レジストの最高の残膜段数を感度とした。
The following evaluation was performed about the obtained laminated body.
(1) Sensitivity test
The laminated body laminated on the copper-clad laminate was exposed at 40 mJ / cm 2 with a super high pressure mercury lamp (HMW-201KB, manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.) through a 21 step step tablet made by Strafer. Subsequently, the polyethylene terephthalate support layer was peeled off, and then a 1 mass% sodium carbonate aqueous solution at 30 ° C. was sprayed for about 45 seconds. The highest remaining film stage number of the obtained cured resist was defined as sensitivity.

(2)解像度
銅張積層板にラミネートされた積層体に、ラインとスペースが1:1であるマスクフィルムを通して、超高圧水銀ランプ((株)オーク製作所、HMW−201KB)により60mJ/cmで露光した。続いて、ポリエチレンテレフタレート支持層を剥離した後、30℃の1質量%の炭酸ナトリウム水溶液を約45秒間スプレーした。得られた画像の分離しうる最小線幅を解像度とし、下記のようにランク付けした。
◎:40μm以下
○:40μmを超え、45μm以下
△:45μmを超え、50μm以下
×:50μmを超える
(2) Resolution The laminated body laminated on the copper-clad laminate is passed through a mask film having a line and space of 1: 1 by an ultra-high pressure mercury lamp (Oak Manufacturing Co., Ltd., HMW-201KB) at 60 mJ / cm 2 . Exposed. Subsequently, after peeling off the polyethylene terephthalate support layer, a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution at 30 ° C. was sprayed for about 45 seconds. The minimum line width that can be separated of the obtained images was defined as the resolution, and the ranking was performed as follows.
A: 40 μm or less ○: Over 40 μm, 45 μm or less Δ: Over 45 μm, 50 μm or less X: Over 50 μm

(3)現像凝集性試験(現像スカム試験)
30℃、1質量%の炭酸ナトリウム水溶液に、50μm膜厚換算で、0.5m/Lの
未露光の上記感光性樹脂層を溶解させ、溶液200mLを0.2MPaの圧力でスプレ−しながら、溶液循環を3時間行う。その後、槽内の凝集物(スカム)発生の状態を目視で判定し、下記のようにランク付けした。
○:液面に浮遊物がなく、溶液を除去後の槽底にも全く凝集物(スカム)の発生がない。△:液面や槽底に、ごくわずかに固形状の凝集物(スカム)発生が認められる。
×:液面や槽底に、多量の固形状の凝集物(スカム)発生が認められる。
(3) Development cohesion test (Development scum test)
While dissolving the photosensitive resin layer of 0.5 m 2 / L unexposed in 30 μm 1% by weight sodium carbonate aqueous solution in terms of 50 μm film thickness, spraying 200 mL of the solution at a pressure of 0.2 MPa. The solution is circulated for 3 hours. Thereafter, the state of occurrence of aggregates (scum) in the tank was visually determined and ranked as follows.
○: There is no suspended matter on the liquid surface, and no aggregates (scum) are generated at the bottom of the tank after the solution is removed. Δ: Slightly solid agglomerates (scum) are observed on the liquid level and tank bottom.
X: Generation | occurrence | production of a large amount of solid aggregates (scum) is recognized by the liquid level and the tank bottom.

(4)露光コントラスト評価
銅張積層板にラミネートされた積層体のラミネート後15分経過した未露光部の感光性樹脂層と超高圧水銀ランプ((株)オーク製作所、HMW−201KB)により60mJ/cmで露光30秒経過後の露光部の感光性樹脂層の色差ΔEを色差計(日本電色工業(株)製、NF333簡易型分光色差計)で測定し、以下のようにランク分けした。
◎:ΔEの値が15を超える。
○:ΔEの値が10を超え、15以下。
△:ΔEの値が2を超え、10以下。
×:ΔEの値が2以下。
(4) Evaluation of exposure contrast 60 mJ / by using a photosensitive resin layer in an unexposed portion 15 minutes after laminating a laminate laminated on a copper clad laminate and an ultra-high pressure mercury lamp (Oak Manufacturing Co., Ltd., HMW-201KB). The color difference ΔE of the photosensitive resin layer in the exposed area after 30 seconds of exposure at cm 2 was measured with a color difference meter (manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd., NF333 simple spectral color difference meter), and ranked as follows: .
A: The value of ΔE exceeds 15.
○: The value of ΔE exceeds 10 and is 15 or less.
Δ: The value of ΔE exceeds 2 and is 10 or less.
X: The value of ΔE is 2 or less.

(5)剥離片サイズ評価
銅張積層板にラミネートされた積層体に、超高圧水銀ランプ((株)オーク製作所、HMW−201KB)により60mJ/cmで全面露光した4.2cm×6cmの積層板を苛性ソーダ水溶液(50℃、3質量%)に浸漬し、積層板から剥がれた硬化膜の形状(剥離片サイズ)を以下のようにランク分けした。
◎:剥離片サイズが5mm角以下。
○:剥離片サイズが5mm角を超え、10mm角以下。
×:剥離片サイズが10mm角を超える。
(5) Evaluation of peeled piece size A laminate of 4.2 cm × 6 cm exposed to the entire surface of a laminate laminated on a copper-clad laminate with an ultrahigh pressure mercury lamp (Oak Manufacturing Co., Ltd., HMW-201KB) at 60 mJ / cm 2. The plate was immersed in an aqueous caustic soda solution (50 ° C., 3 mass%), and the shape of the cured film (peeling piece size) peeled from the laminated plate was ranked as follows.
A: The peeled piece size is 5 mm square or less.
○: The peeled piece size exceeds 5 mm square and is 10 mm square or less.
X: The peeling piece size exceeds 10 mm square.

(6)硬化膜柔軟性試験
銅張積層板にラミネートされた積層体に、超高圧水銀ランプ((株)オーク製作所、HMW−201KB)により60mJ/cmで全面露光した。続いて、ポリエチレンテレフタレート支持層を剥離した後、30℃の1質量%の炭酸ナトリウム水溶液を約45秒間スプレーした。得られた現像後の硬化膜付着基板にIS K4100に開示されたクロスカットガイダンスを用いてカッターで1mm幅に直行させて10本づつカッターで切傷をつけセロテープ剥離した。その時の硬化膜の剥がれる状態を下記で示されるランクでランク付けした。
◎:セロテープ剥離後、硬化膜が全く剥がれない。
○:セロテープ剥離後、硬化膜がごく一部剥がれる。
△:セロテープ剥離後、硬化膜が半分程度剥がれる。
×:セロテープ剥離後、硬化膜がほぼ全面剥がれる。
以上の結果を、まとめて表1に示す。
(6) Cured film flexibility test The entire surface of the laminate laminated on the copper clad laminate was exposed at 60 mJ / cm 2 with an ultrahigh pressure mercury lamp (Oak Manufacturing Co., Ltd., HMW-201KB). Subsequently, after peeling off the polyethylene terephthalate support layer, a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution at 30 ° C. was sprayed for about 45 seconds. Using the crosscut guidance disclosed in IS K4100, the cured film-adhered substrate obtained after development was made to go straight to a width of 1 mm with a cutter, cut with 10 cutters, and the tape was peeled off. The state where the cured film peeled at that time was ranked according to the rank shown below.
A: The cured film does not peel at all after the cellophane tape is peeled off.
○: A part of the cured film is peeled off after peeling off the tape.
Δ: About half of the cured film is peeled off after peeling off the tape.
X: The cured film is peeled off almost entirely after the cellophane tape is peeled off.
The above results are summarized in Table 1.

<表1の記号説明>
P−1:メタクリル酸メチル50質量%、メタクリル酸25質量%、スチレン25質量%の三元共重合体のメチルチルケトン溶液(固形分濃度35質量%、重量平均分子量5万、酸当量344)
P−2:メタクリル酸メチル65質量%、メタクリル酸25質量%、アクリル酸ブチル10質量%の三元共重合体のメチルエチルケトン溶液(固形分濃度30質量%、重量平均分子量12万、酸当量344)
P−3:ベンジルメタクリレート50質量%、メタクリル酸30質量%、スチレン20質量%の3元共重合体のメチルエチルケトン溶液(固形分濃度41質量%、重量平均分子量5.5万、酸当量287)
M−1:平均12モルのプロピレンオキサイドを付加したポリプロピレングリコ−ルにエチレンオキサイドをさらに両端にそれぞれ平均3モル付加したグリコ−ルのジメタクリレ−ト
<Explanation of symbols in Table 1>
P-1: Methyl tilketone solution of ternary copolymer of methyl methacrylate 50 mass%, methacrylic acid 25 mass%, styrene 25 mass% (solid content concentration 35 mass%, weight average molecular weight 50,000, acid equivalent 344)
P-2: Methyl ethyl ketone solution of ternary copolymer of 65% by mass of methyl methacrylate, 25% by mass of methacrylic acid, and 10% by mass of butyl acrylate (solid content concentration 30% by mass, weight average molecular weight 120,000, acid equivalent 344)
P-3: Methyl ethyl ketone solution of ternary copolymer of 50% by mass of benzyl methacrylate, 30% by mass of methacrylic acid, and 20% by mass of styrene (solid content concentration 41% by mass, weight average molecular weight 55,000, acid equivalent 287)
M-1: Diglycolate of glycol obtained by adding 3 mol of ethylene oxide to both ends of polypropylene glycol to which 12 mol of propylene oxide was added on average

M−2:ビスフェノ−ルAの両端にそれぞれ平均2モルのプロピレンオキサイドを付加したポリプロピレングリコ−ルと平均6モルのエチレンオキサイドを付加したポリエチレングリコ−ルのジメタクリレート
M−3:ヘキサメチレンジイソシアネートとトリプロピレングリコールモノメタクリレートとのウレタン化物
M−4:(2,2−ビス{4−(メタクリロキシペンタエトキシ)シクロヘキシル}プロパン
M−5:4−ノルマルノニルフェノキシヘプタエチレングリコールジプロピレングリコールアクリレート
M−6:ビスフェノールAの両端にそれぞれ平均5モルずつのエチレンオキサイドを付加したポリエチレングリコールのジメタクリレート(新中村化学社製BPE−500、製品名)
M-2: Polymethacrylate glycol with an average of 2 moles of propylene oxide added to both ends of bisphenol A and polyethylene glycol with an average of 6 moles of ethylene oxide added M-3: Hexamethylene diisocyanate Urethane compound with tripropylene glycol monomethacrylate M-4: (2,2-bis {4- (methacryloxypentaethoxy) cyclohexyl} propane M-5: 4-normalnonylphenoxyheptaethylene glycol dipropylene glycol acrylate M-6 : Dimethacrylate of polyethylene glycol with an average of 5 moles of ethylene oxide added to each end of bisphenol A (BPE-500 manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., product name)

M−7:ノナプロピレングリコ−ルジアクリレート
M−8:ノナエチレングリコ−ルジアクリレート
A−1:4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン
A−2:2−(o−クロロフェニル)−4、5−ジフェニルイミダゾ−ル二量体
A−3:2−(p−メトキシトリエトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体
(一般式(I)においてX=メチル基、Y=Z=水素、n1=3である化合物)
A−4:2,2’,5−トリス(2−クロロフェニル)−4−(3、4−ジメトキシフェニル)−4’,5’−ジフェニル−1,1’−ビイミダゾール
B−1:ダイアモンドグリ−ン
B−2:ロイコクリスタルバイオレット
M-7: Nonapropylene glycol diacrylate M-8: Nonaethylene glycol diacrylate A-1: 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone A-2: 2- (o-chlorophenyl) -4, 5- Diphenylimidazole dimer A-3: 2- (p-methoxytriethoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer (in formula (I), X = methyl group, Y = Z = hydrogen, n1 = 3)
A-4: 2,2 ′, 5-tris (2-chlorophenyl) -4- (3,4-dimethoxyphenyl) -4 ′, 5′-diphenyl-1,1′-biimidazole B-1: diamond corn -B-2: Leuco Crystal Violet

Figure 2008094803
Figure 2008094803

本発明の感光性樹脂組成物を用いたDFRは、露光時の感度に優れるとともに、高解像性を有し、現像工程におけるスカムの発生が少なく、露光後のコントラスト性に優れ、剥離片サイズが微小であり、硬化膜柔軟性に優れるため、アルカリ現像型プリント配線板、リードフレーム及び半導体パッケージ用基板を作製するためのDFRとして有用である。   The DFR using the photosensitive resin composition of the present invention has excellent sensitivity at the time of exposure, high resolution, little occurrence of scum in the developing process, excellent contrast after exposure, and a peelable piece size. Since it is small and has excellent cured film flexibility, it is useful as a DFR for producing an alkali development type printed wiring board, a lead frame, and a semiconductor package substrate.

Claims (11)

下記一般式(I)で表される化合物。
Figure 2008094803
(Xは水素又は炭素数1〜6の炭化水素基、Y及びZは、それぞれ独立にハロゲン基、炭素数1〜6の炭化水素基、アルコキシ基、及びヒドロキシル基からなる群より選ばれる一種の基であり、nは1〜10の整数、mは1〜5の整数、m及びmはそれぞれ独立に0〜5の整数である。)
The compound represented by the following general formula (I).
Figure 2008094803
(X is hydrogen or a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, Y and Z are each independently selected from the group consisting of a halogen group, a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, and a hydroxyl group. And n 1 is an integer of 1 to 10, m 1 is an integer of 1 to 5, and m 2 and m 3 are each independently an integer of 0 to 5.)
感光性樹脂組成物全体に対して、(a)カルボキシル基含有量が酸当量で100〜600であり、かつ、重量平均分子量が5千〜50万の線状重合体からなるバインダー用樹脂:20〜90質量%、(b)少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する光重合性モノマー:5〜75質量%、(c)光重合開始剤:0.01〜30質量%を含有し、(c)光重合性開始剤として下記一般式(I)を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
Figure 2008094803
(Xは水素又は炭素数1〜6の炭化水素基、Y及びZは、それぞれ独立に、ハロゲン基、炭素数1〜6の炭化水素基、アルコキシ基、及びヒドロキシル基からなる群より選ばれる一種の基であり、nは1〜10の整数、mは1〜5の整数、m及びmは0〜5の整数である。)
(A) Resin for binders comprising a linear polymer having a carboxyl group content of 100 to 600 in terms of acid equivalent and a weight average molecular weight of 5,000 to 500,000 with respect to the entire photosensitive resin composition: 20 -90 mass%, (b) photopolymerizable monomer having at least one terminal ethylenically unsaturated group: 5-75 mass%, (c) photopolymerization initiator: 0.01-30 mass%, c) A photosensitive resin composition containing the following general formula (I) as a photopolymerizable initiator.
Figure 2008094803
(X is hydrogen or a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and Y and Z are each independently selected from the group consisting of a halogen group, a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, and a hydroxyl group. And n 1 is an integer of 1 to 10, m 1 is an integer of 1 to 5, m 2 and m 3 are integers of 0 to 5.)
(a)バインダー用樹脂が下記一般式(II)及び一般式(III)で表される群より選ばれる少なくとも一種の化合物を共重合成分として含有することを特徴とする請求項2
記載の感光性樹脂組成物。
Figure 2008094803
(Lは、炭素数1〜6の炭化水素基又はアルコキシ基、ヒドロキシル基、及びハロゲン基からなる群より選ばれる一種の基であり、pは0〜5の整数である。)
Figure 2008094803
(Rは水素原子又はメチル基、Mは、炭素数1〜6の炭化水素基又はアルコキシ基、ヒドロキシル基、及びハロゲン基からなる群より選ばれる一種の基であり、qは0〜5の整数である。)
The resin for binder (a) contains at least one compound selected from the group represented by the following general formula (II) and general formula (III) as a copolymerization component.
The photosensitive resin composition as described.
Figure 2008094803
(L is a kind of group chosen from the group which consists of a C1-C6 hydrocarbon group or an alkoxy group, a hydroxyl group, and a halogen group, and p is an integer of 0-5.)
Figure 2008094803
(R 0 is a hydrogen atom or a methyl group, M is a kind of group selected from the group consisting of a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group, a hydroxyl group, and a halogen group, and q is 0-5. (It is an integer.)
(b)光重合性モノマーとして下記一般式(IV)、(V)、(VI)及び(VII)で表される群より選ばれる少なくとも一種の化合物を含有することを特徴とする請求項2又は3記載の感光性樹脂組成物。
Figure 2008094803
(R及びRは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。また、R及びRは、炭素数2〜6のアルキレン基であり、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、異なっている場合、−(R−O)−及び−(R−O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。n、n3、及びnは、0又は正の整数であり、これらの合計は2〜40である。)
Figure 2008094803
(R及びRは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。R及びRは炭素数2〜6のアルキレン基を示し、これらは同一であっても相違していてもよく、異なっている場合、−(R−O)−及び−(R−O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。n、n7、及びnは、0又は正の整数であり、これらの合計は2〜40である。)
Figure 2008094803
(R及びR10はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基であり、n10,n11及びn12は、それぞれ3〜15の整数である。)
Figure 2008094803
(R11は炭素数4〜12の2価の有機基、R12、R13は水素またはメチル基を表す。また、A及びBは、炭素数2〜6のアルキレン基であり、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、異なっている場合、−(A−O)−及び−(B−O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。m、m6、及びmは、0又は正の整数であり、これらの合計は2〜40である。)
(B) at least one compound selected from the group represented by the following general formulas (IV), (V), (VI) and (VII) as a photopolymerizable monomer: 3. The photosensitive resin composition according to 3.
Figure 2008094803
(R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom or a methyl group. R 1 and R 2 are each an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, which may be the same or different. If they are different, the repeating unit of-(R 1 -O)-and-(R 2 -O)-may be a block structure or a random structure, and n 2 , n 3, n 4 and n 5 are 0 or a positive integer, the sum of which is 2-40.)
Figure 2008094803
(R 7 and R 8 are each independently a hydrogen atom or a methyl group. R 5 and R 6 represent an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, which may be the same or different. When different, the repeating unit of-(R 5 -O)-and-(R 6 -O)-may be a block structure or a random structure, and n 6 , n 7, n 8 and n 9 are 0 Or a positive integer, the sum of which is 2-40.)
Figure 2008094803
(R 9 and R 10 are each independently a hydrogen atom or a methyl group, and n 10 , n 11, and n 12 are each an integer of 3 to 15)
Figure 2008094803
(R 11 represents a divalent organic group having 4 to 12 carbon atoms, R 12 and R 13 represent hydrogen or a methyl group. A and B are alkylene groups having 2 to 6 carbon atoms, which are the same as each other. In the case where they are different, the repeating unit of-(AO)-and-(BO)-may be a block structure or a random structure, m 5 , m 6, m 7. And m 8 is 0 or a positive integer, and the sum of these is 2 to 40.)
請求項2〜4のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を支持層
上に設けた感光性樹脂積層体。
The photosensitive resin laminated body which provided the photosensitive resin layer which consists of the photosensitive resin composition as described in any one of Claims 2-4 on the support layer.
基板上に請求項5記載の感光性樹脂積層体を用いて感光性樹脂層を形成する積層工程、露光工程、現像工程を含むレジストパターンの形成方法。 A method for forming a resist pattern, comprising a lamination step of forming a photosensitive resin layer on the substrate using the photosensitive resin laminate according to claim 5, an exposure step, and a development step. 前記露光工程において、直接描画して露光する事を特徴とする請求項6に記載のレジストパターン形成方法。 The resist pattern forming method according to claim 6, wherein in the exposure step, exposure is performed by direct drawing. 請求項6又は7記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングするかまたはめっきする工程を含むプリント配線板の製造方法。 The manufacturing method of a printed wiring board including the process of etching or plating the board | substrate which formed the resist pattern by the method of Claim 6 or 7. 請求項6又は7に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングする工程を含むリードフレームの製造方法。   A method for manufacturing a lead frame, comprising a step of etching a substrate on which a resist pattern is formed by the method according to claim 6. 請求項6又は7に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングするかまたはめっきする工程を含む半導体パッケージの製造方法。   A method for manufacturing a semiconductor package, comprising a step of etching or plating a substrate on which a resist pattern is formed by the method according to claim 6. 請求項6又は7に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、サンドブラスト工程によって加工する方法。   A method for processing a substrate on which a resist pattern is formed by the method according to claim 6 or 7 by a sandblasting process.
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