KR101775206B1 - Photosensitive resin composition and photosensitive element using same, resist pattern formation method and printed circuit board manufacturing method - Google Patents

Photosensitive resin composition and photosensitive element using same, resist pattern formation method and printed circuit board manufacturing method Download PDF

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Abstract

본 발명은, (A) 결합제 중합체, (B) 광중합성 화합물 및 (C) 광중합 개시제를 함유하고, (B) 광중합성 화합물이 하기 화학식 (I)로 표시되는 화합물을 포함하는, 직접 묘화법에 의한 레지스트 패턴의 형성에 이용되는 감광성 수지 조성물을 제공한다.

Figure 112014001853938-pat00019

(식 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n은 0 내지 50의 정수를 나타냄)The present invention relates to a direct imaging method comprising (A) a binder polymer, (B) a photopolymerizable compound and (C) a photopolymerization initiator, wherein (B) the photopolymerizable compound comprises a compound represented by the following formula The present invention also provides a photosensitive resin composition for use in the formation of a resist pattern.
Figure 112014001853938-pat00019

(Wherein R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and n represents an integer of 0 to 50)

Description

감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 인쇄 배선판의 제조 방법{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND PHOTOSENSITIVE ELEMENT USING SAME, RESIST PATTERN FORMATION METHOD AND PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a photosensitive resin composition, a photosensitive element using the same, a method of forming a resist pattern, and a method of manufacturing a printed wiring board. BACKGROUND ART [0002]

본 발명은 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 인쇄 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition and a photosensitive element using the same, a method of forming a resist pattern, and a method of manufacturing a printed wiring board.

인쇄 배선판의 제조 분야에서는 에칭이나 도금 등에 이용되는 레지스트 재료로서 감광성 수지 조성물이 널리 이용되고 있다. 감광성 수지 조성물은 지지 필름과 상기 지지 필름 상에 형성된 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 층(이하, 「감광성 수지층」이라고 함)을 구비하는 감광성 엘리먼트로서 이용되는 경우가 많다.BACKGROUND ART [0002] In the field of the production of printed wiring boards, photosensitive resin compositions are widely used as resist materials used for etching and plating. The photosensitive resin composition is often used as a photosensitive element comprising a support film and a layer formed using a photosensitive resin composition formed on the support film (hereinafter referred to as a " photosensitive resin layer ").

감광성 엘리먼트를 이용하여 인쇄 배선판을 제조하는 경우, 예를 들면 이하와 같이 하여 인쇄 배선판이 제조된다. 우선, 감광성 엘리먼트의 감광성 수지층을 기판 상에 적층(라미네이트)한다(적층 공정). 다음으로, 경우에 따라서는, 지지 필름을 박리 제거한 후, 감광성 수지층의 소정 부분에 활성 광선을 조사하여 그 소정 부분을 노광시켜 경화시킨다(노광 공정). 그 후, 그 소정 부분 이외의 부분(미노광·미경화 부분)을 기판 상으로부터 제거(현상)함으로써, 기판 상에, 감광성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 레지스트 패턴이 형성된다(현상 공정). 이어서, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 레지스트 패턴을 형성시킨 기판에 에칭 또는 도금 처리를 실시하여 회로 패턴을 형성시키고, 최종적으로 레지스트 패턴을 기판으로부터 박리 제거한다(회로 패턴 형성 공정). 이와 같이 하여, 기판 상에 회로 패턴이 형성된 인쇄 배선판이 제조된다.When a printed wiring board is manufactured using a photosensitive element, for example, a printed wiring board is produced as follows. First, the photosensitive resin layer of the photosensitive element is laminated (laminated) on a substrate (lamination step). Next, in some cases, after the support film is peeled off, a predetermined portion of the photosensitive resin layer is irradiated with an actinic ray to expose and cure the predetermined portion (exposure step). Thereafter, portions (unexposed / uncured portions) other than the predetermined portions are removed (developed) from the substrate to form a resist pattern containing a cured product of the photosensitive resin composition on the substrate (developing step). Subsequently, using this resist pattern as a mask, a substrate on which a resist pattern is formed is subjected to etching or plating to form a circuit pattern, and finally, the resist pattern is peeled off from the substrate (circuit pattern forming step). In this manner, a printed wiring board on which a circuit pattern is formed on a substrate is manufactured.

상기 노광 공정에 있어서는, 종래, 패턴을 갖는 마스크 필름을 통하여 활성 광선을 조사하는 마스크 노광법이 이용되고 있다. 활성 광선의 광원으로서는, 카본 아크등, 수은 증기 아크등, 초고압 수은등, 고압 수은등, 크세논 램프 등의 자외선을 유효하게 방사하는 광원이 이용되고 있다.In the above exposure process, a mask exposure method for irradiating an actinic ray through a mask film having a pattern is conventionally used. As a light source of an active ray, a light source that effectively emits ultraviolet rays such as a carbon arc or a mercury vapor arc, an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, or a xenon lamp is used.

최근 들어, 상기 마스크 노광법을 대체하는 것으로서, 마스크 필름을 이용하지 않고 디지털 데이터를 이용하여 활성 광선을 화상상으로 직접 조사하는 직접 묘화법이 실용화되고 있다. 직접 묘화법에 이용되는 광원으로서는, 안전성이나 취급성 등의 면에서 YAG 레이저, 반도체 레이저 등이 사용되고, 최근에는 장수명이고 고출력인 질화갈륨계 청색 레이저 등을 사용한 기술이 제안되어 있다.In recent years, as a substitute for the mask exposure method, a direct imaging method for directly irradiating an actinic ray on a screen using digital data without using a mask film has been put into practical use. As a light source used in the direct imaging method, a YAG laser, a semiconductor laser, or the like is used in terms of safety and handleability, and recently, a technology using a gallium nitride blue laser having a long life and a high output has been proposed.

또한, 인쇄 배선판에서의 고정밀화, 고밀도화에 따라, 종래보다 파인 패턴이 형성 가능한 DLP(Digital Light Processing) 노광법이라 불리는 직접 묘화법이 도입되고 있다. 일반적으로, DLP 노광법에서는 청자색 반도체 레이저를 광원으로 한 파장 390 내지 430 nm의 활성 광선이 사용된다. 또한, 주로 범용의 인쇄 배선판에 있어서 소량 다품종에 대응 가능한 YAG 레이저를 광원으로 한 파장 355 nm의 폴리곤 멀티빔을 사용한 노광법도 이용되고 있다.In addition, a direct drawing method called a DLP (Digital Light Processing) exposure method capable of forming a fine pattern in comparison with a conventional one has been introduced in accordance with a high-density and high-density printed wiring board. Generally, in the DLP exposure method, an active ray having a wavelength of 390 to 430 nm is used as a light source of a blue-violet semiconductor laser. In addition, an exposure method using a polygon multi-beam having a wavelength of 355 nm, in which a YAG laser capable of coping with a small variety of products is used as a light source in a general-purpose printed wiring board has been used.

한편, 상기 현상 공정에 있어서, 감광성 수지층의 미노광 부분을 기판 상으로부터 제거하는 데 이용되는 현상액으로서는, 환경성 및 안전성의 견지에서, 탄산나트륨 수용액이나 탄산수소나트륨 수용액 등의 알칼리 현상액이 주류로 되어 있다. 감광성 수지층의 미노광 부분은 이들 현상액에 의한 현상이나 수세의 스프레이압에 의해 기판으로부터 제거된다. 따라서, 감광성 수지 조성물에는, 노광 후 현상이나 수세의 스프레이압에 의해 파손되지 않는, 우수한 텐트 신뢰성(텐팅성)을 갖는 것이 요구된다.On the other hand, as the developing solution used for removing the unexposed portion of the photosensitive resin layer from the substrate in the above-described developing step, an alkaline developing solution such as an aqueous solution of sodium carbonate or an aqueous solution of sodium hydrogencarbonate is mainly used from the standpoint of environmental and safety . The unexposed portions of the photosensitive resin layer are removed from the substrate by developing with these developers or spraying pressure of water. Therefore, the photosensitive resin composition is required to have excellent tent reliability (tentability), which is not damaged by exposure after development or spraying by water.

종래의 마스크 노광법에 있어서 우수한 텐트 신뢰성을 갖는 감광성 수지 조성물로서, 2관능 또는 3관능 단량체를 포함하는 감광성 수지 조성물이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 및 2 참조).As a photosensitive resin composition having excellent tent reliability in a conventional mask exposure method, a photosensitive resin composition containing a bifunctional or trifunctional monomer has been proposed (for example, see Patent Documents 1 and 2).

일본 특허 제3199600호 공보Japanese Patent No. 3199600 일본 특허 제3251446호 공보Japanese Patent No. 3251446

그러나, 상기 2관능 또는 3관능 단량체를 포함하는 감광성 수지 조성물은 종래의 마스크 노광법에 있어서는 우수한 텐트 신뢰성을 갖지만, 상기 직접 묘화법에 있어서는 충분한 텐트 신뢰성을 갖는 것은 아니었다.However, the photosensitive resin composition containing the bifunctional or trifunctional monomer has excellent tent reliability in the conventional mask exposure method, but the direct drawing method does not have sufficient tent reliability.

따라서, 본 발명은 직접 묘화법으로 노광한 경우에 우수한 텐트 신뢰성을 갖는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 상기 감광성 수지 조성물을 이용한 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 인쇄 배선판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a photosensitive resin composition having excellent tent reliability when exposed by a direct imaging method. It is another object of the present invention to provide a photosensitive element using the photosensitive resin composition, a method of forming a resist pattern, and a method of manufacturing a printed wiring board.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 광중합성 화합물로서 특정 화학 구조를 갖는 화합물을 이용함으로써, 직접 묘화법으로 노광한 경우에 우수한 텐트 신뢰성을 갖는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이 가능함을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.The present inventors have conducted intensive investigations to solve the above problems. As a result, it has been found that, by using a compound having a specific chemical structure as a photopolymerizable compound, a photosensitive resin composition having excellent tent reliability when exposed by a direct drawing method And thus the present invention has been accomplished.

즉, 본 발명은 (A) 결합제 중합체, (B) 광중합성 화합물 및 (C) 광중합 개시제를 함유하고, 상기 (B) 광중합성 화합물이 하기 화학식 (I)로 표시되는 화합물을 포함하는, 직접 묘화법에 의한 레지스트 패턴의 형성에 이용되는 감광성 수지 조성물이다. 상기 (B) 광중합성 화합물로서 하기 화학식 (I)로 표시되는 화합물을 이용함으로써, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 감도가 양호해지고, 직접 묘화법으로 노광한 경우에 우수한 텐트 신뢰성을 갖는 것이 된다.That is, the present invention relates to a method for producing a photopolymerizable compound, which comprises (A) a binder polymer, (B) a photopolymerizable compound and (C) a photopolymerization initiator, Is a photosensitive resin composition used for forming a resist pattern. By using the compound represented by the following formula (I) as the (B) photopolymerizable compound, the photosensitive resin composition of the present invention has good sensitivity and excellent tent reliability when exposed by the direct imaging method.

Figure 112014001853938-pat00001
Figure 112014001853938-pat00001

상기 화학식 (I) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n은 0 내지 50의 정수를 나타낸다. 텐트 신뢰성이 보다 향상되는 점에서, n은 4 내지 25의 정수인 것이 바람직하다.In the formula (I), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and n represents an integer of 0 to 50. It is preferable that n is an integer of 4 to 25 in that tent reliability is further improved.

상기 (B) 광중합성 화합물은 박리성이 보다 향상되는 점에서, 하기 화학식 (II)로 표시되는 화합물을 더 포함하는 것이 바람직하다.The photopolymerizable compound (B) preferably further comprises a compound represented by the following formula (II) in that the peelability is further improved.

Figure 112014001853938-pat00002
Figure 112014001853938-pat00002

상기 화학식 (II) 중, R3은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R4는 탄소 원자수 9의 탄화수소기를 나타내고, m은 0 내지 20의 정수를 나타낸다. 텐트 신뢰성이 보다 향상되는 점에서, m은 4 내지 8의 정수인 것이 바람직하다.In the above formula (II), R 3 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 4 represents a hydrocarbon group having 9 carbon atoms, and m represents an integer of 0 to 20. It is preferable that m is an integer of 4 to 8 in that tent reliability is further improved.

상기 (C) 광중합 개시제는 감도가 보다 향상되는 점에서, 하기 화학식 (III)으로 표시되는 화합물 및/또는 하기 화학식 (IV)로 표시되는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.The photopolymerization initiator (C) preferably contains a compound represented by the following formula (III) and / or a compound represented by the following formula (IV) in that sensitivity is further improved.

Figure 112014001853938-pat00003
Figure 112014001853938-pat00003

상기 화학식 (III) 중, R5는 탄소 원자수 2 내지 20의 알킬렌기, 옥사디알킬렌기 또는 티오디알킬렌기를 나타낸다.In the above formula (III), R 5 represents an alkylene group, an oxydialkylene group or a thioalkylene group having 2 to 20 carbon atoms.

Figure 112014001853938-pat00004
Figure 112014001853938-pat00004

상기 화학식 (IV) 중, R6은 치환기를 가질 수도 있는 1가의 방향족기를 나타낸다.In the above formula (IV), R 6 represents a monovalent aromatic group which may have a substituent.

또한, 본 발명은 지지 필름과, 상기 지지 필름 상에 형성된 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 감광성 수지층을 구비하는 감광성 엘리먼트에 관한 것이다.The present invention also relates to a photosensitive element comprising a support film and a photosensitive resin layer formed using the photosensitive resin composition formed on the support film.

또한, 본 발명은, 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 감광성 수지층을 기판 상에 적층하는 적층 공정과, 상기 감광성 수지층에 직접 묘화법에 의해 활성 광선을 화상상으로 조사하여 노광부를 경화시키는 노광 공정과, 상기 감광성 수지층의 미노광 부분을 기판 상으로부터 제거함으로써, 기판 상에 감광성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정을 갖는 레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것이다.The present invention also provides a process for producing a photosensitive resin composition, which comprises laminating a photosensitive resin layer formed by using the photosensitive resin composition on a substrate, and irradiating the photosensitive resin layer with an actinic ray in an image- And a developing step of removing the unexposed portions of the photosensitive resin layer from the substrate to form a resist pattern including a cured product of the photosensitive resin composition on the substrate.

또한, 본 발명은 상기 방법에 의해 레지스트 패턴이 형성된 기판을 에칭 또는 도금하는 것을 포함하는 인쇄 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention also relates to a method of manufacturing a printed wiring board comprising etching or plating a substrate on which a resist pattern is formed by the above method.

본 발명에 따르면, 우수한 감도를 갖고, 직접 묘화법으로 노광한 경우에 우수한 텐트 신뢰성을 갖는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이 가능해진다. 또한, 상기 감광성 수지 조성물을 이용한 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 인쇄 배선판의 제조 방법을 제공함으로써, 고정밀한 회로 패턴을 갖는 인쇄 배선판을 제조하는 것이 가능해진다.According to the present invention, it becomes possible to provide a photosensitive resin composition having excellent sensitivity and excellent tent reliability when exposed by a direct imaging method. Further, by providing the photosensitive element using the photosensitive resin composition, a method of forming a resist pattern, and a method of manufacturing a printed wiring board, it is possible to produce a printed wiring board having a highly precise circuit pattern.

도 1은 본 발명의 감광성 엘리먼트의 일 실시 형태를 나타내는 단부면도이다.
도 2는 텐트 신뢰성의 평가에 이용하는 구멍 찢어짐수 측정용 기판의 상면도이다.
1 is an end view showing an embodiment of the photosensitive element of the present invention.
2 is a top view of a substrate for measuring the number of hole tears used for evaluation of tent reliability.

이하, 필요에 따라 도면을 참조하면서 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 상세히 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 도면 중, 동일 요소에는 동일 부호를 붙이기로 하고, 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 도면의 치수 비율은 도시한 비율로 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에서의 「(메트)아크릴산」이란 「아크릴산」 및 그에 대응하는 「메타크릴산」을 의미하며, 「(메트)아크릴레이트」란 「아크릴레이트」 및 그에 대응하는 「메타크릴레이트」를 의미하고, 「(메트)아크릴로일기」란 「아크릴로일기」 및 그에 대응하는 「메타크릴로일기」를 의미한다.Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings as necessary. However, the present invention is not limited to the following embodiments. In the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. In addition, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios. In the present specification, "(meth) acrylic acid" means "acrylic acid" and the corresponding "methacrylic acid", and "(meth) acrylate" means "acrylate" and the corresponding "methacrylate" , And the term "(meth) acryloyl group" means "acryloyl group" and the corresponding "methacryloyl group".

(감광성 수지 조성물)(Photosensitive resin composition)

본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은 (A) 결합제 중합체(이하, 「(A) 성분」이라고도 함), (B) 광중합성 화합물(이하, 「(B) 성분」이라고도 함) 및 (C) 광중합 개시제(이하, 「(C) 성분」이라고도 함)를 함유하는, 직접 묘화법에 의한 레지스트 패턴의 형성에 이용되는 감광성 수지 조성물이다. 여기서, 「직접 묘화법」이란, 마스크 필름 등을 이용하지 않고 디지털 데이터에 기초하여 감광성 수지층에 레이저 광선 등의 활성 광선을 화상상으로 조사함으로써, 원하는 패턴을 직접 감광성 수지층에 묘화하는 노광 방법을 의미한다.The photosensitive resin composition of the present embodiment is a photopolymerizable compound (hereinafter sometimes referred to as a "component (B)") and (C) a photopolymerization initiator (Hereinafter also referred to as a " component (C) "), which is used for forming a resist pattern by a direct drawing method. Here, the " direct drawing method " is an exposure method for drawing a desired pattern directly on a photosensitive resin layer by irradiating an active ray such as a laser beam onto the photosensitive resin layer based on digital data without using a mask film or the like .

<(B) 성분: 광중합성 화합물>&Lt; Component (B): photopolymerizable compound >

본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은 (B) 성분인 광중합성 화합물로서 하기 화학식 (I)로 표시되는 화합물을 포함한다. 이에 따라, 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은 직접 묘화법에 의해 노광한 경우에 우수한 텐트 신뢰성을 갖는 것이 된다. 여기서, 「텐트 신뢰성」이란, 노광 후, 현상이나 수세의 스프레이압에 의해 파손되지 않는 성질(텐팅성)을 의미하며, 텐트 신뢰성의 평가는 도 2에 나타내는 구멍 찢어짐수 측정용 기판을 이용하여 이형 텐트 찢어짐율(%)을 측정함으로써 행해진다.The photosensitive resin composition of the present embodiment includes a compound represented by the following formula (I) as a photopolymerizable compound which is a component (B). Thus, the photosensitive resin composition of the present embodiment has excellent tent reliability when exposed by the direct drawing method. Here, &quot; tent reliability &quot; means a property (tentability) that is not damaged by the spraying pressure of development or washing after exposure, and the reliability of the tent is evaluated using the substrate for measuring the number of hole tears shown in Fig. And the tent tear rate (%).

Figure 112014001853938-pat00005
Figure 112014001853938-pat00005

상기 화학식 (I)로 표시되는 화합물에 있어서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. 내현상액성이 향상되는 점에서, R1 및 R2는 메틸기인 것이 바람직하다. 또한, 상기 화학식 (I)로 표시되는 화합물에 있어서, n은 0 내지 50의 정수를 나타낸다. 텐트 신뢰성이 보다 향상되는 점에서, 상기 n은 4 내지 25의 정수인 것이 바람직하고, 9 내지 24의 정수인 것이 보다 바람직하고, 9 내지 14의 정수인 것이 더욱 바람직하다.In the compound represented by the above formula (I), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group. It is preferable that R 1 and R 2 are methyl groups. In the compound represented by the above formula (I), n represents an integer of 0 to 50. The n is preferably an integer of 4 to 25, more preferably an integer of 9 to 24, and still more preferably an integer of 9 to 14 in that tent reliability is further improved.

상기 화학식 (I)로 표시되는 화합물로서는, 디(메트)아크릴산 무수물(n=0) 및 (폴리)에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트(n=1 내지 50)를 들 수 있다. (폴리)에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트는 (폴리)에틸렌글리콜에 (메트)아크릴산을 반응시킴으로써 얻어진다. 상업적으로 입수 가능한 상기 화학식 (I)로 표시되는 화합물로서는, 9G, 14G, 23G(모두 신나카무라 가가꾸 고교(주) 제조, 상품명) 등의 폴리에틸렌글리콜 디메타크릴레이트를 들 수 있다.Examples of the compound represented by the above formula (I) include di (meth) acrylic acid anhydride (n = 0) and (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate (n = 1 to 50). (Poly) ethylene glycol di (meth) acrylate is obtained by reacting (poly) ethylene glycol with (meth) acrylic acid. Examples of commercially available compounds represented by the above formula (I) include polyethylene glycol dimethacrylates such as 9G, 14G and 23G (all available from Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.).

상기 화학식 (I)로 표시되는 화합물의 함유량은 감도 및 해상도의 균형이 우수한 점에서, (B) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 5 내지 90 질량%인 것이 바람직하다. 텐트 신뢰성이 우수한 점에서는, 상기 함유량은 5 질량% 이상이 바람직하고, 10 질량% 이상이 보다 바람직하고, 15 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 20 질량% 이상이 특히 바람직하다. 또한, 도막성이 우수한 점에서는, 상기 함유량은 90 질량% 이하가 바람직하고, 70 질량% 이하가 보다 바람직하고, 50 질량% 이하가 더욱 바람직하고, 40 질량% 이하가 특히 바람직하다.The content of the compound represented by the above formula (I) is preferably 5 to 90% by mass based on the total mass of the component (B) in view of a good balance of sensitivity and resolution. The content is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, further preferably 15% by mass or more, and particularly preferably 20% by mass or more from the viewpoint of excellent tent reliability. The content is preferably 90% by mass or less, more preferably 70% by mass or less, further preferably 50% by mass or less, and particularly preferably 40% by mass or less.

본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은 상기 화학식 (I)로 표시되는 화합물 이외의 (B) 성분을 더 포함할 수 있다. 이들 (B) 성분으로서는, 에틸렌성 불포화 결합을 갖고, 광 가교 가능한 것이면 특별히 제한은 없지만, 예를 들면 이하의 화합물 (B1) 내지 (B5)를 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present embodiment may further comprise a component (B) other than the compound represented by the above formula (I). The component (B) is not particularly limited as long as it has an ethylenic unsaturated bond and is capable of photo-crosslinking, and examples thereof include the following compounds (B1) to (B5). These may be used alone or in combination of two or more.

(B1) 비스페놀 A계 디(메트)아크릴레이트 화합물(B1) bisphenol A based di (meth) acrylate compound

(B2) 에틸렌성 불포화 결합을 1개 갖는 화합물(B2) a compound having one ethylenic unsaturated bond

(B3) 다가 알코올에 α,β-불포화 카르복실산을 반응시켜 얻어지는 화합물(B3) a compound obtained by reacting an?,? - unsaturated carboxylic acid with a polyhydric alcohol

(B4) 글리시딜기 함유 화합물에 α,β-불포화 카르복실산을 반응시켜 얻어지는 화합물(B4) A compound obtained by reacting an?,? - unsaturated carboxylic acid with a glycidyl group-containing compound

(B5) 우레탄 결합을 갖는 (메트)아크릴레이트 화합물 등의 우레탄 단량체(B5) a urethane monomer such as a (meth) acrylate compound having a urethane bond

그 중에서도 감도 및 해상도가 우수한 점에서, (B) 성분은 비스페놀 A계 디(메트)아크릴레이트 화합물 (B1)을 포함하는 것이 바람직하다. (B1)로서는, 예를 들면 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시폴리에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시폴리프로폭시)페닐)프로판, 및 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시폴리에톡시폴리프로폭시)페닐)프로판을 들 수 있다.Among them, the component (B) preferably contains a bisphenol A di (meth) acrylate compound (B1) in view of excellent sensitivity and resolution. (Meth) acryloxypolypropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4 - ((meth) acryloxypolypropoxy) phenyl) Propane, and 2,2-bis (4 - ((meth) acryloxypolyethoxypolypropoxy) phenyl) propane.

상기 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시폴리에톡시)페닐)프로판으로서는, 예를 들면 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시디에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시트리에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시테트라에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시펜타에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시헥사에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시헵타에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시옥타에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시노나에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시운데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시도데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시 트리데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시테트라데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시펜타데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시헥사데카에톡시)페닐)프로판을 들 수 있다. 2,2-비스(4-(메타크릴옥시펜타에톡시)페닐)프로판은 BPE-500(신나카무라 가가꾸 고교(주) 제조, 상품명)으로서 상업적으로 입수 가능하고, 2,2-비스(4-(메타크릴옥시펜타데카에톡시)페닐)프로판은 BPE-1300(신나카무라 가가꾸 고교(주) 제조, 상품명)으로서 상업적으로 입수 가능하다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the 2,2-bis (4 - ((meth) acryloxypolyethoxy) phenyl) propane include 2,2-bis Bis (4 - ((meth) acryloxytetraethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4- (Meth) acryloxypentaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4 - ((meth) acryloxypentaethoxy) Bis (4 - ((meth) acryloxynoethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis Propane, 2,2-bis (4 - ((meth) acryloxydecaethoxy) phenyl) propane, 2,2- Bis (4 - ((meth) acryloxytridecahexoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4 (meth) acryloxydodecaethoxy) - ((meth) acrylate Bis (4 - ((meth) acryloxypentadecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis Propoxy) phenyl) propane. 2,2-bis (4- (methacryloxypentaethoxy) phenyl) propane is commercially available as BPE-500 (trade name, manufactured by Shin Nakamura Chemical Industry Co., Ltd.) - (methacryloxypentadecaethoxy) phenyl) propane is commercially available as BPE-1300 (trade name, manufactured by Shin Nakamura Chemical Industry Co., Ltd.). These may be used alone or in combination of two or more.

상기 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시폴리프로폭시)페닐)프로판으로서는, 예를 들면 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시디프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시트리프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시테트라프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시펜타프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시헥사프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시헵타프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시옥타프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시노나프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시데카프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시운데카프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시도데카프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시트리데카프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시테트라데카프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시펜타데카프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시헥사데카프로폭시)페닐)프로판을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the 2,2-bis (4 - ((meth) acryloxypolypropoxy) phenyl) propane include 2,2-bis Bis (4 - ((meth) acryloxytetra propoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4 Bis (4 - ((meth) acryloxypentapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis Bis (4 - ((meth) acryloxynonapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis 2-bis (4 - ((meth) acryloxydecaproxy) phenyl) propane, 2, 2-bis (4 - ((meth) acryloxydodecaproxy) phenyl) propane, 2,2-bis 2, 4-bis (4 - ((meth) acryloxytetradecapropoxy) phenyl) propane, 2-bis (4 - ((meth) acryloxyhexadecapropoxy) phenyl) propane. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시폴리에톡시폴리프로폭시)페닐)프로판으로서는, 예를 들면 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시디에톡시옥타프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시테트라에톡시테트라프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시헥사에톡시헥사프로폭시)페닐)프로판을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the 2,2-bis (4 - ((meth) acryloxypolyethoxypolypropoxy) phenyl) propane include 2,2-bis (4 - ((meth) acryloxy diethoxyoxapropoxy) Bis (4 - ((meth) acryloxyhexaethoxyhexapropoxy) propane, 2,2-bis (4- Phenyl) propane. These may be used alone or in combination of two or more.

(B) 성분이 비스페놀 A계 디(메트)아크릴레이트 화합물 (B1)을 포함하는 경우의 함유량은 (B) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 20 내지 80 질량%인 것이 바람직하고, 30 내지 70 질량%인 것이 보다 바람직하다.The content of the component (B) in the case of containing the bisphenol A di (meth) acrylate compound (B1) is preferably 20 to 80% by mass, more preferably 30 to 70% by mass based on the total mass of the component (B) % Is more preferable.

또한, 텐트 신뢰성이 우수한 점에서, (B) 성분이 분자 내에 에틸렌성 불포화 결합을 하나 갖는 화합물 (B2)를 포함하는 것이 바람직하다. (B2)로서는, 하기 화학식 (II)로 표시되는 노닐페녹시계 (메트)아크릴레이트 화합물, γ-클로로-β-히드록시프로필-β'-(메트)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, β-히드록시에틸-β'-(메트)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, β-히드록시프로필-β'-(메트)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 하기 화학식 (II)로 표시되는 노닐페녹시계 (메트)아크릴레이트 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.In addition, from the viewpoint of excellent tent reliability, it is preferable that the component (B) includes the compound (B2) having one ethylenic unsaturated bond in the molecule. (B2) include nonylphenoxime (meth) acrylate compounds represented by the following formula (II),? -Chloro-? -Hydroxypropyl-? '- (meth) acryloyloxyethyl- -Hydroxyethyl-beta '- (meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, and beta -hydroxypropyl-beta' - (meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate. Among them, a nonylphenoxime (meth) acrylate compound represented by the following formula (II) is preferred.

Figure 112014001853938-pat00006
Figure 112014001853938-pat00006

상기 화학식 (II)로 표시되는 화합물에 있어서, R3은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. 현상액성이 향상되는 점에서, R3은 수소 원자인 것이 바람직하다. R4는 탄소 원자수 9의 탄화수소기를 나타낸다. 또한, 상기 화학식 (II)로 표시되는 화합물에 있어서, m은 0 내지 20의 정수를 나타낸다. 텐트 신뢰성이 보다 향상되는 점에서, 상기 m은 4 내지 15의 정수인 것이 바람직하고, 4 내지 10의 정수인 것이 보다 바람직하고, 4 내지 8의 정수인 것이 더욱 바람직하다.In the compound represented by the above formula (II), R 3 represents a hydrogen atom or a methyl group. From the standpoint of improving the developing ability, R 3 is preferably a hydrogen atom. R 4 represents a hydrocarbon group having 9 carbon atoms. In the compound represented by the above formula (II), m represents an integer of 0 to 20. M is preferably an integer of 4 to 15, more preferably an integer of 4 to 10, and still more preferably an integer of 4 to 8, in that tent reliability is further improved.

상기 화학식 (II)로 표시되는 화합물로서는, 노닐페녹시(메트)아크릴레이트(m=0) 및 노닐페녹시(폴리)에틸렌글리콜 (메트)아크릴레이트(m=1 내지 20)를 들 수 있다. 노닐페녹시(폴리)에틸렌글리콜 (메트)아크릴레이트는 (폴리)에틸렌글리콜과 노닐페놀과 (메트)아크릴산을 반응시킴으로써 얻어진다. 노닐페녹시(폴리)에틸렌글리콜 (메트)아크릴레이트로서는, 노닐페녹시테트라에틸렌글리콜 (메트)아크릴레이트, 노닐페녹시옥타에틸렌글리콜 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상업적으로 입수 가능한 상기 화학식 (II)로 표시되는 화합물로서는, FA-314A, FA-318A(모두 히따찌 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조, 상품명) 등의 노닐페녹시(폴리)에틸렌글리콜 아크릴레이트를 들 수 있다.Examples of the compound represented by the formula (II) include nonylphenoxy (meth) acrylate (m = 0) and nonylphenoxy (poly) ethylene glycol (meth) acrylate (m = 1 to 20). Nonylphenoxy (poly) ethylene glycol (meth) acrylate is obtained by reacting (poly) ethylene glycol with nonylphenol and (meth) acrylic acid. Examples of the nonylphenoxy (poly) ethylene glycol (meth) acrylate include nonylphenoxy tetraethylene glycol (meth) acrylate and nonylphenoxy octaethylene glycol (meth) acrylate. Examples of commercially available compounds represented by the above formula (II) include nonylphenoxy (poly) ethylene glycol acrylates such as FA-314A and FA-318A (all products of Hitachi Chemical Industry Co., Ltd.) have.

상기 화학식 (II)로 표시되는 화합물의 함유량은 감도 및 해상도의 균형이 우수한 점에서, (B) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 5 내지 90 질량%인 것이 바람직하다. 텐트 신뢰성이 우수한 점에서는 상기 함유량은 5 질량% 이상이 바람직하고, 10 질량% 이상이 보다 바람직하고, 15 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 20 질량% 이상이 특히 바람직하다. 또한, 도막성이 우수한 점에서는, 상기 함유량은 90 질량% 이하가 바람직하고, 70 질량% 이하가 보다 바람직하고, 50 질량% 이하가 더욱 바람직하고, 40 질량% 이하가 특히 바람직하다.The content of the compound represented by the formula (II) is preferably 5 to 90% by mass based on the total mass of the component (B) in view of excellent balance of sensitivity and resolution. The content is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, still more preferably 15% by mass or more, and particularly preferably 20% by mass or more from the viewpoint of excellent tent reliability. The content is preferably 90% by mass or less, more preferably 70% by mass or less, further preferably 50% by mass or less, and particularly preferably 40% by mass or less.

상기 다가 알코올에 α,β-불포화 카르복실산을 반응시켜 얻어지는 화합물 (B3)으로서는, 예를 들면 옥시프로필렌기의 수가 2 내지 14인 폴리프로필렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, EO 변성 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트(옥시에틸렌기의 반복 총수가 1 내지 5인 것), PO 변성 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, EO, PO 변성 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄 트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 여기서, 「EO 변성」이란, (폴리)옥시에틸렌쇄의 블록 구조를 갖는 화합물(폴리옥시에틸렌화된 화합물)인 것을 의미하고, 「PO 변성」이란, (폴리)옥시프로필렌쇄의 블록 구조를 갖는 화합물(폴리옥시프로필렌화된 화합물)인 것을 의미하며, 「EO·PO 변성」이란, (폴리)옥시에틸렌쇄 및 (폴리)옥시프로필렌쇄의 블록 구조를 갖는 화합물(폴리옥시에틸렌화 및 폴리옥시프로필렌화된 화합물)인 것을 의미한다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the compound (B3) obtained by reacting the above polyhydric alcohol with an?,? - unsaturated carboxylic acid include polypropylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 14 oxypropylene groups, trimethylolpropane di (Meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, EO-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate (having repeating total number of oxyethylene groups of 1 to 5), PO-modified trimethylolpropane tri (Meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, tetraethylene glycol di And pentaerythritol hexa (meth) acrylate. These may be used alone or in combination of two or more. Here, "EO-modified" means a compound having a (poly) oxyethylene chain block structure (polyoxyethylenated compound), and "PO-modified" means a compound having a (poly) oxypropylene chain Refers to a compound (polyoxypropylene compound), and "EO.PO. denatured" means a compound having a block structure of (poly) oxyethylene chain and (poly) oxypropylene chain (polyoxyethylene and polyoxypropylene ). &Lt; / RTI &gt; These may be used alone or in combination of two or more.

상기 우레탄 단량체 (B5)로서는, 예를 들면 β 위치에 수산기를 갖는 (메트)아크릴 모노머와 이소포론디이소시아네이트, 2,6-톨루엔디이소시아네이트, 2,4-톨루엔디이소시아네이트, 및 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트 화합물과의 부가 반응물, 트리스((메트)아크릴옥시테트라에틸렌글리콜이소시아네이트)헥사메틸렌이소시아누레이트, EO 변성 우레탄 디(메트)아크릴레이트, EO, PO 변성 우레탄 디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. EO 변성 우레탄 디(메트)아크릴레이트로서는, 예를 들면 신나카무라 가가꾸 고교(주) 제조의 상품명 UA-11 등을 들 수 있다. 또한, EO, PO 변성 우레탄 디(메트)아크릴레이트로서는, 예를 들면 신나카무라 가가꾸 고교(주) 제조의 상품명 UA-13 등을 들 수 있다. 또한, 트리스((메트)아크릴옥시테트라에틸렌글리콜이소시아네이트)헥사메틸렌이소시아누레이트로서는, 예를 들면 신나카무라 가가꾸 고교(주) 제조의 상품명 UA-21 등을 들 수 있다. 그 중에서도 UA-21은 텐트 신뢰성을 보다 향상시키는 점에서, 5 내지 25 중량%인 것이 바람직하고, 7 내지 15 중량%인 것이 보다 바람직하다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the urethane monomer (B5) include a (meth) acrylic monomer having a hydroxyl group at the? -Position and an isophorone diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, 2,4-toluene diisocyanate and 1,6- (Meth) acryloxytetraethylene glycol isocyanate), hexamethylene isocyanurate, EO-modified urethane di (meth) acrylate, EO, PO-modified urethane di (meth) acrylate, and diisocyanate compounds such as methylene diisocyanate. ) Acrylate, and the like. Examples of the EO-modified urethane di (meth) acrylate include trade name UA-11 manufactured by Shin Nakamura Chemical Industry Co., Ltd. Examples of the EO and PO modified urethane di (meth) acrylate include UA-13 (trade name, manufactured by Shin Nakamura Chemical Industry Co., Ltd.). Further, tris ((meth) acryloxytetraethylene glycol isocyanate) Hexamethyleneisocyanurate includes, for example, UA-21 (trade name) manufactured by Shin Nakamura Chemical Industry Co., Ltd. Among them, UA-21 is preferably 5 to 25% by weight, more preferably 7 to 15% by weight in view of further improving tent reliability. These may be used alone or in combination of two or more.

(B) 성분(광중합성 화합물)의 함유량은 (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 20 내지 60 질량부로 하는 것이 바람직하다. 감도 및 해상도를 향상시키는 점에서, (B) 성분의 함유량은 20 질량부 이상이 바람직하고, 25 질량부 이상이 보다 바람직하고, 30 질량부 이상이 더욱 바람직하다. 필름성을 부여하는 점 및 경화 후의 레지스트 형상이 우수한 점에서, (B) 성분의 함유량은 60 질량부 이하가 바람직하고, 55 질량부 이하가 보다 바람직하고, 50 질량부 이하가 더욱 바람직하다.The content of the component (B) (photopolymerizable compound) is preferably 20 to 60 parts by mass based on 100 parts by mass of the total of the components (A) and (B). In order to improve the sensitivity and resolution, the content of the component (B) is preferably 20 parts by mass or more, more preferably 25 parts by mass or more, and further preferably 30 parts by mass or more. The content of the component (B) is preferably 60 parts by mass or less, more preferably 55 parts by mass or less, and further preferably 50 parts by mass or less, from the viewpoint of imparting film properties and excellent resist shape after curing.

<(A) 성분: 결합제 중합체>&Lt; Component (A): Binder polymer >

(A) 성분인 결합제 중합체로서는, 알칼리 수용액에 가용이고 피막 형성이 가능한 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들면 아크릴계 수지, 스티렌계 수지, 에폭시계 수지, 아미드계 수지, 아미드에폭시계 수지, 알키드계 수지, 및 페놀계 수지를 들 수 있다. 그 중에서도, 알칼리 현상성의 견지에서는 아크릴계 수지가 바람직하다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The binder polymer as component (A) is not particularly limited as long as it is soluble in an aqueous alkali solution and can form a film, and examples thereof include acrylic resins, styrene resins, epoxy resins, amide resins, amide epoxy resins, , And phenolic resins. Among them, an acrylic resin is preferable in view of alkali developability. These may be used alone or in combination of two or more.

(A) 성분은, 예를 들면 중합성 단량체(모노머)를 라디칼 중합시킴으로써 제조할 수 있다. 중합성 단량체로서는, 예를 들면 스티렌; α-메틸스티렌, 비닐톨루엔 등의 α-위치 또는 방향족환에 있어서 치환되어 있는 중합 가능한 스티렌 유도체; 디아세톤아크릴아미드 등의 아크릴아미드; 아크릴로니트릴; 비닐-n-부틸에테르 등의 비닐알코올의 에테르류; (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산벤질에스테르, (메트)아크릴산테트라히드로푸르푸릴에스테르, (메트)아크릴산디메틸아미노에틸에스테르, (메트)아크릴산디에틸아미노에틸에스테르, (메트)아크릴산글리시딜에스테르, 2,2,2-트리플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산 에스테르; (메트)아크릴산, α-브로모(메트)아크릴산, α-클로로(메트)아크릴산, β-푸릴(메트)아크릴산, β-스티릴(메트)아크릴산 등의 (메트)아크릴산 유도체; 말레산, 말레산 무수물, 말레산모노메틸, 말레산모노에틸, 말레산모노이소프로필 등의 말레산 유도체; 푸마르산, 신남산, α-시아노신남산, 이타콘산, 크로톤산, 프로피올산 등의 유기산 유도체를 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The component (A) can be produced, for example, by radical polymerization of a polymerizable monomer (monomer). As the polymerizable monomer, for example, styrene; polymerizable styrene derivatives substituted in the? -position or aromatic ring such as? -methylstyrene, vinyltoluene and the like; Acrylamide such as diacetone acrylamide; Acrylonitrile; Ethers of vinyl alcohol such as vinyl-n-butyl ether; (Meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid benzyl ester, (meth) acrylate tetrahydrofurfuryl ester, (meth) acrylic acid dimethylaminoethyl ester, diethylaminoethyl (meth) acrylate, glycidyl (Meth) acrylic acid esters such as esters, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylate and 2,2,3,3-tetrafluoropropyl (meth) acrylate; (Meth) acrylic acid derivatives such as (meth) acrylic acid, alpha -bromo (meth) acrylic acid, alpha -chloro (meth) acrylic acid, beta-furyl (meth) acrylic acid and beta -styryl (meth) acrylic acid; Maleic acid derivatives such as maleic acid, maleic anhydride, monomethyl maleate, monoethyl maleate, and monoisopropyl maleate; And organic acid derivatives such as fumaric acid, cinnamic acid,? -Cyanosinic acid, itaconic acid, crotonic acid and propiolic acid. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 (메트)아크릴산알킬에스테르로서는 하기 화학식 (V)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include compounds represented by the following formula (V).

Figure 112014001853938-pat00007
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상기 화학식 (V) 중, R7은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R8은 탄소 원자수 1 내지 12의 알킬기를 나타낸다.In the above formula (V), R 7 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 8 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms.

상기 화학식 (V) 중의 R8로 표시되는 탄소 원자수 1 내지 12의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기 및 이들의 구조 이성체를 들 수 있다.Examples of the alkyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 8 in the above formula (V) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, An undecyl group, a dodecyl group, and a structural isomer thereof.

상기 화학식 (V)로 표시되는 화합물로서는, 예를 들면 (메트)아크릴산메틸에스테르, (메트)아크릴산에틸에스테르, (메트)아크릴산프로필에스테르, (메트)아크릴산부틸에스테르, (메트)아크릴산펜틸에스테르, (메트)아크릴산헥실에스테르, (메트)아크릴산헵틸에스테르, (메트)아크릴산옥틸에스테르, (메트)아크릴산 2-에틸헥실에스테르, (메트)아크릴산노닐에스테르, (메트)아크릴산데실에스테르, (메트)아크릴산운데실에스테르, (메트)아크릴산도데실에스테르를 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the compound represented by the above formula (V) include (meth) acrylic acid methyl ester, (meth) acrylic acid ethyl ester, (meth) acrylic acid propyl ester, (meth) acrylic acid butyl ester, (Meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl Esters, and (meth) acrylic acid dodecyl esters. These may be used alone or in combination of two or more.

또한, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 상기 화학식 (V)로 표시되는 화합물에 있어서, 알킬기가 수산기, 에폭시기, 할로겐기 등으로 치환된 화합물도 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include compounds in which the alkyl group is substituted with a hydroxyl group, an epoxy group, a halogen group or the like in the compound represented by the formula (V).

(A) 성분은 알칼리 현상성의 견지에서, 카르복실기를 포함하는 것이 바람직하다. 카르복실기를 포함하는 (A) 성분은, 예를 들면 카르복실기를 갖는 중합성 단량체와, 그 밖의 중합성 단량체를 라디칼 중합시킴으로써 제조할 수 있다. 상기 카르복실기를 갖는 중합성 단량체로서는 (메트)아크릴산이 바람직하고, 그 중에서도 메타크릴산이 보다 바람직하다.The component (A) preferably contains a carboxyl group from the viewpoint of alkali developability. The component (A) containing a carboxyl group can be produced, for example, by radical polymerization of a polymerizable monomer having a carboxyl group and other polymerizable monomers. As the polymerizable monomer having a carboxyl group, (meth) acrylic acid is preferable, and methacrylic acid is more preferable.

(A) 성분의 카르복실기 함유량(사용하는 전체 중합성 단량체에 대한 카르복실기를 갖는 중합성 단량체의 비율)은 알칼리 현상성과 현상액 내성의 균형의 견지에서, (A) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 12 내지 50 질량%인 것이 바람직하다. 알칼리 현상성이 우수한 점에서는 12 질량% 이상이 바람직하고, 15 질량% 이상이 보다 바람직하다. 또한, 현상액 내성이 우수한 점에서는 50 질량% 이하가 바람직하고, 40 질량% 이하가 보다 바람직하고, 30 중량% 이하가 더욱 바람직하고, 25 질량% 이하가 특히 바람직하다.The content of the carboxyl group of the component (A) (the proportion of the polymerizable monomer having a carboxyl group to the entire polymerizable monomer to be used) is preferably in the range of 12 to 30 mass%, based on the total mass of the component (A) And more preferably 50% by mass. But is preferably not less than 12% by mass, more preferably not less than 15% by mass in terms of excellent alkali developability. From the viewpoint of excellent developer resistance, the content is preferably 50% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, still more preferably 30% by mass or less, and particularly preferably 25% by mass or less.

(A) 성분은 밀착성 및 박리 특성의 견지에서, 스티렌 또는 스티렌 유도체를 중합성 단량체로서 포함하는 것이 바람직하다. 상기 스티렌 또는 스티렌 유도체를 공중합 성분으로 했을 경우의 그의 함유량(사용하는 전체 중합성 단량체에 대한 스티렌 또는 스티렌 유도체의 비율)은 밀착성 및 박리 특성을 함께 양호하게 하는 견지에서, (A) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 0.1 내지 30 질량% 포함하는 것이 바람직하다. 밀착성이 우수한 점에서는 0.1 질량% 이상이 바람직하고, 1 질량% 이상이 보다 바람직하고, 1.5 질량% 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 박리성이 우수한 점에서는 30 질량% 이하가 바람직하고, 28 질량% 이하가 보다 바람직하고, 27 질량% 이하가 더욱 바람직하다.The component (A) preferably contains styrene or a styrene derivative as a polymerizable monomer in view of adhesion and peeling property. When the styrene or styrene derivative is used as a copolymerization component, the content (the ratio of styrene or styrene derivative to the entire polymerizable monomer to be used) By weight based on the total weight of the composition. But is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, and further preferably 1.5% by mass or more, from the viewpoint of excellent adhesiveness. From the viewpoint of excellent releasability, the content is preferably 30% by mass or less, more preferably 28% by mass or less, and further preferably 27% by mass or less.

이들 (A) 성분(결합제 중합체)은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 2종류 이상을 조합하여 사용하는 경우의 결합제 중합체로서는, 예를 들면 상이한 공중합 성분을 포함하는 2종류 이상의 결합제 중합체, 상이한 중량 평균 분자량의 2종류 이상의 결합제 중합체, 상이한 분산도의 2종류 이상의 결합제 중합체 등을 들 수 있다.These component (A) (binder polymer) may be used alone or in combination of two or more. As the binder polymer when two or more kinds are used in combination, for example, two or more binder polymers containing different copolymerization components, two or more different binder polymers having different weight average molecular weights, two or more different binder polymers .

(A) 성분의 중량 평균 분자량은 내현상액성 및 알칼리 현상성의 균형의 견지에서, 20,000 내지 300,000인 것이 바람직하다. 내현상액성이 우수한 점에서는 20,000 이상이 바람직하고, 40,000 이상이 보다 바람직하고, 50,000 이상이 더욱 바람직하다. 알칼리 현상성이 우수한 점에서는 150,000 이하가 바람직하고, 120,000 이하가 보다 바람직하다. 또한, 본 명세서에서의 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피법에 의해 측정되고, 표준 폴리스티렌을 이용하여 작성한 검량선에 의해 환산된 값이다.The weight average molecular weight of the component (A) is preferably from 20,000 to 300,000 in view of the balance between the resistance to developing and the alkalinity. But is preferably 20,000 or more, more preferably 40,000 or more, and even more preferably 50,000 or more in view of excellent resistance to developing. The alkali developing property is preferably 150,000 or less, more preferably 120,000 or less. In the present specification, the weight average molecular weight is a value measured by a gel permeation chromatography method and converted by a calibration curve prepared using standard polystyrene.

(A) 성분의 함유량은 (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 40 내지 80 질량부로 하는 것이 바람직하다. 필름성을 부여하는 점에서는 40 질량부 이상이 바람직하고, 45 질량부 이상이 보다 바람직하고, 50 질량부 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 감도 및 해상성이 우수한 점에서, 80 질량부 이하가 바람직하고, 75 질량부 이하가 보다 바람직하고, 70 질량부 이하가 더욱 바람직하다.The content of the component (A) is preferably 40 to 80 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the components (A) and (B). From the standpoint of imparting film properties, the amount is preferably not less than 40 parts by mass, more preferably not less than 45 parts by mass, and most preferably not less than 50 parts by mass. Further, the amount is preferably 80 parts by mass or less, more preferably 75 parts by mass or less, and even more preferably 70 parts by mass or less, from the viewpoint of excellent sensitivity and resolution.

<(C) 성분: 광중합 개시제>&Lt; Component (C): photopolymerization initiator >

(C) 성분인 광중합 개시제는 하기 화학식 (III)으로 표시되는 화합물 및/또는 하기 화학식 (IV)로 표시되는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.The photopolymerization initiator which is the component (C) preferably contains a compound represented by the following formula (III) and / or a compound represented by the following formula (IV).

Figure 112014001853938-pat00008
Figure 112014001853938-pat00008

상기 화학식 (III)으로 표시되는 화합물에 있어서, R5는 탄소 원자수 2 내지 20의 알킬렌기, 옥사디알킬렌기 또는 티오디알킬렌기를 나타낸다. 감도 및 해상도를 보다 양호하게 하는 견지에서, (C) 성분은 상기 화학식 (III)으로 표시되는 화합물로서, R5가 탄소 원자수 7의 알킬렌기인 화합물(예를 들면, (주)아데카(ADEKA) 제조, 상품명 「N-1717」)을 포함하는 것이 바람직하다.In the compound represented by the above formula (III), R 5 represents an alkylene group, an oxa-dialkylene group or a thio-alkylene group having 2 to 20 carbon atoms. (C) is a compound represented by the above formula (III) wherein R 5 is an alkylene group having 7 carbon atoms (for example, adeka Manufactured by ADEKA, trade name &quot; N-1717 &quot;).

(C) 성분이 상기 화학식 (IV)로 표시되는 화합물을 포함하는 경우, 그의 함유량은 감도 및 해상도의 균형의 견지에서, (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 0.01 내지 20 중량부인 것이 바람직하고, 0.1 내지 10 중량부인 것이 보다 바람직하고, 0.2 내지 5 중량부인 것이 더욱 바람직하다. 이 함유량이 0.01 중량부 미만이면, 충분한 감도가 얻어지지 않는 경향이 있고, 20 중량부를 초과하면, 레지스트 형상이 역사다리꼴이 되어, 충분한 밀착성 및 해상도가 얻어지지 않는 경향이 있다.When the component (C) comprises the compound represented by the above formula (IV), the content thereof is preferably 0.01 to 20 parts by mass per 100 parts by mass of the total amount of the components (A) and (B) More preferably from 0.1 to 10 parts by weight, and still more preferably from 0.2 to 5 parts by weight. When the content is less than 0.01 part by weight, sufficient sensitivity tends not to be obtained. When the content exceeds 20 parts by weight, the resist shape becomes inverted trapezoid, and sufficient adhesion and resolution tends not to be obtained.

Figure 112014001853938-pat00009
Figure 112014001853938-pat00009

상기 화학식 (IV)로 표시되는 화합물에 있어서, R6은 치환기를 가질 수도 있는 1가의 방향족기를 나타낸다. 밀착성 및 해상도를 보다 양호하게 하는 견지에서, (C) 성분은 상기 화학식 (IV)로 표시되는 화합물로서, R6이 페닐기인 화합물(예를 들면, 신닛테쯔 가가꾸(주) 제조, 상품명 「9-PA」)을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 감도를 보다 양호하게 하는 견지에서, (C) 성분은 상기 화학식 (IV)로 표시되는 화합물로서, R6이 알킬기, 할로겐 원자 등으로 치환된 페닐기인 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 화합물로서는, R6이 p-메틸페닐기, m-메틸페닐기, o-메틸페닐기, p-클로로페닐기인 화합물(예를 들면, 상주시 강력 전자 신재료 유한공사 제조, 상품명 「TR-PAD102」, 「TR-PAD103」, 「TR-PAD104」, 「TR-PAD105」)을 들 수 있다.In the compound represented by the above formula (IV), R 6 represents a monovalent aromatic group which may have a substituent. (C) is a compound represented by the above formula (IV) wherein R 6 is a phenyl group (for example, a product of Shin-Nittsu Chemical Co., Ltd., trade name "9 -PA &quot;). From the viewpoint of making the sensitivity better, it is preferable that the component (C) includes a compound represented by the above formula (IV) wherein R 6 is a phenyl group substituted with an alkyl group, a halogen atom or the like. Examples of such a compound include a compound in which R 6 is a p-methylphenyl group, an m-methylphenyl group, an o-methylphenyl group and a p-chlorophenyl group (for example, a trade name "TR-PAD102" TR-PAD103 "," TR-PAD104 "," TR-PAD105 ").

(C) 성분이 상기 화학식 (IV)로 표시되는 화합물을 포함하는 경우, 그의 함유량은 감도 및 해상도의 균형의 견지에서, (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 0.01 내지 10 중량부인 것이 바람직하고, 0.05 내지 5 중량부인 것이 보다 바람직하고, 0.1 내지 3 중량부인 것이 더욱 바람직하다. 이 함유량이 0.01 중량부 미만이면, 충분한 감도가 얻어지지 않는 경향이 있고, 10 중량부를 초과하면, 레지스트 형상이 역사다리꼴이 되어, 충분한 밀착성 및 해상도가 얻어지지 않는 경향이 있다.When the component (C) contains the compound represented by the above formula (IV), the content thereof is preferably 0.01 to 10 parts by mass per 100 parts by mass of the total amount of the components (A) and (B) More preferably 0.05 to 5 parts by weight, still more preferably 0.1 to 3 parts by weight. When the content is less than 0.01 part by weight, a sufficient sensitivity tends not to be obtained. When the content is more than 10 parts by weight, the resist shape becomes reverse trapezoid, and sufficient adhesion and resolution tends not to be obtained.

상기 화학식 (III)으로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 (IV)로 표시되는 화합물은 단독으로 사용하거나 조합하여 사용할 수 있고, 상기 화학식 (III)으로 표시되는 화합물 또는 상기 화학식 (IV)로 표시되는 화합물을 2종 이상 조합하여 사용할 수도 있다.The compound represented by the formula (III) and the compound represented by the formula (IV) can be used alone or in combination, and the compound represented by the formula (III) or the compound represented by the formula (IV) Two or more of them may be used in combination.

상기 화학식 (III)으로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 (IV)로 표시되는 화합물 이외의 (C) 성분(광중합 개시제)으로서는, 예를 들면 벤조페논, N,N'-테트라메틸-4,4'-디아미노벤조페논(미힐러 케톤), N,N'-테트라에틸-4,4'-디아미노벤조페논, 4-메톡시-4'-디메틸아미노벤조페논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1, 및 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로파논-1 등의 방향족 케톤; 2-에틸안트라퀴논, 페난트렌퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-벤즈안트라퀴논, 2-페닐안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논, 9,10-페난트라퀴논, 2-메틸 1,4-나프토퀴논, 및 2,3-디메틸안트라퀴논 등의 퀴논류; 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 및 벤조인페닐에테르 등의 벤조인에테르 화합물; 벤조인, 메틸벤조인, 및 에틸벤조인 등의 벤조인 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 벤질 유도체; 9,10-디메톡시안트라센, 9,10-디에톡시안트라센, 9,10-디프로폭시안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 및 9,10-디펜톡시안트라센 등의 치환 안트라센류; 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(메톡시페닐)이미다졸 이량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 및 2-(p-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체 등의 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체; 쿠마린계 화합물, 옥사졸계 화합물, 피라졸린계 화합물을 들 수 있다. 또한, 2개의 2,4,5-트리아릴이미다졸의 아릴기의 치환기는 동일하고 대칭인 화합물을 제공할 수도 있고, 상이하고 비대칭인 화합물을 제공할 수도 있다. 또한, 디에틸티오크산톤과 디메틸아미노벤조산의 조합과 같이 티오크산톤계 화합물과 3급 아민 화합물을 조합할 수도 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the component (C) (photopolymerization initiator) other than the compound represented by the formula (III) and the compound represented by the formula (IV) include benzophenone, N, N'-tetramethyl- Diaminobenzophenone (Michler's ketone), N, N'-tetraethyl-4,4'-diaminobenzophenone, 4-methoxy-4'- Aromatic ketones such as 1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1, and 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propanone-1; Diethylanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2,3-di 2-methyl anthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenanthraquinone, 2-methyl 1,4-naphthoquinone, and 2,3-dimethyl anthraquinone Quinones such as quinone; Benzoin ether compounds such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, and benzoin phenyl ether; Benzoin compounds such as benzoin, methylbenzoin, and ethylbenzoin; Benzyl derivatives such as benzyl dimethyl ketal; Substituted anthracenes such as 9,10-dimethoxy anthracene, 9,10-diethoxy anthracene, 9,10-dipropoxyanthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, and 9,10-diphenoxy anthracene; 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (o- (O-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer and 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- 2,4,5-triarylimidazole dimer such as 4,5-diphenylimidazole dimer; Coumarin-based compounds, oxazole-based compounds, and pyrazoline-based compounds. In addition, the substituents of the aryl groups of the two 2,4,5-triarylimidazoles may provide identical and symmetrical compounds, or may provide different, asymmetric compounds. In addition, a thioxanthone compound and a tertiary amine compound may be combined, such as a combination of diethylthioxanthone and dimethylaminobenzoic acid. These may be used alone or in combination of two or more.

(C) 성분의 함유량은 (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100 중량부에 대하여 0.01 내지 20 중량부인 것이 바람직하고, 0.1 내지 10 중량부인 것이 보다 바람직하고, 0.2 내지 5 중량부인 것이 특히 바람직하다. (C) 성분의 함유량이 이 범위이면, 감광성 수지 조성물의 감도 및 내부의 광경화성이 보다 양호해진다.The content of the component (C) is preferably 0.01 to 20 parts by weight, more preferably 0.1 to 10 parts by weight, particularly preferably 0.2 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the components (A) and (B) Do. When the content of the component (C) is within this range, the sensitivity of the photosensitive resin composition and the photocurability of the interior are better.

<그 밖의 성분>&Lt; Other components >

또한, 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은 필요에 따라 말라카이트 그린, 빅토리아 퓨어 블루, 브릴리언트 그린, 메틸바이올렛 등의 염료; 류코크리스탈 바이올렛, 디페닐아민, 벤질아민, 트리페닐아민, 디에틸아닐린, o-클로로아닐린, 트리브로모메틸술폰 등의 광 발색제; 열 발색 방지제; p-톨루엔술폰아미드 등의 가소제; 안료; 충전제; 소포제; 난연제; 밀착성 부여제; 레벨링제; 박리 촉진제; 산화 방지제; 향료; 이미징제; 열 가교제 등을 (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100 중량부에 대하여 각각 0.01 내지 20 중량부 정도 함유할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present embodiment may contain dyes such as malachite green, victoria pure blue, brilliant green and methyl violet, if necessary; Photochromic agents such as leuco crystal violet, diphenylamine, benzylamine, triphenylamine, diethylaniline, o-chloroaniline, and tribromomethylsulfone; Anti-colorant; a plasticizer such as p-toluenesulfonamide; Pigments; Fillers; Defoamer; Flame retardant; An adhesion imparting agent; Leveling agents; Release promoter; Antioxidants; Spices; An imaging agent; A thermal crosslinking agent and the like in an amount of 0.01 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the component (A) and the component (B). These may be used alone or in combination of two or more.

(감광성 수지 조성물의 용액)(Solution of photosensitive resin composition)

본 실시 형태의 감광성 수지 조성물을 유기 용제에 용해하여 고형분 30 내지 60 질량% 정도의 용액(도포액)으로서 사용할 수 있다. 유기 용제로서는, 메탄올, 에탄올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 톨루엔, N,N-디메틸포름아미드, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 또는 이들의 혼합 용제를 들 수 있다.The photosensitive resin composition of the present embodiment may be dissolved in an organic solvent to be used as a solution (coating liquid) having a solid content of about 30 to 60% by mass. Examples of the organic solvent include methanol, ethanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, toluene, N, N-dimethylformamide, propylene glycol monomethyl ether or mixed solvents thereof.

상기 도포액을, 금속판 등의 표면 상에 도포하고 건조시킴으로써, 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 감광성 수지층을 형성할 수 있다. 금속판으로서는, 구리, 구리계 합금, 니켈, 크롬, 철, 스테인리스 등의 철계 합금, 바람직하게는 구리, 구리계 합금, 철계 합금 등을 들 수 있다.By applying the above-mentioned coating liquid on the surface of a metal plate or the like and drying, a photosensitive resin layer formed using the photosensitive resin composition of the present embodiment can be formed. Examples of the metal plate include copper, copper-based alloys, iron-based alloys such as nickel, chromium, iron, and stainless steel, preferably copper, copper-based alloys, and iron-based alloys.

감광성 수지층의 두께는 그의 용도에 따라 다르지만, 건조 후의 두께로 1 내지 100 μm 정도인 것이 바람직하다. 감광성 수지층의 금속판과는 반대측의 표면을 보호 필름으로 피복할 수도 있다. 보호 필름으로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 중합체 필름 등을 들 수 있다.The thickness of the photosensitive resin layer varies depending on the use thereof, but it is preferably about 1 to 100 mu m in thickness after drying. The surface of the photosensitive resin layer opposite to the metal plate may be covered with a protective film. Examples of the protective film include polymer films such as polyethylene and polypropylene.

(감광성 엘리먼트)(Photosensitive element)

도 1에, 본 발명의 감광성 엘리먼트의 일 실시 형태를 나타낸다. 상기 감광성 수지 조성물의 용액을 지지 필름 (2) 상에 도포하고 건조시킴으로써, 지지 필름 (2) 상에 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 감광성 수지층 (3)을 형성할 수 있다. 이어서, 감광성 수지층 (3)의 지지 필름 (2)와는 반대측의 표면을 보호 필름 (4)로 피복함으로써, 지지 필름 (2)와, 상기 지지 필름 (2) 상에 적층된 감광성 수지층 (3)과, 상기 감광성 수지층 (3) 상에 적층된 보호 필름 (4)를 구비하는, 본 실시 형태의 감광성 엘리먼트 (1)이 얻어진다. 보호 필름 (4)는 반드시 구비하지 않을 수도 있다.Fig. 1 shows an embodiment of the photosensitive element of the present invention. The photosensitive resin layer 3 formed on the support film 2 by using the photosensitive resin composition can be formed by applying the solution of the photosensitive resin composition on the support film 2 and drying the solution. The surface of the photosensitive resin layer 3 opposite to the support film 2 is then covered with a protective film 4 to form a support film 2 and a photosensitive resin layer 3 laminated on the support film 2 , And a protective film 4 laminated on the photosensitive resin layer 3 is obtained. The protective film 4 may not necessarily be provided.

지지 필름 (2)로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 내열성 및 내용제성을 갖는 중합체 필름을 사용할 수 있다. 지지 필름 (2)(중합체 필름)의 두께는 1 내지 100 μm인 것이 바람직하고, 1 내지 50 μm인 것이 보다 바람직하고, 1 내지 30 μm인 것이 더욱 바람직하다.As the support film 2, a polymer film having heat resistance and solvent resistance such as polyester such as polyethylene terephthalate, polypropylene, and polyethylene can be used. The thickness of the support film 2 (polymer film) is preferably 1 to 100 占 퐉, more preferably 1 to 50 占 퐉, and even more preferably 1 to 30 占 퐉.

이 두께가 1 μm 미만이면, 지지 필름 (2)를 박리할 때에 지지 필름 (2)가 찢어지기 쉬워지는 경향이 있고, 100 μm를 초과하면 해상도가 충분히 얻어지기 어려워지는 경향이 있다.If the thickness is less than 1 μm, the support film 2 tends to be torn off when the support film 2 is peeled off. When the thickness exceeds 100 μm, resolution tends not to be sufficiently obtained.

보호 필름 (4)로서는, 감광성 수지층 (3)에 대한 접착력이 지지 필름 (2)의 감광성 수지층 (3)에 대한 접착력보다 작은 것이 바람직하고, 또한 저피쉬아이의 필름이 바람직하다. 여기서, 「피쉬아이」란, 재료를 열용융하여 혼련, 압출하고, 2축 연신, 캐스팅법 등에 의해 필름을 제조할 때에 재료의 이물질, 미용해물, 산화열화물 등이 필름 중에 도입된 것을 의미한다. 즉, 「저피쉬아이」란, 필름 중의 상기 이물질 등이 적은 것을 의미한다.As the protective film 4, it is preferable that the adhesive force to the photosensitive resin layer 3 is smaller than the adhesive force of the support film 2 to the photosensitive resin layer 3, and a film of low fish eye is preferable. Here, "fish eye" means that foreign matter, unheated product, oxidized heat, and the like of the material are introduced into the film when the film is produced by thermally fusing the material, kneading and extruding it, and biaxially stretching or casting . In other words, the term &quot; low fish eye &quot; means that the foreign substance or the like in the film is small.

구체적으로, 보호 필름 (4)로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 내열성 및 내용제성을 갖는 중합체 필름을 사용할 수 있다. 시판되는 것으로서는, 오지 세이시사 제조 알판 MA-410, E-200C, 신에쓰 필름사 제조 등의 폴리프로필렌 필름, 데이진사 제조 PS-25 등의 PS 시리즈 등의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등을 들 수 있다. 또한, 보호 필름 (4)는 지지 필름 (2)와 동일한 것일 수도 있다.Specifically, as the protective film 4, a polymer film having heat resistance and solvent resistance such as polyester such as polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene and the like can be used. Examples of commercially available films include polyethylene terephthalate films such as polypropylene films such as ALFAN MA-410, E-200C and Shin-Etsu Film Co., Ltd. manufactured by Oji Seishi Co., Ltd. and PS series such as PS-25 manufactured by Dejina Corporation . The protective film 4 may be the same as the support film 2.

보호 필름 (4)의 두께는 1 내지 100 μm인 것이 바람직하고, 1 내지 50 μm인 것이 보다 바람직하고, 1 내지 30 μm인 것이 더욱 바람직하다. 이 두께가 1 μm 미만이면, 감광성 수지층 (3) 및 보호 필름 (4)를 기판 상에 적층(라미네이트)할 때, 보호 필름 (4)가 찢어지기 쉬워지는 경향이 있고, 100 μm를 초과하면 염가성 면에서 충분하지 않게 되는 경향이 있다.The thickness of the protective film 4 is preferably 1 to 100 占 퐉, more preferably 1 to 50 占 퐉, and even more preferably 1 to 30 占 퐉. When the thickness is less than 1 mu m, the protective film 4 tends to be easily torn when the photosensitive resin layer 3 and the protective film 4 are laminated (laminated) on a substrate. When the thickness exceeds 100 mu m There is a tendency that it is not sufficient in terms of cheapness.

감광성 수지 조성물의 용액의 지지 필름 (2) 상으로의 도포는 롤 코터, 콤마 코터, 그라비아 코터, 에어나이프 코터, 다이 코터, 바 코터 등의 공지된 방법에 의해 행할 수 있다.The application of the solution of the photosensitive resin composition onto the support film 2 can be carried out by a known method such as a roll coater, a comma coater, a gravure coater, an air knife coater, a die coater, a bar coater and the like.

상기 용액의 건조는 70 내지 150℃에서 5 내지 30분간 정도 행하는 것이 바람직하다. 건조 후, 감광성 수지층 중의 잔존 유기 용제량은 후속 공정에서의 유기 용제의 확산을 방지하는 관점에서, 2 질량% 이하로 하는 것이 바람직하다.The drying of the solution is preferably performed at 70 to 150 DEG C for about 5 to 30 minutes. After drying, the amount of the residual organic solvent in the photosensitive resin layer is preferably 2% by mass or less from the viewpoint of preventing the diffusion of the organic solvent in the subsequent step.

감광성 엘리먼트 (1)에서의 감광성 수지층 (3)의 두께는 용도에 따라 다르지만, 건조 후의 두께로 1 내지 200 μm인 것이 바람직하고, 5 내지 100 μm인 것이 보다 바람직하고, 10 내지 50 μm인 것이 더욱 바람직하다. 이 두께가 1 μm 미만이면, 공업적으로 도공하기 어려워지는 경향이 있고, 200 μm를 초과하면, 감도 및 레지스트 바닥부의 광경화성이 충분히 얻어지기 어려워지는 경향이 있다.Although the thickness of the photosensitive resin layer 3 in the photosensitive element 1 varies depending on the use, it is preferably 1 to 200 占 퐉, more preferably 5 to 100 占 퐉, and more preferably 10 to 50 占 퐉, More preferable. When the thickness is less than 1 μm, it tends to be difficult to be applied industrially. On the other hand, when the thickness exceeds 200 μm, the sensitivity and the photocurability of the resist bottom portion tend not to be sufficiently obtained.

감광성 엘리먼트 (1)은 추가로 쿠션층, 접착층, 광 흡수층, 가스 배리어층 등의 중간층 등을 가질 수도 있다.The photosensitive element 1 may further have an intermediate layer such as a cushion layer, an adhesive layer, a light absorbing layer, a gas barrier layer and the like.

얻어진 감광성 엘리먼트 (1)은 시트상으로 또는 권심에 롤상으로 권취하여 보관할 수 있다. 롤상으로 권취하는 경우, 지지 필름 (2)가 외측이 되도록 권취하는 것이 바람직하다. 권심으로서는, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리염화비닐 수지, ABS 수지(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체) 등의 플라스틱 등을 들 수 있다. 이와 같이 하여 얻어진 롤상의 감광성 엘리먼트 롤의 단부면에는 단부면 보호의 견지에서 단부면 세퍼레이터를 설치하는 것이 바람직하고, 내엣지퓨젼의 견지에서 방습 단부면 세퍼레이터를 설치하는 것이 바람직하다. 곤포 방법으로서는, 투습성이 작은 블랙 시트에 싸서 포장하는 것이 바람직하다.The obtained photosensitive element 1 can be wound in a sheet form or in a rolled form by winding. In the case of winding in a roll, it is preferable to wind the support film 2 so as to be on the outer side. Examples of the core include plastics such as polyethylene resin, polypropylene resin, polystyrene resin, polyvinyl chloride resin and ABS resin (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer). It is preferable that the end surface of the roll-shaped photosensitive element roll obtained in this way is provided with an end surface separator from the viewpoint of protecting the end surface, and it is preferable to provide a moistureproof end surface separator from the viewpoint of the edge edge fusion. As a wrapping method, it is preferable to wrap wrapped in a black sheet having low moisture permeability.

(레지스트 패턴의 형성 방법)(Method of forming resist pattern)

상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 본 실시 형태에 따른 레지스트 패턴의 형성 방법은 (i) 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 감광성 수지층을 기판 상에 적층하는 적층 공정과, (ii) 상기 감광성 수지층에 직접 묘화법에 의해 활성 광선을 화상상으로 조사하여 노광부를 경화시키는 노광 공정과, (iii) 감광성 수지층의 미노광 부분을 기판 상으로부터 제거함으로써, 기판 상에, 감광성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정을 갖는다.A resist pattern can be formed using the above photosensitive resin composition. The method for forming a resist pattern according to the present embodiment includes the steps of (i) laminating a photosensitive resin layer formed using the photosensitive resin composition on a substrate, (ii) activating the photosensitive resin layer by a direct imaging method (Iii) a step of forming a resist pattern including a cured product of the photosensitive resin composition on the substrate by removing the unexposed portion of the photosensitive resin layer from the substrate by irradiating a light ray on the image side to cure the exposed portion And has a developing process.

(i) 적층 공정(i) a laminating step

우선, 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 감광성 수지층을 기판 상에 적층한다. 기판으로서는, 절연층과 상기 절연층 상에 형성된 도체층을 구비한 기판(회로 형성용 기판)을 사용할 수 있다.First, a photosensitive resin layer formed by using a photosensitive resin composition is laminated on a substrate. As the substrate, a substrate (substrate for circuit formation) having an insulating layer and a conductor layer formed on the insulating layer can be used.

감광성 수지층의 기판 상으로의 적층은, 예를 들면 상기 감광성 엘리먼트 (1)의 보호 필름 (4)를 제거한 후, 감광성 엘리먼트 (1)의 감광성 수지층 (3)을 가열하면서 상기 기판에 압착함으로써 행해진다. 이에 따라, 기판과 감광성 수지층 (3)과 지지 필름 (2)를 포함하고, 이들이 순서대로 적층된 적층체가 얻어진다.The lamination of the photosensitive resin layer on the substrate can be performed by, for example, after removing the protective film 4 of the photosensitive element 1 and pressing the photosensitive resin layer 3 of the photosensitive element 1 on the substrate while heating Is done. Thereby, a laminate in which the substrate, the photosensitive resin layer 3, and the support film 2 are laminated in this order is obtained.

이 적층 작업은 밀착성 및 추종성의 견지에서, 감압 하에서 행하는 것이 바람직하다. 압착시의 감광성 수지층 및/또는 기판의 가열은 70 내지 130℃의 온도에서 행하는 것이 바람직하고, 0.1 내지 1.0 MPa 정도(1 내지 10 kgf/cm2 정도)의 압력으로 압착하는 것이 바람직하지만, 이들 조건에는 특별히 제한은 없다. 또한, 감광성 수지층을 70 내지 130℃로 가열하면, 미리 기판을 예열 처리하는 것은 필요하지 않지만, 적층성을 더욱 향상시키기 위해 기판의 예열 처리를 행할 수도 있다.This lamination operation is preferably performed under reduced pressure in view of adhesion and followability. Photosensitive resin layer and / or the heating of the substrate at the time of pressing is preferably pressed at a pressure of preferably, and 0.1 to 1.0 MPa about (1 to 10 kgf / cm 2 or so) is performed at a temperature of 70 to 130 ℃ but these Conditions are not particularly limited. When the photosensitive resin layer is heated to 70 to 130 占 폚, it is not necessary to preheat the substrate in advance, but the substrate may be preheated to further improve the lamination property.

(ii) 노광 공정(ii) exposure step

다음으로, 직접 묘화법에 의해 노광을 행한다. 즉, 마스크 필름을 이용하지 않고 디지털 데이터에 기초하여 감광성 수지층 (3)에 레이저 광선 등의 활성 광선을 화상상으로 조사함으로써, 원하는 패턴을 직접 감광성 수지층에 묘화한다. 이 때, 감광성 수지층 (3) 상에 존재하는 지지 필름 (2)가 활성 광선에 대하여 투과성인 경우에는, 지지 필름 (2)를 통하여 활성 광선을 조사할 수 있지만, 지지 필름 (2)가 차광성인 경우에는, 지지 필름 (2)를 제거한 후에 감광성 수지층에 활성 광선을 조사한다.Next, exposure is performed by a direct imaging method. That is, a desired pattern is directly drawn on the photosensitive resin layer by irradiating the photosensitive resin layer 3 with an actinic ray such as a laser beam on the basis of digital data without using a mask film. At this time, when the support film 2 present on the photosensitive resin layer 3 is transparent to the active ray, the active ray can be irradiated through the support film 2, In the case of an adult, after the support film 2 is removed, the photosensitive resin layer is irradiated with an actinic ray.

직접 묘화법으로서는, 레이저 직접 묘화 노광법이나 DLP(Digital Light Processing) 노광법을 들 수 있다. 활성 광선의 광원으로서는, YAG 레이저, 반도체 레이저, 질화갈륨계 청자색 레이저 등이 바람직하지만, 카본 아크등, 수은 증기 아크등, 초고압 수은등, 고압 수은등, 크세논 램프 등의 자외선을 유효하게 방사하는 것이나, 사진용 플러드 전구, 태양 램프 등의 가시광을 유효하게 방사하는 것을 이용할 수도 있다.Examples of the direct imaging method include laser direct imaging exposure method and DLP (Digital Light Processing) exposure method. As the light source of the active light beam, a YAG laser, a semiconductor laser, a gallium nitride blue-violet laser, or the like is preferable. However, it is preferable to irradiate effectively the ultraviolet rays such as a carbon arc and a mercury vapor arc, an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, A flood bulb for a fluorescent lamp, a solar lamp, or the like.

(iii) 현상 공정(iii) development process

또한, 감광성 수지층 (3)의 미노광 부분을 기판 상으로부터 제거함으로써, 기판 상에, 감광성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 레지스트 패턴을 형성한다. 감광성 수지층 (3) 상에 지지 필름 (2)가 존재하는 경우에는 지지 필름 (2)를 제거하고 나서 미노광 부분의 제거(현상)을 행한다. 현상 방법에는 습식 현상과 건식 현상이 있지만, 습식 현상이 널리 이용되고 있다.Further, by removing the unexposed portions of the photosensitive resin layer 3 from the substrate, a resist pattern containing a cured product of the photosensitive resin composition is formed on the substrate. When the support film 2 is present on the photosensitive resin layer 3, the support film 2 is removed and unexposed portions are removed (developed). The developing method includes wet phenomenon and dry phenomenon, but wet phenomenon is widely used.

습식 현상에 의할 경우, 감광성 수지 조성물에 대응한 현상액을 이용하여, 공지된 현상 방법에 의해 현상한다. 현상 방법으로서는, 딥 방식, 배틀 방식, 스프레이 방식, 브러싱, 슬래핑, 스크래핑, 요동 침지 등을 이용한 방법을 들 수 있고, 해상도 향상의 관점에서는 고압 스프레이 방식이 가장 적합하다. 이들 2종 이상의 방법을 조합하여 현상을 행할 수도 있다.In the case of wet development, a developer corresponding to the photosensitive resin composition is used for development by a known developing method. Examples of the developing method include a dipping method, a batting method, a spraying method, a brushing method, a slapping method, a scraping method, and a method using a rocking dipping method. The two or more methods may be combined to perform development.

현상액으로서는, 알칼리성 수용액, 수계 현상액, 유기 용제계 현상액 등을 들 수 있다.Examples of the developer include an alkaline aqueous solution, an aqueous developer, and an organic solvent-based developer.

알칼리성 수용액은, 현상액으로서 이용되는 경우, 안전하면서 안정적이고, 조작성이 양호하다. 알칼리성 수용액의 염기로서는, 리튬, 나트륨 또는 칼륨의 수산화물 등의 수산화 알칼리; 리튬, 나트륨, 칼륨 또는 암모늄의 탄산염 또는 중탄산염 등의 탄산 알칼리; 인산칼륨, 인산나트륨 등의 알칼리 금속 인산염; 피로인산나트륨, 피로인산칼륨 등의 알칼리 금속 피로인산염 등이 이용된다.When used as a developer, the alkaline aqueous solution is safe, stable, and operable. Examples of the base of the alkaline aqueous solution include alkaline hydroxides such as hydroxides of lithium, sodium or potassium; Alkaline carbonates such as carbonates or bicarbonates of lithium, sodium, potassium or ammonium; Alkali metal phosphates such as potassium phosphate and sodium phosphate; Alkali metal pyrophosphate such as sodium pyrophosphate, potassium pyrophosphate and the like are used.

알칼리성 수용액으로서는, 0.1 내지 5 질량% 탄산나트륨의 희박 용액, 0.1 내지 5 질량% 탄산칼륨의 희박 용액, 0.1 내지 5 질량% 수산화나트륨의 희박 용액, 0.1 내지 5 질량% 사붕산나트륨의 희박 용액 등이 바람직하다. 알칼리성 수용액의 pH는 9 내지 11의 범위로 하는 것이 바람직하고, 그 온도는 감광성 수지층의 알칼리 현상성에 맞춰 조절된다. 알칼리성 수용액 중에는 표면 활성제, 소포제, 현상을 촉진시키기 위한 소량의 유기 용제 등을 혼입시킬 수도 있다.The alkaline aqueous solution is preferably a lean solution of 0.1 to 5 mass% sodium carbonate, a lean solution of 0.1 to 5 mass% potassium carbonate, a lean solution of 0.1 to 5 mass% sodium hydroxide, a lean solution of sodium salt of 0.1 to 5 mass% Do. The pH of the alkaline aqueous solution is preferably in the range of 9 to 11, and the temperature is adjusted in accordance with the alkali developability of the photosensitive resin layer. The alkaline aqueous solution may contain a surface active agent, a defoaming agent, and a small amount of an organic solvent for promoting development.

수계 현상액은, 예를 들면 물 또는 알칼리성 수용액과 1종 이상의 유기 용제를 포함하는 현상액이다. 여기서, 알칼리성 수용액의 염기로서는, 앞서 언급한 물질 이외에, 예를 들면 붕사나 메타규산나트륨, 수산화테트라메틸암모늄, 에탄올아민, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 2-아미노-2-히드록시메틸-1,3-프로판디올, 1,3-디아미노프로판올-2, 모르폴린 등을 들 수 있다.The aqueous developing solution is, for example, a developer containing water or an alkaline aqueous solution and at least one organic solvent. Examples of the base of the alkaline aqueous solution include, in addition to the above-mentioned materials, borax or sodium metasilicate, tetramethylammonium hydroxide, ethanolamine, ethylenediamine, diethylenetriamine, 2-amino-2-hydroxymethyl- , 3-propanediol, 1,3-diaminopropanol-2, and morpholine.

수계 현상액의 pH는 현상이 충분히 행해지는 범위에서 가능한 한 작게 하는 것이 바람직하고, pH 8 내지 12로 하는 것이 바람직하고, pH 9 내지 10으로 하는 것이 보다 바람직하다.The pH of the aqueous developing solution is preferably as small as possible within a range in which development is sufficiently carried out, and the pH is preferably 8 to 12, more preferably 9 to 10.

수계 현상액에 이용하는 유기 용제로서는, 아세톤, 아세트산에틸, 탄소 원자수 1 내지 4의 알콕시기를 갖는 알콕시에탄올, 에틸알코올, 이소프로필알코올, 부틸알코올, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다. 수계 현상액에서의 유기 용제의 농도는 통상 2 내지 90 질량%로 하는 것이 바람직하고, 그의 온도는 알칼리 현상성에 맞춰 조정할 수 있다. 수계 현상액 중에는 계면활성제, 소포제 등을 소량 혼입할 수도 있다.Examples of the organic solvent used in the aqueous developing solution include acetone, ethyl acetate, alkoxyethanol having an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, butyl alcohol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, Diethylene glycol monobutyl ether, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. The concentration of the organic solvent in the aqueous developing solution is preferably 2 to 90% by mass, and the temperature thereof can be adjusted in accordance with the alkali developability. A small amount of a surfactant, defoaming agent or the like may be mixed into the aqueous developing solution.

유기 용제계 현상액으로서는, 1,1,1-트리클로로에탄, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, 시클로헥사논, 메틸이소부틸케톤, γ-부티로락톤 등의 유기 용제를 들 수 있다. 이들 유기 용제에는 인화 방지를 위해 1 내지 20 질량%의 범위로 물을 첨가하는 것이 바람직하다.Examples of the organic solvent-based developer include organic solvents such as 1,1,1-trichloroethane, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, cyclohexanone, methylisobutylketone, . Water is preferably added to these organic solvents in an amount of 1 to 20% by mass for prevention of flammability.

미노광 부분을 제거한 후, 필요에 따라 60 내지 250℃ 정도의 가열 또는 0.2 내지 10 J/cm2 정도의 노광을 행함으로써, 레지스트 패턴을 추가로 경화할 수도 있다. After removing the unexposed portion, the resist pattern may be further cured by heating at about 60 to 250 ° C or by exposure at about 0.2 to 10 J / cm 2 , if necessary.

(인쇄 배선판의 제조 방법)(Manufacturing method of printed wiring board)

상기 방법에 의해 레지스트 패턴이 형성된 기판을 에칭 또는 도금함으로써, 인쇄 배선판을 제조할 수 있다. 기판의 에칭 또는 도금은, 형성된 레지스트 패턴을 마스크로 하여 기판의 도체층 등에 대하여 행해진다.The printed wiring board can be manufactured by etching or plating the substrate on which the resist pattern is formed by the above method. Etching or plating of the substrate is performed with respect to the conductor layer or the like of the substrate using the formed resist pattern as a mask.

에칭을 행하는 경우의 에칭액으로서는, 염화제2구리 용액, 염화제2철 용액, 알칼리 에칭 용액, 과산화수소 에칭액을 들 수 있고, 이들 중에서는 에칭 팩터가 양호한 점에서 염화제2철 용액을 이용하는 것이 바람직하다.As the etching solution for etching, a cupric chloride solution, a ferric chloride solution, an alkali etching solution and a hydrogen peroxide etching solution can be mentioned. Among them, the ferric chloride solution is preferably used in that the etching factor is good .

도금을 행하는 경우의 도금 방법으로서는, 황산구리 도금, 피로인산구리 도금 등의 구리 도금, 하이 스로우 땜납 도금 등의 땜납 도금, 와트욕(황산니켈-염화니켈) 도금, 술파민산니켈 등의 니켈 도금, 하드 금도금, 소프트 금도금 등의 금도금 등을 들 수 있다.Examples of the plating method for plating include copper plating such as copper sulfate plating and copper pyrophosphate plating, solder plating such as high-speed solder plating, plating with a watt bath (nickel sulfate-nickel chloride plating), nickel plating with nickel sulfamate, Gold plating such as gold plating, soft gold plating and the like.

에칭 또는 도금 종료 후, 레지스트 패턴은, 예를 들면 현상에 이용한 알칼리성 수용액보다 더 강알칼리성의 수용액에 의해 박리할 수 있다. 이 강 알칼리성의 수용액으로서는, 예를 들면 1 내지 10 질량% 수산화나트륨 수용액, 1 내지 10 질량% 수산화칼륨 수용액 등이 이용된다. 그 중에서도 1 내지 10 질량% 수산화나트륨 수용액 또는 수산화칼륨 수용액을 이용하는 것이 바람직하고, 1 내지 5 질량% 수산화나트륨 수용액 또는 수산화칼륨 수용액을 이용하는 것이 보다 바람직하다.After the etching or plating, the resist pattern can be peeled off by, for example, a strong alkaline aqueous solution more than the alkaline aqueous solution used for development. As the alkaline aqueous solution, for example, an aqueous solution of 1 to 10 mass% sodium hydroxide, an aqueous solution of potassium hydroxide of 1 to 10 mass%, and the like are used. Among them, 1 to 10 mass% aqueous sodium hydroxide solution or potassium hydroxide aqueous solution is preferably used, and more preferably 1 to 5 mass% sodium hydroxide aqueous solution or potassium hydroxide aqueous solution is used.

레지스트 패턴의 박리 방식으로서는, 침지 방식, 스프레이 방식 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 사용할 수도 있고 병용할 수도 있다. 또한, 레지스트 패턴이 형성된 인쇄 배선판은 다층 인쇄 배선판일 수도 있고, 소직경 관통 구멍을 가질 수도 있다.Examples of the method of peeling the resist pattern include an immersion method and a spray method, and they may be used alone or in combination. The printed wiring board on which the resist pattern is formed may be a multilayer printed wiring board or may have a small diameter through hole.

<실시예><Examples>

이하, 실시예를 들어 본 발명에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. However, the present invention is not limited to the following examples.

[(A) 성분: 결합제 중합체][Component (A): Binder polymer]

(용액 a의 제조)(Preparation of solution a)

표 1에 나타내는 중합성 단량체(공중합 단량체, 모노머)를 포함하는 혼합액에, 라디칼 반응 개시제인 아조비스이소부티로니트릴 0.8 g을 용해시켜 「용액 a」를 제조하였다.0.8 g of azobisisobutyronitrile as a radical reaction initiator was dissolved in a mixed solution containing the polymerizable monomer (copolymerizable monomer, monomer) shown in Table 1 to prepare &quot; Solution a &quot;.

Figure 112014001853938-pat00010
Figure 112014001853938-pat00010

(용액 b의 제조)(Preparation of solution b)

유기 용제인 메틸셀로솔브 60 g 및 톨루엔 40 g의 혼합액(질량비 3:2) 100 g에, 라디칼 반응 개시제인 아조비스이소부티로니트릴 1.2 g을 용해하여 「용액 b」를 제조하였다.(Solution b) was prepared by dissolving 1.2 g of azobisisobutyronitrile as a radical reaction initiator in 100 g of a mixed solution of 60 g of methyl cellosolve as an organic solvent and 40 g of toluene (mass ratio 3: 2).

(라디칼 중합 반응)(Radical polymerization reaction)

교반기, 환류 냉각기, 온도계, 적하 깔때기 및 질소 가스 도입관을 구비한 플라스크에, 유기 용제인 메틸셀로솔브 240 g 및 톨루엔 160 g의 혼합액(질량비 3:2) 400 g을 투입하였다. 플라스크 내에 질소 가스를 불어 넣으면서 상기 혼합액을 교반하면서 가열하여 80℃까지 승온시켰다.In a flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, a thermometer, a dropping funnel, and a nitrogen gas introducing tube, 400 g of a mixed solution of 240 g of methyl cellosolve as an organic solvent and 160 g of toluene (weight ratio 3: 2) was added. While the nitrogen gas was blown into the flask, the mixed solution was heated with stirring to raise the temperature to 80 캜.

플라스크 내의 상기 혼합액에 상기 용액 a를 4시간에 걸쳐 적하한 후, 플라스크 내의 용액을 교반하면서 80℃에서 2시간 보온하였다. 이어서, 플라스크 내의 용액에 상기 용액 b를 10분간에 걸쳐 적하한 후, 플라스크 내의 용액을 교반하면서 80℃에서 3시간 보온하였다. 또한, 플라스크 내의 용액을 30분간에 걸쳐 90℃까지 승온시키고, 90℃에서 2시간 보온한 후 냉각함으로써, (A) 성분인 결합제 중합체의 용액을 얻었다.The solution a was dropped into the mixed solution in the flask over a period of 4 hours, and then the solution in the flask was kept at 80 ° C for 2 hours with stirring. Subsequently, the solution b was dropped into the solution in the flask over a period of 10 minutes, and then the solution in the flask was kept at 80 DEG C for 3 hours with stirring. Further, the solution in the flask was heated to 90 DEG C over 30 minutes, kept at 90 DEG C for 2 hours and cooled to obtain a solution of the binder polymer as component (A).

이 결합제 중합체 용액에 아세톤을 가하여, 불휘발 성분(고형분)이 50 질량%가 되도록 제조하였다. 결합제 중합체의 중량 평균 분자량은 80,000이었다.Acetone was added to the binder polymer solution so that the non-volatile component (solid content) became 50% by mass. The weight average molecular weight of the binder polymer was 80,000.

또한, 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피법(GPC)에 의해 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 이용하여 환산함으로써 도출하였다. GPC의 조건은 이하에 나타내는 바와 같다.The weight average molecular weight was determined by gel permeation chromatography (GPC) and calculated by using a standard polystyrene calibration curve. The conditions of the GPC are as follows.

GPC 조건GPC conditions

펌프: 히따찌 L-6000형((주)히따찌 세이사꾸쇼 제조)Pump: Hitachi L-6000 model (manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.)

컬럼: 이하의 총 3개Column: Three of the following

Gelpack GL-R420      Gelpack GL-R420

Gelpack GL-R430      Gelpack GL-R430

Gelpack GL-R440(이상, 히따찌 가세이 고교(주) 제조, 상품명)      Gelpack GL-R440 (manufactured by HITACHI KASEI KOGYO CO., LTD., Trade name)

용리액: 테트라히드로푸란Eluent: tetrahydrofuran

측정 온도: 25℃Measuring temperature: 25 ° C

유량: 2.05 mL/분Flow rate: 2.05 mL / min

검출기: 히따찌 L-3300형 RI((주)히따찌 세이사꾸쇼 제조)Detector: Hitachi L-3300 Model RI (manufactured by Hitachi, Ltd.)

[감광성 수지 조성물의 용액][Solution of photosensitive resin composition]

얻어진 결합제 중합체((A) 성분)의 용액에, 표 2에 나타내는 성분을 동 표에 나타내는 배합량(g)으로 배합하고, 얻어진 혼합액에, 표 3에 나타내는 (B) 성분 및 (C) 성분을 동 표에 나타내는 배합량(g)으로 배합함으로써, 실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 4의 감광성 수지 조성물의 용액을 제조하였다. 또한, 표 2에 나타내는 (A) 성분의 배합량은 불휘발 성분의 질량(고형분량)이다.The component (B) and the component (C) shown in Table 3 were added to a solution of the obtained binder polymer (component (A)) in a blending amount (g) shown in Table 2, (G) shown in the table, a solution of the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 4 was prepared. The blending amount of the component (A) shown in Table 2 is the mass (solid content) of the nonvolatile component.

Figure 112014001853938-pat00011
Figure 112014001853938-pat00011

Figure 112014001853938-pat00012
Figure 112014001853938-pat00012

표 2 및 표 3에 나타내는 각 성분의 상세한 내용에 대해서는 이하와 같다.Details of each component shown in Table 2 and Table 3 are as follows.

(광 발색제)(Light-emitting agent)

·BMPS(스미토모 세이카(주) 제조, 상품명): 트리브로모메틸페닐술폰· BMPS (trade name, manufactured by Sumitomo Seika Co., Ltd.): tribromomethylphenyl sulfone

·LCV(야마다 가가꾸(주) 제조, 상품명): 류코크리스탈 바이올렛(염료)LCV (trade name, product of Yamada Chemical Co., Ltd.): Leuco crystal violet (dye)

·MKG(오사카 유키 가가꾸 고교(주) 제조, 상품명): 말라카이트 그린MKG (trade name, manufactured by Osaka Yuki Kagaku Kogyo Co., Ltd.): Malachite green

((B) 성분: 광중합성 화합물)(Component (B): photopolymerizable compound)

(1) 화학식 (I)로 표시되는 화합물(1) The compound represented by the formula (I)

·(B-1)(B-1)

9G(신나카무라 가가꾸 고교(주) 제조, 상품명)9G (trade name, manufactured by Shin Nakamura Chemical Industry Co., Ltd.)

폴리에틸렌글리콜 #400 디메타크릴레이트Polyethylene glycol # 400 dimethacrylate

화학식 (I) 중, R1 및 R2가 메틸기, n=9In the formula (I), R 1 and R 2 are methyl groups, n = 9

·(B-2)(B-2)

14G(신나카무라 가가꾸 고교(주) 제조, 상품명)14G (trade name, manufactured by Shin Nakamura Chemical Industry Co., Ltd.)

폴리에틸렌글리콜 #600 디메타크릴레이트Polyethylene glycol # 600 dimethacrylate

화학식 (I) 중, R1 및 R2는 메틸기, n=14In the formula (I), R 1 and R 2 represent a methyl group, n = 14

·(B-3)(B-3)

23G(신나카무라 가가꾸 고교(주) 제조, 상품명)23G (trade name, manufactured by Shin Nakamura Chemical Industry Co., Ltd.)

폴리에틸렌글리콜 #1000 디메타크릴레이트Polyethylene glycol # 1000 dimethacrylate

화학식 (I) 중, R1 및 R2는 메틸기, n=23In the formula (I), R 1 and R 2 represent a methyl group, n = 23

(2) 비스페놀 A계 디(메트)아크릴레이트 화합물(상기 (B1))(2) bisphenol A di (meth) acrylate compound (B1)

·(B-4)(B-4)

FA-321M(히따찌 가세이 고교(주) 제조, 상품명)FA-321M (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Industry Co., Ltd.)

2,2-비스(4-(메타크릴옥시펜타에톡시)페닐)프로판2,2-bis (4- (methacryloxypentaethoxy) phenyl) propane

(3) 에틸렌성 불포화 결합을 하나 갖는 화합물(상기 (B2))(3) a compound having one ethylenic unsaturated bond (the above-mentioned (B2))

·(B-5)(B-5)

FA-314A(히따찌 가세이 고교(주) 제조, 상품명)FA-314A (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Industry Co., Ltd.)

노닐페녹시테트라에틸렌글리콜아크릴레이트(옥시에틸렌기 총수의 평균치가 4)Nonylphenoxy tetraethylene glycol acrylate (the average value of the total number of oxyethylene groups is 4)

·(B-6)(B-6)

FA-318A(히따찌 가세이 고교(주) 제조, 상품명)FA-318A (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Industry Co., Ltd.)

노닐페녹시옥타에틸렌글리콜아크릴레이트(옥시에틸렌기 총수의 평균치가 8)Nonylphenoxy octaethylene glycol acrylate (the average value of the total number of oxyethylene groups is 8)

·(B-7)(B-7)

FA-MECH(히따찌 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조, 상품명)FA-MECH (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Industry Co., Ltd.)

γ-클로로-β-히드록시프로필-β'-메타크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트? -chloro-? -hydroxypropyl-? '- methacryloyloxyethyl-o-phthalate

(4) 우레탄 단량체(상기 (B5))(4) urethane monomer (above (B5))

·(B-8)(B-8)

UA-13(신나카무라 가가꾸 고교(주) 제조, 상품명)UA-13 (trade name, manufactured by Shin Nakamura Chemical Industry Co., Ltd.)

EO, PO 변성 우레탄 디메타크릴레이트EO, PO modified urethane dimethacrylate

·(B-9)(B-9)

UA-21(신나카무라 가가꾸 고교(주) 제조, 상품명)UA-21 (trade name, manufactured by Shin Nakamura Chemical Industry Co., Ltd.)

트리스((메트)아크릴옥시테트라에틸렌글리콜이소시아네이트)헥사메틸렌이소시아누레이트Tris ((meth) acryloxytetraethylene glycol isocyanate) Hexamethylene isocyanurate

((C) 성분: 광중합 개시제)(Component (C): photopolymerization initiator)

·(C-1)(C-1)

N-1717((주)아데카 제조, 상품명)N-1717 (trade name, manufactured by Adeka Co., Ltd.)

1,7-비스(9-아크리디닐)헵탄1,7-bis (9-acridinyl) heptane

화학식 (II)로 표시되는 화합물(R3이 탄소 원자수 7의 알킬렌기)The compound represented by the formula (II) (R 3 is an alkylene group having 7 carbon atoms)

·(C-2)(C-2)

9-PA(신닛테쯔 가가꾸(주) 제조, 상품명): 9-페닐아크리딘9-PA (trade name, manufactured by Shin-Nittsu Chemical Co., Ltd.): 9-phenylacridine

화학식 (III)으로 표시되는 화합물(R4가 페닐기)The compound represented by the formula (III) (R 4 is a phenyl group)

·(C-3)(C-3)

TR-PAD103(상주 강력 전자 신재료 유한공사 제조, 상품명)TR-PAD103 (trade name, manufactured by Sangju Strong Electronics Co., Ltd.)

9-(3-메틸페닐)아크리딘9- (3-methylphenyl) acridine

화학식 (III)으로 표시되는 화합물(R4가 m-메틸페닐기)The compound represented by the formula (III) (wherein R 4 is an m-methylphenyl group)

·(C-4)(C-4)

B-CIM(햄포드(Hampford)사 제조, 상품명)B-CIM (trade name, manufactured by Hampford)

2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비스이미다졸2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbisimidazole

·(C-5)(C-5)

9,10-디부톡시안트라센9,10-dibutoxyanthracene

[감광성 엘리먼트][Photosensitive element]

실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 4의 감광성 수지 조성물의 용액을, 각각 두께 16 μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(데이진(주) 제조, 상품명 「G2-16」) 상에 균일하게 도포하고, 100℃의 열풍 대류식 건조기에서 10분간 건조하여, 건조 후의 막 두께가 38 μm인 감광성 수지층을 형성하였다. 이 감광성 수지층 상에 보호 필름(타마폴리(주) 제조, 상품명 「NF-13」)을 롤 가압으로 적층함으로써, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(지지 필름)과, 그 위에 형성된 각 감광성 수지층과, 그 위에 형성된 보호 필름을 포함하는, 실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 4의 감광성 엘리먼트를 얻었다.The solutions of the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 4 were uniformly coated on a polyethylene terephthalate film (trade name: &quot; G2-16 &quot;, trade name, manufactured by DAICHE Co., Ltd.) And dried in a hot air convection type dryer at 100 캜 for 10 minutes to form a photosensitive resin layer having a film thickness of 38 탆 after drying. (Protective film), each of the photosensitive resin layers formed thereon, and a protective film (trade name &quot; NF-13 &quot;, manufactured by Tama Poly The photosensitive elements of Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 4, including the protective film formed thereon, were obtained.

[적층 기판][Laminated Substrate]

유리 에폭시재와, 그의 양면에 형성된 동박(두께 35 μm)을 포함하는 1.6 mm 두께의 동장 적층판(히따찌 가세이 고교(주) 제조, 상품명 「MCL-E-67」)의 구리 표면을, #600 상당의 브러시를 갖는 연마기(산케이(주) 제조)를 이용하여 연마하고, 수세 후, 공기류로 건조시켰다. 이 동장 적층판(이하, 「기판」이라고 함)을 가열하여 80℃로 승온시킨 후, 실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 4의 감광성 엘리먼트를, 기판의 양측의 구리 표면에 라미네이트(적층)하였다. 라미네이트는 110℃의 히트 롤을 이용하여, 보호 필름을 제거하면서 각 감광성 엘리먼트의 감광성 수지층이 기판의 각 구리 표면에 밀착하도록 하여 1.5 m/분의 속도로 행하였다.The copper surface of a 1.6 mm thick copper-plated laminated board (MCL-E-67, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) containing a glass epoxy material and a copper foil (thickness 35 μm) (Manufactured by Sankei Co., Ltd.) having a brush of a comparative size, washed with water, and then dried in an air flow. After the copper clad laminate (hereinafter referred to as "substrate") was heated and heated to 80 ° C., the photosensitive elements of Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 4 were laminated (laminated) on the copper surfaces on both sides of the substrate . The laminate was heated at a rate of 1.5 m / min by using a heat roll at 110 캜 so that the photosensitive resin layer of each photosensitive element adhered to each copper surface of the substrate while removing the protective film.

[평가 시험 1: 실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 4][Evaluation test 1: Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 4]

(감도)(Sensitivity)

얻어진 적층 기판을 방냉하고, 23℃가 된 시점에서, 적층 기판의 표면의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(지지 필름)에, 스텝 타블렛을 갖는 포토툴을 밀착시켰다. 스텝 타블렛으로서는, 농도 영역이 0.00 내지 2.00, 농도 스텝이 0.05, 타블렛의 크기가 20 mm×187 mm, 각 스텝의 크기가 3 mm×12 mm인 41단 스텝 타블렛을 이용하였다. 이러한 스텝 타블렛을 갖는 포토툴 및 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 통해, 감광성 수지층에 대하여 노광을 행하였다. 노광은 반도체 여기 고체 레이저를 광원으로 하는 노광기(닛본 오르보테크(주) 제조, 상품명 「Paragon-9000 m」)를 이용하여 20 mJ/cm2의 노광량으로 행하였다.The resultant laminated substrate was allowed to cool, and a phototool having a step tablet was brought into close contact with the polyethylene terephthalate film (supporting film) on the surface of the laminated substrate at 23 占 폚. As the step tablet, a 41 step tablet having a concentration range of 0.00 to 2.00, a concentration step of 0.05, a tablet size of 20 mm x 187 mm, and each step size of 3 mm x 12 mm was used. The photosensitive resin layer was exposed through the phototool having the step tablet and the polyethylene terephthalate film. The exposure was carried out at an exposure dose of 20 mJ / cm 2 using an exposure machine (trade name "Paragon-9000 m", manufactured by Nippon Orbotech Co., Ltd.) using a semiconductor excited solid state laser as a light source.

노광 후, 적층 기판으로부터 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하여 감광성 수지층을 노출시켰다. 노출된 감광성 수지층에 대하여 1.0 질량% 탄산나트륨 수용액을 30℃에서 50초간 스프레이(현상 처리)함으로써 미노광 부분을 제거하였다. 이와 같이 하여, 적층 기판의 구리 표면에, 감광성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 경화막을 형성하였다. 얻어진 경화막의 스텝 타블렛의 단수를 측정함으로써, 실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 4의 감광성 수지 조성물 및 감광성 엘리먼트의 감도(광 감도)를 평가하였다. 이 스텝 타블렛의 단수가 높을수록 감도가 높은 것을 의미한다. 결과를 표 4에 나타낸다.After exposure, the polyethylene terephthalate film was peeled from the laminated substrate to expose the photosensitive resin layer. The unexposed portion was removed by spraying (developing) a 1.0 mass% sodium carbonate aqueous solution to the exposed photosensitive resin layer at 30 캜 for 50 seconds. Thus, a cured film containing a cured product of the photosensitive resin composition was formed on the copper surface of the laminated substrate. The sensitivity (light sensitivity) of the photosensitive resin compositions and photosensitive elements of Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 4 was evaluated by measuring the number of stages of the step tablets of the obtained cured film. The higher the number of steps of the step tablet, the higher the sensitivity. The results are shown in Table 4.

(밀착성)(Adhesion)

라인 폭/스페이스 폭이 5/400 내지 200/400(단위: μm)인 배선 패턴을, 상기 레이저를 광원으로 하는 노광기를 이용하여, 직접 묘화법에 의해 상기 적층 기판의 감광성 수지층에 묘화하였다. 노광은 히따찌 41단 스텝 타블렛의 현상 후의 잔존 스텝 단수가 17.0이 되는 에너지량으로 행하였다. 노광 후, 상기 감도의 평가와 동일한 현상 처리를 행하였다.A wiring pattern having a line width / space width of 5/400 to 200/400 (unit: μm) was drawn on the photosensitive resin layer of the above-mentioned laminated board by a direct drawing method using an exposure machine using the laser as a light source. The exposure was performed with an energy amount such that the remaining step number after development of the Hitachi 41-step tablet was 17.0. After exposure, the same development processing as that of the sensitivity evaluation was performed.

라인 부분(노광 부분)이 사행이나 이지러짐을 발생시키지 않고 형성된 경우의 배선 패턴의 라인 폭의 최소치에 의해 밀착성을 평가하였다. 이 최소치가 작을수록 밀착성이 양호한 것을 의미한다. 결과를 표 4에 나타낸다.The adhesion was evaluated by the minimum line width of the wiring pattern in the case where the line portion (exposed portion) was formed without occurrence of meandering or peeling. The smaller the minimum value, the better the adhesion. The results are shown in Table 4.

(해상도)(resolution)

라인 폭/스페이스 폭이 400/5 내지 400/200(단위: μm)인 배선 패턴을, 상기 레이저를 광원으로 하는 노광기를 이용하여, 직접 묘화법에 의해 상기 적층 기판의 감광성 수지층에 묘화하였다. 노광은 히따찌 41단 스텝 타블렛의 현상 후의 잔존 스텝 단수가 17.0이 되는 에너지량으로 행하였다. 노광 후, 상기 감도의 평가와 동일한 현상 처리를 행하였다.A wiring pattern having a line width / space width of 400/5 to 400/200 (unit: μm) was drawn on the photosensitive resin layer of the laminated substrate by a direct drawing method using an exposure machine using the laser as a light source. The exposure was performed with an energy amount such that the remaining step number after development of the Hitachi 41-step tablet was 17.0. After exposure, the same development processing as that of the sensitivity evaluation was performed.

스페이스 부분(미노광 부분)이 말끔하게 제거된 경우의 배선 패턴의 스페이스 폭의 최소치에 의해 해상도를 평가하였다. 이 최소치가 작을수록 해상도가 양호한 것을 의미한다. 결과를 표 4에 나타낸다.The resolution was evaluated by the minimum value of the space width of the wiring pattern when the space portion (unexposed portion) was removed neatly. The smaller the minimum value, the better the resolution. The results are shown in Table 4.

(박리성)(Peelability)

60 mm×45 mm의 패턴을, 상기 레이저를 광원으로 하는 노광기를 이용하여, 직접 묘화법에 의해 상기 적층 기판의 감광성 수지층에 묘화하였다. 노광은 히따찌 41단 스텝 타블렛의 현상 후의 잔존 스텝 단수가 17.0이 되는 에너지량으로 행하였다. 노광 후, 상기 감도의 평가와 동일한 현상 처리를 행하여, 기판 상에 60 mm×45 mm의 경화막이 형성된 시험편을 얻었다.A pattern of 60 mm x 45 mm was drawn on the photosensitive resin layer of the laminated substrate by a direct drawing method using an exposure machine using the laser as a light source. The exposure was performed with an energy amount such that the remaining step number after development of the Hitachi 41-step tablet was 17.0. After exposure, the same development processing as that for the evaluation of the sensitivity was carried out to obtain a test piece on which a cured film of 60 mm x 45 mm was formed.

이 시험편을 실온에서 일주야 방치한 후, 50℃의 3 질량% 수산화나트륨 수용액(박리액)에 침지(딥)하고, 교반자에 의해 교반하였다. 교반 개시로부터, 경화막이 기판으로부터 완전히 박리 제거될 때까지의 시간(박리 시간(초))을 측정함으로써 박리성을 평가하였다. 박리 시간이 짧을수록 박리성이 양호한 것을 의미한다. 결과를 표 4에 나타낸다.The test piece was allowed to stand at room temperature for one week and then immersed (dipped) in a 3 mass% sodium hydroxide aqueous solution (exfoliating solution) at 50 캜 and stirred by an agitator. The peeling property was evaluated by measuring the time (peeling time (sec)) from the start of stirring until the cured film was completely peeled off from the substrate. The shorter the peeling time, the better the peeling property. The results are shown in Table 4.

(텐트 신뢰성)(Tent reliability)

상기 동장 적층판(히따찌 가세이 고교(주) 제조의 상품명 MCL-E-67)에, 직경 4 내지 6 mm의 구멍 직경으로 원형 구멍 및 3연속 구멍을 다이 커터를 이용하여 제조하고, 생성된 버(burr)를 #600 상당의 브러시를 갖는 연마기(산케이(주) 제조)를 사용하여 제거하고, 도 2에 나타내는 구멍 찢어짐수 측정용 기판을 얻었다. 얻어진 구멍 찢어짐수 측정용 기판을 80℃로 가온하고, 그의 구리 표면 상에 실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 4의 감광성 엘리먼트를 120℃, 0.4 MPa의 조건으로 라미네이트하였다. 라미네이트는 보호 필름을 제거하면서, 감광성 엘리먼트의 감광성 수지층이 구멍 찢어짐수 측정용 기판의 구리 표면에 밀착하도록 하여 행하였다. 라미네이트 후, 구멍 찢어짐수 측정용 기판을 냉각시키고, 구멍 찢어짐수 측정용 기판의 온도가 23℃가 된 시점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(지지 필름)면에 대하여 상기 레이저를 광원으로 하는 노광기를 이용하여, 히따찌 41단 스텝 타블렛의 현상 후의 잔존 스텝 단수가 17.0이 되는 에너지량으로 노광을 행하였다(직접 묘화법). 노광 후, 실온에서 15분간 방치하고, 계속해서 구멍 찢어짐수 측정용 기판으로부터 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하고, 현상 처리 50초 후, 3 연속 구멍의 구멍 찢어짐수를 측정하고, 이형 텐트 찢어짐율로서 평가하고, 이것을 텐트 신뢰성(%)으로 하였다. 이 수치가 작을수록 텐트 신뢰성이 높은 것을 의미한다. 결과를 표 4에 나타낸다.Circular holes and three consecutive holes having a diameter of 4 to 6 mm in diameter were produced in a die cutter in the above-mentioned copper clad laminate (MCL-E-67, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) burr were removed using a polishing machine having a brush equivalent to # 600 (manufactured by Sankei Kogyo Co., Ltd.) to obtain a substrate for measuring the number of hole tears shown in Fig. The substrate for measuring the number of hole tears thus obtained was heated to 80 DEG C and the photosensitive elements of Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 4 were laminated on the copper surface at 120 DEG C and 0.4 MPa. The laminate was made such that the photosensitive resin layer of the photosensitive element adhered to the copper surface of the substrate for measuring the number of hole tears while removing the protective film. After the laminating, the substrate for measuring the number of hole tears was cooled, and when the temperature of the substrate for measuring the number of hole tears reached 23 占 폚, the surface of the polyethylene terephthalate film (support film) , And exposure was performed with an energy amount such that the remaining step number after development of the Hitachi 41-step tablet was 17.0 (direct drawing method). After exposure, the film was allowed to stand at room temperature for 15 minutes. Thereafter, the polyethylene terephthalate film was peeled off from the substrate for measuring the number of hole tears. After 50 seconds of the development treatment, the number of hole tears of three continuous holes was measured and evaluated as a release tent tearing rate , And this was defined as the tent reliability (%). The smaller this number, the higher the tent reliability. The results are shown in Table 4.

Figure 112014001853938-pat00013
Figure 112014001853938-pat00013

표 4로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1 내지 10의 감광성 수지 조성물은 (B) 성분으로서 화학식 (I)로 표시되는 화합물 (B-1 내지 B-3)을 함유하지 않는 비교예 1 내지 4의 감광성 수지 조성물보다 감도 및 텐트 신뢰성이 우수하였다. 특히, 텐트 신뢰성에 대해서는 비교예 1 내지 4가 12 내지 23%인 데 반해, 실시예 1 내지 10에서는 2 내지 6%로 현저히 낮은 값을 나타내어, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 매우 우수한 텐트 신뢰성을 갖는 것이 명백해졌다.As is apparent from Table 4, the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 10 exhibited photosensitivity of Comparative Examples 1 to 4 which did not contain the compounds (B-1 to B-3) represented by the formula (I) The sensitivity and the tent reliability were superior to those of the resin composition. In particular, the tent reliability of Comparative Examples 1 to 4 was 12 to 23%, while the values of Examples 1 to 10 were significantly lowered to 2 to 6%. Thus, the photosensitive resin composition of the present invention has excellent tent reliability It became clear.

[평가 시험 2: 참고예 1 내지 2][Evaluation test 2: Reference examples 1 to 2]

(참고예 1)(Reference Example 1)

실시예 1의 감광성 수지 조성물을 이용하여, 노광 조건을 이하와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 절차로 감도, 밀착성, 해상도, 박리성 및 텐트 신뢰성을 평가하였다. 결과를 표 5에 나타낸다.The sensitivity, adhesion, resolution, peelability and tent reliability were evaluated by the same procedure as in Example 1, except that the exposure conditions were changed as follows using the photosensitive resin composition of Example 1. The results are shown in Table 5.

노광 조건Exposure conditions

노광기: HMW-201GX(오크(주) 제조, 상품명)   Exposure machine: HMW-201GX (trade name, manufactured by Oak)

광원: 고압 수은 램프   Light source: High pressure mercury lamp

감도 평가에서의 노광량: 40 mJ/cm2 Exposure dose in sensitivity evaluation: 40 mJ / cm 2

감도 이외의 평가에서의 노광량: 히따찌 41단 스텝 타블렛의 현상 후의 잔존 스텝 단수가 23.0이 되는 에너지량   Exposure dose in evaluation other than sensitivity: The amount of energy at which the remaining step number after development of the Hitachi 41-step tablet is 23.0

노광법: 마스크 노광법Exposure method: mask exposure method

(참고예 2)(Reference Example 2)

비교예 1의 감광성 수지 조성물을 이용하여, 노광 조건을 참고예 1과 동일한 노광 조건(마스크 노광법)으로 변경한 것 이외에는, 비교예 1과 동일한 절차로 감도, 밀착성, 해상도, 박리성 및 텐트 신뢰성을 평가하였다. 결과를 표 5에 나타낸다.The sensitivity, the adhesion, the resolution, the peelability and the reliability of the tent were evaluated in the same manner as in Comparative Example 1, except that the photosensitive resin composition of Comparative Example 1 was used and the exposure conditions were changed to the same exposure conditions (mask exposure method) . The results are shown in Table 5.

Figure 112014001853938-pat00014
Figure 112014001853938-pat00014

표 5에 나타난 바와 같이, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 이용하여 종래의 마스크 노광법에 의해 노광을 행한 참고예 1에서는 충분한 텐트 신뢰성이 얻어지지 않았다. 그에 반해, 표 4에 나타난 바와 같이, 동일한 조성의 감광성 수지 조성물을 이용하여 레이저를 광원으로 하는 직접 묘화법에 의해 노광을 행한 실시예 1에서는 우수한 텐트 신뢰성이 얻어졌다.As shown in Table 5, sufficient tent reliability was not obtained in Reference Example 1 in which exposure was performed by the conventional mask exposure method using the photosensitive resin composition of Example 1. On the other hand, as shown in Table 4, excellent tent reliability was obtained in Example 1 in which exposure was performed by a direct drawing method using a laser as a light source using a photosensitive resin composition having the same composition.

또한, 표 5에 나타난 바와 같이, 비교예 1의 감광성 수지 조성물을 이용하여 종래의 마스크 노광법에 의해 노광을 행한 참고예 2에서는 충분한 감도 및 텐트 신뢰성이 얻어졌다. 그에 반해, 표 4에 나타난 바와 같이, 동일한 조성의 감광성 수지 조성물을 이용하여 레이저를 광원으로 하는 직접 묘화법에 의해 노광을 행한 비교예 1에서는 감도 및 텐트 신뢰성 중 어느 것에서도 충분한 값은 얻어지지 않았다.Further, as shown in Table 5, sufficient sensitivity and tent reliability were obtained in Reference Example 2 in which exposure was performed by the conventional mask exposure method using the photosensitive resin composition of Comparative Example 1. [ On the other hand, as shown in Table 4, in Comparative Example 1 in which the photosensitive resin composition of the same composition was used for exposure by the direct drawing method using the laser as the light source, neither sufficient sensitivity nor tent reliability was obtained .

상기 결과를 통합하면, (B) 성분으로서 화학식 (I)로 표시되는 화합물을 함유하지 않는 비교예의 감광성 수지 조성물은 종래의 마스크 노광법에 의해 노광한 경우에는 충분한 감도 및 텐트 신뢰성을 갖지만, 직접 묘화법에 의해 노광한 경우에는 감도 및 텐트 신뢰성 중 어느 것에서도 충분한 값을 갖지 않는 데 반해, 화학식 (I)로 표시되는 화합물을 함유하는 본 발명의 감광성 수지 조성물은 종래의 마스크 노광법에 의해 노광한 경우에는 충분한 텐트 신뢰성을 갖지 않지만, 직접 묘화법에 의해 노광한 경우에는 비교예보다 우수한 감도 및 텐트 신뢰성을 갖는 것이 명백해졌다.By incorporating the above results, the photosensitive resin composition of the comparative example which does not contain the compound represented by the formula (I) as the component (B) has satisfactory sensitivity and tent reliability when exposed by the conventional mask exposure method, , The photosensitive resin composition of the present invention containing the compound represented by the formula (I) is not exposed to light by the conventional mask exposure method, while the photosensitive resin composition containing the compound represented by the formula , It has become clear that the tent reliability is superior to the comparative example in the case of exposure by the direct imaging method.

<산업상 이용 가능성>&Lt; Industrial applicability >

본 발명의 감광성 수지 조성물 및 감광성 엘리먼트는 직접 묘화법에 의해 노광한 경우에 우수한 텐트 신뢰성을 갖고, 고정밀한 레지스트 패턴 형성 및 인쇄 배선판의 제조를 가능하게 한다.The photosensitive resin composition and the photosensitive element of the present invention have excellent tent reliability when exposed by the direct drawing method, and enable high-precision resist pattern formation and production of a printed wiring board.

1: 감광성 엘리먼트
2: 지지 필름
3: 감광성 수지층
4: 보호 필름
1: photosensitive element
2: Support film
3: Photosensitive resin layer
4: Protective film

Claims (7)

직접 묘화법에 의한 레지스트 패턴의 형성에 이용되는 감광성 수지 조성물이며, (A) 결합제 중합체, (B) 광중합성 화합물 및 (C) 광중합 개시제를 함유하고,
상기 (B) 광중합성 화합물이 하기 화학식 (I)로 표시되는 화합물을 포함하고,
상기 (C) 광중합 개시제가 하기 화학식 (III)으로 표시되는 화합물 및/또는 하기 화학식 (IV)로 표시되는 화합물을 포함하며,
하기 화학식 (I)로 표시되는 화합물의 함유량이 상기 (B) 광중합성 화합물의 전체 질량을 기준으로 하여 20 내지 50 질량%인 감광성 수지 조성물.
Figure 112017047609255-pat00015

(식 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n은 0 내지 50의 정수를 나타냄)
Figure 112017047609255-pat00016

(식 중, R5는 탄소 원자수 2 내지 20의 알킬렌기, 옥사디알킬렌기 또는 티오디알킬렌기를 나타냄)
Figure 112017047609255-pat00017

(식 중, R6은 치환기를 가질 수도 있는 1가의 방향족기를 나타냄)
(A) a binder polymer, (B) a photopolymerizable compound and (C) a photopolymerization initiator, wherein the photopolymerizable compound (A)
Wherein the photopolymerizable compound (B) comprises a compound represented by the following formula (I)
Wherein the photopolymerization initiator (C) comprises a compound represented by the following formula (III) and / or a compound represented by the following formula (IV)
Wherein the content of the compound represented by the formula (I) is 20 to 50% by mass based on the total mass of the photopolymerizable compound (B).
Figure 112017047609255-pat00015

(Wherein R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and n represents an integer of 0 to 50)
Figure 112017047609255-pat00016

(Wherein R 5 represents an alkylene group, an oxydialkylene group or a thioalkylene group having 2 to 20 carbon atoms)
Figure 112017047609255-pat00017

(Wherein R 6 represents a monovalent aromatic group which may have a substituent)
제1항에 있어서, 상기 (B) 광중합성 화합물이 하기 화학식 (II)로 표시되는 화합물을 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
Figure 112014001853938-pat00018

(식 중, R3은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R4는 탄소 원자수 9의 탄화수소기를 나타내고, m은 0 내지 20의 정수를 나타냄)
The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the (B) photopolymerizable compound further comprises a compound represented by the following formula (II).
Figure 112014001853938-pat00018

(Wherein R 3 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 4 represents a hydrocarbon group having 9 carbon atoms, and m represents an integer of 0 to 20)
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 화학식 (I)로 표시되는 화합물에서의 n이 4 내지 25의 정수인 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein n in the compound represented by the formula (I) is an integer of 4 to 25. 제2항에 있어서, 상기 화학식 (II)로 표시되는 화합물에서의 m이 4 내지 8의 정수인 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition according to claim 2, wherein m in the compound represented by the formula (II) is an integer of 4 to 8. 지지 필름과, 상기 지지 필름 상에 형성된 제1항 또는 제2항에 기재된 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 감광성 수지층을 구비하는 감광성 엘리먼트.A photosensitive element comprising a support film and a photosensitive resin layer formed using the photosensitive resin composition according to claim 1 or 2 formed on the support film. 제1항 또는 제2항에 기재된 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 감광성 수지층을 기판 상에 적층하는 적층 공정과,
상기 감광성 수지층에, 직접 묘화법에 의해 활성 광선을 화상상으로 조사하여 노광부를 경화시키는 노광 공정과,
상기 감광성 수지층의 미노광 부분을 상기 기판 상으로부터 제거함으로써, 상기 기판 상에, 상기 감광성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정을 갖는 레지스트 패턴의 형성 방법.
A lamination step of laminating a photosensitive resin layer formed using the photosensitive resin composition according to claim 1 or 2 on a substrate;
An exposure step of irradiating the photosensitive resin layer with an actinic ray in a picture image by a direct imaging method to cure the exposed part,
And removing the unexposed portions of the photosensitive resin layer from the substrate to form a resist pattern including a cured product of the photosensitive resin composition on the substrate.
제6항에 기재된 방법에 의해 레지스트 패턴이 형성된 기판을 에칭 또는 도금하는 것을 포함하는, 인쇄 배선판의 제조 방법.A method for producing a printed wiring board, which comprises etching or plating a substrate on which a resist pattern is formed by the method according to claim 6.
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X701 Decision to grant (after re-examination)