KR20120031086A - Photosensitive resin composition, photosensitive resin laminate, and method for forming resist pattern - Google Patents

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KR20120031086A KR1020127001978A KR20127001978A KR20120031086A KR 20120031086 A KR20120031086 A KR 20120031086A KR 1020127001978 A KR1020127001978 A KR 1020127001978A KR 20127001978 A KR20127001978 A KR 20127001978A KR 20120031086 A KR20120031086 A KR 20120031086A
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Abstract

노광 직후의 콘트라스트가 양호한 감광성 수지 조성물을 제공한다. (a) 카르복실산을 함유하고, 산 당량이 100?600 이고 중량 평균 분자량이 5,000?500,000 인 알칼리 가용성 고분자 20?80 질량%, (b) 아크릴기를 갖는 화합물을 적어도 1 종 함유하는 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머 5?60 질량%, (c) N-아릴-α-아미노산 화합물을 함유하는 광중합 개시제 0.1?20 질량%, (d) 류코 염료 0.1?10 질량%, 및 (e) 하기 일반식 (I) :

Figure pct00014

{식 중, R1 은 탄소수 1?9 의 알킬기, 탄소수 1?9 의 알콕실기, 탄소수 1?16 의 알킬티오기, 메르캅토기, 아미노기, 및 탄소수 1?9 의 알킬아미노기로 이루어지는 군에서 선택되는 1 개의 기를 나타낸다} 로 나타내는 메르캅토티아디아졸 화합물 0.01?5 질량% 를 함유하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.The contrast just after exposure provides the favorable photosensitive resin composition. Ethylenic unsaturated containing (a) 20-80 mass% of alkali-soluble polymers which contain a carboxylic acid, acid equivalent is 100-600, and a weight average molecular weight is 5,000-500,000, and (b) the compound which has an acryl group. 5 to 60 mass% of addition polymerizable monomer, (c) 0.1 to 20 mass% of photopolymerization initiator containing N-aryl-α-amino acid compound, (d) 0.1 to 10 mass% of leuco dye, and (e) the following general formula (I):
Figure pct00014

{In formula, R <1> is chosen from the group which consists of a C1-C9 alkyl group, a C1-C9 alkoxyl group, a C1-C16 alkylthio group, a mercapto group, an amino group, and a C1-C9 alkylamino group. The photosensitive resin composition containing 0.01-5 mass% of mercaptothiadiazole compounds represented by} is shown.

Description

감광성 수지 조성물, 감광성 수지 적층체 및 레지스트 패턴 형성 방법 {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN LAMINATE, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN}Photosensitive resin composition, photosensitive resin laminated body and resist pattern formation method {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN LAMINATE, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN}

본 발명은 알칼리성 수용액에 의해 현상 가능한 감광성 수지 조성물, 그 감광성 수지 조성물을 지지체 상에 적층하여 형성되는 감광성 수지 적층체, 그 감광성 수지 적층체를 사용하여 기판 상에 레지스트 패턴을 형성하는 방법, 및 그 레지스트 패턴의 용도에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 프린트 배선판의 제조, 플렉시블 프린트 배선판의 제조, IC 칩 탑재용 리드 프레임 (이하, 리드 프레임이라고 한다) 의 제조, 메탈 마스크 제조로 대표되는 금속박 정밀 가공, BGA (볼 그리드 어레이) 및 CSP (칩 사이즈 패키지) 로 대표되는 반도체 패키지의 제조, TAB (Tape Automated Bonding) 및 COF (Chip on Film : 반도체 IC 를 필름상의 미세 배선판 상에 탑재한 것) 로 대표되는 테이프 기판의 제조, 반도체 범프의 제조, 플랫 패널 디스플레이 분야에서의 ITO 전극, 어드레스 전극, 및 전자파 실드로 대표되는 격벽 부재의 제조, 그리고 샌드 블라스트 공법에 의해 기재를 가공할 때의 보호 마스크 부재의 제조에 있어서 바람직한 레지스트 패턴을 제공하는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM This invention uses the photosensitive resin composition which can be developed by alkaline aqueous solution, the photosensitive resin laminated body formed by laminating | stacking the photosensitive resin composition on a support body, the method of forming a resist pattern on a board | substrate using this photosensitive resin laminated body, and its It relates to the use of a resist pattern. More specifically, manufacturing a printed wiring board, manufacturing a flexible printed wiring board, manufacturing a lead frame for mounting an IC chip (hereinafter referred to as a lead frame), metal foil precision processing represented by metal mask manufacturing, BGA (ball grid array) and Manufacture of semiconductor package represented by CSP (chip size package), manufacture of tape substrate represented by TAB (Tape Automated Bonding) and COF (Chip on Film mounted on micro wiring board on film), semiconductor bump Providing a resist pattern which is desirable in the manufacture of a substrate, the manufacture of a partition member represented by an ITO electrode, an address electrode, and an electromagnetic shield in the flat panel display field, and the manufacture of a protective mask member when processing a substrate by a sand blasting method. It relates to the photosensitive resin composition.

종래, 프린트 배선판은 포토리소그래피법에 의해 제조되고 있다. 포토리소그래피법으로는, 예를 들어 네가티브형의 경우, 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하고, 패턴 노광하여 그 감광성 수지 조성물의 노광부를 중합 경화시키고, 미노광부를 현상액으로 제거하여 기판 상에 레지스트 패턴을 형성하고, 에칭 또는 도금 처리를 실시하여 도체 패턴을 형성한 후, 그 레지스트 패턴을 그 기판 상으로부터 박리 제거함으로써, 기판 상에 도체 패턴을 형성하는 방법을 들 수 있다.Conventionally, printed wiring boards are manufactured by the photolithography method. In the photolithography method, for example, in the case of a negative type, a photosensitive resin composition is applied onto a substrate, subjected to pattern exposure to polymerize and harden the exposed portion of the photosensitive resin composition, and the unexposed portion is removed with a developer to form a resist pattern on the substrate. The method of forming a conductor pattern on a board | substrate is mentioned after forming and carrying out an etching or plating process and forming a conductor pattern, and peeling and removing the resist pattern from the board | substrate.

상기 포토리소그래피법에 있어서는, 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 데에 있어서, 감광성 수지 조성물 용액을 포토레지스트 용액으로서 기판에 도포하여 건조시키는 방법, 또는 지지체, 감광성 수지 조성물로 이루어지는 층 (이하, 「감광성 수지층」이라고도 한다), 및 필요에 따라서는 보호층을 순차 적층한 감광성 수지 적층체 (이하, 「드라이 필름 레지스트」라고도 한다) 를 기판에 적층하는 방법 중 어느 것이 사용된다. 그리고, 프린트 배선판의 제조에 있어서는, 후자의 드라이 필름 레지스트가 사용되는 경우가 많다.In the said photolithography method, in apply | coating a photosensitive resin composition on a board | substrate, the method of apply | coating a photosensitive resin composition solution to a board | substrate as a photoresist solution and drying, or the layer which consists of a support body and the photosensitive resin composition (" Any of the methods of laminating | stacking a photosensitive resin layer "and the photosensitive resin laminated body (henceforth a" dry film resist ") which laminated | stacked the protective layer one by one according to necessity is used. And in manufacture of a printed wiring board, the latter dry film resist is used in many cases.

상기 드라이 필름 레지스트를 사용하여 프린트 배선판을 제조하는 방법에 관해서, 이하에 간단히 서술한다.The method of manufacturing a printed wiring board using the said dry film resist is briefly described below.

먼저, 드라이 필름 레지스트가 보호층, 예를 들어 폴리에틸렌 필름을 갖는 경우에는, 감광성 수지층으로부터 이것을 박리한다. 이어서 라미네이터를 사용하여 기판 (예를 들어, 동장 적층판) 상에, 그 기판, 감광성 수지층, 지지체 (예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트) 의 순서가 되도록 감광성 수지층 및 지지체를 적층한다. 이어서 배선 패턴을 갖는 포토마스크를 통해, 그 감광성 수지층을 초고압 수은등이 발하는 i 선 (파장 365 ㎚) 등의 자외선으로 노광함으로써, 노광 부분을 중합 경화시킨다. 이어서 지지체를 박리한다. 이어서 현상액, 예를 들어 약알칼리성을 갖는 수용액에 의해 감광성 수지층의 미노광 부분을 용해 또는 분산 제거하여, 기판 상에 레지스트 패턴을 형성시킨다.First, when a dry film resist has a protective layer, for example, a polyethylene film, it peels this from the photosensitive resin layer. Subsequently, the photosensitive resin layer and the support body are laminated | stacked on the board | substrate (for example, copper clad laminated board) so that it may become the order of the board | substrate, the photosensitive resin layer, and a support body (for example, polyethylene terephthalate). Next, an exposure part is polymerized and hardened | cured by exposing the photosensitive resin layer to ultraviolet rays, such as i line | wire (wavelength 365nm) from which ultra-high pressure mercury lamp emits, through the photomask which has a wiring pattern. The support is then peeled off. Subsequently, the unexposed part of the photosensitive resin layer is melt | dissolved or disperse | dissolved by the developing solution, for example, the aqueous solution which has weak alkali property, and a resist pattern is formed on a board | substrate.

이렇게 하여 형성한 기판 상의 레지스트 패턴을 이용하여 금속 도체 패턴을 제조하는 방법으로는 크게 나누어 2 개의 방법이 있고, 레지스트에 피복되어 있지 않은 금속 부분을 에칭에 의해 제거하는 방법과 도금에 의해 금속을 붙이는 방법이 있다. 특히 최근에는 공정의 간편함에서 전자의 방법이 많이 사용된다.The method of manufacturing a metal conductor pattern using the resist pattern on the board | substrate formed in this way is divided into two methods, The method of removing the metal part which is not covered by a resist by etching, and attaching a metal by plating is performed. There is a way. In particular, the former method is used a lot in recent years in the simplicity of the process.

에칭에 의해 금속 부분을 제거하는 방법에서는, 통상, 기판의 관통공 (스루 홀) 및 층간 접속을 위한 비어 홀을 경화 레지스트막으로 덮음으로써, 구멍 내의 금속이 에칭되지 않도록 한다. 이 공법은 텐팅법이라고 불린다. 에칭 공정에는, 예를 들어 염화 제 2 구리 용액, 염화 제 2 철 용액, 또는 구리 암모니아 착물 용액이 사용된다.In the method of removing a metal part by etching, the metal in a hole is not etched normally by covering the through-hole (through hole) of a board | substrate and the via hole for interlayer connection with a hardening resist film. This method is called tenting method. In the etching process, for example, a ferric chloride solution, a ferric chloride solution, or a copper ammonia complex solution is used.

최근에는 프린트 배선판의 생산량 증가에 따라, 고생산에 대응한 고감도 드라이 필름 레지스트가 요구되고 있다. 또한 노광 후에 검사기를 도입하여, 예를 들어 이물질에 의한 결함을 생산 라인의 조기의 단계에서 발견함으로써 생산성을 향상시키고자 하는 경향이 있다. 노광 후의 결함 검사기에 의한 판정은, 미노광 부분과 노광 부분을 식별하여 실시하는 것이 일반적이기 때문에, 노광 직후의 감광성 수지층이 매우 양호한 노광 직후의 콘트라스트를 갖는 것이 요구되고 있는 것이 현 상황이다.In recent years, with the increase of the output of a printed wiring board, the high sensitivity dry film resist corresponding to high production is calculated | required. There is also a tendency to improve productivity by introducing a tester after exposure and detecting defects caused by foreign matter at an early stage of the production line, for example. Since the determination by the defect inspection machine after exposure is generally performed by identifying an unexposed part and an exposure part, it is a present situation that the photosensitive resin layer immediately after exposure has a very favorable contrast immediately after exposure.

또한 한편, 프린트 배선판 제조 기술에 있어서, 레이저에 의한 직접 묘화, 요컨대, 포토마스크를 불필요로 하는 마스크리스 노광이 최근 급격한 확대를 보이고 있다. 마스크리스 노광의 광원으로는 파장 350?410 ㎚ 의 광, 특히 i 선 또는 h 선 (파장 405 ㎚) 이 사용되는 경우가 많다. 마스크리스 노광에서는, 노광시에 기판의 위치 맞춤을 위해 얼라인먼트 마크를 필요로 한다. 이 얼라인먼트 마크는, 패턴 노광 전에, 얼라인먼트 마크만을 사전에 노광함으로써 제조한다. 이 때문에, 노광 직후에 감광성 수지층이 양호한 노광 직후의 콘트라스트를 갖지 않으면, 패턴 노광까지의 택트 타임이 길어지고, 시간당 생산량이 나빠진다. 따라서, 노광 직후의 감광성 수지층이 매우 양호한 노광 직후의 콘트라스트를 갖는 것이 요구되고 있는 것이 현 상황이다.On the other hand, in the technology of manufacturing a printed wiring board, the direct drawing by a laser, in other words, the maskless exposure which eliminates the need for a photomask has shown rapid expansion in recent years. As a light source of maskless exposure, the light of wavelength 350-410 nm, especially i line | wire or h line | wire (wavelength 405 nm) is used in many cases. In maskless exposure, an alignment mark is required for alignment of the substrate during exposure. This alignment mark is manufactured by exposing only the alignment mark in advance before pattern exposure. For this reason, when the photosensitive resin layer does not have the contrast immediately after favorable exposure immediately after exposure, the tact time until pattern exposure will become long and the yield per hour will worsen. Therefore, it is a present situation that the photosensitive resin layer immediately after exposure is required to have contrast very immediately after exposure.

지금까지 다수의 감광성 수지 조성물 및 감광성 수지 적층체에 관한 문헌이 개시되어 있고, 노광 직후의 콘트라스트 향상에 관한 문헌도 다수 존재한다 (특허문헌 1?3 참조).The literature regarding many photosensitive resin compositions and photosensitive resin laminated bodies is disclosed until now, and there exist many documents regarding contrast improvement immediately after exposure (refer patent documents 1-3).

일본 공개특허공보 2000-241971호Japanese Laid-Open Patent Publication 2000-241971 일본 공개특허공보 2002-053621호Japanese Laid-Open Patent Publication 2002-053621 일본 공개특허공보 2001-209177호Japanese Laid-Open Patent Publication 2001-209177 일본 공개특허공보 2008-287227호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-287227

그러나, 상기 문헌이 제안하는 기술에 의해서도, 노광 직후의 콘트라스트는 여전히 불충분한 것이 현 상황이다. 본 발명의 목적은 상기 문제점을 극복하여, 노광 직후에 매우 양호한 콘트라스트를 갖고, 해상도 및 감도가 우수하고, 또한 특정한 양태에 있어서는 박리시의 잔막성의 저하를 억제할 수 있는, 감광성 수지 조성물, 그리고 그것을 사용한 감광성 수지 적층체 및 레지스트 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.However, even with the technique proposed by the above document, the current situation is still insufficient in contrast just after exposure. An object of the present invention is to provide a photosensitive resin composition which overcomes the above-mentioned problems, has very good contrast immediately after exposure, is excellent in resolution and sensitivity, and can suppress the deterioration of residual film upon peeling in certain embodiments. It aims at providing the used photosensitive resin laminated body and the resist pattern formation method.

상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 특정한 티아디아졸 화합물을 감광성 수지 조성물의 성분으로서 사용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 즉 본 발명은 이하와 같다.As a result of earnestly examining in order to solve the said subject, it discovered that the said subject can be solved by using a specific thiadiazole compound as a component of the photosensitive resin composition, and came to complete this invention. That is, this invention is as follows.

(1) (a) 카르복실산을 함유하고, 산 당량이 100?600 이고, 중량 평균 분자량이 5,000?500,000 인 알칼리 가용성 고분자 : 20?80 질량%, (b) 아크릴기를 갖는 화합물을 적어도 1 종 함유하는 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머 : 5?60 질량%, (c) N-아릴-α-아미노산 화합물을 함유하는 광중합 개시제 : 0.1?20 질량%, (d) 류코 염료 : 0.1?10 질량%, 및 (e) 하기 일반식 (I) :(1) Alkali-soluble polymer which contains (a) carboxylic acid, acid equivalent is 100-600, and a weight average molecular weight is 5,000-500,000: 20-80 mass%, (b) At least 1 type of compound which has an acryl group Ethylenic unsaturated addition polymerizable monomer containing: 5-60 mass%, (c) Photoinitiator containing N-aryl- (alpha)-amino acid compound: 0.1-20 mass%, (d) leuco dye: 0.1-10 mass% And (e) the following general formula (I):

[화학식 1][Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

{식 중, R1 은 탄소수 1?9 의 알킬기, 탄소수 1?9 의 알콕실기, 탄소수 1?16 의 알킬티오기, 메르캅토기, 아미노기, 및 탄소수 1?9 의 알킬아미노기로 이루어지는 군에서 선택되는 1 개의 기를 나타낸다} 로 나타내는 메르캅토티아디아졸 화합물 : 0.01?5 질량% 를 함유하는 감광성 수지 조성물.{In formula, R <1> is chosen from the group which consists of a C1-C9 alkyl group, a C1-C9 alkoxyl group, a C1-C16 alkylthio group, a mercapto group, an amino group, and a C1-C9 alkylamino group. Mercaptothiadiazole compound represented by}} which represents one group to become: The photosensitive resin composition containing 0.01-5 mass%.

(2) 상기 (b) 아크릴기를 갖는 화합물을 적어도 1 종 함유하는 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머 중의, 아크릴기를 갖는 화합물이 하기 일반식 (II) :(2) The compound which has an acryl group in the ethylenically unsaturated addition polymerizable monomer containing at least 1 sort (s) of said (b) compound which has an acryl group has the following general formula (II):

[화학식 2][Formula 2]

Figure pct00002
Figure pct00002

{식 중, R2, R3, R4, 및 R5 는 H 를 나타내고, X 및 Y 는 각각 독립적으로 탄소수 2?4 의 알킬렌기를 나타내고, X 및 Y 는 서로 상이하고, p1, p2, p3, p4, p5, p6, p7 및 p8 은 각각 독립적으로 0 또는 정의 정수이고, p1, p2, p3, p4, p5, p6, p7 및 p8 의 합계는 0?20 의 정수이다} 로 나타내는 화합물인 상기 (1) 에 기재된 감광성 수지 조성물.{Wherein, R 2 , R 3 , R 4 , and R 5 represent H, X and Y each independently represent an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms, X and Y are different from each other, and p 1 , p 2 , p 3 , p 4 , p 5 , p 6 , p 7 and p 8 are each independently 0 or a positive integer, and p 1 , p 2 , p 3 , p 4 , p 5 , p 6 , p 7 and The sum total of p <8> is an integer of 0-20} The photosensitive resin composition as described in said (1) which is a compound represented by.

(3) 상기 (e) 메르캅토티아디아졸 화합물이 5-메틸티오-2-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 2-아미노-5-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 5-메틸아미노-2-메르캅토-1,3,4-티아디아졸 및 2,5-디메르캅토-1,3,4-티아디아졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물인 상기 (1) 또는 (2) 에 기재된 감광성 수지 조성물.(3) The mercaptothiadiazole compound (e) is 5-methylthio-2-mercapto-1,3,4-thiadiazole, 2-amino-5-mercapto-1,3,4-thia At least one compound selected from the group consisting of diazoles, 5-methylamino-2-mercapto-1,3,4-thiadiazole and 2,5-dimercapto-1,3,4-thiadiazole The photosensitive resin composition as described in said (1) or (2) which is phosphorus.

(4) 상기 (c) 광중합 개시제가 함유하는 상기 N-아릴-α-아미노산 화합물이 N-페닐글리신인 상기 (1)?(3) 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.(4) The photosensitive resin composition in any one of said (1)-(3) whose said N-aryl-alpha-amino acid compound which the said (c) photoinitiator contains is N-phenylglycine.

(5) 상기 (b) 아크릴기를 갖는 화합물을 적어도 1 종 함유하는 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머가 하기 일반식 (III) :(5) The ethylenically unsaturated addition polymerizable monomer containing at least 1 type of said compound (b) which has an acryl group is the following general formula (III):

[화학식 3](3)

Figure pct00003
Figure pct00003

{식 중, R6 및 R7 은 각각 독립적으로 H 또는 CH3 을 나타내고, A 는 C2H4 를 나타내고, B 는 C3H6 을 나타내고, n1+n2 는 2?30 의 정수이고, n3+n4 는 0?30 의 정수이고, n1 및 n2 는 각각 독립적으로 1?29 의 정수이고, n3 및 n4 는 각각 독립적으로 0?30 의 정수이고, 그리고 -(A-O)- 및 -(B-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이어도 되고 블록이어도 된다} 로 나타내는 광중합 가능한 불포화 화합물에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는 상기 (1)?(4) 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.{Wherein, R 6 and R 7 represents H or CH 3, each independently, A denotes a C 2 H 4, B is a represents a C 3 H 6, n1 + n2 is 2? 30 integer, n3 + n4 is an integer from 0 to 30, n1 and n2 are each independently an integer from 1 to 29, n3 and n4 are each independently an integer from 0 to 30, and-(AO)-and-(BO)- The arrangement of the repeating units may be random or may be a block.

(6) 기재 필름으로 이루어지는 지지체 상에, 상기 (1)?(5) 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성 수지층을 적층하여 이루어지는 감광성 수지 적층체.(6) The photosensitive resin laminated body formed by laminating | stacking the photosensitive resin layer which consists of a photosensitive resin composition in any one of said (1)-(5) on the support body which consists of a base film.

(7) 상기 (6) 에 기재된 감광성 수지 적층체를 기판 상에 적층하는 적층 공정,(7) a lamination step of laminating the photosensitive resin laminate according to (6) on a substrate,

감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지층을 노광하는 노광 공정, 및An exposure step of exposing the photosensitive resin layer in the photosensitive resin laminate, and

감광성 수지층의 미노광부를 현상 제거하는 현상 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법.The resist pattern formation method containing the image development process of image development removal of the unexposed part of the photosensitive resin layer.

(8) 상기 노광 공정을 묘화 패턴의 직접 묘화에 의해 실시하는 상기 (7) 에 기재된 레지스트 패턴 형성 방법.(8) The resist pattern formation method as described in said (7) which performs the said exposure process by direct drawing of a drawing pattern.

본 발명에 의하면, 노광 직후에 매우 양호한 콘트라스트를 갖고, 해상도 및 감도가 우수하고, 또한 특정한 양태에 있어서는 박리시의 잔막성의 저하를 억제할 수 있는, 감광성 수지 조성물, 그리고 그것을 사용한 감광성 수지 적층체 및 레지스트 패턴 형성 방법이 제공된다.According to this invention, the photosensitive resin composition which has very favorable contrast immediately after exposure, is excellent in a resolution and a sensitivity, and can suppress the fall of residual film at the time of peeling in a specific aspect, and the photosensitive resin laminated body using the same, and A resist pattern forming method is provided.

이하, 본 발명에 관해서 구체적으로 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated concretely.

<감광성 수지 조성물><Photosensitive resin composition>

본 발명은 (a) 카르복실산을 함유하고, 산 당량이 100?600 이고, 중량 평균 분자량이 5,000?500,000 인 알칼리 가용성 고분자 (본 명세서에 있어서, (a) 알칼리 가용성 고분자라고도 한다) : 20?80 질량%, (b) 아크릴기를 갖는 화합물을 적어도 1 종 함유하는 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머 (본 명세서에 있어서, (b) 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머라고도 한다) : 5?60 질량%, (c) N-아릴-α-아미노산 화합물을 함유하는 광중합 개시제 (본 명세서에 있어서, (c) 광중합 개시제라고도 한다) : 0.1?20 질량%, (d) 류코 염료 : 0.1?10 질량%, 및 (e) 하기 일반식 (I) :The present invention contains (a) an alkali-soluble polymer having a carboxylic acid, an acid equivalent of 100 to 600, and a weight average molecular weight of 5,000 to 500,000 (also referred to herein as (a) an alkali-soluble polymer): 20? Ethylene unsaturated addition polymerizable monomer containing 80 mass%, (b) at least 1 sort (s) of the compound which has an acryl group (In this specification, it is also called (b) ethylenically unsaturated addition polymerizable monomer): 5-60 mass%, (c) Photoinitiator containing N-aryl- (alpha)-amino acid compound (In this specification, it is also called (c) photoinitiator): 0.1-20 mass%, (d) leuco dye: 0.1-10 mass%, and (e) the following general formula (I):

[화학식 4][Formula 4]

Figure pct00004
Figure pct00004

{식 중, R1 은 탄소수 1?9 의 알킬기, 탄소수 1?9 의 알콕실기, 탄소수 1?16 의 알킬티오기, 메르캅토기, 아미노기, 및 탄소수 1?9 의 알킬아미노기로 이루어지는 군에서 선택되는 1 개의 기를 나타낸다} 로 나타내는 메르캅토티아디아졸 화합물 (본 명세서에 있어서, (e) 메르캅토티아디아졸 화합물이라고도 한다) : 0.01?5 질량% 를 함유하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.{In formula, R <1> is chosen from the group which consists of a C1-C9 alkyl group, a C1-C9 alkoxyl group, a C1-C16 alkylthio group, a mercapto group, an amino group, and a C1-C9 alkylamino group. A mercaptothiadiazole compound represented by the present invention} (also called (e) mercaptothiadiazole compound in this specification): Photosensitive resin composition containing 0.01-5 mass% is provided.

(a) 알칼리 가용성 고분자(a) alkali-soluble polymers

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (a) 알칼리 가용성 고분자는 카르복실산을 함유하고, 산 당량이 100?600 이고, 중량 평균 분자량이 5,000?500,000 인 알칼리 가용성 고분자이다.The (a) alkali-soluble polymer in the photosensitive resin composition of this invention is an alkali-soluble polymer which contains a carboxylic acid, an acid equivalent is 100-600 and a weight average molecular weight is 5,000-500,000.

(a) 알칼리 가용성 고분자의 카르복실기는, 감광성 수지 조성물이 알칼리 수용액으로 이루어지는 현상액 및 박리액에 대하여, 현상성 및 박리성을 갖기 위해 필요하다. (a) 알칼리 가용성 고분자의 산 당량은 100?600 이고, 바람직하게는 250?450 이다. 상기 산 당량은 용매, 또는 감광성 수지 조성물 중의 다른 성분, 특히 후술하는 (b) 아크릴기를 갖는 화합물을 적어도 1 종 함유하는 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머와의 상용성을 확보한다는 관점에서 100 이상이고, 또한 현상성 및 박리성을 유지한다는 관점에서 600 이하이다. 여기서 산 당량이란, 그 중에 1 당량의 카르복실기를 갖는 알칼리 가용성 고분자의 질량 (그램) 을 말한다. 또 산 당량의 측정은 히라누마 리포팅 타이트레이터 (COM-555) 를 사용하고, 0.1 ㏖/ℓ 의 NaOH 수용액으로 전위차 적정법에 의해 실시된다.The carboxyl group of the (a) alkali-soluble polymer is necessary in order for the photosensitive resin composition to have developability and peelability with respect to the developing solution and peeling solution which consist of aqueous alkali solution. (a) The acid equivalent of alkali-soluble polymer is 100-600, Preferably it is 250-450. The said acid equivalent is 100 or more from a viewpoint of ensuring compatibility with the ethylenic unsaturated addition polymerizable monomer containing at least 1 sort (s) of a solvent or other component in the photosensitive resin composition, especially the compound which has the (b) acryl group mentioned later, Moreover, it is 600 or less from a viewpoint of maintaining developability and peelability. An acid equivalent means the mass (gram) of alkali-soluble polymer which has 1 equivalent of carboxyl group in it here. The acid equivalent is measured by potentiometric titration with a 0.1 mol / l NaOH aqueous solution using a hiranuma reporting titrator (COM-555).

(a) 알칼리 가용성 고분자의 중량 평균 분자량은 5,000 내지 500,000 이다. 감광성 수지층의 두께를 균일하게 유지하고, 현상액에 대한 내성을 얻는다는 관점에서 5,000 이상이고, 또한 현상성을 유지한다는 관점에서 500,000 이하이다. 보다 바람직하게는, 중량 평균 분자량은 20,000 내지 100,000 이다. 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량이란, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의해 폴리스티렌 (예를 들어 쇼와 전공 (주) 제조 Shodex STANDARD SM-105) 의 검량선을 사용하여 측정한 중량 평균 분자량을 의미한다. 그 중량 평균 분자량은, 보다 전형적으로는, 닛폰 분광 (주) 제조 겔 퍼미에이션 크로마토그래피를 사용하여, 이하의 조건에서 측정할 수 있다.(a) The weight average molecular weight of alkali-soluble polymer is 5,000-500,000. It is 5,000 or more from a viewpoint of maintaining the thickness of the photosensitive resin layer uniformly, and obtaining tolerance to a developing solution, and 500,000 or less from a viewpoint of maintaining developability. More preferably, the weight average molecular weight is 20,000 to 100,000. In this specification, a weight average molecular weight means the weight average molecular weight measured using the calibration curve of polystyrene (for example, Shodex STANDARD SM-105 by Showa Electric Co., Ltd.) by gel permeation chromatography (GPC). do. The weight average molecular weight can be measured on the following conditions more typically using Nippon Spectroscopy Co., Ltd. gel permeation chromatography.

시차 굴절률계 : RI-1530Differential Refractometer: RI-1530

펌프 : PU-1580Pump: PU-1580

데갓사 : DG-9-80-50Degatsa: DG-9-80-50

칼럼 오븐 : CO-1560Column Oven: CO-1560

칼럼 : 순서대로 KF-802.5, KF-806M×2, KF-807Column: KF-802.5, KF-806M × 2, KF-807 in order

용리액 : THFEluent: THF

(a) 알칼리 가용성 고분자는 후술하는 제 1 단량체의 1 종 이상과 후술하는 제 2 단량체의 1 종 이상의 공중합체인 것이 바람직하다.(a) It is preferable that alkali-soluble polymer is 1 or more types of copolymers of the 1st monomer mentioned later and the 2nd monomer mentioned later.

제 1 단량체는 분자 중에 중합성 불포화기를 1 개 갖는 카르복실산 또는 카르복실산 무수물이다. 예를 들어, (메트)아크릴산, 푸마르산, 계피산, 크로톤산, 이타콘산, 말레산 무수물, 및 말레산 반에스테르를 들 수 있다. 그 중에서도, 특히 (메트)아크릴산이 바람직하다.The first monomer is a carboxylic acid or carboxylic anhydride having one polymerizable unsaturated group in the molecule. For example, (meth) acrylic acid, fumaric acid, cinnamic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, and maleic acid half ester are mentioned. Especially, (meth) acrylic acid is preferable.

제 2 단량체는 비산성이고, 분자 중에 중합성 불포화기를 적어도 1 개 갖는 단량체이다. 예를 들어, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, iso-프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, iso-부틸(메트)아크릴레이트, tert-부틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 비닐알코올의 에스테르류, 예를 들어 아세트산비닐, (메트)아크릴로니트릴, 스티렌, 및 중합 가능한 스티렌 유도체를 들 수 있다. 그 중에서도, 특히 메틸(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 스티렌, 벤질(메트)아크릴레이트가 바람직하다.The second monomer is non-acidic and is a monomer having at least one polymerizable unsaturated group in the molecule. For example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, iso-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, iso-butyl (meth ) Acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylic Ester, ester of vinyl alcohol, For example, vinyl acetate, (meth) acrylonitrile, styrene, and the styrene derivative which can superpose | polymerize are mentioned. Especially, methyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, styrene, and benzyl (meth) acrylate are especially preferable.

또, 본 명세서에 있어서, (메트)아크릴이란, 아크릴 및/또는 메타크릴을 의미한다.In addition, in this specification, (meth) acryl means an acryl and / or methacryl.

(a) 알칼리 가용성 고분자의, 감광성 수지 조성물 중의 함유 비율은 20?80 질량% 의 범위이고, 바람직하게는 30?70 질량% 의 범위이다. 노광, 현상에 의해 형성되는 레지스트 패턴이, 레지스트로서의 특성, 예를 들어 텐팅, 에칭 및 각종 도금 공정에서의 충분한 내성을 갖는다는 관점에서, 상기 함유 비율은 20 질량% 이상 80 질량% 이하이다.The content rate of the (a) alkali-soluble polymer in the photosensitive resin composition is 20-80 mass%, Preferably it is 30-70 mass%. From the viewpoint that the resist pattern formed by exposure and development has sufficient resistance as a resist, for example, in tenting, etching and various plating processes, the content ratio is 20% by mass or more and 80% by mass or less.

(b) 아크릴기를 갖는 화합물을 적어도 1 종 함유하는 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머(b) an ethylenically unsaturated addition polymerizable monomer containing at least one compound having an acryl group

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (b) 아크릴기를 갖는 화합물을 적어도 1 종 함유하는 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머는 에틸렌성 불포화 결합을 1 개 이상 갖는 모노머이다. 아크릴기를 갖는 화합물을 적어도 1 종 함유함으로써, 노광 직후의 콘트라스트 향상 효과가 부여된다. 아크릴기를 갖는 화합물로는, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디올디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 2-디(p-하이드록시페닐)프로판디아크릴레이트, 글리세롤트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 폴리옥시프로필트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 폴리옥시에틸트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르트리아크릴레이트, 비스페놀 A 디글리시딜에테르디아크릴레이트, β-하이드록시프로필-β'-(아크릴로일옥시)프로필프탈레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 노닐페녹시폴리알킬렌글리콜아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노아크릴레이트, 비스페놀 A 의 알킬렌옥사이드 부가물 (예를 들어, 양단에 평균 5 몰씩의 에틸렌옥사이드를 부가하여 이루어지는 부가물, 양단에 평균 2 몰씩의 프로필렌옥사이드 및 양단에 평균 15 몰씩의 에틸렌옥사이드를 부가하여 이루어지는 부가물) 의 디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜도데카프로필렌글리콜, 프로필렌옥사이드를 부가한 폴리프로필렌글리콜에 에틸렌옥사이드를 추가로 양단 부가한 (평균 12 몰의 프로필렌옥사이드를 부가한 폴리프로필렌글리콜의 양단에 에틸렌옥사이드를 각각 평균 3 몰씩 부가) 폴리알킬렌글리콜의 디아크릴레이트를 들 수 있다. 그 중에서도, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 비스페놀 A 디글리시딜에테르디아크릴레이트, 비스페놀 A 의 알킬렌옥사이드 부가물의 디아크릴레이트가 바람직하다.The ethylenically unsaturated addition polymerizable monomer containing at least 1 sort (s) of the compound which has an acryl group in the photosensitive resin composition of this invention is a monomer which has one or more ethylenically unsaturated bonds. By containing at least 1 type of compound which has an acryl group, the contrast improvement effect immediately after exposure is provided. Examples of the compound having an acryl group include 1,6-hexanediol diacrylate, 1,4-cyclohexanediol diacrylate, polypropylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, and 2-di (p-hydroxyphenyl Propanediacrylate, glycerol triacrylate, trimethylolpropanetriacrylate, polyoxypropyltrimethylolpropanetriacrylate, polyoxyethyltrimethylolpropanetriacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol penta Acrylate, trimethylol propane triglycidyl ether triacrylate, bisphenol A diglycidyl ether diacrylate, β-hydroxypropyl-β '-(acryloyloxy) propyl phthalate, phenoxy polyethylene glycol acrylate, Nonylphenoxypolyethylene glycol acrylate, nonylphenoxy polyalkylene glycol acrylate , Polypropylene glycol monoacrylate, alkylene oxide adduct of bisphenol A (e.g., an adduct obtained by adding an average of 5 moles of ethylene oxide at both ends, an average of 2 moles of propylene oxide at both ends, and an average of 15 moles at both ends Addition product of both ends of ethylene oxide added to the polyacrylate glycol to which diacrylate, triethylene glycol dodecapropylene glycol, and propylene oxide were added (average of 12 mol of propylene oxide) Ethylene oxide is added on average at both ends of the polypropylene glycol) diacrylate of polyalkylene glycol. Especially, the diacrylate of pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, bisphenol A diglycidyl ether diacrylate, and the alkylene oxide adduct of bisphenol A is preferable.

특히, 아크릴기를 갖는 화합물이 하기 일반식 (II) :In particular, the compound which has an acryl group has the following general formula (II):

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure pct00005
Figure pct00005

{식 중, R2, R3, R4, 및 R5 는 H 를 나타내고, X 및 Y 는 각각 독립적으로 탄소수 2?4 의 알킬렌기를 나타내고, X 및 Y 는 서로 상이하고, p1, p2, p3, p4, p5, p6, p7 및 p8 은 각각 독립적으로 0 또는 정의 정수이고, p1, p2, p3, p4, p5, p6, p7 및 p8 의 합계는 0?20 의 정수이다} 로 나타내는 화합물인 것이 노광 직후의 콘트라스트성, 감도, 해상도 및 잔막률을 양호한 밸런스로 달성하는 관점에서 가장 바람직하다.{Wherein, R 2 , R 3 , R 4 , and R 5 represent H, X and Y each independently represent an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms, X and Y are different from each other, and p 1 , p 2 , p 3 , p 4 , p 5 , p 6 , p 7 and p 8 are each independently 0 or a positive integer, and p 1 , p 2 , p 3 , p 4 , p 5 , p 6 , p 7 and The sum of p 8 is an integer of 0 to 20}. It is most preferable from the viewpoint of achieving a good balance of contrast property, sensitivity, resolution and residual film ratio immediately after exposure.

본 발명의 감광성 수지 조성물 중의 아크릴기를 갖는 화합물의 함유 비율은 1?45 질량% 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1?30 질량%, 더욱 바람직하게는 5?20 질량% 이다. 상기 함유 비율은 노광 직후에 양호한 콘트라스트성을 갖는다는 관점에서 1 질량% 이상인 것이 바람직하고, 5 질량% 이상이 보다 바람직하다. 또한, 박리시의 잔막성의 저하를 억제한다는 관점에서 45 질량% 이하인 것이 바람직하고, 30 질량% 이하가 보다 바람직하다.It is preferable that the content rate of the compound which has an acryl group in the photosensitive resin composition of this invention is 1-45 mass%, More preferably, it is 1-30 mass%, More preferably, it is 5-20 mass%. It is preferable that it is 1 mass% or more from a viewpoint that the said content ratio has favorable contrast immediately after exposure, and 5 mass% or more is more preferable. Moreover, it is preferable that it is 45 mass% or less from a viewpoint of suppressing the fall of the residual film property at the time of peeling, and 30 mass% or less is more preferable.

(b) 아크릴기를 갖는 화합물을 적어도 1 종 함유하는 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머는 하기 일반식 (III) :(b) The ethylenically unsaturated addition polymerizable monomer containing at least 1 sort (s) of the compound which has an acryl group is the following general formula (III):

[화학식 6][Formula 6]

Figure pct00006
Figure pct00006

{식 중, R6 및 R7 은 각각 독립적으로 H 또는 CH3 을 나타내고, A 는 C2H4 를 나타내고, B 는 C3H6 을 나타내고, n1+n2 는 2?30 의 정수이고, n3+n4 는 0?30 의 정수이고, n1 및 n2 는 각각 독립적으로 1?29 의 정수이고, n3 및 n4 는 각각 독립적으로 0?30 의 정수이고, 그리고 -(A-O)- 및 -(B-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이어도 되고 블록이어도 된다} 로 나타내는 광중합 가능한 불포화 화합물에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는 것이 해상도 면에서 바람직하다.{Wherein, R 6 and R 7 represents H or CH 3, each independently, A denotes a C 2 H 4, B is a represents a C 3 H 6, n1 + n2 is 2? 30 integer, n3 + n4 is an integer from 0 to 30, n1 and n2 are each independently an integer from 1 to 29, n3 and n4 are each independently an integer from 0 to 30, and-(AO)-and-(BO)- The arrangement of the repeating units may be random or may be a block}, preferably containing at least one selected from the photopolymerizable unsaturated compounds represented by the viewpoint of the resolution.

상기 일반식 (III) 으로 나타내는 화합물로는, 2,2-비스{(4-아크릴옥시폴리에틸렌옥시)페닐}프로판 및 2,2-비스{(4-메타크릴옥시폴리에틸렌옥시)페닐}프로판 등을 들 수 있다. 상기 일반식 (III) 으로 나타내는 화합물이 갖는 폴리에틸렌옥시기는 모노에틸렌옥시기, 디에틸렌옥시기, 트리에틸렌옥시기, 테트라에틸렌옥시기, 펜타에틸렌옥시기, 헥사에틸렌옥시기, 헵타에틸렌옥시기, 옥타에틸렌옥시기, 노나에틸렌옥시기, 데카에틸렌옥시기, 운데카에틸렌옥시기, 도데카에틸렌옥시기, 트리데카에틸렌옥시기, 테트라데카에틸렌옥시기, 및 펜타데카에틸렌옥시기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 기인 것이 바람직하다.Examples of the compound represented by General Formula (III) include 2,2-bis {(4-acryloxypolyethyleneoxy) phenyl} propane and 2,2-bis {(4-methacryloxypolyethyleneoxy) phenyl} propane. Can be mentioned. The polyethyleneoxy group which the compound represented by the said General formula (III) has has a monoethyleneoxy group, a diethyleneoxy group, a triethyleneoxy group, a tetraethyleneoxy group, a pentaethyleneoxy group, a hexaethyleneoxy group, a heptaethyleneoxy group, and an octa Any selected from the group consisting of ethyleneoxy group, nonaethyleneoxy group, decaethyleneoxy group, undecaethyleneoxy group, dodecaethyleneoxy group, tridecaethyleneoxy group, tetradecaethyleneoxy group, and pentadecaethyleneoxy group It is preferable that it is a group.

또한, 상기 일반식 (III) 으로 나타내는 화합물로는, 2,2-비스{(4-아크릴옥시폴리알킬렌옥시)페닐}프로판 및 2,2-비스{(4-메타크릴옥시폴리알킬렌옥시)페닐}프로판 등도 들 수 있다. 상기 일반식 (III) 으로 나타내는 화합물이 갖는 폴리알킬렌옥시기로는, 에틸렌옥시기와 프로필렌옥시기의 혼합물을 들 수 있고, 옥타에틸렌옥시기와 디프로필렌옥시기의 블록 구조의 부가물 또는 랜덤 구조의 부가물, 및 테트라에틸렌옥시기와 테트라프로필렌옥시기의 블록 구조의 부가물 또는 랜덤 구조의 부가물, 펜타데카에틸렌옥시기와 디프로필렌옥시기의 블록 구조의 부가물 또는 랜덤 구조의 부가물이 바람직하다. 이들 중에서도, 2,2-비스{(4-메타크릴옥시펜타에틸렌옥시)페닐}프로판이 가장 바람직하다.Moreover, as a compound represented by the said General formula (III), 2, 2-bis {(4-acryloxy polyalkylene oxy) phenyl} propane and 2, 2-bis {(4-methacryloxy polyalkylene oxy) ) Phenyl} propane etc. are mentioned. As a polyalkyleneoxy group which the compound represented by the said General formula (III) has, the mixture of an ethyleneoxy group and a propyleneoxy group is mentioned, The addition of the block structure addition product or random structure of an octaethyleneoxy group and a dipropyleneoxy group is carried out. Water and the addition product of the block structure of a tetraethyleneoxy group and a tetrapropylene oxy group or the addition product of a random structure, the addition product of the block structure of a pentadecaethyleneoxy group and a dipropyleneoxy group, or the addition product of a random structure are preferable. Among them, 2,2-bis {(4-methacryloxypentaethyleneoxy) phenyl} propane is most preferred.

(b) 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머가 상기 일반식 (III) 으로 나타내는 화합물을 함유하는 경우, 본 발명의 감광성 수지 조성물 중의 상기 일반식 (III) 으로 나타내는 화합물의 함유 비율은 1?40 질량% 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5?30 질량% 이다. 상기 함유 비율은 노광 직후에 양호한 콘트라스트성을 갖는다는 관점에서 1 질량% 이상인 것이 바람직하고, 또한, 해상성 및 밀착성의 저하를 억제한다는 관점에서 40 질량% 이하인 것이 바람직하다.(b) When ethylenically unsaturated addition polymeric monomer contains the compound represented by the said General formula (III), the content rate of the compound represented by the said General formula (III) in the photosensitive resin composition of this invention is 1-40 mass%. It is preferable that it is, More preferably, it is 5-30 mass%. It is preferable that the said content ratio is 1 mass% or more from a viewpoint of having favorable contrast immediately after exposure, and 40 mass% or less from a viewpoint of suppressing the fall of resolution and adhesiveness.

(b) 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머로는, 상기 아크릴기를 갖는 화합물 및 일반식 (III) 으로 나타내는 화합물과 조합하여, 또는 이것 대신에, 예를 들어 하기에 나타내는 광중합 가능한 불포화 화합물을 사용할 수 있다. 즉, 1,6-헥산디올디메타크릴레이트, 1,4-시클로헥산디올디메타크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 2-디(p-하이드록시페닐)프로판디메타크릴레이트, 글리세롤트리메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 폴리옥시프로필트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 폴리옥시에틸트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르트리메타크릴레이트, 비스페놀 A 디글리시딜에테르디메타크릴레이트, β-하이드록시프로필-β'-(메타크릴로일옥시)프로필프탈레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트, 노닐페녹시폴리알킬렌글리콜메타크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노메타크릴레이트, 비스페놀 A 의 알킬렌옥사이드 부가물 (예를 들어, 양단에 평균 5 몰씩의 에틸렌옥사이드를 부가하여 이루어지는 부가물, 양단에 평균 2 몰씩의 프로필렌옥사이드 및 양단에 평균 15 몰씩의 에틸렌옥사이드를 부가하여 이루어지는 부가물) 의 디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜도데카프로필렌글리콜, 프로필렌옥사이드를 부가한 폴리프로필렌글리콜에 에틸렌옥사이드를 추가로 양단 부가한 (평균 12 몰의 프로필렌옥사이드를 부가한 폴리프로필렌글리콜의 양단에 에틸렌옥사이드를 각각 평균 3 몰씩 부가) 폴리알킬렌글리콜의 디메타크릴레이트를 들 수 있다.(b) As an ethylenic unsaturated addition polymerizable monomer, the unsaturated compound which can be photopolymerized shown below can be used in combination with or instead of the compound which has the said acryl group, and the compound represented by General formula (III), for example. . Namely, 1,6-hexanediol dimethacrylate, 1,4-cyclohexanediol dimethacrylate, polypropylene glycol dimethacrylate, polyethylene glycol dimethacrylate, 2-di (p-hydroxyphenyl) Propanedimethacrylate, glycerol trimethacrylate, trimethylolpropanetrimethacrylate, polyoxypropyltrimethylolpropanetrimethacrylate, polyoxyethyltrimethylolpropanetrimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, Dipentaerythritol pentamethacrylate, trimethylolpropanetriglycidyl ethertrimethacrylate, bisphenol A diglycidyl ether dimethacrylate, β-hydroxypropyl-β '-(methacryloyloxy) propyl Phthalates, phenoxypolyethylene glycol methacrylates, nonylphenoxypolyethylene glycol methacrylates, nonylphenoxypolyalkylene glycols Acrylate, polypropylene glycol monomethacrylate, alkylene oxide adduct of bisphenol A (e.g., an adduct obtained by adding an average of 5 moles of ethylene oxide at both ends, an average of 2 moles of propylene oxide at both ends and both ends Addition of ethylene oxide to both ends of dimethacrylate, triethylene glycol dodecapropylene glycol, and propylene oxide added (average of 12 moles) of dimethacrylate, triethylene glycol dodecapropylene glycol, Dimethacrylate of polyalkylene glycols may be added to both ends of the polypropylene glycol to which propylene oxide is added.

또한, (b) 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머로는 우레탄 화합물도 들 수 있다. 우레탄 화합물로는, 예를 들어 헥사메틸렌디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 및 디이소시아네이트 화합물, 예를 들어 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트와, 1 분자 중에 하이드록실기 및 (메트)아크릴기를 갖는 화합물, 예를 들어 2-하이드록시프로필아크릴레이트, 올리고프로필렌글리콜모노메타크릴레이트의 우레탄 화합물을 들 수 있다. 구체적으로는, 헥사메틸렌디이소시아네이트와 올리고프로필렌글리콜모노메타크릴레이트 (닛폰 유지 (주) 제조, 브렌마 PP1000) 의 반응물이 있다. 우레탄 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상 병용해도 된다.Moreover, a urethane compound is also mentioned as (b) ethylenic unsaturated addition polymerizable monomer. As a urethane compound, For example, hexamethylene diisocyanate, tolylene diisocyanate, and a diisocyanate compound, for example, 2,2,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, and a hydroxyl group and a (meth) acryl group in 1 molecule The compound which has, for example, a urethane compound of 2-hydroxypropyl acrylate and oligopropylene glycol monomethacrylate is mentioned. Specifically, there is a reactant of hexamethylene diisocyanate and oligopropylene glycol monomethacrylate (manufactured by Nippon Oils & Fats, Inc., Brenma PP1000). A urethane compound may be used independently and may be used together two or more types.

본 발명에 사용되는 (b) 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머의 감광성 수지 조성물 중의 함유 비율은 5?60 질량% 의 범위이고, 바람직하게는 10?50 질량% 의 범위이다. 상기 함유 비율은 감도, 해상도 및 밀착성이 향상되는 관점에서 5 질량% 이상이고, 에지 퓨즈가 억제되는 관점에서 60 질량% 이하이다.The content rate in the photosensitive resin composition of the (b) ethylenically unsaturated addition polymeric monomer used for this invention is the range of 5-60 mass%, Preferably it is the range of 10-50 mass%. The said content ratio is 5 mass% or more from a viewpoint of the improvement of a sensitivity, a resolution, and adhesiveness, and 60 mass% or less from a viewpoint which an edge fuse is suppressed.

(c) 광중합 개시제(c) photopolymerization initiator

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (c) 광중합 개시제는 N-아릴-α-아미노산 화합물을 필수 성분으로서 포함한다. N-아릴-α-아미노산 화합물이 포함됨으로써 양호한 감도가 확보된다. 그 중에서도, N-아릴-α-아미노산 화합물이 N-페닐글리신인 것이 감도 면에서 특히 바람직하다.The (c) photoinitiator in the photosensitive resin composition of this invention contains an N-aryl- (alpha)-amino acid compound as an essential component. Good sensitivity is ensured by the inclusion of the N-aryl-α-amino acid compound. Especially, it is especially preferable from a viewpoint of a sensitivity that N-aryl- (alpha)-amino acid compound is N-phenylglycine.

본 발명에 사용되는 (c) 광중합 개시제로는, N-아릴-α-아미노산 화합물과 아크리딘 유도체를 병용하는 계가 바람직하다. 아크리딘 유도체로는, 9-페닐아크리딘, 9-피리딜아크리딘, 9-피라지닐아크리딘, 1,2-비스(9-아크리디닐)에탄, 1,3-비스(9-아크리디닐)프로판, 1,4-비스(9-아크리디닐)부탄, 1,5-비스(9-아크리디닐)펜탄, 1,6-비스(9-아크리디닐)헥산, 1,7-비스(9-아크리디닐)헵탄 (아사히 전화 공업 (주) 제조, N-1717), 1,8-비스(9-아크리디닐)옥탄, 1,9-비스(9-아크리디닐)노난, 1,10-비스(9-아크리디닐)데칸, 1,11-비스(9-아크리디닐)운데칸, 1,12-비스(9-아크리디닐)도데칸을 들 수 있다.As a (c) photoinitiator used for this invention, the system which uses together an N-aryl- (alpha)-amino acid compound and an acridine derivative is preferable. Examples of the acridine derivative include 9-phenylacridine, 9-pyridylacridine, 9-pyrazinylacridine, 1,2-bis (9-acridinyl) ethane, 1,3-bis (9 -Acridinyl) propane, 1,4-bis (9-acridinyl) butane, 1,5-bis (9-acridinyl) pentane, 1,6-bis (9-acridinyl) hexane, 1 , 7-bis (9-acridinyl) heptane (manufactured by Asahi Telephone Co., Ltd., N-1717), 1,8-bis (9-acridinyl) octane, 1,9-bis (9-acridy Nil) nonane, 1,10-bis (9-acridinyl) decane, 1,11-bis (9-acridinyl) undecane, 1,12-bis (9-acridinyl) dodecane have.

(c) 광중합 개시제로는, 상기에서 나타낸 화합물 이외에, 다른 광중합 개시제를 병용하는 것도 가능하다. 여기서의 광중합 개시제란, 각종 활성 광선, 예를 들어 자외선 등에 의해 활성화되고, 중합을 개시하는 화합물을 의미한다.(c) As a photoinitiator, in addition to the compound shown above, it is also possible to use another photoinitiator together. The photoinitiator here means a compound which is activated by various actinic rays, for example, ultraviolet rays, and initiates polymerization.

상기 다른 광중합 개시제로는, 피라졸린류, 예를 들어 1-페닐-3-(4-tert-부틸-스티릴)-5-(4-tert-부틸-페닐)-피라졸린, 퀴논류, 예를 들어 2-에틸안트라퀴논 및 2-tert-부틸안트라퀴논, 방향족 케톤류, 예를 들어 벤조페논 및 벤조인, 벤조인에테르류, 예를 들어 벤조인메틸에테르 및 벤조인에틸에테르, 아크리딘 화합물, 예를 들어 9-페닐아크리딘, 벤질케탈류, 예를 들어 벤질디메틸케탈 및 벤질디에틸케탈을 들 수 있다.As said other photoinitiator, pyrazolines, for example, 1-phenyl- 3- (4-tert- butyl- styryl) -5- (4-tert- butyl- phenyl)-pyrazoline, quinones, for example For example 2-ethylanthraquinone and 2-tert-butylanthraquinone, aromatic ketones such as benzophenone and benzoin, benzoin ethers such as benzoin methyl ether and benzoin ethyl ether, acridine compounds For example, 9-phenylacrydine, benzyl ketals, such as benzyl dimethyl ketal and benzyl diethyl ketal, are mentioned.

또한 상기 다른 광중합 개시제로는, 티오크산톤류, 예를 들어 티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤 또는 2-클로로티오크산톤과, 3 급 아민 화합물, 예를 들어 디메틸아미노벤조산알킬에스테르 화합물의 병용도 가능하다.Moreover, as said other photoinitiator, thioxanthones, for example, thioxanthone, 2, 4- diethyl thioxanthone, or 2-chloro thioxanthone, a tertiary amine compound, for example, dimethylamino benzoate alkyl Combination of ester compounds is also possible.

또한 상기 다른 광중합 개시제로는, 옥심에스테르류, 예를 들어 1-페닐-1,2-프로판디온-2-O-벤조일옥심 및 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심도 들 수 있다.Moreover, as said other photoinitiator, oxime ester, for example, 1-phenyl- 1, 2- propanedione- 2-O-benzoyl oxime and 1-phenyl- 1, 2- propanedione- 2- (O- Oxycarbonyl) oxime is also mentioned.

(c) 광중합 개시제의, 감광성 수지 조성물 중의 함유 비율은 0.1 질량%?20 질량% 의 범위이다. 상기 함유 비율이 0.1 질량% 미만이면 충분한 감도가 얻어지지 않는다. 또한, 상기 함유 비율이 20 질량% 를 초과하면, 노광시에 포토마스크를 통과시킨 광의 회절에 의한 포깅이 발생하기 쉬워지고, 그 결과 해상성이 악화된다. 상기 함유 비율은 0.1?15 질량% 의 범위가 보다 바람직하고, 0.1?10 질량% 의 범위가 더욱 바람직하다.(c) The content rate of the photoinitiator in the photosensitive resin composition is the range of 0.1 mass%-20 mass%. If the said content ratio is less than 0.1 mass%, sufficient sensitivity will not be obtained. Moreover, when the said content rate exceeds 20 mass%, fogging by the diffraction of the light which passed the photomask at the time of exposure will generate | occur | produce easily, and as a result, resolution will deteriorate. The range of 0.1-15 mass% is more preferable, and, as for the said content rate, the range of 0.1-10 mass% is further more preferable.

(d) 류코 염료(d) leuco dyes

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (d) 류코 염료로는, 류코 크리스탈 바이올렛, 플루오란 염료 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 류코 크리스탈 바이올렛을 사용한 경우, 노광 직후의 콘트라스트가 양호하여 바람직하다. 플루오란 염료로는, 예를 들어 3-디에틸아미노-6-메틸-7-아닐리노플루오란, 3-디부틸아미노-6-메틸-7-아닐리노플루오란, 2-(2-클로로아닐리노)-6-디부틸아미노플루오란, 2-브로모-3-메틸-6-디부틸아미노플루오란, 2-N,N-디벤질아미노-6-디에틸아미노플루오란, 3-디에틸아미노-7-클로로아미노플루오란, 3,6-디메톡시플루오란, 3-디에틸아미노-6-메톡시-7-아미노플루오란 등을 들 수 있다.As (d) leuco dye in the photosensitive resin composition of this invention, leuco crystal violet, a fluorane dye, etc. are mentioned. Especially, when leuco crystal violet is used, the contrast immediately after exposure is favorable and preferable. As a fluorane dye, for example, 3-diethylamino-6-methyl-7-anilinofluorane, 3-dibutylamino-6-methyl-7-anilinofluorane, 2- (2-chloroaniyl Lino) -6-dibutylaminofluoran, 2-bromo-3-methyl-6-dibutylaminofluoran, 2-N, N-dibenzylamino-6-diethylaminofluoran, 3-diethyl Amino-7-chloroamino fluorane, 3,6-dimethoxy fluorane, 3-diethylamino-6-methoxy-7-amino fluorane and the like.

(d) 류코 염료의 감광성 수지 조성물 중의 함유 비율은 0.1?10 질량% 의 범위이고, 바람직하게는 0.1?5 질량% 의 범위이고, 더욱 바람직하게는 0.5?3 질량% 의 범위이다. 상기 함유 비율은, 충분한 노광 직후의 콘트라스트를 발현한다는 관점에서, 0.1 질량% 이상이고, 또한, 보존 안정성을 유지한다는 관점에서, 10 질량% 이하이다.(d) The content rate of the leuco dye in the photosensitive resin composition is 0.1-10 mass%, Preferably it is 0.1-5 mass%, More preferably, it is 0.5-3 mass%. The said content ratio is 0.1 mass% or more from a viewpoint of expressing contrast immediately after sufficient exposure, and is 10 mass% or less from a viewpoint of maintaining storage stability.

(e) 메르캅토티아디아졸 화합물(e) mercaptothiadiazole compounds

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (e) 메르캅토티아디아졸 화합물은 하기 일반식 (I) :The (e) mercaptothiadiazole compound in the photosensitive resin composition of this invention is following General formula (I):

[화학식 7][Formula 7]

Figure pct00007
Figure pct00007

{식 중, R1 은 탄소수 1?9 의 알킬기, 탄소수 1?9 의 알콕실기, 탄소수 1?16 의 알킬티오기, 메르캅토기, 아미노기, 및 탄소수 1?9 의 알킬아미노기로 이루어지는 군에서 선택되는 1 개의 기를 나타낸다} 로 나타내는 화합물이다.{In formula, R <1> is chosen from the group which consists of a C1-C9 alkyl group, a C1-C9 alkoxyl group, a C1-C16 alkylthio group, a mercapto group, an amino group, and a C1-C9 alkylamino group. It represents the one group which becomes}}.

(e) 메르캅토티아디아졸 화합물로는, 예를 들어 5-메틸-2-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 5-에틸-2-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 5-n-프로필-2-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 5-이소프로필-2-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 5-메톡시-2-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 5-에톡시-2-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 5-n-프로필옥시-2-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 5-이소프로필옥시-2-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 5-메틸티오-2-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 5-에틸티오-2-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 5-n-프로필티오-2-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 5-이소프로필티오-2-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 2-아미노-5-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 5-메틸아미노-2-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 2,5-디메르캅토-1,3,4-티아디아졸 등을 들 수 있다.(e) As a mercapto thiadiazole compound, for example, 5-methyl-2- mercapto-1,3,4- thiadiazole, 5-ethyl-2- mercapto-1,3,4-thia Diazole, 5-n-propyl-2-mercapto-1,3,4-thiadiazole, 5-isopropyl-2-mercapto-1,3,4-thiadiazole, 5-methoxy-2 Mercapto-1,3,4-thiadiazole, 5-ethoxy-2-mercapto-1,3,4-thiadiazole, 5-n-propyloxy-2-mercapto-1,3, 4-thiadiazole, 5-isopropyloxy-2-mercapto-1,3,4-thiadiazole, 5-methylthio-2-mercapto-1,3,4-thiadiazole, 5-ethyl Thio-2-mercapto-1,3,4-thiadiazole, 5-n-propylthio-2-mercapto-1,3,4-thiadiazole, 5-isopropylthio-2-mercapto- 1,3,4-thiadiazole, 2-amino-5-mercapto-1,3,4-thiadiazole, 5-methylamino-2-mercapto-1,3,4-thiadiazole, 2 , 5-dimercapto-1,3,4-thiadiazole and the like.

특히, 5-메틸티오-2-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 2-아미노-5-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 5-메틸아미노-2-메르캅토-1,3,4-티아디아졸 및 2,5-디메르캅토-1,3,4-티아디아졸은, 감도, 밀착성 및 노광 직후의 콘트라스트 성능이 높으므로, 바람직하게 사용된다. 이들은 단독 또는 2 종류 이상 조합하여 사용할 수 있다.In particular, 5-methylthio-2-mercapto-1,3,4-thiadiazole, 2-amino-5-mercapto-1,3,4-thiadiazole, 5-methylamino-2-mercapto Since -1,3,4-thiadiazole and 2,5-dimercapto-1,3,4-thiadiazole are high in sensitivity, adhesiveness, and contrast performance immediately after exposure, they are used preferably. These can be used individually or in combination of 2 or more types.

(e) 메르캅토티아디아졸 화합물의 감광성 수지 조성물 중의 함유 비율은 0.01?5 질량% 의 범위이고, 바람직하게는 0.05?3 질량% 의 범위이고, 가장 바람직하게는 0.1?2 질량% 의 범위이다. 상기 함유 비율은 충분한 감도 및 밀착성, 그리고 콘트라스트를 얻는다는 관점에서 0.01 질량% 이상이고, 또한, 보존 안정성을 유지한다는 관점에서 5 질량% 이하이다. 또 (e) 메르캅토티아디아졸 화합물은 상온에서 분체 (粉體) 이기 때문에, 상기 함유 비율은 전형적으로는 고형분 비율이다.(e) The content ratio of the mercaptothiadiazole compound in the photosensitive resin composition is 0.01-5 mass%, Preferably it is 0.05-3 mass%, Most preferably, it is 0.1-2 mass%. . The said content ratio is 0.01 mass% or more from a viewpoint of obtaining sufficient sensitivity, adhesiveness, and contrast, and is 5 mass% or less from a viewpoint of maintaining storage stability. In addition, since the (e) mercaptothiadiazole compound is powder at room temperature, the content ratio is typically a solid content ratio.

본 발명에 있어서는, 감광성 수지 조성물 중에 할로겐 화합물을 함유시키는 것이 바람직하다. 이 경우, (d) 류코 염료와 할로겐 화합물을 조합하여 사용하게 되어, 밀착성 및 노광 직후의 콘트라스트가 더욱 양호해진다.In this invention, it is preferable to contain a halogen compound in the photosensitive resin composition. In this case, (d) leuco dye and a halogen compound are used in combination, and the adhesiveness and contrast immediately after exposure become more favorable.

할로겐 화합물로는, 예를 들어 브롬화아밀, 브롬화이소아밀, 브롬화이소부틸렌, 브롬화에틸렌, 브롬화디페닐메틸, 브롬화벤잘, 브롬화메틸렌, 트리브로모메틸페닐술폰, 4 브롬화탄소, 트리스(2,3-디브로모프로필)포스페이트, 트리클로로아세트아미드, 요오드화아밀, 요오드화이소부틸, 1,1,1-트리클로로-2,2-비스(p-클로로페닐)에탄, 헥사클로로에탄, 할로겐화트리아진 화합물 등을 들 수 있다.As a halogen compound, for example, amyl bromide, isoamyl bromide, isobutyl bromide, ethylene bromide, diphenyl methyl bromide, benzyl bromide, methylene bromide, tribromomethylphenyl sulfone, carbon tetrabromide, and tris (2,3- Dibromopropyl) phosphate, trichloroacetamide, amyl iodide, isobutyl iodide, 1,1,1-trichloro-2,2-bis (p-chlorophenyl) ethane, hexachloroethane, halogenated triazine compounds, etc. Can be mentioned.

본 발명에 있어서 할로겐 화합물을 사용하는 경우, 감광성 수지 조성물 중의 할로겐 화합물의 함유량은 0.01?5 질량% 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.05?3 질량% 이다.When using a halogen compound in this invention, it is preferable that content of the halogen compound in the photosensitive resin composition is 0.01-5 mass%, More preferably, it is 0.05-3 mass%.

본 발명에 있어서는, 감광성 수지 조성물의 취급성을 향상시키기 위해, 전술한 (d) 류코 염료에 추가하여, 착색 물질을 감광성 수지 조성물 중에 함유시키는 것도 가능하다. 착색 물질로는, 예를 들어 푹신, 프탈로시아닌 그린, 오라민 염기, 파라마젠타, 크리스탈 바이올렛, 메틸 오렌지, 나일 블루 2B, 빅토리아 블루, 말라카이트 그린 (예를 들어 호도가야 화학 (주) 제조 아이젠 (등록 상표) MALACHITE GREEN), 베이식 블루 20, 다이아몬드 그린 (예를 들어 호도가야 화학 (주) 제조 아이젠 (등록 상표) DIAMOND GREEN GH) 등을 들 수 있다.In this invention, in order to improve the handleability of the photosensitive resin composition, in addition to the above-mentioned (d) leuco dye, it is also possible to contain a coloring substance in the photosensitive resin composition. As the coloring substance, for example, fuchsin, phthalocyanine green, oramin base, paramagenta, crystal violet, methyl orange, nile blue 2B, victoria blue, malachite green (e.g., Hodogaya Chemical Co., Ltd. ) MALACHITE GREEN), basic blue 20, diamond green (For example, Hodogaya Chemical Co., Ltd. Eisen (registered trademark) DIAMOND GREEN GH), etc. are mentioned.

상기 착색 물질을 사용하는 경우, 감광성 수지 조성물 중의 착색 물질의 함유 비율은 0.001?1 질량% 인 것이 바람직하고, 0.01?0.1 질량% 인 것이 보다 바람직하다. 상기 함유 비율이 0.001 질량% 이상인 경우, 취급성 향상이라는 효과가 양호하고, 1 질량% 이하인 경우, 보존 안정성을 유지한다는 효과가 양호하다.When using the said coloring substance, it is preferable that it is 0.001-1 mass%, and, as for the content rate of the coloring substance in the photosensitive resin composition, it is more preferable that it is 0.01-0.1 mass%. When the said content ratio is 0.001 mass% or more, the effect of a handleability improvement is favorable, and when it is 1 mass% or less, the effect of maintaining storage stability is favorable.

또한 본 발명에 있어서의 감광성 수지 조성물의 열 안정성 및 보존 안정성을 향상시키기 위해, 감광성 수지 조성물 중에 안정제를 함유시키는 것도 가능하다. 안정제로는, 예를 들어 p-메톡시페놀, 하이드로퀴논, 피로갈롤, 나프틸아민, tert-부틸카테콜, 염화 제 1 구리, 2,6-디-tert-부틸-p-크레졸, 2,2'-메틸렌비스(4-에틸-6-tert-부틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-tert-부틸페놀), 디페닐니트로소아민 등을 들 수 있다. 또한, 벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 1-(2-디알킬아미노)카르복시벤조트리아졸, 펜타에리트리톨-3,5-디-t-부틸-4-하이드록시페닐프로피온산테트라에스테르 등도 들 수 있다.Moreover, in order to improve the thermal stability and storage stability of the photosensitive resin composition in this invention, it is also possible to contain a stabilizer in the photosensitive resin composition. As the stabilizer, for example, p-methoxyphenol, hydroquinone, pyrogallol, naphthylamine, tert-butylcatechol, cuprous chloride, 2,6-di-tert-butyl-p-cresol, 2, 2'-methylenebis (4-ethyl-6-tert-butylphenol), 2,2'-methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenol), diphenylnitrosoamine, etc. are mentioned. In addition, benzotriazole, carboxybenzotriazole, 1- (2-dialkylamino) carboxybenzotriazole, pentaerythritol-3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenylpropionic acid tetraester and the like can also be mentioned. have.

상기 안정제를 함유하는 경우, 감광성 수지 조성물 중의 안정제의 함유 비율은 0.01?3 질량% 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.05?1 질량% 이다. 상기 함유 비율이 0.01 질량% 이상인 경우, 감광성 수지 조성물에 보존 안정성을 부여한다는 효과가 양호하고, 3 질량% 이하인 경우, 감도를 유지한다는 효과가 양호하다.When it contains the said stabilizer, it is preferable that the content rate of the stabilizer in the photosensitive resin composition is 0.01-3 mass%, More preferably, it is 0.05-1 mass%. When the said content rate is 0.01 mass% or more, the effect of providing storage stability to the photosensitive resin composition is favorable, and when it is 3 mass% or less, the effect of maintaining a sensitivity is favorable.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에는, 필요에 따라 가소제를 함유시키는 것도 가능하다. 가소제로는, 프탈산에스테르류, 예를 들어 디에틸프탈레이트, o-톨루엔술폰산아미드, p-톨루엔술폰산아미드, 시트르산트리부틸, 시트르산트리에틸, 아세틸시트르산트리에틸, 아세틸시트르산트리-n-프로필, 아세틸시트르산트리-n-부틸, 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜알킬에테르, 폴리프로필렌글리콜알킬에테르 등을 들 수 있다. 상기 가소제를 함유하는 경우, 감광성 수지 조성물 중의 가소제의 함유 비율은 5?50 질량% 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5?30 질량% 이다. 상기 함유 비율이 50 질량% 이하인 경우, 현상 시간의 지연을 억제하고, 경화막에 유연성을 부여한다는 효과가 양호하고, 5 질량% 이상인 경우, 경화 부족이나 콜드 플로우를 억제한다는 효과가 양호하다.Moreover, it is also possible to contain a plasticizer in the photosensitive resin composition of this invention as needed. As the plasticizer, phthalic acid esters such as diethyl phthalate, o-toluenesulfonic acid amide, p-toluenesulfonic acid amide, tributyl citrate, triethyl citrate, triethyl citrate, acetyl citrate tri-n-propyl, acetyl citric acid Tri-n-butyl, polypropylene glycol, polyethylene glycol, polyethylene glycol alkyl ether, polypropylene glycol alkyl ether, and the like. When it contains the said plasticizer, it is preferable that the content rate of the plasticizer in the photosensitive resin composition is 5-50 mass%, More preferably, it is 5-30 mass%. When the said content rate is 50 mass% or less, the effect of suppressing delay of image development time and providing flexibility to a cured film is favorable, and when it is 5 mass% or more, the effect of suppressing hardening shortage or cold flow is favorable.

<감광성 수지 적층체><Photosensitive resin laminated body>

본 발명은, 기재 필름으로 이루어지는 지지체 상에, 상기 서술한 본 발명의 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성 수지층을 적층하여 이루어지는, 감광성 수지 적층체도 제공한다. 본 발명의 감광성 수지 적층체는 감광성 수지층과, 그 감광성 수지층을 지지하는 기재 필름으로 이루어지는 지지체를 갖고, 필요에 따라 감광성 수지층의 지지체와 반대측의 표면에 보호층을 가져도 된다.This invention also provides the photosensitive resin laminated body formed by laminating | stacking the photosensitive resin layer which consists of the photosensitive resin composition of this invention mentioned above on the support body which consists of a base film. The photosensitive resin laminated body of this invention has a support body which consists of a photosensitive resin layer and the base film which supports this photosensitive resin layer, and if necessary, may have a protective layer on the surface on the opposite side to the support body of a photosensitive resin layer.

기재 필름으로는, 노광 광원으로부터 방사되는 광을 투과시키는 투명한 것이 바람직하다. 이러한 기재 필름으로는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리비닐알코올 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 염화비닐리덴 공중합 필름, 폴리메타크릴산메틸 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리아크릴로니트릴 필름, 스티렌 공중합체 필름, 폴리아미드 필름, 셀룰로오스 유도체 필름 등을 들 수 있다. 이들 필름은 필요에 따라 연신된 것도 사용 가능하다. 기재 필름의 헤이즈는 5 이하인 것이 바람직하다. 필름의 두께는 얇은 것이 화상 형성성 및 경제성 면에서 유리한데, 강도를 유지할 필요에서 10?30 ㎛ 인 것이 바람직하다.As a base film, the transparent thing which permeate | transmits the light radiated | emitted from an exposure light source is preferable. As such a base film, a polyethylene terephthalate film, a polyvinyl alcohol film, a polyvinyl chloride film, a vinyl chloride copolymer film, a polyvinylidene chloride film, a vinylidene chloride copolymer film, a polymethyl methacrylate copolymer film, for example , Polystyrene film, polyacrylonitrile film, styrene copolymer film, polyamide film, cellulose derivative film and the like. These films can also be stretched as needed. It is preferable that the haze of a base film is five or less. Although the thickness of the film is advantageous in terms of image formation and economical efficiency, it is preferable that the thickness is 10 to 30 µm in order to maintain the strength.

또한 감광성 수지 적층체에 필요에 따라 사용되는 보호층의 중요한 특성은, 감광성 수지층과의 밀착력에 대해서 지지체보다 보호층이 충분히 작아, 용이하게 박리될 수 있는 것이다. 예를 들어, 폴리에틸렌 필름 및 폴리프로필렌 필름을 보호층으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 또한 예를 들어 일본 공개특허공보 소59-202457호에 개시되어 있는 박리성이 우수한 필름을 사용할 수 있다. 보호층의 막두께는 10?100 ㎛ 가 바람직하고, 10?50 ㎛ 가 보다 바람직하다.In addition, the important characteristic of the protective layer used as needed for a photosensitive resin laminated body is that a protective layer is small enough compared with a support body with respect to adhesive force with the photosensitive resin layer, and can be peeled easily. For example, a polyethylene film and a polypropylene film can be used suitably as a protective layer. Moreover, the film excellent in the peelability disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 59-202457 can be used, for example. 10-100 micrometers is preferable and, as for the film thickness of a protective layer, 10-50 micrometers is more preferable.

본 발명의 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지층의 두께는 용도에 따라 상이한데, 바람직하게는 5?100 ㎛, 보다 바람직하게는 7?60 ㎛ 이고, 얇을수록 해상도는 향상되고, 또한 두꺼울수록 막 강도가 향상된다.Although the thickness of the photosensitive resin layer in the photosensitive resin laminated body of this invention differs according to a use, Preferably it is 5-100 micrometers, More preferably, it is 7-60 micrometers, The thinner, the resolution improves, and the thicker it is The film strength is improved.

지지체, 감광성 수지층, 및 필요에 따라 보호층을 순차 적층하여, 본 발명의 감광성 수지 적층체를 제조하는 방법으로는, 종래 알려져 있는 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어 감광성 수지층에 사용하는 감광성 수지 조성물을, 이것을 용해하는 용제와 혼합하여 균일한 용액으로 하고, 먼저 지지체 상에 바코터 또는 롤코터를 사용하여 그 용액을 도포하여 건조시키고, 지지체 상에 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성 수지층을 적층한다. 이어서 필요에 따라, 감광성 수지층 상에 보호층을 라미네이트함으로써 감광성 수지 적층체를 제조할 수 있다.As a method of laminating | stacking a support body, the photosensitive resin layer, and a protective layer sequentially as needed, and manufacturing the photosensitive resin laminated body of this invention, the method conventionally known can be employ | adopted. For example, the photosensitive resin composition used for the photosensitive resin layer is mixed with the solvent which melt | dissolves this, and it is made a uniform solution, First, apply | coat and apply the solution using a bar coater or a roll coater on a support body, and dry it, The photosensitive resin layer which consists of a photosensitive resin composition is laminated | stacked. Then, the photosensitive resin laminated body can be manufactured by laminating a protective layer on the photosensitive resin layer as needed.

상기 용제로는, 메틸에틸케톤 (MEK) 으로 대표되는 케톤류, 그리고 메탄올, 에탄올 및 이소프로판올로 대표되는 알코올류를 들 수 있다. 지지체 상에 도포하는 감광성 수지 조성물의 용액의 점도가 25 ℃ 에서 500?4000 mPa?s 가 되도록 감광성 수지 조성물에 용제를 첨가하는 것이 바람직하다.As said solvent, ketones represented by methyl ethyl ketone (MEK) and alcohols represented by methanol, ethanol and isopropanol are mentioned. It is preferable to add a solvent to the photosensitive resin composition so that the viscosity of the solution of the photosensitive resin composition apply | coated on a support body may be 500-4000 mPa * s at 25 degreeC.

<레지스트 패턴 형성 방법><Resist Pattern Forming Method>

상기 서술한 본 발명에 관련된 감광성 수지 조성물 및 감광성 수지 적층체는 네거티브형 레지스트 패턴의 형성을 위해 사용할 수 있다. 본 발명은, 상기 서술한 본 발명의 감광성 수지 적층체를 기판 상에 적층하는 적층 공정, 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지층을 노광하는 노광 공정, 및 감광성 수지층의 미노광부를 현상 제거하는 현상 공정을 포함하는, 레지스트 패턴 형성 방법도 제공한다. 구체적인 방법의 일례를 이하에 나타낸다.The photosensitive resin composition and photosensitive resin laminated body which concern on this invention mentioned above can be used for formation of a negative resist pattern. This invention develops and removes the lamination process of laminating | stacking the photosensitive resin laminated body of this invention mentioned above on a board | substrate, the exposure process which exposes the photosensitive resin layer in the photosensitive resin laminated body, and the unexposed part of the photosensitive resin layer. There is also provided a resist pattern forming method including a developing step. An example of a specific method is shown below.

기판으로는, 프린트 배선판 제조 목적인 경우에는 동장 적층판을 들 수 있고, 또한 요철 기재의 제조 목적에는 유리 리브 페이스트를 도포한 유리 기판, 예를 들어 플라즈마 디스플레이 패널용 기판, 표면 전해 디스플레이 기판, 유기 EL 봉지 캡용 기판, 관통공을 형성한 실리콘 웨이퍼 및 세라믹 기판을 들 수 있다. 플라즈마 디스플레이용 기판이란, 유리 상에 전극을 형성 후, 유전체층을 도포하고, 이어서 격벽용 유리 페이스트를 도포하고, 격벽용 유리 페이스트 부분에 샌드 블라스트 가공을 실시하여 격벽을 형성한 기판이다. 이들 기판에 관해서 샌드 블라스트 공정을 거친 것이 요철 기재가 된다.As a board | substrate, a copper clad laminated board is mentioned in the case of the manufacture of a printed wiring board, and the glass substrate which apply | coated the glass rib paste for the purpose of manufacture of an uneven | corrugated base material, for example, a substrate for plasma display panels, a surface electrolytic display board | substrate, organic EL sealing A cap substrate, the silicon wafer in which the through-hole was formed, and a ceramic substrate are mentioned. The substrate for plasma display is a substrate on which a dielectric layer is applied after forming an electrode on glass, then a glass paste for partition walls is applied, and sand blasting is performed on the glass paste portion for partition walls to form partition walls. These substrates are subjected to the sand blasting step to form the uneven substrate.

[적층 공정][Lamination process]

적층 공정에서는, 예를 들어 라미네이터 등을 사용하여 감광성 수지 적층체를 기판 상에 적층한다. 감광성 수지 적층체가 보호층을 갖는 경우에는 보호층을 박리한 후, 라미네이터로 감광성 수지층을 기판 표면에 가열 압착하여 적층한다. 이 경우, 감광성 수지층은 기판 표면의 편면에만 적층해도 되고, 양면에 적층해도 된다. 이 때의 가열 온도는 일반적으로 40?160 ℃ 이다. 또한 그 가열 압착은 2 회 이상 실시함으로써 밀착성 및 내약품성이 향상된다. 이 때, 압착에는 2 개의 롤을 구비한 2 단식 라미네이터를 사용해도 되고, 감광성 수지 적층체와 기판을 몇 회인가 반복하여 롤에 통과시켜 압착해도 된다.In a lamination process, a photosensitive resin laminated body is laminated | stacked on a board | substrate using a laminator etc., for example. When the photosensitive resin laminated body has a protective layer, after peeling a protective layer, a photosensitive resin layer is heat-compressed and laminated | stacked on a board | substrate surface with a laminator. In this case, the photosensitive resin layer may be laminated only on one side of the substrate surface or may be laminated on both sides. The heating temperature at this time is generally 40-160 degreeC. In addition, the adhesion and chemical resistance are improved by performing the heat pressing twice or more. At this time, a two-stage laminator provided with two rolls may be used for crimping, and the photosensitive resin laminate and the substrate may be repeatedly passed through the roll several times to crimp.

[노광 공정]Exposure process

다음으로, 노광 공정에서는, 노광기를 사용하여, 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지층을 노광한다. 필요하면 노광 전에 지지체를 박리하고, 포토마스크를 통해서 활성광에 의해 노광한다. 노광량은 광원 조도 및 노광 시간에 따라 결정되고, 광량계를 사용하여 측정해도 된다. 또 노광 공정은 묘화 패턴의 직접 묘화에 의해 실시해도 된다. 직접 묘화 노광 방법은 포토마스크를 사용하지 않고, 기판 상에 직접 묘화하여 노광하는 방법이다. 광원으로는 예를 들어, 파장 350?410 ㎚ 의 반도체 레이저 또는 초고압 수은등이 사용된다. 묘화 패턴은 컴퓨터에 의해 제어되고, 이 경우의 노광량은 광원 조도 및 기판의 이동 속도에 따라 결정된다.Next, in an exposure process, the photosensitive resin layer in the photosensitive resin laminated body is exposed using an exposure machine. If necessary, the support is peeled off before the exposure, and exposed with actinic light through a photomask. An exposure amount is determined according to light source illumination intensity and exposure time, and you may measure using a photometer. Moreover, you may perform an exposure process by direct drawing of a drawing pattern. The direct drawing exposure method is a method of drawing and exposing directly on a substrate without using a photomask. As a light source, the semiconductor laser or ultrahigh pressure mercury lamp of wavelength 350-410 nm is used, for example. The drawing pattern is controlled by a computer, and the exposure amount in this case is determined according to the illuminance of the light source and the moving speed of the substrate.

[현상 공정][Developing process]

현상 공정에서는, 현상 장치를 사용하여 감광성 수지층의 미노광부를 현상 제거한다. 노광 후, 감광성 수지층 상에 지지체가 있는 경우에는, 필요에 따라 이것을 제거하고, 계속해서 알칼리 수용액의 현상액을 사용하여 미노광부를 현상 제거하고, 레지스트 패턴을 얻는다. 알칼리 수용액으로는, 예를 들어 Na2CO3 또는 K2CO3 의 수용액을 사용한다. 이들은 감광성 수지층의 특성에 맞춰 선택되는데, 0.2?2 질량% 의 농도, 20?40 ℃ 의 Na2CO3 수용액이 일반적이다. 그 알칼리 수용액 중에는, 표면 활성제, 소포제, 현상을 촉진시키기 위한 소량의 유기 용제 등을 혼입시켜도 된다.In the developing step, the unexposed part of the photosensitive resin layer is developed and removed using a developing device. After exposure, when a support body exists on the photosensitive resin layer, it removes as needed and then develops and removes an unexposed part using the developing solution of aqueous alkali solution, and obtains a resist pattern. With an aqueous alkali solution is, for example, an aqueous solution of Na 2 CO 3 or K 2 CO 3. These are selected according to the characteristics of the photosensitive resin layer. A concentration of 0.2 to 2% by mass and an aqueous Na 2 CO 3 solution at 20 to 40 ° C are common. In the alkaline aqueous solution, a small amount of an organic solvent for promoting the surface active agent, an antifoaming agent, and the like may be mixed.

상기 서술한 공정에 의해 레지스트 패턴을 얻을 수 있는데, 경우에 따라서는, 추가로 100?300 ℃ 의 가열 공정을 실시할 수도 있다. 이 가열 공정을 실시함으로써, 더욱 내약품성 향상이 가능해진다. 가열에는 열풍, 적외선 또는 원적외선 방식의 가열로를 사용할 수 있다.Although the resist pattern can be obtained by the above-mentioned process, in some cases, the heating process of 100-300 degreeC can also be performed further. By carrying out this heating step, the chemical resistance can be further improved. For heating, a heating furnace of hot air, infrared rays or far infrared rays can be used.

<도체 패턴의 제조 방법 및 프린트 배선판의 제조 방법><Method for manufacturing conductor pattern and method for manufacturing printed wiring board>

본 발명은 도체 패턴의 제조 방법 및 프린트 배선판의 제조 방법에 바람직하게 적용할 수 있다. 예를 들어, 기판으로서 동장 적층판 또는 플렉시블 기판을 사용하고, 상기 서술한 레지스트 패턴 형성 방법에 이어서 이하의 공정을 거침으로써, 도체 패턴 및 프린트 배선판을 제조할 수 있다.This invention can be preferably applied to the manufacturing method of a conductor pattern, and the manufacturing method of a printed wiring board. For example, a conductor pattern and a printed wiring board can be manufactured by using a copper clad laminated board or a flexible substrate as a board | substrate, and going through the following processes following the resist pattern formation method mentioned above.

먼저, 상기 서술한 본 발명의 레지스트 형성 방법에 있어서의 현상에 의해 노출된 기판의 구리면을 종래 공지된 방법으로 에칭 또는 도금하여 도체 패턴을 형성한다.First, the copper surface of the board | substrate exposed by the image development in the resist formation method of this invention mentioned above is etched or plated by a conventionally well-known method, and a conductor pattern is formed.

그 후, 레지스트 패턴을 현상액보다 강한 알칼리성을 갖는 수용액에 의해 기판으로부터 박리하여 원하는 프린트 배선판을 얻는다. 박리용의 알칼리 수용액 (이하, 「박리액」이라고도 한다) 에 대해서는 특별히 제한은 없는데, 농도 2?5 질량%, 온도 40?70 ℃ 의 NaOH 또는 KOH 의 수용액이 일반적으로 사용된다. 박리액에도, 소량의 수용성 용매를 첨가하는 것이 가능하다.Then, a resist pattern is peeled from a board | substrate with the aqueous solution which has stronger alkalinity than a developing solution, and a desired printed wiring board is obtained. There is no restriction | limiting in particular about the aqueous alkali solution for peeling (henceforth "a peeling liquid"), The aqueous solution of NaOH or KOH with a density | concentration of 2-5 mass% and a temperature of 40-70 degreeC is generally used. It is also possible to add a small amount of water-soluble solvents to the stripping solution.

<리드 프레임의 제조 방법><Production method of the lead frame>

본 발명은 리드 프레임의 제조 방법에도 바람직하게 적용할 수 있다. 구체적으로는, 기판으로서 금속판, 예를 들어 구리, 구리 합금 또는 철계 합금의 판을 사용하고, 상기 서술한 레지스트 패턴 형성 방법에 이어서, 이하의 공정을 거침으로써 리드 프레임을 제조할 수 있다.The present invention can also be preferably applied to a method for producing a lead frame. Specifically, a lead frame can be manufactured by using a metal plate, for example, a plate of copper, a copper alloy, or an iron-based alloy, as the substrate, and then going through the following steps following the above-described resist pattern forming method.

먼저 레지스트 패턴 형성 방법에 있어서의 현상에 의해 노출된 기판을 에칭하여 도체 패턴을 형성한다. 그 후, 레지스트 패턴을 상기 서술한 프린트 배선판의 제조 방법과 동일한 방법으로 박리하여, 원하는 리드 프레임을 얻는다.First, the substrate exposed by the development in the resist pattern formation method is etched to form a conductor pattern. Thereafter, the resist pattern is peeled off in the same manner as the method for producing a printed wiring board described above to obtain a desired lead frame.

<반도체 패키지의 제조 방법><Method of Manufacturing Semiconductor Package>

본 발명은 반도체 패키지의 제조 방법에도 바람직하게 적용할 수 있다. 구체적으로는, 기판으로서, LSI 로서의 회로 형성이 종료된 웨이퍼를 사용하고, 상기 서술한 레지스트 패턴 형성 방법에 이어서, 이하의 공정을 거침으로써 반도체 패키지를 제조할 수 있다.The present invention can also be preferably applied to a method for manufacturing a semiconductor package. Specifically, the semiconductor package can be manufactured by using the wafer in which the circuit formation as LSI is complete | finished as a board | substrate, and going through the following processes following the resist pattern formation method mentioned above.

먼저, 레지스트 패턴 형성 방법에 있어서의 현상에 의해 노출된 개구부에, 예를 들어 구리 또는 땜납에 의한 주상 (柱狀) 의 도금을 실시하여, 도체 패턴을 형성한다. 그 후, 레지스트 패턴을 상기 서술한 프린트 배선판의 제조 방법과 동일한 방법으로 박리하고, 또한, 주상 도금 이외의 부분의 얇은 금속층을 에칭에 의해 제거함으로써 원하는 반도체 패키지를 얻는다.First, plating of the columnar with copper or solder is performed in the opening exposed by the development in the resist pattern forming method to form a conductor pattern. Thereafter, the resist pattern is peeled off in the same manner as in the above-described method for producing a printed wiring board, and a desired semiconductor package is obtained by removing a thin metal layer in a portion other than columnar plating by etching.

<요철 패턴을 갖는 기재의 제조 방법><The manufacturing method of the base material which has an uneven pattern>

본 발명은 요철 패턴을 갖는 기재의 제조 방법에도 바람직하게 적용할 수 있다. 본 발명의 감광성 수지 적층체를 드라이 필름 레지스트로서 사용하여 샌드 블라스트 공법에 의해 기판에 가공을 실시하는 경우에는, 기판으로서 유리 리브 페이스트를 도포한 유리 기판을 사용하고, 기판 상에, 상기한 방법과 동일한 방법으로 감광성 수지 적층체를 라미네이트하고, 노광 및 현상을 실시한다.The present invention can also be preferably applied to a method for producing a substrate having an uneven pattern. When processing the board | substrate by the sandblasting method using the photosensitive resin laminated body of this invention as a dry film resist, using the glass substrate which apply | coated the glass rib paste as a board | substrate, on the board | substrate, In the same manner, the photosensitive resin laminate is laminated to perform exposure and development.

또한, 형성된 레지스트 패턴 상으로부터 블라스트재를 내뿜어 목적으로 하는 깊이로 절삭하는 샌드 블라스트 처리 공정, 기재 상에 잔존한 수지 부분을 알칼리 박리액으로 기재로부터 제거하는 박리 공정을 거쳐, 기재 상에 미세한 요철 패턴을 가공할 수 있다. 상기 샌드 블라스트 처리 공정에 사용하는 블라스트재로는 공지된 것이 사용되고, 예를 들어 SiO, SiO2, Al2O3, CaCO3, ZrO, 유리, 또는 스테인리스를 재질로 한, 입경 2?100 ㎛ 정도의 미립자가 사용된다.Further, a fine rugged pattern on the substrate is subjected to a sand blast treatment step of blowing out the blast material from the formed resist pattern and cutting it to a desired depth, and a peeling step of removing a resin portion remaining on the substrate with an alkali stripper. Can be processed. Blasting a material used in the sandblasting treatment process is known to use, for example, SiO, SiO 2, Al 2 O 3, CaCO 3, ZrO, glass, or a stainless steel as a material, particle diameter of 2? Approximately 100 ㎛ Particulates are used.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명의 실시형태의 예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the example of embodiment of this invention is described in detail by an Example.

1. 평가용 샘플의 제조1. Preparation of Samples for Evaluation

실시예 및 비교예에 있어서의 감광성 수지 적층체는 다음과 같이 하여 제조하였다.The photosensitive resin laminated body in an Example and a comparative example was manufactured as follows.

<감광성 수지 적층체의 제조><Production of Photosensitive Resin Laminate>

표 1 에 나타내는 화합물을 준비하고, 표 2 및 3 에 나타내는 조성 비율의 감광성 수지 조성물을 잘 교반, 혼합하고, 지지체로서의 19 ㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 바코터를 사용하여 균일하게 도포하고, 95 ℃ 의 건조기 중에서 3 분간 건조시켜 감광성 수지층을 형성하였다. 감광성 수지층의 두께는 30 ㎛ 였다. 이어서, 감광성 수지층의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 적층하지 않은 표면 상에, 보호층으로서 23 ㎛ 두께의 폴리에틸렌 필름을 접착시켜 감광성 수지 적층체를 얻었다. 또, 표 1 중, 「P」는 (a) 알칼리 가용성 고분자에 대응하고, 「M-1」및 「M-2」는 (b) 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머에 있어서의 광중합 가능한 불포화 화합물에 대응하고, 「M-3」은 (b) 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머에 있어서의 아크릴기를 갖는 화합물에 대응하고, 「I-1」은 (c) 광중합 개시제에 있어서의 아크리딘 유도체에 대응하고, 「I-2」는 (c) 광중합 개시제에 있어서의 N-아릴-α-아미노산 화합물에 대응하고, 「I-3」, 「I-4」및 「I-5」는 (e) 메르캅토티아디아졸 화합물에 대응하고, 「D-1」은 (d) 류코 염료에 대응한다. 또한, 표 2 및 3 에 있어서의 P 의 질량부는 메틸에틸케톤을 포함한 값이다.The compound shown in Table 1 was prepared, the photosensitive resin composition of the composition ratio shown in Table 2 and 3 was stirred well, it mixed, it was apply | coated uniformly using the bar coater to the surface of the polyethylene terephthalate film of 19 micrometer thickness as a support body, And dried for 3 minutes in a 95 degreeC dryer to form the photosensitive resin layer. The thickness of the photosensitive resin layer was 30 micrometers. Subsequently, a 23 micrometer-thick polyethylene film was adhere | attached as a protective layer on the surface which does not laminate | stack the polyethylene terephthalate film of the photosensitive resin layer, and the photosensitive resin laminated body was obtained. In addition, in Table 1, "P" corresponds to (a) alkali-soluble polymer | macromolecule, and "M-1" and "M-2" refer to the photopolymerizable unsaturated compound in (b) ethylenic unsaturated addition polymerizable monomer. Correspondingly, "M-3" corresponds to the compound having an acryl group in the (b) ethylenically unsaturated addition polymerizable monomer, and "I-1" corresponds to the acridine derivative in (c) the photoinitiator. In addition, "I-2" corresponds to the (c) N-aryl- (alpha)-amino acid compound in a photoinitiator, "I-3", "I-4", and "I-5" are (e) mer It corresponds to a captothiadiazole compound, and "D-1" corresponds to (d) leuco dye. In addition, the mass part of P in Tables 2 and 3 is the value containing methyl ethyl ketone.

<동장 적층판의 정면 (整面)><Front of Copper Clad Laminate>

35 ㎛ 압연 동박을 적층한 0.4 ㎜ 두께의 동장 적층판을 사용하고, 표면을 제트 스크럽 (주식회사 이시이 표기 제조) 으로 연마하였다.The 0.4 mm-thick copper clad laminated board which laminated | stacked the 35 micrometers rolled copper foil was used, and the surface was grind | polished with the jet scrub (Ishii Co., Ltd. make).

<라미네이트><Laminate>

감광성 수지 적층체의 폴리에틸렌 필름을 벗기면서, 60 ℃ 로 예열한 기판으로서의 동장 적층판에, 핫 롤 라미네이터 (아사히 가세이 (주) 사 제조, AL-70) 에 의해 롤 온도 105 ℃ 에서 감광성 수지 적층체를 라미네이트하였다. 에어 압력은 0.35 MPa 로 하고, 라미네이트 속도는 1.5 m/min 으로 하였다.While peeling the polyethylene film of the photosensitive resin laminated body, the photosensitive resin laminated body is carried out by the hot roll laminator (Asahi Kasei Co., Ltd. product, AL-70) at the roll temperature of 105 degreeC to the copper clad laminated board which preheated at 60 degreeC. Laminated. The air pressure was 0.35 MPa, and the lamination speed was 1.5 m / min.

<노광 : 직접 묘화 방법><Exposure: Direct Drawing Method>

동장 적층판에 라미네이트한 감광성 수지 적층체를, 직접 묘화식 노광 장치 (히타치 비아메카닉스 (주) 제조, DI 노광기 DE-1AH, 광원 : GaN 청자 다이오드, 주파장 407±3 ㎚) 에 의해 20 mJ/㎠ 의 노광량으로 노광하였다.The photosensitive resin laminate laminated on the copper clad laminate was 20 mJ / using a direct drawing exposure apparatus (manufactured by Hitachi Via Mechanics Co., Ltd., DI exposure machine DE-1AH, light source: GaN celadon diode, dominant wavelength 407 ± 3 nm). It exposed at the exposure amount of cm <2>.

<현상><Phenomena>

폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리한 후, 알칼리 현상기 (후지 기공 제조, 드라이 필름용 현상기) 를 사용하여 30 ℃ 의 1 질량% Na2CO3 수용액을 소정 시간 스프레이하고, 감광성 수지층의 미노광 부분을 최소 현상 시간의 2 배의 시간으로 용해 제거하였다. 이 때, 미노광 부분의 감광성 수지층이 완전히 용해되는 데에 필요로 하는 가장 적은 시간을 최소 현상 시간으로 하였다.After peeling the polyethylene terephthalate film, an alkali developing device given a 1 mass% Na 2 CO 3 aqueous solution for 30 ℃ time spraying using (Fuji pore production, the dry film developing device for), and at least the unexposed portion of the photosensitive resin layer It dissolved and removed in 2 times of development time. At this time, the minimum time required for complete dissolution of the photosensitive resin layer of the unexposed part was made into the minimum developing time.

2. 평가 방법2. Evaluation method

(1) 노광 직후의 콘트라스트 평가법(1) Contrast Evaluation Method Immediately After Exposure

감광성 수지층을 노광하고 나서 30 초 후 및 1 분 후의 각각에 있어서, 미노광부와 노광부의 감광성 수지층에 관해서, 측색 색차계 (닛폰 전색 주식회사 제조 Σ80) 에 의해 색차 ΔE 를 측정하였다. 노광하고 나서 30 초 후 및 1 분 후의 콘트라스트는 각각 이하와 같이 순위를 나누었다.30 seconds and 1 minute after exposure of the photosensitive resin layer, about the photosensitive resin layer of the unexposed part and the exposed part, color difference (DELTA) E was measured with the colorimetry colorimeter (Sigma 80 manufactured by Nippon Denshoku Corporation). Contrast 30 seconds after exposure and 1 minute after exposure were divided as follows, respectively.

AAA : ΔE 가 2.5 이상AAA: ΔE is 2.5 or more

AA : ΔE 가 1 이상 2.5 미만AA: ΔE is 1 or more and less than 2.5

B : ΔE 가 1 미만B: ΔE is less than 1

(2) 해상도의 평가 방법(2) evaluation method of resolution

노광부와 미노광부의 폭이 1 : 1 의 비율인 라인 패턴을 직접 노광에 의해 묘화하고, 현상하였다. 경화 레지스트 라인이 결여되거나 박리되거나 하지 않고 정상으로 형성되어 있는 최소 폭을 해상도의 값으로 하였다. 해상도는 다음과 같이 순위를 나누었다.The line pattern whose width | variety of an exposure part and an unexposed part is a ratio of 1: 1 was drawn by direct exposure, and developed. The minimum width formed normally without the hardening resist line being missing or peeling off was made into the value of the resolution. The resolution is divided as follows.

AA : 35 ㎛ 이하AA: 35 μm or less

A : 35 ㎛ 를 초과한다A: It exceeds 35 micrometers

(3) 감도의 평가 방법(3) Evaluation method of sensitivity

투명에서 흑색으로 21 단계로 명도가 변화되고 있는 스토파 제조 21 단 스텝 타블렛을 사용하여 노광하고, 현상하였다. 현상 후 레지스트막이 완전히 잔존하고 있는 스텝 타블렛 단수에 의해 다음과 같이 순위를 나누었다.It exposed and developed using the 21-step step tablet made by STOPPA which brightness has changed in 21 steps from transparent to black. The rankings were divided as follows by the number of step tablets in which the resist film remained completely after development.

AA : 레지스트막이 완전히 잔존하고 있는 스텝 타블렛 단수가 5 단 이상AA: Step tablet number of stages in which the resist film remains completely 5 or more

A : 레지스트막이 완전히 잔존하고 있는 스텝 타블렛 단수가 5 단 미만A: The number of step tablet stages in which a resist film remains completely is less than 5 stages

(4) 잔막률의 평가 방법(4) Evaluation method of residual film rate

감광성 수지 적층체에 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름측으로부터 노광하고, 노광 후의 감광성 수지 적층체로부터, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 및 폴리에틸렌 필름을 벗기고, 경화막의 질량을 측정한 후, 50 ℃ 의 3 질량% NaOH 용액 중에서 3 시간 교반하였다. 이어서 NaOH 용액을 여과하고, 여과지 상에 잔존한 경화막을 건조시켜 질량을 측정하였다. 교반 전의 경화막의 질량에 대한, 잔존한 경화막의 질량의 비율을 잔막률로 하였다.After exposing to a photosensitive resin laminated body from the polyethylene terephthalate film side, peeling a polyethylene terephthalate film and a polyethylene film from the photosensitive resin laminated body after exposure, and after measuring the mass of a cured film, it is 3 in 50 mass% 3 NaOH solution. Stirred for time. Subsequently, NaOH solution was filtered, the cured film which remained on the filter paper was dried, and the mass was measured. The ratio of the mass of the cured film which remained to the mass of the cured film before stirring was made into the residual film ratio.

AA : 잔막률이 25 % 이상AA: Remaining rate is over 25%

A : 잔막률이 25 % 미만A: Residual rate is less than 25%

3. 평가 결과3. Evaluation result

실시예 및 비교예의 평가 결과를 표 2 및 3 에 나타낸다.The evaluation result of an Example and a comparative example is shown to Tables 2 and 3.

Figure pct00008
Figure pct00008

Figure pct00009
Figure pct00009

Figure pct00010
Figure pct00010

산업상 이용가능성Industrial availability

본 발명은, 예를 들어 프린트 배선판의 제조, IC 칩 탑재용 리드 프레임의 제조, 메탈 마스크 제조로 대표되는 금속박 정밀 가공, BGA 및 CSP 로 대표되는 패키지의 제조, COF 및 TAB 로 대표되는 테이프 기판의 제조, 반도체 범프의 제조, ITO 전극, 어드레스 전극 및 전자파 실드로 대표되는 플랫 패널 디스플레이의 격벽의 제조, 그리고 샌드 블라스트 공법에 의한 요철 패턴을 갖는 기재의 제조에 바람직하게 이용할 수 있다.The present invention provides, for example, the production of printed wiring boards, production of IC chip mounting lead frames, metal foil precision machining represented by metal mask production, production of packages represented by BGA and CSP, tape substrates represented by COF and TAB. It can use suitably for manufacture, manufacture of a semiconductor bump, manufacture of the partition of a flat panel display represented by an ITO electrode, an address electrode, and an electromagnetic shield, and the manufacture of the base material which has an uneven | corrugated pattern by a sandblasting method.

Claims (8)

(a) 카르복실산을 함유하고, 산 당량이 100?600 이고, 중량 평균 분자량이 5,000?500,000 인 알칼리 가용성 고분자 : 20?80 질량%, (b) 아크릴기를 갖는 화합물을 적어도 1 종 함유하는 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머 : 5?60 질량%, (c) N-아릴-α-아미노산 화합물을 함유하는 광중합 개시제 : 0.1?20 질량%, (d) 류코 염료 : 0.1?10 질량%, 및 (e) 하기 일반식 (I) :
[화학식 1]
Figure pct00011

{식 중, R1 은 탄소수 1?9 의 알킬기, 탄소수 1?9 의 알콕실기, 탄소수 1?16 의 알킬티오기, 메르캅토기, 아미노기, 및 탄소수 1?9 의 알킬아미노기로 이루어지는 군에서 선택되는 1 개의 기를 나타낸다} 로 나타내는 메르캅토티아디아졸 화합물 : 0.01?5 질량% 를 함유하는 감광성 수지 조성물.
(a) Alkali-soluble polymer which contains a carboxylic acid, acid equivalent is 100-600, and a weight average molecular weight is 5,000-500,000: 20-80 mass%, (b) Ethylene containing at least 1 type of compound which has an acryl group Unsaturated unsaturated addition polymerizable monomer: 5 to 60 mass%, (c) photopolymerization initiator containing N-aryl-α-amino acid compound: 0.1 to 20 mass%, (d) leuco dye: 0.1 to 10 mass%, and ( e) the following general formula (I):
[Formula 1]
Figure pct00011

{In formula, R <1> is chosen from the group which consists of a C1-C9 alkyl group, a C1-C9 alkoxyl group, a C1-C16 alkylthio group, a mercapto group, an amino group, and a C1-C9 alkylamino group. Mercaptothiadiazole compound represented by}} which represents one group to become: The photosensitive resin composition containing 0.01-5 mass%.
제 1 항에 있어서,
상기 (b) 아크릴기를 갖는 화합물을 적어도 1 종 함유하는 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머 중의, 아크릴기를 갖는 화합물이 하기 일반식 (II) :
[화학식 2]
Figure pct00012

{식 중, R2, R3, R4, 및 R5 는 H 를 나타내고, X 및 Y 는 각각 독립적으로 탄소수 2?4 의 알킬렌기를 나타내고, X 및 Y 는 서로 상이하고, p1, p2, p3, p4, p5, p6, p7 및 p8 은 각각 독립적으로 0 또는 정의 정수이고, p1, p2, p3, p4, p5, p6, p7 및 p8 의 합계는 0?20 의 정수이다} 로 나타내는 화합물인 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The compound which has an acryl group in the ethylenically unsaturated addition polymeric monomer containing at least 1 sort (s) of the compound which has the said (b) acryl group is following General formula (II):
(2)
Figure pct00012

{Wherein, R 2 , R 3 , R 4 , and R 5 represent H, X and Y each independently represent an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms, X and Y are different from each other, and p 1 , p 2 , p 3 , p 4 , p 5 , p 6 , p 7 and p 8 are each independently 0 or a positive integer, and p 1 , p 2 , p 3 , p 4 , p 5 , p 6 , p 7 and the total of p 8 is an integer of 0 to 20}.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 (e) 메르캅토티아디아졸 화합물이 5-메틸티오-2-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 2-아미노-5-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 5-메틸아미노-2-메르캅토-1,3,4-티아디아졸 및 2,5-디메르캅토-1,3,4-티아디아졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물인 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1 or 2,
The mercaptothiadiazole compound (e) is 5-methylthio-2-mercapto-1,3,4-thiadiazole, 2-amino-5-mercapto-1,3,4-thiadiazole, Photosensitive resin which is at least one compound selected from the group consisting of 5-methylamino-2-mercapto-1,3,4-thiadiazole and 2,5-dimercapto-1,3,4-thiadiazole Composition.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 (c) 광중합 개시제가 함유하는 상기 N-아릴-α-아미노산 화합물이 N-페닐글리신인 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1 or 2,
The photosensitive resin composition whose said N-aryl- (alpha)-amino acid compound which the said (c) photoinitiator contains is N-phenylglycine.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 (b) 아크릴기를 갖는 화합물을 적어도 1 종 함유하는 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머가 하기 일반식 (III) :
[화학식 3]
Figure pct00013

{식 중, R6 및 R7 은 각각 독립적으로 H 또는 CH3 을 나타내고, A 는 C2H4 를 나타내고, B 는 C3H6 을 나타내고, n1+n2 는 2?30 의 정수이고, n3+n4 는 0?30 의 정수이고, n1 및 n2 는 각각 독립적으로 1?29 의 정수이고, n3 및 n4 는 각각 독립적으로 0?30 의 정수이고, 그리고 -(A-O)- 및 -(B-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이어도 되고 블록이어도 된다} 로 나타내는 광중합 가능한 불포화 화합물에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1 or 2,
The ethylenically unsaturated addition polymerizable monomer containing at least 1 sort (s) of the compound which has the said (b) acryl group is following General formula (III):
(3)
Figure pct00013

{Wherein, R 6 and R 7 represents H or CH 3, each independently, A denotes a C 2 H 4, B is a represents a C 3 H 6, n1 + n2 is 2? 30 integer, n3 + n4 is an integer from 0 to 30, n1 and n2 are each independently an integer from 1 to 29, n3 and n4 are each independently an integer from 0 to 30, and-(AO)-and-(BO)- The photosensitive resin composition containing at least 1 sort (s) chosen from the unsaturated compound which can be polymerized by the repeating unit of may be random or a block may be}.
기재 필름으로 이루어지는 지지체 상에, 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성 수지층을 적층하여 이루어지는 감광성 수지 적층체.The photosensitive resin laminated body formed by laminating | stacking the photosensitive resin layer which consists of a photosensitive resin composition of Claim 1 or 2 on the support body which consists of a base film. 제 6 항에 기재된 감광성 수지 적층체를 기판 상에 적층하는 적층 공정,
감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지층을 노광하는 노광 공정, 및
감광성 수지층의 미노광부를 현상 제거하는 현상 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법.
A lamination step of laminating the photosensitive resin laminate according to claim 6 on a substrate,
An exposure step of exposing the photosensitive resin layer in the photosensitive resin laminate, and
The resist pattern formation method containing the image development process of image development removal of the unexposed part of the photosensitive resin layer.
제 7 항에 있어서,
상기 노광 공정을 묘화 패턴의 직접 묘화에 의해 실시하는 레지스트 패턴 형성 방법.
The method of claim 7, wherein
The resist pattern formation method which performs the said exposure process by direct drawing of a drawing pattern.
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