JP5057861B2

JP5057861B2 - Photosensitive resin composition and laminate thereof

Info

Publication number: JP5057861B2
Application number: JP2007168566A
Authority: JP
Inventors: 幸雅馬場
Original assignee: Asahi Kasei E Materials Corp
Current assignee: Asahi Kasei E Materials Corp
Priority date: 2007-06-27
Filing date: 2007-06-27
Publication date: 2012-10-24
Anticipated expiration: 2027-06-27
Also published as: JP2009008781A

Description

本発明はアルカリ性水溶液によって現像可能な感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を支持体上に積層した感光性樹脂積層体、該感光性樹脂積層体を用いて基板上にレジストパターンを形成する方法、及び該レジストパターンの用途に関する。さらに詳しくは、プリント配線板の製造、フレキシブルプリント配線板の製造、ＩＣチップ搭載用リードフレーム（以下、リードフレームという）の製造、メタルマスク製造に代表される金属箔精密加工、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）やＣＳＰ（チップサイズパッケージ）に代表される半導体パッケージ製造、ＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）やＣＯＦ（ＣｈｉｐｏｎＦｉｌｍ：半導体ＩＣをフィルム状の微細配線板上に搭載したもの）に代表されるテープ基板の製造、半導体バンプの製造、フラットパネルディスプレイ分野におけるＩＴＯ電極、アドレス電極、または電磁波シールドに代表される部材の製造、及びサンドブラスト工法によって基材を加工する際の保護マスク部材として好適なレジストパターンを与える感光性樹脂組成物に関する。 The present invention relates to a photosensitive resin composition that can be developed with an alkaline aqueous solution, a photosensitive resin laminate in which the photosensitive resin composition is laminated on a support, and a resist pattern formed on a substrate using the photosensitive resin laminate. And a use of the resist pattern. More specifically, the manufacture of printed wiring boards, the manufacture of flexible printed wiring boards, the manufacture of lead frames for mounting IC chips (hereinafter referred to as lead frames), metal foil precision processing represented by metal mask manufacturing, BGA (ball grid array) ) And CSP (chip size package), and TAB (Tape Automated Bonding) and COF (Chip on Film: a semiconductor IC mounted on a film-like fine wiring board). Resist pattern suitable as a protective mask member when processing a substrate by sandblasting method, manufacturing of semiconductor bumps, manufacturing of members represented by ITO electrodes, address electrodes, or electromagnetic wave shields in the field of flat panel displays It relates to a photosensitive resin composition which gives a down.

従来、プリント配線板はフォトリソグラフィー法によって製造されている。フォトリソグラフィー法とは感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、パターン露光して該感光性樹脂組成物の露光部を重合硬化させ、未露光部を現像液で除去して基板上にレジストパターンを形成し、エッチング又はめっき処理を施して導体パターンを形成した後、該レジストパターンを該基板上から剥離除去することによって、基板上に導体パターンを形成する方法を言う。
上記のフォトリソグラフィー法においては、感光性樹脂組成物を基板上に塗布するにあたって、フォトレジスト溶液を基板に塗布して乾燥させる方法、または支持体、感光性樹脂組成物からなる層（以下、「感光性樹脂層」ともいう。）、及び必要によっては保護層、を順次積層した感光性樹脂積層体（以下、「ドライフィルムレジスト」という。）を基板に積層する方法のいずれかが使用される。そして、プリント配線板の製造においては、後者のドライフィルムレジストが使用されることが多い。 Conventionally, printed wiring boards are manufactured by a photolithography method. The photolithographic method is a method in which a photosensitive resin composition is applied onto a substrate, pattern exposure is performed to polymerize and cure the exposed portions of the photosensitive resin composition, and unexposed portions are removed with a developer to form a resist pattern on the substrate. After forming a conductor pattern by etching or plating, the resist pattern is peeled off from the substrate to form a conductor pattern on the substrate.
In the photolithography method described above, in applying the photosensitive resin composition onto the substrate, a method of applying a photoresist solution to the substrate and drying, or a support, a layer made of the photosensitive resin composition (hereinafter, “ Or a method of laminating a photosensitive resin laminate (hereinafter referred to as “dry film resist”) in which a protective layer is sequentially laminated, if necessary, on a substrate. . In the production of printed wiring boards, the latter dry film resist is often used.

上記のドライフィルムレジストを用いてプリント配線板を製造する方法について、以下に簡単に述べる。
まずドライフィルムレジストが保護層、例えば、ポリエチレンフィルムを有する場合には、感光性樹脂層からこれを剥離する。次いでラミネーターを用いて基板、例えば、銅張積層板の上に、該基板、感光性樹脂層、支持体の順序になるように感光性樹脂層及び支持体を積層する。次いで配線パターンを有するフォトマスクを介して、該感光性樹脂層を超高圧水銀灯が発するｉ線（３６５ｎｍ）等の紫外線で露光することによって、露光部分を重合硬化させる。次いで支持体、例えばポリエチレンテレフタレートを剥離する。次いで現像液、例えば、弱アルカリ性を有する水溶液により感光性樹脂層の未露光部分を溶解又は分散除去して、基板上にレジストパターンを形成させる。 A method for producing a printed wiring board using the dry film resist will be briefly described below.
First, when the dry film resist has a protective layer, for example, a polyethylene film, it is peeled off from the photosensitive resin layer. Next, using a laminator, the photosensitive resin layer and the support are laminated on a substrate, for example, a copper clad laminate, in the order of the substrate, the photosensitive resin layer, and the support. Next, the exposed portion is polymerized and cured by exposing the photosensitive resin layer with ultraviolet rays such as i-line (365 nm) emitted from an ultra-high pressure mercury lamp through a photomask having a wiring pattern. The support, such as polyethylene terephthalate, is then peeled off. Next, an unexposed portion of the photosensitive resin layer is dissolved or dispersed and removed with a developer, for example, an aqueous solution having weak alkalinity, to form a resist pattern on the substrate.

このようにして形成した基板上のレジストパターンを用いて、金属導体パターンを作成する方法としては大きく分けて２つの方法があり、レジストに被覆されていない金属部分をエッチングにより除去する方法とめっきにより金属をつける方法がある。特に最近は工程の簡便さから前者の方法が多用される。
エッチングにより金属部分を除去する方法では、基板の貫通孔（スルーホール）や層間接続のためのビアホールに対して、硬化レジスト膜で覆うことにより孔内の金属がエッチングされないようにする。この工法はテンティング法と呼ばれる。エッチング工程には、例えば、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液、又は銅アンモニア錯体溶液が用いられる。 There are roughly two methods for creating a metal conductor pattern using a resist pattern on a substrate formed in this way. A method of removing a metal portion not covered with a resist by etching and a method of plating. There is a method to attach metal. In particular, the former method is frequently used recently because of the simplicity of the process.
In the method of removing the metal portion by etching, the metal in the hole is prevented from being etched by covering the through hole (through hole) of the substrate and the via hole for interlayer connection with a cured resist film. This construction method is called a tenting method. In the etching process, for example, a cupric chloride solution, a ferric chloride solution, or a copper ammonia complex solution is used.

最近ではプリント配線板の生産量増加に伴い、高生産に対応した高感度ドライフィルムレジストが要求されている。また露光後に検査機を導入して、例えば、異物による欠陥を生産ラインの早い段階で発見することによって生産性を向上させようとする傾向がある。露光後の欠陥検査機による判定は、未露光部分と露光部分を識別して行うものが一般的であるため、露光直後の感光性樹脂層が極めて良好なコントラストを有することが要求されているのが現状である。
また一方、プリント配線板製造技術において、レーザーによる直接描画、つまり、フォトマスクを不要とするマスクレス露光が近年急激な広がりを見せている。マスクレス露光の光源としては波長３５０〜４１０ｎｍの光、特にｉ線又はｈ線（４０５ｎｍ）が用いられる場合が多い。マスクレス露光では、露光時に基板の位置合わせのためにアライメントマークを必要とする。このアライメントマークは、パターン露光の前に、アライメントマークのみを事前に露光することによって作成する。このため、露光「直後」に感光性樹脂層が良好な露光後コントラストを有さなければ、パターン露光までのタクトタイムが長くなり、時間あたりの生産量が悪くなる。よって、露光「直後」の感光性樹脂層が極めて良好な露光後コントラストを有することが要求されているのが現状である。 Recently, with the increase in the production volume of printed wiring boards, a high-sensitivity dry film resist corresponding to high production is required. In addition, there is a tendency to improve productivity by introducing an inspection machine after exposure and finding defects due to foreign matters at an early stage of the production line. Since the determination by the defect inspection machine after exposure is generally performed by identifying the unexposed part and the exposed part, the photosensitive resin layer immediately after the exposure is required to have a very good contrast. Is the current situation.
On the other hand, in the printed wiring board manufacturing technology, direct drawing with a laser, that is, maskless exposure that does not require a photomask, has shown a rapid spread in recent years. As a light source for maskless exposure, light having a wavelength of 350 to 410 nm, particularly i-line or h-line (405 nm) is often used. In maskless exposure, alignment marks are required for alignment of the substrate during exposure. This alignment mark is created by exposing only the alignment mark in advance before pattern exposure. For this reason, if the photosensitive resin layer does not have a good post-exposure contrast “immediately after exposure”, the tact time until pattern exposure becomes longer, and the production amount per hour becomes worse. Therefore, the present situation is that the photosensitive resin layer “immediately after exposure” is required to have a very good post-exposure contrast.

これまで多数の感光性樹脂組成物や感光性樹脂積層体に関する文献が開示されおり、露光後コントラスト向上に関する文献も多数存在する（特許文献１〜３参照）。しかし露光「直後の」コントラストとしてはまだまだ不十分であるのが現状である。
なお、特許文献４には、２−アクリロイルオキシエチルフタル酸、または２−アクリロイルオキシプロピルフタル酸を含有する感光性樹脂組成物の開示があるが、２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体との組み合わせについては開示が無い。
特開２０００−２４１９７１号公報特開２００２−０５３６２１号公報特開２００１−２０９１７７号公報特開平３−１４８６５８号公報 So far, a large number of documents relating to photosensitive resin compositions and photosensitive resin laminates have been disclosed, and there are also many documents relating to post-exposure contrast improvement (see Patent Documents 1 to 3). However, the current situation is that the contrast “immediately after exposure” is still insufficient.
In addition, Patent Document 4 discloses a photosensitive resin composition containing 2-acryloyloxyethylphthalic acid or 2-acryloyloxypropylphthalic acid, but 2,4,5-triarylimidazole dimer is disclosed. There is no disclosure about the combination.
JP 2000-241971 A JP 2002-056221 A JP 2001-209177 A Japanese Patent Laid-Open No. 3-148658

本発明の目的は、上記問題点を克服し、露光直後に極めて良好なコントラストを有する感光性樹脂組成物、及びそれを用いた感光性樹脂積層体を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to overcome the above problems and to provide a photosensitive resin composition having a very good contrast immediately after exposure, and a photosensitive resin laminate using the same.

上記の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定の化合物を感光性樹脂組成物の成分として用いることによって達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本願は以下の発明を提供する。
（１）（ａ）カルボン酸を含有し、酸当量が１００〜６００であり、重量平均分子量が５,０００〜５００,０００のアルカリ可溶性高分子：２０〜８０質量％、（ｂ）エチレン性不飽和付加重合性モノマー：５〜６０質量％、（ｃ）光重合開始剤：０.１〜２０質量％、（ｄ）ロイコ染料：０.１〜１０質量％、及び（ｅ）（Ａ）末端に水酸基を有するポリマーまたはモノマーと（Ｂ）ポリイソシアネートとの付加重合により得られる、ポリウレタンの末端イソシアネート基に対して（Ｃ）活性水素を有する官能基とエチレン性不飽和結合を分子内に共に有する化合物を反応させて得られるウレタンプレポリマーであって、前記（Ａ）末端に水酸基を有するポリマーまたはモノマーが、下記一般式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）で示される化合物からなる群より選ばれる１種類以上の化合物であるウレタンプレポリマー：１０〜７０質量％を含有する感光性樹脂組成物であって、(ｂ)エチレン性不飽和付加重合性モノマーとして下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有し、（ｃ）光重合開始剤として下記一般式（ＩＩ）で表される２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。 As a result of intensive studies to solve the above problems, it has been found that a specific compound can be used as a component of the photosensitive resin composition, and the present invention has been completed. That is, this application provides the following invention.
(1) Alkali-soluble polymer containing (a) carboxylic acid, having an acid equivalent of 100 to 600 and a weight average molecular weight of 5,000 to 500,000: 20 to 80% by mass, (b) ethylenically insoluble Saturation addition polymerizable monomer: 5 to 60% by mass, (c) photopolymerization initiator: 0.1 to 20% by mass, (d) leuco dye: 0.1 to 10% by mass , and (e) (A) terminal (C) A functional group having an active hydrogen and an ethylenically unsaturated bond in the molecule with respect to the terminal isocyanate group of polyurethane obtained by addition polymerization of a polymer or monomer having a hydroxyl group with (B) polyisocyanate. A urethane prepolymer obtained by reacting a compound, wherein the polymer or monomer having a hydroxyl group at the terminal (A) is a compound represented by the following general formulas (III) and (IV): Urethane prepolymer that is one or more compounds selected from the group: a photosensitive resin composition containing 10 to 70 wt%, the following formula as (b) an ethylenically unsaturated addition polymerizable monomer (I And (c) a 2,4,5-triarylimidazole dimer represented by the following general formula (II) as a photopolymerization initiator: Resin composition.

（式中、Ｒ_１は、Ｈ又はＣＨ_３である。また、Ａ及びＢは、Ｃ_２Ｈ_４又はＣ_３Ｈ_６であり、これらは相異なる。−（Ａ−Ｏ）−及び−（Ｂ−Ｏ）−の繰り返し単位からなる構造は、ランダムで構成されていてもよいし、ブロックで構成されていてもよい。ａ及びｂは、０〜５から選ばれる整数であり、ａ＋ｂは１以上である。） (Wherein R ₁ is H or CH ₃ , and A and B are C ₂ H ₄ or C ₃ H ₆ , which are different from each other. — (A—O) — and — (B The structure composed of the repeating unit of —O) — may be composed of random or block, a and b are integers selected from 0 to 5, and a + b is 1 or more. .)

（式中、Ｒ_２、Ｒ_３、及びＲ_４は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜５のアルキル基及びアルコキシ基、並びにハロゲン基からなる群より選ばれる一種の基を表し、ｃ、ｄ、及びｅは、それぞれ独立に、１〜５の整数である。） (Wherein R ₂ , R ₃ , and R ₄ each independently represents a group selected from the group consisting of hydrogen, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and an alkoxy group, and a halogen group; d and e are each independently an integer of 1 to 5.)

（式中、Ｒ_５はテトラメチレン基、Ｒ_６はプロピレン基、Ｒ_７はエチレン基を表す。ｆは２以上１００以下の整数であり、ｇ及びｈは、０以上１００以下の整数である。−（Ｒ_５−Ｏ）−、−（Ｒ_６−Ｏ）−、及び−（Ｒ_７−Ｏ）−の繰り返し単位からなる構造は、ランダムで構成されてもよいし、ブロックで構成されてもよいし、それらの組合せの構造でもよい。） (In the formula, R ₅ represents a tetramethylene group, R ₆ represents a propylene group, and R ₇ represents an ethylene group. F is an integer of 2 to 100, and g and h are integers of 0 to 100. The structure composed of repeating units of — (R ₅ —O) —, — (R ₆ —O) —, and — (R ₇ —O) — may be composed of random or block. It may be a structure of a combination thereof.)

（式中、Ｒ_９はテトラメチレン基を表し、Ｒ_８およびＲ_１０は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０のアルキレン基を表す。ｉ、ｊ、及びｋは、それぞれ独立に、１以上１００以下の整数を表す。−（Ｒ_８−ＣＯ）−、−（Ｒ_９−Ｏ）−、及び−（ＣＯ− Ｒ_１０−Ｏ）−の繰り返し単位からなる構造は、ブロックで構成される。） (In the formula, R ₉ represents a tetramethylene group, R ₈ and R ₁₀ each independently represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms. I, j, and k each independently represent 1 or more and 100. _.- represents an integer less than or equal to (R 8 -CO) -, - (R 9 -O) -, and - _{(CO- R} 10 -O) - the structure of a repeating unit of, and a block).

（３）前記（Ａ）末端に水酸基を有するポリマーまたはモノマーが、下記一般式（Ｖ）〜（ＶＩＩＩ）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物であることを特徴とする（２）に記載の感光性樹脂組成物。 (3) The polymer or monomer having a hydroxyl group at the terminal (A) is at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by the following general formulas (V) to (VIII) ( The photosensitive resin composition as described in 2).

（式中、ｌは２以上１００以下の整数である。） (In the formula, l is an integer of 2 or more and 100 or less.)

（式中、ｍ及びｏは、それぞれ独立に、１以上１００以下の整数であり、ｎは２以上１００以下の整数である。テトラメチレンオキシド、及びプロピレンオキシドの繰り返し単位からなる構造は、ランダムで構成されてもよいし、ブロックで構成されていてもよい。） (In the formula, m and o are each independently an integer of 1 to 100, and n is an integer of 2 to 100. The structure composed of repeating units of tetramethylene oxide and propylene oxide is random. (It may be composed of blocks or blocks.)

（式中、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、それぞれ独立に、１以上１００以下の整数であり、ｘ＝１である。ｘで表される部分のテトラメチレンオキシド、及びエチレンオキシドの繰り返し単位からなる構造は、ランダムで構成されており、両末端のポリエチレンオキシドの繰り返し単位からなる構造は、ブロックで構成されている。） (Wherein p, q, r and s are each independently an integer of 1 or more and 100 or less, and x = 1. The tetramethylene oxide part of x and a repeating unit of ethylene oxide are included. The structure is composed randomly, and the structure composed of repeating units of polyethylene oxide at both ends is composed of blocks.)

（式中、ｔ、ｕ、及びｖは、それぞれ独立に、１以上１００以下の整数である。テトラメチレンオキシド、及びポリカプロラクトンで変性したグリコール部の繰り返し単位からなる構造は、ブロックで構成される。） (In the formula, t, u, and v are each independently an integer of 1 to 100. The structure composed of tetramethylene oxide and a repeating unit of a glycol moiety modified with polycaprolactone is composed of blocks. .)

（３）基材フィルムからなる支持体上に、（１）又は（２）に記載の感光性樹脂組成物からなる層を積層した感光性樹脂積層体。
（４）（３）記載の感光性樹脂積層体を用いて、基板上に感光性樹脂層を積層し、露光し、現像する工程を含むレジストパターン形成方法。
（５）上記露光工程において、直接描画することを特徴とする（４）に記載のレジストパターン形成方法。
（６）基板としてガラスリブペーストを塗布したガラス基板を用い、（４）又は（５）に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、サンドブラスト工法によって加工し、レジストパターンを剥離することを特徴とする凹凸パターンを有する基材の製造方法。 ( 3 ) The photosensitive resin laminated body which laminated | stacked the layer which consists of the photosensitive resin composition as described in (1) or ( 2) on the support body which consists of a base film.
( 4 ) A resist pattern forming method comprising a step of laminating a photosensitive resin layer on a substrate using the photosensitive resin laminate according to ( 3 ), exposing and developing.
( 5 ) The resist pattern forming method as described in ( 4 ), wherein in the exposure step, direct drawing is performed.
( 6 ) A glass substrate coated with a glass rib paste is used as a substrate, a substrate on which a resist pattern is formed by the method described in ( 4 ) or ( 5 ) is processed by a sandblasting method, and the resist pattern is peeled off The manufacturing method of the base material which has an uneven | corrugated pattern.

（７）基板として金属板又は金属被膜絶縁板を用い、（４）又は（５）に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板をエッチング、またはめっきすることを特徴とする導体パターンの製造方法。
（８）基板として金属被覆絶縁板を用い、（４）又は（５）に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板をエッチング、またはめっきし、レジストパターンを剥離することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
（９）基板として金属板を用い、（４）又は（５）に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングし、レジストパターンを剥離することを特徴とするリードフレームの製造方法。
（１０）基板としてＬＳＩとしての回路形成が終了したウェハを用い、（４）又は（５）に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、めっきし、レジストパターンを剥離することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 ( 7 ) A method for producing a conductor pattern, comprising using a metal plate or a metal-coated insulating plate as a substrate, and etching or plating the substrate on which a resist pattern is formed by the method according to ( 4 ) or ( 5 ).
( 8 ) A printed wiring board using a metal-coated insulating plate as a substrate, etching or plating the substrate on which a resist pattern is formed by the method described in ( 4 ) or ( 5 ), and peeling the resist pattern Manufacturing method.
( 9 ) A method for producing a lead frame, comprising using a metal plate as a substrate, etching a substrate on which a resist pattern is formed by the method according to ( 4 ) or ( 5 ), and peeling the resist pattern.
( 10 ) Using a wafer on which circuit formation as an LSI has been completed as a substrate, plating a substrate on which a resist pattern is formed by the method described in ( 4 ) or ( 5 ), and peeling the resist pattern A method for manufacturing a semiconductor package.

本発明は露光直後に極めて良好なコントラストを有する感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いた感光性樹脂積層体を提供することができる。 The present invention can provide a photosensitive resin composition having a very good contrast immediately after exposure and a photosensitive resin laminate using the photosensitive resin composition.

以下、本発明について具体的に説明する。
＜感光性樹脂組成物＞
(ａ)アルカリ可溶性高分子
本発明の感光性樹脂組成物における(ａ)アルカリ可溶性高分子とは、カルボン酸を含有し、酸当量が１００〜６００であり、重量平均分子量が５,０００〜５００,０００のアルカリ可溶性高分子である。
アルカリ可溶性高分子のカルボキシル基は、感光性樹脂組成物がアルカリ水溶液からなる現像液や剥離液に対して、現像性や剥離性を有するために必要である。酸当量は１００〜６００が好ましく、より好ましくは２５０〜４５０である。溶媒、または組成物中の他の成分、特に後述する（ｂ）エチレン性不飽和付加重合性モノマーとの相溶性を確保するという観点から１００以上であり、また現像性や剥離性を維持するという観点から６００以下である。ここで酸当量とは、その中に１当量のカルボキシル基を有するアルカリ可溶性高分子の質量（グラム）をいう。なお酸当量の測定は、平沼レポーティングタイトレーター（ＣＯＭ−５５５）を用い、０.１ｍｏｌ／ＬのＮａＯＨ水溶液で電位差滴定法により行われる。 Hereinafter, the present invention will be specifically described.
<Photosensitive resin composition>
(a) Alkali-soluble polymer (a) The alkali-soluble polymer in the photosensitive resin composition of the present invention contains a carboxylic acid, has an acid equivalent of 100 to 600, and a weight average molecular weight of 5,000 to 500. 1,000 alkali-soluble polymers.
The carboxyl group of the alkali-soluble polymer is necessary for the photosensitive resin composition to have developability and releasability with respect to a developer and a release solution composed of an aqueous alkali solution. The acid equivalent is preferably from 100 to 600, more preferably from 250 to 450. It is 100 or more from the viewpoint of ensuring compatibility with the solvent or other components in the composition, particularly (b) an ethylenically unsaturated addition polymerizable monomer described later, and that developability and releasability are maintained. From the viewpoint, it is 600 or less. Here, the acid equivalent means the mass (gram) of the alkali-soluble polymer having 1 equivalent of a carboxyl group therein. The acid equivalent is measured by potentiometric titration with 0.1 mol / L NaOH aqueous solution using Hiranuma Reporting Titrator (COM-555).

アルカリ可溶性高分子の重量平均分子量は、５,０００から５００,０００であることが好ましい。感光性樹脂層の厚みを均一に維持し、現像液に対する耐性を得るという観点から５,０００以上であり、また現像性を維持するという観点から５００,０００以下である。より好ましくは、重量平均分子量は、２０,０００から１００,０００である。この場合の重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によりポリスチレン（昭和電工（株）製ＳｈｏｄｅｘＳＴＡＮＤＡＲＤＳＭ−１０５）の検量線を用いて測定した重量平均分子量のことである。該重量平均分子量は、日本分光（株）製ゲルパーミエーションクロマトグラフィーを使用して、以下の条件で測定することができる。
示差屈折率計：ＲＩ−１５３０
ポンプ：ＰＵ−１５８０
デガッサー：ＤＧ−９−８０−５０
カラムオーブン：ＣＯ−１５６０
カラム：順にＫＦ−８０２.５、ＫＦ−８０６Ｍ×２、ＫＦ−８０７
溶離液：ＴＨＦ The weight average molecular weight of the alkali-soluble polymer is preferably 5,000 to 500,000. It is 5,000 or more from the viewpoint of maintaining the thickness of the photosensitive resin layer uniform and obtaining resistance to the developing solution, and 500,000 or less from the viewpoint of maintaining developability. More preferably, the weight average molecular weight is from 20,000 to 100,000. The weight average molecular weight in this case is a weight average molecular weight measured by gel permeation chromatography (GPC) using a calibration curve of polystyrene (Shodex STANDARD SM-105 manufactured by Showa Denko KK). The weight average molecular weight can be measured using gel permeation chromatography manufactured by JASCO Corporation under the following conditions.
Differential refractometer: RI-1530
Pump: PU-1580
Degasser: DG-9-80-50
Column oven: CO-1560
Column: KF-802.5, KF-806M × 2, KF-807 in order
Eluent: THF

アルカリ可溶性高分子は、後述する第一の単量体の少なくとも１種以上と後述する第二の単量体の少なくとも一種以上からなる共重合体であることが好ましい。
第一の単量体は、分子中に重合性不飽和基を一個有するカルボン酸又は酸無水物である。例えば、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、及びマレイン酸半エステルが挙げられる。中でも、特に（メタ）アクリル酸が好ましい。 The alkali-soluble polymer is preferably a copolymer composed of at least one kind of a first monomer described later and at least one kind of a second monomer described later.
The first monomer is a carboxylic acid or acid anhydride having one polymerizable unsaturated group in the molecule. Examples include (meth) acrylic acid, fumaric acid, cinnamic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, and maleic acid half ester. Among these, (meth) acrylic acid is particularly preferable.

第二の単量体は、非酸性で、分子中に重合性不飽和基を少なくとも一個有する単量体である。例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ビニルアルコールのエステル類、例えば、酢酸ビニル、（メタ）アクリロニトリル、スチレン、及び重合可能なスチレン誘導体が挙げられる。中でも、特にメチル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、スチレン、ベンジル（メタ）アクリレートが好ましい。
ここで、（メタ）アクリルとは、アクリル及び／又はメタクリルを示す。以下同様である。
（ａ）アルカリ可溶性高分子の、感光性樹脂組成物の総和に対する割合は、２０〜８０質量％の範囲であり、好ましくは３０〜７０質量％である。露光、現像によって形成されるレジストパターンが、レジストとしての特性、例えば、テンティング、エッチング及び各種めっき工程において十分な耐性を有するという観点から２０質量％以上８０質量％以下が好ましい。 The second monomer is a non-acidic monomer having at least one polymerizable unsaturated group in the molecule. For example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, iso-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, iso-butyl (meth) acrylate, tert-butyl ( (Meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, vinyl alcohol esters such as vinyl acetate, (meth) Examples include acrylonitrile, styrene, and polymerizable styrene derivatives. Of these, methyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, styrene, and benzyl (meth) acrylate are particularly preferable.
Here, (meth) acryl refers to acryl and / or methacryl. The same applies hereinafter.
(A) The ratio of the alkali-soluble polymer to the total of the photosensitive resin composition is in the range of 20 to 80% by mass, preferably 30 to 70% by mass. The resist pattern formed by exposure and development is preferably 20% by mass or more and 80% by mass or less from the viewpoint that the resist pattern has sufficient resistance in resist properties such as tenting, etching, and various plating processes.

（ｂ）エチレン性不飽和付加重合性モノマー
本発明の感光性樹脂組成物において（ｂ）エチレン性不飽和付加重合性モノマーには、下記一般式（Ｉ）、で表される化合物を含む。 (B) Ethylenically unsaturated addition polymerizable monomer In the photosensitive resin composition of the present invention, the (b) ethylenically unsaturated addition polymerizable monomer contains a compound represented by the following general formula (I).

（式中、Ｒ_１は、Ｈ又はＣＨ_３である。また、Ａ及びＢは、Ｃ_２Ｈ_４又はＣ_３Ｈ_６であり、これらは相異なる。−（Ａ−Ｏ）−及び−（Ｂ−Ｏ）−の繰り返し単位からなる構造は、ランダムで構成されていてもよいし、ブロックで構成されていてもよい。ａ及びｂは、０〜５の整数であり、ａ＋ｂは１以上である。） (Wherein R ₁ is H or CH ₃ , and A and B are C ₂ H ₄ or C ₃ H ₆ , which are different from each other. — (A—O) — and — (B The structure composed of the repeating unit of —O) — may be composed of random or block, a and b are integers of 0 to 5, and a + b is 1 or more. .)

式中、ａ＋ｂは５以下が好ましく、より好ましくは２以下である。
上記一般式（Ｉ）で表される化合物としては、Ｒ_１がＣＨ_３であり、ＡがＣ_２Ｈ_４でａ=１、ｂ=０である２−メタアクリロイルオキシエチルフタル酸（ＣＢ−１（新中村化学工業（株）製）として市販）、及び、Ｒ_１がＨであり、ＡがＣ_３Ｈ_６でａ=１、ｂ=０である２−アクリロイルオキシプロピルフタル酸（ビスコート＃２１００（大阪有機化学工業（株）製）として市販）が挙げられる。
上記一般式（Ｉ）で表される化合物の、本発明の感光性樹脂組成物に含まれる量は、感光性樹脂組成物中に１〜４０質量％含まれることが好ましく、より好ましくは５〜３０質量％である。この量は、露光後の良好なコントラスト性を有するという観点から１質量％以上が好ましく、また、解像性及び密着性の低下を抑えるという観点から４０質量％以下が好ましい。 In the formula, a + b is preferably 5 or less, more preferably 2 or less.
As the compound represented by the general formula (I), 2-methacryloyloxyethylphthalic acid (CB-1) in which R ₁ is CH ₃ , A is C ₂ H ₄ and a = 1 and b = 0. (Commercially available as Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.), and 2-acryloyloxypropylphthalic acid (Biscoat # 2100) in which R ₁ is H, A is C ₃ H ₆ and a = 1 and b = 0 (Commercially available as Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.).
The amount of the compound represented by the general formula (I) contained in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably contained in the photosensitive resin composition in an amount of 1 to 40% by mass, more preferably 5 to 5%. 30% by mass. This amount is preferably 1% by mass or more from the viewpoint of having good contrast after exposure, and is preferably 40% by mass or less from the viewpoint of suppressing a decrease in resolution and adhesion.

他に（ｂ）エチレン性不飽和付加重合性モノマーには、上記一般式（Ｉ）で表される化合物以外に、下記に示される光重合可能な不飽和化合物を用いることが出来る。例えば、１，６−ヘキサンジオ−ルジ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジオ−ルジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコ−ルジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコ−ルジ（メタ）アクリレート、２−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパンジ（メタ）アクリレート、グリセロ−ルトリ（メタ）アクリレート、トリメチロ−ルプロパントリ（メタ）アクリレート、ポリオキシプロピルトリメチロ−ルプロパントリ（メタ）アクリレート、ポリオキシエチルトリメチロ−ルプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリト−ルペンタ（メタ）アクリレート、トリメチロ−ルプロパントリグリシジルエ−テルトリ（メタ）アクリレート、ビスフェノ−ルＡジグリシジルエ−テルジ（メタ）アクリレート、β−ヒドロキシプロピル−β’−（アクリロイルキシ）プロピルフタレート、フェノキシポリエチレングリコ−ル（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリアルキレングリコール（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡのアルキレンオキサイド付加物（例えば、両端に平均５モルずつのエチレンオキサイド付加物や、両端に平均２モルずつのプロピレンオキサイド及び平均１５モルずつのエチレンオキサイド付加物）のジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールドデカプロピレングリコール、プロピレンオキサイドを付加したポリプロピレングリコールにエチレンオキサイドをさらに両端付加した（平均１２モルのプロピレンオキサイドを付加したポリプロピレングリコ−ルの両端にエチレンオキサイドをそれぞれ平均３モルずつ付加）ポリアルキレングリコールのジメタクリレートが挙げられる。 In addition to (b) the ethylenically unsaturated addition polymerizable monomer, the photopolymerizable unsaturated compound shown below can be used in addition to the compound represented by the general formula (I). For example, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanediol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, 2-di (p -Hydroxyphenyl) propane di (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, polyoxypropyltrimethylolpropane tri (meth) acrylate, polyoxyethyltrimethylolpropane triacrylate, penta Erythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, trimethylolpropane triglycidyl ether tertri (meth) acrylate, bisphenol A jigly Dilether-terdi (meth) acrylate, β-hydroxypropyl-β ′-(acryloyloxy) propyl phthalate, phenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, nonylphenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, nonylphenoxypolyalkylene glycol (meth) Alkylene oxide adducts of acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, bisphenol A (for example, an average of 5 moles of ethylene oxide adduct at both ends, an average of 2 moles of propylene oxide at both ends, and an average of 15 moles of ethylene oxide) Adduct) di (meth) acrylate, triethylene glycol dodecapropylene glycol, polypropylene glycol with added propylene oxide and ethylene Kisaido was further across added (polypropylene obtained by adding average 12 moles of propylene oxide glycolate - addition le of both ends of ethylene oxide to each average 3 moles each) dimethacrylate polyalkylene glycol.

またウレタン化合物も挙げられる。ウレタン化合物としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、またはジイソシアネート化合物、例えば、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネートと、一分子中にヒドロキシル基と（メタ）アクリル基を有する化合物、例えば、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、オリゴプロピレングリコールモノメタクリレートとのウレタン化合物が挙げられる。具体的には、ヘキサメチレンジイソシアネートとオリゴプロピレングリコールモノメタクリレート（日本油脂（株）製、ブレンマーＰＰ１０００）との反応物がある。これらは単独で使用しても、２種類以上併用しても構わない。
本発明に用いられる（ｂ）エチレン性不飽和付加重合性モノマーの感光性樹脂組成物の総和に対する割合は、５〜６０質量％の範囲であり、好ましくは１０〜５０質量％である。感度、解像度、密着性が向上する観点から５質量％以上が好ましく、エッジフューズが抑制される観点から６０質量％以下が好ましい。 Moreover, a urethane compound is also mentioned. Examples of urethane compounds include hexamethylene diisocyanate, tolylene diisocyanate, or diisocyanate compounds such as 2,2,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, and compounds having a hydroxyl group and a (meth) acryl group in one molecule, such as , 2-hydroxypropyl acrylate, and urethane compounds with oligopropylene glycol monomethacrylate. Specifically, there is a reaction product of hexamethylene diisocyanate and oligopropylene glycol monomethacrylate (Nippon Yushi Co., Ltd., Blenmer PP1000). These may be used alone or in combination of two or more.
The ratio of the (b) ethylenically unsaturated addition polymerizable monomer used in the present invention to the total of the photosensitive resin composition is in the range of 5 to 60% by mass, preferably 10 to 50% by mass. 5 mass% or more is preferable from a viewpoint which a sensitivity, resolution, and adhesiveness improve, and 60 mass% or less is preferable from a viewpoint from which an edge fuse is suppressed.

（ｃ）光重合開始剤
本発明の感光性樹脂組成物において（ｃ）光重合開始剤としては、下記一般式（ＩＩ）で表される２，４，５−トリアリ−ルイミダゾ−ル二量体を必須成分として含む。 (C) Photopolymerization initiator In the photosensitive resin composition of the present invention, (c) the photopolymerization initiator is a 2,4,5-triary-imidazole dimer represented by the following general formula (II). As an essential component.

上記一般式（ＩＩ）で表される化合物においては、２個のロフィン基を結合する共有結合は、１，１’−、１，２’−、１，４’−、２，２’−、２，４’−又は４，４’−位についているが、２，２’−位についている化合物が好ましい。
２，４，５−トリアリ−ルイミダゾ−ル二量体には、例えば、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾ−ル二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ビス−（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾ−ル二量体、２−（ｐ−メトシキフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾ−ル二量体があるが、特に、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾ−ル二量体が好ましい。
２，４，５−トリアリ−ルイミダゾ−ル二量体の含有量は、感光性樹脂組成物中に０.１〜２０質量％含まれることが好ましく、より好ましくは０.２〜１５質量％、更に好ましくは０.５〜１０質量％である。この量は、感度が向上するという観点から０.１質量％以上であり、また、解像度が向上するという観点から２０質量％以下である。
本発明に用いられる（ｃ）光重合開始剤としては、前記した一般式（ＩＩ）で表される２，４，５−トリアリ−ルイミダゾ−ル二量体とｐ−アミノフェニルケトンを併用する系が好ましい。ｐ−アミノフェニルケトンとしては、例えば、ｐ−アミノベンゾフェノン、ｐ−ブチルアミノアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノベンゾフェノン、ｐ，ｐ’−ビス（エチルアミノ）ベンゾフェノン、ｐ，ｐ’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン［ミヒラーズケトン］、ｐ，ｐ’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ｐ，ｐ’−ビス（ジブチルアミノ）ベンゾフェノンがあげられる。 In the compound represented by the above general formula (II), the covalent bond for bonding two lophine groups is 1,1′-, 1,2′-, 1,4′-, 2,2′-, Although it is in the 2,4′- or 4,4′-position, a compound in the 2,2′-position is preferred.
Examples of 2,4,5-triarylimidazole dimers include 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4,5. -Bis- (m-methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, especially 2- (o-chlorophenyl) A -4,5-diphenylimidazole dimer is preferred.
The content of 2,4,5-triarylimidazole dimer is preferably contained in the photosensitive resin composition in an amount of 0.1 to 20% by mass, more preferably 0.2 to 15% by mass, More preferably, it is 0.5-10 mass%. This amount is 0.1% by mass or more from the viewpoint of improving the sensitivity, and is 20% by mass or less from the viewpoint of improving the resolution.
The (c) photopolymerization initiator used in the present invention is a system in which 2,4,5-triarylimidazole dimer represented by the general formula (II) and p-aminophenyl ketone are used in combination. Is preferred. Examples of p-aminophenyl ketone include p-aminobenzophenone, p-butylaminoacetophenone, p-dimethylaminoacetophenone, p-dimethylaminobenzophenone, p, p'-bis (ethylamino) benzophenone, p, p'- Bis (dimethylamino) benzophenone [Michler's ketone], p, p′-bis (diethylamino) benzophenone, and p, p′-bis (dibutylamino) benzophenone.

また上記で示された化合物以外に、他の光重合開始剤との併用も可能である。ここでの光重合開始剤とは、各種の活性光線、例えば紫外線等により活性化され、重合を開始する化合物である。
他の光重合開始剤としては、ピラゾリン類、例えば、１−フェニル−３−（４−ｔｅｒｔ−ブチル−スチリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）−ピラゾリン、キノン類、例えば、２−エチルアントラキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、芳香族ケトン類、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイン、ベンゾインエーテル類、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、アクリジン化合物、例えば、９−フェニルアクリジン、ベンジルジメチルケタ−ル、ベンジルジエチルケタ−ルがある。 In addition to the compounds shown above, other photopolymerization initiators can be used in combination. Here, the photopolymerization initiator is a compound that is activated by various actinic rays such as ultraviolet rays and starts polymerization.
Other photopolymerization initiators include pyrazolines such as 1-phenyl-3- (4-tert-butyl-styryl) -5- (4-tert-butyl-phenyl) -pyrazoline, quinones such as 2 -Ethyl anthraquinone, 2-tert-butylanthraquinone, aromatic ketones such as benzophenone, benzoin, benzoin ethers such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, acridine compounds such as 9-phenylacridine, benzyldimethylket And benzyl diethyl ketal.

また他の光重合開始剤としては、チオキサントン類、例えば、チオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントンと、三級アミン化合物、例えば、ジメチルアミノ安息香酸アルキルエステル化合物との併用も可能である。
また他の光重合開始剤としては、オキシムエステル類、例えば、１−フェニル−１、２−プロパンジオン−２−Ｏ−ベンゾイルオキシム、１−フェニル−１、２−プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシムがある。また、Ｎ−アリ−ル−α−アミノ酸化合物も他の光重合開始剤として用いることも可能であり、これらの中ではＮ−フェニルグリシンが特に好ましい。
（ｃ）光重合開始剤の割合は、０.１質量％〜２０質量％である。この割合が０.１質量％未満であると十分な感度が得られない。また、この割合が２０質量％を超えると、露光時にフォトマスクを通した光の回折によるかぶりが発生しやすくなり、その結果として解像性が悪化する。含有量は、０.１〜１５質量％がより好ましく、０.１〜１０質量％は更に好ましい。 As other photopolymerization initiators, thioxanthones such as thioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, and 2-chlorothioxanthone can be used in combination with a tertiary amine compound such as a dimethylaminobenzoic acid alkyl ester compound. is there.
Other photopolymerization initiators include oxime esters such as 1-phenyl-1,2-propanedione-2-O-benzoyloxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (O— Ethoxycarbonyl) oxime. Further, N-aryl-α-amino acid compounds can also be used as other photopolymerization initiators, and among these, N-phenylglycine is particularly preferable.
(C) The ratio of a photoinitiator is 0.1 mass%-20 mass%. If this ratio is less than 0.1% by mass, sufficient sensitivity cannot be obtained. On the other hand, when the ratio exceeds 20% by mass, fogging due to diffraction of light passing through the photomask at the time of exposure tends to occur, and as a result, resolution is deteriorated. As for content, 0.1-15 mass% is more preferable, and 0.1-10 mass% is still more preferable.

（ｄ）ロイコ染料
本発明の感光性樹脂組成物中には、（ｄ）ロイコ染料を０.１〜１０質量％含有する。このようなロイコ染料としては、ロイコクリスタルバイオレット、フルオラン染料が挙げられる。中でも、ロイコクリスタルバイオレットを用いた場合、コントラストが良好であり好ましい。フルオラン染料としては、例えば、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、３−ジブチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、２−（２−クロロアニリノ）−６−ジブチルアミノフルオラン、２−ブロモ−３−メチル−６−ジブチルアミノフルオラン、２−Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ−６−ジエチルアミノフルオラン、３−ジエチルアミノ−７−クロロアミノフルオラン、３，６−ジメトキシフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メトキシ−７−アミノフルオランが挙げられる。 (D) Leuco dye In the photosensitive resin composition of this invention, 0.1-10 mass% of (d) leuco dye is contained. Examples of such a leuco dye include leuco crystal violet and fluoran dye. Among these, when leuco crystal violet is used, the contrast is good and preferable. Examples of the fluorane dye include 3-diethylamino-6-methyl-7-anilinofluorane, 3-dibutylamino-6-methyl-7-anilinofluorane, and 2- (2-chloroanilino) -6-dibutylamino. Fluorane, 2-bromo-3-methyl-6-dibutylaminofluorane, 2-N, N-dibenzylamino-6-diethylaminofluorane, 3-diethylamino-7-chloroaminofluorane, 3,6-dimethoxy Examples include fluorane and 3-diethylamino-6-methoxy-7-aminofluorane.

感光性樹脂組成物中の（ｄ）ロイコ染料の含有量は、０.１〜１０質量％であり、好ましくは０.５〜６質量％である。充分なコントラストを発現するという観点から、０.１質量％以上が好ましく、また、保存安定性を維持するという観点から、１０質量％以下が好ましい。
感光性樹脂組成物中に、（ｄ）ロイコ染料とハロゲン化合物を組み合わせて用いることは、密着性及びコントラストの観点から、本発明の好ましい実施形態である。
ハロゲン化合物としては、例えば、臭化アミル、臭化イソアミル、臭化イソブチレン、臭化エチレン、臭化ジフェニルメチル、臭化ベンザル、臭化メチレン、トリブロモメチルフェニルスルホン、四臭化炭素、トリス（２，３−ジブロモプロピル）ホスフェート、トリクロロアセトアミド、ヨウ化アミル、ヨウ化イソブチル、１，１，１−トリクロロ−２，２−ビス（ｐ−クロロフェニル）エタン、ヘキサクロロエタン、ハロゲン化トリアジン化合物が挙げられる。
ハロゲン化合物を含有する場合、感光性樹脂組成物中のハロゲン化合物の含有量は、０.０１〜１０質量％が好ましい。 Content of (d) leuco dye in the photosensitive resin composition is 0.1-10 mass%, Preferably it is 0.5-6 mass%. From the viewpoint of expressing sufficient contrast, 0.1% by mass or more is preferable, and from the viewpoint of maintaining storage stability, it is preferably 10% by mass or less.
In the photosensitive resin composition, it is a preferred embodiment of the present invention from the viewpoint of adhesion and contrast to use (d) a combination of a leuco dye and a halogen compound.
Examples of the halogen compound include amyl bromide, isoamyl bromide, isobutylene bromide, ethylene bromide, diphenylmethyl bromide, benzal bromide, methylene bromide, tribromomethylphenyl sulfone, carbon tetrabromide, tris (2 , 3-dibromopropyl) phosphate, trichloroacetamide, amyl iodide, isobutyl iodide, 1,1,1-trichloro-2,2-bis (p-chlorophenyl) ethane, hexachloroethane, and halogenated triazine compounds.
When the halogen compound is contained, the content of the halogen compound in the photosensitive resin composition is preferably 0.01 to 10% by mass.

（ｅ）ウレタンプレポリマー
本発明の感光性樹脂組成物においては、下記に挙げる（ｅ）ウレタンプレポリマーを含有することは、好ましい実施形態である。（ｅ）ウレタンプレポリマーを含有することで、耐サンドブラスト性に優れるという効果を有する。
本発明の組成物の（ｅ）成分のウレタンプレポリマーは、（Ａ）末端に水酸基を有するポリマーまたはモノマーと、（Ｂ）ポリイソシアネートの付加重合により得られるポリウレタンの末端イソシアネート基に対して（Ｃ）活性水素を有する官能基とエチレン性不飽和結合を分子内に共に有する化合物を反応させることによって得られる。
本発明で用いられる、（ｅ）ウレタンプレポリマーを得るための、（Ａ）末端に水酸基を有するポリマーまたはモノマーとしては、下記一般式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）で示される化合物からなる群より選ばれる１種類以上の化合物を含有することが必須である。 (E) Urethane prepolymer In the photosensitive resin composition of this invention, it is preferable embodiment to contain the (e) urethane prepolymer mentioned below. (E) By containing a urethane prepolymer, it has the effect of being excellent in sandblast resistance.
The urethane prepolymer of component (e) of the composition of the present invention comprises (A) a polymer or monomer having a hydroxyl group at the terminal and (B) terminal isocyanate group of polyurethane obtained by addition polymerization of polyisocyanate (C ) It can be obtained by reacting a compound having both an active hydrogen-containing functional group and an ethylenically unsaturated bond in the molecule.
The polymer or monomer having a hydroxyl group at the terminal (A) for obtaining the urethane prepolymer (e) used in the present invention is selected from the group consisting of compounds represented by the following general formulas (III) and (IV) It is essential to contain one or more compounds.

上記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物は、テトラメチレンオキシド基を繰り返し単位の一つとして有するポリアルキレングリコール化合物である。好ましい構造には、下記一般式（Ｖ）で示されるような、ポリテトラメチレングリコール（ＰＴＭＧ）に代表される化合物が挙げられる。また、下記一般式（ＶＩ）で代表されるような、ＰＴＭＧの末端水酸基を利用してブロック共重合、またはランダム共重合によりプロピレンオキシド基を導入したグリコール化合物や、下記一般式（ＶＩＩ）で代表されるような、エチレングリコールやテトラメチレングリコールのランダム共重合体の両末端にポリエチレングリコールをブロック共重合することにより得られるグリコール化合物のＰＴＭＧ誘導体も挙げられる。 The compound represented by the general formula (III) is a polyalkylene glycol compound having a tetramethylene oxide group as one of repeating units. Preferable structures include compounds represented by polytetramethylene glycol (PTMG) as represented by the following general formula (V). Further, as represented by the following general formula (VI), a glycol compound in which a propylene oxide group is introduced by block copolymerization or random copolymerization using the terminal hydroxyl group of PTMG, or the following general formula (VII) is representative. Examples thereof include PTMG derivatives of glycol compounds obtained by block copolymerization of polyethylene glycol at both ends of a random copolymer of ethylene glycol or tetramethylene glycol.

上記一般式（ＩＩＩ）において、ｆは２以上１００以下の整数であり、４以上７０以下が好ましく、より好ましくは６以上、５５以下である。ｇは０以上１００以下の整数であり、０以上１０以下が好ましい。ｈは０以上１００以下の整数であり、０以上１０以下が好ましい。
上記一般式（ＩＶ）で示される化合物は、ＰＴＭＧの末端水酸基を利用してラクトンを開環重合させたポリオール化合物である。上記一般式（ＩＶ）において、ｉは１以上が好ましく、レジストパターンの密着性向上の観点から１０以下が好ましい。ｊは、レジストパターンの密着性向上の観点から４以上が好ましく現像性維持の観点から７０以下が好ましい。ｋは１以上が好ましく、レジストパターンの密着性向上観点から１０以下が好ましい。好ましい構造には、下記一般式（ＶＩＩＩ）で代表されるような、ポリテトラメチレングリコールの両末端をポリカプロラクトンで変性したグリコール化合物も挙げられる。 In the general formula (III), f is an integer of 2 or more and 100 or less, preferably 4 or more and 70 or less, more preferably 6 or more and 55 or less. g is an integer of 0 to 100, preferably 0 to 10. h is an integer from 0 to 100, preferably from 0 to 10.
The compound represented by the general formula (IV) is a polyol compound obtained by ring-opening polymerization of a lactone using the terminal hydroxyl group of PTMG. In the general formula (IV), i is preferably 1 or more, and preferably 10 or less from the viewpoint of improving the adhesion of the resist pattern. j is preferably 4 or more from the viewpoint of improving the adhesion of the resist pattern, and preferably 70 or less from the viewpoint of maintaining developability. k is preferably 1 or more, and preferably 10 or less from the viewpoint of improving the adhesion of the resist pattern. A preferred structure also includes a glycol compound in which both ends of polytetramethylene glycol are modified with polycaprolactone, as represented by the following general formula (VIII).

上記一般式（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）で示される化合物の中で最も好ましい化合物は、上記一般式（Ｖ）で示される化合物である。レジストパターンの密着性向上の観点から好ましい。
上記一般式（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）で示される化合物の水酸基価は、２２〜３８０ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましい。レジストパターンの密着性を向上させる点から３８０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下が好ましく、良好な現像性を維持する点から２２ｍｇＫＯＨ／ｇ以上が好ましい。より好ましくは２８〜２３０ｍｇＫＯＨ／ｇである。更に好ましくは３２〜１１５ｍｇＫＯＨ／ｇである。極めて好ましくは３２〜７８ｍｇＫＯＨ／ｇである。 Among the compounds represented by the general formula (III) or (IV), the most preferable compound is a compound represented by the general formula (V). It is preferable from the viewpoint of improving the adhesion of the resist pattern.
The hydroxyl value of the compound represented by the general formula (III) or (IV) is preferably 22 to 380 mgKOH / g. 380 mgKOH / g or less is preferable from the viewpoint of improving the adhesion of the resist pattern, and 22 mgKOH / g or more is preferable from the viewpoint of maintaining good developability. More preferably, it is 28-230 mgKOH / g. More preferably, it is 32-115 mgKOH / g. Most preferably, it is 32-78 mgKOH / g.

水酸基価とは、試料１ｇから得られるアセチル化物に結合している酢酸を中和するのに必要な水酸化カリウムのミリグラム数をいう。試料を過剰のアセチル化剤、例えば無水酢酸と加熱してアセチル化を行い、生成したアセチル化物のケン化価を測定したのち、次の数式に従って計算する。但しＡはアセチル化後のケン化価、Ｂはアセチル化前のケン化価を表す。
（水酸基価）＝Ａ／(１−０.０００７５Ａ)−Ｂ
水酸基価を測定する方法の一例を下記する。３ｇ程度の試料を精密に秤量し、無水酢酸とピリジンとＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）をそれぞれ１質量部、４質量部、１５質量部の割合で混合した溶液２０ｍｌに溶解する。得られた溶液を１００℃のオイルバスで５時間攪拌し、更に５ｇ程度の精製水を加え更に１時間１００℃で攪拌する。溶液を室温にまで冷却した後、指示薬としてフェノールフタレインのメタノール溶液を数滴添加し、１／２規定の水酸化カリウム水溶液で中和滴定しアセチル化後のケン化価を測定する。アセチル化前のケン化価は上記において、試料を含有しない溶液について同様の処理と中和滴定を行い求める。 The hydroxyl value means the number of milligrams of potassium hydroxide necessary to neutralize acetic acid bound to the acetylated product obtained from 1 g of a sample. The sample is heated with an excess of an acetylating agent, for example, acetic anhydride, acetylated, the saponification value of the acetylated product formed is measured, and then calculated according to the following formula. However, A represents the saponification value after acetylation, and B represents the saponification value before acetylation.
(Hydroxyl value) = A / (1-0.000007A) -B
An example of a method for measuring the hydroxyl value will be described below. A sample of about 3 g is accurately weighed and dissolved in 20 ml of a solution in which acetic anhydride, pyridine and NMP (N-methylpyrrolidone) are mixed at a ratio of 1 part by mass, 4 parts by mass and 15 parts by mass, respectively. The obtained solution is stirred in an oil bath at 100 ° C. for 5 hours, and further about 5 g of purified water is added and stirred at 100 ° C. for another hour. After cooling the solution to room temperature, a few drops of a phenolphthalein methanol solution is added as an indicator, neutralized with a 1/2 N aqueous potassium hydroxide solution, and the saponification value after acetylation is measured. In the above, the saponification value before acetylation is obtained by performing the same treatment and neutralization titration for a solution containing no sample.

本発明で用いられる、（Ａ）末端に水酸基を有するポリマーまたはモノマーには、上記一般式（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）で示される化合物からなる群より選ばれる１種類以上の化合物以外のポリマー、またはモノマーを併用することも可能である。
そのようなポリマーとしては、例えば、ポリエチレングリコールアジペート、ポリプロピレングリコールアジペート、ポリ（１，４―ブタンジオール）アジペートに代表されるポリエステルポリオールや、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールに代表されるポリエーテルポリオールや、ポリカプロラクトンジオール、ポリバレロラクトンジオールに代表されるラクトンジオールや、ポリカーボネートジオールや、末端水酸基を有する１，４−ポリブタジエン、水添、または非水添１，２−ポリブタジエン、ブタジエン−スチレン共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体が挙げられる。
そのようなモノマーとしては、グリコール類、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールが挙げられる。本発明のウレタンプレポリマーにカルボン酸を導入する場合には、分子内にカルボキシル基を有するジオール、例えば、ジメチロールプロピオン酸、ジメチロールブタン酸を用いることもできる。 As the polymer or monomer having a hydroxyl group at the terminal (A) used in the present invention, a polymer other than one or more compounds selected from the group consisting of the compounds represented by the general formula (III) or (IV), Or it is also possible to use a monomer together.
Examples of such polymers include polyester polyols represented by polyethylene glycol adipate, polypropylene glycol adipate, poly (1,4-butanediol) adipate, polyether polyols represented by polyethylene glycol and polypropylene glycol, Lactone diol typified by caprolactone diol and polyvalerolactone diol, polycarbonate diol, 1,4-polybutadiene having a terminal hydroxyl group, hydrogenated or non-hydrogenated 1,2-polybutadiene, butadiene-styrene copolymer, butadiene -An acrylonitrile copolymer is mentioned.
Such monomers include glycols such as ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, and triethylene glycol. When introducing a carboxylic acid into the urethane prepolymer of the present invention, a diol having a carboxyl group in the molecule, such as dimethylolpropionic acid or dimethylolbutanoic acid, can also be used.

本発明で用いられる、（Ｂ）ポリイソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ｏ−キシリレンジイソシアネート、ｍ−キシリレンジイソシアネート、ｐ−キシリレンジイソシアネート、α，α’−ジメチル−ｏ−キシリレンジイソシアネート、α，α’−ジメチル−ｍ−キシリレンジイソシアネート、α，α’−ジメチル−ｐ−キシリレンジイソシアネート、α，α，α’−トリメチル−ｏ−キシリレンジイソシアネート、α，α，α’−トリメチル−ｍ−キシリレンジイソシアネート、α，α，α’−トリメチル−ｐ−キシリレンジイソシアネート、α，α，α’，α’−テトラメチル−ｏ−キシリレンジイソシアネート、α，α，α’，α’−テトラメチル−ｍ−キシリレンジイソシアネート、α，α，α’，α’−テトラメチル−−ｐ−キシリレンジイソシアネート、シクロヘキサンジイソシアネートが挙げられる。ジイソシアネート化合物の芳香環を水添化した化合物、例えばｍ−キシリレンジイソシアネートの水添化物（三井武田ケミカル製タケネート６００）も挙げられる。 Examples of (B) polyisocyanate used in the present invention include tolylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4′-diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, o-xylylene diisocyanate, m-xylylene diisocyanate, p- Xylylene diisocyanate, α, α′-dimethyl-o-xylylene diisocyanate, α, α′-dimethyl-m-xylylene diisocyanate, α, α′-dimethyl-p-xylylene diisocyanate, α, α, α′- Trimethyl-o-xylylene diisocyanate, α, α, α′-trimethyl-m-xylylene diisocyanate, α, α, α′-trimethyl-p-xylylene diisocyanate, α, α, α ′, α′-tetramethyl -O-xylylene diisocyanate Over DOO, alpha, alpha, alpha ',. Alpha .'- tetramethyl -m- xylylene diisocyanate, alpha, alpha, alpha',. Alpha .'- tetramethyl --p- diisocyanate, cyclohexane diisocyanate and the like. A compound obtained by hydrogenating an aromatic ring of a diisocyanate compound, for example, a hydrogenated product of m-xylylene diisocyanate (Takenate 600 manufactured by Mitsui Takeda Chemical) is also included.

本発明で用いられる、（Ｃ）活性水素を有する官能基とエチレン性不飽和結合を分子内に共に有する化合物の具体的な例としては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、オリゴエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、オリゴプロピレングリコール（メタ）アクリレート、オリゴテトラメチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコールモノ（メタ）アクリレートが挙げられる。 Specific examples of the compound (C) having a functional group having active hydrogen and an ethylenically unsaturated bond in the molecule, used in the present invention, include, for example, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxy Propyl (meth) acrylate, diethylene glycol mono (meth) acrylate, dipropylene glycol mono (meth) acrylate, triethylene glycol mono (meth) acrylate, tripropylene glycol mono (meth) acrylate, oligoethylene glycol mono (meth) acrylate, oligo Propylene glycol (meth) acrylate, oligotetramethylene glycol mono (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, polytetra Chi glycol mono (meth) acrylate.

（ｅ）成分のウレタンプレポリマーのエチレン性不飽和結合濃度は、２×１０^−４ｍｏｌ／ｇ以上１０^−２ｍｏｌ／ｇ以下が好ましい。十分に架橋させて耐サンドブラスト性を確保する点から２×１０^−４ｍｏｌ／ｇ以上が好ましく、硬化膜を柔らかく保ち耐サンドブラスト性を確保する点から１０^−２ｍｏｌ／ｇ以下が好ましい。
（ｅ）成分のウレタンプレポリマーの重量平均分子量は１，５００以上５０,０００以下が好ましい。耐サンドブラスト性を維持する点から１,５００以上が好ましく、現像性を維持する点から５０,０００以下が好ましい。より好ましくは５,０００以上３０,０００以下である。更に好ましくは９,０００以上２５,０００以下である。ここでいう重量平均分子量とはＧＰＣ法（カラム：昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ（登録商標）（ＫＦ−８０７、ＫＦ−８０６Ｍ、ＫＦ−８０６Ｍ、ＫＦ−８０２.５）４本直列、移動層溶媒：テトラヒドロフラン）によるポリスチレン換算重量平均分子量のことである。 The ethylenically unsaturated bond concentration of the urethane prepolymer as the component (e) is preferably 2 × 10 ⁻⁴ mol / g or more and 10 ⁻² mol / g or less. It is preferably 2 × 10 ⁻⁴ mol / g or more from the viewpoint of sufficiently crosslinking to ensure sandblast resistance, and preferably 10 ⁻² mol / g or less from the viewpoint of keeping the cured film soft and ensuring sandblast resistance.
The urethane prepolymer as the component (e) preferably has a weight average molecular weight of 1,500 or more and 50,000 or less. It is preferably 1,500 or more from the viewpoint of maintaining sandblast resistance, and preferably 50,000 or less from the viewpoint of maintaining developability. More preferably, it is 5,000 or more and 30,000 or less. More preferably, it is 9,000 or more and 25,000 or less. The weight average molecular weight here is GPC method (column: Shodex (trademark) manufactured by Showa Denko KK (KF-807, KF-806M, KF-806M, KF-802.5) in series, moving bed solvent. : Tetrahydrofuran) is a weight average molecular weight in terms of polystyrene.

（ｅ）ウレタンプレポリマーがカルボン酸を有する場合には、該ウレタンプレポリマーの酸価が０〜１０ｍｇＫＯＨ／ｇであることがレジストパターンの密着性を向上させる点で好ましい。より好ましくは０〜７ｍｇＫＯＨ／ｇである。酸価とは、試料１ｇに含まれる遊離脂肪酸を中和するのに必要な水酸化カリウムのミリグラム数をいう。
酸価を測定する方法の一例を下記する。５ｇ程度の試料を精密に秤量し、アセトンとメタノールを５０質量部づつ混合した溶液２０ｍｌに溶解する。指示薬としてフェノールフタレインのメタノール溶液を数滴加えた後、１／１０規定の水酸化カリウム水溶液で中和滴定して、中和に必要な水酸化カリウムのミリグラム数を求める。
（ｅ）ウレタンプレポリマーの含有量は感光性樹脂組成物の全質量に対して１０質量％以上７０質量％以下が好ましく、より好ましくは２０質量％以上６５質量％以下、更に好ましくは２５質量％以上６０質量％以下である。十分な耐サンドブラスト性を確保する点から１０質量％以上であり、現像性を確保する点から７０質量％以下が好ましい。
（ｅ）ウレタンプレポリマーは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 (E) When the urethane prepolymer has a carboxylic acid, the acid value of the urethane prepolymer is preferably 0 to 10 mgKOH / g in terms of improving the adhesion of the resist pattern. More preferably, it is 0-7 mgKOH / g. The acid value refers to the number of milligrams of potassium hydroxide necessary to neutralize free fatty acids contained in 1 g of a sample.
An example of a method for measuring the acid value will be described below. A sample of about 5 g is accurately weighed and dissolved in 20 ml of a solution obtained by mixing 50 parts by mass of acetone and methanol. After adding several drops of a phenolphthalein methanol solution as an indicator, neutralization titration with a 1/10 N aqueous potassium hydroxide solution is performed to determine the number of milligrams of potassium hydroxide required for neutralization.
(E) The content of the urethane prepolymer is preferably 10% by mass or more and 70% by mass or less, more preferably 20% by mass or more and 65% by mass or less, and still more preferably 25% by mass with respect to the total mass of the photosensitive resin composition. It is 60 mass% or less. The amount is 10% by mass or more from the viewpoint of securing sufficient sandblast resistance, and 70% by mass or less is preferable from the viewpoint of ensuring developability.
(E) Urethane prepolymers may be used alone or in combination of two or more.

本発明における感光性樹脂組成物の取扱い性を向上させるために、前述の（ｄ）ロイコ染料以外に下記着色物質を入れることも可能である。このような着色物質としては、例えばフクシン、フタロシアニングリ−ン、オ−ラミン塩基、パラマジエンタ、クリスタルバイオレット、メチルオレンジ、ナイルブル−２Ｂ、ビクトリアブル−、マラカイトグリ−ン（保土ヶ谷化学（株）製アイゼン（登録商標）ＭＡＬＡＣＨＩＴＥＧＲＥＥＮ）、ベイシックブル−２０、ダイアモンドグリ−ン（保土ヶ谷化学（株）製アイゼン（登録商標）ＤＩＡＭＯＮＤＧＲＥＥＮＧＨ）が挙げられる。
上記着色物質を含有する場合の添加量は、感光性樹脂組成物中に０.００１〜１質量％含むことが好ましい。０.００１質量％以上の含量では、取扱い性向上という効果があり、１質量％以下の含量では、保存安定性を維持するという効果がある。 In order to improve the handleability of the photosensitive resin composition in the present invention, the following coloring substances can be added in addition to the above-mentioned (d) leuco dye. Examples of such coloring substances include fuchsin, phthalocyanine green, olamine base, paramadienta, crystal violet, methyl orange, Nile Bull-2B, Victoria Bull, Malachite Green (Eisen (Hodogaya Chemical Co., Ltd.) (Registered trademark) MALACHITE GREEN), Basic Bull-20, and diamond green (Eizen (registered trademark) DIAMOND GREEN GH manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.).
It is preferable that the addition amount in the case of containing the said coloring substance is contained 0.001 to 1 mass% in the photosensitive resin composition. A content of 0.001% by mass or more has an effect of improving handleability, and a content of 1% by mass or less has an effect of maintaining storage stability.

また本発明における感光性樹脂組成物の熱安定性、保存安定性を向上させるために、感光性樹脂組成物に安定剤を入れることも可能である。このような安定剤としては、例えばｐ−メトキシフェノール、ハイドロキノン、ピロガロール、ナフチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、塩化第一銅、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、２，２’−メチレンビス（４−エチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、ジフェニルニトロソアミンが挙げられる。また、ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、１−（２−ジアルキルアミノ）カルボキシベンゾトリアゾール、ペンタエリスリトール−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルプロピオン酸テトラエステルも挙げられる。
上記安定剤を含有する場合の添加量は、感光性樹脂組成物中に０.０１〜３質量％含むことが好ましく、より好ましくは０.０５〜１質量％である。０.０１質量％以上の含量では、感光性樹脂組成物に保存安定性を付与するという効果があり、３質量％以下の含量では、感度を維持するという効果がある。 In order to improve the thermal stability and storage stability of the photosensitive resin composition in the present invention, a stabilizer may be added to the photosensitive resin composition. Examples of such stabilizers include p-methoxyphenol, hydroquinone, pyrogallol, naphthylamine, tert-butylcatechol, cuprous chloride, 2,6-di-tert-butyl-p-cresol, 2,2′-methylenebis. (4-ethyl-6-tert-butylphenol), 2,2′-methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenol), diphenylnitrosamine. Also included are benzotriazole, carboxybenzotriazole, 1- (2-dialkylamino) carboxybenzotriazole, pentaerythritol-3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenylpropionic acid tetraester.
When the stabilizer is contained, the addition amount is preferably included in the photosensitive resin composition in an amount of 0.01 to 3% by mass, more preferably 0.05 to 1% by mass. A content of 0.01% by mass or more has an effect of imparting storage stability to the photosensitive resin composition, and a content of 3% by mass or less has an effect of maintaining sensitivity.

さらに本発明の感光性樹脂組成物には、必要に応じて可塑剤を含有させることも可能である。可塑剤としては、フタル酸エステル類、例えばジエチルフタレート、ｏ−トルエンスルホン酸アミド、ｐ−トルエンスルホン酸アミド、クエン酸トリブチル、クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリ−ｎ−プロピル、アセチルクエン酸トリ−ｎ−ブチル、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコールアルキルエーテル、ポリプロピレングリコールアルキルエーテルが挙げられる。上記可塑剤を含有する場合の添加量は、感光性樹脂組成物中に５〜５０質量％含むことが好ましく、より好ましくは５〜３０質量％である。５０質量％以下の含量では、現像時間の遅延を抑制し、硬化膜に柔軟性を付与するという効果がある。また５質量％以上の含量では、硬化不足やコールドフローを抑制するという効果がある。 Furthermore, the photosensitive resin composition of the present invention can contain a plasticizer as necessary. Plasticizers include phthalates such as diethyl phthalate, o-toluenesulfonic acid amide, p-toluenesulfonic acid amide, tributyl citrate, triethyl citrate, acetyl triethyl citrate, acetyl citrate tri-n-propyl, Examples include tri-n-butyl acetyl citrate, polypropylene glycol, polyethylene glycol, polyethylene glycol alkyl ether, and polypropylene glycol alkyl ether. The addition amount in the case of containing the plasticizer is preferably 5 to 50% by mass, more preferably 5 to 30% by mass in the photosensitive resin composition. When the content is 50% by mass or less, there is an effect of suppressing the delay of the development time and imparting flexibility to the cured film. Further, when the content is 5% by mass or more, there is an effect of suppressing insufficient curing and cold flow.

＜感光性樹脂積層体＞
本発明の感光性樹脂積層体は、感光性樹脂層とその層を支持する基材フィルムからなる支持体からなるが、必要により感光性樹脂層の支持体と反対側の表面に保護層を有しても良い。ここで用いられる基材フィルムとしては、露光光源から放射される光を透過する透明なものが望ましい。このような基材フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、塩化ビニリデン共重合フィルム、ポリメタクリル酸メチル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリアクリロニトリルフィルム、スチレン共重合体フィルム、ポリアミドフィルム、セルロース誘導体フィルムが挙げられる。これらのフィルムは、必要に応じて延伸されたものも使用可能である。ヘーズは５以下のものが好ましい。フィルムの厚みは、薄い方が画像形成性及び経済性の面で有利であるが、強度を維持する必要から１０〜３０μｍのものが好ましく用いられる。 <Photosensitive resin laminate>
The photosensitive resin laminate of the present invention comprises a support composed of a photosensitive resin layer and a base film that supports the layer, and if necessary, has a protective layer on the surface opposite the support of the photosensitive resin layer. You may do it. The substrate film used here is preferably a transparent film that transmits light emitted from the exposure light source. Examples of such a base film include a polyethylene terephthalate film, a polyvinyl alcohol film, a polyvinyl chloride film, a vinyl chloride copolymer film, a polyvinylidene chloride film, a vinylidene chloride copolymer film, and a polymethyl methacrylate copolymer film. , Polystyrene film, polyacrylonitrile film, styrene copolymer film, polyamide film, and cellulose derivative film. These films can be stretched if necessary. The haze is preferably 5 or less. The thinner the film, the more advantageous in terms of image forming property and economic efficiency, but a film having a thickness of 10 to 30 μm is preferably used in order to maintain the strength.

また感光性樹脂積層体に用いられる保護層の重要な特性は、感光性樹脂層との密着力について支持体よりも保護層の方が充分小さく、容易に剥離できることである。例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムが保護層として好ましく使用できる。また特開昭５９−２０２４５７号公報に示された剥離性の優れたフィルムを用いることができる。保護層の膜厚は１０〜１００μｍが好ましく、１０〜５０μｍがより好ましい。
本発明の感光性樹脂積層体における感光性樹脂層の厚みは、用途において異なるが、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは７〜６０μｍであり、薄いほど解像度は向上し、また厚いほど膜強度が向上する。 An important characteristic of the protective layer used in the photosensitive resin laminate is that the protective layer is sufficiently smaller than the support in terms of adhesion to the photosensitive resin layer and can be easily peeled off. For example, a polyethylene film or a polypropylene film can be preferably used as the protective layer. A film having excellent peelability disclosed in JP-A-59-202457 can be used. The thickness of the protective layer is preferably 10 to 100 μm, and more preferably 10 to 50 μm.
Although the thickness of the photosensitive resin layer in the photosensitive resin laminate of the present invention varies depending on the application, it is preferably 5 to 100 μm, more preferably 7 to 60 μm. The thinner the resolution, the higher the resolution, and the thicker the film strength. improves.

支持体、感光性樹脂層、及び必要により保護層を順次積層して、本発明の感光性樹脂積層体を作成する方法は、従来知られている方法を採用することができる。例えば感光性樹脂層に用いる感光性樹脂組成物を、これらを溶解する溶剤と混ぜ合わせ均一な溶液にし、まず支持体上にバーコーターやロールコーターを用いて塗布して乾燥し、支持体上に感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する。次いで必要により、感光性樹脂層上に保護層をラミネートすることにより感光性樹脂積層体を作成することができる。
上記溶剤としては、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）に代表されるケトン類、並びにメタノール、エタノール及びイソプロパノールに代表されるアルコール類が挙げられる。支持体上に塗布する感光性樹脂組成物の溶液の粘度が、２５℃で５００〜４０００ｍＰａ・ｓとなるように感光性樹脂組成物に添加することが好ましい。 A conventionally known method can be employed as a method for sequentially laminating a support, a photosensitive resin layer, and if necessary, a protective layer to produce the photosensitive resin laminate of the present invention. For example, the photosensitive resin composition used for the photosensitive resin layer is mixed with a solvent that dissolves them to form a uniform solution. First, it is coated on a support using a bar coater or roll coater, and then dried. A photosensitive resin layer made of a photosensitive resin composition is laminated. Next, if necessary, a photosensitive resin laminate can be prepared by laminating a protective layer on the photosensitive resin layer.
Examples of the solvent include ketones represented by methyl ethyl ketone (MEK), and alcohols represented by methanol, ethanol, and isopropanol. It is preferable to add to the photosensitive resin composition so that the viscosity of the solution of the photosensitive resin composition applied on the support is 500 to 4000 mPa · s at 25 ° C.

＜レジストパターン形成方法＞
本発明の感光性樹脂積層体を用いたレジストパターンは、積層工程、露光工程、及び現像工程を含む工程によって形成することができる。具体的な方法の一例を示す。
基板としては、プリント配線板製造目的の場合には銅張積層板が、また凹凸基材の製造目的にはガラスリブペーストを塗布したガラス基板、例えば、プラズマディスプレイパネル用基板や表面電解ディスプレイ基板、有機ＥＬ封止キャップ用基板や、貫通孔を形成したシリコーンウエハー及びセラミック基板が挙げられる。プラズマディスプレイ用基板とは、ガラス上に電極を形成後、誘電体層を塗布し、次いで隔壁用ガラスペーストを塗布し、隔壁用ガラスペースト部分にサンドブラスト加工を施し隔壁を形成した基板である。これら基板についてサンドブラスト工程を経たものが、凹凸基材となる。
まずラミネーターを用いて積層工程を行う。感光性樹脂積層体が保護層を有する場合には保護層を剥離した後、ラミネーターで感光性樹脂層を基板表面に加熱圧着し積層する。この場合、感光性樹脂層は基板表面の片面だけに積層しても良いし、両面に積層しても良い。この時の加熱温度は一般的に４０〜１６０℃である。また該加熱圧着は二回以上行うことにより密着性及び耐薬品性が向上する。この時、圧着は二連のロールを備えた二段式ラミネーターを使用しても良いし、何回か繰り返してロールに通し圧着しても良い。 <Resist pattern formation method>
A resist pattern using the photosensitive resin laminate of the present invention can be formed by a process including a lamination process, an exposure process, and a development process. An example of a specific method is shown.
As the substrate, a copper-clad laminate for the purpose of producing a printed wiring board, and a glass substrate coated with a glass rib paste for the purpose of producing an uneven substrate, for example, a plasma display panel substrate or a surface electrolytic display substrate, Examples include an organic EL sealing cap substrate, a silicone wafer having a through hole, and a ceramic substrate. The plasma display substrate is a substrate in which an electrode is formed on glass, a dielectric layer is applied, a partition wall glass paste is then applied, and a partition wall glass paste portion is subjected to sandblasting to form a partition wall. What passed through the sandblasting process for these substrates becomes an uneven substrate.
First, a laminating process is performed using a laminator. In the case where the photosensitive resin laminate has a protective layer, the protective layer is peeled off, and then the photosensitive resin layer is heat-pressed and laminated on the substrate surface with a laminator. In this case, the photosensitive resin layer may be laminated only on one side of the substrate surface or on both sides. The heating temperature at this time is generally 40 to 160 ° C. In addition, adhesion and chemical resistance are improved by performing the thermocompression bonding twice or more. At this time, for the crimping, a two-stage laminator having two rolls may be used, or it may be repeatedly crimped through the roll several times.

次に露光機を用いて露光工程を行う。必要ならば支持体を剥離し、フォトマスクを通して活性光により露光する。露光量は、光源照度及び露光時間により決定される。光量計を用いて測定しても良い。また露光工程において、直接描画露光方法を用いてもよい。直接描画露光はフォトマスクを使用せず、基板上に直接描画して露光する。光源としては例えば、波長３５０〜４１０ｎｍの半導体レーザーや超高圧水銀灯が用いられる。描画パターンはコンピューターによって制御され、この場合の露光量は光源照度および基板の移動速度によって決定される。 Next, an exposure process is performed using an exposure machine. If necessary, the support is peeled off and exposed to active light through a photomask. The exposure amount is determined by the light source illuminance and the exposure time. You may measure using a photometer. In the exposure process, a direct drawing exposure method may be used. In direct drawing exposure, exposure is performed by directly drawing on a substrate without using a photomask. As the light source, for example, a semiconductor laser having a wavelength of 350 to 410 nm or an ultrahigh pressure mercury lamp is used. The drawing pattern is controlled by a computer, and the exposure amount in this case is determined by the light source illuminance and the moving speed of the substrate.

次に現像装置を用いて現像工程を行う。露光後、感光性樹脂層上に支持体がある場合には、必要に応じてこれを除き、続いてアルカリ水溶液の現像液を用いて未露光部を現像除去し、レジストパターンを得る。アルカリ水溶液としては、Ｎａ_２ＣＯ_３又はＫ_２ＣＯ_３の水溶液を用いる。これらは感光性樹脂層の特性に合わせて選択されるが、０.２〜２質量％の濃度、２０〜４０℃のＮａ_２ＣＯ_３水溶液が一般的である。該アルカリ水溶液中には、表面活性剤、消泡剤、現像を促進させるための少量の有機溶剤を混入させてもよい。
上述の工程によってレジストパターンが得られるが、場合によっては、さらに１００〜３００℃の加熱工程を行うこともできる。この加熱工程を実施することにより、更なる耐薬品性向上が可能となる。加熱には熱風、赤外線、遠赤外線の方式の加熱炉を用いる。 Next, a developing process is performed using a developing device. After exposure, when there is a support on the photosensitive resin layer, this is removed as necessary, and then the unexposed portion is developed and removed using a developer of an alkaline aqueous solution to obtain a resist pattern. As the alkaline aqueous solution, an aqueous solution of Na ₂ CO ₃ or K ₂ CO ₃ is used. These are selected in accordance with the characteristics of the photosensitive resin layer, and a Na ₂ CO ₃ aqueous solution having a concentration of 0.2 to 2% by mass and 20 to 40 ° C. is generally used. A surface active agent, an antifoaming agent, and a small amount of an organic solvent for accelerating development may be mixed in the alkaline aqueous solution.
Although a resist pattern is obtained by the above-mentioned process, a heating process at 100 to 300 ° C. can be further performed depending on the case. By carrying out this heating step, chemical resistance can be further improved. A hot air, infrared, or far infrared heating furnace is used for heating.

＜導体パターンの製造方法・プリント配線板の製造方法＞
本発明のプリント配線板の製造方法は、基板として銅張積層板やフレキシブル基板を用いた上述のレジストパターン形成方法に続いて、以下の工程を経ることで行われる。
まず現像により露出した基板の銅面をエッチング法、またはめっき法といった既知の方法を用いて導体パターンを形成する。
その後、レジストパターンを現像液よりも強いアルカリ性を有する水溶液により基板から剥離して所望のプリント配線板を得る。剥離用のアルカリ水溶液（以下、「剥離液」ともいう。）についても特に制限はないが、濃度２〜５質量％、温度４０〜７０℃のＮａＯＨ、ＫＯＨの水溶液が一般的に用いられる。剥離液にも、少量の水溶性溶媒を加える事は可能である。 <Conductor Pattern Manufacturing Method / Printed Wiring Board Manufacturing Method>
The method for producing a printed wiring board according to the present invention is performed through the following steps following the above-described resist pattern forming method using a copper clad laminate or a flexible substrate as a substrate.
First, a conductive pattern is formed on the copper surface of the substrate exposed by development using a known method such as etching or plating.
Thereafter, the resist pattern is peeled from the substrate with an aqueous solution having alkalinity stronger than that of the developer to obtain a desired printed wiring board. The alkaline aqueous solution for peeling (hereinafter also referred to as “peeling solution”) is not particularly limited, but an aqueous solution of NaOH or KOH having a concentration of 2 to 5 mass% and a temperature of 40 to 70 ° C. is generally used. It is possible to add a small amount of a water-soluble solvent to the stripping solution.

＜リードフレームの製造方法＞
本発明のリードフレームの製造方法は、基板として金属板、例えば、銅、銅合金、鉄系合金を用いた上述のレジストパターンの形成方法に続いて、以下の工程を経ることで行われる。
まず現像により露出した基板をエッチングして導体パターンを形成する。その後、レジストパターンを上述のプリント配線板の製造方法と同様の方法で剥離して、所望のリードフレームを得る。 <Lead frame manufacturing method>
The lead frame manufacturing method of the present invention is performed through the following steps following the above-described resist pattern forming method using a metal plate such as copper, a copper alloy, or an iron-based alloy as a substrate.
First, the substrate exposed by development is etched to form a conductor pattern. Thereafter, the resist pattern is peeled off by a method similar to the method for manufacturing a printed wiring board described above to obtain a desired lead frame.

＜半導体パッケージの製造方法＞
本発明の半導体パッケージの製造方法は、基板としてＬＳＩとしての回路形成が終了したウェハを用いた上述のレジストパターンの形成方法に続いて、以下の工程を経ることで行われる。
まず、現像により露出した開口部に、銅やはんだによる柱状のめっきを施して、導体パターンを形成する。その後、レジストパターンを上述のプリント配線板の製造方法と同様の方法で剥離し、更に、柱状めっき以外の部分の薄い金属層をエッチングにより除去することで所望の半導体パッケージを得る。 <Semiconductor package manufacturing method>
The semiconductor package manufacturing method of the present invention is performed by performing the following steps following the above-described resist pattern forming method using a wafer on which a circuit as an LSI has been formed as a substrate.
First, the opening exposed by development is subjected to columnar plating with copper or solder to form a conductor pattern. Thereafter, the resist pattern is peeled off by the same method as the above-described printed wiring board manufacturing method, and a thin metal layer other than the columnar plating is removed by etching to obtain a desired semiconductor package.

＜凹凸パターンを有する基材の製造方法＞
本発明の感光性樹脂積層体をドライフィルムレジストとして用いてサンドブラスト工法により基板に加工を施す場合には、基板としてガラスリブペーストを塗布したガラス基板を用い、基板上に前記した方法と同様な方法で、感光性樹脂積層体をラミネートし、露光、現像を施す。更に形成されたレジストパターン上からブラスト材を吹き付け、目的の深さに切削するサンドブラスト処理工程、基材上に残存した樹脂部分をアルカリ剥離液で基材から除去する剥離工程を経て、基材上に微細な凹凸パターンを加工することができる。前記サンドブラスト処理工程に用いるブラスト材は公知のものが用いられ、例えば、ＳｉＯ，ＳｉＯ_２、Ａl_２Ｏ_３、ＣａＣＯ_３、ＺｒＯ、ガラス、ステンレスを材質とした、２〜１００μｍ程度の微粒子が用いられる。
以下、実施例により本発明の実施形態の例を詳しく説明する。 <Manufacturing method of a substrate having an uneven pattern>
When the photosensitive resin laminate of the present invention is used as a dry film resist to process a substrate by a sandblasting method, a glass substrate coated with a glass rib paste is used as the substrate, and the same method as described above on the substrate Then, the photosensitive resin laminate is laminated, exposed and developed. Further, after the blast material is sprayed from the formed resist pattern and cut to the desired depth, the resin portion remaining on the base material is removed from the base material with an alkaline stripping solution, and then on the base material. A fine uneven pattern can be processed. As the blasting material used in the sandblasting process, known materials are used. For example, fine particles of about 2 to 100 μm made of SiO, SiO ₂ , Al ₂ O ₃ , CaCO ₃ , ZrO, glass, stainless steel are used. .
Hereinafter, examples of embodiments of the present invention will be described in detail by way of examples.

１．評価用サンプルの作製
実施例、及び比較例における感光性樹脂積層体は次の様にして作製した。
＜感光性樹脂積層体の作製＞
表１に示す化合物を用意し、表２に示す組成割合の感光性樹脂組成物をよく攪拌、混合し、支持体として１９μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムの表面にバーコーターを用いて均一に塗布し、９５℃の乾燥機中で４分間乾燥して感光性樹脂層を形成した。感光性樹脂層の厚みは４０μｍであった。
次いで、感光性樹脂層のポリエチレンテレフタレートフィルムを積層していない表面上に、保護層として２３μｍ厚のポリエチレンフィルムを張り合わせて感光性樹脂積層体を得た。
なお表２におけるＰ−１、Ｐ−２、Ｕ−１の質量部は、メチルエチルケトンを含んだ値である。 1. Production of Evaluation Samples The photosensitive resin laminates in Examples and Comparative Examples were produced as follows.
<Preparation of photosensitive resin laminate>
Prepare the compounds shown in Table 1, thoroughly stir and mix the photosensitive resin composition with the composition ratio shown in Table 2, and apply uniformly to the surface of a 19 μm thick polyethylene terephthalate film as a support using a bar coater. The photosensitive resin layer was formed by drying for 4 minutes in a dryer at 95 ° C. The thickness of the photosensitive resin layer was 40 μm.
Next, a 23 μm thick polyethylene film was laminated as a protective layer on the surface of the photosensitive resin layer on which the polyethylene terephthalate film was not laminated to obtain a photosensitive resin laminate.
In Table 2, the mass parts of P-1, P-2 and U-1 are values including methyl ethyl ketone.

＜サンドブラスト用基板の準備＞
基板は、以下の方法で作製したガラスリブペーストを塗布したソーダガラス基板を用いた。３ｍｍ厚みのソーダガラス基板上に、プラズマディスプレイ用ガラスリブペーストをガラスリブペーストの乾燥後の厚みが１５０μｍとなるようにソーダガラス上にスクリーン印刷法で塗布、乾燥し、ガラスリブペースト塗工済みソーダガラス基板を作製した。 <Preparation of substrate for sandblasting>
As the substrate, a soda glass substrate coated with a glass rib paste produced by the following method was used. A glass rib paste for plasma display is applied on soda glass by a screen printing method so that the thickness after drying of the glass rib paste is 150 μm on a 3 mm thick soda glass substrate, dried, and soda coated with glass rib paste. A glass substrate was produced.

＜銅張積層板の整面＞
３５μｍ圧延銅箔を積層した１.６ｍｍ厚の銅張積層板を用い、表面を湿式バフロール研磨（スリーエム（株）製、スコッチブライト（登録商標）ＨＤ＃６００、２回通し）した。 <Smoothing of copper-clad laminate>
A 1.6 mm thick copper clad laminate on which 35 μm rolled copper foil was laminated was used, and the surface was subjected to wet buffalo polishing (manufactured by 3M, Scotch Bright (registered trademark) HD # 600, twice).

＜ラミネート＞
感光性樹脂積層体のポリエチレンフィルムを剥がしながら、６０℃に予熱した基板、銅張積層板にホットロールラミネーター（旭化成（株）社製、ＡＬ−７０）により、ロール温度１０５℃でラミネートした。エアー圧力は０.３５ＭＰａとし、ラミネート速度は１.５ｍ／ｍｉｎとした。 <Laminate>
While peeling the polyethylene film of the photosensitive resin laminate, it was laminated at a roll temperature of 105 ° C. with a hot roll laminator (AL-70, manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.) on a substrate preheated to 60 ° C. and a copper-clad laminate. The air pressure was 0.35 MPa, and the laminating speed was 1.5 m / min.

＜露光：一括露光方法＞
感光性樹脂層の評価に必要なマスクフィルムを、サンドブラスト用基板にラミネートした感光性樹脂積層体の支持体であるポリエチレンテレフタレートフィルム上におき、超高圧水銀ランプ（オーク製作所製、ＨＭＷ−８０１）により１６０ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で露光した。 <Exposure: Batch exposure method>
A mask film necessary for the evaluation of the photosensitive resin layer is placed on a polyethylene terephthalate film which is a support of a photosensitive resin laminate laminated on a sandblasting substrate, and an ultrahigh pressure mercury lamp (OMW Seisakusho, HMW-801) is used. It exposed with the exposure amount of 160 mJ / cm < ² >.

＜露光：直接描画方法＞
銅張積層板にラミネートした感光性樹脂積層体を、直接描画式露光装置（日立ビアメカニクス（株）製、ＤＩ露光機ＤＥ−１ＡＨ、光源：ＧａＮ青紫ダイオード、主波長４０７±３ｎｍ）により８０ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で露光した。 <Exposure: Direct drawing method>
A photosensitive resin laminate laminated on a copper-clad laminate is 80 mJ / with a direct drawing type exposure apparatus (manufactured by Hitachi Via Mechanics Co., Ltd., DI exposure machine DE-1AH, light source: GaN blue-violet diode, main wavelength 407 ± 3 nm). It was exposed at an exposure amount of cm ^2.

＜現像＞
ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、アルカリ現像機（フジ機工製、ドライフィルム用現像機）を用いて３０℃の１質量％Ｎａ_２ＣＯ_３水溶液を所定時間スプレーし、感光性樹脂層の未露光部分を最小現像時間の２倍の時間で溶解除去した。この際、未露光部分の感光性樹脂層が完全に溶解するのに要する最も少ない時間を最小現像時間とした。 <Development>
After the polyethylene terephthalate film is peeled off, a 1 mass% Na ₂ CO ₃ aqueous solution at 30 ° C. is sprayed for a predetermined time using an alkali developing machine (produced by Fuji Kiko Co., Ltd., a dry film developing machine), and an unexposed portion of the photosensitive resin layer Was removed by dissolution in a time twice as long as the minimum development time. At this time, the minimum time required for completely dissolving the photosensitive resin layer in the unexposed portion was defined as the minimum development time.

＜サンドブラスト＞
サンドブラスト用基板上に形成されたレジストパターンに対し、Ｘハイパーブラスト装置ＨＣＨ−３Ｘ７ＢＢＡＲＴ−４１１Ｍ（不二製作所（株）製）を用いて、サンドブラスト加工を施した。研磨剤にＳ９＃１２００（不二製作所（株）製）を使用し、ホース内圧０.０８ＭＰａ、ガン移動速度２０ｍ／ｍｉｎ.、コンベア移動速度１００ｍ／ｍｉｎ.、研磨剤噴射量５００ｇ／ｍｉｎ.とした。 <Sandblast>
The resist pattern formed on the sandblasting substrate was subjected to sandblasting using an X hyperblasting apparatus HCH-3X7BBART-411M (Fuji Seisakusho Co., Ltd.). S9 # 1200 (Fuji Seisakusho Co., Ltd.) was used as the abrasive, the hose internal pressure was 0.08 MPa, the gun moving speed was 20 m / min., The conveyor moving speed was 100 m / min., And the abrasive spray amount was 500 g / min. did.

２．評価方法
（１）露光直後のコントラスト評価法
感光性樹脂層を露光してから３０秒後に未露光部と露光部の感光性樹脂層を測色色差計（日本電色株式会社製Σ８０）により色差ΔＥを測定した。
露光直後のコントラストは、以下のようにランク分けした。 2. Evaluation Method (1) Contrast Evaluation Method Immediately after Exposure 30 seconds after exposure of the photosensitive resin layer, the color difference between the unexposed and exposed photosensitive resin layers is measured with a colorimetric color difference meter (Σ80 manufactured by Nippon Denshoku Co., Ltd.) ΔE was measured.
The contrast immediately after exposure was ranked as follows.

＜一括露光方法の場合＞
○ ：ΔＥが６０以上
× ：ΔＥが６０未満 <Batch exposure method>
○: ΔE is 60 or more ×: ΔE is less than 60

＜直接描画方法の場合＞
○ ：ΔＥが２以上
× ：ΔＥが２未満 <Direct drawing method>
○: ΔE is 2 or more ×: ΔE is less than 2

（２）耐サンドブラスト密着性
上記＜露光＞の際に、露光部と未露光部の幅が１：２の比率のラインパターンを有するフォトマスクを通して、上記方法により露光し、現像した。次いで、サンドブラスト加工を行い、硬化レジストラインが欠けたり剥がれたりせずに正常に形成されている最小マスク幅を耐サンドブラスト密着性の値とした。この耐サンドブラスト密着性により次の様にランク分けした。
○ ：８０μｍ以下
△ ：８０μｍを越え１００μｍ以下
× ：１００μｍを越える (2) Resistance to Sandblast Resistance In the above <exposure>, exposure and development were performed by the above method through a photomask having a line pattern in which the width of the exposed area and the unexposed area was 1: 2. Next, sandblasting was performed, and the minimum mask width that was normally formed without the cured resist line being chipped or peeled off was taken as the value of the sandblast resistance. The sandblast resistant adhesion was ranked as follows.
○: 80 μm or less Δ: Over 80 μm and 100 μm or less X: Over 100 μm

３．評価結果
実施例、及び比較例の評価結果は表１に示した。
3. Evaluation Results The evaluation results of the examples and comparative examples are shown in Table 1.

本発明は、プリント配線板の製造、ＩＣチップ搭載用リードフレーム製造、メタルマスク製造に代表される金属箔精密加工、ＢＧＡ、又はＣＳＰに代表されるパッケージの製造、ＣＯＦやＴＡＢに代表されるテープ基板の製造、半導体バンプの製造、ＩＴＯ電極やアドレス電極、電磁波シールドに代表されるフラットパネルディスプレイの隔壁の製造、及びサンドブラスト工法によって凹凸パターンを有する基材を製造する方法に利用することができる。 The present invention relates to the manufacture of printed wiring boards, the manufacture of lead frames for mounting IC chips, the precision processing of metal foils typified by metal mask manufacturing, the manufacture of packages typified by BGA or CSP, and the tapes typified by COF and TAB. It can be used for the production of a substrate, the production of a semiconductor bump, the production of an ITO electrode, an address electrode, a partition of a flat panel display typified by an electromagnetic wave shield, and a method of producing a substrate having a concavo-convex pattern by a sandblasting method.

Claims

(A) Alkali-soluble polymer containing carboxylic acid, having an acid equivalent of 100 to 600 and a weight average molecular weight of 5,000 to 500,000: 20 to 80% by mass, (b) ethylenically unsaturated addition polymerization Monomer: 5 to 60% by mass, (c) photopolymerization initiator: 0.1 to 20% by mass, (d) leuco dye: 0.1 to 10% by mass , and (e) (A) a hydroxyl group at the terminal. Reaction of a compound having both (C) a functional group having active hydrogen and ethylenically unsaturated bond in the molecule with respect to the terminal isocyanate group of polyurethane obtained by addition polymerization of the polymer or monomer having (B) polyisocyanate The urethane prepolymer obtained by allowing the polymer or monomer having a hydroxyl group at the terminal (A) to be composed of compounds represented by the following general formulas (III) and (IV) Ri 1 is a or more compounds urethane prepolymer selected: a photosensitive resin composition containing 10 to 70 wt%, with (b) the following general formula as ethylenically unsaturated addition polymerizable monomer (I) A photosensitive resin composition comprising a compound represented by formula (c) and a 2,4,5-triarylimidazole dimer represented by the following general formula (II) as a photopolymerization initiator: object.
(Wherein R ₁ is H or CH ₃ , and A and B are C ₂ H ₄ or C ₃ H ₆ , which are different from each other. — (A—O) — and — (B The structure composed of the repeating unit of —O) — may be composed of random or block, a and b are integers selected from 0 to 5, and a + b is 1 or more. .)
(Wherein R ₂ , R ₃ , and R ₄ each independently represents a group selected from the group consisting of hydrogen, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and an alkoxy group, and a halogen group; d and e are each independently an integer of 1 to 5.)
(In the formula, R ₅ represents a tetramethylene group, R ₆ represents a propylene group, and R ₇ represents an ethylene group. F is an integer of 2 to 100, and g and h are integers of 0 to 100. The structure composed of repeating units of — (R ₅ —O) —, — (R ₆ —O) —, and — (R ₇ —O) — may be composed of random or block. It may be a structure of a combination thereof.)
(In the formula, R ₉ represents a tetramethylene group, R ₈ and R ₁₀ each independently represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms. I, j, and k each independently represent 1 or more and 100. represents an integer less than or equal _{.- (R 8 -CO) -,} - (R 9 -O) -, and - _(CO- R 10 -O)
A structure composed of a repeating unit of − is composed of blocks. )

Said polymer or monomer having a hydroxyl group in (A) ends, to claim 1, characterized in that at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by the following general formula (V) ~ (VIII) The photosensitive resin composition as described.
(In the formula, l is an integer of 2 or more and 100 or less.)
(In the formula, m and o are each independently an integer of 1 to 100, and n is an integer of 2 to 100. The structure composed of repeating units of tetramethylene oxide and propylene oxide is random. (It may be composed of blocks or blocks.)
(Wherein p, q, r and s are each independently an integer of 1 or more and 100 or less, and x = 1. The tetramethylene oxide part of x and a repeating unit of ethylene oxide are included. The structure is composed randomly, and the structure composed of repeating units of polyethylene oxide at both ends is composed of blocks.)
(In the formula, t, u, and v are each independently an integer of 1 to 100. The structure composed of tetramethylene oxide and a repeating unit of a glycol moiety modified with polycaprolactone is composed of blocks. .)

The photosensitive resin laminated body which laminated | stacked the layer which consists of the photosensitive resin composition of Claim 1 or 2 on the support body which consists of a base film.

A method for forming a resist pattern, comprising: laminating a photosensitive resin layer on a substrate using the photosensitive resin laminate according to claim 3 , exposing and developing.

The resist pattern forming method according to claim 4 , wherein in the exposure step, direct drawing is performed.

A concavo-convex pattern characterized by using a glass substrate coated with a glass rib paste as a substrate, processing the substrate on which a resist pattern is formed by the method according to claim 4 or 5 by a sandblasting method, and peeling the resist pattern. The manufacturing method of the base material which has.

A method for producing a conductor pattern, comprising using a metal plate or a metal-coated insulating plate as a substrate, and etching or plating the substrate on which a resist pattern is formed by the method according to claim 4 or 5 .

A method for producing a printed wiring board, comprising using a metal-coated insulating plate as a substrate, etching or plating a substrate on which a resist pattern is formed by the method according to claim 4 or 5 , and peeling the resist pattern.

A metal plate used as a substrate, the substrate formed with the resist pattern by a method according to claim 4 or 5, and an etching method for manufacturing a lead frame, characterized in that the resist pattern is peeled off.

The wafer having circuits formed is finished as LSI as the substrate, the substrate formed with the resist pattern by a method according to claim 4 or 5, and plating, a method of manufacturing a semiconductor package, characterized in that the resist pattern is peeled off .