KR101175079B1 - Method for producing cured resist using negative photosensitive resin laminate, negative photosensitive resin laminate, and use of negative photosensitive resin laminate - Google Patents

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Abstract

현상 후에 밀착성 및 해상성이 우수한 레지스트 패턴 그리고 우수한 레지스트 형상을 가져오는, 레지스트 경화물의 제조 방법, 네거티브형 감광성 수지 적층체, 및 네거티브형 감광성 수지 적층체의 사용 방법을 제공한다. 본 발명에 관련된 레지스트 경화물의 제조 방법은, 적어도 지지체 (A) 와 네거티브형 감광성 수지층 (B) 와 기판 (C) 가 적층되어 이루어지는 네거티브형 감광성 수지 적층체를 형성하는 적층체 형성 공정과, 포토마스크의 이미지를 투영시킨 광을 사용하여 렌즈를 통해 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 노광하는 노광 공정과, 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 미노광부를 현상 제거함으로써, 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 경화부로 이루어지는 레지스트 경화물을 형성하는 현상 공정을 포함하고, 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 25 % 이상 50 % 이하인 레지스트 경화물의 제조 방법이다. Provided are a method for producing a cured resist, a negative photosensitive resin laminate, and a negative photosensitive resin laminate, which provide a resist pattern having excellent adhesion and resolution and good resist shape after development. The manufacturing method of the resist hardened | cured material which concerns on this invention is a laminated body formation process of forming the negative photosensitive resin laminated body by which the support body (A), negative photosensitive resin layer (B), and the board | substrate (C) are laminated | stacked at least, The negative photosensitive property by developing and exposing the negative photosensitive resin layer (B) through the lens using the light which projected the image of the mask, and developing the unexposed part of the negative photosensitive resin layer (B). The manufacturing method of forming the resist hardened | cured material which consists of hardened parts of a resin layer (B), The light-transmittance in wavelength 365nm of this negative photosensitive resin layer (B) is 25%-50% or less The manufacturing method of the hardened | cured material to be.

Description

네거티브형 감광성 수지 적층체를 사용한 레지스트 경화물의 제조 방법, 네거티브형 감광성 수지 적층체, 및 네거티브형 감광성 수지 적층체의 사용 방법 {METHOD FOR PRODUCING CURED RESIST USING NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN LAMINATE, NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN LAMINATE, AND USE OF NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN LAMINATE}METHOD FOR PRODUCING CURED RESIST USING NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN LAMINATE, NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN LAMINATE, AND USE USE OF NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN LAMINATE}

본 발명은 네거티브형 감광성 수지층을 갖는 네거티브형 감광성 수지 적층체를 사용하는 것, 그리고 그 네거티브형 감광성 수지층에 노광하는 것을 포함하는 레지스트 경화물의 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 프린트 회로 (배선) 판, 리드 프레임, 반도체 패키지 등의 제조에 적합한 네거티브형 감광성 수지층을 갖는 네거티브형 감광성 수지 적층체를 사용하여 레지스트 경화물을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한, i 선 단색 노광용 네거티브형 감광성 수지층을 갖는 네거티브형 감광성 수지 적층체, 및 네거티브형 감광성 수지 적층체의 사용 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 프린트 회로 (배선) 판, 리드 프레임, 반도체 패키지 등의 제조에 적합한 알칼리 현상할 수 있는 i 선 단색 노광용 네거티브형 감광성 수지층을 갖는 네거티브형 감광성 수지 적층체 및 네거티브형 감광성 수지 적층체의 사용 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a cured resist comprising using a negative photosensitive resin laminate having a negative photosensitive resin layer and exposing the negative photosensitive resin layer. More specifically, the present invention relates to a method for producing a cured resist using a negative photosensitive resin laminate having a negative photosensitive resin layer suitable for manufacturing printed circuit (wiring) plates, lead frames, semiconductor packages and the like. will be. This invention also relates to the negative photosensitive resin laminated body which has a negative photosensitive resin layer for i line | wire monochromatic exposure, and the method of using a negative photosensitive resin laminated body. More specifically, the present invention provides a negative photosensitive resin laminate and a negative type having a negative photosensitive resin layer for i developable single-line monochrome exposure, which is suitable for manufacturing printed circuit (wiring) plates, lead frames, semiconductor packages and the like. It relates to a method of using the photosensitive resin laminate.

종래 프린트 배선판은 포토리소그래피법에 의해 제조되었다. 포토리소그래피법이란 감광성 수지 조성물의 광 반응을 이용하여 패턴을 형성하는 방법이다. 네거티브형 감광성 수지 조성물을 사용하는 경우, 그 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하여 감광성 수지층을 형성한 후에 패턴 노광하여 그 감광성 수지 조성물의 노광부를 중합 경화시키고, 미노광부를 현상액으로 제거하여 기판 상에 레지스트 패턴을 형성하고, 에칭 또는 도금 처리를 실시하여 도체 패턴을 형성한 후, 그 레지스트 패턴을 그 기판 상으로부터 박리 제거함으로써 기판 상에 도체 패턴을 형성할 수 있다. The conventional printed wiring board was manufactured by the photolithography method. The photolithography method is a method of forming a pattern using the photoreaction of the photosensitive resin composition. When using a negative photosensitive resin composition, after apply | coating this photosensitive resin composition on a board | substrate to form a photosensitive resin layer, pattern exposure is carried out, the exposure part of this photosensitive resin composition is polymerized and hardened, the unexposed part is removed with a developing solution, After the resist pattern is formed and the conductor pattern is formed by etching or plating, the conductor pattern can be formed on the substrate by peeling off the resist pattern from the substrate.

상기 네거티브형 포토리소그래피법에서는, 네거티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포할 때, 네거티브형 감광성 수지 조성물 용액을 기판에 도포하여 건조시키는 방법이나, 또는 지지체 및 네거티브형 감광성 수지 조성물로 이루어지는 층 (이하, 「네거티브형 감광성 수지층」이라고도 한다.) 그리고 경우에 따라 보호층을 순차적으로 적층한 드라이 필름 레지스트를 기판에 적층하는 방법 중 어느 것이 사용된다. 프린트 배선판의 제조에서는, 드라이 필름 레지스트를 기판에 적층하는 후자의 방법이 사용되는 경우가 많다. In the said negative photolithography method, when apply | coating a negative photosensitive resin composition on a board | substrate, the method of apply | coating a negative photosensitive resin composition solution to a board | substrate and drying, or the layer which consists of a support body and a negative photosensitive resin composition (following) And also called "negative photosensitive resin layer." And if the method of laminating | stacking the dry film resist which laminated | stacked the protective layer sequentially on the board | substrate is used in some cases. In the manufacture of a printed wiring board, the latter method of laminating a dry film resist on a substrate is often used.

드라이 필름 레지스트를 사용하여 프린트 배선판을 제조하는 방법에 대하여 이하에 설명한다. 먼저, 드라이 필름 레지스트가 보호층, 예를 들어 폴리에틸렌 필름을 갖는 경우에는, 네거티브형 감광성 수지층으로부터 보호층을 박리한다. 이어서, 라미네이터를 사용하여 기판, 예를 들어 동장 (銅張) 적층판 상에 기판, 네거티브형 감광성 수지층, 지지체의 순서가 되도록 네거티브형 감광성 수지층과 지지체를 적층한다. 이어서, 배선 패턴을 갖는 포토마스크를 개재하여 초고압 수은등이 발하는 i 선 (파장 365 ㎚) 등의 자외선으로 그 네거티브형 감광성 수지층을 노광함으로써 노광 부분을 중합 경화시킨다. 이어서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등으로 이루어지는 지지체를 박리한다. 이어서, 약알칼리성을 갖는 수용액 등의 현상액에 의해 네거티브형 감광성 수지층의 미노광 부분을 용해 제거 또는 분산 제거하여 기판 상에 레지스트 패턴을 형성시킨다. 이어서, 형성된 레지스트 패턴을 보호 마스크로 하여 공지된 에칭 처리 또는 패턴 도금 처리를 실시한다. 마지막으로, 그 레지스트 패턴을 기판으로부터 박리하여 도체 패턴을 갖는 기판, 즉 프린트 배선판을 제조한다. The method of manufacturing a printed wiring board using a dry film resist is demonstrated below. First, when a dry film resist has a protective layer, for example, a polyethylene film, a protective layer is peeled from a negative photosensitive resin layer. Subsequently, a negative photosensitive resin layer and a support body are laminated | stacked on a board | substrate, for example, a copper clad laminated board, in order of a board | substrate, a negative photosensitive resin layer, and a support body using a laminator. Subsequently, an exposure part is polymerized and hardened | cured by exposing the negative photosensitive resin layer with ultraviolet rays, such as i line | wire (wavelength 365nm) from which ultra-high pressure mercury lamp emits through the photomask which has a wiring pattern. Next, the support body which consists of polyethylene terephthalate etc. is peeled off. Subsequently, the unexposed part of the negative photosensitive resin layer is dissolved or removed by developing solution such as an aqueous solution having weak alkali property to form a resist pattern on the substrate. Next, a well-known etching process or pattern plating process is performed using the formed resist pattern as a protective mask. Finally, the resist pattern is peeled off from the substrate to produce a substrate having a conductor pattern, that is, a printed wiring board.

최근 휴대전화, 노트북 등의 전자 기기의 소형 경량화에 따라 프린트 배선판에서의 배선 간격의 미세화 요구가 더욱더 높아지고 있다. 이러한 미세화 요구에 따르기 위해, 드라이 필름 레지스트에 대한 노광 방법에 있어서도 색수차가 적은 i 선 단색광을 이용하는 것에 대한 기대가 높아지고 있다. 또, 고해상도가 요구되는 용도에서는, 지지체 중에 함유되는 활제 등의 영향을 피하기 위해, 미리 지지체를 박리한 후에 노광하는 경우가 있다. 그러나, 종래의 드라이 필름 레지스트를 사용한 노광 방법에서는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 레지스트 톱에서 레지스트가 두껍고 레지스트 보텀에서 레지스트가 얇아 레지스트 치수 재현성에 문제가 있다. 또, 미리 지지체를 박리한 후에 노광하는 경우, 후술하는 도 4 에 나타내는 바와 같이, 레지스트 단면 형상이 「보빈 형상」이 되고, 또 레지스트 풋이 크기 때문에 레지스트 치수 재현성에 문제가 있었다.Recently, with the miniaturization and weight reduction of electronic devices such as mobile phones and laptops, the demand for miniaturization of wiring intervals in printed wiring boards is increasing. In order to meet such a miniaturization requirement, the expectation for using i-line monochromatic light with little chromatic aberration also increases in the exposure method to a dry film resist. Moreover, in the use which requires high resolution, in order to avoid the influence of the lubricating agent etc. which are contained in a support body, it may expose after peeling a support body beforehand. However, in the exposure method using the conventional dry film resist, as shown in FIG. 2, a resist is thick in a resist top and a resist is thin in a resist bottom, and there exists a problem in resist dimensional reproducibility. Moreover, when exposing after peeling a support body previously, as shown in FIG. 4 mentioned later, since the resist cross section shape became a "bobbin shape", and the resist foot was large, there existed a problem in resist dimensional reproducibility.

드라이 필름 레지스트를 사용하여 프린트 배선판을 제조하는 방법은, 초고압 수은등이 발하는 i 선 (파장 365 ㎚) 등의 자외선을 사용하고, 배선 패턴을 갖는 포토마스크를 개재하여 네거티브형 감광성 수지층을 노광함으로써 노광 부분을 중합 경화시키는 단계, 약알칼리성을 갖는 수용액 등의 현상액에 의해 네거티브형 감광성 수지층의 미노광 부분을 용해 제거 또는 분산 제거하는 단계, 및 그 밖의 단계를 갖는다. 레지스트 톱에서 두껍고 레지스트 보텀에서 얇으며, 레지스트 단면 형상이 보빈 형상이 되는 것, 그리고 레지스트 풋이 커지는 것의 발생 원인이 어느 단계에서 발생되는 것인지는 아직 밝혀지지 않았다. The method of manufacturing a printed wiring board using a dry film resist is exposed by exposing a negative photosensitive resin layer through a photomask having a wiring pattern, using ultraviolet rays such as i-line (wavelength 365 nm) emitted by an ultra-high pressure mercury lamp. Polymerizing and curing the part, dissolving or dispersing the unexposed part of the negative photosensitive resin layer with a developing solution such as an aqueous solution having weak alkali properties, and other steps. It is not known at what stage the cause of thickening in the resist top and thinning in the resist bottom, the cross-sectional shape of the resist becoming the bobbin shape, and the increase in the resist foot are generated.

특허문헌 1 에는 파장 365 ㎚ 에서의 흡광도를 규정한 드라이 필름 레지스트에 관한 기재가 있다. 그러나, 특허문헌 1 중에는 i 선 단색 노광에 관한 기재는 없다. 또, 특허문헌 1 중에는 미리 지지체를 박리한 후에 노광하는 것에 관한 기재는 없다.Patent document 1 has description regarding the dry film resist which prescribed | regulated the absorbance in wavelength 365nm. However, there is no description regarding i line | wire monochromatic exposure in patent document 1. Moreover, in patent document 1, there is no description regarding exposing after peeling a support body beforehand.

일본 공개특허공보 2006-145565호Japanese Laid-Open Patent Publication 2006-145565

본 발명의 과제는, 현상 후에 밀착성 및 해상성이 우수한 레지스트 패턴 그리고 우수한 레지스트 형상을 가져오는, 레지스트 경화물의 제조 방법, 네거티브형 감광성 수지 적층체, 및 네거티브형 감광성 수지 적층체의 사용 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a method of producing a cured resist, a negative photosensitive resin laminate, and a method of using a negative photosensitive resin laminate, which bring about a resist pattern having excellent adhesion and resolution and an excellent resist shape after development. will be.

본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 이번에 놀랍게도, 지지체 (A), 네거티브형 감광성 수지층 (B) 및 기판 (C) 를 갖는 네거티브형 감광성 수지 적층체를 노광할 때, 당해 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 광선 투과율을 변경함으로써, 구체적으로는 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 25 % 이상 50 % 이하인 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 사용함으로써, 현상 후의 레지스트 패턴의 밀착성 및 해상성 그리고 레지스트 형상이, 종래의 광선 투과율을 갖는 네거티브형 감광성 수지층을 사용하여 제조된 레지스트와 비교하여 극적으로 개선된다는 것을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 또, 네거티브형 감광성 수지층을 갖는 적층체를 i 선 단색 노광할 때, (a) 카르복실기 함유량이 산 당량으로 100 ~ 600 이고 또한 중량 평균 분자량이 5,000 ~ 500,000 인 바인더용 수지 : 20 ~ 90 질량%, (b) 광중합가능한 불포화 화합물 : 3 ~ 70 질량%, 및 (c) 광중합 개시제 : 0.1 ~ 20 질량% 를 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지고, 또한 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 25 % 이상 50 % 이하인 네거티브형 감광성 수지층을 사용하면, 상기 범위 밖의 광선 투과율을 갖는 네거티브형 감광성 수지층을 사용하는 경우와 비교하여 현상 후의 레지스트 패턴의 밀착성 및 해상성 그리고 레지스트 형상이 극적으로 개선된다는 것을 알아내어 본 발명에 이르렀다. 구체적으로는, 상기 과제는 이하의 [1] ~ [28] 의 발명에 의해 해결된다. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining in order to solve the said subject, this time surprisingly, when exposing the negative photosensitive resin laminated body which has a support body (A), a negative photosensitive resin layer (B), and a board | substrate (C), By changing the light transmittance of the negative photosensitive resin layer (B), specifically, by using a negative photosensitive resin layer (B) having a light transmittance at a wavelength of 365 nm of 25% or more and 50% or less, the resist pattern after development It has been found that the present invention has been completed by discovering that the adhesion and resolution and the resist shape are dramatically improved as compared with a resist prepared using a negative photosensitive resin layer having a conventional light transmittance. Moreover, when carrying out i line | wire monochromatic exposure of the laminated body which has a negative photosensitive resin layer, (a) Resin for binders whose carboxyl content is 100-600 in acid equivalent and a weight average molecular weight is 5,000-500,000: 20-90 mass% and (b) a photopolymerizable unsaturated compound: 3 to 70 mass%, and (c) a photopolymerization initiator: 0.1 to 20 mass%, wherein the light transmittance at a wavelength of 365 nm is 25% or more and 50 By using a negative photosensitive resin layer of% or less, it has been found that the adhesion, resolution and resist shape of a resist pattern after development are dramatically improved as compared with the case of using a negative photosensitive resin layer having a light transmittance outside the above range. The present invention has been reached. Specifically, the said subject is solved by the invention of the following [1]-[28].

[1] 적어도 지지체 (A) 와 네거티브형 감광성 수지층 (B) 와 기판 (C) 가 적층되어 이루어지는 네거티브형 감광성 수지 적층체를 형성하는 적층체 형성 공정과, [1] a laminate-forming step of forming a negative photosensitive resin laminate in which at least the support (A), the negative photosensitive resin layer (B), and the substrate (C) are laminated;

포토마스크의 이미지를 투영시킨 광을 사용하여 렌즈를 통해 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 노광하는 노광 공정과, An exposure step of exposing the negative photosensitive resin layer (B) through a lens using light projected from the image of the photomask,

그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 미노광부를 현상 제거함으로써, 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 경화부로 이루어지는 레지스트 경화물을 형성하는 현상 공정을 포함하고,The development process of forming the resist hardened | cured material which consists of hardened | cured parts of the negative photosensitive resin layer (B) by image development removal of the negative photosensitive resin layer (B),

그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 25 % 이상 50 % 이하인, 레지스트 경화물의 제조 방법.The light transmittance in wavelength 365nm of this negative photosensitive resin layer (B) is 25% or more and 50% or less, The manufacturing method of the resist hardened | cured material.

[2] 그 광이 i 선 단색광인, 상기 [1] 에 기재된 레지스트 경화물의 제조 방법.[2] The method for producing a cured resist according to the above [1], wherein the light is i-ray monochromatic light.

[3] 그 적층체 형성 공정과 그 노광 공정 사이에, 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 로부터 그 지지체 (A) 를 박리하는 지지체 박리 공정을 추가로 포함하는, 상기 [1] 또는 [2] 에 기재된 레지스트 경화물의 제조 방법.[3] The above [1] or [2], further comprising a support peeling step of peeling the support A from the negative photosensitive resin layer (B) between the laminate forming step and the exposure step. The manufacturing method of the resist hardened | cured material of description.

[4] 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 35 % 이상 45 % 이하인, 상기 [1] ~ [3] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 경화물의 제조 방법.[4] The method for producing a cured resist according to any one of the above [1] to [3], wherein the negative photosensitive resin layer (B) has a light transmittance at a wavelength of 365 nm of 35% or more and 45% or less.

[5] 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 가, (a) 카르복실기 함유량이 산 당량으로 100 ~ 600 이고 또한 중량 평균 분자량이 5,000 ~ 500,000 사이인 바인더용 수지 20 ~ 90 질량%, (b) 광중합가능한 불포화 화합물 3 ~ 70 질량%, 및 (c) 광중합 개시제 0.1 ~ 20 질량% 를 함유하는 네거티브형 감광성 수지 조성물로 이루어지는, 상기 [1] ~ [4] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 경화물의 제조 방법.[5] The negative photosensitive resin layer (B) is (a) 20 to 90 mass% of a resin for a binder having a carboxyl group content of 100 to 600 in acid equivalent and a weight average molecular weight of 5,000 to 500,000, and (b) photopolymerization. The manufacturing method of the resist hardened | cured material in any one of said [1]-[4] which consists of a negative photosensitive resin composition containing 3 to 70 mass% of the unsaturated compound which can be used, and 0.1-20 mass% of (c) photoinitiators.

[6] 그 (c) 광중합 개시제로서 벤조페논 및 벤조페논 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는, 상기 [5] 에 기재된 제조 방법.[6] The production method according to the above [5], wherein the (c) photopolymerization initiator contains at least one compound selected from the group consisting of benzophenone and benzophenone derivatives.

[7] 그 (c) 광중합 개시제로서 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체를 함유하는, 상기 [5] 또는 [6] 에 기재된 제조 방법.[7] The production method according to the above [5] or [6], which contains 2,4,5-triarylimidazole dimer as the photopolymerization initiator (c).

[8] 그 (c) 광중합 개시제로서 벤조페논 및 벤조페논 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체의 양자를 함유하는, 상기 [5] ~ [7] 중 어느 하나에 기재된 제조 방법.[8] The above-mentioned (c) containing at least one compound selected from the group consisting of benzophenone and benzophenone derivatives as photopolymerization initiators, and both 2,4,5-triarylimidazole dimers. 5] to the manufacturing method in any one of [7].

[9] 그 (b) 광중합가능한 불포화 화합물이, 하기 일반식 (Ⅰ) : [9] The unsaturated polymer (b) capable of photopolymerizing the following general formula (I):

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112010013824744-pct00001
Figure 112010013824744-pct00001

{식 중, R8 및 R9 는 독립적으로 H 또는 CH3 이고, 그리고 n2, n3 및 n4 는 각각 독립적으로 3 ~ 20 의 정수이다.} 로 나타내는 화합물, 및 하기 일반식 (Ⅱ) :{Wherein, R 8 and R 9 are independently H or CH 3, and, and n 2, n 3 and n 4 are each independently an integer from 3 to 20} the compound, and the following general formula (Ⅱ) represented by :

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112010013824744-pct00002
Figure 112010013824744-pct00002

{식 중, R10 및 R11 은 독립적으로 H 또는 CH3 이고, A 는 C2H4 이고, B 는 C3H6 이고, n5 + n6 은 2 ~ 30 의 정수이고, n7 + n8 은 0 ~ 30 의 정수이고, n5 및 n6 은 독립적으로 1 ~ 29 의 정수이고, n7 및 n8 은 독립적으로 0 ~ 29 의 정수이고, -(A-O)- 및 -(B-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이어도 되고 블록이어도 되며, 블록인 경우, 어느 것이 비스페놀기측이어도 된다.} 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는, 상기 [5] ~ [8] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 경화물의 제조 방법.{Wherein R 10 and R 11 are independently H or CH 3 , A is C 2 H 4 , B is C 3 H 6 , n 5 + n 6 is an integer from 2 to 30, n 7 + n 8 is an integer from 0 to 30, n 5 and n 6 are independently an integer from 1 to 29, n 7 and n 8 are an integer from 0 to 29 independently,-(AO)-and-(BO) The array of repeating units of-may be random or may be a block, and in the case of a block, either may be a bisphenol group side.} The resist according to any one of the above [5] to [8], which is selected from the group consisting of compounds. Method for producing a cured product.

[10] 상기 [1] ~ [9] 중 어느 하나에 기재된 제조 방법에 의해 얻어진 레지스트 경화물이 형성하는 레지스트 패턴을 갖는 기판 (C) 를 에칭하거나 또는 도금하는 공정과,[10] a step of etching or plating the substrate (C) having a resist pattern formed by the cured resist obtained by the production method described in any one of [1] to [9] above;

그 기판 (C) 로부터 그 레지스트 경화물을 제거하는 공정을 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.The manufacturing method of the printed wiring board containing the process of removing the resist hardened | cured material from this board | substrate (C).

[11] 포토마스크의 이미지를 투영시킨 i 선 단색광을 사용하여 렌즈를 통해 네거티브형 감광성 수지층을 노광함으로써 레지스트 경화물을 형성하기 위해 사용하는 네거티브형 감광성 수지 적층체로서, [11] A negative photosensitive resin laminate used for forming a cured resist by exposing a negative photosensitive resin layer through a lens using i-line monochromatic light projecting an image of a photomask,

적어도 지지체 (A) 와 i 선 단색 노광용 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 갖고, At least it has a support body (A) and the negative photosensitive resin layer (B) for i line | wire monochromatic exposure,

그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 가, (a) 카르복실기 함유량이 산 당량으로 100 ~ 600 이고 또한 중량 평균 분자량이 5,000 ~ 500,000 사이인 바인더용 수지 20 ~ 90 질량%, (b) 광중합가능한 불포화 화합물 3 ~ 70 질량%, 및 (c) 광중합 개시제 0.1 ~ 20 질량% 를 함유하는 i 선 단색 노광용 네거티브형 감광성 수지 조성물로 이루어지고, 또한 The negative photosensitive resin layer (B) is (a) 20 to 90% by mass of a resin for a binder having a carboxyl group content of 100 to 600 in an acid equivalent and a weight average molecular weight of 5,000 to 500,000, and (b) an unsaturated compound capable of photopolymerization. It consists of the negative photosensitive resin composition for i line | wire monochromatic exposure containing 3-70 mass% and (c) 0.1-20 mass% of photoinitiators, and

그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 25 % 이상 50 % 이하인, 네거티브형 감광성 수지 적층체.The negative photosensitive resin laminated body whose light transmittance in wavelength 365nm of this negative photosensitive resin layer (B) is 25% or more and 50% or less.

[12] 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 35 % 이상 45 % 이하인, 상기 [11] 에 기재된 네거티브형 감광성 수지 적층체.[12] The negative photosensitive resin laminate according to the above [11], wherein the negative photosensitive resin layer (B) has a light transmittance at a wavelength of 365 nm of 35% or more and 45% or less.

[13] 그 (a) 바인더용 수지의 유리 전이 온도가 100 ℃ 이상인, 상기 [11] 또는 [12] 에 기재된 네거티브형 감광성 수지 적층체.[13] The negative photosensitive resin laminate according to [11] or [12], wherein the glass transition temperature of the resin for binder (a) is 100 ° C or higher.

[14] 그 (a) 바인더용 수지의 중량 평균 분자량이 10,000 ~ 40,000 사이인, 상기 [11] ~ [13] 중 어느 하나에 기재된 네거티브형 감광성 수지 적층체.[14] The negative photosensitive resin laminate according to any one of the above [11] to [13], wherein the weight average molecular weight of the resin for the (a) binder is between 10,000 and 40,000.

[15] 그 (c) 광중합 개시제로서 벤조페논 및 벤조페논 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는, 상기 [11] ~ [14] 중 어느 하나에 기재된 네거티브형 감광성 수지 적층체.[15] The negative photosensitive resin laminate according to any one of [11] to [14], which contains at least one compound selected from the group consisting of benzophenone and benzophenone derivatives as the (c) photopolymerization initiator. .

[16] 그 (c) 광중합 개시제로서 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체를 함유하는, 상기 [11] ~ [15] 중 어느 하나에 기재된 네거티브형 감광성 수지 적층체.[16] The negative photosensitive resin laminate according to any one of [11] to [15], containing 2,4,5-triarylimidazole dimer as the photopolymerization initiator (c).

[17] 그 (c) 광중합 개시제로서 벤조페논 및 벤조페논 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체의 양자를 함유하는, 상기 [11] ~ [16] 중 어느 하나에 기재된 네거티브형 감광성 수지 적층체.[17] The above-mentioned (c) containing at least one compound selected from the group consisting of benzophenone and benzophenone derivatives as photopolymerization initiators, and both 2,4,5-triarylimidazole dimers. 11]-The negative photosensitive resin laminated body in any one of [16].

[18] 그 (b) 광중합가능한 불포화 화합물이, 하기 일반식 (Ⅰ)[18] The (b) photopolymerizable unsaturated compound is represented by the following general formula (I).

[화학식 3](3)

Figure 112010013824744-pct00003
Figure 112010013824744-pct00003

{식 중, R8 및 R9 는 독립적으로 H 또는 CH3 이고, 그리고 n2, n3 및 n4 는 각각 독립적으로 3 ~ 20 의 정수이다.} 로 나타내는 화합물, 및 하기 일반식 (Ⅱ) : {Wherein, R 8 and R 9 are independently H or CH 3, and, and n 2, n 3 and n 4 are each independently an integer from 3 to 20} the compound, and the following general formula (Ⅱ) represented by :

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112010013824744-pct00004
Figure 112010013824744-pct00004

{식 중, R10 및 R11 은 독립적으로 H 또는 CH3 이고, A 는 C2H4 이고, B 는 C3H6 이고, n5 + n6 은 2 ~ 30 의 정수이고, n7 + n8 은 0 ~ 30 의 정수이고, n5 및 n6 은 독립적으로 1 ~ 29 의 정수이고, n7 및 n8 은 독립적으로 0 ~ 29 의 정수이고, -(A-O)- 및 -(B-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이어도 되고 블록이어도 되며, 블록인 경우, 어느 것이 비스페놀기측이어도 된다} 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는, 상기 [11] ~ [17] 중 어느 하나에 기재된 네거티브형 감광성 수지 적층체.{Wherein R 10 and R 11 are independently H or CH 3 , A is C 2 H 4 , B is C 3 H 6 , n 5 + n 6 is an integer from 2 to 30, n 7 + n 8 is an integer from 0 to 30, n 5 and n 6 are independently an integer from 1 to 29, n 7 and n 8 are an integer from 0 to 29 independently,-(AO)-and-(BO) The arrangement of the repeating unit of-may be random or may be a block, and in the case of a block, the negative type according to any one of the above [11] to [17], which is selected from the group consisting of compounds represented by the above formula. Photosensitive resin laminated body.

[19] 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 상에 추가로 보호층을 갖는, 상기 [11] ~ [18] 중 어느 하나에 기재된 네거티브형 감광성 수지 적층체.[19] The negative photosensitive resin laminate according to any one of the above [11] to [18], which further has a protective layer on the negative photosensitive resin layer (B).

[20] 포토마스크의 이미지를 투영시킨 i 선 단색광을 사용하여 렌즈를 통해 네거티브형 감광성 수지층을 노광함으로써 레지스트 경화물을 형성할 때, 적어도 지지체 (A) 와 i 선 단색 노광용 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 갖는 네거티브형 감광성 수지 적층체로서, 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 가, (a) 카르복실기 함유량이 산 당량으로 100 ~ 600 이고 또한 중량 평균 분자량이 5,000 ~ 500,000 사이인 바인더용 수지 20 ~ 90 질량%, (b) 광중합가능한 불포화 화합물 3 ~ 70 질량%, 및 (c) 광중합 개시제 0.1 ~ 20 질량% 를 함유하는 i 선 단색 노광용 네거티브형 감광성 수지 조성물로 이루어지고, 또한 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 25 % 이상 50 % 이하인 네거티브형 감광성 수지 적층체를 사용하는, 네거티브형 감광성 수지 적층체의 사용 방법.[20] A negative photosensitive resin layer for at least the support (A) and i-line monochrome exposure when forming a cured resist by exposing a negative photosensitive resin layer through a lens using i-line monochromatic light projecting an image of a photomask. As a negative photosensitive resin laminated body which has (B), the negative photosensitive resin layer (B) has (a) carboxyl group content of an acid equivalent in 100-600, and a weight average molecular weight between 5,000-500,000 resin for binders. It consists of the negative photosensitive resin composition for i line | wire monochromatic exposure containing 20-90 mass%, (b) 3-70 mass% of unsaturated compounds which can photopolymerize, and (c) 0.1-20 mass% of photoinitiators, and its negative type Negative photosensitive using the negative photosensitive resin laminated body whose light transmittance in wavelength 365nm of the photosensitive resin layer (B) is 25% or more and 50% or less. Usage of the resin laminate.

[21] 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 35 % 이상 45 % 이하인, 상기 [20] 에 기재된 사용 방법.[21] The use method according to the above [20], wherein a light transmittance at a wavelength of 365 nm of the negative photosensitive resin layer (B) is 35% or more and 45% or less.

[22] 그 (a) 바인더용 수지의 유리 전이 온도가 100 ℃ 이상인, 상기 [20] 또는 [21] 에 기재된 사용 방법.[22] The use method according to the above [20] or [21], wherein the glass transition temperature of the resin for the binder (a) is 100 ° C or higher.

[23] 그 (a) 바인더용 수지의 중량 평균 분자량이 10,000 ~ 40,000 사이인, 상기 [20] ~ [22] 중 어느 하나에 기재된 사용 방법.[23] The use method according to any one of the above [20] to [22], wherein the weight average molecular weight of the resin for the (a) binder is between 10,000 and 40,000.

[24] 그 (c) 광중합 개시제로서 벤조페논 및 벤조페논 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는, 상기 [20] ~ [23] 중 어느 하나에 기재된 사용 방법.[24] The use method according to any one of [20] to [23], which contains at least one compound selected from the group consisting of benzophenone and a benzophenone derivative as the (c) photopolymerization initiator.

[25] 그 (c) 광중합 개시제로서 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체를 함유하는, 상기 [20] ~ [24] 중 어느 하나에 기재된 사용 방법.[25] The use method according to any one of [20] to [24], containing 2,4,5-triarylimidazole dimer as the photopolymerization initiator (c).

[26] 그 (c) 광중합 개시제로서 벤조페논 및 벤조페논 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체의 양자를 함유하는, 상기 [20] ~ [25] 중 어느 하나에 기재된 사용 방법.[26] The above-mentioned (c) containing at least one compound selected from the group consisting of benzophenone and benzophenone derivatives as photopolymerization initiators, and both 2,4,5-triarylimidazole dimers. 20]-the method of any one of [25].

[27] 그 (b) 광중합가능한 불포화 화합물이, 하기 일반식 (Ⅰ) [27] The (b) photopolymerizable unsaturated compound is represented by the general formula (I)

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112010013824744-pct00005
Figure 112010013824744-pct00005

{식 중, R8 및 R9 는 독립적으로 H 또는 CH3 이고, 그리고 n2, n3 및 n4 는 각각 독립적으로 3 ~ 20 의 정수이다.} 로 나타내는 화합물, 및 하기 일반식 (Ⅱ) :{Wherein, R 8 and R 9 are independently H or CH 3, and, and n 2, n 3 and n 4 are each independently an integer from 3 to 20} the compound, and the following general formula (Ⅱ) represented by :

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112010013824744-pct00006
Figure 112010013824744-pct00006

{식 중, R10 및 R11 은 독립적으로 H 또는 CH3 이고, A 는 C2H4 이고, B 는 C3H6 이고, n5 + n6 은 2 ~ 30 의 정수이고, n7 + n8 은 0 ~ 30 의 정수이고, n5 및 n6 은 독립적으로 1 ~ 29 의 정수이고, n7 및 n8 은 독립적으로 0 ~ 29 의 정수이고, -(A-O)- 및 -(B-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이어도 되고 블록이어도 되며, 블록인 경우, 어느 것이 비스페놀기측이어도 된다.} 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는, 상기 [20] ~ [26] 중 어느 하나에 기재된 사용 방법.{Wherein R 10 and R 11 are independently H or CH 3 , A is C 2 H 4 , B is C 3 H 6 , n 5 + n 6 is an integer from 2 to 30, n 7 + n 8 is an integer from 0 to 30, n 5 and n 6 are independently an integer from 1 to 29, n 7 and n 8 are an integer from 0 to 29 independently,-(AO)-and-(BO) The arrangement of the repeating unit of-may be random or may be a block, and in the case of a block, any one may be a bisphenol group side.} The use according to any one of the above [20] to [26], which is selected from the group consisting of compounds. Way.

[28] 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 상에 추가로 보호층을 갖는, 상기 [20] ~ [27] 중 어느 하나에 기재된 사용 방법.[28] The use method according to any one of [20] to [27], further comprising a protective layer on the negative photosensitive resin layer (B).

본 발명에 의하면, 현상 후의 밀착성 및 해상성이 우수한 레지스트 패턴 그리고 우수한 레지스트 형상을 얻을 수 있다. According to this invention, the resist pattern excellent in the adhesiveness and resolution after image development, and the outstanding resist shape can be obtained.

도 1 은 실시예 2A 의 레지스트 형상의 전자 현미경 사진이다.
도 2 는 비교예 1A 의 레지스트 형상의 전자 현미경 사진이다.
도 3 은 실시예 2B 의 레지스트 형상의 전자 현미경 사진이다.
도 4 는 비교예 1B 의 레지스트 형상의 전자 현미경 사진이다.
1 is an electron micrograph of the resist shape of Example 2A.
2 is an electron micrograph of a resist shape of Comparative Example 1A.
3 is an electron micrograph of a resist shape of Example 2B.
4 is an electron micrograph of a resist shape of Comparative Example 1B.

본 발명의 한 측면에서는, 적어도 지지체 (A) 와 네거티브형 감광성 수지층 (B) 와 기판 (C) 가 적층되어 이루어지는 네거티브형 감광성 수지 적층체를 형성하는 적층체 형성 공정과, In one aspect of the present invention, a laminate-forming step of forming a negative photosensitive resin laminate in which at least a support (A), a negative photosensitive resin layer (B), and a substrate (C) are laminated,

포토마스크의 이미지를 투영시킨 광을 사용하여 렌즈를 통해 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 노광하는 노광 공정과, An exposure step of exposing the negative photosensitive resin layer (B) through a lens using light projected from the image of the photomask,

그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 미노광부를 현상 제거함으로써, 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 경화부로 이루어지는 레지스트 경화물을 형성하는 현상 공정을 포함하고,The development process of forming the resist hardened | cured material which consists of hardened | cured parts of the negative photosensitive resin layer (B) by image development removal of the negative photosensitive resin layer (B),

그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 25 % 이상 50 % 이하인, 레지스트 경화물의 제조 방법이 제공된다. The manufacturing method of the resist hardened | cured material whose light transmittance in wavelength 365nm of this negative photosensitive resin layer (B) is 25% or more and 50% or less is provided.

본 발명의 다른 측면에서는, 포토마스크의 이미지를 투영시킨 i 선 단색광을 사용하여 렌즈를 통해 네거티브형 감광성 수지층을 노광함으로써 레지스트 경화물을 형성하기 위해 사용하는 네거티브형 감광성 수지 적층체로서, In another aspect of the present invention, there is provided a negative photosensitive resin laminate, which is used to form a cured resist by exposing a negative photosensitive resin layer through a lens using i-line monochromatic light projecting an image of a photomask,

적어도 지지체 (A) 와 i 선 단색 노광용 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 갖고, At least it has a support body (A) and the negative photosensitive resin layer (B) for i line | wire monochromatic exposure,

그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 가, (a) 카르복실기 함유량이 산 당량으로 100 ~ 600 이고 또한 중량 평균 분자량이 5,000 ~ 500,000 사이인 바인더용 수지 20 ~ 90 질량%, (b) 광중합가능한 불포화 화합물 3 ~ 70 질량%, 및 (c) 광중합 개시제 0.1 ~ 20 질량% 를 함유하는 i 선 단색 노광용 네거티브형 감광성 수지 조성물로 이루어지며, 또한 The negative photosensitive resin layer (B) is (a) 20 to 90% by mass of a resin for a binder having a carboxyl group content of 100 to 600 in an acid equivalent and a weight average molecular weight of 5,000 to 500,000, and (b) an unsaturated compound capable of photopolymerization. It consists of the negative photosensitive resin composition for i line | wire monochromatic exposure containing 3-70 mass% and (c) 0.1-20 mass% of photoinitiators, and

그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 25 % 이상 50 % 이하인, 네거티브형 감광성 수지 적층체가 제공된다. The negative photosensitive resin laminated body whose light transmittance in wavelength 365nm of this negative photosensitive resin layer (B) is 25% or more and 50% or less is provided.

본 발명의 또 다른 측면에서는, 포토마스크의 이미지를 투영시킨 i 선 단색광을 사용하여 렌즈를 통해 네거티브형 감광성 수지층을 노광함으로써 레지스트 경화물을 형성할 때, 적어도 지지체 (A) 와 i 선 단색 노광용 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 갖는 네거티브형 감광성 수지 적층체로서, 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 가, (a) 카르복실기 함유량이 산 당량으로 100 ~ 600 이고 또한 중량 평균 분자량이 5,000 ~ 500,000 사이인 바인더용 수지 20 ~ 90 질량%, (b) 광중합가능한 불포화 화합물 3 ~ 70 질량%, 및 (c) 광중합 개시제 0.1 ~ 20 질량% 를 함유하는 i 선 단색 노광용 네거티브형 감광성 수지 조성물로 이루어지고, 또한 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 25 % 이상 50 % 이하인 네거티브형 감광성 수지 적층체를 사용하는, 네거티브형 감광성 수지 적층체의 사용 방법이 제공된다. In another aspect of the present invention, at least for the support (A) and the i-line monochromatic exposure, when the cured resist is formed by exposing the negative photosensitive resin layer through the lens using the i-line monochromatic light projecting the image of the photomask. As a negative photosensitive resin laminated body which has a negative photosensitive resin layer (B), the negative photosensitive resin layer (B) has (a) carboxyl group content of 100-600 as acid equivalent, and weight average molecular weights 5,000-500,000 It consists of the negative photosensitive resin composition for i line | wire monochromatic exposure containing 20-90 mass% of resin for binders, (b) 3-70 mass% of unsaturated compounds which can photopolymerize, and (c) 0.1-20 mass% of photoinitiators, Moreover, the negative photosensitive resin laminated body whose light transmittance in wavelength 365nm of this negative photosensitive resin layer (B) is 25% or more and 50% or less The use method of the negative photosensitive resin laminated body which is used is provided.

본 명세서 중에서 용어 「네거티브형 감광성 수지층 (B)」란, 활성 광선에 노광되고, 그 후에 현상함으로써 네거티브형 패턴이 얻어지는 수지층을 말한다. 또, 「i 선 단색 노광용 네거티브형 감광성 수지층 (B)」란, 상기 네거티브형 감광성 수지층 (B) 중, i 선 (파장 365 ㎚) 단색에서의 노광 및 그 후의 해상에 의해 원하는 레지스트 패턴을 얻을 수 있는 것을 말한다. 본 발명에 관련된 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율은 25 % 이상 50 % 이하이다. 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 상기 서술한 범위이면, 상기 서술한 범위 밖의 광선 투과율의 경우와 비교하여 밀착성 및 해상성이 우수한 레지스트 패턴이 얻어지고, 또한 레지스트 치수 재현성이 양호해진다. 또, 본 발명에 있어서의 네거티브형 감광성 수지 적층체 및 네거티브형 감광성 수지 적층체의 사용 방법을 제공하는 측면에서는, 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 상기 서술한 범위임으로써, 포토마스크의 이미지를 투영시킨 i 선 단색광을 사용하여 렌즈를 통해 네거티브형 감광성 수지층을 노광함으로써 레지스트 경화물을 형성하는 경우에, 상기 서술한 범위 밖의 광선 투과율의 경우와 비교하여 밀착성 및 해상성이 우수한 레지스트 패턴이 얻어지고, 또한 레지스트 치수 재현성이 양호해진다. 포토마스크의 이미지를 투영시킨 광을 사용하여 렌즈를 통해 네거티브형 감광성 수지층을 노광함으로써 레지스트 경화물을 형성하는 경우, 레지스트 단면 형상이 역사다리꼴이 되어, 레지스트 톱에서 두껍고 레지스트 보텀에서 얇아져 레지스트 치수 재현성에 문제가 있다. 또, 미리 지지체를 박리한 후에 노광을 실시하는 양태에서는, 상기 포토마스크의 이미지를 투영시킨 광을 사용하여 렌즈를 통해 네거티브형 감광성 수지층을 노광함으로써 레지스트 경화물을 형성하는 경우, 레지스트 단면 형상이 보빈 형상이 되고, 또 레지스트 풋이 크기 때문에 레지스트 치수 재현성에 문제가 있다. 한편, 상기 광선 투과율이 50 % 를 초과하는 경우에는, 네거티브형 감광성 수지층 (B) 가 노광된 광을 효율적으로 흡수할 수 없기 때문에 노광 감도가 저하되는 문제가 있다. 이들 문제는 i 선 단색광을 이용한 경우에 보다 현저히 발생된다. 그래서, 이들 문제를 해결하여 우수한 레지스트 형상으로 하는 관점에서, 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율은 25 % 이상 50 % 이하이다. 레지스트 패턴의 밀착성 및 해상성 그리고 노광 감도의 관점에서, 본 발명의 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율은 30 % 이상 45 % 이하인 것이 보다 바람직하고, 35 % 이상 45 % 이하가 더욱 바람직하다. In this specification, the term "negative photosensitive resin layer (B)" means the resin layer from which a negative pattern is obtained by exposing to actinic light and developing after that. Moreover, "negative photosensitive resin layer (B) for i line | wire monochromatic exposure" means the resist pattern desired by exposure in i line | wire (wavelength 365nm) monochromatic color and subsequent resolution among the said negative photosensitive resin layer (B). Say what you can get. The light transmittance in wavelength 365nm of the negative photosensitive resin layer (B) which concerns on this invention is 25% or more and 50% or less. When the light transmittance at a wavelength of 365 nm is in the above-described range, a resist pattern excellent in adhesion and resolution is obtained as compared with the case of the light transmittance outside the above-described range, and the resist dimensional reproducibility is improved. Moreover, in the aspect which provides the usage method of the negative photosensitive resin laminated body and negative photosensitive resin laminated body in this invention, the image of a photomask is projected because the light transmittance in wavelength 365nm is the range mentioned above. In the case of forming a cured resist by exposing a negative photosensitive resin layer through a lens using the i-line monochromatic light, a resist pattern excellent in adhesion and resolution is obtained as compared with the case of light transmittance outside the above-mentioned range. Moreover, resist dimension reproducibility becomes favorable. In the case of forming a cured resist by exposing a negative photosensitive resin layer through a lens using light projected from an image of a photomask, the cross-sectional shape of the resist becomes an inverted trapezoidal shape, which is thick at the resist top and thin at the resist bottom, resulting in resist dimensional reproducibility There is a problem. Moreover, in the aspect which performs exposure after peeling a support body previously, when forming a resist hardened | cured material by exposing the negative photosensitive resin layer through the lens using the light which projected the image of the said photomask, the resist cross-sectional shape will be There is a problem in resist dimensional reproducibility because it becomes a bobbin shape and the resist foot is large. On the other hand, when the said light transmittance exceeds 50%, since the negative photosensitive resin layer (B) cannot absorb the exposure light efficiently, there exists a problem that exposure sensitivity falls. These problems occur more remarkably when i-line monochromatic light is used. Then, the light transmittance at wavelength 365nm of a negative photosensitive resin layer (B) is 25% or more and 50% or less from a viewpoint of solving these problems and making it the outstanding resist shape. From the viewpoint of the adhesion and resolution of the resist pattern and the exposure sensitivity, the light transmittance at a wavelength of 365 nm of the negative photosensitive resin layer (B) of the present invention is more preferably 30% or more and 45% or less, and is 35% or more and 45% or less. The following is more preferable.

네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율을 조정하는 방법으로서, 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 형성하기 위해 사용하는 네거티브형 감광성 수지 조성물에 자외선 흡수제를 첨가하는 방법이나, 광중합 개시제의 양을 조정하는 방법을 들 수 있다. 자외선 흡수제로는 벤조트리아졸계, 벤조페논계, 살리실레이트계, 시아노아크릴레이트계, 니켈계, 트리아진계 등을 들 수 있다. 벤조트리아졸계 자외선 흡수제로는, 2-(2-히드록시-5-t-부틸페닐)-2H-벤조트리아졸, 벤젠프로판산3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-(1,1-디메틸에틸)-4-히드록시 C7-9 측사슬 및 직사슬 알킬에스테르, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-비스(1-메틸-1-페닐에틸)페놀을 예시할 수 있다. As a method of adjusting the light transmittance in wavelength 365nm of a negative photosensitive resin layer (B), The method of adding a ultraviolet absorber to the negative photosensitive resin composition used for forming a negative photosensitive resin layer (B), The method of adjusting the quantity of a photoinitiator is mentioned. Examples of the ultraviolet absorber include benzotriazole type, benzophenone type, salicylate type, cyanoacrylate type, nickel type, triazine type and the like. As a benzotriazole type ultraviolet absorber, 2- (2-hydroxy-5-t-butylphenyl) -2H- benzotriazole and benzene propanoic acid 3- (2H- benzotriazol-2-yl) -5- ( 1,1-dimethylethyl) -4-hydroxy C 7-9 side chain and straight chain alkyl ester, 2- (2H-benzotriazol-2-yl) -4,6-bis (1-methyl-1- Phenylethyl) phenol can be illustrated.

광중합 개시제로서 후술하는 벤조페논 및 벤조페논 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 선택하는 것은, 레지스트 패턴의 밀착성 및 해상성의 더 나은 향상을 기대할 수 있다는 점에서 특히 바람직하다. It is particularly preferable to select at least one compound selected from the group consisting of benzophenone and benzophenone derivatives described below as the photopolymerization initiator, in that a better improvement in adhesion and resolution of the resist pattern can be expected.

본 발명에 관련된 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율을 측정하는 방법으로는, 지지체 상에 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 형성하고, 참조광측에 지지체를 넣고, 지지체 부분을 캔슬하여 분광 광도계 (히타치 하이테크놀로지즈사 제조, U-3310) 에 의해 슬릿 4 ㎚, 스캔 속도 600 ㎚/분으로 설정하여 측정하는 방법이 있다. As a method of measuring the light transmittance at wavelength 365nm of the negative photosensitive resin layer (B) which concerns on this invention, a negative photosensitive resin layer (B) is formed on a support body, a support body is put in a reference light side, There is a method of canceling a portion and setting the slit to 4 nm and a scanning speed of 600 nm / minute with a spectrophotometer (manufactured by Hitachi Hi-Technologies, U-3310) and measuring it.

본 발명에 관련된 네거티브형 감광성 수지층 (B) 는, (a) 카르복실기 함유량이 산 당량으로 100 ~ 600 이고 또한 중량 평균 분자량이 5,000 ~ 500,000 사이인 바인더용 수지 20 ~ 90 질량%, (b) 광중합가능한 불포화 화합물 3 ~ 70 질량%, 및 (c) 광중합 개시제 0.1 ~ 20 질량% 를 함유하는 네거티브형 감광성 수지 조성물로 형성할 수 있다. The negative photosensitive resin layer (B) which concerns on this invention is (a) 20-90 mass% of resin for binders whose content of carboxyl groups is 100-600 in acid equivalent, and a weight average molecular weight is 5,000-500,000, (b) photopolymerization It can be formed with the negative photosensitive resin composition containing 3-70 mass% of unsaturated compounds which can be formed, and 0.1-20 mass% of (c) photoinitiators.

바인더용 수지 중의 카르복실기는, 네거티브형 감광성 수지층에 알칼리 수용액에 대한 현상성이나 박리성을 부여하기 위해 필요하다. 바인더용 수지 중의 카르복실기의 양은, 현상 내성, 해상성 및 밀착성의 관점에서 산 당량으로 100 이상이 바람직하고, 현상성 및 박리성의 관점에서 600 이하가 바람직하다. 보다 바람직하게는 산 당량으로 250 ~ 400 일 수 있다. 본 발명에 있어서의 네거티브형 감광성 수지 적층체 및 네거티브형 감광성 수지 적층체의 사용 방법을 제공하는 측면에서는, 상기 산 당량은 100 ~ 600 이고, 바람직하게는 300 ~ 400 이다. 산 당량이란 그 중에 1 당량의 카르복실기를 갖는 중합체 (즉, 바인더용 수지) 의 질량 (그램 당량) 을 말한다. The carboxyl group in resin for binders is necessary in order to provide developability and peelability with respect to aqueous alkali solution to a negative photosensitive resin layer. The amount of the carboxyl group in the binder resin is preferably 100 or more in terms of acid equivalent from the viewpoint of development resistance, resolution and adhesion, and preferably 600 or less in view of developability and peelability. More preferably, the acid equivalent may be 250 to 400. In view of providing a method of using the negative photosensitive resin laminate and the negative photosensitive resin laminate in the present invention, the acid equivalent is from 100 to 600, preferably from 300 to 400. An acid equivalent means the mass (gram equivalent) of the polymer (namely, binder resin) which has 1 equivalent of carboxyl groups.

산 당량의 측정은, 히라누마 산업 (주) 제조의 히라누마 자동적정장치 (COM-555) 를 사용하고, 0.1 mol/ℓ 의 수산화나트륨을 사용하여 전위차 적정법에 의해 실시한다. The acid equivalent is measured by potentiometric titration using a Hiranuma automatic titrator (COM-555) manufactured by Hiranuma Industries, Ltd., using 0.1 mol / L sodium hydroxide.

본 발명에 관련된 (a) 바인더용 수지의 중량 평균 분자량은 5,000 ~ 500,000 사이일 수 있다. (a) 바인더용 수지의 중량 평균 분자량은 현상성의 관점에서 500,000 이하가 바람직하고, 텐팅 막강도 및 에지 퓨즈 저감의 관점에서 5,000 이상이 바람직하다. 본 발명의 효과를 더욱 높이기 위해서는, (a) 바인더용 수지의 중량 평균 분자량이 20,000 ~ 300,000 사이에 있는 것이 바람직하다. 또, 본 발명에 있어서의 네거티브형 감광성 수지 적층체 및 네거티브형 감광성 수지 적층체의 사용 방법을 제공하는 측면에서는, 상기 중량 평균 분자량은 5,000 ~ 500,000 사이이고, 프로젝션 노광기를 사용하여 i 선 단색 노광했을 때의 해상도가 향상된다는 점에서 그 중량 평균 분자량은 10,000 ~ 40,000 사이가 바람직하다.The weight average molecular weight of the resin for binders (a) which concerns on this invention can be between 5,000-500,000. (a) The weight average molecular weight of the resin for binder is preferably 500,000 or less from the viewpoint of developability, and 5,000 or more is preferable from the viewpoint of tenting film strength and edge fuse reduction. In order to heighten the effect of this invention further, it is preferable that the weight average molecular weights of (a) resin for binders are between 20,000-300,000. Moreover, from the aspect which provides the usage method of the negative photosensitive resin laminated body and negative photosensitive resin laminated body in this invention, the said weight average molecular weight is 5,000-500,000, and it was i-line monochrome exposure using the projection exposure machine. The weight average molecular weight is preferably between 10,000 and 40,000 in that the resolution at the time is improved.

중량 평균 분자량은, 닛폰 분광 (주) 제조의 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) [펌프 : Gulliver, PU-1580 형, 칼럼 : 쇼와 덴코 (주) 제조, Shodex (등록 상표) (KF-807, KF-806M, KF-806M, KF-802.5) 4 개 직렬, 이동층 용매 : 테트라히드로푸란, 폴리스티렌 표준 샘플 (쇼와 덴코 (주) 제조, Shodex STANDARD SM-105 Polystyrene) 에 의한 검량선 사용] 에 의해 구해진다. The weight average molecular weight is a gel permeation chromatography (GPC) manufactured by Nippon Spectroscopy Co., Ltd. [pump: Gulliver, PU-1580 type, column: Showa Denko Co., Ltd., Shodex (registered trademark) (KF-807, KF-806M, KF-806M, KF-802.5) 4 in-line, moving bed solvent: tetrahydrofuran, by using a calibration curve by polystyrene standard sample (Showa Denko Co., Shodex STANDARD SM-105 Polystyrene) Is saved.

(a) 바인더용 수지의 유리 전이 온도는 100 ℃ 이상인 것이 밀착성의 관점에서 바람직하다. (a) 바인더용 수지의 유리 전이 온도는 100 ℃ 이상 120 ℃ 이하인 것이 더욱 바람직하다. (a) It is preferable from a viewpoint of adhesiveness that the glass transition temperature of resin for binders is 100 degreeC or more. (a) It is further more preferable that the glass transition temperature of resin for binders is 100 degreeC or more and 120 degrees C or less.

본 발명에 있어서의 (a) 바인더용 수지의 유리 전이 온도는, 하기 FOX 의 식 : The glass transition temperature of the resin for binders (a) in this invention is a formula of the following FOX:

Figure 112010013824744-pct00007
Figure 112010013824744-pct00007

(여기에서, Tg 는 공중합체의 Tg 를 나타낸다. Tg1, Tg2, Tg3, …, Tgn 은 각 호모폴리머의 Tg (K) 를 나타낸다. W1, W2, W3, …, Wn 은 각 모노머의 질량% 를 나타낸다.) 로 산출한다.Where Tg represents the Tg of the copolymer. Tg 1 , Tg 2 , Tg 3 , ..., Tg n represent the Tg (K) of each homopolymer. W 1 , W 2 , W 3 , ..., W n represents the mass% of each monomer.

본 발명에 사용되는 (a) 바인더용 수지는, 하기의 2 종류의 단량체 중에서 각각 1 종 또는 그 이상의 단량체를 공중합시킴으로써 얻어질 수 있다. 제 1 단량체는, 분자 중에 중합성 불포화기를 1 개 갖는 카르복실산 또는 산무수물이다. 예를 들어, (메트)아크릴산, 푸마르산, 신남산, 크로톤산, 이타콘산, 말레산 무수물, 말레산 반(半)에스테르 등을 들 수 있다. Resin for (a) binders used for this invention can be obtained by copolymerizing 1 type or more of monomers among the following 2 types of monomers, respectively. The first monomer is a carboxylic acid or an acid anhydride having one polymerizable unsaturated group in the molecule. For example, (meth) acrylic acid, fumaric acid, cinnamic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, maleic acid semiester, etc. are mentioned.

제 2 단량체는 비산성이고, 분자 중에 중합성 불포화기를 1 개 가지며, 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 현상성, 에칭 및 도금 공정에서의 내성, 경화막의 가요성 등의 여러 가지 특성을 유지하도록 선택된다. 이와 같은 것으로는, 예를 들어 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 또, 해상도를 높일 수 있다는 점에서, 페닐기를 갖는 비닐 화합물 (예를 들어, 스티렌, 벤질(메트)아크릴레이트) 을 사용하는 것이 바람직하다.The second monomer is non-acidic and has one polymerizable unsaturated group in the molecule so as to maintain various properties such as developability of the negative photosensitive resin layer (B), resistance in etching and plating processes, flexibility of the cured film, and the like. Is selected. As such a thing, alkyl (meth) acrylate, 2-hydride, such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, and 2-ethylhexyl (meth) acrylate, for example. Hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, (meth) acrylonitrile and the like. Moreover, since the resolution can be improved, it is preferable to use the vinyl compound (for example, styrene and benzyl (meth) acrylate) which has a phenyl group.

본 발명에 관련된 (a) 바인더용 수지는, 상기 단량체의 혼합물을 아세톤, 메틸에틸케톤, 이소프로판올 등의 용제로 희석시킨 용액에 과산화벤조일, 아조이소부티로니트릴 등의 라디칼 중합 개시제를 적량 첨가하고, 가열ㆍ교반함으로써 합성될 수 있다. 혼합물의 일부를 반응액에 적하하면서 합성을 하는 경우도 있다. 반응 종료 후, 추가로 용제를 첨가하여 원하는 농도로 조정하는 경우도 있다. 합성 수단으로는, 용액 중합 이외에 괴상 중합, 현탁 중합, 유화 중합 등을 이용해도 된다.The resin for binders (a) which concerns on this invention adds the appropriate amount of radical polymerization initiators, such as benzoyl peroxide and azoisobutyronitrile, to the solution which diluted the mixture of the said monomers with solvents, such as acetone, methyl ethyl ketone, isopropanol, It can synthesize | combine by heating and stirring. In some cases, the mixture may be added dropwise to the reaction solution. After completion | finish of reaction, a solvent may be further added and it may adjust to desired density | concentration. As a synthesis | combining means, you may use block polymerization, suspension polymerization, emulsion polymerization, etc. other than solution polymerization.

네거티브형 감광성 수지 조성물 전체에 대한 (a) 바인더용 수지의 함유량은 20 ~ 90 질량% 의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 30 ~ 70 질량% 의 범위이다. (a) 바인더용 수지의 함유량은, 노광, 현상에 의해 형성되는 레지스트 패턴이 레지스트로서의 특성, 예를 들어 텐팅, 에칭 및 각종 도금 공정에서 충분한 내성을 갖는 관점에서 20 ~ 90 질량% 의 범위가 바람직하다. 또, 본 발명에 있어서의 네거티브형 감광성 수지 적층체 및 네거티브형 감광성 수지 적층체의 사용 방법을 제공하는 측면에서는, (a) 바인더용 수지의 네거티브형 감광성 수지 조성물 전체에 대한 함유량이 20 ~ 90 질량% 의 범위, 바람직하게는 30 ~ 70 질량% 의 범위가 된다.The content of the resin for the binder (a) to the entire negative photosensitive resin composition is preferably in the range of 20 to 90 mass%, more preferably in the range of 30 to 70 mass%. (a) The content of the binder resin is preferably in the range of 20 to 90% by mass in view of the resist pattern formed by exposure and development having sufficient resistance as a resist, for example, in tenting, etching and various plating processes. Do. Moreover, from the point which provides the usage method of the negative photosensitive resin laminated body and negative photosensitive resin laminated body in this invention, content of the whole negative photosensitive resin composition of (a) binder resin is 20-90 mass. It is the range of%, Preferably it is the range of 30-70 mass%.

본 발명에 있어서, (b) 광중합가능한 불포화 화합물은, 바람직하게는 하기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물, 및 하기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 광중합가능한 불포화 화합물이다.In the present invention, (b) the photopolymerizable unsaturated compound is preferably at least one photopolymerizable unsaturated selected from the group consisting of a compound represented by the following general formula (I) and a compound represented by the following general formula (II). Compound.

일반식 (Ⅰ) : General formula (Ⅰ):

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112010013824744-pct00008
Figure 112010013824744-pct00008

{식 중, R8 및 R9 는 독립적으로 H 또는 CH3 이고, 그리고 n2, n3 및 n4 는 각각 독립적으로 3 ~ 20 의 정수이다.} 로 나타내는 화합물.{In formula, R <8> and R <9> is independently H or CH <3> , and n <2> , n <3> and n <4> are the integers of 3-20 each independently.} A compound represented by these.

상기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물에 있어서, n2, n3 및 n4 가 3 보다 작으면 당해 화합물의 비점이 저하되고, 레지스트의 악취가 강해져서 사용하기 곤란해진다. n2, n3 및 n4 가 20 을 초과하면, 단위 중량당 광활성 부위의 농도가 낮아지기 때문에, 실용적 감도가 낮아지는 경향이 있다. In the compound represented by the general formula (I), when n 2 , n 3, and n 4 are smaller than 3, the boiling point of the compound decreases, and the odor of the resist becomes strong, making it difficult to use. n 2 , n 3 and n 4 When exceeds 20, since the density | concentration of the photoactive site per unit weight becomes low, there exists a tendency for practical sensitivity to become low.

상기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물의 구체예로는, 예를 들어 평균 12 몰의 프로필렌옥사이드를 부가한 폴리프로필렌글리콜의 양단에 각각 평균 3 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 글리콜의 디메타크릴레이트를 들 수 있다. As a specific example of the compound represented by the said general formula (I), the dimethacrylate of the glycol which added an average of 3 mol ethylene oxide to the both ends of the polypropylene glycol to which the average 12 mol of propylene oxide was added, for example, Can be mentioned.

일반식 (Ⅱ) : General formula (II):

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112010013824744-pct00009
Figure 112010013824744-pct00009

{식 중, R10 및 R11 은 독립적으로 H 또는 CH3 이고, A 는 C2H4 이고, B 는 C3H6 이고, n5 + n6 은 2 ~ 30 의 정수이고, n7 + n8 은 0 ~ 30 의 정수이고, n5 및 n6 은 독립적으로 1 ~ 29 의 정수이고, n7 및 n8 은 독립적으로 0 ~ 29 의 정수이고, -(A-O)- 및 -(B-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이어도 되고 블록이어도 되며, 블록인 경우, 어느 것이 비스페놀기측이어도 된다.} 로 나타내는 화합물.{Wherein R 10 and R 11 are independently H or CH 3 , A is C 2 H 4 , B is C 3 H 6 , n 5 + n 6 is an integer from 2 to 30, n 7 + n 8 is an integer from 0 to 30, n 5 and n 6 are independently an integer from 1 to 29, n 7 and n 8 are an integer from 0 to 29 independently,-(AO)-and-(BO) The arrangement of the repeating unit of-may be random or may be a block, and in the case of a block, either may be the bisphenol group side.}.

상기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 화합물에 있어서, n5 + n6 및 n7 + n8 이 30 을 초과하면, 상대적으로 네거티브형 감광성 수지층 (B) 중의 2 중 결합 농도가 낮아지기 때문에 감도가 낮아지는 경향이 있다. n5 + n6 은 4 ~ 14 가 바람직하고, 그리고 n7 + n8 은 0 ~ 14 가 바람직하다. In the compound represented by the above general formula (II), when n 5 + n 6 and n 7 + n 8 exceed 30, since the double bond concentration in the negative photosensitive resin layer (B) is relatively low, the sensitivity is low. Tend to lose. n 5 + n 6 is a 4 to 14 are preferred, and n 7 + n 8 is preferably from 0 to 14.

상기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 화합물의 구체예로는, 비스페놀 A 의 양단에 각각 평균 2 몰의 프로필렌옥사이드와 평균 6 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리 알킬렌글리콜의 디메타크릴레이트나, 비스페놀 A 의 양단에 각각 평균 5 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리에틸렌글리콜의 디메타크릴레이트 (신나카무라 화학 공업 (주) 제조, NK 에스테르 BPE-500) 를 들 수 있다. As a specific example of the compound represented by the said General formula (II), the dimethacrylate of the polyalkylene glycol which added an average of 2 mol of propylene oxide and an average of 6 mol of ethylene oxide to both ends of bisphenol A, and bisphenol A, respectively The dimethacrylate (The Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd. product, NK ester BPE-500) of polyethyleneglycol which added 5 mol of ethylene oxide on the both ends of each is mentioned.

(b) 광중합가능한 불포화 화합물로는, 상기한 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물 및 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 광중합가능한 불포화 화합물 이외에도, 하기의 식 (Ⅲ) 또는 식 (Ⅳ) 로 나타내는 화합물을 사용할 수 있다. (b) As a unsaturated compound which can be photopolymerized, the compound represented by following formula (III) or formula (IV) is used besides the compound represented by said general formula (I) and the photopolymerizable unsaturated compound represented by general formula (II). Can be.

식 (Ⅲ) : Formula (III):

[화학식 9][Chemical Formula 9]

Figure 112010013824744-pct00010
Figure 112010013824744-pct00010

{식 중, R12 는 탄소수 4 ~ 12 의 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이고, R13 및 R14 는 독립적으로 H 또는 CH3 이고, m1, m2, m3 및 m4 는 각각 독립적으로 0 ~ 15 의 정수이고, -(OC3H6)m1-(OC2H4)m3- 및 -(OC3H6)m2-(OC2H4)m4- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이어도 되고 블록이어도 되며, 그리고 블록인 경우, 어느 것이 아크릴로일기측이어도 된다.} 으로 나타내는 화합물.{Wherein, R 12 are, each carbon number is 4-12 alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, R 13 and R 14 are independently H or CH 3, m 1, m 2 , m 3 and m 4 are independently is an integer of 0 ~ 15, - (OC 3 H 6) m1 - (OC 2 H 4) m3 - , and - (OC 3 H 6) m2 - (OC 2 H 4) m4 - arrangement of the repeating unit is may be random in Or a block, and in the case of a block, either may be the acryloyl group side.}.

상기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 화합물에 있어서, 감도의 관점에서 m1, m2, m3 및 m4 는 15 이하이다. In the compound represented by the general formula (III), m 1 , m 2 , m 3 and m 4 are 15 or less from the viewpoint of sensitivity.

상기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 화합물의 구체예로는, 예를 들어 헥사메틸렌디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트 화합물과, 1 분자 중에 히드록실기와 (메트)아크릴기를 갖는 화합물 (예를 들어, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 올리고프로필렌글리콜모노메타크릴레이트, 올리고에틸렌글리콜모노메타크릴레이트, 올리고에틸렌프로필렌글리콜모노메타크릴레이트 등) 과의 우레탄 화합물 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 헥사메틸렌디이소시아네이트와 올리고프로필렌글리콜모노메타크릴레이트 (닛폰 유지 (주) 제조, 브렌마 PP1000) 의 반응물, 헥사메틸렌디이소시아네이트와 올리고에틸렌글리콜모노메타크릴레이트 (닛폰 유지 (주) 제조, 브렌마 PE-200) 의 반응물, 헥사메틸렌디이소시아네이트와 올리고에틸렌프로필렌글리콜모노메타크릴레이트 (닛폰 유지 (주) 제조, 브렌마 70PEP-350B) 의 반응물을 들 수 있다. As a specific example of the compound represented by the said General formula (III), For example, diisocyanate compounds, such as hexamethylene diisocyanate, tolylene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl hexamethylene diisocyanate, and a hydroxide in 1 molecule With a compound having a real group and a (meth) acryl group (for example, 2-hydroxypropyl acrylate, oligopropylene glycol monomethacrylate, oligoethylene glycol monomethacrylate, oligoethylene propylene glycol monomethacrylate, etc.) Urethane compounds etc. are mentioned. Specifically, a reaction product of hexamethylene diisocyanate and oligopropylene glycol monomethacrylate (manufactured by Nippon Oils and Fats, Inc., Brenma PP1000), and hexamethylene diisocyanate and oligoethylene glycol monomethacrylate (Nippon Oil and Fats Co., Ltd.) And reactants of hexamethylene diisocyanate and oligoethylene propylene glycol monomethacrylate (manufactured by Nippon Oils & Fats, Inc., Brenma 70PEP-350B).

식 (Ⅳ) : Formula (IV):

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112010013824744-pct00011
Figure 112010013824744-pct00011

{식 중, R15 는 H 또는 CH3 이고, R16 은 탄소수 1 ~ 14 의 알킬기이고, A' 는 C2H4 이고, B' 는 C3H6 이고, m3 은 1 ~ 12 의 정수이고, m4 는 0 ~ 12 의 정수이고, m5 는 0 ~ 3 의 정수이고, -(A'-O)- 및 -(B'-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이어도 되고 블록이어도 되며, 그리고 블록인 경우, 어느 것이 페닐기측이어도 된다.} 로 나타내는 화합물.{Wherein, R 15 is H or CH 3, R 16 is an alkyl group of carbon number 1 ~ 14, A 'is C 2 H 4, B' are C 3 H 6, m 3 is an integer of 1-12 M 4 is an integer from 0 to 12, m 5 is an integer from 0 to 3, and the arrangement of the repeating units of-(A'-O)-and-(B'-O)-may be random or block. And in the case of a block, either side may be a phenyl group.}.

상기 일반식 (Ⅳ) 로 나타내는 화합물에 있어서, 감도의 관점에서 m3 및 m4 는 14 이하이고, 바람직하게는 12 이하이다. In the compound represented by the general formula (IV), m 3 and m 4 are 14 or less, preferably 12 or less from the viewpoint of sensitivity.

일반식 (Ⅳ) 로 나타내는 화합물의 구체예로는, 예를 들어 평균 2 몰의 프로필렌옥사이드를 부가한 폴리프로필렌글리콜과 평균 7 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리에틸렌글리콜을 노닐페놀에 부가한 화합물의 아크릴레이트인 4-노르말노닐페녹시헵타에틸렌글리콜디프로필렌글리콜아크릴레이트를 들 수 있다. 평균 8 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리에틸렌글리콜을 노닐페놀에 부가한 화합물의 아크릴레이트인 4-노르말노닐페녹시옥타에틸렌글리콜아크릴레이트 (토아 합성 (주) 제조, M-114) 도 들 수 있다. As a specific example of the compound represented by general formula (IV), For example, the acryl of the compound which added the polypropylene glycol which added an average of 2 mol of propylene oxide, and the polyethylene glycol which added an average of 7 mol of ethylene oxide to nonylphenol. 4-normal nonyl phenoxy hepta ethylene glycol dipropylene glycol acrylate which is a rate is mentioned. The 4-normal nonyl phenoxy octaethylene glycol acrylate (The Toa Synthetic Co., Ltd. product, M-114) which is an acrylate of the compound which added the polyethyleneglycol which added an average of 8 mol ethylene oxide to nonylphenol is also mentioned.

(b) 광중합가능한 불포화 화합물로서, 상기 식 (Ⅰ) 내지 (Ⅳ) 로 나타내는 화합물 외에도, 하기의 광중합가능한 불포화 화합물을 동시에 병용할 수도 있다. 예를 들어, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디올디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 2-디(p-히드록시페닐)프로판디(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 폴리옥시프로필트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리 글리시딜에테르트리(메트)아크릴레이트, 비스페놀 A 디글리시딜에테르디(메트)아크릴레이트 및 β-히드록시프로필-β'-(아크릴로일옥시)프로필프탈레이트를 들 수 있다. (b) As a photopolymerizable unsaturated compound, in addition to the compound represented by said formula (I)-(IV), the following photopolymerizable unsaturated compound can also be used together. For example, 1, 6- hexanediol di (meth) acrylate, 1, 4- cyclohexanediol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, 2-di (p-hydroxyphenyl) propanedi (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, polyoxypropyltrimethylolpropane tri (meth) acrylate, poly Oxyethyltrimethylol propane triacrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, trimethylolpropane tri glycidyl ether tree ( Meth) acrylate, bisphenol A diglycidyl ether di (meth) acrylate, and β-hydroxypropyl-β '-(acryloyloxy) propylphthalate.

네거티브형 감광성 수지 조성물 전체에 대한 (b) 광중합가능한 불포화 화합물의 함유량은 3 ~ 70 질량% 의 범위인 것이 바람직하다. 감도의 관점에서 3 질량% 이상이 바람직하고, 보존시의 감광성 수지층이 비어져 나오는 것을 방지하는 관점에서 70 질량% 이하가 바람직하다. 또, 본 발명에 있어서의 네거티브형 감광성 수지 적층체 및 네거티브형 감광성 수지 적층체의 사용 방법을 제공하는 측면에서는, 상기 함유량은 3 ~ 70 질량% 의 범위이다. 상기 함유량은 보다 바람직하게는 10 ~ 60 질량%, 더욱 바람직하게는 15 ~ 55 질량% 이다.It is preferable that content of (b) photopolymerizable unsaturated compound with respect to the whole negative photosensitive resin composition is 3 to 70 mass%. 3 mass% or more is preferable from a viewpoint of a sensitivity, and 70 mass% or less is preferable from a viewpoint of preventing the photosensitive resin layer at the time of preservation from protruding. Moreover, in the aspect which provides the usage method of the negative photosensitive resin laminated body and negative photosensitive resin laminated body in this invention, the said content is the range of 3-70 mass%. More preferably, the said content is 10-60 mass%, More preferably, it is 15-55 mass%.

네거티브형 감광성 수지 조성물이 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물 및 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 광중합가능한 불포화 화합물을 함유하는 경우, 네거티브형 감광성 수지 조성물 전체에 대한 당해 불포화 화합물의 함유량은 3 ~ 60 질량% 의 범위인 것이 바람직하고, 3 ~ 45 질량% 의 범위인 것이 더욱 바람직하다. 밀착성의 관점에서 3 질량% 이상이 바람직하고, 에지 퓨즈의 관점에서 60 질량% 이하가 바람직하다. When the negative photosensitive resin composition contains at least one photopolymerizable unsaturated compound selected from the group consisting of a compound represented by the general formula (I) and a compound represented by the general formula (II), the entire negative type photosensitive resin composition It is preferable that it is the range of 3-60 mass%, and, as for content of the said unsaturated compound, it is more preferable that it is the range which is 3-45 mass%. 3 mass% or more is preferable from a viewpoint of adhesiveness, and 60 mass% or less is preferable from an viewpoint of an edge fuse.

네거티브형 감광성 수지 조성물이 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 화합물 또는 일반식 (Ⅳ) 로 나타내는 화합물을 함유하는 경우, 네거티브형 감광성 수지 조성물 전체에 대한 각각의 불포화 화합물의 함유량은 3 ~ 60 질량% 의 범위에 있는 것이 바람직하고, 3 ~ 45 질량% 의 범위에 있는 것이 더욱 바람직하다. 밀착성의 관점에서 3 질량% 이상이 바람직하고, 에지 퓨즈의 관점에서 60 질량% 이하가 바람직하다. When the negative photosensitive resin composition contains the compound represented by general formula (III) or the compound represented by general formula (IV), content of each unsaturated compound with respect to the whole negative photosensitive resin composition is 3-60 mass% of range. It is preferable to exist in it, and it is more preferable to exist in the range of 3-45 mass%. 3 mass% or more is preferable from a viewpoint of adhesiveness, and 60 mass% or less is preferable from an viewpoint of an edge fuse.

고해상도의 관점에서, 네거티브형 감광성 수지 조성물은, (c) 광중합 개시제로서 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체를 함유하는 것이 바람직하다. 그 트리아릴이미다졸 2 량체로는, 하기 일반식 (Ⅴ) 로 나타내는 화합물, 및 하기 일반식 (Ⅵ) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체가 특히 바람직하다. From the viewpoint of high resolution, the negative photosensitive resin composition preferably contains 2,4,5-triarylimidazole dimer as (c) a photopolymerization initiator. As the triarylimidazole dimer, at least one 2,4,5-triaryl selected from the group consisting of a compound represented by the following general formula (V) and a compound represented by the following general formula (VI) is Midazole dimers are particularly preferred.

일반식 (Ⅴ) : General formula (Ⅴ):

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112010013824744-pct00012
Figure 112010013824744-pct00012

{식 중, X, Y 및 Z 는 각각 독립적으로 수소, 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 기 중 어느 것을 나타내고, 그리고 p, q 및 r 은 각각 독립적으로 1 ~ 5 의 정수이다.} 로 나타내는 화합물.{In formula, X, Y, and Z respectively independently represent either hydrogen, an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen group, and p, q, and r are each independently the integer of 1-5.} The compound represented by these.

일반식 (Ⅵ) : General formula (Ⅵ):

[화학식 12][Chemical Formula 12]

Figure 112010013824744-pct00013
Figure 112010013824744-pct00013

{식 중, X, Y 및 Z 는 각각 독립적으로 수소, 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 기 중 어느 것을 나타내고, 그리고 p, q 및 r 은 각각 독립적으로 1 ~ 5 의 정수이다.} 으로 나타내는 화합물.(In formula, X, Y, and Z respectively independently represent either hydrogen, an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen group, and p, q, and r are each independently the integer of 1-5.) The compound represented by these.

2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체로서, 예를 들어 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2 량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-비스-(m-메톡시페닐)이미다졸 2 량체, 2-(p-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2 량체 등을 들 수 있는데, 특히 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2 량체가 바람직하다. As 2,4,5-triarylimidazole dimer, for example, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4, 5-bis- (m-methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, and the like, and the like, in particular 2- (o-chloro Phenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer is preferred.

또, 네거티브형 감광성 수지 조성물이, (c) 광중합 개시제로서 벤조페논 및 벤조페논 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 것도, 레지스트 패턴의 밀착성 및 해상성의 더 나은 향상을 기대할 수 있다는 점에서 바람직하다. Moreover, when a negative photosensitive resin composition contains (c) at least 1 sort (s) of compound chosen from the group which consists of a benzophenone and a benzophenone derivative as a photoinitiator, the improvement of the adhesiveness and resolution of a resist pattern can be expected further. It is preferable in that it exists.

또한, (c) 광중합 개시제로서, 상기 일반식 (Ⅴ) 또는 (Ⅵ) 으로 나타내는2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체와, 벤조페논 및 벤조페논 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 병용해도 된다. (C) at least 1 selected from the group consisting of 2,4,5-triarylimidazole dimers represented by the general formula (V) or (VI), and a benzophenone and a benzophenone derivative as the photopolymerization initiator. You may use a compound of a species together.

벤조페논 유도체로는, 노광 감도의 관점에서 p-아미노페닐케톤이 특히 바람직하다. p-아미노페닐케톤으로는, 예를 들어 p-아미노벤조페논, p-부틸아미노페논, p-디메틸아미노아세토페논, p-디메틸아미노벤조페논, p,p'-비스(에틸아미노)벤조페논, p,p'-비스(디메틸아미노)벤조페논[미힐러케톤], p,p'-비스(디에틸아미노)벤조페논, p,p'-비스(디부틸아미노)벤조페논을 들 수 있다. As a benzophenone derivative, p-aminophenyl ketone is especially preferable from a viewpoint of exposure sensitivity. As p-aminophenyl ketone, p-amino benzophenone, p-butylamino phenone, p-dimethylamino acetophenone, p-dimethylamino benzophenone, p, p'-bis (ethylamino) benzophenone, p, p'-bis (dimethylamino) benzophenone [Mihilerketone], p, p'-bis (diethylamino) benzophenone, and p, p'-bis (dibutylamino) benzophenone are mentioned.

또, (c) 광중합 개시제로서 상기한 화합물 이외의 다른 광중합 개시제의 병용도 가능하다. 여기에서, 다른 광중합 개시제는 각종의 활성 광선, 예를 들어 자외선 등에 의해 활성화되어 중합을 개시시키는 공지된 화합물일 수 있다. Moreover, (c) use of photoinitiators other than the above-mentioned compound as a photoinitiator is also possible. Here, the other photopolymerization initiator may be a known compound which is activated by various actinic rays, for example, ultraviolet rays, to initiate the polymerization.

다른 광중합 개시제로는, 예를 들어 2-에틸안트라퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논 등의 퀴논류, 벤조페논 등의 방향족 케톤류, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르 등의 벤조인에테르류, 9-페닐아크리딘 등의 아크리딘 화합물, 벤질디메틸케탈, 벤질디에틸케탈, 피라졸린 화합물을 들 수 있다. 또, 예를 들어 티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤 등의 티오크산톤류와 디메틸아미노벤조산알킬에스테르 화합물 등의 3 급 아민 화합물의 조합도 들 수 있다.As another photoinitiator, For example, quinones, such as 2-ethyl anthraquinone and 2-tert- butyl anthraquinone, aromatic ketones, such as benzophenone, benzoin, such as benzoin, benzoin methyl ether, and benzoin ethyl ether, for example. Acridine compounds, such as ethers and 9-phenyl acridine, benzyl dimethyl ketal, benzyl diethyl ketal, a pyrazoline compound, are mentioned. Moreover, the combination of thioxanthones, such as thioxanthone, 2, 4- diethyl thioxanthone, and 2-chloro thioxanthone, and tertiary amine compounds, such as a dimethylamino benzoic acid alkyl ester compound, is also mentioned, for example. .

다른 광중합 개시제로서 1-페닐-1,2-프로판디온-2-O-벤조일옥심, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심 등의 옥심에스테르류도 들 수 있다. 또, N-아릴-

Figure 112010013824744-pct00014
-아미노산 화합물을 사용할 수도 있으며, 특히 N-페닐글리신이 바람직하다. As other photoinitiators, oxime esters such as 1-phenyl-1,2-propanedione-2-O-benzoyloxime and 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (O-ethoxycarbonyl) oxime Can be mentioned. In addition, N-aryl-
Figure 112010013824744-pct00014
Amino acid compounds can also be used, with N-phenylglycine being particularly preferred.

네거티브형 감광성 수지 조성물 전체에 대한 광중합 개시제 (c) 의 함유량은 0.1 질량% ~ 20 질량% 인 것이 바람직하다. 노광 감도의 관점에서 0.1 질량% 이상이 바람직하고, 해상도의 관점에서 20 질량% 이하가 바람직하다. 또, 본 발명에 있어서의 네거티브형 감광성 수지 적층체 및 네거티브형 감광성 수지 적층체의 사용 방법을 제공하는 측면에서는, 상기 함유량은 0.1 질량% ~ 20 질량% 이다. It is preferable that content of the photoinitiator (c) with respect to the whole negative photosensitive resin composition is 0.1 mass%-20 mass%. 0.1 mass% or more is preferable from a viewpoint of exposure sensitivity, and 20 mass% or less is preferable from a viewpoint of a resolution. Moreover, in the aspect which provides the usage method of the negative photosensitive resin laminated body and negative photosensitive resin laminated body in this invention, the said content is 0.1 mass%-20 mass%.

(c) 광중합 개시제로서 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체를 함유하는 경우, 그 네거티브형 감광성 수지 조성물 전체에 대한 함유량은 0.1 ~ 10 질량% 의 범위에 있는 것이 바람직하고, 0.5 ~ 4.5 질량% 의 범위에 있는 것이 더욱 바람직하다. 감도의 관점에서 0.1 질량% 이상이 바람직하고, 해상도의 관점에서 10 질량% 이하가 바람직하다. (c) When a 2,4,5-triaryl imidazole dimer is included as a photoinitiator, it is preferable that content with respect to the whole negative photosensitive resin composition exists in the range of 0.1-10 mass%, and is 0.5-10. It is more preferable to exist in the range of 4.5 mass%. 0.1 mass% or more is preferable from a viewpoint of a sensitivity, and 10 mass% or less is preferable from a viewpoint of a resolution.

(c) 광중합 개시제로서 벤조페논 및 벤조페논 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 경우, 네거티브형 감광성 수지 조성물 전체에 대한 당해 화합물의 함유량은, 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 25 % 이상 50 % 이하이도록 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 두께에 따라 결정되는데, 대체로 0.01 ~ 1.0 질량% 의 범위에 있는 것이 바람직하고, 0.05 ~ 0.15 질량% 의 범위에 있는 것이 더욱 바람직하다. (c) When it contains at least 1 sort (s) of compound chosen from the group which consists of a benzophenone and a benzophenone derivative as a photoinitiator, content of the said compound with respect to the whole negative photosensitive resin composition has the light transmittance in wavelength 365nm. Although it depends on the thickness of the negative photosensitive resin layer (B) so that it may be 25% or more and 50% or less, it is preferable to exist in the range of 0.01-1.0 mass% generally, and it is more preferable to exist in the range which is 0.05-0.15 mass%.

네거티브형 감광성 수지 조성물은, 염료, 안료 등의 착색 물질을 함유할 수도 있다. 착색 물질로는, 예를 들어 푹신, 프탈로시아닌 그린, 아우라민 염기, 카르콕시드 그린 S, 파라마지엔타, 크리스탈 바이올렛, 메틸 오렌지, 나일 블루 2B, 빅토리아 블루, 말라카이트 그린 (호도가야 화학 (주) 제조, 아이젠 (등록 상표) MALACHITE GREEN), 베이직 블루 20, 다이아몬드 그린 (호도가야 화학 (주) 제조, 아이젠 (등록 상표) DIAMOND GREEN GH) 등을 들 수 있다. The negative photosensitive resin composition may contain coloring substances, such as dye and a pigment. As a coloring substance, For example, fuchsine, phthalocyanine green, auramin base, carcock seed green S, paramagenta, crystal violet, methyl orange, nile blue 2B, victoria blue, malachite green (Hodogaya Chemical Co., Ltd.) Production, Eisen (registered trademark) MALACHITE GREEN), basic blue 20, diamond green (made by Hodogaya Chemical Co., Ltd., Eisen (registered trademark) DIAMOND GREEN GH), etc. are mentioned.

네거티브형 감광성 수지 조성물 전체에 대한 착색 물질의 함유량은 0.005 ~ 10 질량% 의 범위인 것이 바람직하고, 0.01 ~ 1 질량% 의 범위인 것이 더욱 바람직하다. 상기 함유량은 레지스트 시인성의 관점에서 0.005 질량% 이상이 바람직하고, 감도의 관점에서 10 질량% 이하가 바람직하다. It is preferable that it is the range of 0.005-10 mass%, and, as for content of the coloring substance with respect to the whole negative photosensitive resin composition, it is more preferable that it is the range which is 0.01-1 mass%. 0.005 mass% or more is preferable from a viewpoint of resist visibility, and, as for the said content, 10 mass% or less is preferable from a viewpoint of a sensitivity.

네거티브형 감광성 수지 조성물에는, 광 조사에 의해 발색되는 발색계 염료를 함유시킬 수도 있다. 발색계 염료로는, 예를 들어 류코 염료 및 플루오란 염료를 들 수 있다. 류코 염료로는, 예를 들어 트리스-(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)메탄-[류코 크리스탈 바이올렛], 트리스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)메탄-[류코 말라카이트 그린] 등을 들 수 있다. The negative photosensitive resin composition can also be made to contain the color-based dye developed by light irradiation. As chromophoric dye, a leuco dye and a fluorane dye are mentioned, for example. Examples of the leuco dye include tris- (4-dimethylamino-2-methylphenyl) methane- [leuco crystal violet], tris (4-dimethylamino-2-methylphenyl) methane- [leuco malachite green], and the like. have.

류코 염료는 할로겐화 화합물과 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 할로겐화 화합물로는, 브롬화아밀, 브롬화이소아밀, 브롬화이소부틸렌, 브롬화에틸렌, 브롬화디페닐메틸, 브롬화벤잘, 브롬화메틸렌, 트리브로모메틸페닐술폰, 사브롬화탄소, 트리스(2,3-디브로모프로필)포스페이트, 트리클로로아세트아미드, 요오드화아밀, 요오드화이소부틸, 1,1,1-트리클로로-2,2-비스(p-클로로페닐)에탄, 헥사클로로에탄, 할로겐화트리아진 화합물 등을 들 수 있다. It is preferable to use leuco dye in combination with a halogenated compound. As a halogenated compound, amyl bromide, isoamyl bromide, isobutyl bromide, ethylene bromide, diphenyl methyl bromide, benzyl bromide, methylene bromide, tribromomethylphenyl sulfone, carbon tetrabromide, and tris (2,3-dibromo Propyl) phosphate, trichloroacetamide, amyl iodide, isobutyl iodide, 1,1,1-trichloro-2,2-bis (p-chlorophenyl) ethane, hexachloroethane, halogenated triazine compounds and the like. have.

할로겐화 트리아진 화합물로는 2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진을 들 수 있다. Halogenated triazine compounds include 2,4,6-tris (trichloromethyl) -s-triazine and 2- (4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine. Can be mentioned.

특히, 트리브로모메틸페닐술폰과 류코 염료의 조합이나 트리아진 화합물과 류코 염료의 조합이 유용하다. In particular, the combination of tribromomethylphenyl sulfone and a leuco dye, and the combination of a triazine compound and a leuco dye are useful.

네거티브형 감광성 수지 조성물 전체에 대한 류코 염료의 함유량은 0.005 ~ 10 질량% 의 범위에 있는 것이 바람직하고, 0.01 ~ 1 질량% 의 범위에 있는 것이 더욱 바람직하다. 상기 함유량은, 착색성의 관점에서 0.005 질량% 이상이 바람직하고, 노광부와 미노광부의 콘트라스트의 관점 및 보존 안정성 유지의 관점에서 10 질량% 이하가 바람직하다. It is preferable that content of the leuco dye with respect to the whole negative photosensitive resin composition exists in the range of 0.005-10 mass%, and it is more preferable to exist in the range which is 0.01-1 mass%. 0.005 mass% or more is preferable from a viewpoint of colorability, and, as for the said content, 10 mass% or less is preferable from a viewpoint of the contrast of an exposure part and an unexposed part, and maintenance of storage stability.

네거티브형 감광성 수지 조성물 전체에 대한 할로겐화 화합물의 함유량은 0.005 ~ 10 질량% 의 범위에 있는 것이 바람직하고, 0.01 ~ 1 질량% 의 범위에 있는 것이 더욱 바람직하다. 상기 함유량은, 착색성의 관점에서 0.005 질량% 이상이 바람직하고, 노광부와 미노광부의 콘트라스트의 관점 및 보존 안정성 유지의 관점에서 10 질량% 이하가 바람직하다. It is preferable that content of the halogenated compound with respect to the whole negative photosensitive resin composition exists in the range of 0.005-10 mass%, and it is more preferable to exist in the range which is 0.01-1 mass%. 0.005 mass% or more is preferable from a viewpoint of colorability, and, as for the said content, 10 mass% or less is preferable from a viewpoint of the contrast of an exposure part and an unexposed part, and maintenance of storage stability.

네거티브형 감광성 수지 조성물의 열 안정성 및/또는 보존 안정성을 향상시키기 위해, 네거티브형 감광성 수지 조성물에 라디칼 중합 금지제를 함유시키는 것도 바람직하다. 이와 같은 라디칼 중합 금지제로는, 예를 들어 p-메톡시페놀, 하이드로퀴논, 피로갈롤, 나프틸아민, tert-부틸카테콜, 염화제1구리, 2,6-디-tert-부틸-p-크레졸, 2,2'-메틸렌비스(4-에틸-6-tert-부틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-tert-부틸페놀), 디페닐니트로소아민 등을 들 수 있으며, 구체적인 바람직한 예로서 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트] 등을 들 수 있다. In order to improve the thermal stability and / or storage stability of a negative photosensitive resin composition, it is also preferable to contain a radical polymerization inhibitor in a negative photosensitive resin composition. Such radical polymerization inhibitors include, for example, p-methoxyphenol, hydroquinone, pyrogallol, naphthylamine, tert-butylcatechol, cuprous chloride, 2,6-di-tert-butyl-p- Cresol, 2,2'-methylenebis (4-ethyl-6-tert-butylphenol), 2,2'-methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenol), diphenylnitrosoamine, etc. are mentioned. Specific examples thereof include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate].

네거티브형 감광성 수지 조성물 전체에 대한 라디칼 중합 금지제의 함유량은 0.01 ~ 3 질량% 의 범위에 있는 것이 바람직하고, 0.02 ~ 0.2 질량% 의 범위에 있는 것이 더욱 바람직하다. 상기 함유량은, 해상도의 관점에서 0.01 질량% 이상이 바람직하고, 감도의 관점에서 3 질량% 이하가 바람직하다. It is preferable that content of the radical polymerization inhibitor with respect to the whole negative photosensitive resin composition exists in the range of 0.01-3 mass%, and it is more preferable to exist in the range which is 0.02-0.2 mass%. 0.01 mass% or more is preferable from a viewpoint of the resolution, and, as for the said content, 3 mass% or less is preferable from a viewpoint of a sensitivity.

또, 본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물에 필요에 따라 가소제를 함유시킬 수도 있다. 가소제로는, 예를 들어 디에틸프탈레이트 등의 프탈산에스테르류, p-톨루엔술폰아미드, 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜모노알킬에테르 등을 들 수 있다. Moreover, the negative photosensitive resin composition of this invention can also be made to contain a plasticizer as needed. As a plasticizer, phthalic acid esters, such as diethyl phthalate, p-toluene sulfonamide, polypropylene glycol, polyethyleneglycol monoalkyl ether, etc. are mentioned, for example.

네거티브형 감광성 수지 조성물 전체에 대한 가소제의 함유량은 5 ~ 50 질량% 의 범위에 있는 것이 바람직하고, 5 ~ 30 질량% 의 범위에 있는 것이 더욱 바람직하다. 상기 함유량은, 레지스트 경화물에 유연성을 부여하는 관점에서 5 질량% 이상이 바람직하고, 경화 부족 및 콜드 플로우를 억제하는 관점에서 50 질량% 이하가 바람직하다. It is preferable to exist in the range of 5-50 mass%, and, as for content of the plasticizer with respect to the whole negative photosensitive resin composition, it is more preferable to exist in the range which is 5-30 mass%. 5 mass% or more is preferable from a viewpoint of providing flexibility to a resist hardened | cured material, and 50 mass% or less is preferable from a viewpoint of suppressing lack of hardening and a cold flow.

본 발명에 있어서의 기판 (C) 로서는, 유리 에폭시 기판에 동박을 입힌 동장 적층판, 구리, 구리 합금, 철계 합금 등의 금속판, 유리 리브, 실리콘 웨이퍼, 및 도체층을 갖는 필름 형상 기재 등을 들 수 있다. As a board | substrate (C) in this invention, the film-like base material which has the copper clad laminated board which coated copper foil on the glass epoxy board | substrate, metal plates, such as copper, a copper alloy, and an iron type alloy, a glass rib, a silicon wafer, and a conductor layer, etc. are mentioned. have.

도체층을 갖는 필름 형상 기재는, 필름 형상의 절연 수지층에 구리, 금, 은, 알루미늄 등의 도체층을 갖는 것으로서, 예를 들어 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, BT 레진 (비스말레이미드ㆍ트리아진 레진) 등의 절연 수지층에 동박을 입힌 플렉시블 기재나, TAB (Tape Automated Bonding) 테이프를 들 수 있다. The film base material which has a conductor layer has conductor layers, such as copper, gold, silver, and aluminum, in a film-shaped insulated resin layer, For example, a polyimide film, a polyester film, BT resin (bismaleimide tree Flexible base materials which coated copper foil on insulating resin layers, such as azine resin, and TAB (Tape Automated Bonding) tape are mentioned.

상기 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 기판 (C) 상에 형성하는 방법으로는, 미리 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 지지체 (A) (예를 들어, 지지 필름) 상에 형성해 두고, 이어서 예를 들어 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 지지체 (A) 와는 반대측 표면에 기판 (C) 가 적층되도록, 즉 기판 (C) 가 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 사이에 두고 지지체 (A) 와 대향하도록 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 기판 (C) (예를 들어, 금속의 프린트 회로판용 기판) 상에 가열 압착시키는 방법을 들 수 있다. As a method of forming the said negative photosensitive resin layer (B) on the board | substrate C, the negative photosensitive resin layer (B) is formed in advance on the support body A (for example, a support film), and then For example, the substrate C is laminated on the surface opposite to the support A of the negative photosensitive resin layer B, that is, the substrate C is provided with the negative photosensitive resin layer B interposed therebetween. The negative pressure photosensitive resin layer (B) is heat-compression-bonded on the board | substrate C (for example, the board | substrate for metal printed circuit boards) so that it may face to.

네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 지지체 (A) 상에 형성하는 방법으로는, 상기한 네거티브형 감광성 수지 조성물을 지지체 (A) 상에 도포하는 방법을 들 수 있다. 여기에서 사용되는 지지체 (A) 로서는, 활성광을 투과하는 투명한 것이 바람직하다. 활성광을 투과하는 지지체로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리비닐알코올 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 염화비닐리덴 공중합체 필름, 폴리메타크릴산메틸 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리아크릴로니트릴 필름, 스티렌 공중합체 필름, 폴리아미드 필름, 셀룰로오스 유도체 필름 등을 들 수 있다. 이들 필름은 필요에 따라 연신된 것일 수 있다. As a method of forming a negative photosensitive resin layer (B) on a support body (A), the method of apply | coating said negative photosensitive resin composition on a support body (A) is mentioned. As a support body (A) used here, the transparent thing which permeate | transmits an actinic light is preferable. As a support which permeate actinic light, a polyethylene terephthalate film, a polyvinyl alcohol film, a polyvinyl chloride film, a vinyl chloride copolymer film, a polyvinylidene chloride film, a vinylidene chloride copolymer film, a polymethyl methacrylate copolymer film , Polystyrene film, polyacrylonitrile film, styrene copolymer film, polyamide film, cellulose derivative film and the like. These films may be stretched as needed.

지지체 (A) 의 헤이즈는 5.0 이하인 것이 바람직하다. 지지체 (A) 의 두께는 얇은 쪽이 화상 형성성 및 경제성의 면에서 유리하지만, 강도를 유지하기 위해 두께 10 ~ 30 ㎛ 가 일반적이다. It is preferable that the haze of the support body (A) is 5.0 or less. Although the thickness of the support body (A) is advantageous in terms of image formation and economical efficiency, the thickness is generally 10 to 30 µm in order to maintain the strength.

네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 지지체 (A) 측과 반대측 표면에는, 필요에 따라 보호층 (라이너) 을 적층한다. 보호층과 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 밀착력이 지지체 (A) 와 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 밀착력보다 충분히 작기 때문에, 보호층을 용이하게 박리할 수 있다는 것이 보호층으로서의 중요한 특성이다. 이와 같은 보호층으로는, 예를 들어 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름 등을 들 수 있다. The protective layer (liner) is laminated | stacked on the surface on the opposite side to the support body (A) side of a negative photosensitive resin layer (B) as needed. Since the adhesion between the protective layer and the negative photosensitive resin layer (B) is sufficiently smaller than the adhesion between the support (A) and the negative photosensitive resin layer (B), it is an important characteristic as the protective layer that the protective layer can be easily peeled off. . As such a protective layer, a polyethylene film, a polypropylene film, etc. are mentioned, for example.

네거티브형 감광성 수지 적층체가 보호층을 갖는 경우에는, 기판 (C) 상으로의 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 형성에 앞서 그 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 표면에 미리 보호층을 형성하고, 그 보호층을 박리한 후에, 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 기판 (C) 표면에 가열 압착시켜 적층한다. 이 때의 가열 온도는, 일반적으로 40 ~ 160 ℃ 이다. In the case where the negative photosensitive resin laminate has a protective layer, a protective layer is previously formed on the surface of the negative photosensitive resin layer (B) prior to the formation of the negative photosensitive resin layer (B) on the substrate (C). After peeling off this protective layer, the negative photosensitive resin layer (B) is heat-compressed and laminated | stacked on the board | substrate (C) surface. The heating temperature at this time is generally 40-160 degreeC.

네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 두께는 용도에 있어서 상이하지만, 프린트 회로판 (프린트 배선판) 제조용에서는 통상적으로 5 ~ 100 ㎛, 바람직하게는 5 ~ 50 ㎛ 이다. 막두께 5 ~ 25 ㎛ 의 범위는 해상력이 높고, 레지스트 치수 재현성의 개선 효과가 극적이라는 점에서 보다 바람직하다. Although the thickness of a negative photosensitive resin layer (B) differs in a use, in manufacture for a printed circuit board (printed wiring board), it is 5-100 micrometers normally, Preferably it is 5-50 micrometers. The range of the film thickness of 5-25 micrometers is more preferable at the point that resolution is high and the effect of improving the resist dimensional reproducibility is dramatic.

네거티브형 감광성 수지 적층체는 i 선 단색광, 자외광 등의 활성 광선에 의해, 바람직하게는 i 선 단색광에 의해 노광한다. 이 노광 공정에서 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 노광부가 경화된다. 노광 공정에 사용되는 광원으로는 고압 수은등, 초고압 수은등, 자외선 형광등, 카본 아크등, 크세논 램프, 레이저 등을 들 수 있다. 이들 광원은 그대로 사용해도 되고, 밴드 패스 필터 등을 사용하여 i 선 단색으로 해도 된다. 노광 파장을 i 선 단색으로 하면 해상도가 향상되기 때문에, i 선 단색광을 사용하는 것이 바람직하다. 적층체 형성 공정과 노광 공정 사이에서 네거티브형 감광성 수지층 (B) 로부터 지지체 (A) 를 박리하고 나서, 잔존하는 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 노광 공정에서 노광하는 것도 바람직하다. 이 경우, 레지스트 단면 형상이 직사각형, 즉 레지스트 톱에서 두껍고 레지스트 보텀에서 얇은 경우가 거의 없는 형상이 되기 때문에 특히 바람직하다. A negative photosensitive resin laminated body is exposed by actinic light, such as i line | wire monochromatic light and an ultraviolet light, Preferably, it exposes by i line | wire monochromatic light. In this exposure process, the exposed portion of the negative photosensitive resin layer (B) is cured. As a light source used for an exposure process, a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, an ultraviolet fluorescent lamp, a carbon arc lamp, a xenon lamp, a laser etc. are mentioned. These light sources may be used as they are or may be i line monochrome using a band pass filter or the like. Since the resolution is improved when the exposure wavelength is i-line monochromatic, it is preferable to use i-line monochromatic light. It is also preferable to peel a support body A from the negative photosensitive resin layer (B) between a laminated body formation process and an exposure process, and to expose the remaining negative photosensitive resin layer (B) by an exposure process. In this case, the cross-sectional shape of the resist is particularly preferable because it becomes rectangular, that is, a shape that is thick at the resist top and hardly thin at the resist bottom.

일반적으로, 노광에 사용하는 노광 방식으로는, 투영형 노광 방식 (프로젝션 노광 방식), 밀착 노광 방식, 직접 묘화 방식 등을 들 수 있는데, 본 발명에서는, 포토마스크의 이미지를 투영시킨 광을 사용하여 렌즈를 통해 네거티브형 감광성 수지층을 노광하는 투영형 노광 방식을 이용한다. 또한, 본 발명의 전형적인 양태에서는, 광원으로부터의 광이 포토마스크 및 렌즈를 이 순서로 통과하여 네거티브형 감광성 수지층에 도달하는데, 광원으로부터의 광이 렌즈를 통과한 후에 포토마스크를 통과해도 된다. 본 발명에서는, 투영형 노광 방식을 이용하고, 또한 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율을 25 % 이상 50 % 이하로 함으로써 레지스트 치수 재현성이 현저히 개선된다. 또, 투영형 노광 방식에 있어서, 파장 365 ㎚ 에서의 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 광선 투과율을 25 % 이상 50 % 이하로 하고, 또한 미리 지지체 (A) 를 박리한 후에 노광하는 양태에서는, 레지스트 형상이 직사각형, 즉 레지스트 톱에서 두껍고 레지스트 보텀에서 얇은 경우가 거의 없는 형상이 된다는 이점이 얻어진다.Generally, as an exposure method used for exposure, a projection type exposure method (projection exposure method), a close exposure method, a direct drawing method, etc. are mentioned, In this invention, using the light which projected the image of the photomask, The projection type exposure method which exposes a negative photosensitive resin layer through a lens is used. In a typical embodiment of the present invention, the light from the light source passes through the photomask and the lens in this order to reach the negative photosensitive resin layer. The light from the light source may pass through the photomask after passing through the lens. In the present invention, the resist dimensional reproducibility is remarkably improved by using the projection type exposure method and by setting the light transmittance at a wavelength of 365 nm to 25% or more and 50% or less. Moreover, in the projection type exposure system, in the aspect which exposes the light transmittance of the negative photosensitive resin layer (B) in wavelength 365nm to 25% or more and 50% or less, and after exfoliating support body A beforehand, An advantage is obtained that the resist shape becomes rectangular, i.e., a shape that is thick at the resist top and hardly thin at the resist bottom.

이어서, 네거티브형 감광성 수지층 (B) 상에 지지체 (A) 가 존재하는 경우에는, 필요에 따라 지지체 (A) 를 제거한 후, 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 미노광부를 현상 제거함으로써, 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 경화부로 이루어지는 레지스트 경화물을 형성한다. 현상 방법으로는, 예를 들어 알칼리 수용액을 사용하여 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 미노광부를 제거하는 방법을 들 수 있다. 알칼리 수용액으로는, 탄산나트륨, 탄산칼륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 이들 알칼리 수용액은 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 특성에 맞춰서 선택되는데, 일반적으로 0.5 ~ 3 질량% 의 탄산나트륨 수용액이 사용된다. 이상과 같이 하여 본 발명에 관련된 레지스트 경화물을 얻을 수 있다. Next, when the support body (A) exists on the negative photosensitive resin layer (B), after removing a support body (A) as needed, it is negative by developing and removing the unexposed part of the negative photosensitive resin layer (B). The resist hardened | cured material which consists of a hardening part of a type photosensitive resin layer (B) is formed. As a developing method, the method of removing the unexposed part of negative photosensitive resin layer (B) using alkaline aqueous solution, for example is mentioned. As aqueous alkali solution, aqueous solution, such as sodium carbonate and potassium carbonate, can be used. Although these aqueous alkali solution is selected according to the characteristic of a negative photosensitive resin layer (B), 0.5-3 mass% sodium carbonate aqueous solution is generally used. As described above, the cured resist of the present invention can be obtained.

<프린트 배선판의 제조 방법><Method of manufacturing a printed wiring board>

상기한 네거티브형 감광성 수지 적층체를 사용한 프린트 배선판의 제조 방법에 대하여 이하에 추가로 설명한다. 본 발명은 상기 서술한 제조 방법에 의해 얻어진 레지스트 경화물이 형성하는 레지스트 패턴을 갖는 기판 (C) 를 에칭하거나 또는 도금하는 공정과, 기판 (C) 로부터 레지스트 경화물을 제거하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법에서는, 기판 (C) 로서 특히 금속판을 사용하고, 전술한 레지스트 경화물의 제조 방법에 있어서의 현상 공정에 의해 노출된 금속면에, 이미 알려진 에칭법 또는 도금법 중 어느 방법에 의해 금속의 화상 패턴을 형성한다. 그 후, 일반적으로 현상에서 사용하는 알칼리 수용액보다 더욱 강한 알칼리성 수용액에 의해, 경화시킨 레지스트 패턴을 박리 제거한다. 박리용 알칼리 수용액은 특별히 제한은 없지만, 1 ~ 5 질량% 의 수산화나트륨이나 수산화칼륨의 수용액이 일반적으로 사용된다.The manufacturing method of the printed wiring board using said negative photosensitive resin laminated body is further demonstrated below. The invention includes a step of etching or plating a substrate (C) having a resist pattern formed by the resist cured product obtained by the above-described manufacturing method, and a step of removing the resist cured product from the substrate (C). The manufacturing method of a wiring board is provided. In the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention, a metal plate is used especially as a board | substrate (C), and any of the etching methods or plating methods which are already known by the metal surface exposed by the image development process in the manufacturing method of the resist hardened | cured material mentioned above are known. A metal image pattern is formed by the method. Thereafter, the cured resist pattern is peeled off by an alkaline aqueous solution which is stronger than the aqueous alkali solution generally used in development. Although aqueous alkali solution for peeling does not have a restriction | limiting in particular, The aqueous solution of 1-5 mass% sodium hydroxide and potassium hydroxide is generally used.

본 발명을 사용하여 화상 패턴을 형성함으로써, 상기 프린트 배선판 (프린트 회로판) 외에, 반도체 패키지용 기판, 리드 프레임, 플라스마 디스플레이의 리브 등을 형성할 수 있다. 본 발명에 의해 얻어지는 레지스트 라인의 단면은, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 직사각형 (장방형) 에 가까운 양호한 형상을 나타낸다. 즉, 도 2 에 나타내는 바와 같은, 종래 기술의 제조 방법으로 생기는 레지스트 톱에서 두껍고 레지스트 보텀에서 얇은 문제가 현저히 저감되고, 또 도 4 에 나타내는 바와 같은, 미리 네거티브형 감광성 수지층으로부터 지지체를 박리한 후에 노광하는 경우에 레지스트 단면 형상이 「보빈 형상」이 되어, 레지스트 풋이 커진다는 문제가 현저히 저감되어 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 패키지 기판 제조용에 특히 바람직하게 적용할 수 있다. By forming an image pattern using the present invention, in addition to the above printed wiring board (printed circuit board), a semiconductor package substrate, a lead frame, a rib of a plasma display, and the like can be formed. The cross section of the resist line obtained by this invention shows a favorable shape near a rectangle (rectangle), as shown in FIG. That is, the problem that the thickness of the resist top resulting from the manufacturing method of the prior art as shown in FIG. 2 and the thinness at the resist bottom is remarkably reduced, and after peeling the support from the negative photosensitive resin layer as shown in FIG. 4 in advance. In the case of exposure, the problem that the resist cross-sectional shape becomes a "bobbin shape" and the resist foot becomes large is significantly reduced. Therefore, the present invention can be particularly preferably applied to semiconductor package substrate manufacture.

본 발명을 사용하여 리드 프레임을 제조하는 경우에는, 상기 기판 (C) 로서 구리, 구리 합금, 철계 합금 등의 금속판을 사용하고, 전술한 레지스트 경화물의 제조 방법에 있어서의 노광 공정 및 현상 공정 후에 노출된 기판면을 에칭한다. 최종적으로 레지스트 경화물의 박리를 실시하여 원하는 리드 프레임을 얻는다. 또, 본 발명을 사용하여 플라스마 디스플레이 패널의 리브를 제조하는 경우, 기판 (C) 로서 유리 리브를 사용하여 전술한 레지스트 경화물의 제조 방법에 있어서의 노광 공정 및 현상 공정 후에, 노출된 기판면을 샌드 블라스트 공법에 의해 가공하고, 레지스트 패턴을 박리하여 요철 패턴을 갖는 기판을 얻을 수 있다. When manufacturing a lead frame using this invention, it exposes after the exposure process and image development process in the manufacturing method of the resist hardened | cured material mentioned above using metal plates, such as copper, a copper alloy, an iron type alloy, as said board | substrate (C). The substrate surface is etched. Finally, the cured resist is peeled off to obtain a desired lead frame. Moreover, when manufacturing the rib of a plasma display panel using this invention, after exposing process and image development process in the manufacturing method of the resist hardened | cured material mentioned above using glass rib as a board | substrate (C), the exposed substrate surface is sanded. It is processed by the blasting method, the resist pattern is peeled off, and a substrate having an uneven pattern can be obtained.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명의 실시형태를 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, although an Example demonstrates embodiment of this invention concretely, this invention is not limited to an Example.

<네거티브형 감광성 수지 조성물> <Negative photosensitive resin composition>

실시예 및 비교예에서 사용된 네거티브형 감광성 수지 조성물의 조성을 이하의 표 1 및 2 에 나타낸다. The composition of the negative photosensitive resin composition used by the Example and the comparative example is shown to the following Tables 1 and 2.

Figure 112010013824744-pct00015
Figure 112010013824744-pct00015

Figure 112010013824744-pct00016
Figure 112010013824744-pct00016

표 중, 약호 (P-1 ~ C-1) 로 나타내는 네거티브형 감광성 수지 조성물의 성분을 이하의 <기호 설명> 에서 설명한다. 표 중에서 P-1 및 P-2 의 값은, 고형분의 양이다. In the table, the component of the negative photosensitive resin composition shown by symbol (P-1-C-1) is demonstrated in the following <symbol description>. In the table, the values of P-1 and P-2 are amounts of solids.

<기호 설명> <Symbol explanation>

P-1 : 메타크릴산 30 질량%, 스티렌 20 질량%, 벤질메타크릴레이트 50 질량% 의 3 원 공중합체의 메틸에틸케톤 용액 (고형분 농도 40 질량%, 중량 평균 분자량 55,000, 산 당량 287, 유리 전이 온도 102 ℃) P-1: Methyl ethyl ketone solution of the ternary copolymer of 30 mass% of methacrylic acid, 20 mass% of styrene, and 50 mass% of benzyl methacrylate (solid content concentration 40 mass%, weight average molecular weight 55,000, acid equivalent 287, glass Transition temperature 102 ℃)

P-2 : 벤질메타크릴레이트 80 질량%, 메타크릴산 20 질량% 의 2 원 공중합체의 메틸에틸케톤 용액 (고형분 농도 50 질량%, 중량 평균 분자량 25,000, 산 당량 430, 유리 전이 온도 78 ℃)P-2: Methyl ethyl ketone solution of the binary copolymer of 80 mass% of benzyl methacrylate and 20 mass% of methacrylic acid (solid content concentration 50 mass%, weight average molecular weight 25,000, acid equivalent 430, glass transition temperature 78 degreeC)

M-1 : 평균 12 몰의 프로필렌옥사이드를 부가한 폴리프로필렌글리콜의 양단에 평균 3 몰의 에틸렌옥사이드를 각각 부가한 폴리알킬렌글리콜의 디메타크릴레이트 M-1: Dimethacrylate of polyalkylene glycol to which an average of 3 mol of ethylene oxide was added to both ends of polypropylene glycol to which an average of 12 mol of propylene oxide was added.

M-2 : 펜타에리트리톨트리아크릴레이트와 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트의 7 : 3 (몰비) 혼합물 M-2: 7: 3 (molar ratio) mixture of pentaerythritol triacrylate and pentaerythritol tetraacrylate

M-3 : 비스페놀 A 의 양단에 각각 평균 5 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리에틸렌글리콜의 디메타크릴레이트 (신나카무라 화학 공업 (주) 제조, NK 에스엘 BPE-500) M-3: Dimethacrylate of polyethyleneglycol which added an average of 5 mol of ethylene oxide to both ends of bisphenol A (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industries, Ltd., NK SL BPE-500)

M-4 : 테트라에틸렌글리콜디메타크릴레이트 M-4: tetraethylene glycol dimethacrylate

M-5 : 트리메틸올프로판트리아크릴레이트M-5: trimethylolpropane triacrylate

A-1 : 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2 량체 A-1: 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer

A-2 : 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논A-2: 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone

B-1 : 다이아몬드 그린 (호도가야 화학 (주) 제조, 아이젠 (등록 상표) DIAMOND GREEN GH) B-1: Diamond Green (Hodogaya Chemical Co., Ltd., Eisen (registered trademark) DIAMOND GREEN GH)

B-2 : 류코 크리스탈 바이올렛B-2: Leuco Crystal Violet

C-1 : 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트]C-1: pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate]

<네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 형성 방법><Formation method of negative photosensitive resin layer (B)>

다음으로, 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 지지체 (A) 상에 형성하는 방법에 대하여 설명한다. Next, the method of forming a negative photosensitive resin layer (B) on a support body (A) is demonstrated.

실시예 및 비교예에서는, 메틸에틸케톤을 용매로 하여 비휘발 성분 농도가 50 질량% 가 되도록 표 1 및 2 에 나타내는 성분을 혼합하여 균일하게 용해시켜 네거티브형 감광성 수지 조성물의 용액을 조제하였다. 얻어진 네거티브형 감광성 수지 조성물의 용액을 지지체 (A) 로서의 두께 20 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 바 코터를 사용하여 균일하게 도포하고, 95 ℃ 의 건조기 내에서 3 분간 건조시켰다. 건조 후에 얻어진 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 두께는 25 ㎛ 였다. In the Example and the comparative example, the component shown in Table 1 and 2 was mixed and melt | dissolved uniformly so that methyl ethyl ketone might be used as a solvent so that a non-volatile component concentration might be 50 mass%, and the solution of the negative photosensitive resin composition was prepared. The solution of the obtained negative photosensitive resin composition was apply | coated uniformly to the 20-micrometer-thick polyethylene terephthalate film as a support body (A) using a bar coater, and it dried for 3 minutes in 95 degreeC dryer. The thickness of the negative photosensitive resin layer (B) obtained after drying was 25 micrometers.

상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 상에 형성된 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율은, 히타치 하이테크놀로지즈사 제조의 U-3310 형 분광 광도계를 사용하고, 참조측에 상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 넣어서 측정하였다. 또, 이 때의 슬릿 설정은 4 ㎚, 스캔 속도 설정은 600 ㎚/분이었다. As for the light transmittance in wavelength 365nm of the negative photosensitive resin layer (B) formed on the said polyethylene terephthalate, the said polyethylene terephthalate film was used for reference using the U-3310 type spectrophotometer by a Hitachi High-Technologies Corporation. Was measured. Moreover, the slit setting at this time was 4 nm, and the scanning speed setting was 600 nm / min.

이어서, 네거티브형 감광성 수지층 (B) 상에, 보호층으로서 두께 25 ㎛ 의 폴리에틸렌 필름을 부착시켜 적층 필름을 얻었다. 35 ㎛ 의 압연 동박을 적층한, 기판 (C) 로서의 동장 적층판의 표면을 제트 스크러브 연마하고, 이 적층 필름의 폴리에틸렌 필름을 벗겨내면서, 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 핫롤 라미네이터에 의해 105 ℃ 에서 기판 (C) 상에 라미네이트하여 네거티브형 감광성 수지 적층체를 얻었다. Subsequently, a 25-micrometer-thick polyethylene film was stuck as a protective layer on the negative photosensitive resin layer (B), and the laminated | multilayer film was obtained. Jet scrub-polishing the surface of the copper clad laminated board as a board | substrate C which laminated | stacked 35 micrometers rolled copper foil, and peeling off the polyethylene film of this laminated | multilayer film, 105 degreeC of a negative photosensitive resin layer (B) with a hot roll laminator. It laminated on the board | substrate (C) at the time, and obtained the negative photosensitive resin laminated body.

<레지스트 경화물의 제조><Production of Cured Resistant>

상기에서 얻은 네거티브형 감광성 수지 적층체에 마스크 필름을 통과시키고, 프로젝션 노광기 ((주) 우시오 전기 제조, UX2003 SM-MS04, i 선 밴드 패스 필터 사용) 에 의해 180 mJ/㎠ 로 i 선 단색광을 조사하여 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 i 선 단색광으로 노광하였다. 이어서, 30 ℃ 의 1 질량% 탄산나트륨 수용액을 약 40 초간 스프레이하고, 미노광부를 용해 제거함으로써 현상하였다. 그 후, 잔존한 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 경화부 (노광부) 를 이온 교환수를 사용하여 약 20 초간 스프레이 수세하여 본 발명에 관련된 레지스트 경화물을 얻었다. 또한, 표 1 에 나타내는 실시예 및 비교예에 대해서는, 상기 탄산나트륨 수용액의 스프레이 전에, 그리고 표 2 에 나타내는 실시예 및 비교예에 대해서는 상기 노광 전에 각각 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하였다. The mask film was made to pass through the negative photosensitive resin laminated body obtained above, and i line monochromatic light was irradiated at 180 mJ / cm <2> by the projection exposure machine (The Ushio Electric Co., Ltd. make, UX2003 SM-MS04, i line band pass filter). The negative photosensitive resin layer (B) was exposed to i-line monochromatic light. Next, it developed by spraying 30 degreeC 1 mass% sodium carbonate aqueous solution for about 40 second, and removing an unexposed part. Then, the hardened part (exposure part) of the residual negative photosensitive resin layer (B) was spray-washed for about 20 second using ion-exchange water, and the resist hardened | cured material which concerns on this invention was obtained. In addition, about the Example and comparative example shown in Table 1, the polyethylene terephthalate film was peeled off before spraying of the said sodium carbonate aqueous solution, and about the Example and comparative example shown in Table 2, respectively, before the said exposure.

노광 감도는 투명에서부터 흑색으로 21 단계로 명도가 변화되는 아사히 카세이 제조의 27 단 단계 태블릿을 사용하여 측정하였다. The exposure sensitivity was measured using a 27-stage tablet manufactured by Asahi Kasei, whose brightness was changed from transparent to black in 21 steps.

이하의 평가 기준을 사용하여 얻어진 레지스트 경화물을 평가하였다. The obtained resist hardened | cured material was evaluated using the following evaluation criteria.

(1) 해상도 상기 노광에 있어서, 라인과 스페이스가 1 : 1 인 마스크 필름을 사용하여 노광하고, 현상하였다. 얻어진 경화 패턴이 분리될 수 있는 최소 선폭을 해상도로 하였다. (1) Resolution In the said exposure, it exposed and developed using the mask film whose line and space are 1: 1. The minimum line width which the obtained hardening pattern can isolate | separate was made into the resolution.

(2) 밀착성 상기 노광에 있어서, 라인과 스페이스가 L ㎛ : 200 ㎛ (L ㎛ 는 라인 폭을 나타낸다) 인 마스크 필름을 사용하여 노광하고, 현상하였다. 얻어진 경화 패턴이 밀착될 수 있는 최소 선폭을 밀착성으로 하였다. (2) Adhesiveness In the said exposure, it exposed and developed using the mask film whose line and space are L micrometer: 200 micrometers (L micrometer shows a line width). The minimum line width which the obtained hardening pattern can adhere to was made into adhesiveness.

(3) 레지스트 형상 상기 노광에 있어서, 라인 폭 12 ㎛ 인 마스크 필름을 사용하였다. 전자 현미경 ((주) 토프콘사 제조, Sm-500) 을 사용하여 가속 전압 15 ㎸, 배율 1,000 배, 틸트각 60 도에서 레지스트 형상을 확인하였다. 레지스트 톱과 레지스트 보텀에서의 경화 패턴 선폭의 차가 1 ㎛ 미만이면 ◎, 1 ㎛ 이상 2 ㎛ 미만이면 ○, 그리고 2 ㎛ 이상이면 × 로 하였다. (3) Resist shape In the above exposure, a mask film having a line width of 12 µm was used. The resist shape was confirmed at 15 kPa of acceleration voltages, 1,000 times magnification, and 60 degree of tilt angles using the electron microscope (Tomcon Co., Ltd. product Sm-500). When the difference in the cured pattern line width between the resist top and the resist bottom was less than 1 µm,?

<실시예 1A ~ 8A, 비교예 1A ~ 4A, 실시예 1B ~ 7B, 비교예 1B ~ 4B><Examples 1A-8A, Comparative Examples 1A-4A, Examples 1B-7B, Comparative Examples 1B-4B>

네거티브형 감광성 수지 조성물의 성분 및 평가 결과를 표 1 및 2 에 나타낸다. 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 본 발명의 범위에 들어가 있는 실시예 1A ~ 8A 및 실시예 1B ~ 7B 에서는, 광선 투과율이 본 발명의 범위 밖인 비교예 1A ~ 4A 및 비교예 1B ~ 4B 에 있어서보다 해상도, 밀착성 및 레지스트 형상을 포함하는 평가 기준에서 종합적으로 우수하다는 것이 확인되었다.The components and the evaluation results of the negative photosensitive resin composition are shown in Tables 1 and 2. In Examples 1A to 8A and Examples 1B to 7B in which the light transmittance at a wavelength of 365 nm falls within the range of the present invention, the light transmittance is more than in Comparative Examples 1A to 4A and Comparative Examples 1B to 4B, which are outside the range of the present invention. It was confirmed that they were comprehensively excellent in evaluation criteria including resolution, adhesion and resist shape.

실시예 2A 및 비교예 1A 에서 얻어진 레지스트 경화물의 레지스트 형상의 전자 현미경 사진을 각각 도 1 및 도 2 에 나타낸다. 실시예 2A 에서는, 레지스트 형상이 직사각형에 가까운 데 대해, 비교예 1A 에서는 레지스트 톱에서 현저히 두껍고 레지스트 보텀에서 현저히 얇다는 것이 관찰되었다. 실시예 2B 및 비교예 1B 에서 얻어진 레지스트 경화물의 레지스트 형상의 전자 현미경 사진을 각각 도 3 및 도 4 에 나타낸다. 실시예 2B 에서는 레지스트 형상이 직사각형에 가까운 데 대해, 비교예 1B 에서는 레지스트 보텀이 얇은 것이 관찰되고, 또 레지스트 풋이 크다는 것 (레지스트 단면 형상이 「보빈 형상」이라는 것) 이 관찰되었다. The electron microscope photograph of the resist shape of the resist hardened | cured material obtained in Example 2A and Comparative Example 1A is shown to FIG. 1 and FIG. 2, respectively. In Example 2A, while the resist shape was close to a rectangle, it was observed that in Comparative Example 1A, it was remarkably thick at the resist top and remarkably thin at the resist bottom. Electron micrographs of the resist shape of the cured resist of Example 2B and Comparative Example 1B are shown in FIGS. 3 and 4, respectively. In Example 2B, while the resist shape was close to a rectangle, in Comparative Example 1B, a thin resist bottom was observed, and a large resist foot was observed (resist cross-sectional shape was "bobbin shape").

본 발명은 프린트 배선판 (프린트 회로판) 의 제조, IC 칩 탑재용 리드 프레임의 제조, 반도체 패키지의 제조 등에 널리 이용할 수 있다. Industrial Applicability The present invention can be widely used for the manufacture of printed wiring boards (printed circuit boards), the manufacture of lead frames for mounting IC chips, the manufacture of semiconductor packages, and the like.

Claims (28)

적어도 지지체 (A) 와 네거티브형 감광성 수지층 (B) 와 기판 (C) 가 적층되어 이루어지는 네거티브형 감광성 수지 적층체를 형성하는 적층체 형성 공정과,
포토마스크의 이미지를 투영시킨 광을 사용하여 렌즈를 통해 상기 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 노광하는 노광 공정과,
상기 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 미노광부를 현상 제거함으로써, 상기 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 경화부로 이루어지는 레지스트 경화물을 형성하는 현상 공정을 포함하고,
상기 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 25 % ~ 36 % 인 레지스트 경화물의 제조 방법.
A laminate formation step of forming a negative photosensitive resin laminate in which at least a support (A), a negative photosensitive resin layer (B), and a substrate (C) are laminated;
An exposure step of exposing the negative photosensitive resin layer (B) through a lens using light projected from an image of a photomask,
A developing step of forming a cured resist of the hardened portion of the negative photosensitive resin layer (B) by developing and removing the unexposed portion of the negative photosensitive resin layer (B),
The manufacturing method of the resist hardened | cured material whose light transmittance in wavelength 365nm of the said negative photosensitive resin layer (B) is 25%-36%.
제 1 항에 있어서,
상기 광이 i 선 단색광인 레지스트 경화물의 제조 방법.
The method of claim 1,
A method for producing a cured resist, wherein the light is i-ray monochromatic light.
제 1 항에 있어서,
상기 적층체 형성 공정과 상기 노광 공정 사이에, 상기 네거티브형 감광성 수지층 (B) 로부터 상기 지지체 (A) 를 박리하는 지지체 박리 공정을 추가로 포함하는 레지스트 경화물의 제조 방법.
The method of claim 1,
The manufacturing method of the cured resist further including the support body peeling process which peels the said support body (A) from the said negative photosensitive resin layer (B) between the said laminated body formation process and the said exposure process.
제 1 항에 있어서,
상기 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 35 % ~ 36 % 인 레지스트 경화물의 제조 방법.
The method of claim 1,
The manufacturing method of the resist hardened | cured material whose light transmittance in wavelength 365nm of the said negative photosensitive resin layer (B) is 35%-36%.
제 1 항에 있어서,
상기 네거티브형 감광성 수지층 (B) 가, (a) 카르복실기 함유량이 산 당량으로 100 ~ 600 이고 또한 중량 평균 분자량이 5,000 ~ 500,000 사이인 바인더용 수지 20 ~ 90 질량%, (b) 광중합가능한 불포화 화합물 3 ~ 70 질량%, 및 (c) 광중합 개시제 0.1 ~ 20 질량% 를 함유하는 네거티브형 감광성 수지 조성물로 이루어지는 레지스트 경화물의 제조 방법.
The method of claim 1,
The said negative photosensitive resin layer (B) is 20-90 mass% of binder resins (b) photopolymerizable unsaturated compound whose (a) carboxyl group content is 100-600 in acid equivalent, and a weight average molecular weight is 5,000-500,000, (b) The manufacturing method of the resist hardened | cured material which consists of negative photosensitive resin composition containing 3-70 mass% and (c) 0.1-20 mass% of photoinitiators.
제 5 항에 있어서,
상기 (c) 광중합 개시제로서 벤조페논 및 벤조페논 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 제조 방법.
The method of claim 5, wherein
The manufacturing method containing at least 1 sort (s) of compound chosen from the group which consists of benzophenone and a benzophenone derivative as said (c) photoinitiator.
제 5 항에 있어서,
상기 (c) 광중합 개시제로서 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체를 함유하는 제조 방법.
The method of claim 5, wherein
The manufacturing method containing 2,4,5-triaryl imidazole dimer as said (c) photoinitiator.
제 5 항에 있어서,
상기 (c) 광중합 개시제로서 벤조페논 및 벤조페논 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체의 양자를 함유하는 제조 방법.
The method of claim 5, wherein
The manufacturing method containing both at least 1 sort (s) of compound chosen from the group which consists of a benzophenone and a benzophenone derivative as said photoinitiator, and a 2,4,5-triarylimidazole dimer.
제 5 항에 있어서,
상기 (b) 광중합가능한 불포화 화합물이, 하기 일반식 (Ⅰ) :
[화학식 1]
Figure 112010013824744-pct00017

{식 중, R8 및 R9 는 독립적으로 H 또는 CH3 이고, 그리고 n2, n3 및 n4 는 각각 독립적으로 3 ~ 20 의 정수이다.} 로 나타내는 화합물, 및 하기 일반식 (Ⅱ) :
[화학식 2]
Figure 112010013824744-pct00018

{식 중, R10 및 R11 은 독립적으로 H 또는 CH3 이고, A 는 C2H4 이고, B 는 C3H6 이고, n5 + n6 은 2 ~ 30 의 정수이고, n7 + n8 은 0 ~ 30 의 정수이고, n5 및 n6 은 독립적으로 1 ~ 29 의 정수이고, n7 및 n8 은 독립적으로 0 ~ 29 의 정수이고, -(A-O)- 및 -(B-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이어도 되고 블록이어도 되며, 블록인 경우, 어느 것이 비스페놀기측이어도 된다.} 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 레지스트 경화물의 제조 방법.
The method of claim 5, wherein
Said (b) photopolymerizable unsaturated compound is a following general formula (I):
[Formula 1]
Figure 112010013824744-pct00017

{Wherein, R 8 and R 9 are independently H or CH 3, and, and n 2, n 3 and n 4 are each independently an integer from 3 to 20} the compound, and the following general formula (Ⅱ) represented by :
(2)
Figure 112010013824744-pct00018

{Wherein R 10 and R 11 are independently H or CH 3 , A is C 2 H 4 , B is C 3 H 6 , n 5 + n 6 is an integer from 2 to 30, n 7 + n 8 is an integer from 0 to 30, n 5 and n 6 are independently an integer from 1 to 29, n 7 and n 8 are an integer from 0 to 29 independently,-(AO)-and-(BO) The arrangement of the repeating unit of-may be random or may be a block, and in the case of a block, either may be the bisphenol group side.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법에 의해 얻어진 레지스트 경화물이 형성하는 레지스트 패턴을 갖는 상기 기판 (C) 를 에칭하거나 또는 도금하는 공정과,
상기 기판 (C) 로부터 상기 레지스트 경화물을 제거하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법.
The process of etching or plating the said board | substrate (C) which has a resist pattern which the resist hardened | cured material obtained by the manufacturing method in any one of Claims 1-9 forms, and
The manufacturing method of the printed wiring board containing the process of removing the said hardened | cured material from the said board | substrate (C).
포토마스크의 이미지를 투영시킨 i 선 단색광을 사용하여 렌즈를 통해 네거티브형 감광성 수지층을 노광함으로써 레지스트 경화물을 형성하기 위해 사용하는 네거티브형 감광성 수지 적층체로서,
적어도 지지체 (A) 와 i 선 단색 노광용 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 갖고,
상기 네거티브형 감광성 수지층 (B) 가, (a) 카르복실기 함유량이 산 당량으로 100 ~ 600 이고 또한 중량 평균 분자량이 5,000 ~ 500,000 사이인 바인더용 수지 20 ~ 90 질량%, (b) 광중합가능한 불포화 화합물 3 ~ 70 질량%, 및 (c) 광중합 개시제 0.1 ~ 20 질량% 를 함유하는 i 선 단색 노광용 네거티브형 감광성 수지 조성물로 이루어지고, 또한
상기 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 25 % ~ 36 % 인 네거티브형 감광성 수지 적층체.
A negative photosensitive resin laminate used to form a cured resist by exposing a negative photosensitive resin layer through a lens using i-line monochromatic light projecting an image of a photomask,
At least it has a support body (A) and the negative photosensitive resin layer (B) for i line | wire monochromatic exposure,
The said negative photosensitive resin layer (B) is 20-90 mass% of binder resins (b) photopolymerizable unsaturated compound whose (a) carboxyl group content is 100-600 in acid equivalent, and a weight average molecular weight is 5,000-500,000, (b) It consists of the negative photosensitive resin composition for i line | wire monochromatic exposure containing 3-70 mass% and (c) 0.1-20 mass% of photoinitiators, and
The negative photosensitive resin laminated body whose light transmittance in wavelength 365nm of the said negative photosensitive resin layer (B) is 25%-36%.
제 11 항에 있어서,
상기 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 35 % ~ 36 % 인 네거티브형 감광성 수지 적층체.
The method of claim 11,
The negative photosensitive resin laminated body whose light transmittance in wavelength 365nm of the said negative photosensitive resin layer (B) is 35%-36%.
제 11 항에 있어서,
상기 (a) 바인더용 수지의 유리 전이 온도가 100 ℃ 이상인 네거티브형 감광성 수지 적층체.
The method of claim 11,
The negative photosensitive resin laminated body whose glass transition temperature of the said resin for binders (a) is 100 degreeC or more.
제 11 항에 있어서,
상기 (a) 바인더용 수지의 중량 평균 분자량이 10,000 ~ 40,000 사이인 네거티브형 감광성 수지 적층체.
The method of claim 11,
The negative photosensitive resin laminated body whose weight average molecular weights of said resin for binders (a) are between 10,000-40,000.
제 11 항에 있어서,
상기 (c) 광중합 개시제로서 벤조페논 및 벤조페논 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 네거티브형 감광성 수지 적층체.
The method of claim 11,
The negative photosensitive resin laminated body containing at least 1 sort (s) of compound chosen from the group which consists of a benzophenone and a benzophenone derivative as said (c) photoinitiator.
제 11 항에 있어서,
상기 (c) 광중합 개시제로서 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체를 함유하는 네거티브형 감광성 수지 적층체.
The method of claim 11,
The negative photosensitive resin laminated body containing 2,4,5-triaryl imidazole dimer as said (c) photoinitiator.
제 11 항에 있어서,
상기 (c) 광중합 개시제로서 벤조페논 및 벤조페논 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체의 양자를 함유하는 네거티브형 감광성 수지 적층체.
The method of claim 11,
The negative photosensitive resin laminated body containing both (c) at least 1 sort (s) of compound chosen from the group which consists of a benzophenone and a benzophenone derivative as a photoinitiator, and a 2,4,5-triaryl imidazole dimer. .
제 11 항에 있어서,
상기 (b) 광중합가능한 불포화 화합물이, 하기 일반식 (Ⅰ)
[화학식 3]
Figure 112010013824744-pct00019

{식 중, R8 및 R9 는 독립적으로 H 또는 CH3 이고, 그리고 n2, n3 및 n4 는 각각 독립적으로 3 ~ 20 의 정수이다.} 로 나타내는 화합물, 및 하기 일반식 (Ⅱ) :
[화학식 4]
Figure 112010013824744-pct00020

{식 중, R10 및 R11 은 독립적으로 H 또는 CH3 이고, A 는 C2H4 이고, B 는 C3H6 이고, n5 + n6 은 2 ~ 30 의 정수이고, n7 + n8 은 0 ~ 30 의 정수이고, n5 및 n6 은 독립적으로 1 ~ 29 의 정수이고, n7 및 n8 은 독립적으로 0 ~ 29 의 정수이고, -(A-O)- 및 -(B-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이어도 되고 블록이어도 되며, 블록인 경우, 어느 것이 비스페놀기측이어도 된다} 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 네거티브형 감광성 수지 적층체.
The method of claim 11,
Said (b) photopolymerizable unsaturated compound is the following general formula (I)
(3)
Figure 112010013824744-pct00019

{Wherein, R 8 and R 9 are independently H or CH 3, and, and n 2, n 3 and n 4 are each independently an integer from 3 to 20} the compound, and the following general formula (Ⅱ) represented by :
[Chemical Formula 4]
Figure 112010013824744-pct00020

{Wherein R 10 and R 11 are independently H or CH 3 , A is C 2 H 4 , B is C 3 H 6 , n 5 + n 6 is an integer from 2 to 30, n 7 + n 8 is an integer from 0 to 30, n 5 and n 6 are independently an integer from 1 to 29, n 7 and n 8 are an integer from 0 to 29 independently,-(AO)-and-(BO) The arrangement of the repeating unit of-may be random or may be a block, and in the case of a block, a negative photosensitive resin laminate selected from the group consisting of the compounds represented by the above formula}.
제 11 항에 있어서,
상기 네거티브형 감광성 수지층 (B) 상에 추가로 보호층을 갖는 네거티브형 감광성 수지 적층체.
The method of claim 11,
The negative photosensitive resin laminated body which has a protective layer further on the said negative photosensitive resin layer (B).
포토마스크의 이미지를 투영시킨 i 선 단색광을 사용하여 렌즈를 통해 네거티브형 감광성 수지층을 노광함으로써 레지스트 경화물을 형성할 때, 적어도 지지체 (A) 와 i 선 단색 노광용 네거티브형 감광성 수지층 (B) 를 갖는 네거티브형 감광성 수지 적층체로서, 상기 네거티브형 감광성 수지층 (B) 가, (a) 카르복실기 함유량이 산 당량으로 100 ~ 600 이고 또한 중량 평균 분자량이 5,000 ~ 500,000 사이인 바인더용 수지 20 ~ 90 질량%, (b) 광중합가능한 불포화 화합물 3 ~ 70 질량%, 및 (c) 광중합 개시제 0.1 ~ 20 질량% 를 함유하는 i 선 단색 노광용 네거티브형 감광성 수지 조성물로 이루어지고, 또한 상기 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 25 % ~ 36 % 인 네거티브형 감광성 수지 적층체를 사용하는 네거티브형 감광성 수지 적층체의 사용 방법.When forming a cured resist by exposing a negative photosensitive resin layer through a lens using i-line monochromatic light projecting an image of a photomask, at least the support A and the negative photosensitive resin layer for i-line monochrome exposure (B) As a negative photosensitive resin laminated body which has the above-mentioned, The said negative photosensitive resin layer (B) is a resin for binders 20-90 whose (a) carboxyl group content is 100-600 in acid equivalent, and a weight average molecular weight is 5,000-500,000. It consists of the negative photosensitive resin composition for i line | wire monochromatic exposure containing mass%, (b) 3-70 mass% of unsaturated compounds which can photopolymerize, and (c) 0.1-20 mass% of photoinitiators, and the said negative photosensitive resin layer Negative photosensitive resin using the negative photosensitive resin laminated body whose light transmittance in (B) wavelength 365nm is 25%-36%. How to use cheungche. 제 20 항에 있어서,
상기 네거티브형 감광성 수지층 (B) 의 파장 365 ㎚ 에서의 광선 투과율이 35 % ~ 36 % 인 사용 방법.
21. The method of claim 20,
The usage method whose light transmittance in wavelength 365nm of the said negative photosensitive resin layer (B) is 35%-36%.
제 20 항에 있어서,
상기 (a) 바인더용 수지의 유리 전이 온도가 100 ℃ 이상인 사용 방법.
21. The method of claim 20,
The glass transition temperature of the said resin for binders (a) is 100 degreeC or more.
제 20 항에 있어서,
상기 (a) 바인더용 수지의 중량 평균 분자량이 10,000 ~ 40,000 사이인 사용 방법.
21. The method of claim 20,
The use method whose weight average molecular weights of said resin for binders (a) are 10,000-40,000.
제 20 항에 있어서,
상기 (c) 광중합 개시제로서 벤조페논 및 벤조페논 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하는 사용 방법.
21. The method of claim 20,
Use method containing the at least 1 sort (s) of compound chosen from the group which consists of benzophenone and a benzophenone derivative as said (c) photoinitiator.
제 20 항에 있어서,
상기 (c) 광중합 개시제로서 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체를 함유하는 사용 방법.
21. The method of claim 20,
Use method containing 2,4,5-triarylimidazole dimer as said (c) photoinitiator.
제 20 항에 있어서,
상기 (c) 광중합 개시제로서 벤조페논 및 벤조페논 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체의 양자를 함유하는 사용 방법.
21. The method of claim 20,
The use method containing both at least 1 sort (s) of compound chosen from the group which consists of a benzophenone and a benzophenone derivative as said photoinitiator, and a 2,4,5-triarylimidazole dimer.
제 20 항에 있어서,
상기 (b) 광중합가능한 불포화 화합물이, 하기 일반식 (Ⅰ)
[화학식 5]
Figure 112010013824744-pct00021

{식 중, R8 및 R9 는 독립적으로 H 또는 CH3 이고, 그리고 n2, n3 및 n4 는 각각 독립적으로 3 ~ 20 의 정수이다.} 로 나타내는 화합물, 및 하기 일반식 (Ⅱ) :
[화학식 6]
Figure 112010013824744-pct00022

{식 중, R10 및 R11 은 독립적으로 H 또는 CH3 이고, A 는 C2H4 이고, B 는 C3H6 이고, n5 + n6 은 2 ~ 30 의 정수이고, n7 + n8 은 0 ~ 30 의 정수이고, n5 및 n6 은 독립적으로 1 ~ 29 의 정수이고, n7 및 n8 은 독립적으로 0 ~ 29 의 정수이고, -(A-O)- 및 -(B-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이어도 되고 블록이어도 되며, 블록인 경우, 어느 것이 비스페놀기측이어도 된다.} 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 사용 방법.
21. The method of claim 20,
Said (b) photopolymerizable unsaturated compound is the following general formula (I)
[Chemical Formula 5]
Figure 112010013824744-pct00021

{Wherein, R 8 and R 9 are independently H or CH 3, and, and n 2, n 3 and n 4 are each independently an integer from 3 to 20} the compound, and the following general formula (Ⅱ) represented by :
[Formula 6]
Figure 112010013824744-pct00022

{Wherein R 10 and R 11 are independently H or CH 3 , A is C 2 H 4 , B is C 3 H 6 , n 5 + n 6 is an integer from 2 to 30, n 7 + n 8 is an integer from 0 to 30, n 5 and n 6 are independently an integer from 1 to 29, n 7 and n 8 are an integer from 0 to 29 independently,-(AO)-and-(BO) The array of repeating units of-may be random or may be a block, and in the case of a block, either may be the bisphenol group side.
제 20 항에 있어서,
상기 네거티브형 감광성 수지층 (B) 상에 추가로 보호층을 갖는 사용 방법.
21. The method of claim 20,
The usage method which has a protective layer further on the said negative photosensitive resin layer (B).
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5990366B2 (en) * 2011-03-31 2016-09-14 旭化成株式会社 Laminated body and roll using the same
CN105393171B (en) 2013-07-23 2019-11-26 日立化成株式会社 Projection exposure photosensitive polymer combination, photosensitive element, the forming method of corrosion-resisting pattern, the manufacturing method of the manufacturing method of printing distributing board and lead frame
KR102582577B1 (en) 2014-05-23 2023-09-25 가부시끼가이샤 레조낙 Method for forming resist pattern, method for manufacturing printed wiring board, photosensitive resin composition for projection exposure and photosensitive element
JP2015062080A (en) * 2014-12-15 2015-04-02 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Photosensitive resin laminate
JPWO2016104585A1 (en) * 2014-12-25 2017-10-05 日立化成株式会社 Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern forming method, and printed wiring board manufacturing method
US10386721B2 (en) * 2015-02-26 2019-08-20 Adeka Corporation Pattern formation method and electronic device manufactured using same
KR102286107B1 (en) * 2015-04-08 2021-08-04 아사히 가세이 가부시키가이샤 Photosensitive resin composition
WO2016185604A1 (en) * 2015-05-21 2016-11-24 株式会社メイコー Printed circuit board production method and etch resist pattern forming method
KR20170111411A (en) * 2016-03-28 2017-10-12 동우 화인켐 주식회사 Resist stripper composition, and method for manufacturing a plat panel for a display device and plat panel for a display device, and display device
KR20180077743A (en) * 2016-12-29 2018-07-09 주식회사 동진쎄미켐 Negative photosensitive resin composition
JP2019133143A (en) * 2018-01-30 2019-08-08 旭化成株式会社 Photosensitive resin laminate and method for manufacturing resist pattern
TW202102938A (en) * 2019-03-29 2021-01-16 日商太陽油墨製造股份有限公司 Photoresist composition and cured product thereof
JPWO2022085366A1 (en) 2020-10-23 2022-04-28

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002268215A (en) * 2001-03-08 2002-09-18 Hitachi Chem Co Ltd Photosensitive resin composition and its utilization

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0425703B1 (en) * 1989-05-17 1997-03-19 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Photo-curable resin laminate and method of producing printed wiring board using the same
JP3859934B2 (en) * 1999-05-27 2006-12-20 日立化成工業株式会社 Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing resist pattern, and method for producing printed wiring board
JP4364973B2 (en) * 1999-08-20 2009-11-18 日本合成化学工業株式会社 Method for forming phosphor pattern
TW200303895A (en) * 2002-03-06 2003-09-16 Hitachi Chemical Co Ltd Photosensitive resin composition
JP4346315B2 (en) * 2003-01-14 2009-10-21 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Photosensitive resin composition and use thereof
JP4368639B2 (en) * 2003-08-19 2009-11-18 株式会社アドテックエンジニアリング Projection exposure equipment
JP2005352180A (en) * 2004-06-10 2005-12-22 Renesas Technology Corp Method for manufacturing semiconductor device
JP5155853B2 (en) * 2006-04-28 2013-03-06 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Photosensitive resin laminate

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002268215A (en) * 2001-03-08 2002-09-18 Hitachi Chem Co Ltd Photosensitive resin composition and its utilization

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