KR101014885B1 - 팔라듐과 리간드를 이용한 알릴벤젠 유도체의 제조방법 - Google Patents

팔라듐과 리간드를 이용한 알릴벤젠 유도체의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 알릴 유도체와 인듐으로부터 제조되는 알릴 인듐 화합물과 아릴 브로마이드 또는 트리플루오로메탄술포네이트와의 교차-짝지음 반응을 통해서 효과적으로 하기 화학식 1로 표시되는 알릴벤젠 유도체를 제조하는 방법에 관한 것이다.
Figure 112008049554133-pat00001
상기 화학식 1에서, A는 C-R4 또는 N을 나타내며; R1, R2, R3, R4 또는 R5는 서로 독립적으로 수소, C1-C5의 알킬, C1-C5의 알콕시, C1-C5의 알킬카르보닐, C1-C5의 알콕시카르보닐, C1-C5의 아마이드, 벤질 아마이드 또는 니트릴을 나타내거나, R1과 R2 또는 R2와 R3가 서로 연결되어 벤젠고리를 형성할 수 있으며; R6, R7 또는 R8은 서로 독립적으로 수소, C1-C5의 알킬기 또는 C1-C5의 알콕시기를 나타낸다.
알릴 치환체, 알릴인듐, 교차-짝지움 반응, 인듐

Description

팔라듐과 리간드를 이용한 알릴벤젠 유도체의 제조방법{Synthesis of allyl benzene derivatives using Pd and ligand}
본 발명은 알릴 유도체와 인듐으로부터 제조되는 알릴 인듐 화합물과 아릴 브로마이드 또는 트리플루오로메탄술포네이트와의 교차-짝지음 반응을 통해서 효과적으로 알릴 벤젠 유도체를 제조하는 방법에 관한 것이다.
인듐은 독성이 약하고 물과 공기중에서 안정하다는 장점이 있기 때문에 많은 관심을 받고 있는 금속이다. 그 중에서도 알릴 인듐 화합물은 알릴 헬라이드와 인듐으로부터 인-시츄(in-situ)로 쉽게 제조되어 여러 가지 첨가반응과 교차-짝지움 반응에 널리 이용되고 있다.
이러한 알릴 인듐을 제조하기 위해서는 알릴 할라이드가 반드시 있어야만 한다. 그러나 최근에 알릴 알코올로부터 쉽게 제조 할 수 있는 알릴 유도체를 이용한 알릴 인듐의 제조방법이 보고되었다. [Org. Lett. 2000, 2, 847-849; Synthesis 2003, 775-779; J. Org. Chem. 2003, 68, 6745-6751; J. Org. Chem. 2004, 69, 1415-1418; J. Org. Chem. 2004, 69, 5054-5059; Bull. Korean Chem. Soc. 2005, 26, 711-712]
그 중에서 알릴 아세테이트와 인듐과 팔라듐을 통해서 얻어지는 알릴 인듐 화합물은 첨가반응과 교차-짝지움 반응에 이용된다. 하지만 교짜-짝지움 반응의 경우 반응성이 좋은 아릴 요오드 화합물, 비닐 브로마이드, 비닐 트리플레이트에만 반응을 잘 하고, 반응성이 다소 떨어지는 아릴 브로마이드와 트리플레이트의 경우에는 반응이 잘 진행되지 않는 단점이 있다 (Adv. Synth. Catal. 2004, 346, 1641-1645; Chem. Eur. J. 2007, 13, 5197-5206).
따라서, 알릴 유도체와 인듐으로부터 얻어지는 알릴 인듐 화합물의 교차-짝지움 반응에서의 반응성을 향상 시킬 수 있는 효과적인 반응 조건이 요구되고 있다.
본 발명은 알릴 유도체와 인듐으로부터 제조되는 알릴 인듐 화합물과 아릴 브로마이드 또는 트리플루오로메탄술포네이트와의 교차-짝지음 반응을 통해서 효과적으로 알릴벤젠 유도체를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 하기 화학식 2로 표시되는 알릴 유도체를 하기 화학식 3으로 표시되는 인듐 할라이드, 하기 화학식 4로 표시되는 아민화합물, 인듐, 팔라듐 촉매 및 리간드 조건에서 반응시켜 하기 화학식 5로 표시되는 알릴 인듐을 제조하고, 하기 화학식 6으로 표시되는 아릴 화합물과 교차-짝지움 반응시켜 하기 화학식 1로 표시되는 알릴 벤젠 유도체의 제조방법을 그 특징으로 한다.
Figure 112008049554133-pat00002
InX3
NR9R10R11
Figure 112008049554133-pat00003
Figure 112008049554133-pat00004
[화학식 1]
Figure 112008049554133-pat00005
상기 화학식에서, A는 C-R4 또는 N을 나타내며; B는 Br 또는 OTf(트리플루오로메탄술포네이트)를 나타내며; E는 OH, OAc, OCO2CH3, OCO2CF3, OPh, SMe, SO2Ph, OEt 또는 OCONHC6H11를 나타내며; X는 I, Br 또는 Cl을 나타내며; R1, R2, R3, R4 또는 R5는 서로 독립적으로 수소, C1-C5의 알킬, C1-C5의 알콕시, C1-C5의 알킬카르보닐, C1-C5의 알콕시카르보닐, C1-C5의 아마이드, 벤질 아마이드 또는 니트릴을 나타내거나, R1과 R2 또는 R2와 R3는 벤젠고리를 형성할 수 있으며; R6, R7, R8, R9, R10 또는 R11은 서로 독립적으로 수소, C1-C5의 알킬기 또는 C1-C5의 알콕시기를 나타내며; n은 0 또는 2를 나타낸다.
본 발명에 의한 알릴 벤젠 유도체의 제조방법은 여러 가지 천연물 합성에 응용될 수 있으며, 기존의 알릴 인듐의 반응에 비해서 높은 수율로 알릴 벤젠 유도체를 제조할 수 있으며, 유기주석 화합물을 사용했을 경우의 단점인 제조의 어려움과 유기 주석화합물의 독성 등을 보완할 수 있는 장점을 갖는다.
본 발명을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 알릴 벤젠 유도체의 제조방법을 권리범위로 포함한다. 본 발명에 따른 제조방법은 다음에 나타낸 바와 같은 2단계 제조과정을 포함하여 이루어진다.
제 1과정은, 하기 화학식 2로 표시되는 알릴 유도체를 하기 화학식 3으로 표시되는 인듐 할라이드, 하기 화학식 4로 표시되는 아민화합물, 인듐, 팔라듐 촉매 및 리간드 조건에서 반응시켜 하기 화학식 5로 표시되는 알릴 인듐을 제조하는 과정이다.
[화학식 2]
Figure 112008049554133-pat00006
[화학식 3]
InX3
[화학식 4]
NR9R10R11
[화학식 5]
Figure 112008049554133-pat00007
상기 화학식에서 E는 OH, OAc, OCO2CH3, OCO2CF3, OPh, SMe, SO2Ph, OEt 또는 OCONHC6H11를 나타내며; X는 I, Br 또는 Cl을 나타내며; R6, R7, R8, R9, R10 또는 R11은 서로 독립적으로 수소, C1-C5의 알킬기 또는 C1-C5의 알콕시기를 나타내며; n은 0 또는 2를 나타낸다.
제 2과정은, 상기 화학식 5로 표시되는 알릴 인듐 시약과 하기 화학식 6으로 표시되는 아릴 화합물과 교차-짝지움 반응시켜 화학식 1로 표시되는 알릴 벤젠 유도체를 제조하는 과정이다.
[화학식 6]
Figure 112008049554133-pat00008
[화학식 1]
Figure 112008049554133-pat00009
상기 화학식에서, A는 C-R4 또는 N을 나타내며; B는 Br 또는 OTf(트리플루오로메탄술포네이트)를 나타내며; R1, R2, R3, R4 또는 R5는 서로 독립적으로 수소, C1-C5의 알킬, C1-C5의 알콕시, C1-C5의 알킬카르보닐, C1-C5의 알콕시카르보닐, C1-C5의 아마이드, 벤질 아마이드 또는 니트릴을 나타내거나, R1과 R2 또는 R2와 R3가 서로 연결되어 벤젠고리를 형성할 수 있으며; R6, R7 또는 R8은 서로 독립적으로 수소, C1-C5의 알킬기 또는 C1-C5의 알콕시기를 나타낸다.
또한, 본 발명에 따른 제조방법에서는 상기 화학식 2로 표시되는 알릴 유도체와 인듐(In)을 반응시켜 제조한 상기 화학식 5로 표시되는 알릴 인듐 시약을 별도의 분리 정제과정 없이 인 시츄(in situ)로 첨가반응을 수행하는 것도 권리범위로서 포함한다.
'인 시츄(in situ)'라 함은 상기 화학식 2로 표시되는 알릴 유도체를 인듐(In)과 반응시켜 얻어지는 상기 화학식 5로 표시되는 알릴 인듐 시약을 별도로 분리 정제하지 않은 상태에서 상기 화학식 6으로 표시되는 아릴 화합물을 첨가하고 반응을 수행하는 제조방법을 의미한다.
본 발명에서 인듐은 화학식 6으로 표시되는 아릴 화합물에 대하여 1 ~ 3 당량을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 화학식 2로 표시되는 알릴 유도체는 치환기 E로 OH, OAc, OCO2CH3, OCO2CF3, OPh, SMe, SO2Ph, OEt 또는 OCONHC6H11를 가질 수 있으나, 바람직하게는 OAc, OCO2CH3 를 가진다. 알릴유도체는 상기 화학식 6으로 표시되는 아릴 화합물에 대하여 2 ~ 5 당량을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 화학식 3으로 표시되는 인듐 할라이드는 상기 화학식 6으로 표시되는 아릴 화합물에 대하여 0.1 ~ 1 당량을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 화학식 4로 표시되는 아민화합물은 상기 화학식 6으로 표시되는 아릴 화합물에 대하여 1 ~ 4 당량을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 사용되는 팔라듐 촉매는 PdCl2, Pd(OAc)2, Pd(CH3CN)2Cl2, Pd(PhCN)2Cl2, Pd2dba3CHCl3 및 Pd(PPh3)4 로 이루어진 군에서 선택되는 것이 바람직하며 상기 Pd2dba3CHCl3에서 dba는 디벤질리덴아세톤을 말한다. 또한 상기 팔라듐 촉매는 상기 화학식 6으로 표시되는 아릴 화합물에 대하여 0.01 ~ 0.1 당량을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 사용되는 리간드는 PPh3, P(2-Furyl)3, PCy3, dppf, DPEphos 또는 잔트포스(Xantphos)로 이루어진 군에서 선택되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 잔트포스(Xantphos)를 사용한다. 상기 PCy3에서 Cy는 사이클로헥실, dppf는 1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센, DPEphos는 2,2'-비스(디페닐포스피노)디페닐 에테르를 말한다. 또한 상기 리간드는 상기 화학식 6으로 표시되는 아릴 화합물에 대하여 0.1 ~ 0.4 당량을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 반응을 효율적으로 진행시키기 위하여 할로겐화 리튬을 첨가제로 사용할 수 있다. 할로겐화 리튬은 LiI, LiBr, LiCl을 사용할 수 있으며, LiCl을 사용하는 것이 바람직하다. 할로겐화 리튬은 화학식 6으로 표시되는 아릴 화합물에 대하여 1 ~ 4 당량을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 교차-짝지움 반응은 디메틸포름아미드(DMF) 또는 테트라하이드로퓨란(THF)의 용매 하에서 반응 온도 70 내지 110℃의 범위에서 수행된다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명을 하기의 실시예를 통하여 더욱 상세히 설명하겠는 바, 하기의 실시예들은 본 발명에 대한 이해를 돕기 위한 것으로서 본 발명의 범위가 여기에 국한된 것은 아니다.
[ 실시예 ]
실시예 1. 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-2-일 에스터를 이용한 2-알릴나프탈렌의 제조
Figure 112008049554133-pat00010
질소분위기 하에서 인듐(114.8 mg, 1.0 mmol), 인듐(III) 클로라이드(55.29 mg, 0.25 mmol), 염화리튬(63.5 mg, 1.5 mmol), Pd2dba3CHCl3(10.3 mg, 0.01 mmol), 잔트포스(57.9 mg, 0.1mmol), n-부틸디메틸아민(101.2 mg, 2.0 mmol)과 알릴 아세테이트(150.2 mg, 1.5 mmol)를 DMF(1 mL)에 넣었다. 30분 동안 교반한 후에 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-2-일 에스터(138.1 mg, 0.5 mmol)를 DMF (1 mL) 에 녹여서 상기 반응용액에 첨가하였다. 100 ℃에서 교반하면서 TLC와 GC를 통해서 반응을 확인한 후 포화 중탄산나트륨수용액(1 mL)을 가하여 반응을 종결시켰다. 수용액 층은 Et2O(20 mLㅧ 3)로 추출하고 포화 중탄산나트륨수용액(20 mL)과 포화 염화나트륨 수용액(20 mL)으로 씻어주었다. 추출한 유기층은 무수 황산마그네슘으로 건조하고 여과하였다. 용매를 제거한 후 관크로마토그래피로 분리하여 표제화합물인 2-알릴나프탈렌(70.7 mg, 84%)을 얻었다.
1H NMR(400 MHz, CDCl3) δ 7.86-7.77(m, 3H), 7.63(s, 1H), 7.49-7.40(m, 2H), 7.33(dd, J = 8.46, 1.42Hz, 1H), 6.05(ddt, J = 16.98, 10.09, 6.77Hz, 1H), 5.16-5.11(m, 2H), 3.55(d, J = 6.66Hz, 2H)
실시예 2. 2-브로모나프탈렌을 이용한 2-알릴나프탈렌의 제조
실시예 1과 같은 방법으로 제조하되 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-2-일 에스터 대신 2-브로모나프탈렌(103.5 mg, 0.5 mmol)을 사용하여 2-알릴나프탈렌(68.1 mg, 81%)을 얻었다.
실시예 3. 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-2-일 에스터을 이용한 2-(2-메틸알릴)나프탈렌의 제조
Figure 112008049554133-pat00011
실시예 1과 같은 방법으로 제조하되 알릴 아세테이트 대신 2-메틸-알릴 아세테이트(171.2 mg, 1.5 mmol)을 사용하여 2-(2-메틸알릴)나프탈렌(67.4 mg, 74%)을 얻었다.
1H NMR(400 MHz, CDCl3) δ 7.82-7.76 (m, 3H), 7.63 (s, 1H), 7.48-7.32 (m, 3H), 4.85 (s, 1H), 4.79 (s, 1H), 3.48 (s, 2H), 1.70 (s, 3H)
실시예 4. 2-브로모나프탈렌을 이용한 2-(2-메틸알릴)나프탈렌의 제조
실시예 2와 같은 방법으로 제조하되 알릴 아세테이트 대신 2-메틸-알릴 아세테이트(171.2 mg, 1.5 mmol)를 사용하여 2-(2-메틸알릴)나프탈렌(62.4 mg, 67%)을 얻었다.
실시예 5. 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-1-일 에스터를 이용한 1-알릴나프탈렌의 제조
Figure 112008049554133-pat00012
실시예 1과 같은 방법으로 제조하되 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-2-일 에스터 대신 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-1-일 에스터(138.1 mg, 0.5 mmol)를 사용하여 1-알릴나프탈렌(68.1 mg, 81%)을 얻었다.
1H NMR(400 MHz, CDCl3) δ 8.01(d, J = 8.08Hz, 1H), 7.83(t, J = 7.76Hz, 1H), 7.72(d, J = 6.89Hz, 1H), 7.50-7.42(m, 2H), 7.39(d, J = 7.25Hz, 1H), 7.32(d, J = 6.89Hz,1H), 6.16-6.65(m, 1H), 5.11-5.06(m, 2H), 3.82(d, J = 6.30Hz, 2H)
실시예 6. 4-트리플루오로메탄썰포닐옥시벤조산 에틸 에스터를 이용한 에틸 4-알릴벤조에이트의 제조
Figure 112008049554133-pat00013
실시예 1과 같은 방법으로 제조하되 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-2-일 에스터 대신 4-트리플루오로메탄썰포닐옥시벤조산 에틸 에스터 (149.1 mg, 0.5 mmol)를 사용하여 에틸 4-알릴벤조에이트(76.1 mg, 80%)을 얻었다.
1H NMR(400 MHz, CDCl3) δ 7.97(d, J = 8.25Hz, 2H), 7.25(d, J = 7.87Hz, 2H), 5.95(ddt, J = 6.68, 10.52, 16.94Hz, 1H), 5.09(d, J = 16.97Hz, 1H), 5.07(d, J = 10.34Hz, 1H), 4.36(q, J = 7.02Hz, 2H), 3.43(d, J = 6.74Hz, 2H), 1.38(t, J = 7.21Hz, 3H)
실시예 7. 에틸 4-브로모벤조에이트를 이용한 에틸 4-알릴벤조에이트의 제조
실시예 1과 같은 방법으로 제조하되 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-2-일 에스터 대신 에틸 4-브로모벤조에이트(114.5 mg, 0.5 mmol)를 사용하여 에틸 4-알릴벤조에이트(83.7 mg, 88%)를 얻었다.
실시예 8. 3-트리플루오로메탄썰포닐옥시벤조산 에틸 에스터를 이용한 에틸 3-알릴벤조에이트의 제조
Figure 112008049554133-pat00014
실시예 1과 같은 방법으로 제조하되 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-2-일 에스터 대신 3-트리플루오로메탄썰포닐옥시벤조산 에틸 에스터(149.1 mg, 0.5 mmol)를 사용하여 에틸 3-알릴벤조에이트(72.3 mg, 76%)를 얻었다.
1H NMR(400 MHz, CDCl3) δ 7.88 (m, 2H), 7.36(m, 2H), 5.97(ddt, J = 6.61, 9.22, 15.96, 1H) ,5.09(d, J = 15.62Hz, 1H), 5.10(d, J = 10.04Hz, 1H), 4.37(q, J = 7.10Hz, 2H), 3.44(d, J = 6.64Hz, 2H), 1.39(t, J = 7.20Hz, 3H)
실시예 9. 에틸 3-브로모벤조에이트를 이용한 에틸 3-알릴벤조에이트의 제조
실시예 1과 같은 방법으로 제조하되 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-2-일 에스터 대신 에틸 3-브로모벤조에이트(114.5 mg, 0.5 mmol)를 사용하여 에틸 3-알릴벤조에이트(72.3 mg, 76%)를 얻었다.
실시예 10. 에틸 2-브로모벤조에이트를 이용한 에틸 2-알릴벤조에이트의 제조
Figure 112008049554133-pat00015
실시예 1과 같은 방법으로 제조하되 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-2-일 에스터 대신 에틸 2-브로모벤조에이트(114.5 mg, 0.5 mmol)를 사용하여 에틸 2-알릴벤조에이트(66.6 mg, 70%)를 얻었다.
1H NMR(400 MHz, CDCl3) δ 7.87(dd, J = 1.60, 8.53Hz, 1H), 7.42(dt, J = 1.30, 7.56Hz, 1H), 7.26(m, 2H), 6.01(ddt, J = 6.40, 10.28, 16.80Hz, 1H), 5.02(m, J = 17.13Hz, 1H), 5.00(m, J = 10.02Hz, 1H), 4.35(q, J = 7.10Hz, 2H), 3.75(d, J = 6.44Hz, 2H), 1.38(t, J = 7.16Hz, 3H)
실시예 11. 트리플루오로메탄썰포닉산 4-시아노페닐 에스터를 이용한 4-알릴벤조나이트릴의 제조
Figure 112008049554133-pat00016
실시예 1과 같은 방법으로 제조하되 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-2-일 에스터 대신 트리플루오로메탄썰포닉산 4-시아노페닐 에스터(125.6 mg, 0.5 mmol)를 사용하여 4-알릴벤조나이트릴(55.8 mg, 78%)을 얻었다.
1H NMR(400 MHz, CDCl3) δ 7.52(d, J = 8.2Hz, 2H), 7.22(d, J = 8.2Hz, 2H), 5.96-5.76(m, 1H), 5.09-4.95(m, 2H), 3.37(d, J = 6.6Hz, 2H)
실시예 12. 4-브로모벤조나이트릴을 이용한 4-알릴벤조나이트릴의 제조
실시예 1과 같은 방법으로 제조하되 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-2-일 에스터 대신 4-브로모벤조나이트릴(91.0 mg, 0.5 mmol)을 사용하여 4-알릴벤조나이트릴(58.7 mg, 82%)을 얻었다.
실시예 13. N-벤질-4-브로모벤즈아마이드를 이용한 4-알릴-N-벤질벤즈아마이드의 제조
Figure 112008049554133-pat00017
실시예 1과 같은 방법으로 제조하되 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-2- 일 에스터 대신 N-벤질-4-브로모벤즈아마이드(145.1 mg, 0.5 mmol)를 사용하여 4-알릴-N-벤질벤즈아마이드(93.0 mg, 74%)를 얻었다.
1H NMR(400 MHz, CDCl3) δ 7.73(d, J = 8.24Hz, 2H), 7.37-7.26(m, 5H), 7.25(d, J = 7.65Hz, 2H), 6.38(s, 1H), 5.95(ddt, J = 16.87, 10.20, 6.61Hz, 1H), 5.11-5.06(m, 2H), 4.65(d, J = 5.64Hz, 2H), 3.43(d, J = 6.63Hz, 2H)
실시예 14. 브로모-4-메톡시벤젠을 이용한 1-알릴-4-메톡시벤젠의 제조
Figure 112008049554133-pat00018
실시예 1과 같은 방법으로 제조하되 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-2-일 에스터 대신 브로모-4-메톡시벤젠(93.5 mg, 0.5 mmol)을 사용하여 1-알릴-4-메톡시벤젠(49.6 mg, 67%)을 얻었다.
1H NMR(400 MHz, CDCl3) δ 7.06 (d, J = 8.6Hz, 2H), 6.79(d, J = 8.6Hz, 2H), 6.01-5.81(m, 1H), 5.06-4.97(m, 2H), 3.70(s, 3H), 3.28(d, J = 6.6Hz, 2H)
실시예 15. 트리플루오로메탄썰포닉산 3-메톡시페닐 에스터를 이용한 1-알릴-3-메톡시벤젠의 제조
Figure 112008049554133-pat00019
실시예 1과 같은 방법으로 제조하였되 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-2-일 에스터 대신 트리플루오로메탄썰포닉산 3-메톡시페닐 에스터(128.1 mg, 0.5 mmol)를 사용하여 1-알릴-3-메톡시벤젠(54.8 mg, 74%)을 얻었다.
1H NMR(400 MHz, CDCl3) δ 7.23-7.19 (m, 1H), 6.80-6.76 (m, 2H), 6.74 (s, 1H), 5.96 (ddt, J = 6.68, 10.52, 16.94Hz, 1H), 5.12-5.06(m, 2H), 3.80(s, 3H), 3.37(d, J = 6.73Hz, 2H)
실시예 16. 1-브로모-3-메톡시벤젠을 이용한 1-알릴-3-메톡시벤젠의 제조
실시예 1과 같은 방법으로 제조하되 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-2-일 에스터 대신 1-브로모-3-메톡시벤젠(93.5 mg, 0.5 mmol)을 사용하여 1-알릴-3-메톡시벤젠(57.8 mg, 78%)을 얻었다.
실시예 17. 트리플루오로메탄썰포닉산 4-tert-부틸페닐 에스터를 이용한 4-알릴-tert-부틸벤젠의 제조
Figure 112008049554133-pat00020
실시예 1과 같은 방법으로 제조하되 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-2-일 에스터 대신 트리플루오로메탄썰포닉산 4-tert-부틸페닐 에스터(141.1 mg, 0.5 mmol)을 사용하여 4-알릴-tert-부틸벤젠(53.2 mg, 61%)을 얻었다.
1H NMR(400 MHz, CDCl3) δ 7.32 (d, J = 8.33Hz, 2H), 7.13(d, J = 8.33Hz, 2H), 6.04-5.91(m, 1H), 5.13-5.03(m, 2H), 3.37(d, J = 6.71Hz, 2H), 1.31(s, 9H)
실시예 18. 3-브로모퀴놀린을 이용한 3-알릴퀴놀린의 제조
Figure 112008049554133-pat00021
실시예 1과 같은 방법으로 제조하되 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-2-일 에스터 대신 3-브로모퀴놀린(104.0 mg, 0.5 mmol)을 사용하여 3-알릴퀴놀린 (64.3 mg, 76%)을 얻었다.
1H NMR(400 MHz, CDCl3) δ 8.78(d, J = 2.0Hz, 1H), 8.09(d, J = 8.3Hz, 1H), 7.92(d, J = 1.3Hz, 1H), 7.77(dd, J = 1.0, 8.3Hz, 1H), 7.69-7.64(m, 1H), 7.56-7.50(m, 1H), 6.10-5.96(m, 1H), 5.22-5.09(m, 2H), 3.57(d, 2H, J = 7.1Hz)
실시예 19. 4-브로모이소퀴놀린을 이용한 4-알릴이소퀴놀린의 제조
Figure 112008049554133-pat00022
실시예 1과 같은 방법으로 제조하되 트리플루오로메탄썰포닉산 나프탈렌-2-일 에스터 대신 4-브로모이소퀴놀린(104.0 mg, 0.5 mmol)을 사용하여 4-알릴이소퀴놀린(71.1 mg, 84%)을 얻었다.
1H NMR(400 MHz, CDCl3) δ 9.16(s, 1H), 8.40(s, 1H), 7.73-7.61(m, 4H), 6.09(ddt, J = 16.38, 10.23, 6.2Hz, 1H), 5.15-5.06(m, 2H), 3.79(d, J = 6.16Hz, 2H)

Claims (13)

  1. 하기 화학식 2로 표시되는 알릴 유도체를 하기 화학식 3으로 표시되는 인듐 할라이드, 하기 화학식 4로 표시되는 아민화합물, 인듐, 팔라듐 촉매 및 잔트포스(Xantphos) 리간드 조건에서 반응시켜 하기 화학식 5로 표시되는 알릴 인듐을 제조하고, 하기 화학식 6으로 표시되는 아릴 화합물과 교차-짝지움 반응시켜 하기 화학식 1로 표시되는 알릴 벤젠 유도체를 제조하는 것을 특징으로 하는 알릴 벤젠 유도체의 제조방법.
    [화학식 2]
    Figure 112010048154838-pat00023
    [화학식 3]
    InX3
    [화학식 4]
    NR9R10R11
    [화학식 5]
    Figure 112010048154838-pat00024
    [화학식 6]
    Figure 112010048154838-pat00025
    [화학식 1]
    Figure 112010048154838-pat00026
    상기 화학식에서, A는 C-R4 또는 N을 나타내며; B는 Br 또는 트리플루오로메탄술포네이트를 나타내며; E는 OH, OAc, OCO2CH3, OCO2CF3, OPh, SMe, SO2Ph, OEt 또는 OCONHC6H11를 나타내며; X는 I, Br 또는 Cl을 나타내며; R1, R2, R3, R4 또는 R5는 서로 독립적으로 수소, C1-C5의 알킬, C1-C5의 알콕시, C1-C5의 알킬카르보닐, C1-C5의 알콕시카르보닐, C1-C5의 아마이드, 벤질 아마이드 또는 니트릴을 나타내거나, R1과 R2 또는 R2와 R3가 서로 연결되어 벤젠고리를 형성할 수 있으며; R6, R7, R8, R9, R10 또는 R11은 서로 독립적으로 수소, C1-C5의 알킬기 또는 C1-C5의 알콕시기를 나타내며; n은 0 또는 2를 나타낸다.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 화학식 5로 표시되는 알릴 인듐의 분리 정제 없이 인 시츄(in situ)로 수행하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 팔라듐 촉매는 PdCl2, Pd(OAc)2, Pd(CH3CN)2Cl2, Pd(PhCN)2Cl2, Pd2dba3CHCl3 및 Pd(PPh3)4 로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  4. 삭제
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서, 인듐은 상기 화학식 6으로 표시되는 아릴 화합물에 대하여 1 ~ 3 당량을 사용하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서, 상기 화학식 2으로 표시되는 알릴 유도체는 상기 화학식 6으로 표시되는 아릴 화합물에 대하여 2 ~ 5 당량을 사용하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서, 상기 화학식 3으로 표시되는 인듐 할라이드는 상기 화학식 6으로 표시되는 아릴 화합물에 대하여 0.1 ~ 1 당량을 사용하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서, 상기 화학식 4로 표시되는 아민화합물은 상기 화학식 6으로 표시되는 아릴 화합물에 대하여 1 ~ 4 당량을 사용하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  9. 제 1 항 내지 제 3 항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서, 상기 팔라듐 촉매는 상기 화학식 2로 표시되는 아릴 화합물에 대하여 0.01 ~ 0.1 당량을 사용하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  10. 제 1 항 내지 제 3 항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서, 상기 리간드는 상기 화학식 2로 표시되는 아릴 화합물에 대하여 0.1 ~ 0.4 당량을 사용하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  11. 제 1 항 내지 제 3 항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서, 할로겐화 리튬이 첨가된 조건에서 반응을 수행하여 알릴 인듐을 제조하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 할로겐화 리튬은 상기 화학식 6으로 표시되는 아릴 화합물에 대하여 1 ~ 4 당량을 사용하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  13. 제 1 항 내지 제 3 항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서, 상기 교차-짝지움 반응은 디메틸포름아미드(DMF) 또는 테트라하이드로퓨란(THF)의 용매 하에서 70 ~ 110℃ 범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
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Acc. Chem. Res. Vol. 34, pp. 895-904. (2001)
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