KR101010228B1 - 압력파 발생 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 121
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 459
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 18
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 16
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 8
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 claims description 3
- 239000012533 medium component Substances 0.000 claims description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012092 media component Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
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- H—ELECTRICITY
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- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/005—Electrostatic transducers using semiconductor materials
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R23/00—Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00
- H04R23/002—Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00 using electrothermic-effect transducer
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
Abstract
출력의 시간 경과에 따른 안정성이 뛰어나는 압력파 발생 장치를 제공한다. 이 압력파 발생 장치는, 기판과, 발열층과 기판과 발열층 사이에 형성되는 열절연층을 포함하고, 발열층으로의 통전에 의해 일으켜지는 발열층의 온도 변화가 주위의 매질(공기) 중에 압력파를 발생시킨다. 열절연층은, 다공질층과 다공질층과 발열층 사이에 형성되고, 다공질층 내에 공기 중에 포함되는 산소나 수분과 같은 반응성 물질이나 불순물이 확산되는 것을 억제하는 배리어층을 포함한다. 배리어층의 형성에 의해, 다공질층의 시간의 경과에 따른 변화에 기인하는 압력파 발생 장치의 출력 저하를 방지할 수 있다.
Description
본 발명은, 예를 들면, 스피커나 초음파 센서에의 이용에 바람직한 압력파 발생 장치, 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래부터, 압전 효과에 의한 기계적 진동을 이용한 초음파 발생 장치가 널리 알려져 있다. 이 종류의 초음파 발생 장치로서는, 예를 들면, 티탄산 바륨(barium titanate)과 같은 압전 재료로 이루어지는 결정의 양면에 전극을 형성한 구조가 있다. 양 전극 간에 전기 에너지를 인가함으로써 얻어지는 기계적 진동이 주위의 매질(예를 들면, 공기) 중에 초음파를 발생시킨다. 그렇지만, 전술한 초음파 발생 장치는, 고유의 공진 주파수(characteristic resonance frequency)를 가지므로, 주파수 대역이 좁고, 또 외부의 진동이나 외기압(outside air pressure)의 변동에 영향받기 쉽다는 문제점이 있다.
한편, 최근, 기계적 진동을 수반하지 않고 초음파와 같은 압력파를 매질 중에 발생시킬 수 있는 압력파 발생 장치가 주목되고 있다. 예를 들면, 일본 공개 특허 공보 제11-300274호에 기재되어 있는 압력파 발생 장치는, 단결정 실리콘으로 이루어지는 기판과, 기판의 표면에 형성되는 다공질 실리콘층으로 되는 열절연층 과, 열절연층 상에 형성되는 알루미늄 박막으로 되는 발열층과, 그리고 발열층에 전기적으로 접속되는 한 쌍의 패드를 구비하고 있다. 이 압력파 발생 장치에 있어서는, 한 쌍의 패드를 통하여 발열층에 전기 에너지가 인가되면, 구동 입력 파형(driving input waveform), 즉 구동 전압 파형 또는 구동 전류 파형에 응답하여 온도 변화가 발열층에서 발생한다. 이 발열층의 온도 변화는, 발열층과 기기 근방의 매질(예를 들면, 공기) 사이의 열교환을 통하여, 매질의 팽창과 수축을 열 유기적으로(in a thermally induced manner) 생기게 한다. 그 결과, 매질 중에 압력파를 발생시킨다.
그렇지만, 이 종류의 열 유기식 압력파 발생 장치를 공기 중에 사용한 경우, 입력 전력에 대한 발생된 조밀파(compression wave)의 음압(sound pressure)의 비율로서 정의되는 효율이 시간의 경과에 따라 저하되는 현상이 알려져 있다. 즉, 공기 중의 산소나 수분의 영향에 의해 다공질 실리콘층의 산화가 진행되면, 다공질 실리콘층의 단열성이 저하되고, 결과적으로 전술된 효율의 저하가 생기는 것이다.
이와 관련해서, 전술한 압력파 발생 장치를 구동하는데 있어서 구동 조건이 일정(발열층에 인가되는 입력 전력이 일정)한 것으로 하면, 열절연층의 열전도율(thermal conductivity)이 시간의 경과에 따라 증가함으로써, 또는 단위 체적(unit volume) 당 열용량(thermal capacity)이 증가함으로써, 발생하는 조밀파의 음압이 저하된다. 그러므로 압력파 발생 장치를 반사식의 초음파 센서의 송파 소자(wave sending device)로서 사용하고 있는 경우에는, 최대 측정 거리가 저하된다(즉, 검지 영역이 좁아진다). 그 결과, 대상물을 검출할 수 없게 된다. 또, 압 력파 발생 장치를 스피커로서 사용하는 경우에도, 음압이 저하되는 문제가 생긴다. 전술한 바와 같은 다공질 실리콘층의 시간에 따른 변화는, 다공질 실리콘층의 형성 조건에 관계없이 일어나는 현상이다.
또, 다공질 실리콘층 상에는 전기적인 저항 소자인 발열층이 형성되므로, 압력파 발생 장치를 장기간 사용하고 있는 사이에 발열층과 다공질 실리콘이 부분적으로 반응하여, 저저항화된 부분(resistance reduced portion)을 통하여 국소적으로 누설 전류가 흐를 우려가 있다. 또한, 실리콘 기판을 통하여 도전 경로가 형성되면, 매우 큰 전류 밀도의 전류가 국소적으로 흐르게 된다. 이와 같은 현상은, 압력파 발생 장치로의 입력 전력을 증가시켜 큰 음압을 발생시키는 경우에 생기기 쉽다. 그 결과, 발열층의 소손(burn out)으로 인해 압력파 발생 장치가 고장 날 우려가 있다.
이상에서는, 다공질 실리콘으로 되는 열절연층의 특성이 공기 중의 산소와 반응해서 열화되는 경우에 대하여 설명하였다. 한편, 다공질 실리카나 다공질 알루미나와 같은 불활성 재료에 의해 열절연층을 형성하는 경우에도, 공기 중에 포함되는 수분이나 그 외의 불순물의 흡착이나 부착에 의해 열절연층의 열전도율이나 단위 체적 당 열용량에 시간의 경과에 따른 변화가 생길 것으로 예상된다.
그러므로 종래의 압력파 발생 장치에는, 주위의 매질의 성분(주로 공기)이 열 절연층 내에 확산됨으로써 생기는 각종의 결함을 해소하는 관점으로부터, 여전히 개선의 여지가 남아 있다.
그러므로 이러한 문제점을 감안하여, 본 발명의 주목적은 열절연층의 시간의 경과에 따른 변화에 의해 생기는 출력 저하를 억제할 수 있는 압력파 발생 장치를 제공하는 것이다.
즉, 본 발명의 압력파 발생 장치는, 기판과, 발열층과, 기판과 발열층 사이에 형성되는 열절연층을 포함한다. 압력파 발생 장치는, 발열층으로의 통전(energization)에 의해 일으켜지는 발열층의 온도 변화에 의해 주위의 매질 중에 압력파를 발생시키도록 구성된다. 열 절연층은, 다공질층 및 배리어층을 포함하며, 배리어층은 다공질층과 발열층 사이에 형성되고, 다공질층으로의 매질 성분의 확산을 억제한다.
본 발명에 의하면, 열절연층이, 다공질층의 발열층 측의 표면에 형성되는 배리어층을 가지므로, 주위의 매질(예를 들면, 공기) 중에 포함되는 산소나 수분과 같은 반응성 물질이나 불순물이 다공질층 내에 확산되고, 다공질층에 흡착되고 부착되거나, 또는 다공질층과 반응하거나 해서 열 속성(thermal property)이 저하되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 열절연층의 시간의 경과에 따른 변화에 기인하는 출력 저하를 억제할 수 있다.
전술한 압력파 발생 장치에 있어서, 배리어층은, 다공질층의 일부의 체적을 팽창시킴으로써 형성되고, 다공질층보다 다공도(porosity)와 평균 세공 직경(average pore diameter) 중 적어도 하나가 작은 구조를 가지는 것이 바람직하다.
이 경우는, 배리어층의 존재에 의해 공기 중의 산소나 수분이 다공질층 내에 확산되기 어렵다. 그러므로 다공질층의 열 속성 변화뿐만 아니라 산소나 수분의 흡착이나 부착에 기인하는 열전도율이나 단위 체적 당 열용량의 증대를 억제할 수 있다. 또한, 배리어층이 다공질층과 일체로 형성되므로, 다공질층과 배리어층의 사이에서 양호한 계면구조(interface structure)를 얻을 수 있다. 또, 배리어층의 다공도가 작은(즉, 세공 수가 적거나, 또는 세공 직경이 작거나, 또는 그 양쪽 모두가 해당되는) 경우는, 배리어층의 기계적 강도가 향상되므로, 다공질층의 골격의 파손 방지 효과가 얻어진다. 특히, 다공질층이 단결정 실리콘에 비해 기계적 강도가 낮은 다공질 실리콘으로 형성되는 경우는, 다공질 실리콘층은 배리어층에 의해 효과적으로 보강된다. 그리고 배리어층의 다공도를 다공질층과 대략 같게 해도, 배리어층의 평균 세공 직경이 다공질층의 평균 세공 직경보다 작은 조건으로 세공 수가 많아짐에도, 마찬가지의 효과를 기대할 수 있다.
다공질층의 일부의 체적을 팽창시켜 형성한 배리어층이 다공질 구조를 가지는 경우는, 다공질층의 세공 중 적어도 일부가 배리어층의 세공에 연결된 구조로 된다. 한편, 배리어층이 실질적으로 공극(void)이 없는 치밀한 구조(dense structure)를 가지는 경우는, 다공질층의 세공을 밀봉하는 봉공층(pore sealing layer)으로서 기능한다.
본 발명에 있어서, 다공질층은 실리콘으로 형성되고, 배리어층은 실리콘 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우는, 다공질 실리콘층을 형성한 후, 다공질 실리콘층의 표층부(surface layer portion)를 산소나 수분 등으로 산화하거나, 탄소를 포함하는 물질과 반응시켜 탄화하거나, 또는 질소를 포함하는 물질과 반응시켜 질화하거나 해서 배리어층을 형성할 수 있다. 또한, 이 경우의 배리어층은, 실리콘 산화물, 실리콘 탄화물, 실리콘 질화물과 같은 화학적으로 안정적인 실리콘 화합물에 의해 형성되므로, 배리어층의 효과를 장기간에 걸쳐서 안정적으로 지속할 수 있다.
또, 입력 전력 "Q"에 대한 발생 음압 "P"의 비율을 효율(P/Q)로 하는 경우, 효율의 저하를 방지하는 관점으로부터, 배리어층의 열전도율(thermal conductivity)을 "αi", 배리어층의 단위 체적(unit volume) 당 열용량(thermal capacity)(J/(m3ㆍK))을 "Ci"라 할 때, 배리어층의 두께는 (2αi/πCi)1/2로 규정되는 열 확산 길이(thermal diffusion length) 이하이며, 발열층에 인가되는 구동 입력 파형(driving input waveform)을 정현파(sine wave)로 하고, 정현파의 주파수의 2배의 주파수를 발열층에서 생기는 온도 변동(temperature fluctuation)의 주파수 "f"(Hz)로 할 때, 온도 변동의 각 진동수(angular frequency)는 "ω=2πf(rad/s)"로서 표현되는 것이 바람직하다. 이 경우는, 전기 입력에 의해 발열층에 발생하는 주울 열 중 배리어층에 의해 소모되는 열량을 저감하여, 배리어층 아래의 다공질층의 높은 단열성을 유효하게 활용할 수 있다. 그 결과, 음파 발생의 효율을 높은 수준으로 유지할 수 있다.
또, 다공질층과 배리어층 중 적어도 하나는 전기 절연성 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 이 경우는, 장기간 사용해도 발열층과 열절연층의 사이에서 국소적인 전기 누설 경로가 형성되지 않으므로, 큰 음압의 압력파를 안정적으로 발생시킬 수 있는 동작 신뢰성이 높은 압력파 발생 장치를 제공할 수 있다. 전기적 절연성 재료로서는, 예를 들어 실리콘 산화물, 실리콘 탄화물, 실리콘 질화물과 같은 실리콘 화합물을 사용하는 것이 바람직하지만, 도포법이나 CVD와 같은 증기 증착법에 따라 넓은 면적의 기판 상에 일괄 형성할 수 있는 실리카를 사용하는 것이 특히 바람직하다. 그러므로 압력파 발생 장치의 저비용화를 도모할 수 있다. 또, 대형 스피커나 위상 제어에 의한 방향성을 가지는 초음파 발생 장치의 실현이 용이하게 된다는 장점이 있다.
또, 다공질층의 내부에는 불활성 가스를 충진하는 것이 바람직하다. 대안적으로, 다공질층의 내부를 감압 분위기(reduced pressure atmosphere)로 유지하는 것이 바람직하다. 이 경우는, 공기 중의 산소나 수분과 같은 반응성 물질이 다공질층에 흡착 또는 부착될 가능성을 더 저감할 수 있다.
본 발명의 다른 목적은, 상기 목적을 달성하는 데 적절한 배리어층의 형성 공정을 포함하는 압력파 발생 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다. 즉, 본 발명의 제조 방법은, 기판 상에 다공질층을 형성하는 공정과, 다공질층으로의 매질 성분의 확산을 억제하는 배리어층을 다공질층 상에 형성하는 공정과, 그리고 배리어층 상에 발열층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
다공질층의 형성 공정의 바람직한 실시예로서는, 기판에 양극 산화 처리(anodizing treatment)를 행함으로써 기판의 표면으로부터 일정 깊이에 걸쳐 제1 다공질층을 형성하는 공정과, 양극 산화 처리를 상이한 조건으로 기판에 행함으로써 기판 내에 제1 다공질층에 인접하는 제2 다공질층을 형성하는 공정을 포함한다. 양극 산화 처리의 조건은, 제1 다공질층이, 제2 다공질층보다 다공도와 평균 세공 직경 중 적어도 하나에 있어서 작은 다공질 구조를 가지도록 결정된다. 이 경우는, 다공도 및 평균 세공 직경 중 적어도 하나가 서로 상이한 2종류의 다공질층을 양극 산화 처리의 조건을 바꾸는 것만으로 형성할 수 있다. 또, 다공질 층간이 양호한 계면을 얻을 수 있다. 이 경우는, 제1 다공질층이, 후속 공정에서 형성되는 배리어층의 기초를 제공한다.
양극 산화 처리에 의해 다공질층을 형성하는 경우는, 양극 산화 처리의 조건을, 다공질층의 다공도와 평균 세공 직경 중 적어도 하나가, 기판의 표면으로부터 깊이 방향으로 서서히 커지도록 결정될 수 있다. 이 경우는, 다공질층의 표층부가, 후속 공정에서 형성되는 배리어층의 기초를 제공한다.
배리어층의 형성 공정으로서는, 기판 상에 형성된 단열성이 뛰어난 다공질층의 일부의 체적을 팽창시키는 것이 바람직하다. 즉, 다공질층의 일부를 물리적 또는 화학적으로 변질시킴으로써 다공질층의 골격의 외관상의 체적을 증가시켜, 가스가 내부로 확산되는 것을 억제하는 조직을 다공질층의 표층부에 형성한다. 구체적으로는, 산화 가스, 탄화 가스, 질화 가스 중 적어도 하나의 존재 하에서 가열 처리하는 것이 바람직하다. 이 경우, 산화, 탄화, 또는 질화에 의해 다공질층의 일부의 골격 체적을 증가시켜, 화학적으로 안정적인 산화물, 탄화물, 질화물과 같은 배리어층을 얻을 수 있다.
대안적으로, 다공질층의 일부를 전해질 용액 중에서 전기 화학적으로 산화해서 배리어층을 형성할 수 있다. 특히, 다공질층의 형성에 전술한 양극 산화 처리를 사용하는 경우는, 전해질 용액을 변경하는 것만으로 동일한 처리 장치를 사용하여 배리어층을 형성할 수 있다. 그러므로 제조 비용의 저감을 도모한다.
본 발명의 더 바람직한 실시예에 따른 제조 방법에서, 다공질층의 형성 공정은 다공질층보다 다공도와 평균 세공 직경 중 적어도 하나가 큰 제2 다공질층을 제1 다공질층에 인접하여 기판 내에 형성하는 공정을 포함한다. 한편, 배리어층의 형성 공정은, 제1 다공질층의 다공도와 평균 세공 직경 중 적어도 하나를 작게 하는 처리를 포함한다. 이 경우는, 제2 다공질층보다 다공도와 평균 세공 직경 중 적어도 하나가 작은 제1 다공질층에 대하여, 다공도와 평균 세공 직경 중 적어도 하나를 작게 하는 처리를 행하여 배리어층을 형성한다. 그러므로 공기 중의 산소나 수분이 제2 다공질층 내에 확산되는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. 상기 처리로서, 제1 다공질층 중 적어도 일부의 체적을 팽창시키는 처리를 행하는 것이 바람직하다.
전술한 체적 팽창 처리 외에, 다공질층의 표층부를 레이저 가열에 의해 용융시킴으로써 배리어층을 형성할 수 있다. 다공질층의 표층부를 가열 용융시켜 치밀한 구조로 함으로써, 다공질 내부를 밀봉할 수 있다. 또, 레이저 가열 처리를 불활성 가스 또는 감압 분위기에서 행함으로써, 다공질층 내를 불활성 가스로 채운 상태 또는 감압 상태로 유지할 수 있어, 다공질층의 내부를 공기 중의 산소나 수분으로부터 차단할 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 압력파 발생 장치의 개략 단면도 이다.
도 2는 양극 산화 처리의 원리를 나타내는 개략도이다.
도 3a는 기판에 형성된 제1 다공질층을 나타내는 개략 단면도이며, 도 3b는 제1 다공질층의 구조를 나타낸 개략도이다.
도 4a는 제1 다공질층에 인접하여 기판 내에 형성된 제2 다공질층을 나타내는 개략 단면도이며, 도 4b는 제2 다공질층의 구조를 나타낸 개략도이다.
도 5는 제1 다공질층 및 제2 다공질층의 세공 직경과 세공 용적의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 6a는 제2 다공질층에 체적 팽창 처리를 행하여 형성된 배리어층을 나타내는 개략 단면도이며, 도 6b는 배리어층의 구조를 나타낸 개략도이다.
도 7은 제2 다공질층 및 배리어층의 세공 직경과 세공 용적의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 8은 발열층 및 패드의 형성 공정을 나타낸 개략 단면도이다.
도 9는 배리어층을 가지는 압력파 발생 장치의 출력의 시간 경과에 따른 안정성을 나타내는 그래프이다.
도 10은 평가 시험 전에 본 실시예의 압력파 발생 장치의 열절연층을 오거 전자 분광법(auger electron spectroscopy)에 의해 분석한 결과를 나타낸 도면이다.
도 11은 평가 시험 후에 본 실시예의 압력파 발생 장치의 열절연층을 오거 전자 분광법에 의해 분석한 결과를 나타낸 도면이다.
도 12는 평가 시험 후에 종래예의 압력파 발생 장치의 열절연층을 오거 전자 분광법에 의해 분석한 결과를 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 압력파 발생 장치 및 그 제조 방법을 첨부 도면을 참조하면서 바람직한 실시예에 따라 상세하게 설명한다.
본 실시예의 압력파 발생 장치는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 단결정 실리콘으로 이루어지는 기판(1)과, 금속 박막으로 형성되는 발열층(3)과, 기판(1)과 발열층(3) 사이에 형성되는 열절연층(2)과, 발열층(3)의 양 단부에 형성되는 한 쌍의 패드(4)를 구비한다. 한 쌍의 패드(4)를 통한 발열층(3)으로의 통전에 따른 발열층(3)의 온도 변화에 의해 주위의 매질인 공기에 열 충격(thermal shock)이 가해져서 압력파를 발생시킨다. 본 실시예에 있어서는, 발열층(3)에 구동 전압 파형 또는 구동 전류 파형이 인가되므로, 발열층(3)에는 이 구동 입력 파형에 따른 온도 변화가 생긴다. 이 발열층의 온도 변화는, 발열층과 장치 근방의 매질(예를 들면, 공기) 사이의 열교환을 통하여, 매질의 팽창과 수축을 열 유기적으로(in a thermally induced manner) 생기게 한다. 그 결과, 매질 중에 압력파를 발생시킨다. 기판(1)의 상면에 있어서, 열절연층(2)이 형성되어 있지 않은 영역에는, 실리콘 산화막으로 이루어지는 절연막(도시하지 않음)이 형성되어 있다.
기판(1)을 구성하는 재료에 특히 한정은 없다. 후술하는 양극 산화 처리에 의해 기판 내에 다공질층을 일체로 형성하는 경우는, Si, Ge, SiC, GaP, GaAs, 및 InP와 같은 반도체 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 기판(1)으로서 Si를 사용하는 경우는, 단결정 실리콘 기판, 다결정 또는 아몰퍼스 실리콘 기판을 기판(1)으로서 사용할 수 있다. 또, p형 또는 n형으로 Si 기판을 사용할 수도 있다. 또, 결정의 면 방위(surface orientation)에 대해서도 한정은 없다. 본 실시예에서는, p형의 실리콘 단결정을 기판(1)으로서 사용하고 있다.
발열층(3)으로서는, 이리듐, 탄탈, 몰리브덴, 텅스텐과 같은 고융점의 금속 재료를 사용할 수 있다. 또, 높은 음압을 필요로 하지 않는 경우는, 산화에 의한 변질이 없는 귀금속인 백금, 팔라듐, 금을 사용할 수 있다. 본 실시예에 있어서는, 발열층(3)으로서 고융점의 금속 재료일 뿐만 아니라 귀금속 재료인 이리듐을 사용하고 있다. 또, 패드(4)로 사용되는 재료로서는, 도전성 재료를 사용할 수 있다. 본 실시예에 있어서, 패드(4)는 알루미늄으로 이루어진다.
본 실시예의 열절연층(2)은, 다공질층(20)과, 이 다공질층(20)과 발열층(3) 사이에 형성되는 배리어층(25)으로 구성된다. 배리어층(25)은, 공기 중의 산소나 수분과 같은 반응성 물질이 다공질층(20) 내에 확산되기 어렵게 하기 위하여, 바람직하게는 외부 공기로부터 다공질층(20)을 차단하기 위해 형성된다. 이 배리어층(25)의 형성에 의해, 압력파 발생 장치가 장시간에 걸쳐서 산소나 반응성 물질이 존재하는 환경 하에서 사용되어도, 다공질층의 단열성이 악화되는 것을 방지할 수 있고, 결과적으로 출력의 시간 경과에 따른 안정성이 뛰어난 압력파 발생 장치를 제공할 수 있다.
다공질층(2O)을 구성하는 재료는, 기판(1)과 동일한 재료, 또는 기판보다 열절연성이 높은 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 한편, 배리어층(25)은, 다공질 층(20) 내로의 수분이나 오염물의 확산을 억제할 수 있는 조건이면 특히 한정되지 않는다. 그러나 후술하는 바와 같이, 기판(1)의 일부를 다공질화 함으로써 다공질층(20)을 형성하고, 특히, 이같이 하여 얻어진 다공질층(20)의 일부를 사용하여 배리어층(25)을 형성하는 것이 바람직하다. 일례로서, 실리콘 기판(1)을 다공질화 하여 얻어지는 다공질 실리콘으로 다공질층(20)을 형성하고, 후술하는 체적 팽창 처리를 다공질 실리콘층의 일부에 행함으로써 배리어층(25)을 형성할 수 있다.
그런데 본 발명의 목적을 달성하기 위해서는, 배리어층(25)이 완전하게 치밀한 구조를 가지는 것을 필수로 하지 않는다. 배리어층(25)은 이하의 조건을 만족시키는 다공질 구조를 가지고 있으면 된다. 즉, 다공질층(20)의 다공도를 "Ps", 평균 세공 직경을 "Rs", 배리어층(25)의 다공도를 "Pi" 및 배리어층(25)의 평균 세공 직경을 "Ri"라 할 때, 이하의 (1) 내지 (3) 중 어느 하나의 조건을 충족하면 된다.
(1) Ps>Pi 및 Rs=Ri
(2) Ps=Pi 및 Rs>Ri
(3) Ps>Pi 및 Rs>Ri
이들 조건 중 어느 하나의 조건을 만족시킴으로써, 전술한 바와 같이, 다공질층(20) 내로의 반응성 물질(reactive substance)이나 오염물의 확산을 억제할 수 있는 배리어층(25)을 얻을 수 있다. Ps>Pi+10(%)의 조건이 충족되는 경우는, 배리어층(25)에 의해 다공질층(20)을 보강함으로써, 열절연층(2) 전체의 기계적 강도를 높일 수 있다. 또, 다공질층(20) 내로의 가스 확산을 보다 효과적으로 억제하는 관점으로부터, Rs-0.5nm>Ri의 조건을 만족시키는 것이 바람직하다. 이상적으로는, 전술한 2개의 조건의 양쪽을 만족시키는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 목적을 보다 효과적으로 달성하기 위하여, 배리어층(25)은 다음 식에 의해 표현되는 열 확산 길이 "D"(m)를 넘지 않도록 결정된 두께를 가지는 것이 바람직하다.
D=(2αi/ωCi)1/2
여기서, "D"(m)은 배리어층(25)의 두께, "αi"는 배리어층의 열전도율, "Ci"는 배리어층의 단위 체적 당 열 용량((J/(m3ㆍK)), "ω"(=2πf(rad/s))는 발열층(3)에서 야기된 온도 변동의 각 진동수이다. 발열층(3)에 인가되는 구동 입력 파형을 정현파로 하면, 정현파의 주파수의 2배의 주파수가, 발열층(3)에 생기는 이상적인 온도 변동의 주파수 f(Hz)에 상당한다.
예를 들면, 주파수가 60kHz인 압력파를 발생시키고 싶은 경우에는, 구동 입력 파형의 주파수를 30kHz로 하면 된다. 배리어층의 "αi"가 대략 1.55[W/(mㆍK)]이고, "Ci"가 대략 1.01×106[J/(m3ㆍK)〕이면, 열 전달에 적절한 두께, 즉 열 확산 길이 "D"는 대략 위 식으로부터 D≒2.85×10-6[m]=2.85㎛로 된다. 따라서, 배리어층(25)의 두께가 2.85㎛를 넘지 않도록 설정하면, 배리어층 아래에 위치하는 다공질층의 단열성이 유효하게 기능하게 된다.
그런데 열절연층 상에 형성되는 발열층에는, 전기 입력 에너지 변화에 대응 하여 온도 변화를 생기게 할 필요가 있다. 즉, 소정의 주파수의 음파를 방출시키기 위해서는, 발열층의 열용량을 최소로 하여, 열응답성을 높일 필요가 있다. 이 목적을 위해, 발열층은 예를 들어 10 ~ 200nm의 범위, 보다 바람직하게는 20 ~ 100nm의 범위의 매우 얇은 두께를 가진다. 이와 같은 얇은 발열층이 주위 매질(예를 들어, 공기)의 차폐 효과를 제공하는 것을 기대할 수 없으므로, 발열층과는 개별적으로 배리어층을 형성하여 차폐 효과를 높인다.
또, 다공질층(20)과 배리어층(25) 중 적어도 하나가 전기적 절연성 재료에 의해 형성되는 경우는, 열침투율을 줄이고, 압력파 발생 효율을 높이며, 또한 발열층(3)으로의 통전 시에 열절연층(2)에 전류가 흐르는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 큰 음압의 압력파를 안정적으로 발생시킬 수 있다. 압력파 발생 효율은 입력 전력에 대한 그 발생된 압력파의 음압의 비율로 정의되는 값이다.
전기적 절연성 재료의 일례로서, 다공질 실리카에 의해 다공질층(20)을 형성하는 경우에 대하여 설명한다. 공기 중의 수분이 다공질 실리카로 되는 다공질층(20)의 세공 내에 흡착되는 것을 방지하는 관점으로부터, 다공질층의 평균 세공 직경은 5nm 이하인 것이 바람직하다. 이로써, 열절연층(2)의 세공을 포함한 체적 열용량의 증대를 방지할 수 있으므로, 압력파 발생 효율의 저하를 억제할 수 있다. 또, 다공질층(20) 내에 수분이 흡착하기 어렵게 되므로, 흡착 수분을 통하여 누설 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있고, 고습도 분위기 하에서도 큰 음압의 압력파를 안정적으로 발생시킬 수 있다.
다음에, 전술한 압력파 발생 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 이 제조 방법은, 기판(1) 상에 다공질층(20)을 형성하는 공정과, 다공질층(20) 상에 배리어층(25)을 형성하는 공정과, 배리어층(25) 상에 발열층(3)을 형성하는 공정과, 그리고 발열층(3)의 양 단부에 한 쌍의 패드(4)를 형성하는 공정을 주로 포함한다.
다공질층(20)은, p형의 실리콘 단결정 기판(1)의 표면의 소정 표면 영역에 양극 산화 처리를 행하여 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 도 2에 나타낸 바와 같이, 양극 산화 처리는, 전해액(12)(예를 들면, 50wt%의 불화 수소 수용액과 에탄올을 1.2:1로 혼합한 혼합액)이 수용된 처리조(treatment vessel)(10) 중에 피처리물인 실리콘 기판(1)을 침지하여 행해진다. 처리조(10) 내에 있어서는, 전류원(16)에 접속된 백금 전극(14)이, 실리콘 기판(1)의 다공질층이 형성될 표면에 대향하도록 전해액(12) 중에 배치된다. 백금 전극(14)을 음극으로서 사용하고, 통전용 전극을 양극으로서 사용한다. 전류원(16)으로부터 미리 결정된 전류 밀도의 전류를 흐르게 함으로써 양극 산화 처리가 실리콘 기판(1)의 표면에 대해 행해진다.
또, 다공질층(20)은, 기판(1)의 표면으로부터 일정 깊이에 걸쳐 제1 다공질층 P1을 형성한 다음, 제1 다공질층 P1보다 다공도와 평균 세공 직경 중 적어도 하나가 큰 제2 다공질층 P2를 제1 다공질층 P1에 인접하여 기판(1) 내에 형성하는 것이 바람직하다. 이와 관련해서, 제1 다공질층 P1중 적어도 일부가, 후술하는 배리어층(25)의 형성에 사용된다. 제1 다공질층 P1과 제2 다공질층 P2의 형성에는, 전술한 양극 산화 처리를 채용하는 것이 특히 바람직하다. 즉, 기판(1)에 제1 조건 하에서 양극 산화 처리를 행함으로써 기판의 표면으로부터 일정 깊이에 걸쳐 제1 다공질층 P1을 형성한 후, 제1 조건과는 상이한 제2 조건 하에서 양극 산화 처리를 기판에 행함으로써 기판(1) 내에 제1 다공질층 P1에 인접하는 제2 다공질층 P2를 형성한다. 양극 산화 처리의 제1 조건 및 제2 조건은, 제1 다공질층 P1이, 제2 다공질층 P2보다 다공도와 평균 세공 직경 중 적어도 하나에 있어서 작은 구조를 가지도록 결정된다.
이하, 양극 산화 처리에 의한 제1 다공질층 P1과 제2 다공질층 P2의 형성을 더 구체적으로 설명한다. 미리 설정된 전류 밀도(예를 들면, 5mA/cm2)의 전류를 미리 결정된 시간 동안 흐르게 하여 제1 양극 산화 처리를 기판(1)의 표면에 행하면, 도 3a 및 도 3b에 나타낸 바와 같이, 다공도 및 평균 세공 직경을 가지는 제1 다공질층 P1이 기판의 표면으로부터 소정 깊이로 형성된다.
이어서, 제1 양극 산화 처리와는 상이한 전류 밀도(예를 들면, 100mA/cm2)의 전류를 미리 결정된 시간 동안 흐르게 하여 제2 양극 산화 처리를 기판(1)의 표면에 행함으로써, 도 4a 및 도 4b에 나타낸 바와 같이, 제1 다공질층 P1보다 다공도 및 평균 세공 직경 중 적어도 하나가 큰 제2 다공질층 P2가 제1 다공질층에 인접하여 기판 내부에 형성된다. 도 3b 및 도 4b는, 제2 양극 산화 처리에 의해 형성된 제2 다공질층 P2가, 제1 다공질층 P1보다 더 다공질의 구조를 가지고 있는 것을 개념적으로 나타내고 있다.
제2 양극 산화 처리가, 제1 양극 산화 처리에 의해 형성된 제1 다공질층 P1의 다공도 및 평균 세공 직경에는 거의 영향을 미치는 일 없이 진행하여, 제1 다공질층의 바로 아래에 제2 다공질층 P2를 원하는 두께로 형성할 수 있다는 것은 주목 할 만하다. 이것은, 전해액이 가공되지 않은(fresh) 기판(1)에 접촉하는 부위에서 양극 산화 처리가 우선적으로 진행되지만, 이미 양극 산화 처리에 의해 형성된 다공질 구조에 있어서는 처리가 거의 진행되지 않기 때문이다. 전술한 처리 조건하에서, 제1 다공질층의 두께는 O.1㎛이며, 제2 다공질층 두께는 1.6㎛이다. 사용한 기판(1)의 두께는 525㎛다. 이들 값은 예시에 지나지 않으며 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또, 전류 밀도 및 처리 시간은 특히 한정되지 않는다. 전류 밀도는 예를 들면 1 ~ 500mA/cm2의 범위 내에서 적당히 설정될 수 있다.
도 5는 얻어진 제1 다공질층 P1 및 제2 다공질층 P2에 대하여, 세공 직경 분포(pore diameter distribution)를 가스 흡입법(gas adsorption method)에 의해 분석한 결과를 나타낸다. 제1 다공질층 P1에는, 2.73nm 부근의 세공 직경을 가지는 세공이 많이 포함되어 있는 것을 나타내는 피크가 존재하고 있다. 한편, 제2 다공질층 P2에는, 3.39nm 부근의 세공 직경을 가지는 세공이 많이 포함되어 있는 것을 나타내는 피크가 존재하고 있다. 그러므로 세공 직경은 제2 다공질층 P2보다 제1 다공질층 P1이 작다는 것을 알 수 있다. 또, 제1 다공질층 P1 및 제2 다공질층 P2의 각각에 대하여, 다공도를 가스 흡착법에 의해 분석한 결과로서, 제1 다공질층 P1의 다공도가 64.5%인데 대하여, 제2 다공질층의 다공도는 75.8%이다. 그러므로 다공도에 있어서도 제2 다공질층 P2보다 제1 다공질층 P1이 작다.
그러므로 제2 다공질층 P2보다 평균 세공 직경과 다공도 중 적어도 하나가, 보다 바람직하게는 평균 세공 직경과 다공도 양쪽이 작도록 제1 다공질층 P1을 형 성하면, 후속 공정에 의해 본 발명의 목적을 달성하는데 바람직한 배리어층(25)을 형성할 수 있다.
다공질층의 형성 공정의 다른 바람직한 실시예로서, 다공질층(20)의 다공도와 평균 세공 직경 중 적어도 하나가, 기판 표면으로부터 깊이 방향으로 서서히 커지도록 양극 산화 처리의 조건을 연속적으로 변화시킬 수 있다. 이 경우는, 얻어진 다공질층(20)의 표층부에 있어서 평균 세공 직경과 다공도 중 적어도 하나가 가장 작아질 수 있다. 후속 공정에서, 이 표층부에 배리어층(25)이 형성된다.
다음에, 배리어층(25)의 형성 공정에 대하여 설명한다. 배리어층(25)은, 다공질층의 표층부의 평균 세공 직경과 다공도 중 적어도 하나, 바람직하게는 평균 세공 직경과 다공도의 양쪽을 작게 하는 처리에 의해 형성될 수 있다. 이와 같은 처리로서는, 다공질층(20)의 표층부의 체적을 팽창시키는 처리를 채용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 제1 양극 산화 처리에 의해 형성된 제1 다공질층 P1의 체적을 팽창시키는 경우, 산화 가스의 존재 하에서 제1 다공질층 P1에 대해 가열 처리를 수행할 수 있다. 도 6a 및 도 6b에 나타낸 바와 같이, 다공질 실리콘으로 이루어지는 제1 다공질층 P1이 산화되어 체적 팽창하고, 제2 다공질층 P2 상에 배리어층(25)이 형성된다. 도 6b는, 도 3b에 나타내는 제1 다공질층 P1이 체적 팽창하여, 세공 치수 및 세공 수가 감소하는 배리어층(25)으로 변화된 것을 개념적으로 나타내고 있다. 또, 도 6b에 도시된 해칭 영역(27)은 체적 팽창된 부위를 나타내고 있다. 그러므로 제1 다공질층 P1을 체적 팽창시켜 얻어지는 배리어층(25)에는, 실리콘 산화물과 같은 실리콘 화합물이 포함된다. 가열 처리의 조건은, 체적 팽창 되는 다공질층의 재질 및 다공질층의 두께와 같은 파라미터를 고려하여 적절히 결정될 수 있다. 예를 들면, 고온 고습 분위기(온도: 120℃, 습도: 85%)에서 제1 다공질층 P1을 산화에 의해 체적 팽창시키는 것이 가능하다. 대안적으로, 제1 다공질층 P1을 대기 중의 약 20O℃에서 가열할 수도 있다.
전술한 체적 팽창 처리에서 주목해야 할 것은, 체적 팽창이 반응성 가스의 존재 하에서 가열에 의해 행해지므로, 외부로부터 공급되는 반응성 가스(예를 들어, 산화 가스)의 대부분이, 제1 다공질층 P1을 통하여 제2 다공질층 P2에 진입하기 전에 제1 다공질층 P1을 산화시키는 데 소비된다는 것이다. 환언하면, 이와 같은 체적 팽창 처리에 의하면, 제2 다공질층 P2의 평균 세공 직경 및 다공도를 실질적으로 변화시키지 않고, 제1 다공질층 P1에서 우선적으로 평균 세공 직경 및 다공도 중 적어도 하나를 감소시켜 배리어층(25)을 형성할 수 있다. 제1 다공질층의 평균 세공 직경 및 다공도가 작아질수록, 제1 다공질층 P1에 있어서 우선적으로 체적 팽창을 진행시킬 수 있다.
도 7은 체적 팽창 처리의 실시 전후에 있어서의 제1 다공질층 P1의 세공 용적 및 세공 직경 사이의 관계를 가스 흡착법에 의해 분석한 결과를 나타낸다. 전술한 바와 같이(도 5 참조), 체적 팽창 처리를 행하기 전의 제1 다공질층 P1에는, 2.73nm 부근의 세공 직경을 가지는 세공이 많이 포함되어 있다. 한편, 체적 팽창 처리에 의해 형성된 배리어층(25)에 있어서는, 2.73nm 부근의 세공 직경을 가지는 세공의 대부분이 소실되어 있다. 즉, 세공 용적이 대폭 저감되어, 초기에 형성된 세공의 대부분이 밀봉된 것을 알 수 있다.
본 발명의 배리어층(25)을 형성하는 목적은, 압력파 발생 장치의 주위의 매질(즉, 공기)에 포함된 반응성 물질이나 오염물이 열절연층(2)의 다공질층(20)으로서 기능하는 제2 다공질층 P2 내에 확산되는 것을 방지하는 것이다. 그러므로 제1 다공질층 P1의 전체 체적을 팽창시킬 필요가 없다. 요약하면, 제1 다공질층 P1의 일부(표층부)만을 체적 팽창시켜도 목적을 달성할 수 있다. 또, 체적 팽창 처리는, 산화 가스의 존재 하에서 가열하는 것에 한정되지 않는다. 체적 팽창을 수반하는 다른 반응도 또한 이용될 수 있다. 예를 들면, 탄화 가스나 질화 가스의 존재 하에서 가열함으로써 제1 다공질층 P1 중 적어도 일부를 탄화 또는 질화 시켜 체적 팽창시켜도 된다. 이 경우는, 배리어층(25)에 실리콘 질화물이나 실리콘 탄화물과 같은 화학적으로 안정적인 실리콘 화합물이 포함된다. 대안적으로, 산화 가스, 탄화 가스, 질화 가스로부터 선택된 적어도 2종 이상의 존재 하에서 가열하여 체적 팽창시키는 것도 가능하다. 이 경우, 얻어진 배리어층(25)에 실리콘 탄질화물(silicon carbonitride)이나 실리콘 산질화물(silicon oxinitride)이 포함될 수 있다.
전술한 체적 팽창 처리에 의하면, 다공질 층(2O)의 표층부나 제1 다공질층 P1의 세공에 밀봉재(sealing material)를 매립할 필요가 없이, 균질의 배리어층을 용이하게 형성할 수 있는 장점이 있다. 또, 체적 팽창 처리에 의해 형성된 배리어층(25)은, 제2 다공질층 P2로 되는 다공질층(20)과 일체로 형성된다. 그러므로 다공질층(20) 상에 상이한 재료의 배리어층을 형성하는 경우에 비하여, 배리어층(25)과 다공질층(20) 사이의 향상된 계면 강도(interface strength)를 얻을 수 있다. 또한, 기계적 강도가 단결정 실리콘에 비해 낮은 다공질층(20)의 골격이 체적 팽창에 의해 형성된 배리어층(25)에 의해 보강될 수 있다. 그 결과, 다공질층(20)과 배리어층(25)으로 이루어지는 열확산층(2)의 기계적 강도를 향상시키는 추가의 효과도 있다.
또, 전술한 제1 다공질층 P1의 체적을 팽창시키는 처리는, 발열층이 손상되지 않는 조건 하에서 발열층을 형성한 후에, 발열층을 통한 가스 확산을 이용하여 행해질 수 있다.
그러므로 전술한 체적 팽창 처리에 의하면, 많은 이점이 얻어진다. 그렇지만, 본 발명의 체적 팽창 처리는, 반응성 가스의 존재 하에서 가열하는 경우에 한정되지 않는다. 예를 들면, 다공질층의 일부를 산화용의 전해질 용액 중에서 전기 화학적으로 산화시킬 수 있다. 이 경우는, 전술한 다공질층(20)의 형성 공정에 사용된 전해액(12)에 대신하여, 예를 들면, 1M의 황산 수용액을 전해질 용액으로 사용할 수 있다. 다공질층이 형성된 기판을 황산 수용액이 들어 있는 처리조(10) 내에 침지한다. 기판을 양극으로서 사용하고, 백금 전극(14)을 음극으로서 사용한다. 미리 결정된 전류 밀도(예를 들면, 10mA/cm2)의 전류를 흐르게 하여, 다공질층의 일부를 전기 화학적으로 산화시킬 수 있다. 이와 관련해서, 전기 화학적인 산화는, 양극과 음극 사이의 전압의 증가분이 원하는 배리어층의 두께에 대응하도록 결정된 미리 결정된 값(예를 들면, 15V) 이상이 되었을 때, 종료될 수 있다. 배리어층의 형성에 사용되는 전해질 용액은 전술한 것에 한정되지 않는다. 대안적으 로, 에틸렌 글리콜과 같은 유기 용매에 질산칼륨을 산화제로서 용해한 용액을 사용할 수도 있다.
다공질층을 형성하는 공정에 사용된 것과 동일한 처리 장치가, 다공질층을 전해질 용액 중에서 전기 화학적으로 산화해서 배리어층을 형성하는 공정에도 사용될 수 있다. 요약하면, 전해질 용액을 간단히 변경함으로써 배리어층을 형성할 수 있다. 그러므로 제조 비용의 저감을 도모하는 추가의 장점이 있다.
배리어층(25)의 형성 공정의 추가의 변경예로서, 레이저광에 의해 적어도 다공질층(20)의 표층부를 가열 용융함으로써 배리어층(25)을 형성할 수 있다. 즉, 레이저 어닐링법에 의해 배리어층을 형성할 수 있다. 이 경우는, 불활성 가스 분위기 또는 진공 중 처리를 행함으로써, 다공질층의 세공 내를 불활성 가스로 채워진 상태, 또는 감압 상태로 유지하는 것이 가능하게 된다. 또, 배리어층이 치밀한 구조를 가지고 있으므로, 다공질층의 세공을 밀봉하는 봉공층으로서 기능할 수 있어, 다공질층 내로의 반응성 물질이나 오염물의 침입을 차단할 수 있다.
또, 전술한 배리어층(25)의 형성 공정의 또 다른 변경예로서, 페이스트 상의 밀봉제(paste-like sealing agent)를 다공질층(20)의 표층부에 도포하고, 이 도포된 밀봉재를 가압함으로써 배리어층을 형성할 수 있다.
다음에, 발열층(3) 및 패드(4)의 형성 공정에 대하여 간단하게 설명한다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 발열층(3)은, 배리어층(25)의 표면에 메탈 마스크를 이용하여 스퍼터링법이나 진공 증착법에 의해 형성될 수 있다. 한편, 패드(4)는, 발열층과 마찬가지로, 메탈 마스크를 이용하여 스퍼터링법이나 증착법 등에 의해 발 열층(3) 상의 미리 결정된 부위에 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 발열층(3)은, 두께가 50nm인 이리듐 막에 의해 형성되고, 패드(4)는, 두께가 0.5㎛인 알루미늄 박막에 의해 형성된다. 이들 값은 예에 지나지 않으며 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
다음에, 배리어층의 형성이 압력파 발생 장치의 출력의 시간 경과에 따른 출력 안정성에 미치는 효과를 확인하기 위해 실시한 평가 시험을 소개한다. 이 평가 시험에 있어서는, 제1 다공질층 P1을 체적 팽창시켜 형성한 배리어층(25)을 가지는 본 발명의 압력파 발생 장치(D1)와 제2 다공질층 P2에 의해서만 형성된 열절연층(2)을 가지는 비교 대상의 압력파 발생 장치(D2)를 사용한다. 온도가 120℃, 습도가 85%의 분위기에 이들 각각의 디바이스를 노출시키고, 효율(=음압(Pa)/입력 전력(W))을 측정하였다. 결과를 도 9에 나타낸다. 이 도면으로부터 명백한 바와 같이, 비교 대상의 압력파 발생 장치(D2)에서는, 테스트 시간이 경과함에 따라, 효율이 급격하게 감소한다. 한편, 본 발명의 압력파 발생 장치(D1)에서는, 효율의 감소량은 적고, 시간 경과에 따른 출력 안정성이 현저하게 개선된다. 도 9에서, 세로축의 "효율 변화"는, 평가 테스트 개시 전의 효율을 "φ1", 평가 테스트 개시 후의 효율을 "φ2"로 할 때, 수학식 [(φ2-φ1)/φ1]×100에 의해 계산된다.
또, 압력파 발생 장치(D1)에 관하여, 평가 시험 전후에 열절연층(2)의 다공질층(20)의 깊이 방향에서의 실리콘(Si)과 산소(O)의 분포를 오거 전자 분광법(Auger electron spectroscopy)에 의해 측정하였다. 측정한 결과를 도 10 및 도 11에 나타낸다. 마찬가지로, 종래의 압력파 발생 장치(D2)에 관하여, 평가 시험 전후에 열절연층(2)의 다공질층(20)의 깊이 방향에서의 실리콘(Si)과 산소(O)의 분포를 오거 전자 분광법에 의해 측정하였다. 측정한 결과를 도 12에 나타낸다. 이들 결과로부터, 배리어층이 없는 비교 대상의 압력파 발생 장치(D2)에 비하여, 배리어층(25)을 가지는 본 발명의 압력파 발생 장치(D2)에 있어서, 다공질층(20)의 산화의 진행이 현저하게 억제되어 있는 것을 알 수 있다.
전술한 실시예에서는, 기판 재료로서 반도체 재료를 사용한 경우에 대하여 설명하였다. 대안적으로, 열전도성이 높은 금속 기판을 사용하는 것도 가능하다. 이 경우는, 기판보다 열절연성이 높은 다공질 실리카층과 같은 다공질층을, 금속 기판 상에 열절연층뿐만 아니라 전기 절연층으로서 형성하고, 이 다공질층의 표층부에 수분이나 오염물의 확산을 억제하는 배리어층을 형성한다.
그러므로 본 발명에 의하면, 다공질층의 발열층 측의 표면에 배리어층을 형성했으므로, 공기 중의 산소나 수분과 같은 반응성 물질이나 불순물이 다공질층 내에 확산되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 시간 경과에 따른 출력 안정성이 뛰어난 압력파 발생 장치를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 제조 방법에 의하면, 다공질층의 표층부의 체적을 팽창시킴으로써 배리어층의 기능을 얻을 수 있고, 다공질층에 의해서만 열절연층이 형성되는 경우에 비하여, 열절연층의 기계적 강도를 향상시킬 수 있다.
그러므로 본 발명은, 기계적 진동을 수반하지 않고 초음파와 같은 압력파를 발생시키기 위해 종래의 열 유기식 압력파 발생 장치에 내재하는 문제점을 해결함 으로써 그 이용가치가 높다.
Claims (21)
- 압력파 발생 장치에 있어서,기판과, 발열층과, 상기 기판과 상기 발열층 사이에 형성되는 열절연층을 포함하고,상기 발열층으로의 통전(energization)에 의해 발생되는 상기 발열층의 온도 변화에 의해 주위의 매질 중에 압력파를 발생시키도록 구성되며,상기 열절연층은 다공질층(porous layer) 및 배리어층을 포함하며, 상기 배리어층은 상기 다공질층과 상기 발열층 사이에 형성되어, 상기 다공질층으로의 상기 매질 성분의 확산을 억제하는, 압력파 발생 장치.
- 제1항에 있어서,상기 배리어층은, 상기 다공질층의 일부의 체적을 팽창시킴으로써 상기 배리어층에서의 세공이 밀봉되도록 형성되고, 상기 다공질층보다 다공도(porosity)와 평균 세공 직경(average pore diameter)이 작은 구조를 가지는, 압력파 발생 장치.
- 제2항에 있어서,상기 배리어층은 다공질 구조를 가지고,상기 다공질층의 세공이 상기 배리어층의 세공에 연결되는, 압력파 발생 장치.
- 제1항에 있어서,상기 다공질층은 실리콘으로 형성되고,상기 배리어층은 실리콘 화합물을 포함하는, 압력파 발생 장치.
- 제4항에 있어서,상기 실리콘 화합물은, 실리콘 산화물, 실리콘 탄화물, 및 실리콘 질화물 중에서 선택된 적어도 하나인, 압력파 발생 장치.
- 제1항에 있어서,상기 다공질층의 내부에 불활성 가스가 충진되는, 압력파 발생 장치.
- 제1항에 있어서,상기 다공질층의 내부는 감압 분위기(reduced pressure atmosphere)에 유지되는, 압력파 발생 장치.
- 제1항에 있어서,상기 다공질층과 상기 배리어층 중 적어도 하나는, 전기적 절연성 재료로 형성되는, 압력파 발생 장치.
- 제8항에 있어서,상기 전기적 절연성 재료는, 실리카를 포함하는, 압력파 발생 장치.
- 기판과, 발열층과, 상기 기판과 상기 발열층 사이에 형성되는 열절연층을 포함하고, 상기 발열층으로의 통전에 의해 발생되는 상기 발열층의 온도 변화에 의해 주위의 매질에 열 충격(thermal shock)을 일으키는, 압력파 발생 장치의 제조 방법에 있어서,상기 기판 상에 상기 다공질층을 형성하는 공정;상기 다공질층으로의 상기 매질 성분의 확산을 억제하는 배리어층을 상기 다공질층 상에 형성하는 공정; 및상기 배리어층 상에 상기 발열층을 형성하는 공정을 포함하는 압력파 발생 장치의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 다공질층을 형성하는 공정은, 상기 기판에 양극 산화 처리(anodizing treatment)를 행함으로써 상기 기판의 표면으로부터 일정 깊이에 걸쳐 제1 다공질층을 형성하는 공정과, 상이한 조건 하에 상기 양극 산화 처리를 상기 기판에 행함으로써 상기 기판 내에 제1 다공질층에 인접하는 제2 다공질층을 형성하는 공정을 포함하고,상기 양극 산화 처리의 조건은, 상기 제1 다공질층이, 제2 다공질층보다 다공도와 평균 세공 직경이 작은 다공질 구조를 가지도록 결정되는, 압력파 발생 장치의 제조 방법.
- 제11항에 있어서,상기 배리어층은, 상기 제1 다공질층 중 적어도 일부의 체적을 팽창시킴으로써 형성되는, 압력파 발생 장치의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 다공질층은 상기 기판에 양극 산화 처리를 행함으로써 형성되고, 상기 양극 산화 처리의 조건은, 상기 다공질층의 다공도와 평균 세공 직경이 상기 기판의 표면으로부터 깊이 방향으로 서서히 커지도록 결정되는, 압력파 발생 장치의 제조 방법.
- 제13항에 있어서,상기 배리어층은, 상기 다공질층의 표층부의 체적을 팽창시킴으로써 형성되는, 압력파 발생 장치의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 배리어층은, 상기 다공질층의 일부의 체적을 팽창시킴으로써 형성되는, 압력파 발생 장치의 제조 방법.
- 제15항에 있어서,상기 다공질층의 일부를, 산화 가스, 탄화 가스, 질화 가스 중 적어도 하나의 존재 하에서 가열함으로써 그 체적을 팽창시키는, 압력파 발생 장치의 제조 방법.
- 제15항에 있어서,상기 다공질층의 일부를, 전해질 용액 중에서 전기 화학적으로 산화함으로써 그 체적을 팽창시키는, 압력파 발생 장치의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 배리어층은, 상기 다공질층의 일부를 레이저 가열에 의해 용융하여 형성되는, 압력파 발생 장치의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 다공질층을 형성하는 공정은, 상기 기판의 표면으로부터 일정 깊이에 걸쳐 제1 다공질층을 형성하는 공정과, 상기 제1 다공질층보다 다공도와 평균 세공 직경이 큰 제2 다공질층을 상기 제1 다공질층에 인접하여 상기 기판 내에 형성하는 공정을 포함하고,상기 배리어층은, 상기 제1 다공질층의 다공도와 평균 세공 직경을 작게 하는 처리에 의해 형성되는, 압력파 발생 장치의 제조 방법.
- 제19항에 있어서,상기 처리는, 상기 제1 다공질층 중 적어도 일부의 체적을 팽창시키는 처리인, 압력파 발생 장치의 제조 방법.
- 삭제
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005312013 | 2005-10-26 | ||
| JPJP-P-2005-00312013 | 2005-10-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080058474A KR20080058474A (ko) | 2008-06-25 |
| KR101010228B1 true KR101010228B1 (ko) | 2011-01-21 |
Family
ID=37967608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020087011214A KR101010228B1 (ko) | 2005-10-26 | 2006-10-19 | 압력파 발생 장치 및 그 제조 방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7881157B2 (ko) |
| EP (1) | EP1916870B1 (ko) |
| KR (1) | KR101010228B1 (ko) |
| CN (1) | CN101273661B (ko) |
| DE (1) | DE602006018478D1 (ko) |
| WO (1) | WO2007049496A1 (ko) |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009210289A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 赤外線検出システム |
| CN101600139B (zh) * | 2008-06-04 | 2013-02-13 | 清华大学 | 发声装置 |
| US8068624B2 (en) * | 2008-04-28 | 2011-11-29 | Beijing Funate Innovation Technology Co., Ltd. | Thermoacoustic device |
| US8270639B2 (en) | 2008-04-28 | 2012-09-18 | Tsinghua University | Thermoacoustic device |
| US8259968B2 (en) * | 2008-04-28 | 2012-09-04 | Tsinghua University | Thermoacoustic device |
| CN101610442B (zh) * | 2008-06-18 | 2013-03-20 | 清华大学 | 发声装置 |
| US8452031B2 (en) * | 2008-04-28 | 2013-05-28 | Tsinghua University | Ultrasonic thermoacoustic device |
| CN101594563B (zh) * | 2008-04-28 | 2013-10-09 | 北京富纳特创新科技有限公司 | 发声装置 |
| US8259967B2 (en) * | 2008-04-28 | 2012-09-04 | Tsinghua University | Thermoacoustic device |
| CN101610443B (zh) * | 2008-06-18 | 2013-02-13 | 清华大学 | 发声装置 |
| US8249279B2 (en) * | 2008-04-28 | 2012-08-21 | Beijing Funate Innovation Technology Co., Ltd. | Thermoacoustic device |
| CN101600140B (zh) * | 2008-06-04 | 2013-02-13 | 清华大学 | 发声装置 |
| CN101600141B (zh) * | 2008-06-04 | 2015-03-11 | 清华大学 | 发声装置 |
| EP2138998B1 (en) * | 2008-06-04 | 2019-11-06 | Tsing Hua University | Thermoacoustic device comprising a carbon nanotube structure |
| JP4555384B2 (ja) * | 2008-06-04 | 2010-09-29 | 北京富納特創新科技有限公司 | 熱音響装置 |
| CN101605292B (zh) * | 2008-06-13 | 2013-04-24 | 清华大学 | 发声装置及发声元件 |
| CN101610444B (zh) * | 2008-06-18 | 2013-01-09 | 清华大学 | 发声装置 |
| CN101610445B (zh) * | 2008-06-18 | 2013-07-31 | 清华大学 | 发声装置 |
| CN101656907B (zh) * | 2008-08-22 | 2013-03-20 | 清华大学 | 音箱 |
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- 2006-10-19 WO PCT/JP2006/320818 patent/WO2007049496A1/ja active Application Filing
- 2006-10-19 DE DE602006018478T patent/DE602006018478D1/de active Active
- 2006-10-19 KR KR1020087011214A patent/KR101010228B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-10-19 CN CN200680035880XA patent/CN101273661B/zh not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| WO2007049496A1 (ja) | 2007-05-03 |
| EP1916870A1 (en) | 2008-04-30 |
| KR20080058474A (ko) | 2008-06-25 |
| US7881157B2 (en) | 2011-02-01 |
| EP1916870B1 (en) | 2010-11-24 |
| DE602006018478D1 (de) | 2011-01-05 |
| CN101273661B (zh) | 2011-10-05 |
| US20090145686A1 (en) | 2009-06-11 |
| EP1916870A4 (en) | 2009-07-29 |
| CN101273661A (zh) | 2008-09-24 |
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