KR20140119963A - 질소 도핑된 텅스텐 카바이드 구조체 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
텅스텐 카바이드 구조체는 판상(plate-shape) 구조를 가지며, 복수개의 메조포어(mesopore)를 포함하는 텅스텐 카바이드, 텅스텐 카바이드의 표면을 둘러싸고 있으며, 질소를 포함하는 제1 탄소층, 그리고 제1 탄소층을 둘러싸고 있으며, 질소를 포함하는 제2 탄소층을 포함한다.
Description
질소 도핑된 텅스텐 카바이드 구조체 및 그 제조 방법이 제공된다.
연료 전지는 수소, 메탄올, 천연가스 등의 연료의 산화에 의해서 발생하는 화학에너지를 직접 전기에너지로 변환시키는 전지이다. 대표적인 연료 전지는 수소-산소 연료전지이며, 수소 기체는 연료로서 애노드(anode)에 공급되고 산소 기체는 산화제로서 캐소드(cathode)에 공급된다. 연료 전지의 애노드에서는 수소 기체가 산화되면서 수소 이온과 전자가 생성되며, 캐소드에서는 산소 기체가 수소 이온과 함께 환원되면서 물이 생성된다.
산소의 환원 반응의 속도를 높이기 위하여 연료 전지의 캐소드에는 백금 촉매가 사용된다. 백금 촉매는 높은 전기 전도도와 우수한 촉매 특성을 가지고 있으나, 백금 촉매의 가격은 비싸며, 촉매 작용이 일어나는 백금의 표면적을 높이는 것은 쉽지 않다. 이에 따라, 비용 절감을 위해 백금의 함량을 줄이는 개발 또는 대체 촉매인 비귀금속 촉매의 개발이 요구되고 있다.
비귀금속 촉매 중 전이 금속 카바이드에 속하는 텅스텐 카바이드는 전자 상태 밀도가 백금과 유사하여 촉매적 활성을 지닌다고 보고된 바가 있다. 또한 텅스텐 카바이드는 높은 전기 전도도와 높은 안정성을 가지면서도, 그 가격이 저렴하다.
본 발명의 한 실시예는 백금 등의 귀금속을 이용하지 않으면서 촉매적 활성이 우수하고 가격이 저렴한 탄소 카바이드 구조체를 제공하기 위한 것이다.
상기 과제 이외에도 구체적으로 언급되지 않은 다른 과제를 달성하는 데 본 발명에 따른 실시예가 사용될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 텅스텐 카바이드 구조체는 판상(plate-shape) 구조를 가지며, 복수개의 메조포어(mesopore)를 포함하는 텅스텐 카바이드, 텅스텐 카바이드의 표면을 둘러싸고 있으며, 질소를 포함하는 제1 탄소층, 그리고 제1 탄소층을 둘러싸고 있으며, 질소를 포함하는 제2 탄소층을 포함한다.
제1 탄소층은 피리딘형 질소(pyridinic-N), 그라파이트형 질소(graphitic-N), 또는 이들 모두를 포함할 수 있고, 제2 탄소층은 피리딘형 질소, 그라파이트형 질소, 또는 이들 모두를 포함할 수 있다.
제1 탄소층에 포함된 질소 함량보다 제2 탄소층에 포함된 질소 함량이 더 많을 수 있다.
텅스텐 카바이드와 제1 탄소층은 서로 접촉하고 있을 수 있다.
텅스텐 카바이드의 표면은 상하로 서로 대면하고 있는 한 쌍의 면과 메조포어를 형성하는 면을 포함할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 텅스텐 카바이드 구조체의 제조 방법은 WO3H2O를 암모니아 가스 분위기에서 열처리하여 W2N을 제조하는 단계, W2N을 메탄 가스와 수소 가스 분위기에서 열처리하여 탄소층 포함 텅스텐 카바이드를 제조하는 단계, 탄소층 포함 텅스텐 카바이드와 멜라민(melamine)을 유기 용매에 첨가하여 분말을 형성하는 단계, 그리고 분말을 질소 분위기에서 열처리하여 텅스텐 카바이드 구조체를 제조하는 단계를 포함한다.
분말을 형성하는 단계는 교반하고 건조하는 단계를 포함할 수 있다.
텅스텐 카바이드 구조체를 제조하는 단계는 약 섭씨 400 도 내지 약 섭씨 800 도에서 수행될 수 있다.
텅스텐 카바이드 구조체는 복수개의 메조포어를 포함할 수 있다.
텅스텐 카바이드 구조체는 복수개의 탄소층을 포함할 수 있다.
복수개의 탄소층은 질소를 포함할 수 있다.
본 발명의 한 실시예는 백금 등의 귀금속을 이용하지 않으면서 촉매적 활성이 우수하고 가격이 저렴한 텅스텐 카바이드 구조체를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 질소 도핑된 텅스텐 카바이드 촉매를 제조하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 A-A선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 질소 도핑된 탄소층을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 질소 도핑된 텅스텐 카바이드의 TEM 사진이다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 질소 도핑된 텅스텐 카바이드의 TEM 사진이다.
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 질소 도핑된 텅스텐 카바이드(a)와 탄소층이 형성된 텅스텐 카바이드(b)의 XRD 그래프이다.
도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 질소 도핑된 텅스텐 카바이드의 XPS 그래프이다.
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 질소 도핑된 텅스텐 카바이드의 XPS 그래프이다.
도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 질소 도핑된 텅스텐 카바이드의 산소 환원 반응(oxygen reduction reaction) 그래프이다.
도 2는 도 1의 A-A선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 질소 도핑된 탄소층을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 질소 도핑된 텅스텐 카바이드의 TEM 사진이다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 질소 도핑된 텅스텐 카바이드의 TEM 사진이다.
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 질소 도핑된 텅스텐 카바이드(a)와 탄소층이 형성된 텅스텐 카바이드(b)의 XRD 그래프이다.
도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 질소 도핑된 텅스텐 카바이드의 XPS 그래프이다.
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 질소 도핑된 텅스텐 카바이드의 XPS 그래프이다.
도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 질소 도핑된 텅스텐 카바이드의 산소 환원 반응(oxygen reduction reaction) 그래프이다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대해 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호가 사용되었다. 또한 널리 알려져 있는 공지기술의 경우 그 구체적인 설명은 생략한다.
그러면, 본 발명의 실시예에 따른 질소 도핑된 텅스텐 카바이드 촉매 및 그 제조 방법에 대하여 도 1 내지 도 9를 참고하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 질소 도핑된 텅스텐 카바이드 촉매를 제조하는 방법을 나타내는 도면이며, 도 2는 도 1의 A-A선을 따라 자른 단면도이며, 도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 질소 도핑된 탄소층을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 1을 참고하면, 표면에 탄소층이 형성되어 있는 판상(plate-shape) 구조의 메조포러스(mesoporous) 텅스텐 카바이드(WC@C)에 질소를 도핑하여 새로운 구조를 갖는 질소 도핑된 텅스텐 카바이드(WC@C-N)가 제조된다. 이렇게 제조된 질소 도핑된 텅스텐 카바이드는 연료 전지의 캐소드의 촉매, 리튬 공기 전지의 산소 전극의 소재 등으로 사용될 수 있다.
먼저, 판상 구조의 WO3H2O가 암모니아 가스 분위기에서 열처리되어 메조포러스 구조를 갖는 W2N이 제조된다. W2N은 복수개의 메조포어(mesopore)를 갖는다. 예를 들어, 열처리는 전기로에서 수행될 수 있으며, 약 섭씨 400 도 내지 약 섭씨 800 도에서 약 1 시간 내지 약 15 시간 동안 수행될 수 있다. 이때 승온 속도는 대략 1 분당 섭씨 10 도일 수 있다.
다음, 제조된 W2N이 메탄 가스와 수소 가스 분위기에서 열처리되어 탄소층이 형성되어 있는 텅스텐 카바이드가 제조된다. 예를 들어, 메탄 가스와 수소 가스의 혼합 부피 비율은 대략 25%:75%일 수 있으며, 열처리는 약 섭씨 600 도 내지 약 섭씨 1000 도에서 약 1 시간 내지 약 50 시간 동안 수행될 수 있다. 이때 승온 속도는 대략 1 분당 섭씨 10 도일 수 있다.
다음, 유기 용매에 탄소층 포함 텅스텐 카바이드와 멜라민(melamine)을 첨가한 후 교반 및 건조할 때 분말(powder)이 형성된다. 예를 들어, 유기 용매는 에탄올일 수 있으며, 교반은 대략 12 시간 동안 초음파 분해기와 교반기를 이용하여 수행될 수 있으며, 교반된 용액은 대략 섭씨 60 도에서 진공 건조기에서 수행될 수 있다.
다음, 제조된 분말이 질소 분위기에서 열처리되어 질소 도핑된 텅스텐 카바이드가 제조된다. 예를 들어, 열처리는 전기로에서 수행될 수 있으며, 약 섭씨 400 도 내지 약 섭씨 800 도에서 약 1 시간 내지 약 15 시간 동안 수행될 수 있다. 이때 승온 속도는 대략 1 분당 섭씨 10 도일 수 있다. 질소 도핑된 텅스텐 카바이드는 복수개의 메조포어를 포함한다.
도 2를 참고하면, 질소 도핑된 텅스텐 카바이드는 텅스텐 카바이드의 표면을 복수개의 탄소층들이 둘러싸고 있는 단면 구조를 갖는다. 여기서 텅스텐의 표면은 상하로 서로 대면하고 있는 한 쌍의 면을 포함할 수 있으며, 메조포어를 형성하는 면을 포함할 수 있다. 이 때 탄소층이 텅스텐 카바이드에서 멀리 떨어져 있을수록 탄소층 내 질소 함유량이 증가할 수 있다. 예를 들어, 텅스텐 카바이드가 제1 탄소층, 제2 탄소층, 그리고 제3 탄소층에 의해 순차적으로 둘러싸여 있을 때, 제1 탄소층에 포함된 질소 함량보다 제2 탄소층에 포함된 질소 함량이 더 많을 수 있으며, 제2 탄소층에 포함된 질소 함량보다 제3 탄소층에 포함된 질소 함량이 더 많을 수 있다.
도 3을 참고하면, 질소 도핑된 텅스텐 카바이드에서 질소를 함유하는 탄소층에 피리딘형 질소(pyridinic-N), 그라파이트형 질소(graphitic-N) 등이 형성될 수 있다. 피리딘형 질소는 한 쪽으로는 탄소와 이중 결합되어 있고, 다른 한 쪽으로는 탄소와 단일 결합되어 있다. 그라파이트형 질소는 세 개의 탄소와 각각 단일 결합되어 있다.
이하, 실시예를 들어 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명할 것이나, 하기의 실시예는 본 발명의 실시예일뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
W
2
N 의 제조
WO3H2O가 암모니아 가스 분위기의 전기로에서 약 섭씨 700 도에서 약 3 시간 동안 열처리될 때, W2N이 제조된다. 이때 승온 속도는 대략 1 분당 섭씨 10 도이다.
WC@C의 제조
제조된 W2N이 약 25%:75%의 메탄 가스와 수소 가스 분위기의 전기로에서 약 섭씨 900 도에서 약 9 시간 동안 열처리될 때, WC@C가 제조된다. 이때 승온 속도는 대략 1 분당 섭씨 10 도이다.
WC@C-N의 제조
에탄올에 제조된 WC@C와 멜라민이 첨가되고, 약 12 시간 동안 초음파 분해기와 교반기를 이용하여 교반 공정이 수행되고, 약 섭씨 60 도에서 진공 건조기에서 건조 공정이 수행될 때, 분말이 형성된다. 형성된 분말이 질소 분위기의 전기로에서 약 섭씨 700 도의 온도에서 약 3 시간 동안 열처리될 때, WC@C-N이 제조된다. 이때 승온 속도는 대략 1 분당 섭씨 10 도이다.
제조된 WC@C-N의 TEM 사진은 도 4 및 도 5에 도시되었다. 도 4는 200 nm 단위로 촬영되었고, 도 5는 5 nm 단위로 촬영되었다. 도 5를 참고하면, 텅스텐 카바이드가 메조포러스한 구조를 갖는 것을 알 수 있으며, 텅스텐 카바이드의 표면에 여러 개의 탄소층들이 형성된 것을 알 수 있다.
제조된 WC@C-N의 XRD 그래프(a)와 제조된 WC@C의 XRD 그래프(b)가 도 6에 도시되었다. 도 6을 참고하면, WC@C-N와 WC@C는 각각 WC 상과 WC1-x(0<x<1) 상이 공존한다는 것을 알 수 있다.
제조된 WC@C-N의 XPS 그래프가 도 7 및 도 8에 도시되었다. 도 7 및 도 8을 참고하면, 탄소층에 피리딘형 질소(pyridinic-N)와 그라파이트형 질소(graphitic-N)가 형성되어 있는 것을 알 수 있다.
제조된 WC@C의 산소 환원 반응 그래프(oxygen reduction reaction)가 도 9에 도시되었다. 이때 RDE 장비를 이용하여 산소가 포하된 NaOH 용액 하에서 약 1600 rpm의 회전 속도로 산소 환원 전류가 측정되었다. 도 9를 참고하면, 제조된 WC@C-N은 대략 -0.07 V에서 환원이 시작된다는 것을 알 수 있으며, 제조된 WC@C-N는 제조된 WC@C보다 한계 전류까지 도달하는 특성이 더 우수하며, 이에 따라 WC@C-N이 WC@C보다 촉매적 활성이 더 크다는 것을 알 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 질소가 도핑된 텅스텐 카바이드는 염기성 용액에서 산소 환원 반응을 나타낼 수 있으며, 이에 따라 연료 전지의 캐소드의 촉매 또는 리튬 공기 전지의 산소 전극의 소재로 이용될 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
Claims (11)
- 판상(plate-shape) 구조를 가지며, 복수개의 메조포어(mesopore)를 포함하는 텅스텐 카바이드,
상기 텅스텐 카바이드의 표면을 둘러싸고 있으며, 질소를 포함하는 제1 탄소층, 그리고
상기 제1 탄소층을 둘러싸고 있으며, 질소를 포함하는 제2 탄소층
을 포함하는 텅스텐 카바이드 구조체.
- 제1항에서,
상기 제1 탄소층은 피리딘형 질소(pyridinic-N), 그라파이트형 질소(graphitic-N), 또는 이들 모두를 포함하고, 상기 제2 탄소층은 피리딘형 질소, 그라파이트형 질소, 또는 이들 모두를 포함하는 텅스텐 카바이드 구조체.
- 제2항에서,
상기 제1 탄소층에 포함된 질소 함량보다 상기 제2 탄소층에 포함된 질소 함량이 더 많은 텅스텐 카바이드 구조체.
- 제1항에서,
상기 텅스텐 카바이드와 상기 제1 탄소층은 서로 접촉하고 있는 텅스텐 카바이드 구조체.
- 제1항에서,
상기 텅스텐 카바이드의 표면은 상하로 서로 대면하고 있는 한 쌍의 면과 상기 메조포어를 형성하는 면을 포함하는 텅스텐 카바이드 구조체.
- WO3H2O를 암모니아 가스 분위기에서 열처리하여 W2N을 제조하는 단계,
상기 W2N을 메탄 가스와 수소 가스 분위기에서 열처리하여 탄소층 포함 텅스텐 카바이드를 제조하는 단계,
상기 탄소층 포함 텅스텐 카바이드와 멜라민(melamine)을 유기 용매에 첨가하여 분말을 형성하는 단계, 그리고
상기 분말을 질소 분위기에서 열처리하여 텅스텐 카바이드 구조체를 제조하는 단계
를 포함하는 텅스텐 카바이드 구조체의 제조 방법.
- 제6항에서,
상기 분말을 형성하는 단계는 교반하고 건조하는 단계를 포함하는 텅스텐 카바이드 구조체의 제조 방법.
- 제6항에서,
상기 텅스텐 카바이드 구조체를 제조하는 단계는 섭씨 400 도 내지 섭씨 800 도에서 수행되는 텅스텐 카바이드 구조체의 제조 방법.
- 제6항에서,
상기 텅스텐 카바이드 구조체는 복수개의 메조포어를 포함하는 텅스텐 카바이드 구조체의 제조 방법.
- 제9항에서,
상기 텅스텐 카바이드 구조체는 복수개의 탄소층을 포함하는 텅스텐 카바이드 구조체의 제조 방법.
- 제10항에서,
상기 복수개의 탄소층은 질소를 포함하는 텅스텐 카바이드 구조체의 제조 방법.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN106532070A (zh) * | 2016-09-28 | 2017-03-22 | 浙江工业大学 | 一种多孔异质界面的wn|wc的制备方法 |
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