RU2008104397A - Структура и способ изготовления полевых эмиссионных элементов с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов - Google Patents

Структура и способ изготовления полевых эмиссионных элементов с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов Download PDF

Info

Publication number
RU2008104397A
RU2008104397A RU2008104397/28A RU2008104397A RU2008104397A RU 2008104397 A RU2008104397 A RU 2008104397A RU 2008104397/28 A RU2008104397/28 A RU 2008104397/28A RU 2008104397 A RU2008104397 A RU 2008104397A RU 2008104397 A RU2008104397 A RU 2008104397A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
holes
cathode
technological
carbon nanotubes
Prior art date
Application number
RU2008104397/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2391738C2 (ru
Inventor
Геннадий Яковлевич Красников (RU)
Геннадий Яковлевич Красников
Николай Алексеевич Зайцев (RU)
Николай Алексеевич Зайцев
Олег Павлович Гущин (RU)
Олег Павлович Гущин
Сергей Николаевич Орлов (RU)
Сергей Николаевич Орлов
Юлия Михайловна Пастухова (RU)
Юлия Михайловна Пастухова
Original Assignee
Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU)
Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU), Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" filed Critical Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU)
Priority to RU2008104397/28A priority Critical patent/RU2391738C2/ru
Publication of RU2008104397A publication Critical patent/RU2008104397A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2391738C2 publication Critical patent/RU2391738C2/ru

Links

Landscapes

  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

1. Полевой эмиссионный элемент, содержащий подложку, катодную структуру, состоящую из одного или нескольких слоев электропроводящего материала и расположенную на внешней поверхности упомянутой диэлектрической подложки, опорную структуру, состоящую из одного диэлектрического слоя или нескольких диэлектрических и электропроводящих слоев, расположенную на верхней поверхности упомянутой катодной структуры и содержащую сквозные отверстия для формирования эмиссионных катодов, выполненных в виде углеродных нанотрубок, расположенных в упомянутых отверстиях опорной структуры на внешней поверхности катодной структуры перпендикулярно данной поверхности, анодный слой из электропроводящего материала, расположенный на внешней поверхности упомянутой опорной структуры и содержащий технологические отверстия, совмещенные с упомянутыми отверстиями в опорной структуре, отличающийся тем, что создание анода и формирование катода (нанесение углеродных нанотрубок) происходит в едином технологическом цикле без дополнительной операции совмещения анодов с катодной структурой. ! 2. Полевой эмиссионный элемент по п.1, отличающийся тем, что эмиссионный катод изготовлен в виде углеродных нанотрубок, обладающих высокими эмиссионными свойствами и позволяющих увеличить токи эмиссии. ! 3. Способ изготовления полевого эмиссионного элемента по п.1, позволяющий получить структуру эмиссионного триода и содержащий технологические этапы: формирование многослойной структуры, состоящей из подложки, катодной структуры, составленной из токоведущего слоя, расположенного на поверхности диэлектрической подложки, адгезионного слоя,

Claims (4)

1. Полевой эмиссионный элемент, содержащий подложку, катодную структуру, состоящую из одного или нескольких слоев электропроводящего материала и расположенную на внешней поверхности упомянутой диэлектрической подложки, опорную структуру, состоящую из одного диэлектрического слоя или нескольких диэлектрических и электропроводящих слоев, расположенную на верхней поверхности упомянутой катодной структуры и содержащую сквозные отверстия для формирования эмиссионных катодов, выполненных в виде углеродных нанотрубок, расположенных в упомянутых отверстиях опорной структуры на внешней поверхности катодной структуры перпендикулярно данной поверхности, анодный слой из электропроводящего материала, расположенный на внешней поверхности упомянутой опорной структуры и содержащий технологические отверстия, совмещенные с упомянутыми отверстиями в опорной структуре, отличающийся тем, что создание анода и формирование катода (нанесение углеродных нанотрубок) происходит в едином технологическом цикле без дополнительной операции совмещения анодов с катодной структурой.
2. Полевой эмиссионный элемент по п.1, отличающийся тем, что эмиссионный катод изготовлен в виде углеродных нанотрубок, обладающих высокими эмиссионными свойствами и позволяющих увеличить токи эмиссии.
3. Способ изготовления полевого эмиссионного элемента по п.1, позволяющий получить структуру эмиссионного триода и содержащий технологические этапы: формирование многослойной структуры, состоящей из подложки, катодной структуры, составленной из токоведущего слоя, расположенного на поверхности диэлектрической подложки, адгезионного слоя, расположенного на поверхности токоведущего слоя, каталитического слоя, расположенного на поверхности адгезионного слоя, опорной структуры, расположенной на поверхности каталитического слоя и составленной из первого изолирующего слоя, расположенного на поверхности каталитического слоя, затворного электропроводящего слоя, расположенного на поверхности первого изолирующего слоя, второго изолирующего слоя, расположенного на поверхности затворного электропроводящего слоя; формирование отверстий во втором изолирующем слое; формирование отверстий в затворном электропроводящем слое; формирование отверстий в первом изолирующем слое; нанесение жертвенного слоя; формирование структуры жертвенного слоя; нанесение анодного слоя; формирование технологических отверстий и структуры проводников в анодном слое; травление жертвенного слоя жидкостным химическим методом при поступлении раствора через технологические отверстия в анодном слое; активизация поверхности каталитического слоя при термической обработке; формирование углеродных нанотрубок на поверхности каталитического слоя внутри упомянутых отверстий в первом изолирующем слое; отличающийся тем, что упомянутый технологический этап формирования углеродных нанотрубок на поверхности каталитического слоя происходит при поступлении активной газовой среды к поверхности каталитического слоя через технологические отверстия в анодном слое.
4. Способ изготовления полевого эмиссионного элемента по п.1, позволяющий получить структуру эмиссионного диода и содержащий технологические этапы: формирование многослойной структуры, состоящей из подложки, катодной структуры, составленной из токоведущего слоя, расположенного на поверхности диэлектрической подложки, адгезионного слоя, расположенного на поверхности токоведущего слоя, каталитического слоя, расположенного на поверхности адгезионного слоя, опорной структуры, расположенной на поверхности каталитического слоя и составленного из изолирующего слоя, расположенного на поверхности каталитического слоя; формирование отверстий в изолирующем слое; нанесение жертвенного слоя; формирование структуры жертвенного слоя; нанесение анодного слоя; формирование технологических отверстий и структуры проводников в анодном слое; травление жертвенного слоя жидкостным химическим методом при поступлении раствора через технологические отверстия в анодном слое; активизация поверхности каталитической пленки при термической обработке; формирование углеродных нанотрубок на поверхности каталитического слоя внутри упомянутых отверстий в изолирующем слое; отличающийся тем, что упомянутый технологический этап формирования углеродных нанотрубок на поверхности каталитического слоя происходит при поступлении активной газовой среды к поверхности каталитического слоя через технологические отверстия в анодном слое.
RU2008104397/28A 2008-02-11 2008-02-11 Структура и способ изготовления полевых эмиссионных элементов с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов RU2391738C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008104397/28A RU2391738C2 (ru) 2008-02-11 2008-02-11 Структура и способ изготовления полевых эмиссионных элементов с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008104397/28A RU2391738C2 (ru) 2008-02-11 2008-02-11 Структура и способ изготовления полевых эмиссионных элементов с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008104397A true RU2008104397A (ru) 2009-08-20
RU2391738C2 RU2391738C2 (ru) 2010-06-10

Family

ID=41150491

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008104397/28A RU2391738C2 (ru) 2008-02-11 2008-02-11 Структура и способ изготовления полевых эмиссионных элементов с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2391738C2 (ru)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2455724C1 (ru) * 2010-11-13 2012-07-10 Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" Структура и способ изготовления интегральных автоэмиссионных элементов с эмиттерами на основе наноалмазных покрытий
RU2579777C1 (ru) * 2014-12-10 2016-04-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ) Прибор на основе углеродосодержащих холодных катодов, расположенных на полупроводниковой подложке, и способ его изготовления
RU2590897C1 (ru) * 2015-04-07 2016-07-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ) Автоэмиссионный элемент с катодами на основе углеродных нанотрубок и способ его изготовления
RU2645153C1 (ru) * 2017-06-07 2018-02-16 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук Способ формирования эмитирующей поверхности автоэмиссионных катодов
RU2680347C1 (ru) * 2018-04-28 2019-02-19 Сергей Николаевич Веревкин Полевой триод
RU2763046C1 (ru) * 2021-02-15 2021-12-27 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" Автоэмиссионный эмиттер с нанокристаллической алмазной пленкой

Also Published As

Publication number Publication date
RU2391738C2 (ru) 2010-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008104397A (ru) Структура и способ изготовления полевых эмиссионных элементов с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов
TW588389B (en) Quantum device
JP2006086105A (ja) 電界放出エミッタ電極の製造方法
JP2015528179A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
RU2010146348A (ru) Структура и способ изготовления интегральных автоэмиссионных элементов с эмиттерами на основе наноалмазных покрытий
JP2007042898A (ja) P型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法と窒化ガリウム系化合物半導体素子
JP2009238690A (ja) 電子放出素子
CN106098503B (zh) 一种石墨烯带状电子注场发射冷阴极及其生产方法
JP2004071558A5 (ru)
JP2007257994A (ja) 電界電子放出装置およびその製造方法
WO2013129615A1 (ja) 有機電界発光素子の製造方法
US8742393B2 (en) Electron emitting source and substrate for thin film growth
JP2003229045A (ja) 電子源装置およびその製造方法
JP2019220557A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2001291465A (ja) 冷陰極及びその製造方法
KR101279316B1 (ko) 탄소나노튜브 에미터, 그 제조방법 및 이를 이용한 전계방출소자
JP6983404B2 (ja) 電子源及び電子線照射装置並びに電子源の製造方法
KR101439788B1 (ko) 전기화학적 방법을 이용한 3차원 탄소나노튜브 네트워크 기반의 금속 또는 산화금속 나노구조체
KR20100074441A (ko) 그라파이트를 이용한 전계방출 소자 및 그 제조방법
JP2018538673A (ja) Oled表示パネル及び表示装置
JP2011096784A (ja) トランジスタ,面状素子およびこれらの製造方法
RU2579777C1 (ru) Прибор на основе углеродосодержащих холодных катодов, расположенных на полупроводниковой подложке, и способ его изготовления
JP5878222B2 (ja) 電界放出陰極素子及び電界放出装置
JP4371976B2 (ja) 電界電子放出装置
JP2016152217A (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
QB4A Licence on use of patent

Free format text: LICENCE

Effective date: 20130801