RU2645153C1 - Способ формирования эмитирующей поверхности автоэмиссионных катодов - Google Patents

Способ формирования эмитирующей поверхности автоэмиссионных катодов Download PDF

Info

Publication number
RU2645153C1
RU2645153C1 RU2017119992A RU2017119992A RU2645153C1 RU 2645153 C1 RU2645153 C1 RU 2645153C1 RU 2017119992 A RU2017119992 A RU 2017119992A RU 2017119992 A RU2017119992 A RU 2017119992A RU 2645153 C1 RU2645153 C1 RU 2645153C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
hydrogen
plasma
carbon nanotubes
array
carbon
Prior art date
Application number
RU2017119992A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Николаевич Сауров
Сергей Николаевич Козлов
Алексей Васильевич Живихин
Александр Алексеевич Павлов
Сергей Викторович Булярский
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук filed Critical Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук
Priority to RU2017119992A priority Critical patent/RU2645153C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2645153C1 publication Critical patent/RU2645153C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способам изготовления автоэмиссионных катодов с применением углеродных нанотрубок и может быть использовано для изготовления элементов и приборов вакуумной микро- и наноэлектроники. Способ включает осаждение на подложку электропроводящего буферного слоя, осаждение каталитического слоя, формирование вертикально ориентированного массива углеродных нанотрубок путем плазмохимического осаждения из газовой фазы с отношением длины углеродных нанотрубок к их диаметру в интервале от 25 до 75, термическую обработку массива углеродных нанотрубок в вакууме и обработку массива углеродных нанотрубок плазмой на основе водорода. Техническим результатом является увеличение максимальной плотности тока автоэмиссионных катодов на основе вертикально ориентированных массивов УНТ в совокупности с повышением стабильности тока эмиссии и срока службы катода. 15 з.п. ф-лы, 5 ил.

Description

Изобретение относится к способам изготовления автоэмиссионных катодов с применением углеродных нанотрубок (УНТ). Изобретение может быть использовано для изготовления элементов и приборов вакуумной микро- и наноэлектроники.
В настоящие время известно техническое решение формирования эмитирующей поверхности при изготовлении приборов на основе холодных катодов с применением углеродных нанотрубок, описанное в патенте РФ на изобретение RU 2579777 «Прибор на основе углеродосодержащих холодных катодов, расположенных на полупроводниковой подложке, и способ его изготовления» (МПК H01L 29/00, В82В 3/00, опубликовано 10.04.2016 г.). В изобретении описан способ формирования эмитирующей поверхности посредством последовательного осаждения на подложку электропроводящего слоя, который также способствует повышению адгезии УНТ к подложке, и каталитического слоя, толщинами 500-600 нм и 5-6 нм, соответственно, формирования массива углеродных нанотрубок из газовой фазы при температуре 650-700°С высотой 2,2-2,5 мкм в зависимости от конструкции прибора, осаждения слоя НfO2 толщиной 2-3 нм на поверхность массива углеродных нанотрубок и термического отжига при температуре 420-450°С, для снижения контактного сопротивления нанотрубка-подложка. Недостатком данного технического решения является использование НfO2 для предотвращения сорбции углеродными нанотрубками молекул различных веществ, так как НfO2 является диэлектриком, в результате чего электрофизические характеристики массива УНТ ухудшаются, что приводит к уменьшению плотности тока эмиссии.
В настоящее время известно техническое решение по заявке Китая на изобретение CN 1349241 «Method of raising the field electron emitting performance of carbon nanotube film» (МПК B82B 3/00; H01J 1/304; H01J 9/02, опубликовано 15.02.2002 г.). В изобретении описан способ увеличения тока эмиссии тонкопленочных катодов, полученных методом непосредственного роста УНТ на поверхности катода. Минимальная толщина слоя УНТ составляет не менее 10 мкм. Технический результат в данном изобретении достигается посредством обработки слоя УНТ плазмой на основе водорода вблизи комнатных температур. Недостатками данного технического решения являются: проведение обработки плазмой на основе водорода при комнатной температуре, что снижает эффективность пассивации атомами водорода поверхности УНТ при обработке плазмой; формирование массивов УНТ высотой от 10 мкм, что приводит к разогреву поверхности массива УНТ в процессе полевой эмиссии и негативно сказывается на стабильности тока эмиссии в процессе работы катода.
Наиболее близким по совокупности существенных признаков (прототипом) изобретения является техническое решение по патенту Южной Кореи на изобретение KR 101215564 Manufacturing method for field emission cold cathode prepared by hydrogen plasma etching of vertically aligned carbon nanotube films» (МПК H01J 1/304; H01J 9/02 опубликовано 26.12.2012 г.). В изобретении описан способ формирования автоэмиссионного катода на основе вертикально ориентированного массива УНТ высотой 10-100 мкм, выращенного методом плазмохимического осаждения из газовой фазы. Для этого на подложке формируют слой алюминия и каталитический слой железа толщинами 10-30 нм и 1-30 нм, соответственно. Для повышения плотности тока автоэмиссионного катода на основе массива УНТ производят удаление частиц катализатора посредством последовательных обработок массива УНТ плазмой на основе водорода и раствором соляной кислоты. Недостатком данного технического решения являются: низкая эффективность пассивации атомами водорода поверхности УНТ при обработке плазмой на основе водорода; использование обработки массива УНТ раствором соляной кислоты после обработки плазмой на основе водорода, в результате чего положительное влияние обработки плазмой на основе водорода массива УНТ нивелируется, так как поверхность УНТ покрывается веществами, содержащимися в растворе, что не обеспечивает необходимую стабильность эмиссионного тока; использование растворов кислот может повреждать электропроводящий буферный слой, что увеличивает сопротивление структуры, в результате чего уменьшается ток эмиссии; формирование массива высотой 10-100 мкм, что приводит к затруднению отвода избытка тепла от массива УНТ к подложке, образующегося при протекании тока через УНТ, и, как следствие, разогреву вершин УНТ с увеличением нестабильности тока эмиссии.
Технической проблемой изобретения является разработка способа формирования эмитирующей поверхности автоэмиссионных катодов на основе вертикально ориентированных массивов УНТ с обеспечением хорошего электрического контакта подложки и УНТ, с обеспечением при эксплуатации отвода тепла от массива УНТ к подложке, минимизацией процессов сорбции и десорбции с поверхности УНТ при протекании тока.
Технический результат заключается в увеличении максимальной плотности тока автоэмиссионных катодов на основе вертикально ориентированных массивов УНТ в совокупности с повышением стабильности тока эмиссии и срока службы катода.
Для достижения вышеуказанного технического результата способ формирования эмитирующей поверхности автоэмиссионных катодов включает следующие операции: осаждение на подложку электропроводящего буферного слоя, осаждение каталитического слоя, формирование вертикально ориентированного массива углеродных нанотрубок путем плазмохимического осаждения из газовой фазы с отношением длины углеродных нанотрубок к их диаметру в интервале от 25 до 75, термическую обработку массива углеродных нанотрубок в вакууме, обработку массива углеродных нанотрубок плазмой на основе водорода.
От прототипа датчик отличается тем, что массив углеродных нанотрубок формируют с отношением длины углеродных нанотрубок к их диаметру в интервале от 25 до 75, а перед обработкой плазмой на основе водорода проводят термическую обработку массива углеродных нанотрубок в вакууме.
Формирование УНТ с определенным отношением длины к диаметру и проведение термической обработки массива УНТ в вакууме перед обработкой плазмой на основе водорода обеспечивают создание массива с необходимой геометрией УНТ и удалением адсорбированных атомов и молекул на поверхности УНТ перед обработкой плазмой. Таким образом, формируется эмитирующая поверхность автоэмиссионных катодов, с требуемой геометрией УНТ, обеспечивающей эффективный отвод тепла от УНТ и, как следствие, предотвращается десорбция водорода, что повышает стабильность тока эмиссии. Проведение термической обработки в вакууме повышает эффективность обработки плазмой на основе водорода, что приводит к увеличению максимальной плотности тока автоэмиссионных катодов.
В частных случаях выполнения изобретения диаметр углеродных нанотрубок составляет от 4 до 90 нм, а длина углеродных нанотрубок от 0,1 мкм до 6,8 мкм.
В частных случаях выполнения изобретения термическую обработку в вакууме проводят при температуре от 200 до 600°С.
В частных случаях выполнения изобретения обработку плазмой на основе водорода выполняют при температуре от 100 до 350°С.
В частных случаях выполнения изобретения обработку плазмой на основе водорода выполняют при подаче от генератора электромагнитного излучения с частотой 13,56 МГц и мощностью в диапазоне от 5 до 120 Вт.
В частных случаях выполнения изобретения используют обработку плазмой на основе водорода, состоящей из водорода и инертного газа. При этом в качестве инертного газа может быть использован аргон, и/или азот, и/или гелий в количестве 10-40 об.% от количества водорода.
В частных случаях выполнения изобретения используют плазму на основе водорода, состоящую из водорода и аммиака в количестве 10-40 об.% от количества водорода.
В частных случаях выполнения изобретения буферный слой выполнен из алюминия, и/или титана, и/или нитрида титана толщиной от 5 нм до 1000 нм. В частных случаях выполнения изобретения каталитический слой выполнен из железа и/или оксида железа, и/или кобальта, и/или оксида кобальта, и/или никеля, и/или оксида никеля, и/или их сплавов толщиной от 0,5 до 20 нм.
В частных случаях выполнения изобретения формирование массива углеродных нанотрубок осуществляют путем введения подложки в нагретый реактор, подачи газа-носителя и углеродсодержащего газа, генерации плазмы. При этом в качестве газа-носителя может быть использован аргон и/или аммиак, и/или гелий, и/или азот, а в качестве углеродсодержащего газа используют метан и/или этилен, и/или ацетилен, и/или окись углерода.
В частных случаях выполнения изобретения давление в реакторе задается в диапазоне от 60 до 550 Па. В частных случаях выполнения изобретения температура в реакторе задается в диапазоне от 400 до 800°С.
В частных случаях выполнения изобретения для генерации плазмы используется электромагнитное излучение с частотой 13,56 МГц и мощностью в диапазоне от 10 до 200 Вт.
Совокупность признаков, характеризующих изобретение, позволяет изготовить эмитирующую поверхность автоэмиссионных катодов с увеличенной максимальной плотностью тока, повышенной стабильностью тока эмиссии и надежностью функционирования.
Изобретение поясняется чертежами, где
на фиг. 1 - рассчитанная зависимость температуры вершины углеродной нанотрубки от ее отношения длины к диаметру;
на фиг. 2 - зависимости тока эмиссии одиночной углеродной нанотрубки с различным отношением ее длины к диаметру (L/d) от напряжения, приложенного между катодом и анодом;
на фиг. 3 – РЭМ-изображение сформированного вертикально ориентированного массива углеродных нанотрубок после операций термической обработки и обработки плазмой на основе водорода;
на фиг. 4 - зависимости плотности тока сформированного автоэмиссионного катода от напряжения, приложенного между катодом и анодом, для массива углеродных нанотрубок до и после проведения операций термической обработки и обработки плазмой на основе водорода;
на фиг. 5 - зависимости плотности тока сформированного автоэмиссионного катода от времени при постоянном значении напряжения, приложенного между катодом и анодом, для массива углеродных нанотрубок до и после операций термической обработки и обработки плазмой на основе водорода.
Способ формирования эмитирующей поверхности автоэмиссионных катодов, включает следующие операции: осаждение на подложку электропроводящего буферного слоя, осаждение каталитического слоя, формирование вертикально ориентированного массива углеродных нанотрубок путем плазмохимического осаждения из газовой фазы с отношением длины углеродных нанотрубок к их диаметру в интервале от 25 до 75, термическую обработку массива углеродных нанотрубок в вакууме, обработку массива углеродных нанотрубок плазмой на основе водорода.
Буферный слой выполняют толщиной от 5 до 1000 нм из алюминия, и/или титана, и/или нитрида титана, а каталитический слой толщиной от 0,5 до 20 нм из железа и/или оксида железа, и/или кобальта, и/или оксида кобальта, и/или никеля, и/или оксида никеля, и/или их сплавов толщиной. Осаждения буферного и каталитического слоя можно реализовать магнетронным и/или электронно-лучевым способом, и/или иным способом.
Формирование вертикально ориентированного массива углеродных нанотрубок путем плазмохимического осаждения из газовой фазы осуществляется путем введения подложки в нагретый реактор, подачи газа-носителя и углеродсодержащего газа, генерации плазмы. В качестве газаносителя используют аргон и/или аммиак, и/или гелий, и/или азот, углеродсодержащего газа метан и/или этилен, и/или ацетилен, и/или окись углерода. Давление в реакторе при формировании массива УНТ задается в диапазоне от 60 до 550 Па, температура в диапазоне от 400 до 800°С. Для генерации плазмы в реактор подается от генератора электромагнитное излучение с частотой 13,56 МГц и мощностью в диапазоне от 10 до 200 Вт.
Для проведения синтеза может быть использованы известные установки отечественного и зарубежного производства. Для этого подложки с осажденными буферным и каталитическим слоями размещают на держателе в загрузочной камере, производится откачка загрузочной камеры, затем с помощью загрузочного устройства подложки вводятся в реактор и помещаются на поверхность рабочего стола, нагретого до требуемой температуры. Производится откачка реактора до давления ниже 7,5×10-3 Па. После чего через реактор обеспечивается проток газа-носителя (100÷600 см3/мин) и углеродсодержащего газа со скоростью подачи 10÷100 см3/мин. Непосредственно перед проведением формирования УНТ стабилизируют давление до требуемого значения в объеме реактора с помощью системы контроля и регулирования давления в камере. Производят генерацию высокочастотной плазмы с подачей заданной мощности электромагнитного излучения с генератора. По окончании процесса синтеза УНТ прекращается подача электромагнитного излучения от генератора, затем прекращается подача газа-носителя и углеродсодержащего газа, происходит уменьшение давления в реакторе до давления ниже 7,5×10-3 Па, после чего подложки извлекаются с помощью загрузочного устройства в загрузочную камеру.
Диаметр сформированных углеродных нанотрубок составляет от 4 до 90 нм, а длина от 0,1 мкм до 6,8 мкм. Это необходимо для обеспечении отношения длины к диаметру углеродных нанотрубок (L/d) составляющего величину от 25 до 75. Для выбора данного диапазона был проведен расчет температуры вершины углеродной нанотрубки от L/d (фиг. 1), согласно которому при отношении L/d равному 75 температура вершины УНТ составляет около 290°С. В книге (S. Bulyarskiy, A. Saurov (Eds.) Doping of Carbon Nanotubes. Series: NanoScience and Technology. Springer. 2017) представлены результаты расчетов, согласно которым время хранения водорода при температуре 290°С составляет около 1100 ч, что является минимальным требованием для создания электровакуумных приборов используемых в СВЧ технике. Поэтому для предотвращения десорбции водорода с поверхности УНТ необходимо формировать массивы углеродных нанотрубок с L/d не более 75. Нижний диапазон значений L/d обусловлен уменьшением тока эмиссии с уменьшением величины L/d в связи с уменьшением напряженности поля у вершины УНТ. Согласно данным, представленным на фиг. 2, уменьшение величины L/d меньше 25 приводит к существенному уменьшению тока эмиссии одиночной углеродной нанотрубки.
Термическую обработку массива углеродных нанотрубок в вакууме проводят при температуре от 200 до 600°С. Последующую обработку массива УНТ плазмой на основе водорода выполняют при температуре от 100 до 350°С при подаче от генератора электромагнитного излучения с частотой 13,56 МГц и мощностью в диапазоне от 5 до 120 Вт. Для обработки плазмой на основе водорода используют газовую смесь, состоящую из водорода и инертного газа или водорода и аммиака. В качестве инертного газа используют аргон, и/или азот, и/или гелий в количестве 10-40 об.% от количества водорода. Содержание аммиака в газовой смеси составляет 10-40 об.% от количества водорода.
Пример
Для формирования эмитирующей поверхности автоэмиссионных катодов на подложку из высоколегированного кремния n-типа проводимости осаждали буферный слой титана толщиной 20 нм и каталитической слой никеля толщиной 2 нм. Далее подложки размещали на держателе в загрузочной камере, производилась откачка загрузочной камеры, затем с помощью загрузочного устройства образцы были введены в реактор и помещены на поверхность рабочего стола, нагретого до температуры 550°С. Давление в реакторе было доведено до 5×10-3 Па, после чего через реактор пропускали проток аргона со скоростью подачи 300 см3/мин, аммиака 100 см3/мин и ацетилена 100 см3/мин. Непосредственно перед проведением синтеза (формирования УНТ) было стабилизировано давление в реакторе до 400 Па с помощью системы контроля и регулирования давления. Произведена генерация высокочастотной плазмы с подачей электромагнитного излучения мощностью 20 Вт от генератора. По окончании процесса синтеза УНТ прекращена подача электромагнитного излучения, аргона, аммиака и ацетилена, произведено уменьшение давления до до 5×10-3 Па и извлечены подложки.
После формирования массива углеродных нанотрубок была произведена термическая обработка при температуре 350°С и давлении 5×10-3 Па. Последующая обработка массива УНТ плазмой на основе водорода выполнена при температуре от 200°С и подаче электромагнитного излучения мощностью 30 Вт. В качестве газовой смеси была использована смесь водорода и гелия с содержанием гелия 30 об.% от количества водорода. В интервале между обработками исключался контакт образцов с внешней средой для исключения сорбции атом и молекул на поверхности УНТ.
Таким образом, была сформирована эмитирующая поверхность автоэмиссионных катодов. Изображение массива углеродных нанотрубок представлено на фиг. 3. Величина L/d не превышает 47. Измеренные вольтамперные характеристики сформированного автоэмиссионного катода на основе массива УНТ после формирования УНТ и после окончательной операции обработки плазмой на основе водорода представлены на фиг. 4. Согласно приведенным данным проведение операций термической обработки (отжига) и воздействия плазмой на основе водорода позволяет увеличить максимальную плотность тока эмиссии с 88 до 2,35 А/см2. На фиг. 5 приведены зависимости плотности тока сформированного автоэмиссионного катода от времени при постоянном значении напряжения, равном 170 В. Для автоэмиссионного катода, изготовленного согласно способу по изобретению, максимальное отклонение значения плотности тока от среднего не превышает 4%. Для автоэмиссионного катода на основе массива УНТ без проведения дополнительных операций отклонение значения плотности тока от средней величины достигает 15%. Полученные экспериментальные данные подтверждают эффективность предложенного технического решения для обеспечения максимальной плотности тока, повышения стабильности тока эмиссии и срока службы автоэмиссионных катодов на основе вертикально ориентированных массивов УНТ.

Claims (16)

1. Способ формирования эмитирующей поверхности автоэмиссионных катодов, включающий, осаждение на подложку электропроводящего буферного слоя, осаждение каталитического слоя, формирование вертикально ориентированного массива углеродных нанотрубок путем плазмохимического осаждения из газовой фазы, обработку массива углеродных нанотрубок плазмой на основе водорода, отличающийся тем, что массив углеродных нанотрубок формируют с отношением длины углеродных нанотрубок к их диаметру в интервале от 25 до 75, причем перед обработкой плазмой на основе водорода проводят термическую обработку массива углеродных нанотрубок в вакууме.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что диаметр углеродных нанотрубок составляет от 4 до 90 нм, а длина углеродных нанотрубок от 0,1 до 6,8 мкм.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что термическую обработку в вакууме проводят при температуре от 200 до 600°C.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку плазмой на основе водорода выполняют при температуре от 100 до 350°C.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку плазмой на основе водорода выполняют при подаче от генератора электромагнитного излучения с частотой 13,56 МГц и мощностью в диапазоне от 5 до 120 Вт.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют обработку плазмой на основе водорода, состоящей из водорода и инертного газа.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве инертного газа используют аргон, и/или азот, и/или гелий в количестве 10-40 об.% от количества водорода.
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют плазму на основе водорода, состоящую из водорода и аммиака в количестве 10-40 об.% от количества водорода.
9. Способ по п. 1 отличающийся тем, что буферный слой выполнен из алюминия, и/или титана, и/или нитрида титана толщиной от 5 до 1000 нм.
10. Способ по п. 1, отличающийся тем, что каталитический слой выполнен из железа, и/или оксида железа, и/или кобальта, и/или оксида кобальта, и/или никеля, и/или оксида никеля, и/или их сплавов толщиной от 0,5 до 20 нм.
11. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формирование массива углеродных нанотрубок осуществляют путем введения подложки в нагретый реактор, подачи газа-носителя и углеродсодержащего газа, генерации плазмы.
12. Способ по п. 11, отличающийся тем, что в качестве газа-носителя используют аргон, и/или аммиак, и/или гелий, и/или азот.
13. Способ по п. 11, отличающийся тем, что в качестве углеродсодержащего газа используют метан, и/или этилен, и/или ацетилен, и/или окись углерода.
14. Способ по п. 11, отличающийся тем, что давление в реакторе составляет от 60 до 550 Па.
15. Способ в по п. 11, отличающийся тем, что температура в реакторе составляет от 400 до 800°C.
16. Способ по п. 11, отличающийся тем, что для генерации плазмы используется электромагнитное излучение с частотой 13,56 МГц и мощностью в диапазоне от 10 до 200 Вт.
RU2017119992A 2017-06-07 2017-06-07 Способ формирования эмитирующей поверхности автоэмиссионных катодов RU2645153C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017119992A RU2645153C1 (ru) 2017-06-07 2017-06-07 Способ формирования эмитирующей поверхности автоэмиссионных катодов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017119992A RU2645153C1 (ru) 2017-06-07 2017-06-07 Способ формирования эмитирующей поверхности автоэмиссионных катодов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2645153C1 true RU2645153C1 (ru) 2018-02-16

Family

ID=61227056

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017119992A RU2645153C1 (ru) 2017-06-07 2017-06-07 Способ формирования эмитирующей поверхности автоэмиссионных катодов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2645153C1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1349241A (zh) * 2001-11-23 2002-05-15 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种提高碳纳米管薄膜的场致电子发射性能的方法
RU2391738C2 (ru) * 2008-02-11 2010-06-10 Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" Структура и способ изготовления полевых эмиссионных элементов с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов
KR101215564B1 (ko) * 2011-08-04 2012-12-26 한국전기연구원 수소 플라즈마 에칭을 이용한 수직 배향 탄소나노튜브막 전자 방출소자의 제조방법
RU2579777C1 (ru) * 2014-12-10 2016-04-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ) Прибор на основе углеродосодержащих холодных катодов, расположенных на полупроводниковой подложке, и способ его изготовления

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1349241A (zh) * 2001-11-23 2002-05-15 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种提高碳纳米管薄膜的场致电子发射性能的方法
RU2391738C2 (ru) * 2008-02-11 2010-06-10 Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" Структура и способ изготовления полевых эмиссионных элементов с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов
KR101215564B1 (ko) * 2011-08-04 2012-12-26 한국전기연구원 수소 플라즈마 에칭을 이용한 수직 배향 탄소나노튜브막 전자 방출소자의 제조방법
RU2579777C1 (ru) * 2014-12-10 2016-04-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ) Прибор на основе углеродосодержащих холодных катодов, расположенных на полупроводниковой подложке, и способ его изготовления

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11673807B2 (en) Carbon nanostructured materials and methods for forming carbon nanostructured materials
WO2007046165A1 (ja) 針状突起配列構造を表面に有するダイヤモンドの製造方法、ダイヤモンド材料、電極、及び電子デバイス
JP2008024570A (ja) 構造制御されたカーボンナノウォール、及びカーボンナノウォールの構造制御方法
WO2016173127A1 (zh) 一种垂直生长的开口碳纳米管薄膜的制备方法
CN108070891B (zh) 一种石墨烯碳纳米管复合薄膜及其制备方法与应用
JP3837451B2 (ja) カーボンナノチューブの作製方法
RU2645153C1 (ru) Способ формирования эмитирующей поверхности автоэмиссионных катодов
Kudinova et al. A magnetron sputtering method for the application of the Ni catalyst for the synthesis process of carbon nanotube arrays
CN108707874B (zh) 一种金刚石薄膜表面石墨化的方法
JP5142282B2 (ja) ダイヤモンドの表層加工方法
Yin et al. Growth of multi-walled CNTs emitters on an oxygen-free copper substrate by chemical-vapor deposition
JP6210445B2 (ja) カーボンナノチューブの製造方法
CN103952681B (zh) 一种锂氮共掺杂金刚石薄膜的制备方法
KR100850499B1 (ko) 고밀도 탄소나노튜브 제조장치 및 방법
JP4881504B2 (ja) 熱ｃｖｄ法によるグラファイトナノファイバー薄膜の選択形成方法
JP2005112659A (ja) カーボンナノチューブ製造装置及びカーボンナノチューブの製造方法
CN100342474C (zh) 一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射性能的方法
JP2008293967A (ja) 電子源及び電子源の製造方法
CN109545637B (zh) 一种冷阴极及其制备方法
KR100926219B1 (ko) 전자방출 특성이 향상된 필드 에미터의 제조방법
JP2004292181A (ja) カーボンナノチューブ成長方法
JP2019071260A (ja) 電子源及び電子線照射装置並びに電子源の製造方法
JP2005097015A (ja) カーボンナノチューブの製造方法
JP2005126257A (ja) カーボンナノチューブの製造方法
KR20030077262A (ko) 플라즈마 화학 기상 증착장치 및 이를 이용한 박막 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
TC4A Altering the group of invention authors

Effective date: 20180809