KR100985411B1 - 집적회로 - Google Patents

집적회로 Download PDF

Info

Publication number
KR100985411B1
KR100985411B1 KR1020080131196A KR20080131196A KR100985411B1 KR 100985411 B1 KR100985411 B1 KR 100985411B1 KR 1020080131196 A KR1020080131196 A KR 1020080131196A KR 20080131196 A KR20080131196 A KR 20080131196A KR 100985411 B1 KR100985411 B1 KR 100985411B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pull
signal
driving
output
response
Prior art date
Application number
KR1020080131196A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100072708A (ko
Inventor
윤영준
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020080131196A priority Critical patent/KR100985411B1/ko
Publication of KR20100072708A publication Critical patent/KR20100072708A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100985411B1 publication Critical patent/KR100985411B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/003Modifications for increasing the reliability for protection
    • H03K19/00369Modifications for compensating variations of temperature, supply voltage or other physical parameters
    • H03K19/00384Modifications for compensating variations of temperature, supply voltage or other physical parameters in field effect transistor circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/04Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding disturbances due to temperature effects
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

본 발명은 집적회로에서 데이터를 출력하는 기술에 관한 것으로, 온도변동에도 출력 데이터 신호에 대한 특성을 일정하게 유지할 수 있는 집적회로를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. 본 발명에서는 전치 구동부에서 풀업 구동신호와 풀다운 구동신호를 생성할 때, 집적회로의 내부온도에 대한 정보인 온도정보신호를 이용하여 풀업 구동신호와 풀다운 구동신호의 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 일정하도록 하였다. 집적회로의 내부온도가 상승한다면 풀업 구동신호 또는 풀다운 구동신호가 활성화 레벨로 천이할 때, 슬루우 레이트(SLEW RATE)는 낮아지게 되므로 풀업 구동신호 또는 풀다운 구동신호의 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 높여주도록 제어하고 온도가 하강한다면 풀업 구동신호 또는 풀다운 구동신호의 슬루우 레이트(SLEW RATE)는 높아지게 되므로, 풀업 구동신호 또는 풀다운 구동신호의 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 낮추어주도록 제어하였다. 또한, 집적회로의 내부온도의 변동이 있을 때 출력 데이터 신호의 드라이빙 세기도 변화하므로 온도정보신호를 이용해서 출력 데이터 신호의 드라이빙 세기를 일정하게 유지하여 출력 데이터 신호의 특성을 일정하게 유지하도록 하였다.
Figure R1020080131196
신호 무결성, 내부온도, 집적회로, 프리 드라이버, 메인 드라이버

Description

집적회로{INTEGRATED CIRCUIT}
본 발명은 반도체 설계기술에 관한 것으로서, 집적회로에서 데이터를 출력하는 기술에 관한 것이다.
일반적인 집적회로의 내부출력회로를 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 종래기술의 집적회로의 구성도이다.
도 1을 참조하면, 종래기술의 집적회로는 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 대응하는 풀업 구동신호(/UP) 및 풀다운 구동신호(DN)를 생성하기 위한 전치 구동부(110), 풀업 구동신호(/UP) 및 풀다운 구동신호(DN)에 응답하여 데이터 입출력 패드(DQ)를 풀업 또는 풀다운 구동하기 위한 메인 구동부(120)를 구비한다.
상기와 같이 구성되는 집적회로의 세부구성과 주요동작을 살펴보면 다음과 같다.
전치 구동부(110)는 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 대응하는 풀업 구동신호(/UP) 및 풀다운 구동신호(DN)를 생성하는데 있어서, 풀업 구동신호(/UP)와 풀업 구동신호(/UP)의 신호레벨과 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 조절 - 설계시에 최적의 값으로 조절되어 제조공정 이후에는 조절이 안됨 - 하여 메인 구동부(120)를 제어함으로서 메인 구동부(120)가 데이터 입출력 패드(DQ)를 풀업(PULL UP)/풀다운(PULL DOWN) 구동할 때의 신호특성 즉, 데이터 입출력 패드(DQ)를 통해서 출력되는 출력 데이터 신호(OUT)의 특성을 조절하게 된다.
상기의 전치 구동부(110)는 풀업 구동신호(/UP)를 생성하기 위한 제1 전치 구동부(111), 풀다운 구동신호(DN)를 생성하기 위한 제2 전치 구동부(113)로 구성된다.
여기에서 상기의 제1 전치 구동부(111)는 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 응답하여 풀업 구동신호(/UP)의 출력단(N1)을 풀업 구동하기 위한 제1 풀업 구동부(MP1), 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 응답하여 풀업 구동신호(/UP)의 출력단(N1)을 풀다운 구동하기 위한 제1 풀다운 구동부(MN1), 출력제어신호(OUTOFF)에 응답하여 제1 풀업 구동부(MP1)를 활성화 하기 위한 제1 출력 제어부(112)로 구성된다.
또한, 상기의 제2 전치 구동부(113)는 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 응답하여 풀다운 구동신호(DN)의 출력단(N2)을 풀업 구동하기 위한 제2 풀업 구동부(MP2), 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 응답하여 풀다운 구동신호(DN)의 출력단(N2)을 풀다운 구동하기 위한 제2 풀다운 구동부(MN2), 출력제어신호(/OUTOFF)에 응답하여 제2 풀다운 구동부(MN2)를 활성화 하기 위한 제2 출력 제어부(114)로 구성된다.
한편, 출력제어신호(OUTOFF, /OUTOFF)가 활성화 되는 경우에는 제1 풀업 구동부(MP1)가 풀업 구동신호(/UP)의 출력단(N1)을 풀업 구동하고, 제2 풀다운 구동부(MN2)가 풀다운 구동신호(DN)의 출력단(N2)을 풀다운 구동하게 된다. 따라서 풀업 구동신호(/UP)의 신호레벨은 하이레벨, 풀다운 구동신호(DN)의 신호레벨은 로우레벨이 되며, 풀업 구동신호(/UP) 및 풀다운 구동신호(DN)의 제어를 받는 메인 구동부(120)는 턴오프(TURN OFF) 되어 최종 출력단(N0)을 풀업/풀다운 구동하지 않게 된다. 따라서 최종 출력단(N0)은 하이임피던스(High Impedance, Hi-Z) 상태가 된다.
또한, 메인 구동부(120)는 풀업 구동신호(/UP)에 응답하여 데이터 입출력 패드(DQ)를 풀업 구동하기 위한 풀업 구동부(121), 풀다운 구동신호(DN)에 응답하여 데이터 입출력 패드(DQ)를 풀다운 구동하기 위한 풀다운 구동부(122)로 구성된다. 출력 데이터 신호(DATA_OUT)가 하이레벨 일 경우에는 풀업 구동신호(/UP)가 로우레벨이 되어, 풀업 구동신호(/UP)의 제어를 받는 풀업 구동부(121)는 최종 출력단(N0)을 풀업 구동하게 된다. 따라서 데이터 입출력 패드(DQ)를 통해서 하이레벨의 신호(OUT)가 출력된다. 출력 데이터 신호(DATA_OUT)가 로우레벨 일 경우에는 풀다운 구동신호(DN)가 하이레벨이 되어, 풀다운 구동신호(DN)의 제어를 받는 풀다운 구동부(122)는 최종 출력단(N0)을 풀다운 구동하게 된다. 따라서 데이터 입출력 패드(DQ)를 통해서 로우레벨의 신호(OUT)가 출력된다.
도 2는 도 1의 집적회로의 동작을 나타낸 타이밍 다이어그램이다.
도 2의 타이밍 다이어그램을 참조하여, 종래기술의 집적회로의 주요동작을 설명하면 다음과 같다.
우선, 출력제어신호(OUTOFF)가 하이레벨로 활성화 되는 구간에서 제1 전치 구동부(111)의 제1 풀업 구동부(MP1) 및 제1 풀다운 구동부(MN1)로 입력되는 신호(UP_PRE)는 제1 출력 제어부(112)의 풀다운 구동으로 인해 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 관계없이 로우레벨이 된다. 따라서 풀업 구동신호(/UP)는 하이레벨이 되어 메인 구동부(120)의 풀업 구동부(121)를 턴오프(TURN OFF) 시키게 된다. 또한, 출력제어신호(OUTOFF)가 하이레벨로 활성화 되는 구간에서 제2 전치 구동부(113)의 제2 풀업 구동부(MP2) 및 제2 풀다운 구동부(MN2)로 입력되는 신호(/DN_PRE))는 제2 출력 제어부(114)의 풀업 구동으로 인해 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 관계없이 하이레벨이 된다. 따라서 풀다운 구동신호(DN)는 로우레벨이 되어 메인 구동부(120)의 풀다운 구동부(122)를 턴오프(TURN OFF) 시키게 된다. 즉, 출력제어신호(OUTOFF)가 하이레벨로 활성화 되는 구간에서 풀업 구동신호(/UP)와 풀다운 구동신호(DN)는 모두 비활성화 되어 최종 출력단(N0)은 하이임피던스(High Impedance, Hi-Z) 상태가 된다.
다음으로, 출력제어신호(OUTOFF)가 로우레벨로 비활성화 되는 구간에서는 제1 전치 구동부(111)의 제1 풀업 구동부(MP1) 및 제1 풀다운 구동부(MN1)로 입력되는 신호(UP_PRE)와, 제2 전치 구동부(113)의 제2 풀업 구동부(MP2) 및 제2 풀다운 구동부(MN2)로 입력되는 신호(/DN_PRE))는 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 대응하는 신호레벨을 갖게 되어, 전치 구동부(110)에서 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 따른 풀업 구동신호(/UP) 및 풀다운 구동신호(DN)를 생성하게 되고, 풀업 구동신호(/UP) 와 풀다운 구동신호(DN)는 메인 구동부(120)를 제어하여 데이터 입출력 패드(DQ)를 통해서 외부로 하이레벨 또는 로우레벨의 출력 데이터 신호(OUT)를 전달하게 된다.
한편, 일반적으로 집적회로는 온도변동에 따라 출력되는 신호의 특성이 변화하게 된다. 즉, 집적회로의 내부온도가 상승하는 경우에 풀업 구동신호(/UP)와 풀다운 구동신호(DN)가 활성화 레벨로 천이하는 시간이 더욱 길어지게 되어, 풀업 구동신호(/UP), 풀다운 구동신호(DN), 최종 출력단(N0)에서 출력되는 신호(OUT)의 슬루우 레이트(SLEW RATE)는 도 2에 점선으로 도시한 바와 같이 낮아지게 된다. 이와는 반대로 집적회로의 내부온도가 하강하는 경우에는 풀업 구동신호(/UP), 풀다운 구동신호(DN), 최종 출력단(N0)에서 출력되는 신호(OUT)의 슬루우 레이트(SLEW RATE)는 높아지게 된다.
또한, 집적회로의 내부온도가 변동하는 경우에 메인 구동부(120)의 최종 출력단(N0)에 대한 드라이빙 세기도 변하게 된다. 일반적으로 집적회로는 신호의 전류 및 전압특성에 대한 특정한 규정이 있으며, 출력 데이터 신호가 이 규정을 만족시키면서 출력되도록 적절히 제어하여야 한다.
도 3은 출력 데이터 신호의 특성을 나타낸 그래프이다.
도 3을 참조하면, 풀업 구동을 통한 출력 데이터 신호의 전류특성의 최대값 및 최소값과, 풀다운 구동을 통한 출력 데이터 신호의 전류특성의 최대값 및 최소값이 도시되어 있다. 일반적으로 PVT(Process Voltage Temperature) 변동을 고려하여 최대값과 최소값의 중간특성을 가지도록 제어하는 것이 바람직하다. 하지만, 집적회로의 내부온도가 상승하는 경우에는 신호의 특성이 최소값쪽으로 이동하는 현 상이 있으며, 내부온도가 하강하는 경우에는 신호의 특성이 최대값으로 이동하는 현상이 발생한다.
상술한 바와 같이 종래기술의 집적회로는 온도변동에 따라 최종 출력단에서 출력되는 출력 데이터 신호의 슬루우 레이트(SLEW RATE)와 드라이빙 세기가 변화하여 출력되는 신호의 신호 무결성(Signal Integrity, SI)을 저하시켰다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 온도변동에도 출력 데이터 신호에 대한 특성을 일정하게 유지할 수 있는 집적회로를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 출력 데이터 신호에 대응하는 풀업 구동신호 및 풀다운 구동신호를 생성하되, 온도정보신호에 응답하여 상기 풀업 구동신호 및 상기 풀다운 구동신호의 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 조절하기 위한 전치 구동부; 및 상기 풀업 구동신호 및 상기 풀다운 구동신호에 응답하여 상기 출력 데이터 신호를 출력하기 위한 메인 구동부를 구비하는 집적회로가 제공된다.
또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 출력 데이터 신호에 대응하는 풀업 구동신호 및 풀다운 구동신호를 생성하기 위한 전치 구동부; 및 상기 풀업 구동신호 및 상기 풀다운 구동신호에 응답하여 상기 출력 데이터 신호를 출력하되, 온도정보신호에 응답하여 상기 출력 데이터 신호의 드라이빙 세기를 조절하기 위한 메인 구동부를 구비하는 집적회로가 제공된다.
또한, 본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 출력 데이터 신호에 대응하는 풀업 구동신호 및 풀다운 구동신호를 생성하되, 온도정보신호에 응답하여 상기 풀업 구 동신호 및 상기 풀다운 구동신호의 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 조절하기 위한 전치 구동부; 및 상기 풀업 구동신호 및 상기 풀다운 구동신호에 응답하여 상기 출력 데이터 신호를 출력하되, 상기 온도정보신호에 응답하여 상기 출력 데이터 신호의 드라이빙 세기를 조절하기 위한 메인 구동부를 구비하는 집적회로가 제공된다.
본 발명에서는 전치 구동부에서 풀업 구동신호와 풀다운 구동신호를 생성할 때, 집적회로의 내부온도에 대한 정보인 온도정보신호를 이용하여 풀업 구동신호와 풀다운 구동신호의 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 일정하도록 하였다. 집적회로의 내부온도가 상승한다면 풀업 구동신호 또는 풀다운 구동신호가 활성화 레벨로 천이할 때, 슬루우 레이트(SLEW RATE)는 낮아지게 되므로 풀업 구동신호 또는 풀다운 구동신호의 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 높여주도록 제어하고 온도가 하강한다면 풀업 구동신호 또는 풀다운 구동신호의 슬루우 레이트(SLEW RATE)는 높아지게 되므로, 풀업 구동신호 또는 풀다운 구동신호의 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 낮추어주도록 제어하였다. 또한, 집적회로의 내부온도의 변동이 있을 때 출력 데이터 신호의 드라이빙 세기도 변화하므로 온도정보신호를 이용해서 출력 데이터 신호의 드라이빙 세기를 일정하게 유지하여 출력 데이터 신호의 특성을 일정하게 유지하도록 하였다. 풀업 구동신호의 슬루우 레이트(SLEW RATE)는 온도정보신호의 제어를 받는 보조 풀다운 구동부를 구비하여 조절하였으며, 풀다운 구동신호의 슬루우 레이트(SLEW RATE)는 온도정보신호의 제어를 받는 보조 풀업 구동부를 구비하여 조절하였다. 또한 출력 데이터 신호의 드라이빙 세기, 즉 출력패드에 대한 메인 구동부의 드라이빙 세기를 조절하기 위해 메인 구동부에 온도정보신호의 제어를 받는 보조 풀업 구동부와 보조 풀다운 구동부를 구비하는 방식을 이용하였다.
본 발명을 적용한 집적회로는 내부의 온도변동이 심하게 발생하더라도 출력되는 신호의 특성을 일정하게 유지할 수 있으므로, 출력 데이터 신호의 신호 무결성(Signal Integrity, SI)을 개선할 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 참고적으로, 도면 및 상세한 설명에서 소자, 블록 등을 지칭할 때 사용하는 용어, 기호, 부호 등은 필요에 따라 세부단위별로 표기할 수도 있으므로, 동일한 용어, 기호, 부호가 전체회로에서 동일한 소자 등을 지칭하지 않을 수도 있음에 유의하자.
일반적으로 회로의 논리신호는 전압레벨에 대응하여 하이레벨(HIGH LEVEL, H) 또는 로우레벨(LOW LEVEL, L)로 구분하며, 각각 '1' 과 '0' 등으로 표현하기도 한다. 또한, 필요에 따라 추가적으로 하이임피던스(High Impedance, Hi-Z) 상태 등을 가질 수 있다고 정의하고 기술한다. 또한, 본 실시예에서 사용하는 용어인 PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor)와 NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor)는 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)의 한 종류임을 미리 밝혀둔다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 집적회로의 구성도이다.
도 4를 참조하면, 집적회로는 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 대응하는 풀업 구동신호(/UP) 및 풀다운 구동신호(DN)를 생성하되, 온도정보신호(T<0:n>,/T<0:n>)에 응답하여 풀업 구동신호(/UP) 및 풀다운 구동신호(DN)의 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 조절하기 위한 전치 구동부(400), 풀업 구동신호(/UP) 및 풀다운 구동신호(DN)에 응답하여 출력 데이터 신호(DATA_OUT)를 출력하되, 온도정보신호(T<0:n>,/T<0:n>)에 응답하여 출력 데이터 신호(DATA_OUT)의 드라이빙 세기를 조절하기 위한 메인 구동부(500)를 구비한다. 또한, 참고적으로 본 실시예와 같이 집적회로의 내부온도를 감지하여 온도정보신호(T<0:n>,/T<0:n>)를 생성하기 위한 내부온도정보 출력부(600)를 더 포함하여 구성될 수도 있다.
상기와 같이 구성되는 집적회로의 세부구성과 주요동작을 살펴보면 다음과 같다.
전치 구동부(400)는 풀업 구동신호(/UP)를 생성하기 위한 제1 전치 구동부(410), 풀다운 구동신호(DN)를 생성하기 위한 제2 전치 구동부(420)로 구성된다.
상기의 제1 전치 구동부(410)는 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 응답하여 풀업 구동신호(/UP)의 출력단(N1)을 풀업 구동하기 위한 제1 풀업 구동부(MP1), 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 응답하여 풀업 구동신호(/UP)의 출력단(N1)을 풀다운 구동하기 위한 제1 풀다운 구동부(MN1), 제1 풀다운 구동부(MN1)의 활성화 구간 동안 에 각각의 온도정보신호(T<0:n>)에 응답하여 풀업 구동신호(/UP)의 출력단(N1)을 풀다운 구동하기 위한 보조 풀다운 구동부(450)로 구성된다. 또한, 참고적으로 본 실시예와 같이 출력제어신호(OUTOFF)에 응답하여 제1 풀업 구동부(MP1)를 활성화 하기 위한 제1 출력 제어부(430)를 더 포함하여 구성될 수도 있을 것이다. 여기에서 제1 풀업 구동부(MP1)는 전원전압단(VDD)과 풀업 구동신호(/UP)의 출력단(N1) 사이에 접속되어 출력 데이터 신호(DATA_OUT)의 제어를 받는 PMOS 트랜지스터(MP1)로 구성된다. 또한, 제1 풀다운 구동부(MN1)는 풀업 구동신호(/UP)의 출력단(N1)과 접지전압단(VSS) 사이에 접속되어 출력 데이터 신호(DATA_OUT)의 제어를 받는 NMOS 트랜지스터(MN1)로 구성된다. 보조 풀다운 구동부(450)는 풀업 구동신호(/UP)의 출력단(N1)의 출력신호에 응답하여 보조 풀다운 구동시점을 결정하는 스위칭부(MP2)와, 풀업 구동신호(/UP)의 출력단(N1)과 스위칭부(MP2) 사이에 접속되어 각각의 온도정보신호(T<0:n>)의 제어를 받는 다수의 NMOS 트랜지스터로 구성된다. 스위칭부(MP2)는 PMOS 트랜지스터(MP2)로 구성되는데, PMOS 트랜지스터(MP2)는 풀업 구동신호(/UP)가 로우레벨로 활성화 되었을 때만 턴온(TURN ON) 되므로, 각각의 온도정보신호(T<0:n>)의 제어를 받는 다수의 NMOS 트랜지스터에 의해 풀업 구동신호(/UP)의 슬루우 레이트(SLEW RATE)가 조절되는 시점을 결정하는 스위치 역할을 한다. PMOS 트랜지스터(MP2)는 낮은 임계전압(Low threshold Voltage, LV)을 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 제1 출력 제어부(430)는 제1 풀업 구동부(MP1)의 입력단 - 출력 데이터 신호(DATA_OUT)의 입력단임 - 과 접지전압단(VSS) 사이에 접속되어 출력제어신호(OUTOFF)의 제어를 받는 NMOS 트랜지스터(MN6)로 구성된다. 여 기에서 출력제어신호(OUTOFF)의 제어를 받는 NMOS 트랜지스터(MN6)는 출력제어신호(OUTOFF)가 활성화 되었을 때, 출력 데이터 신호(DATA_OUT)의 신호레벨에 관계없이 풀업 구동신호(/UP)가 하이레벨을 유지하도록 한다.
제1 전치 구동부(410)는 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 대응하는 풀업 구동신호(/UP)를 생성하는데 있어서, 풀업 구동신호(/UP)의 신호레벨과 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 조절하여 메인 구동부(500)를 제어함으로서 메인 구동부(500)가 데이터 입출력 패드(DQ)를 풀업(PULL UP) 구동할 때의 신호특성 즉, 데이터 입출력 패드(DQ)를 통해서 출력되는 출력 데이터 신호(OUT)의 특성을 조절하게 된다. 특히, 보조 풀다운 구동부(450)는 온도정보신호(T<0:n>)의 제어에 따라 다수의 NMOS 트랜지스터를 제어하여 풀업 구동신호(/UP)의 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 조절하게 된다. 즉, 온도가 상승하는 경우에 풀업 구동신호(/UP)의 슬루우 레이트(SLEW RATE)는 낮아지게 되므로, 온도정보신호(T<0:n>)의 제어에 의해 턴온(TURN ON) 되는 NMOS 트랜지스터의 개수를 증가시켜 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 높아지도록 제어한다. 반대로 온도가 낮아지는 경우에 풀업 구동신호(/UP)의 슬루우 레이트(SLEW RATE)는 높아지게 되므로, 온도정보신호(T<0:n>)의 제어에 의해 턴온(TURN ON) 되는 NMOS 트랜지스터의 개수를 감소시켜 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 낮아지도록 제어한다.
상기의 제2 전치 구동부(420)는 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 응답하여 풀다운 구동신호(DN)의 출력단(N3)을 풀업 구동하기 위한 제2 풀업 구동부(MP3), 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 응답하여 풀다운 구동신호(DN)의 출력단(N3)을 풀다운 구동하기 위한 제2 풀다운 구동부(MN2), 제2 풀업 구동부(MP3)의 활성화 구간 동안에 각각의 온도정보신호(/T<0:n>)에 응답하여 풀다운 구동신호(DN)의 출력단(N3)을 풀업 구동하기 위한 보조 풀업 구동부(460)로 구성된다. 또한, 참고적으로 본 실시예와 같이 출력제어신호(/OUTOFF)에 응답하여 제2 풀다운 구동부(MN2)를 활성화 하기 위한 제2 출력 제어부(440)를 더 포함하여 구성될 수도 있을 것이다. 여기에서 제2 풀업 구동부(MP3)는 전원전압단(VDD)과 풀다운 구동신호(DN)의 출력단(N3) 사이에 접속되어 출력 데이터 신호(DATA_OUT)의 제어를 받는 PMOS 트랜지스터(MP3)로 구성된다. 또한, 제2 풀다운 구동부(MN2)는 풀다운 구동신호(DN)의 출력단(N3)과 접지전압단(VSS) 사이에 접속되어 출력 데이터 신호(DATA_OUT)의 제어를 받는 NMOS 트랜지스터(MN2)로 구성된다. 보조 풀업 구동부(460)는 풀다운 구동신호(DN)의 출력단(N3)의 출력신호에 응답하여 보조 풀업 구동시점을 결정하는 스위칭부(MN3)와, 풀다운 구동신호(DN)의 출력단(N3)과 스위칭부(MN3) 사이에 접속되어 각각의 온도정보신호(/T<0:n>)의 제어를 받는 다수의 PMOS 트랜지스터로 구성된다. 스위칭부(MN3)는 NMOS 트랜지스터(MN3)로 구성되는데, NMOS 트랜지스터(MN3)는 풀다운 구동신호(DN)가 하이레벨로 활성화 되었을 때만 턴온(TURN ON) 되므로, 각각의 온도정보신호(/T<0:n>)의 제어를 받는 다수의 PMOS 트랜지스터에 의해 풀다운 구동신호(DN)의 슬루우 레이트(SLEW RATE)가 조절되는 시점을 결정하는 스위치 역할을 한다. NMOS 트랜지스터(MN3)는 낮은 임계전압(Low threshold Voltage, LV)을 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 제2 출력 제어부(440)는 제2 풀다운 구동부(MN2)의 입력단 - 출력 데이터 신호(DATA_OUT)의 입력단임 - 과 전원전압단(VDD) 사이에 접속되어 출력제어신호(/OUTOFF)의 제어를 받는 PMOS 트랜지스터(MP6)로 구성된다. 여기에서 출력제어신호(/OUTOFF)의 제어를 받는 PMOS 트랜지스터(MP6)는 출력제어신호(/OUTOFF)가 활성화 되었을 때, 출력 데이터 신호(DATA_OUT)의 신호레벨에 관계없이 풀다운 구동신호(DN)가 로우레벨을 유지하도록 한다.
제2 전치 구동부(420)는 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 대응하는 풀다운 구동신호(DN)를 생성하는데 있어서, 풀다운 구동신호(DN)의 신호레벨과 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 조절하여 메인 구동부(500)를 제어함으로서 메인 구동부(500)가 데이터 입출력 패드(DQ)를 풀다운(PULL DOWN) 구동할 때의 신호특성 즉, 데이터 입출력 패드(DQ)를 통해서 출력되는 출력 데이터 신호(OUT)의 특성을 조절하게 된다. 특히, 보조 풀업 구동부(460)는 온도정보신호(/T<0:n>)의 제어에 따라 다수의 PMOS 트랜지스터를 제어하여 풀다운 구동신호(DN)의 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 조절하게 된다. 즉, 온도가 상승하는 경우에 풀다운 구동신호(DN)의 슬루우 레이트(SLEW RATE)는 낮아지게 되므로, 온도정보신호(/T<0:n>)의 제어에 의해 턴온(TURN ON) 되는 PMOS 트랜지스터의 개수를 증가시켜 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 높아지도록 제어한다. 반대로 온도가 낮아지는 경우에 풀다운 구동신호(DN)의 슬루우 레이트(SLEW RATE)는 높아지게 되므로, 온도정보신호(/T<0:n>)의 제어에 의해 턴온(TURN ON) 되는 PMOS 트랜지스터의 개수를 감소시켜 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 낮아지도록 제어한다.
또한, 메인 구동부(500)는 풀업 구동신호(/UP)에 응답하여 데이터 입출력 패드(DQ)를 풀업 구동하기 위한 풀업 구동부(MP4), 풀업 구동부(MP4)의 활성화 구간 동안에 각각의 온도정보신호(/T<0:n>)에 응답하여 데이터 입출력 패드(DQ)를 풀업 구동하기 위한 보조 풀업 구동부(510), 풀다운 구동신호(DN)에 응답하여 데이터 입출력 패드(DQ)를 풀다운 구동하기 위한 풀다운 구동부(MN4), 풀다운 구동부(MN4)의 활성화 구간 동안에 각각의 온도정보신호(T<0:n>)에 응답하여 데이터 입출력 패드(DQ)를 풀다운 구동하기 위한 보조 풀다운 구동부(520)로 구성된다.
상기의 풀업 구동부(MP4)는 전원전압단(VDD)과 최종 출력단(N0) 사이에 접속되어 풀업 구동신호(/UP)의 제어를 받는 PMOS 트랜지스터(MP4)로 구성된다. 또한, 보조 풀업 구동부(510)는 최종 출력단(N0)의 출력신호에 응답하여 보조 풀업 구동시점을 결정하는 스위칭부(MN5)와, 최종 출력단(N0)과 스위칭부(MN5) 사이에 접속되어 각각의 온도정보신호(/T<0:n>)의 제어를 받는 다수의 PMOS 트랜지스터로 구성된다. 스위칭부(MN5)는 NMOS 트랜지스터(MN5)로 구성되는데, NMOS 트랜지스터(MN5)는 최종 출력단(N0)이 하이레벨로 구동될 때만 턴온(TURN ON) 되므로, 각각의 온도정보신호(/T<0:n>)의 제어를 받는 다수의 PMOS 트랜지스터에 의해 최종 출력단(N0)에 대한 드라이빙 세기가 조절되는 시점을 결정하는 스위치 역할을 한다. NMOS 트랜지스터(MN5)는 낮은 임계전압(Low threshold Voltage, LV)을 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
상기의 풀다운 구동부(MN4)는 최종 출력단(N0)과 접지전압단(VSS) 사이에 접속되어 풀다운 구동신호(DN)의 제어를 받는 NMOS 트랜지스터(MN4)로 구성된다. 또한, 보조 풀다운 구동부(520)는 최종 출력단(N0)의 출력신호에 응답하여 보조 풀다운 구동시점을 결정하는 스위칭부(MP5)와, 최종 출력단(N0)과 스위칭부(MP5) 사이 에 접속되어 각각의 온도정보신호(T<0:n>)의 제어를 받는 다수의 NMOS 트랜지스터로 구성된다. 스위칭부(MP5)는 PMOS 트랜지스터(MP5)로 구성되는데, PMOS 트랜지스터(MP5)는 최종 출력단(N0)이 로우레벨로 구동될 때만 턴온(TURN ON) 되므로, 각각의 온도정보신호(T<0:n>)의 제어를 받는 다수의 NMOS 트랜지스터에 의해 최종 출력단(N0)에 대한 드라이빙 세기가 조절되는 시점을 결정하는 일종의 스위치 역할을 한다. PMOS 트랜지스터(MP5)는 낮은 임계전압(Low threshold Voltage, LV)을 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
특히, 메인 구동부(500)의 보조 풀업 구동부(510)는 최종 출력단(N0)을 풀업 구동하는데 있어서, 최종 출력단(N0)에 대한 드라이빙 세기를 조절함으로서, 데이터 입출력 패드(DQ)를 풀업(PULL UP) 구동할 때의 신호특성 즉, 데이터 입출력 패드(DQ)를 통해서 출력되는 출력 데이터 신호(OUT)의 특성을 조절하게 된다. 보조 풀업 구동부(510)는 온도정보신호(/T<0:n>)의 제어에 따라 다수의 PMOS 트랜지스터를 제어하여 데이터 입출력 패드(DQ)에 대한 드라이빙 세기를 조절하게 된다. 즉, 온도가 상승하는 경우에 드라이빙 세기는 약해지게 되므로, 온도정보신호(/T<0:n>)의 제어에 의해 턴온(TURN ON) 되는 PMOS 트랜지스터의 개수를 증가시켜 드라이빙 세기를 강해지도록 제어한다. 반대로 온도가 낮아지는 경우에 드라이빙 세기는 강해지게 되므로, 온도정보신호(/T<0:n>)의 제어에 의해 턴온(TURN ON) 되는 PMOS 트랜지스터의 개수를 감소시켜 드라이빙 세기를 약해지도록 제어한다.
또한, 메인 구동부(500)의 보조 풀다운 구동부(520)는 최종 출력단(N0)을 풀다운 구동하는데 있어서, 최종 출력단(N0)에 대한 드라이빙 세기를 조절함으로서 데이터 입출력 패드(DQ)를 풀다운(PULL DOWN) 구동할 때의 신호특성 즉, 데이터 입출력 패드(DQ)를 통해서 출력되는 출력 데이터 신호(OUT)의 특성을 조절하게 된다. 보조 풀다운 구동부(520)는 온도정보신호(T<0:n>)의 제어에 따라 다수의 NMOS 트랜지스터를 제어하여 데이터 입출력 패드(DQ)에 대한 드라이빙 세기를 조절하게 된다. 즉, 온도가 상승하는 경우에 드라이빙 세기는 약해지게 되므로, 온도정보신호(T<0:n>)의 제어에 의해 턴온(TURN ON) 되는 NMOS 트랜지스터의 개수를 증가시켜 드라이빙 세기를 강해지도록 제어한다. 반대로 온도가 낮아지는 경우에 드라이빙 세기는 강해지게 되므로, 온도정보신호(T<0:n>)의 제어에 의해 턴온(TURN ON) 되는 NMOS 트랜지스터의 개수를 감소시켜 드라이빙 세기를 약해지도록 제어한다.
도 5는 도 4의 집적회로의 동작을 나타낸 타이밍 다이어그램이다.
도 5의 타이밍 다이어그램을 참조하여, 집적회로의 주요동작을 설명하면 다음과 같다.
우선, 출력제어신호(OUTOFF)가 하이레벨로 활성화 되는 구간에서 제1 전치 구동부(410)의 제1 풀업 구동부(MP1) 및 제1 풀다운 구동부(MN1)로 입력되는 신호(UP_PRE)는 제1 출력 제어부(430)의 풀다운 구동으로 인해 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 관계없이 로우레벨이 된다. 따라서 풀업 구동신호(/UP)는 하이레벨이 되어 메인 구동부(500)의 풀업 구동부(MP4)를 턴오프(TURN OFF) 시키게 된다. 또한, 출력제어신호(OUTOFF)가 하이레벨로 활성화 되는 구간에서 제2 전치 구동부(420)의 제2 풀업 구동부(MP3) 및 제2 풀다운 구동부(MN2)로 입력되는 신호(/DN_PRE))는 제2 출력 제어부(440)의 풀업 구동으로 인해 출력 데이터 신 호(DATA_OUT)에 관계없이 하이레벨이 된다. 따라서 풀다운 구동신호(DN)는 로우레벨이 되어 메인 구동부(500)의 풀다운 구동부(MN4)를 턴오프(TURN OFF) 시키게 된다. 즉, 출력제어신호(OUTOFF)가 하이레벨로 활성화 되는 구간에서 풀업 구동신호(/UP)와 풀다운 구동신호(DN)는 모두 비활성화 되어 최종 출력단(N0)은 하이임피던스(High Impedance, Hi-Z) 상태가 된다.
다음으로, 출력제어신호(OUTOFF)가 로우레벨로 비활성화 되는 구간에서는 제1 전치 구동부(410)의 제1 풀업 구동부(MP1) 및 제1 풀다운 구동부(MN1)로 입력되는 신호(UP_PRE)와 제2 전치 구동부(420)의 제2 풀업 구동부(MP3) 및 제2 풀다운 구동부(MN2)로 입력되는 신호(/DN_PRE))는 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 대응하는 신호레벨을 갖게 되어, 전치 구동부(400)에서 출력 데이터 신호(DATA_OUT)에 따른 풀업 구동신호(/UP) 및 풀다운 구동신호(DN)를 생성하게 되고, 풀업 구동신호(/UP)와 풀다운 구동신호(DN)는 메인 구동부(500)를 제어하여 데이터 입출력 패드(DQ)를 통해서 외부로 하이레벨 또는 로우레벨의 출력 데이터 신호(OUT)를 전달하게 된다.
한편, 일반적으로 집적회로는 온도변동에 따라 출력되는 신호의 특성이 변화하게 되는데, 본 실시예의 집적회로는 온도변동이 발생하는 상황에서도 출력되는 신호의 특성을 일정하게 유지하기 위한 회로를 포함하고 있다. 제1 전치 구동부(410)는 풀업 구동신호(/UP)를 로우레벨로 활성화하여 생성할 때, 온도정보신호(T<0:n>)의 제어를 받는 보조 풀다운 구동부(450)를 통해서 풀업 구동신호(/UP)의 슬루우 레이트(SLEW RATE)가 일정하도록 조절한다. 또한, 제2 전치 구동부(420)는 풀다운 구동신호(DN)를 하이레벨로 활성화하여 생성할 때, 온도정보신 호(/T<0:n>)의 제어를 받는 보조 풀업 구동부(460)를 통해서 풀다운 구동신호(DN)의 슬루우 레이트(SLEW RATE)가 일정하도록 조절한다. 또한, 메인 구동부(500)는 최종 출력단(N0)에 대한 드라이빙 세기를 온도정보신호(T<0:n>,/T<0:n>)의 제어를 받는 보조 풀업 구동부(510)/보조 풀다운 구동부(520)를 통해서 조절하여 온도변동에도 일정한 드라이빙 세기를 유지하도록 조절한다.
도 5의 타이밍 다이어그램에서 점선으로 표시된 부분은 온도가 상승했을 때, 풀업 구동신호(/UP), 풀다운 구동신호(DN), 출력 데이터 신호(OUT)의 슬루우 레이트(SLEW RATE)가 낮아지는 것을 나타내고 있으며, 본 발명을 적용한 집적회로는 온도가 상승하여 슬루우 레이트(SLEW RATE)가 낮아지는 것을 보상하는 방향으로 추가적인 내부동작 - 화살표 방향으로 슬루우 레이트를 변화시킴 - 을 하게 된다. 참고적으로 본 발명의 온도변동에 따른 내부적인 보상동작은 온도변동에 대응하여 즉시 실시되는 것이며, 슬루우 레이트(SLEW RATE)가 낮아지고 난 이후에 다시 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 높여주는 순차적인 동작을 하는 것은 아니다.
이상, 본 발명의 실시예에 따라 구체적인 설명을 하였다. 본 발명의 기술적 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
예컨대, 신호 및 회로의 활성화 상태를 나타내기 위한 액티브 하이(Active High) 또는 액티브 로우(Active Low)의 구성은 실시예에 따라 달라질 수 있다. 또한, 동일한 기능을 구현하기 위해 필요에 따라 트랜지스터의 구성은 변경될 수 있다. 즉, PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터의 구성은 서로 대체될 수 있을 것이며, 필요에 따라 다양한 트랜지스터를 이용하여 구현될 수 있다.
특히, 온도정보신호(T<0:n>,/T<0:n>)는 집적회로의 규격에 따라 내부 또는 외부에서 제공될 수도 있을 것이며, 본 실시예에서는 전치 구동부와 메인 구동부가 모두 온도정보신호(T<0:n>,/T<0:n>)의 제어를 받아 동시에 슬루우 레이트(SLEW RATE)와 드라이빙 세기를 조절하는 구성을 설명하였으나, 필요에 따라 전치 구동부 또는 메인 구동부 중에서 어느 하나의 회로가 온도정보신호(T<0:n>,/T<0:n>)의 제어를 받아 슬루우 레이트(SLEW RATE) 또는 드라이빙 세기를 조절하는 구성을 실시할 수도 있을 것이다. 이러한 회로의 변경은 너무 경우의 수가 많고, 이에 대한 변경은 통상의 전문가라면 누구나 쉽게 유추할 수 있기에 그에 대한 열거는 생략하기로 한다.
도 1은 종래기술의 집적회로의 구성도이다.
도 2는 도 1의 집적회로의 동작을 나타낸 타이밍 다이어그램이다.
도 3은 출력 데이터 신호의 특성을 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 집적회로의 구성도이다.
도 5는 도 4의 집적회로의 동작을 나타낸 타이밍 다이어그램이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
400 : 전치 구동부 410 : 제1 전치 구동부
420 : 제2 전치 구동부 500 : 메인 구동부
510 : 보조 풀업 구동부 520 : 보조 풀다운 구동부
600 : 내부온도정보 출력부
도면에서 PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터는 각각 MPi, MNi (i=0,1,2, … ) 으로 표시함.

Claims (27)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 내부온도를 감지하여 온도정보신호를 생성하기 위한 내부온도정보 출력부;
    출력 데이터 신호에 대응하는 풀업 구동신호를 생성하되, 상기 온도정보신호에 응답하여 상기 풀업 구동신호의 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 조절하기 위한 제1 전치 구동부;
    상기 출력 데이터 신호에 대응하는 풀다운 구동신호를 생성하되, 상기 온도정보신호에 응답하여 상기 풀다운 구동신호의 슬루우 레이트를 조절하기 위한 제2 전치 구동부; 및
    상기 풀업 구동신호 및 상기 풀다운 구동신호에 응답하여 상기 출력 데이터 신호를 출력하기 위한 메인 구동부를 구비하며,
    상기 제1 전치 구동부는,
    상기 출력 데이터 신호에 응답하여 상기 풀업 구동신호의 출력단을 풀업 구동하기 위한 제1 풀업 구동부;
    상기 출력 데이터 신호에 응답하여 상기 풀업 구동신호의 출력단을 풀다운 구동하기 위한 제1 풀다운 구동부; 및
    상기 제1 풀다운 구동부의 활성화 구간 동안에 각각의 온도정보신호에 응답하여 상기 풀업 구동신호의 출력단을 풀다운 구동하기 위한 보조 풀다운 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 보조 풀다운 구동부는,
    상기 풀업 구동신호의 출력단의 출력신호에 응답하여 보조 풀다운 구동시점을 결정하는 스위칭부; 및
    상기 풀업 구동신호의 출력단과 상기 스위칭부 사이에 접속되어 각각의 온도정보신호의 제어를 받는 다수의 풀다운 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제2 전치 구동부는,
    상기 출력 데이터 신호에 응답하여 상기 풀다운 구동신호의 출력단을 풀업 구동하기 위한 제2 풀업 구동부;
    상기 출력 데이터 신호에 응답하여 상기 풀다운 구동신호의 출력단을 풀다운 구동하기 위한 제2 풀다운 구동부; 및
    상기 제2 풀업 구동부의 활성화 구간 동안에 각각의 온도정보신호에 응답하여 상기 풀다운 구동신호의 출력단을 풀업 구동하기 위한 보조 풀업 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 보조 풀업 구동부는,
    상기 풀다운 구동신호의 출력단의 출력신호에 응답하여 보조 풀업 구동시점을 결정하는 스위칭부; 및
    상기 풀다운 구동신호의 출력단과 상기 스위칭부 사이에 접속되어 각각의 온도정보신호의 제어를 받는 다수의 풀업 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 전치 구동부는,
    출력제어신호에 응답하여 상기 제1 풀업 구동부를 활성화 하기 위한 제1 출력 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 전치 구동부는,
    상기 출력제어신호에 응답하여 상기 제2 풀다운 구동부를 활성화 하기 위한 제2 출력 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  10. 제4항에 있어서,
    상기 메인 구동부는,
    상기 풀업 구동신호에 응답하여 데이터 입출력 패드를 풀업 구동하기 위한 풀업 구동부; 및
    상기 풀다운 구동신호에 응답하여 상기 데이터 입출력 패드를 풀다운 구동하기 위한 풀다운 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 내부온도를 감지하여 온도정보신호를 생성하기 위한 내부온도정보 출력부;
    출력 데이터 신호에 대응하는 풀업 구동신호를 생성하되, 상기 온도정보신호에 응답하여 상기 풀업 구동신호의 슬루우 레이트(SLEW RATE)를 조절하기 위한 제1 전치 구동부;
    상기 출력 데이터 신호에 대응하는 풀다운 구동신호를 생성하되, 상기 온도정보신호에 응답하여 상기 풀다운 구동신호의 슬루우 레이트를 조절하기 위한 제2 전치 구동부; 및
    상기 풀업 구동신호 및 상기 풀다운 구동신호에 응답하여 상기 출력 데이터 신호를 출력하되, 상기 온도정보신호에 응답하여 상기 출력 데이터 신호의 드라이빙 세기를 조절하기 위한 메인 구동부를 구비하며,
    상기 제1 전치 구동부는,
    상기 출력 데이터 신호에 응답하여 상기 풀업 구동신호의 출력단을 풀업 구동하기 위한 제1 풀업 구동부;
    상기 출력 데이터 신호에 응답하여 상기 풀업 구동신호의 출력단을 풀다운 구동하기 위한 제1 풀다운 구동부; 및
    상기 제1 풀다운 구동부의 활성화 구간 동안에 각각의 온도정보신호에 응답하여 상기 풀업 구동신호의 출력단을 풀다운 구동하기 위한 보조 풀다운 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 보조 풀다운 구동부는,
    상기 풀업 구동신호의 출력단의 출력신호에 응답하여 보조 풀다운 구동시점을 결정하는 스위칭부; 및
    상기 풀업 구동신호의 출력단과 상기 스위칭부 사이에 접속되어 각각의 온도 정보신호의 제어를 받는 다수의 풀다운 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 제2 전치 구동부는,
    상기 출력 데이터 신호에 응답하여 상기 풀다운 구동신호의 출력단을 풀업 구동하기 위한 제2 풀업 구동부;
    상기 출력 데이터 신호에 응답하여 상기 풀다운 구동신호의 출력단을 풀다운 구동하기 위한 제2 풀다운 구동부; 및
    상기 제2 풀업 구동부의 활성화 구간 동안에 각각의 온도정보신호에 응답하여 상기 풀다운 구동신호의 출력단을 풀업 구동하기 위한 보조 풀업 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 보조 풀업 구동부는,
    상기 풀다운 구동신호의 출력단의 출력신호에 응답하여 보조 풀업 구동시점을 결정하는 스위칭부; 및
    상기 풀다운 구동신호의 출력단과 상기 스위칭부 사이에 접속되어 각각의 온 도정보신호의 제어를 받는 다수의 풀업 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 제1 전치 구동부는,
    출력제어신호에 응답하여 상기 제1 풀업 구동부를 활성화 하기 위한 제1 출력 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 제2 전치 구동부는,
    상기 출력제어신호에 응답하여 상기 제2 풀다운 구동부를 활성화 하기 위한 제2 출력 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  25. 제19항에 있어서,
    상기 메인 구동부는,
    상기 풀업 구동신호에 응답하여 데이터 입출력 패드를 풀업 구동하기 위한 풀업 구동부;
    상기 풀업 구동부의 활성화 구간 동안에 각각의 온도정보신호에 응답하여 상기 데이터 입출력 패드를 풀업 구동하기 위한 보조 풀업 구동부;
    상기 풀다운 구동신호에 응답하여 상기 데이터 입출력 패드를 풀다운 구동하기 위한 풀다운 구동부; 및
    상기 풀다운 구동부의 활성화 구간 동안에 각각의 온도정보신호에 응답하여 상기 데이터 입출력 패드를 풀다운 구동하기 위한 보조 풀다운 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 보조 풀업 구동부는,
    최종 출력단의 출력신호에 응답하여 보조 풀업 구동시점을 결정하는 스위칭부; 및
    상기 최종 출력단과 상기 스위칭부 사이에 접속되어 각각의 온도정보신호의 제어를 받는 다수의 풀업 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  27. 제25항에 있어서,
    상기 보조 풀다운 구동부는,
    최종 출력단의 출력신호에 응답하여 보조 풀다운 구동시점을 결정하는 스위 칭부; 및
    상기 최종 출력단과 상기 스위칭부 사이에 접속되어 각각의 온도정보신호의 제어를 받는 다수의 풀다운 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
KR1020080131196A 2008-12-22 2008-12-22 집적회로 KR100985411B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080131196A KR100985411B1 (ko) 2008-12-22 2008-12-22 집적회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080131196A KR100985411B1 (ko) 2008-12-22 2008-12-22 집적회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100072708A KR20100072708A (ko) 2010-07-01
KR100985411B1 true KR100985411B1 (ko) 2010-10-06

Family

ID=42635833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080131196A KR100985411B1 (ko) 2008-12-22 2008-12-22 집적회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100985411B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100670685B1 (ko) 2005-03-31 2007-01-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 출력 드라이버
KR20080108853A (ko) * 2007-06-11 2008-12-16 주식회사 하이닉스반도체 데이터 출력 드라이버 회로

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100670685B1 (ko) 2005-03-31 2007-01-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 출력 드라이버
KR20080108853A (ko) * 2007-06-11 2008-12-16 주식회사 하이닉스반도체 데이터 출력 드라이버 회로

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100072708A (ko) 2010-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5990742A (en) Differential amplifier circuit
US8441870B2 (en) Data strobe signal output driver for a semiconductor memory apparatus
US6586974B1 (en) Method for reducing short circuit current during power up and power down for high voltage pad drivers with analog slew rate control
US8299831B2 (en) Semiconductor device
US8054113B2 (en) Power up signal generation circuit and method for generating power up signal
JP4111753B2 (ja) データバッファ回路およびデータ出力バッファ
US7868667B2 (en) Output driving device
US7919988B2 (en) Output circuit and driving method thereof
US8803566B2 (en) Output driver circuit
KR101009348B1 (ko) 반도체 장치
KR100996193B1 (ko) 출력 드라이빙장치
KR100985411B1 (ko) 집적회로
JP2006146868A (ja) 半導体装置用の内部電圧発生器
US6822490B2 (en) Data output circuit for reducing skew of data signal
KR100920840B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 버퍼링 회로
KR20040048036A (ko) 슬루레이트 조정이 이루어지는 반도체메모리장치의데이터출력버퍼회로
CN110838316B (zh) 芯片外驱动器
KR100961102B1 (ko) 집적회로
CN114079448A (zh) 被配置为进行电源门控操作的器件
KR20070097804A (ko) 센스앰프 회로
KR20080100948A (ko) 반도체 장치의 데이터 출력회로
CN111506150B (zh) 输入电路
KR102214629B1 (ko) 오프 칩 드라이버
KR100583116B1 (ko) 출력회로
KR100885488B1 (ko) 반도체 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee