KR100961638B1 - 높은 파괴인성을 갖는 하이드로실릴화 경화된 실리콘 수지 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물은 실세스퀴옥산 폴리머, 가교 화합물로서 실란 및/또는 실록산 혼합물, 및 하이드로실릴화 반응 촉매로 이루어진다. 본 발명의 경화성 조성물은 경화되어 탄성률의 저하없이 높은 파괴인성 및 강도를 갖는 경화된 수지를 형성한다.

Description

높은 파괴인성을 갖는 하이드로실릴화 경화된 실리콘 수지{High Fracture Toughness Hydrosilylation Cured Silicone Resin}
발명의 분야
본 발명은 탄성률의 저하없이 높은 파괴인성 및 강도를 갖는 경화된 실세스퀴옥산 수지에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 실란 또는 실록산 혼합물을 가교 화합물로 포함함으로써, 향상된 파괴 인성을 갖는 경화된 실세스퀴옥산 수지에 관한 것이다.
발명의 배경
실세스퀴옥산 수지는 수송 산업분야(자동차, 항공, 해운) 및 기다른 제조업 분야에서 산업적 이용이 증가되고 있다. 실세스퀴옥산 수지는 내열성 및 내화성이 뛰어나므로 내열성과 내화성이 필요한 분야에 적용될 수 있다. 이러한 특성 때문에 실세스퀴옥산 수지는 전기 라미네이트에 사용되는 섬유강화 복합재에 이용되어 왔으며, 자동차 부품, 항공기 및 배의 구조재로 각광받아왔다. 따라서, 이러한 용도에 사용되기 위해서는 모듈러스의 저하나 열안정성의 저하없이 향상된 굴곡강도, 굴곡 변형, 파괴 인성 및 파괴 에너지를 보유하는 강성 실세스퀴옥산 수지가 필수적으로 요구된다. 뿐만 아니라, 강성 실세스퀴옥산 수지는 유전상수가 낮기 때문에 절연물질의 층간 절연막으로 유용하게 사용될 수 있다. 또한 강성 실세스퀴옥산 수지는 내마모 코팅재로 유용하다. 이러한 응용분야에서 사용되기 위해서는 실세스퀴옥산 수지가 높은 강도와 인성을 갖는 것이 절대적으로 필요하다.
실세스퀴옥산 수지와 같이 높은 가교밀도를 갖는 통상적인 열경화성 수지의 그물 구조는 강도, 파괴인성 또는 탄성률과 같은 기계적 물성을 향상시키고자 하면, 일반적으로 하나 또는 그 이상의 다른 물성이 저하되는 단점이 있다.
실리콘 수지의 기계적 물성을 향상시키기 위한 다양한 방법 및 조성물이 다음과 같이 공개되어 있다: (1) 실리콘 수지를 고무 성분으로 개질시키는 방법으로서, 미국특허 제5,747,608호에서는 고무-개질 수지를 언급하고 있으며, 미국특허 제5,830,950호에서는 고무-개질 수지의 제조방법을 기재하고 있다; (2) 실리콘액을 실리콘 수지에 첨가하는 방법으로서, 미국특허 제5,034,061호에서는 실리콘 수지/액 중합체로 투명한 내파괴성 코팅을 제조하는데 적용되는 것을 개시하고 있다.
상기 특허는 실리콘 수지의 인성향상을 제공하지만, 상기 언급된 고강도 적용에 사용하기 위해서는 실리콘 물질의 보다 높은 인성이 요구된다.
따라서 본 발명의 목적은 높은 파괴인성을 갖고 모듈러스의 손실을 최소화한 경화된 실세스퀴옥산 수지를 제조하는 방법을 제공하기 위한 것이다.
발명의 요약
본 발명의 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물은 실세스퀴옥산 폴리머, 가교 화합물로서 실란 또는 실록산 혼합물, 및 하이드로실릴화 반응 촉매를 포함한다.
발명의 상세한 설명
본 발명은 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물에 관한 것으로 경화된 실세스퀴옥산 수지의 제조에 사용된다. 상기 경화성 조성물은 (A) 실세스퀴옥산 코폴리머, (B) 가교제로서 실란 또는 실록산의 혼합물, (C) 촉매 화합물, (D) 선택적 반응 억제제 및 (E) 선택적 용매로 이루어진다.
상기 (A) 성분은 경험식 R1 aR2 bR3 cSiO (4-a-b-c)/2 (상기 a는 0 또는 양수, b는 0 또는 양수, c는 0 또는 양수이며, 0.8≤(a+b+c)≤3.0일 것)의 단위를 포함하는 실세스퀴옥산 코폴리머이며, 상기 (A) 성분은 분자당 평균 최소 2개의 R1기를 갖고, 각각의 R1는 독립적으로 지방족 불포화기를 갖는 1가 탄화수소기로부터 선택되며, 각각의 R2 및 R3는 독립적으로 1가 탄화수소기 및 수소로부터 선택된다. R1는 비닐 또는 알릴기와 같은 알케닐기가 바람직하다. R2 및 R3는 알킬기 및 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 비작용기가 사용되다. 바람직한 알킬기로는 메틸, 에틸, 이소프로필, n-부틸 및 이소부틸기를 포함한다. 바람직한 아릴기로는 페닐기를 포함한다. 성분 (A)로 바람직한 실세스퀴옥산 코폴리머로는 (PhSiO3/2).75(ViMe2SiO1/2).25를 예로 들 수 있다(상기에서 Ph는 페닐기, Vi는 비닐기, 그리고 Me는 메틸기를 각각 나타냄).
상기 (B) 성분은 실리콘수소화물 작용기를 포함하는 실란 및/또는 실록산의 혼합물로서 성분 (A)의 비닐기와 가교 결합을 형성한다. 상기 혼합물로 사용되는 실란 또는 실록산은 최소한 2개의 Si-H 또는 실리콘 수소화물 작용기를 가지며, 하기의 일반식으로 표시된다:
실란의 경우, HaR1 bSi 상기에서, a≥2이고, R1은 탄화수소임.
실록산의 경우, HaR1 bSicO(4c-a-b)/2 상기에서, a≥2, b≥4, c≥2이고, R1은 탄화수소임.
성분 (B)는 실란 및/또는 실록산의 혼합물이어야 시너지 효과를 나타낸다. 그러한 시너지 효과는 상기 혼합물을 사용하여 제조된 경화 실세스퀴옥산 수지가 상기 혼합물중 단독만을 가교제로 하여 제조된 경화 수지보다 우수한 파괴 인성을 갖는 것이 단적인 예이다.
상기 혼합물은 2 성분을 포함하는 것이 바람직하며, 상기 성분은 혼합물의 20 내지 80 몰%, 더 바람직하게는 30 내지 70 몰%로 구성된다. 실란 및 실록산 혼합물의 바람직한 예로는 디페닐실란 및 헥사메틸트리실록산의 혼합물이다. 상기 성분은 길래스트(Gelast. Inc of Tullt, PA) 및 유나이티드 케미칼 테크놀러지(United Chemical Technologies. Inc of Bristol, PA)에서 상업적으로 구입할 수 있다.
성분 (A) 및 (B)를 규수소원자가 결합된 실리콘(SiH)과 불포화기(C=C)의 몰 비(SiH:C=C)가 1.0:1.0 내지 1.5:1.0의 범위가 되도록 조성물에 가한다. 상기 비는 1.0:1.0 내지 1.5:1.0의 범위가 바람직하다. 만일 상기 몰비가 1.0:1.0 미만일 경우, 경화가 불완전하게 되어 경화 실세스퀴옥산 수지의 물성은 떨어진다. 조성물에서 성분 (A) 및 (B)의 양은 단위 분자당 C=C 및 SiH기의 수에 좌우된다. 그러나, 상기 (A)성분의 양은 조성물에서 50 내지 80 중량%가 바람직하며, (B) 성분의 양은 2 내지 50 중량%가 바람직하다.
성분(C)는 하이드로실릴화 반응촉매이다. 바람직하게는 성분(C)는 백금 촉매로 조성물 중량 기준으로 백금을 1 내지 100 ppm이 되도록 첨가하는 것이 바람직하다. 성분 (C)의 예로는 염화백금산, 염화백금산의 알코올 용액, 디클로로비스(트리페닐포스파인)백금(Ⅱ), 염화백금, 산화백금, 올레핀과 같은 불포화 유기 화합물과 백금 화합물과의 착체, 칼스텟(Karstedts) 촉매(즉, 염화백금산과 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산의 착체) 및 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과 같은 불포화 탄화수소기를 포함하는 유기실록산과 백금 화합물의 착체, 여기서 상기 착체는 유기실록산 수지 내에 속해 있다. 특히 1 %백금-디비닐테트라메틸디실록산 착체가 바람직하며, 이는 케미칼 테크놀러지(Chemical Technologies. Inc of Bristol, PA)에서 상업적으로 구입할 수 있다.
성분 (D)는 부가적인 촉매 억제제를 포함할 수 있는데, 통상적으로 조성물 일부가 제조되었을 때 첨가된다. 적절한 억제제는 1969년 5월 20일 Kookootsedes 등의 미국특허 제3,445,420호에 개시되어 있는데, 이 특허는 본 발명의 촉매 억제제를 설명하기 위해 참조로서 사용된다. 성분(D)는 메틸부티놀 또는 에티닐 사이클로헥사놀과 같은 아세틸레닉 알코올이 바람직하다. 이 중 에티닐 사이클로헥사놀이 더 바람직하다. 억제제의 다른 예로는 디에틸 말레에이트, 디에틸 푸마메이트, 비스(2-메톡시-1-메틸에틸)말레에이트, 1-에티닐-1-사이클로헥사놀, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 2-페닐-3-부틴-2-올, N,N,N'N'-테트라메틸에틸렌디아민, 에틸렌디아민, 디페닐포스파인, 디페닐포스파이트, 트리옥틸포스파인, 디에틸페닐포스포나이트 및 메틸디페닐포스피나이트가 있다.
성분 (D)는 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물에 0 내지 0.05 중량%로 포함된다. 상기 성분(D)는 경화성 조성물에 통상 0.0001 내지 0.05 중량%로 포함된다. 성분(D)는 전체 경화성 조성물에 0.0005 내지 0.01 중량%로 포함하는 것이 바람직하다. 더 바람직하게는 전체 경화성 조성물에 0.001 내지 0.004 중량%로 포함하는 것이 바람직하다.
성분 (A), (B), (C) 및 (D)는 조성물의 10 내지 99.9 중량%를 구성한다. 상기 조성물은 하나 또는 그 이상의 반응 억제제, 공정 첨가제 또는 공지된 기타 성분과 같은 성분을 선택적으로 더 포함할 수 있다.
상기 성분 (A), (B) 및 (C) 및 다른 선택적 성분을 포함하는 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물은 선택적 용매인 성분 (E)에 용해될 수 있다. 통상 상기 용매의 양은 경화성 조성물의 0 내지 90 중량%, 바람직하게는 0 내지 50 중량%이다. 상기 용매는 메틸, 에틸, 이소프로필 및 t-부틸 알코올; 아세톤, 메틸에틸케톤 및 메 틸이소부틸케톤과 같은 아세톤; 벤젠, 톨루엔 및 자일렌과 같은 방향족 탄화수소; 헵탄, 헥산 및 옥탄과 같은 지방족 탄화수소; 프로필렌 글리콜 메틸에테르, 디프로필렌 글리콜 메틸에테르, 프로필렌 글리콜 n-부틸에테르, 프로필렌 글리콜 n-프로필에테르 및 에틸렌글리콜 n-부틸에테르와 같은 글리콜 에테르; 디클로로메탄, 1,1,1-트리클로로에탄 및 메틸렌클로라이드와 같은 할로겐화 탄화수소; 클로로포름, 디메틸설폭사이드; 디메틸포름아미드; 아세토니트릴 및 테트라하이드로퓨란도 가능하다. 이중 톨루엔이 바람직하다.
하이드로실릴화 반응 경화성 조성물의 제조방법은 a) 실세스퀴옥산 폴리머를 제공하고; b) 가교 화합물로 실란 또는 실록산 혼합물을 제공하고; c) 경화성 조성물을 형성하기 위해 상기 a) 및 b)의 화합물을 혼합하고; d) 하이드로실릴화 반응 촉매를 상기 c)단계의 경화성 조성물에 가하고; e) 반응촉매와 경화성 조성물을 혼합하기 전 또는 후에 선택적으로 반응 억제제를 상기 d)단계의 촉매에 가하고; f) 상기 e)단계의 경화성 조성물을 경화시켜 높은 파괴인성을 갖는 경화된 수지를 형성하는 단계로 이루어진다.
상기 실세스퀴옥산 폴리머는 상기 가교 화합물과 일차적으로 혼합된다. 상기 성분들이 혼합된 후, 상기 조성물에 하이드로실릴화 반응 촉매를 혼합하고, 상기 혼합물을 몰드에 붓는다. 본 발명의 경화성 조성물의 혼합에 있어서, 경화하기 전에 조성물을 탈가스하는 단계를 더 포함할 수 있다. 탈가스 공정은 통상 상기 조성물을 온화한 진공상태에 두어 수행된다.
상기 몰드는 하기와 같은 경화 과정을 거친다: 1) 경화성 조성물을 85 ℃에 서 24 시간동안 몰드 내에서 경화시키고; 2) 경화성 조성물을 150 ℃에서 24 시간동안 몰드 내에서 경화시키고; 3) 경화성 조성물을 200 ℃에서 24 시간동안 몰드 내에서 경화시킨다.
모든 Si-H 기능성 가교제와 혼합된 실리콘 수지는 섬유강화 복합재에서 연속상으로 사용될 수 있다. 그러한 섬유 강화재는 수정, 유리 흑연 등을 비롯한 모든 통상의 보강재 섬유를 포함할 수 있다.
실시예
본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 더 잘 이해될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시 목적을 위한 것이며 첨부된 특허청구범위에 의하여 한정되는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
참조 실시예 1
3점 굴곡 시험
3점 굽힘 시험은 ASTM 기준 D 790-961에 따라 Instron 4500에서 수행하였다. 하기 실시예에서 제조된 경화된 수지 시편을 밴드톱(band saw)을 이용하여 5.08 cm × 1.27 cm 크기로 절단하였다. 다음에 상기 시편을 0.25 cm의 두께로 만들었다. 상기 시편을 크로스 헤드 스피드(cross head speed) 1 mm/min와 서포트 스팬(support span) 3.81 cm으로 시험하였다.
시험하는 동안, 힘-변위 곡선을 기록하였다. 경화된 수지의 인성은 응력-변 형 곡선 아래의 면적으로 구했다. 굴곡 강도는 다음의 최대 응력(peak force)을 이용하여 산출하였다:
S= 3PL/2bd2
상기 S는 중심 스팬에서의 외부표면의 응력(stress)이며, P는 최대 하중이고, L은 지지 스팬(support span), b 및 d는 시험된 시편의 너비 및 두께를 나타낸다. 최대 변형률(strain)은 하기의 최대 변위를 사용하여 산출하였다:
ε=6Dd/L2
상기 S는 파괴점에서의 변형률(strain)이며, D는 최대 변위이다. 하중-변형 곡선의 기울기가 가장 큰 초기 직선 구간의 경사는 영 탄성률(Young's modulus)로써 얻었다.
참조 실시예 2
파괴 인성 시험
평면 변형 파괴 인성 KIC는 ASTM D 5045-96에 의해 구했으며, 임계 변형 에 너지 방출 속도 GIC는 선형 탄성 파괴 역학(Linear Elastic Fracture Mechanics: LEFM) 가정에 근거하여 KIC로부터 산출하였다. 5.08 cm × 0.95 cm 샘플을 밴드톱을 사용하여 절단하고, 시편 중앙에 노치(notch)를 새겼다. 노치에 날카로운 레이져(razor)로 태핑(tapping)하여 노치의 시작지점(notch root)에서부터 시편너비의 약 절반까지 연장된 자연스러운 균열(crack)을 형성시켰다. 완전한 변형이 일어나도록 시험하기 전에 73 ℃에서 최소한 24시간 동안 샘플을 처리하였다. 변형속도는 서포트 스팬 3.81 cm일 때, 10 mm/min이었다.
KIC = (P/(BW1/2))f(x)
상기에서, P는 최대 하중이고;
f(x)=6x1/2(1.99-x(1-x)(2.15-3.93x+2.7x2))/((1+2x)(1-x)3/2)
상기에서 x는 a/W로서 프리-크랙(pre-crack)과 시편너비의 비임. 시험이 끝난 후에 상기 프리-크랙(pre-crack) 길이를 측정하였다. 0.45 내지 0.55 사이 값을 갖는 시편만이 유효하다. 두께에 대한 x의 편차는 10 %미만이어야 한다. 시험의 유효성은 대략 50으로 확장된 예측 플라스틱 존(zone) 사이즈로 표본 차원을 비교함으로써 더욱 신뢰할 수 있다:
B,a,(W-a) 〉2.5(KICy)2
상기에서, γy는 샘플의 항복 응력(yield stress)임.
GIC는 다음의 식에 의해 산출되었다:
GIC=K2 IC(1-υ2)/E
상기 υ는 수지의 Poisson 비로서 실험을 단순화하기위해 무시되었다. 광택성 폴리머의 경우 Poisson 비는 0.3으로 GIC는 약 9%까지 증대된다. 그러나, Poisson 비의 제곱의 변화는 수지에서부터 비슷한 경도의 다른 것까지 통상 작기 때문에 GIC값의 상대 순위는 크게 변하지 않는다.
참조 실시예 3
동역학적 분석
동역학적 분석은 세이코 동역학 레올로지 스테이션 DMS 200에서 측정하였다. 20 mm의 길이와 4 mm의 너비 및 1 mm의 두께를 갖는 시편을 14 mm 떨어진 두개의 그립(grips)에 올려놓았다. 그 다음 시편에 사인파 인장 변위(sinusoidal tensile displacement)를 1 Hz의 주파수로 가하였다. 장력(tension)을 측정하고 저장모듈러스 및 손실모듈러스와 손실 인자를 산출하였다. 시험은 -150 내지 350 ℃에서 수행하였다. 모든 시험은 질소 분위기에서 200 ml/min의 가스흐름 속도로 수행하였다.
실시예 1
실세스퀴옥산 수지 (PhSiO3/2)0.75(ViMe2SiO1/2)0.25 를 기초수지로 하여 경화 수지를 제조하였다.
가교제를 함유하는 2종의 실리콘 하이드라이드 (헥사메틸트리실록산 및 디페닐실란)의 혼합물을 표 1에 기재된 바와 같이 몰 비를 변화시켜가며 사용하였다. 표 1은 첨가된 각 성분의 양을 그램(g)으로 나타내었으며, 또한 사용된 가교제의 전체 혼합물의 몰 %를 나타내었다. 표 1에서 D는 디페닐실란을, P는 헥사메틸트리실록산을 나타낸다.
상기 실세스퀴옥산 수지는 톨루엔에 75 %된 용해된 용액이다; 따라서 톨루엔의 양을 감소시키기 위하여 상기 수지를 50 mmHg 진공 오븐에서 50-60 ℃에서 30 분간 가열하였다. 그 결과 약 40-50 %의 톨루엔이 제거되었다.
상기 톨루엔이 제거된 실세스퀴옥산 수지에 상기 가교제의 혼합물을 일차적으로 가하고, 다음에 말단 비닐 폴리디메틸실록산과 2.09 wt% 백금착체를 하이드로실릴화 반응 촉매로 가하였다.
상기 혼합물을 5 내지 10 분간 강하게 교반하고 몰드로 이송하였다. 상기 몰드는 진공 오븐에서 상온에서 50 mmHg 이하로 10 분동안 탈가스시켜 혼합과정시 혼입된 공기를 제거하였다.
상기 몰드는 공기 순환식 오븐으로 옮겨 다음과 같은 순서로 경화과정을 거쳤다: 85 ℃에서 24시간동안, 150 ℃에서 24 시간동안, 200 ℃에서 24 시간. 최종 단계후, 상기 주물을 오븐에서 꺼내 시험하였다. 각각의 샘플에 대한 시험 결과는 표 2에 나타내었다.
가교제 몰 비 변화에 대한 조성
샘플 성분 A(g) D(g) P(g) D/P 몰비 촉매(ppm)
1 60 14.33 0 100/0 1
2 60 10.03 3.8 70/30 30
3 60 7.17 6.33 50/50 30
4 60 4.3 8.86 30/70 30
5 60 0 12.65 0/100 30

샘플 영 탄성률(KSi) 굴곡 강도(KSi) 굴곡 변형 KIC 1/2(Mpam) GIC(J/M2)
1 76.2(3.1) 2.70(0.21) 10.27(1.20) 0.58(0.05) 582.25(17.1)
2 137.78(5.22) 4.23(0.14) 8.63(0.78) .72(0.05) 87.68(10.55)
3 167.54(5.41) 5.06(0.21) 7.31(0.37) 0.49(0.04) 210.23(34.34)
4 201.2(6.4) 6.00(0.29) 5.94(1.16) 0.47(0.03) 155.02(11.43)
5 204(7.37) 6.89(0.29) 7.35(0.96) 0.35(0.02) 550.72(69.73)

상기의 결과로부터, D와 P의 몰비가 70/30일 경우, 파괴인성 값 KIC이 0.72 Mpam1/2로서 KIC값이 각각 0.35 및 0.58인 D나 P 단독을 사용한 경우보다 높은 값을 나타내었다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims (17)

  1. a) 실험식 R1 a R2 bR3 cSiO(4-a-b-c)/2 (상기 a 는 0 또는 양수, b는 0 또는 양수, c 는 0 또는 양수이며, 0.8 ≤(a+b+c)≤3.0 일 것)을 가지고, 분자당 평균 최소 2 R1기를 갖고, 각각의 R1는 독립적으로 지방족 불포화기를 갖는 1가 탄화수소기로부터 선택되며, 각각의 R2 및 R3는 독립적으로 1가 탄화수소기 및 수소로부터 선택되는 코폴리머 수지로 이루어지는 실세스퀴옥산 폴리머;
    b) 디페닐실란 70 몰%와 헥사메틸트리실록산 30 몰%로 이루어지는 가교 화합물의 혼합물; 및
    c) 하이드로실릴화 반응 촉매
    로 이루어지고, 단독의 가교 화합물만을 사용하여 제조된 경화 조성물보다 우수한 파괴 인성을 갖는 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 실세스퀴옥산 폴리머는 (PhSiO3/2)0.75(ViMe2SiO1/2)0.25 (상기에서 Ph는 페닐기, Vi는 비닐기, 그리고 Me는 메틸기를 각각 나타냄)인 것을 특징으로 하는 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서, 상기 반응 경화성 조성물은 반응 억제제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물.
  10. a) 실세스퀴옥산 폴리머를 제공하고;
    b) 실란 또는 실록산 혼합물을 가교 화합물로 제공하고;
    c) 경화성 조성물을 형성하기 위해 상기 a) 및 b)의 화합물을 혼합하고;
    d) 하이드로실릴화 반응 촉매를 상기 c)단계의 경화성 조성물에 가하고;
    e) 상기 d)단계의 경화성 조성물을 경화시켜 단독의 가교 화합물만을 사용하여 제조된 경화 조성물보다 우수한 높은 파괴인성을 갖는 경화된 수지를 형성하는;
    단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 경화 단계는 1) 경화성 조성물을 85 ℃에서 24 시간동안 몰드내에서 경화시키고; 2) 경화성 조성물을 150 ℃에서 24 시간동안 몰드내에서 경화시키고; 3) 경화성 조성물을 200 ℃에서 24 시간동안 몰드내에서 경화시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 실세스퀴옥산 수지는 코폴리머 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 코폴리머 수지는 경험식 R1 aR2 bR3 cSiO(4-a-b-c)/2 (상기 a는 0 또는 양수, b는 0 또는 양수, c는 0 또는 양수이며, 0.8≤(a+b+c)≤3.0일 것)을 가지고, (A) 성분은 분자당 평균 최소 2 R1기를 갖고, 각각의 R1는 독립적으로 지방족 불포화기를 갖는 1가 탄화수소기로부터 선택되며, 그리고 각각의 R2 및 R3는 독립적으로 1가 탄화수소기 및 수소로부터 선택되는 코폴리머 수지인 것을 특징으로 하는 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 실세스퀴옥산 수지는 (PhSiO3/2)0.75(ViMe2SiO1/2)0.25 (상기에서 Ph는 페닐기, Vi는 비닐기, 그리고 Me는 메틸기를 각각 나타냄)인 것을 특징으로 하는 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물의 제조방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 가교 화합물의 혼합물은 최소한 2개의 실리콘 수소화물 작용기를 갖는 실란 또는 최소한 2개의 실리콘 수소화물 작용기를 갖는 실록산으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 화합물의 가교 혼합물은 디페닐실란 및 헥사메틸트리실록산으로 이루어진 것을 특징으로 하는 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물의 제조방법.
  17. 제10항에 있어서, 반응 억제제를 가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물의 제조방법.
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