KR100961196B1 - 리드 디스터브가 억제되도록 하는 플래시 메모리소자의리드 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (10)
- 드레인 선택 트랜지스터, 복수개의 메모리셀들 및 소스 선택 트랜지스터가 직렬로 연결되어 이루어지는 셀 스트링을 포함하는 낸드 플래시 메모리소자의 리드 방법에 있어서,상기 드레인 선택 트랜지스터의 게이트에 상기 드레인 선택 트랜지스터를 턴 온 시키는 제1 전압을 인가하는 단계;상기 복수개의 메모리셀들 중 선택된 메모리셀의 게이트에 리드전압을 인가하는 단계;상기 복수개의 메모리셀들 중 상기 선택되지 않은 메모리셀들 중에서 상기 선택된 메모리셀에 인접한 메모리셀의 게이트에는 제1 패스전압을 인가하고, 나머지 메모리셀의 게이트에는 제2 패스전압을 인가하되, 상기 제1 패스전압은 상기 제1 패스전압이 인가되는 메모리셀을 턴온시키면서 상기 제2 패스전압보다는 작도록 설정하는 단계; 및상기 소스 선택 트랜지스터의 게이트에 상기 소스 선택 트랜지스터를 턴 온 시키는 제2 전압을 인가하되, 상기 제2 전압은 상기 제1 전압과 상기 제1 패스전압 및 제2 패스전압이 인가된 후에 인가되도록 하는 단계를 포함하는 낸드 플래시 메모리소자의 리드 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1 패스전압 및 제2 패스전압은 상기 드레인 선택 트랜지스터를 턴 온 시키는 제1 전압과 동시에 인가되도록 하는 낸드 플래시 메모리소자의 리드 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1 패스전압의 크기는 3V 내지 6V로 설정하는 낸드 플래시 메모리소자의 리드 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1 패스전압은 상기 선택된 메모리셀에 인접한 셀 트랜지스터들을 턴 온시키면서 상기 선택된 메모리셀의 채널 내에 핫 캐리어를 발생시키는 않는 범위인 낸드 플래시 메모리소자의 리드 방법.
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- 제1항에 있어서,상기 선택된 메모리셀을 포함하는 셀 스트링에 연결되는 선택된 비트라인에 프리차지 전압을 인가하는 단계; 및상기 선택된 메모리셀을 포함하는 셀 스트링 외의 다른 셀 스트링들에 연결되는 선택되지 않은 비트라인들에는 0V를 인가하는 단계를 더 포함하는 낸드 플래시 메모리소자의 리드 방법.
- 제7항에 있어서,상기 프리차지 전압은 전원전압을 인가하는 낸드 플래시 메모리소자의 리드 방법.
- 제7항에 있어서,상기 프리차지 전압은 0.5V 내지 7V로 설정하는 낸드 플래시 메모리소자의 리드 방법.
- 드레인 선택 트랜지스터, 복수개의 메모리셀들 및 소스 선택 트랜지스터가 직렬로 연결되어 이루어지고, 상기 드레인 선택 트랜지스터는 각각의 비트라인에 연결되는 셀 스트링을 포함하는 낸드 플래시 메모리소자의 리드 방법에 있어서,선택된 메모리셀을 포함하는 셀 스트링에 연결되는 선택된 비트라인에 프리차지 전압을 인가하는 단계;상기 선택된 비트라인 외의 다른 비트라인들에는 0V를 인가하는 단계;상기 드레인 선택 트랜지스터의 게이트에 상기 드레인 선택 트랜지스터를 턴 온 시키는 제1 전압을 인가하는 단계;상기 복수개의 메모리셀들 중 선택된 메모리셀의 게이트에 리드전압을 인가하는 단계;상기 복수개의 메모리셀들 중 상기 선택되지 않은 메모리셀들 중에서 상기 선택된 메모리셀에 인접한 메모리셀의 게이트에는 제1 패스전압을 인가하고, 나머지 메모리셀의 게이트에는 제2 패스전압을 인가하되, 상기 제1 패스전압은 상기 제1 패스전압이 인가되는 메모리셀을 턴온시키면서 상기 제2 패스전압보다는 작도록 설정하는 단계;상기 소스 선택 트랜지스터의 게이트에 상기 소스 선택 트랜지스터를 턴 온 시키는 제2 전압을 인가하되, 상기 제2 전압은 상기 제1 전압과 상기 제1 패스전압 및 제2 패스전압이 인가된 후에 인가되도록 하는 단계; 및상기 선택된 비트라인의 전압 변화를 감지하여 상기 선택된 메모리셀이 프로그램 상태인지 이레이즈 상태인지를 판별하는 단계를 포함하는 낸드 플래시 메모리소자의 리드 방법.
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