KR100960838B1 - 액침 노광 프로세스용 레지스트 보호막 형성용 재료, 및 이보호막을 이용한 레지스트 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
평가용 기판 1 | 평가용 기판 2 | |
추출 아민 농도 | 0.07 | <0.02 |
추출 양이온 농도 | 18.0 | <1.2 |
추출 음이온 농도 | 10.0 | <1.2 |
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- 레지스트막 상에 설치되고, 액침 노광 프로세스에 제공되는 상기 레지스트막을 보호하는 레지스트 보호막 형성용 재료로서,노광광에 대하여 투명하고, 물에 대하여 실질적인 상용성(相溶性)을 갖지 않고, 또한 알칼리 현상액에 가용인 특성을 갖고,상기 레지스트 막을 형성하는 레지스트 조성물의 베이스 폴리머는 실세스퀴옥산 수지인 것을 특징으로 하는 액침 노광 프로세스용 레지스트 보호막 형성용 재료.
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- 레지스트막 상에 설치되고, 액침 노광 프로세스에 제공되는 상기 레지스트막을 보호하는 레지스트 보호막 형성용 재료로서,노광광에 대하여 투명하고, 물에 대하여 실질적인 상용성(相溶性)을 갖지 않고, 또한 알칼리 현상액에 가용인 특성을 갖고,상기 레지스트막을 형성하는 레지스트 조성물의 베이스 폴리머는 (i) 불소 원자 또는 불소화알킬기, 및 (ii) 알코올성 수산기 또는 알킬옥시기를, 모두 갖는 지방족 환식기를 포함한 알칼리 가용성의 구성 단위를 갖는 폴리머인 것을 특징으로 하는 액침 노광 프로세스용 레지스트 보호막 형성용 재료.
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- 레지스트막 상에 설치되고, 액침 노광 프로세스에 제공되는 상기 레지스트막을 보호하는 레지스트 보호막 형성용 재료로서,노광광에 대하여 투명하고, 물에 대하여 실질적인 상용성(相溶性)을 갖지 않고, 또한 알칼리 현상액에 가용인 특성을 갖고,하기 일반식 (201)(CnF2n+1SO2)2NH ----- (201)(식 중, n 은, 1~5 의 정수이다.)로 표시되는 탄화불소 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 액침 노광 프로세스용 레지스트 보호막 형성용 재료.
- 레지스트막 상에 설치되고, 액침 노광 프로세스에 제공되는 상기 레지스트막을 보호하는 레지스트 보호막 형성용 재료로서,노광광에 대하여 투명하고, 물에 대하여 실질적인 상용성(相溶性)을 갖지 않고, 또한 알칼리 현상액에 가용인 특성을 갖고,하기 일반식 (202)CmF2m+1COOH ----- (202)(식 중, m 은, 10~15 의 정수이다.)로 표시되는 탄화불소 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 액침 노광 프로세스용 레지스트 보호막 형성용 재료.
- 레지스트막 상에 설치되고, 액침 노광 프로세스에 제공되는 상기 레지스트막을 보호하는 레지스트 보호막 형성용 재료로서,노광광에 대하여 투명하고, 물에 대하여 실질적인 상용성(相溶性)을 갖지 않고, 또한 알칼리 현상액에 가용인 특성을 갖고,하기 일반식 (204)(식 중, p 는 2~3 의 정수이며, Rf 는, 일부 또는 전부가 불소 원자에 의해 치환된 알킬기로서, 수산기, 알콕시기, 카르복실기, 아미노기에 의해 치환되어 있어도 되는 알킬기이다.)로 표시되는 탄화불소 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 액침 노광 프로세스용 레지스트 보호막 형성용 재료.
- 제 12 항에 있어서,상기 일반식 (201) 로 표시되는 탄화불소 화합물은 하기 화학식 (205)(C4F9SO2)2NH ‥‥ (205)로 표시되는 화합물, 또는 하기 화학식 (206)(C3F7SO2)2NH ‥‥ (206)로 표시되는 탄화불소 화합물인 것을 특징으로 하는 레지스트 보호막 형성용 재료.
- 제 13 항에 있어서,상기 일반식 (202) 로 표시되는 탄화불소 화합물은 하기 화학식 (207)C10F21COOH ----- (207)로 표시되는 탄화불소 화합물인 것을 특징으로 하는 레지스트 보호막 형성용 재료.
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- 액침 노광 프로세스를 이용한 레지스트 패턴 형성 방법으로서,기판 상에 포토 레지스트막을 형성하고,상기 레지스트막 상에, 제 7 항, 제 10 항, 및 제 12 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 기재된 보호막 형성용 재료를 이용하여, 보호막을 형성하고,상기 레지스트막과 상기 보호막이 적층된 상기 기판의 적어도 상기 보호막 상에, 소정 두께의 상기 액침 노광용 액체를 직접적으로 배치하고,상기 액침 노광용 액체 및 상기 보호막을 개재하여, 상기 레지스트막에, 선택적으로 광을 조사하고,알칼리 현상액을 이용하여 상기 보호막과 상기 레지스트막을 현상 처리함으로써, 상기 보호막을 제거하는 것과 동시에 레지스트 패턴을 얻는 것을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제 21 항에 있어서, 상기 레지스트 막에 광을 조사하는 단계와, 상기 보호막과 상기 레지스트막을 현상 처리하는 단계 사이에, 가열 처리를 실시하는 것을 추가로 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제 7 항, 제 10 항, 및 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 액침 노광 프로세스는 리소그래피 노광광이 레지스트막에 도달할 때까지의 경로의 적어도 상기 레지스트막 상에, 공기보다 굴절률이 크고 또한 상기 레지스트막보다 굴절률이 작은 소정 두께의 액침 노광용 액체를 개재시킨 상태에서, 상기 레지스트막을 노광함으로써 레지스트 패턴의 해상도를 향상시키는 구성인 것을 특징으로 하는 레지스트 보호막 형성용 재료.
- 제 7 항, 제 10 항, 및 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 노광광은 157㎚ 혹은 193㎚ 를 주파장으로 하는 광인 것을 특징으로 하는 레지스트 보호막 형성용 재료.
- 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 레지스트막을 형성하는 레지스트 조성물의 베이스 폴리머는 (메트)아크릴산에스테르 단위로 이루어지는 폴리머인 것을 특징으로 하는 레지스트 보호막 형성용 재료.
- 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 레지스트막을 형성하는 레지스트 조성물의 베이스 폴리머는 디카르복실산의 산무수물 함유 구성 단위를 갖는 폴리머인 것을 특징으로 하는 레지스트 보호막 형성용 재료.
- 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 레지스트막을 형성하는 레지스트 조성물의 베이스 폴리머는 페놀성 수산기 함유 구성 단위를 갖는 폴리머인 것을 특징으로 하는 레지스트 보호막 형성용 재료.
- 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 레지스트막을 형성하는 레지스트 조성물의 베이스 폴리머는 α-(히드록시알킬)아크릴산 단위를 갖는 폴리머인 것을 특징으로 하는 레지스트 보호막 형성용 재료.
- 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 레지스트막을 형성하는 레지스트 조성물의 베이스 폴리머는 디카르복실산모노에스테르 단위를 갖는 폴리머인 것을 특징으로 하는 레지스트 보호막 형성용 재료.
- 제 23 항에 있어서,상기 액침 노광용 액체는 실질적으로 순수 혹은 탈이온수로 이루어지는 물, 혹은 불소계 용제인 것을 특징으로 하는 레지스트 보호막 형성용 재료.
- 제 7 항, 제 10 항, 및 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,2-메틸-1-프로판올 및 4-메틸-2-펜탄올로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 용제를 함유하는 레지스트 보호막 형성용 재료.
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