KR100928234B1 - 반송암의 후퇴허가위치 결정방법 및 그 교시장치 - Google Patents

반송암의 후퇴허가위치 결정방법 및 그 교시장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반송암의 후퇴허가 위치 결정방법 및 그 교시장치에 관한 것으로, 반송암에서 기판의 주변부를 유지하여 해당 기판을 재치대의 위쪽으로 반송하고, 재치대를 관통하여 상하이동하는 지지핀상에 기판을 얹어 반송암을 재치대 바깥으로 후퇴시킬 때에 반송암의 후퇴허가위치를 교시하는 것에 관한 것이다.
본 발명은 지지핀이 삽입통과가능한 삽입통과공이 형성되고, 또한 반송암에 유지할 수 있는 기판과 동일한 크기의 원판과, 이 원판의 삽입통과공에 삽입통과되는 지지핀의 유무를 검출가능한 센서를 갖는다. 센서로부터의 출력신호를 받아, 지지핀 선단부의 검출위치에서 적어도 반송암의 두께부분을 넘는 만큼, 상대적으로 반송암을 원판에 대해 수직방향으로 이동시킨 위치를 연산에 의해 구하고, 그 위치를 반송암의 후퇴허가위치로 교시한다.

Description

반송암의 후퇴허가위치 결정방법 및 그 교시장치{METHOD OF DETERMINING RETREAT PERMISSION POSITION OF CARRIER ARM AND TEACHING DEVICE THEREOF}
도 1 은 본 발명에 관한 교시장치의 일례를 도시하는 개략사시도이다.
도 2 는 본 발명에서 사용하는 원판과 반송암의 개략단면도이고, 도 2(a)는 지지핀이 원판의 삽입관통공을 삽입관통하기 전의 상태, 도 2(b)는 지지핀이 원판의 삽입공을 삽입관통한 상태를 도시하고 있다.
도 3 은 본 발명의 방법에 있어서 웨이퍼와 반송 암의 개략단면도이고, 도 3(a)은 지지핀상에 반송 암이 웨이퍼를 둔 후, 반송 암의 두께부분만큼 반송 암이 상대적으로 하강한 상태, 도 3(b)은 지지핀상에 반송 암이 웨이퍼를 둔 후, 반송 암의 두께부분에 여유폭을 더한 만큼 반송 암이 상대적으로 하강한 상태를 도시하고 있다.
도 4 는 본 발명의 교시장치를 적용한 레지스트액 도포 ·현상처리 시스템의 개략평면도이다.
도 5 는 도 4의 레지스트액 도포 ·현상처리 시스템의 개략정면도이다.
도 6 은 도 4의 레지스트액 도포 ·현상처리 시스템의 개략배면도이다.
도 7 은 본 발명의 교시장치가 적용되는 열처리장치의 구성을 도시하는 개략단면도이다.
도 8 은 도 7의 열처리장치의 반송장치 구성을 도시한 개략평면도이다.
도 9 는 도 7의 열처리장치의 반송장치 구성을 도시하는 개략단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
5 : 원판 6 : 투과공
7 : 삽입통과공 8 : 광센서
8a : 발광소자 8b : 수광소자
9 : 카메라 25 : 재치대
28 : 반송암 72 : 빛
80 : 지지핀 90 : 중심 타겟
본 발명은, 예를 들면 반도체 웨이퍼와 액정용 유리기판 등의 박판상의 기판(이하, 간단히 기판이라 한다.)을 반송암에서 복수의 지지핀을 경유하여 처리장치 등의 재치대 상에 인도할 때, 기판을 지지핀으로 인도한 후 반송암의 후퇴허가 위치를 결정하는 방법, 및 후퇴허가 위치를 교시하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 웨이퍼의 제조공정에 있어서는 반도체 웨이퍼와 LCD기판 등의 기판표면에 레지스트의 패턴을 형성하기 위해, 포토리소그래피기술이 이용되고 있다. 이 포토리소그래피기술은 기판 표면에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포공정과, 형성된 레지스트막에 회로패턴을 노광하는 노광처리공정과, 노광처리 후의 기판에 현상액을 공급하는 현상처리공정을 갖고 있다.
상기 처리공정간에 있어서,
예를 들면, 레지스트 도포공정과 노광처리 공정간에 이루어지는 레지스트막 중의 잔류용제를 증발시켜서 기판과 레지스트막과의 밀착성을 향상시키기 위한 가열처리(프리베이크)와,
노광처리공정과 현상처리공정과의 사이에 이루어지는 프린지의 발생을 방지하기 위한, 혹은 화학증폭형 레지스트(CAR : chemically amplified resist)에 있어서의 산촉매반응을 유기하기 위한 가열처리(포스트 익스포저베이크(PEB))와,
현상처리공정 후에 이루어지는 레지스트 중의 잔류용매와 현상시에 레지스트 중에 설치된 린스액을 제거하고, 웨트 에칭 시의 침투를 개선하기 위한 가열처리(포스트베이크) 등, 여러가지 가열처리가 이루어진다.
가열처리에 사용되는 열처리장치로서는 도 8, 도 9에 도시하는 것과 같은 장치가 종래부터 사용되고 있다. 이 장치는 히터(26)를 갖고 피처리기판인 반도체 웨이퍼(W, 이하 웨이퍼(W)라 한다.)를 소정온도로 가열가능한 재치대(25)와, 가열처리 시에 웨이퍼(W)를 재치대(25)에 대해 약간 간극을 두고 지지하는 프록시미티 핀(70)과, 재치대(25)의 동심원상에 복수, 예를 들면 3개소에 등간격으로 설치한 지지핀 안내용 관통공을 관통하는 승강가능한 복수, 예를 들면 3개의 지지핀(80)을 갖고 있다. 그리고 웨이퍼(W)는 지지핀(80)의 선단부에서 지지되고, 지지핀(80)이 하강하므로써, 재치대(25)상에, 보다 정확하게 말하면 프록시미티 핀(70)상에 웨이 퍼(W)가 재치된다.
이 열처리장치에 대한 웨이퍼(W) 인수인계는 피처리기판(웨이퍼(W))의 주변부를 기판반송기구(21)의 반송암(28)에서 유지하고, 해당 웨이퍼(W)를 재치대(25) 위쪽으로 반송하고, 반송암(28)을 하강시키든지 혹은 지지핀(80)이 상승하거나 하여 지지핀(80)상에 웨이퍼(W)를 얹고, 그 후 반송암(28)이 후퇴하여 재치대(25) 바깥으로 퇴피한 후, 지지핀(80)이 하강하여 재치대(25)상에 웨이퍼(W)가 재치되도록 하여 이루어진다.
이러한 인도에 있어서는 예를 들면 3개의 지지핀(80) 선단부가 웨이퍼(W) 하면에 당접할 때의 높이위치, 즉 지지핀(80)의 웨이퍼(W) 지지위치를 기준으로 하고 반송암(28)이 웨이퍼(W)의 인도공정에서 방해되지 않는 것이 필요해진다. 즉 반송암(28)이 지지핀(80)에 대해 웨이퍼(W)를 인도한 후, 재치대(25) 바깥으로 후퇴하기 시작할 때의 후퇴허가위치가 적절하게 결정되어 있을 필요가 있다. 이것이 부적절할 때, 다음과 같은 문제가 발생한다. 예를 들면 반송암(28)을 하강시켜서 지지핀(80)에 웨이퍼(W)를 인도하는 형식의 경우에는 반송암(28)을 하강시키는 하한 즉 반송암(28)을 되돌리는 타이밍이 부적절해지고, 웨이퍼(W)가 얹혀있는 상태의 반송암(28)을 되돌려버리게 된다. 또, 지지핀(80)을 상승시키고 지지핀(80)에 웨이퍼(W)를 인도하는 형식의 경우에서는 지지핀(80)을 상승시키는 상한, 즉 반송암(28)을 되돌리는 타이밍이 부적절해지고, 웨이퍼(W)가 얹혀있는 상태의 반송암(28)을 되돌려버리게 된다.
또 이런 종류의 기판 인도에 있어서는 지지핀(80)에 웨이퍼(W)를 인도할 때, 웨이퍼(W)의 위치착오가 발생하지 않도록 하기 위해, 반송암(28)의 수평면 내의 위치조정도 중요하다.
이 때문에 종래보다 실제로 웨이퍼(W)를 반송하기에 앞서, 기판반송장치의 반송암에 대해, 오퍼레이터에 의한 반송암의 후퇴허가위치와 기판의 인도위치 티칭(teaching, 반송교시)작업이 이루어져 있다. 구체적으로는 종래 상기 3개의 지지핀(80) 선단부가 웨이퍼(W) 하면에 당접할 때의 높이위치에서 소정량 높이 방향으로 떨어진 위치(즉 반송암의 후퇴허가위치)를 오퍼레이터의 게이지에 의한 계측을 기준으로 하여 구하고, 그 반송암의 후퇴허가위치에 기초하여 기판반송장치의 로보트 팔의 조작량을 결정하고 수동입력으로 로보트 팔 조작을 교시하고 있었다.
그러나, 게이지로 계측하여 반송 암의 후퇴허가위치를 결정하는 작업은 작업원이 작업하기 어렵고 또 안전상의 문제도 있었다. 따라서, 반송 암의 후퇴허가위치 등을 자동적으로 결정하고, 그것을 반송 암에 교시하여 수단을 제공하는 것이 요구된다.
또 상기 반송암을 구비한 이런 종류의 기판반송장치에서는 지지핀에 인도되는 기판의 수평면 내 위치결정을 위해, 반송 암을 수평면 내에서 어느 정도까지 길이방향으로 전진시켜야 될 지의 조정, 또는 좌우방향으로의 미세조정에 관해서도 반송 암에 교시할 수 있는 방법의 제공이 요구된다.
본 발명의 목적은 기판을 지지핀에 인도한 후에 있어서 반송 암의 후퇴허가위치를 자동적으로 결정하고, 반송 암에 교시하는 기술을 제공하는 것, 또한 반송 암의 기판인도위치의 판단을 쉽게 하는 기술을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 방법은, 반송 암에서 기판의 주변부를 유지하여 해당 기판을 재치대의 위쪽으로 반송하고, 상기 재치대를 관통하는 승강가능한 복수의 지지핀상에 상기 기판을 얹고, 그 후 상기 반송 암을 재치대 바깥으로 후퇴하여 퇴피시킬 때의 상기 반송 암의 후퇴허가위치를 결정하는 방법에 있어서, 이하의 것을 갖는다. 즉 상기 기판과 동일한 크기의 원판을 준비하고, 상기 원판에는 상기 복수의 지지핀이 삽입통과 가능하게 형성된 복수의 삽입통과공 중 적어도 하나의 삽입통과공에 대해 상기 지지핀의 유무를 검출가능한 센서를 설치한다. 그리고 상기 원판의 주변부를 상기 반송 암으로 유지하고 상기 재치대 위쪽으로 반송하고, 상기 반송 암과 지지핀을 수직방향으로 상대 이동시키고, 지지핀의 선단부를 상기 센서로 검출하고, 상기 지지핀 선단부의 검출위치에서 적어도 상기 반송 암의 두께부분을 넘는 부분만큼, 상대적으로 반송암을 상기 원판에 대해 높이방향으로 이동시킨 위치를 구하고, 해당 위치를 반송암의 후퇴허가위치로 한다.
본 발명의 장치는 반송암에서 기판의 주변부를 유지하고 해당 기판을 재치대의 상방으로 반송하고, 상기 재치대를 관통하는 승강가능한 복수의 지지핀상에 상기 기판을 얹고, 상기 반송 암을 재치대 바깥으로 후퇴하여 퇴피시킬 때의 상기 반송암의 후퇴허가위치를 교시하는 장치에 있어서, 상기 지지핀이 삽입관통가능한 삽입관통공이 형성되고, 또한 상기 반송암에 유지할 수 있는 상기 기판과 동일한 크기의 원판과, 상기 원판에 설치되고, 이 원판의 삽입관통공에 삽입관통되는 지지핀의 유무를 검출가능한 센서와, 상기 센서로부터의 출력신호를 받고, 지지핀 선단부의 검출위치에서 적어도 상기 반송암의 두께부분을 넘는 부분만큼, 상대적으로 반 송 암을 상기 원판에 대해 수직방향으로 이동시킨 위치를 연산에 의해 구하고, 그 위치를 상기 반송 암의 후퇴허가위치로서 해당 반송 암에 교시하는 콘트롤러를 구비한다.
본 발명에 따르면, 삽입관통공 내에서 지지핀의 선단부를 상기 센서로 검출하므로, 상기 지지핀 선단부의 검출위치에서 적어도 상기 반송 암의 두께부분을 넘는 부분만큼, 상대적으로 반송 암을 상기 원판에 대해 높이방향으로 이동시킨 위치를, 예를 들면, 연산 등에 의해 구할 수 있고, 해당 위치를 반송암의 후퇴허가위치로 이용하므로써 자동적으로 반송암의 후퇴허가위치를 교시할 수 있게 된다.
또한, 상기 원판으로, 중앙부에 형성된 투공과, 해당 투공에서 하방의 이미 알려진 중심타겟을 볼수있는 카메라를 갖고 있는 것을 사용하면, 원판에 설치한 카메라에 의해 상기 투공에서 하방의 이미 알려진 중심타겟을 볼 수있으므로, 화상을 보면서, 쉽게 반송암의 전지위치 및 좌우의 미세조정을 할 수 있으므로, 기판의 인도위치를 정확하게 검출할 수 있다.
이하에, 본 발명의 실시예를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 이 실시예에서는 기판의 반도체 웨이퍼를 가열처리하는 열처리장치(핫 플레이트 유닛)에 있어서 기판반송장치를 예로 하여 설명한다.
도 4는 레지스트액 도포 ·현상처리 시스템의 하나의 실시예의 개략평면도, 도 5는 도 4의 정면도, 도 6은 도 5의 배면도이다.
상기 처리시스템은 피처리체(기판)로서 반도체 웨이퍼(W, 이하에 웨이퍼(W) 라 한다.)를 웨이퍼카세트(1)에서 복수매 예를 들면 25매 단위로 외부로부터 시스템으로 반입 또는 시스템에서 반출하거나, 웨이퍼카세트(1)에 대해 웨이퍼(W)를 반출 ·반입하거나 하기 위한 카세트스테이션(10, 반송부)과, 도포현상 공정 중에서 1매씩 웨이퍼(W)에 소정의 처리를 실시하는 매엽식 각종 처리유닛을 소정위치에 다단배치하여 이루어지는 처리장치를 구비하는 처리스테이션(20)과, 이 처리스테이션(20)과 인접하여 설치되는 노광장치(미도시) 사이에서 웨이퍼(W)를 인도하기 위한 인터페이스부(30)로 주요부가 구성되어 있다.
상기 카세트스테이션(10)은 도 4에 도시하는 것과 같이 카세트재치대(2)상의 돌기(3) 위치에 복수개 예를 들면 4개까지의 웨이퍼카세트(1)가 각각의 웨이퍼 출입구를 처리스테이션(20)측을 향해 수평의 X방향을 따라 일렬로 재치되고, 카세트배열방향(X방향) 및 웨이퍼카세트(1)내에 수직방향을 따라 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼배열방향(Z방향)으로 이동가능한 웨이퍼반송용 핀셋(4)이 각 웨이퍼카세트(1)에 선택적으로 반송하도록 구성되어 있다. 웨이퍼반송용 핀셋(4)은, θ방향으로 회전가능하게 구성되어 있고, 후술하는 처리스테이션(20)측의 제 3 조(G3)의 다단유닛부에 속하는 얼라이먼트 유닛(ALIM) 및 익스텐션 유닛(EXT)에도 반송할 수 있게 되어있다.
처리스테이션(20)은 도 4에 도시하는 것과 같이 중심부에 수직반송형 주웨이퍼반송기구(기판반송기구, 기판반송장치, 21)가 설치되고, 이 주 웨이퍼반송기구(21)를 수용하는 실(22) 주변에 모든 처리유닛이 1조 또는 복수의 조에 걸쳐서 다단으로 배치되어 있다. 이 예에서는 5개의 조(G1, G2, G3, G4) 및 (G5)가 배치되어 있다. 제 1 및 제 2 조(G1, G2)의 다단유닛은 시스템정면(도 8에 있어서 앞쪽방향)측으로 병렬되고, 제 3 조(G3)의 다단유닛은 카세트 스테이션(10)에 인접하여 배치되고, 제 4 조(G4)의 다단유닛은 인터페이스부(30)에 인접하여 배치되고, 제 5 조(G5)의 다단유닛은 배부측에 배치되어 있다.
이 경우, 도 5에 도시하는 것과 같이 제 1 조(G1)에서는 컵(23) 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척(미도시)에 재치하여 소정의 처리를 하는 2대의 스피너형 처리유닛 예를 들면 레지스트 도포유닛(COT) 및 레지스트 패턴을 현상하는 현상유닛(DEV)이 수직방향 아래로부터 순서대로 2단으로 겹쳐져 있다. 제 2 조(G2)도 동일하게 2대의 스피너형 처리유닛 예를 들면 레지스트 도포유닛(COT) 및 현상유닛(DEV)이 수직방향 아래로부터 순서대로 2단으로 겹쳐져 있다. 이렇게 레지스트 도포유닛(COT)을 하단측에 배치한 이유는 레지스트액의 배액이 기구적으로도 관리상으로도 귀찮기 때문이다. 그러나, 필요에 따라 레지스트 도포유닛(COT)을 상단에 배치하는 것도 가능하다.
도 6에 도시하는 것과 같이 제 3 조(G3)에서는 웨이퍼(W) 재치대(24)에 재치하여 소정처리를 하는 오븐형 처리유닛 예를 들면 웨이퍼(W)를 냉각하는 쿨링유닛(COL), 웨이퍼(W)에 소수화 처리를 하는 부착유닛(AD), 웨이퍼(W)의 위치조절을 하는 얼라이먼트 유닛(ALIM), 웨이퍼(W)의 반입출을 하는 익스텐션 유닛(EXT), 웨이퍼(W)를 베이크하는 네개의 핫 플레이트 유닛(HP)이 수직방향 아래로부터 예를 들면 8단으로 겹쳐져 있다. 제 4 조(G4)도 동일하게 오븐형 처리유닛 예를 들면 쿨링유닛(COL), 익스텐션 ·쿨링유닛(COL), 급냉기능을 갖는 두개의 칠 링 핫 플레이트 유닛(CHP) 및 두개의 핫 플레이트 유닛(HP)이 수직방향 아래로부터 순서대로 예를 들면 8단으로 겹쳐져 있다.
상기와 같이 처리온도가 낮은 쿨링유닛(COL), 익스텐션 ·쿨링 유닛(EXTCOL)을 하단에 배치하고, 처리온도가 높은 핫 플레이트 유닛(HP), 칠링 핫 플레이트 유닛(CHP) 및 부착유닛(AD)을 상단에 배치하므로써, 유닛간의 열적인 상호간섭을 적게 할 수 있다. 물론, 무작위 다단배치로 하는 것도 가능하다.
또, 도 4에 도시하는 것과 같이 처리스테이션(20)에 있어서 제 1 및 제 2 조(G1, G2)의 다단유닛(스피너형 처리유닛)에 인접하는 제 3 및 제 4 조(G3, G4)의 다단유닛(오븐형 처리유닛)의 측벽 중에는 각각 덕트(65, 66)가 수직방향으로 종단하여 설치되어 있다. 이들 덕트(65, 66)에는 다운플로의 청정공기 또는 특별하게 온도조정된 공기가 흐르게 되어있다. 이 덕트구조에 의해 제 3 및 제 4 조(G3, G4)의 오븐형 처리유닛에서 발생한 열은 차단되고, 제 1 및 제 2 조(G1, G2)의 스피너형 처리유닛에는 미치지 않게 되어있다.
이 처리시스템에서는 주 웨이퍼반송기구(21)의 배부측에도 도 4에 점선으로 도시하는 것과 같이 제 5 조(G5)의 다단유닛을 배치할 수 있게 되어있다. 이 제 5 조(G5)의 다단유닛은 안내레일(67)을 따라 주 웨이퍼반송기구(21)에서 보아 측방향으로 이동할 수 있게 되어있다. 따라서, 제 5 조(G5)의 다단유닛을 설치한 경우라도, 유닛을 슬라이드하므로써 공간부가 확보되므로, 주 웨이퍼반송기구(21)에 대해 배후에서 관리작업을 쉽게 할 수 있다.
상기 인터페이스부(30)는 길이방향에서는 처리스테이션(20)과 동일한 치수를 갖지만, 폭방향에서는 작은 사이즈로 만들어져 있다. 이 인터페이스부(30)의 정면부에는 반송가능한 픽업카세트(31)와 정치형 버퍼카세트(32)가 2단으로 배치되고, 배면부에는 주변노광장치(33)가 배설되고, 중앙부에는 웨이퍼의 반송 암(34)이 배설되어 있다. 이 반송 암(34)은 X, Y방향으로 이동하고 양 카세트(31, 32) 및 주변 노광장치(33)로 반송하도록 구성되어 있다. 또 반송암(34)은 θ방향으로 회전가능하게 구성되고, 처리스테이션(20)측 제 4 조(G4)의 다단유닛에 속하는 익스텐션 유닛(EXT) 및 인접하는 노광장치측 웨이퍼인수대(미도시)에도 반송할 수 있도록 구성되어 있다.
상기와 같이 구성되는 처리시스템은 쿨링 룸(40)내에 설치되지만, 또한 시스템내에서도 효율적인 수직층류방식에 의해 각 부의 청정도를 높이고 있다.
다음으로, 상기 처리시스템의 동작에 관해 설명한다.
우선, 카세트 스테이션(10)에 있어서, 웨이퍼 반송용 핀셋(4)이 카세트재치대(2)상의 미처리 웨이퍼(W)를 수용하고 있는 카세트(1)에 액세스하고, 그 카세트(1)에서 1매의 웨이퍼(W)를 반출한다. 웨이퍼 반송용 핀셋(4)은 카세트(1)에서 웨이퍼(W)를 반출하면, 처리스테이션(20)측 제 3 조(3)의 다단유닛내에 배치되어 있는 얼라이먼트 유닛(ALIM)까지 이동하고, 유닛(ALIM)내의 웨이퍼재치대(24)상에 웨이퍼(W)를 얹는다. 웨이퍼(W)는 웨이퍼재치대(24)상에서 올리플라조절 및 센터링을 받는다. 그 후, 주 웨이퍼반송기구(21)가 얼라이먼트유닛(ALIM)에 반대측에서 액세스하고 웨이퍼재치대(24)에서 웨이퍼(W)를 수취한다.
처리스테이션(20)에 있어서 주 웨이퍼 반송기구(21)는 웨이퍼(W)를 처음에 제 3 조(G3)의 다단유닛에 속하는 부착유닛(AD)으로 반입한다. 이 부착유닛(AD)내에서 웨이퍼(W)는 소수화처리를 받는다. 소수화처리가 종료하면, 주 웨이퍼반송기구(21)는 웨이퍼(W)를 부착유닛(AD)에서 반출하고 다음으로 제 3 조(G3) 또는 제 4 조(G4)의 다단유닛에 속하는 쿨링 유닛(COL)으로 반입한다. 이 쿨링유닛(COL)내에서 웨이퍼(W)는 레지스트 도포처리 전의 설정온도 예를 들면 23℃까지 냉각된다. 냉각처리가 종료하면, 주 웨이퍼 반송장치(21)는 웨이퍼(W)를 쿨링 유닛(COL)에서 반출하고, 다음으로 제 1 조(G1) 또는 제 2 조(G2)의 다단유닛에 속하는 레지스트 도포유닛(COT)으로 반입한다. 이 레지스트 도포유닛(COT)내에서 웨이퍼(W)는 스핀코트법에 의해 웨이퍼(W) 표면에 똑같은 막두께로 레지스트를 도포한다.
레지스트 도포처리가 종료하면, 주 웨이퍼 반송기구(21)는 웨이퍼(W)를 레지스트 도포유닛(COT)에서 반출하고, 다음으로 핫 플레이트 유닛(HP)내로 반입한다. 핫 플레이트 유닛(HP)내에서 웨이퍼(W)는 재치대상에 재치되고, 소정온도 예를 들면 100℃로 소정시간 프리베이크처리된다. 이에 의해 웨이퍼(W)상의 도포막에서 잔존용제를 증발제거할 수 있다. 프리베이크가 종료하면, 주 웨이퍼반송기구(21)는 웨이퍼(W)를 핫 플레이트 유닛(HP)에서 반출하고 다음으로 제 4 조(G4)의 다단유닛에 속하는 익스텐션 ·쿨링유닛(EXTCOL)으로 반송한다.
이 쿨링유닛(COL)내에서 웨이퍼(W)는 다음 공정 즉 주변노광장치(33)에 있어서 주변노광처리에 적합한 온도 예를 들면 24℃까지 냉각된다. 이 냉각 후, 주 웨이퍼 반송기구(21)는 웨이퍼(W)를 바로 위의 익스텐션 유닛(EXT)로 반송하고 이 유닛(EXT)내의 재치대(미도시)위에 웨이퍼(W)를 재치한다. 이 익스텐션 유닛(EXT)의 재치대상에 웨이퍼(W)가 재치되면, 인터페이스부(30)의 반송암(34)이 반대측에서 액세스하여 웨이퍼(W)를 수취한다. 그리고, 반송암(34)은 웨이퍼(W)를 인터페이스부(30) 내의 주변노광장치(33)로 반입한다. 여기에서 웨이퍼(W)는 에지부에 노광을 받는다.
주변노광이 종료되면, 반송암(34)은 웨이퍼(W)를 주변노광장치(33)에서 반출하고, 인접한 노광장치측 웨이퍼수취대(미도시)로 이송한다. 이 경우, 웨이퍼(W)는 노광장치로 인도되기 전에 버퍼카세트(32)에 일시적으로 수납되는 일도 있다.
노광장치에서 전면노광을 마치고, 웨이퍼(W)가 노광장치측 웨이퍼수취대로 되돌아가면 인터페이스부(30)의 반송암(34)의 반송암(34)은 그 웨이퍼수취대로 액세스하여 웨이퍼(W)를 수취하고, 수취한 웨이퍼(W)를 처리스테이션(20)측 제 4 조(G4)의 다단유닛에 속하는 익스텐션 유닛(EXT)으로 반입하고, 웨이퍼수취대상에 재치한다. 이 경우에도 웨이퍼(W)는 처리스테이션(20)측으로 인도되기 전에 인터페이스부(30)내의 버퍼카세트(32)에 일시적으로 수납되는 일도 있다.
노광장치에서 전면 노광이 끝나고, 웨이퍼(W)가 노광장치측 웨이퍼수취대에 되돌아가면, 인터페이스부(30)의 반송 암(34)은 그 웨이퍼수취대에 액세스하여 웨이퍼(W)를 수취하고 수취한 웨이퍼(W)를 처리스테이션(20)측 제 4 조(G4)의 다단유닛에 속하는 익스텐션 유닛(EXT)으로 반입하고 웨이퍼수취대상에 재치한다. 이 경우에도 웨이퍼(W)는 처리스테이션(20)측으로 인도되기 전에 인터페이스부(30)의 버퍼카세트(32)에 일시적으로 수납되는 일도 있다.
웨이퍼수취대상에 재치된 웨이퍼(W)는 주 웨이퍼 반송기구(21)에 의해, 칠링 핫 플레이트 유닛(CHP)으로 반송되고, 프린지의 발생을 방지하기 위해, 혹은 화학증폭형 레지스트(CAR)에 있어서 산촉매반응을 유기하기 위해 포스트 익스포저 베이크처리가 실시된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 제 1 조(G1) 또는 제 2 조(G2)의 다단유닛에 속하는 현상유닛(DEV)에 반입된다. 이 현상유닛(DEV)내에서는 웨이퍼(W)는 스핀 척상에 재치되고, 예를 들면 스프레이방식과 노즐로부터의 토출방식에 의해 웨이퍼(W) 표면의 레지스트에 현상액이 빈틈없이 칠해진다. 현상이 종료되면, 웨이퍼(W)표면에 린스액이 칠해지고 현상액이 씻어진다.
현상공정이 종료되면, 주 웨이퍼 반송기구(210는 웨이퍼(W)를 현상유닛(DEV)에서 반출하고 다음으로 제 3 조(G3) 또는 제 4 조(G4)의 다단유닛에 속하는 핫 플레이트 유닛(HP)으로 반입한다. 이 유닛(HP)내에서 웨이퍼(W)는 예를 들면 100℃로 소정시간 포스트 베이크처리된다. 이에 의해 현상으로 팽윤한 레지스트가 경화되고, 내약품성이 향상된다.
포스트베이크가 종료되면, 주 웨이퍼 반송기구(21)는 웨이퍼(W)를 핫 플레이트 유닛(HP)에서 반출하고, 다음으로 어느 하나의 쿨링 유닛(COL)에 반입된다. 여기에서 웨이퍼(W)가 상온으로 돌아온 후, 주 웨이퍼 반송기구(21)는 다음으로 웨이퍼(W)를 제 3 조(G3)에 속하는 익스텐션 유닛(EXT)으로 이송한다. 이 익스텐션 유닛(EXT)의 재치대(미도시)상에 웨이퍼(W)가 재치되면, 카세트 스테이션(10)측 웨이퍼반송용 핀셋(4)이 반대측에서 액세스하고, 웨이퍼(W)를 수취한다. 그리고, 웨이퍼 반송용 핀셋(4)은 수취한 웨이퍼(W)를 카세트 재치대상의 처리완료 웨이퍼수용 용 카세트(1)의 소정 웨이퍼수용홈에 넣어서 처리가 완료된다.
다음으로, 핫 플레이트 유닛(HP)에 관해 도 7의 단면도를 참조하면서 설명한다.
핫 플레이트 유닛(HP)은 주 웨이퍼 반송기구(21)에 의해 반입된 웨이퍼(W)를 가열처리하는 처리실(50)이 형성되어 있고, 이 처리실(50)에는 외기와 차단하기 위한 셔터(51)와, 웨이퍼(W)를 재치하는 재치대(25)와, 재치대(25)상에서 웨이퍼(W)를 승강가능한 지지핀(80)을 갖고 있다.
셔터(51)는 승강실린더(52)의 작동에 의해 상하이동이 자유롭고, 셔터(51)가 상승했을 때에는 셔터(51)와 상부 중앙에 배기구(53)를 갖는 커버(54)에서 늘어뜨려진 스토퍼(55)가 접촉하고 처리실(50)내가 기밀하게 유지되도록 구성되어 있다. 또, 스토퍼(55)에는 급기구(미도시)가 설치되어 있고, 이 급기구에서 처리실(50)내로 유입된 공기는 상기 배기구(53)에서 배기되도록 구성되어 있다. 또한, 이러한 급기구에서 유입된 공기는 처리실(50)내의 웨이퍼(W)에 직접 접하지 않도록 구성되어 있고, 웨이퍼(W)를 소정 처리온도로 가열처리할 수 있다.
재치대(25)는 웨이퍼(W)보다 큰 원반상으로 형성되고, 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 열원 예를 들면 히터(26)가 내장되어 있다. 재치대(25)상에는 웨이퍼(W)를 재치대(25)와 간극을 갖게 해서 지지하는 프록시미티 핀(70)이 설치되어 있고, 웨이퍼(W)에 파티클 등이 부착되는 것을 방지하고 있다. 재치대(25)의 동심원상에는 지지핀(80)이 출입하기 위한 지지핀 안내용 관통공(27)이 등간격으로 복수, 여기에서는 3개 설치되어 있다. 이렇게 구성되는 재치대(25)는 예를 들면 알루미늄 합금 등 의 열전도성이 양호한 재료로 형성되어 있다.
지지핀(80)은 도 7에 도시하는 것과 같이 그 하부를 연결가이드(89)에 고정하고 있고, 연결가이드(89)는 타이밍 벨트(88)에 연결되어 있다. 타이밍 벨트(88)는 스테핑 모터(81)에 의해 구동되는 구동풀리(86)와, 이 구동풀리(86)의 위쪽에 배설되는 세로이동 풀리(87)에 걸쳐있고, 스테핑 모터(81)의 정역회전에 의해 지지핀(80)과 재치대(25)가 상대적으로 상하이동이 자유롭게 형성되어 있다. 따라서, 지지핀(80)은 웨이퍼(W)를 2점쇄선으로 표시하는 위치에서 지지할 수 있으며, 이 상태에서 지지핀(80)을 하강시키면, 실선으로 표시하도록 웨이퍼(W)를 재치대(25)상에 재치할 수 있다. 이 지지핀(80)도 상술한 프록시미티 핀(70)과 동일하게 지지핀(80)에서 웨이퍼(W)에 부여되는 열과 재치대(25) 표면에서 부여되는 열과의 차가 가급적 작아지도록 형성되어 있다.
그런데, 이 발명은, 상기 핫 플레이트 유닛(HP)와 같은 각종 처리유닛에 있어서 지지핀에 대해, 해당 지지핀과 상기 주 웨이퍼 반송기구(21)의 반송암(28, 도 8)과의 사이에서 기판인 웨이퍼(W)의 인수인계를 하는 기판반송장치 부분을 대상으로 한다.
상기 주 웨이퍼 반송기구(21)는 도 8에서 설명한 것과 같이 반송암(28)을 갖고 있고, 이것으로 웨이퍼(W)의 주변부를 유지하고 재치대(25)의 위쪽으로 반송하고, 복수, 예를 들면 3개의 지지핀(80, 도 9)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 인수인계를 한다. 이러한 동작에 있어서는 우선 수평면 내에 있어서, 반송암(28)에 의해 웨이퍼(W)를 바른 위치까지 보내는 것이 필요하고, 그러기 위해서는 웨이퍼(W) 중심 을 이미 알고있는 목표위치에 합치시키는 것이 필요하다.
또 상하방향(높이위치)에 관해서도 3개의 지지핀(80) 선단부에 기판을 지지시킨 후, 반송암(28)을 다른 부분으로의 간섭없이 되돌릴 수 있는 위치, 즉 웨이퍼(W)의 인도 후 반송암의 후퇴허가위치(제로 점)를 아는 것이 필요하다. 왜냐하면, 아직 웨이퍼(W)가 놓여있는 상태에서 반송암(28)을 되돌려버리는 불합리한 점을 피하기 위해서는 반송암(28)을 하강시켜야 할 하한위치 또는 지지핀(80)을 상승시켜야 할 상한위치를 알고, 반송암(28)을 되돌리는 적절한 타이밍을 찾아내어 반송암측에 교시할 필요가 있기 때문이다.
<교시용 치구 및 교시장치>
그래서, 이 실시예에서는 상기 3개의 지지핀(80) 선단부 높이위치를 자동적으로 검지하는 교시용 치구(5) 및 그 검지위치에서 반송암의 후퇴허가위치(제로 점)를 산출하여 주 웨이퍼 반송기구(21)에 교시하는 교시장치를 이용한다.
교시용 치구는 도 1에 도시하는 것과 같이 기판인 웨이퍼(W)와 동일한 크기 원판에 있어서, 중앙부에 투공(6)을 갖고 그 주위의 평면 내에 복수(도면에서는 3개의 경우를 도시한다.)의 지지핀(80)에 대한 삽입통과공(7)을 갖는 복수의 원판(5)과, 이 원판(5)에 설치되고, 원판(5)의 중앙부 투공(6)에서 아래쪽의 이미 알고있는 중심 타겟(90, 예를 들면 재치대(25)의 표면에 설치된 마크)를 촬상하는 카메라(9)와, 원판(5)에 설치되고 원판(5)의 적어도 하나의 삽입통과공(7)에 삽입통과되는 지지핀(80)의 유무를 검출가능한 센서, 예를 들면 광센서(8)를 갖고 있다.
여기에서는 하나의 삽입통과공(7)에 삽입통과되는 지지핀(80)의 유무를 검출가능한 광센서(8)가 설치되어 있지만, 물론 모든 삽입통과공(7)에 광센서(8)를 설치해도 좋다. 이렇게 모든 삽입통과공(7)에 광센서(8)를 설치하므로써 각 지지핀(80)의 선단간의 높이치수차를 검출할 수 있으므로, 유닛 예를 들면 핫 플레이트 유닛(HP)의 경사를 확인할 수 있다. 따라서, 교시용 치구의 정밀도 향상 및 신뢰성 향상을 도모할 수 있다.
광센서(8)는 원판(5)의 한쪽 면상에 있어서 삽입공(7)을 사이에 두고 대향배설된 발광소자(8a)와 수광소자(8b)를 갖고, 광축이 원판(5)의 삽입통과공(7)내를 거의 직교방향으로 가로지르고 있다. 광센서(8)는 발광소자(8a)가 전기적 파워에 의해 발광하고, 그 빛(72)을 수광소자(8b)가 수광하는 지에 의해 발광소자(8a)와 수광소자(8b) 사이에 지지핀(80)이 존재하는 지를 검지하는 투과형 광센서를 구성하고 있다.
도 1 중, 부호(60)는 CPU를 주체로 하여 구성된 콘트롤러이고, 상기 카메라(9)의 촬상신호를 받아, 이미 알고있는 중심타겟(90)의 화상을 미도시의 모니터화면에 비춘다.
콘트롤러(60)는 상기 광센서(8)의 출력신호를 받고, 지지핀(80) 선단부의 검출위치에서 적어도 반송암(28)의 두께부분을 넘는만큼 상대적으로 반송암(28)을 상기 원판에 대해 위쪽방향 또는 아래방향 이동시킨 위치를 연산에 의해 구하고, 그 위치를 반송암의 후퇴허가위치로서 반송암(28)에 교시하는 기능을 갖고 있다.
<검출방법>
다음으로, 기판(웨이퍼(W))을 인도한 후, 반송암(28)을 되돌릴 수 있게 되는 반송암(28)의 높이위치(Z축 위치), 즉 반송암(28)의 후퇴허가위치(제로 점 위치)의 검출방법에 관해 도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면서 설명한다.
우선, 오퍼레이터가 수동으로 또는 주 웨이퍼 반송기구(21)의 자동동작에 의해, 상기 교시용 치구인 원판(5) 주변부를 주 웨이퍼 반송기구(21)의 반송암(28)으로 유지한다. 이 때, 원판(5)에 설치된 삽입통과공(7)이 지지핀(80)을 삽입통과할 수 있는 위치에 원판(5)이 유지된다.
이 때, 원판(5)을 삽입통과공(7)이 지지핀(80)을 삽입통과할 수 있는 위치로 이동시키는 수법으로서는 구체적으로는,
① : 지지핀(80)의 배치와, 반송암(28)상에 원판(5)을 재치한 상태에서 반송암(28)을 이동시키는 거리와, 원판(5)의 삽입통과공(7) 지름(치수)에 의한 설계허용치의 관계에 의해 결정되는 반송암(28)의 설계치상의 초기치를 사용하는지,
② : 상기 ①의 설계치에서 간단히 이동할 수 없는 경우에, 유닛 예를 들면 핫 플레이트 유닛(HP)의 웨이퍼 반입구 기준점을 조정용 센서 등으로 찾아내어 설계치로 결정되어 있는 반입구 기준점에서 지지핀(80)의 위치로 원판(5)을 반입(이동)시키는 지 혹은
③ : 수동으로 기준이 되는 점을 미리 조정해두는
등의 수법이 생각되지만, 반송암(28)의 성능에 의해 이들 수법 중 어느 하나를 적용할 수 있다. 예를 들면 원판(5)의 삽입통과공(7)과 지지핀(80)의 접촉 여유도를 X로 하고, 교시작업 전의 암 정밀도를 Y로 한 경우, X > Y이면, ①의 수법을 채용할 수 있고, 또 X > Y이면, ② 또는 ③의 수법을 채용할 수 있다.
이렇게 해서 반송암(28)에서 유지된 원판(5)을 재치대(25)의 위쪽(도 7의 두점쇄선으로 표시한 웨이퍼(W)의 위치)로 반송한다.(도 2(a)) 이 시점에서는 발광소자(8a)의 빛(72)이 수광소자(8b)에서 수광되어 있고, 광센서(8)는 OFF상태에 있다.
그리고 우선, 반송암(28)과 지지핀(80)을 수평면내에서 상대이동, 여기에서는 반송암(28)을 수평의 X, Y방향으로 이동시키고, 수평방향(θ방향)으로 회전시키고 카메라(9)로 감시하면서 원판(5) 중심을 이미 알고있는 중심타겟(90)에 일치시킨다. 이 중심타겟(90)의 화상은 미도시의 모니터화면에 비춰서 검출된다. 이에 의해 기판(웨이퍼(W))의 중심위치가 결정된다.
다음으로, 반송암(28)과 지지핀(80)을 수직방향(Z방향)으로 상대이동시킨다. 이 예에서는 반송암(28)을 천천히 아래쪽으로 이동시키고, 지지핀(80)을 교시용 치구인 원판(5)의 삽입통과공(7)에 삽입통과시킨다. 머지않아 발광소자(8a)의 빛(72)이 지지핀(80)으로 차단되고, 지지핀(80)의 선단부가 광센서(8)로 검지되고, 광센서(8)가 ON한다.(도 2(b))
이로써 반송암(28)과 지지핀(80)의 상대적 위치관계가 명백해지게 된다. 즉, 도 2(b)에서 도시한 위치에까지 지지핀(80) 선단부가 와있을 경우, 치구에 의존하지 않는 실제기판 인도작업에서는 이 지지핀(80) 선단부상에 웨이퍼(W)가 재치되어 있을 뿐이고, 원판(5) 표면으로부터의 광센서(8) 높이(H) 및 원판(5) 두께분의 총계만큼 웨이퍼(W)가 들어올려지게 된다.
그래서, 도 3(a)에 도시하는 것과 같이 지지핀(80) 선단부의 검출위치에서 적어도 반송암(28)의 두께분(D)만큼, 반송암(28)을 지지핀(80)에 대해 상대적으로 내리면, 웨이퍼(W)에 간섭을 하지 않고 반송암(28)이 되돌아갈 수 있게 된다. 반송암(28)을 지지핀(80)에 대해 상대적으로 내리는 데에는 지지핀(80)을 상승시키든지 반송암(28)을 하강시키면 좋다.
여유를 갖고 간섭을 하지않는다는 견지에서 본 실시예에서는 상기 지지핀(80) 선단부의 검출위치에서 반송암(28)의 두께분(D)에 여유폭(d, 예를 들면 1.5mm)를 추가한 높이분(D + d)만큼, 상대적으로 반송암(28)을 원판(5)에 대해 이동시킨 위치(제로점 위치)를 반송암(28)의 후퇴허가위치로서 콘트롤러(60)에 산출시키고, 반송암(28) 즉 주 웨이퍼 반송기구(21)의 조작프로그램에 교시한다. 이 자동교시작업의 종료 후, 교시용 치구(5)는 반송암(28)에서 제거된다.
이렇게 해서 반송암(28)의 제로점 자동교시, 즉 반송암(28)의 후퇴허가위치 및 기판(웨이퍼(W))의 인도위치를 결정하는 작업(제로점의 설정)이 자동으로 이루어진다.
또한, 광센서(8)가 ON한 지지핀 선단부의 검출위치를 기준으로 하여 역산하면, 원판(5) 표면에서의 광센서(8) 높이(H) 및 원판(5)의 두께분만큼 아래쪽 위치가 웨이퍼(W, 원판(5))에 대한 지지핀(80)의 지지위치로 구해지므로, 이 지지위치를 기준으로 하여 반송암의 후퇴허가위치를 구하는 것도 가능하다.
또한, 상기 설명에서는 원판(5, (웨이퍼(W))의 중심위치를 검출한 후에 지지핀(80)의 높이위치(반송암(28)의 후퇴허가위치)를 검출하는 경우에 관해 설명했지만, 반대의 순서로 검출을 해도 좋다. 즉, 우선 지지핀(80)의 높이위치(반송암(28) 의 후퇴허가위치)를 검출한 후에 원판(5, (웨이퍼(W))의 중심위치 검출을 하게 해도 좋다.
또한, 상기 실시예에서는 원판(5)에 설치된 세개의 삽입통과공(7) 중 하나에 광센서(8)를 설치하는 경우에 관해 설명했지만, 각 삽입통과공(7)에 동일하게 광센서(8)를 설치해도 좋다. 이렇게 각 삽입통과공(7)에 광센서(8)를 설치하므로써 모든 지지핀(80)의 높이를 검출할 수 있으므로, 정밀도가 높은 검출이 더 가능하고, 장치의 신뢰성 향상을 도모할 수 있으며, 또 지지핀(80)의 경사를 검출하는 것도 가능해진다.
또, 상기 실시예에서는 핫 플레이트 유닛(HP)내의 지지핀(80)에 대한 주 웨이퍼 반송기구(21)에 관해 그 반송암(28) 기판의 인도위치를 교시하는 경우에 관해 설명했지만, 반송암과 지지핀과의 사이에서 기판 인도위치를 교시하는 것이라면 다른 처리유닛내의 지지핀과 다른 반송기구와의 사이에 있어서 기판의 인도위치 교시에 적용하는 것도 물론 가능하고, 예를 들면 익스텐션 유닛(EXT)내의 지지핀과 반송암(34) 사이에 기판의 인도위치 교시를 하는 것도 가능하다.
이상 설명한 것과 같이 이 발명의 기판반송장치에서 기판의 인도위치 검지방법 및 그 교시장치에 따르면, 검출수단의 출력을 받고, 지지핀 선단부의 검출위치에서 연산에 의해 자동적으로 반송암의 후퇴허가위치를 구할 수 있고, 반송암에 기판의 인도위치를 교시할 수 있다.
또, 카메라에 의해 원판의 중앙부 투공에서 아래쪽의 이미 알고있는 중심타 겟을 시각으로 알 수 있으므로, 화상을 보면서, 쉽게 반송암의 전진위치 및 좌우 미세조정을 할 수 있으므로, 기판의 인도위치를 정확하게 검출할 수 있다.

Claims (8)

  1. 반송암으로 기판의 주변부를 유지하고 해당 기판을 재치대 위쪽으로 반송하고,
    상기 재치대를 관통하는 승강가능한 3개의 지지핀상에 상기 기판을 얹고,
    그 후 상기 반송암을 재치대 바깥으로 후퇴하여 퇴피시킬 때의 상기 반송암의 후퇴허가위치를 결정하는 방법에 있어서,
    상기 기판과 동일한 정도 크기의 원판을 준비하고,
    상기 원판에는 상기 복수의 지지핀이 삽입통과 가능하게 형성한 3개의 삽입통과공의 각각에 대해, 상기 각 지지핀의 유무를 검출가능한 센서를 삽입 통과공을 사이에 끼워 대향해서 설치하고,
    상기 원판의 주변부를 상기 반송암으로 유지하고 상기 재치대 위쪽으로 반송하고,
    상기 반송암과 지지핀을 수직방향으로 상대이동시키고,
    지지핀의 선단부를 상기 센서로 검출하고,
    상기 지지핀 선단부의 검출위치에서 적어도 상기 반송암의 두께분을 넘는 분만큼 상대적으로 반송암을 상기 원판에 대해 높이방향으로 이동시킨 위치를 구하고, 해당 위치를 반송암의 후퇴허가위치로 하는 것을 특징으로 하는 결정방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 센서로서, 광축이 원판의 삽입통과공 내를 직교방향으로 자르는 투과형 광센서를 이용하는 것을 특징으로 하는 결정방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 반송암의 후퇴허가위치는 상기 지지핀 선단부의 검출위치에서 반송암의 두께부분에 대해 높이방향으로 여유폭을 더 추가하여 산출한 위치로 하는 결정방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 원판은 중앙부에 형성된 투과공을 통해 아래쪽을 촬상가능한 카메라를 탑재하고 있는 것을 이용하고,
    상기 반송암과 지지핀을 수평면 내에서 상대이동시키고, 상기 카메라로 감시하면서 상기 원판 중심을 이미 알고있는 중심타겟에 일치시키는 공정을 상기 반송암과 지지핀을 수직방향으로 상대이동하기 전에 더 갖는 것을 특징으로 하는 결정방법.
  5. 반송암으로 기판 주변부를 유지하고 해당 기판을 재치대의 위쪽으로 반송하고,
    상기 재치대를 관통하는 승강가능한 3개의 지지핀 위에 상기 기판을 얹고,
    상기 반송암을 재치대 바깥으로 후퇴하여 퇴피시킬 때의 상기 반송암의 후퇴허가위치를 교시하는 장치에 있어서,
    상기 지지핀이 삽입통과가능한 삽입통과공이 3개 형성되고, 또한 상기 반송암에 보유 유지할 수 있는 상기 기판과 동일한 정도 크기의 원판과,
    상기 원판의 상면에 있어서 각 삽입 통과공을 사이에 끼워서 대향하는 위치에 설치되고, 이 원판의 각 삽입통과공에 삽입통과되는 각 지지핀의 유무를 검출가능한 센서와,
    상기 센서로부터의 출력신호를 받고, 지지핀 선단부의 검출위치에서 적어도 상기 반송암의 두께부분을 넘는 부분만큼, 상대적으로 반송암을 상기 원판에 대해 수직방향으로 이동시킨 위치를 연산에 의해 구하고,
    그 위치를 상기 반송암의 후퇴허가위치로서 해당 반송암에 교시하는 콘트롤러와,
    를 구비하는 후퇴허가위치를 교시하는 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 센서는 광축이 상기 원판의 삽입통과공을 직교방향으로 자르는 광센서인 것을 특징으로 하는 후퇴허가위치를 교시하는 장치.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 콘트롤러는 상기 지지핀 선단부의 검출위치에서 반송암의 두께부분에 높이방향으로 여유폭을 더 추가하여 산출한 위치를 상기 반송암의 후퇴허가위치로 하여 해당 반송암에 교시하는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 원판은 중앙부에 형성된 투과공과,
    해당 투과공에서 아래쪽의 이미 알고있는 중심타겟을 시각으로 알 수 있는 카메라를 갖고 있는 후퇴허가위치를 교시하는 장치.
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