KR100923251B1

KR100923251B1 - 전자 부품의 몰딩 방법 및 장치

Info

Publication number: KR100923251B1
Application number: KR1020080015879A
Authority: KR
Inventors: 이항림
Original assignee: 세크론 주식회사
Priority date: 2008-02-21
Filing date: 2008-02-21
Publication date: 2009-10-27
Also published as: KR20090090582A

Abstract

전자 부품의 몰딩 방법이 개시된다. 포트로 제공되는 수지물을 제1 온도로 가열하여 용융시킨다. 이어, 포트로부터 이송되어 전자 부품이 위치하는 캐비티로 유입되는 수지물을 제1 온도보다 낮은 제2 온도로 가열하여 경화시킨다. 이때, 수지물이 포트로부터 캐비티로 이송하는 도중 포트와 캐비티에서 수지물의 온도 편차가 일정하게 유지되도록 이송하는 수지물을 제2 온도와 같거나 낮은 제3 온도로 가열한다. 따라서, 전자 부품을 제조하기 위한 몰딩 성형 시간을 단축시켜 생산성을 향상시킬 수 있다.

Description

전자 부품의 몰딩 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR MOLDING A ELECTRONIC COMPONENT}

본 발명은 전자 부품의 몰딩 방법 및 장치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 칩이 기판 상에 연결된 전자 부품을 수지물에 의해 몰딩 성형하기 위한 방법 및 상기 방법을 구현하기 위한 장치에 관한 것이다.

일반적으로, 전자 부품은 전자 기기에 사용되는 부품을 통칭하며, 일 예로 칩이 기판 상에 연결된 구조를 갖는 반도체 소자를 들 수 있다. 상기 반도체 소자는 디램(DRAM), 에스램(SRAM) 등과 같은 메모리 소자를 포함할 수 있다.

상기 반도체 소자는 실리콘 재질의 얇은 단결정 기판으로 이루어진 웨이퍼를 기초로 하여 제조된다. 구체적으로, 상기 전자 부품은 상기 웨이퍼 상에 회로 패턴이 패터닝된 다수의 칩들을 형성하는 팹(Fabrication) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 칩들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS(Electrical Die Sorting) 공정과, 상기 칩들 각각을 별도의 기판들 각각에 연결시키는 공정들을 포함하여 제조된다.

이러한 상기 반도체 소자는 상기 칩을 외부로 노출하고 있기 때문에, 외부에 존재하는 이물질이나 다른 위험적 요소를 통하여 전기적으로 손상을 입을 수 있다. 이에, 상기 반도체 소자는 에폭시(epoxy) 수지와 같은 수지물로 몰딩하여 반도체 패키지 상태로 사용된다.

상기 반도체 패키지는 통상적으로, 금형의 내부에 형성된 캐비티(cavity)에 상기 전자 부품을 배치시킨 다음, 외부로부터 상기 수지물을 액체 상태로 상기 금형 내부의 상기 캐비티와 연결된 포트로부터 상기 캐비티로 제공하여 상기 수지물을 경화시키는 몰딩 장치에 의해 제조된다.

이때, 상기 몰딩 장치는 기본적으로, 상기 금형의 내부에 형성된 상기 포트 및 상기 캐비티와 이들을 연결하는 통로에서 상기 수지물이 모두 경화되었을 때 상기 금형의 내부로부터 상기 반도체 패키지를 외부로 분리한다.

그러나, 상기 금형은 내부의 온도가 일정하게 유지되면서 상기 캐비티와 상기 포트에서의 상기 수지물이 서로 다른 면적으로 노출됨에 따라 각각에서 경화되는 시간에 차이가 발생하는 바, 이중 어느 하나에서 경화가 완료되었어도 다른 하나가 경화될 때까지 기다려야 하는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 금형의 내부의 수지물을 위치에 따라 동일한 시간 동안 가장 짧게 품질을 유지하면서 경화시킬 수 있는 전자 부품의 몰딩 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 상기 몰딩 방법이 적용된 전자 부품의 몰딩 장치를 제공하는 것이다.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 전자 부품의 몰딩 방법이 개시된다. 포트로 제공되는 수지물을 제1 온도로 가열하여 용융시킨다. 이어, 상기 포트로부터 이송되어 전자 부품이 위치하는 캐비티로 유입되는 상기 수지물을 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도로 가열하여 경화시킨다. 이때, 상기 수지물이 상기 포트로부터 상기 캐비티로 이송하는 도중 상기 포트와 상기 캐비티에서 상기 수지물의 온도 편차가 일정하게 유지되도록 상기 이송하는 수지물을 상기 제2 온도와 같거나 낮은 제3 온도로 가열한다.

이에, 상기 제1, 제2 및 제3 온도는 상기 포트 부위, 상기 캐비티 부위 및 상기 포트로부터 상기 캐비티로 이송하는 부위에서 동일하게 경화되도록 조정될 수 있다.

또한, 상기 제3 온도는 상기 제1 및 제2 온도의 온도 편차가 최대 20℃가 되도록 조정될 수 있다.

상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 전자 부품의 몰딩 장치는 금형부, 제1 발열부, 제2 발열부 및 제3 발열부를 포함한다. 상기 금형부는 그 내부에 몰딩 성형을 위한 전자 부품이 위치하는 캐비티 및 상기 캐비티와 연결되고 외부로부터 수지물이 제공되는 포트가 형성된다. 상기 제1 발열부는 상기 포트와 인접하게 위치하고, 상기 제공되는 수지물을 제1 온도로 가열하여 용융시킨다. 상기 제2 발열부는 상기 캐비티와 인접하게 위치하고, 상기 포트로부터 이송되어 상기 캐비티로 유입되는 상기 수지물을 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도로 가열하여 경화시킨다. 상기 제3 발열부는 상기 포트 및 상기 캐비티 사이에 위치하고, 상기 수지물이 상기 포트로부터 상기 캐비티로 이송하는 도중 상기 포트와 상기 캐비티에서 상기 수지물의 온도 편차가 일정하게 유지되도록 상기 이송하는 수지물을 상기 제2 온도와 같거나 낮은 제3 온도로 가열한다.

여기서, 상기 제3 발열부는 상기 제2 발열부보다 상기 제1 발열부에 더 인접하도록 위치한다.

상기 금형부는 제1 금형 및 상기 제1 금형과의 사이에 상기 캐비티 및 상기 포트가 형성되도록 상기 제1 금형과 결합하는 제2 금형을 포함한다. 이에, 상기 제1, 제2 및 제3 발열부 각각은 상기 제1 및 제2 금형 중 적어도 하나에 내장될 수 있다.

이와 달리, 상기 금형부가 그 내부에 상기 캐비티 및 상기 포트가 형성된 몰드 금형 및 상기 몰드 금형의 외부를 지지하는 베이스 다이를 포함할 경우, 상기 제1, 제2 및 제3 발열부는 상기 몰드 금형과 상기 베이스 다이 사이에 배치될 수 있다. 반대로, 상기 제1, 제2 및 제3 발열부는 상기 베이스 다이에 내장될 수 있다.

한편, 상기 제1, 제2 및 제3 발열부는 상기 금형부에 열선 형태로 내장될 수 있다.

이러한 전자 부품의 몰딩 방법 및 장치에 따르면, 금형부 내부의 포트에서 제1 발열부를 통해 제2 발열부에 의해 가열되는 캐비티에서보다 더 높은 온도로 가열하여 상기 포트에서 수지물을 더 빠르게 용융 및 경화시킴으로써, 상기 수지물을 상기 금형부의 포트와 캐비티에서 동일한 시간 동안 경화되도록 유도하면서 전체적인 경화 시간을 단축시킬 수 있다. 즉, 상기 전자 부품을 몰딩하는 전체 공정 시간을 단축시킬 수 있다.

또한, 상기 포트와 상기 캐비티 사이에 위치한 제3 발열부를 통하여 상기 포트 및 상기 캐비티에서 가열되는 상기 수지물의 온도 편차를 일정하게 유도함으로써, 상기 캐비티에서 몰딩되는 상기 전자 부품이 심한 온도 편차로 인하여 불량 처리되는 것을 방지할 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 전자 부품의 몰딩 장치 및 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미 와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 부품의 몰딩 장치를 분해하여 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 몰딩 장치를 결합한 도면이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 부품의 몰딩 장치(1000)는 금형부(100), 삽입부(200), 제1 발열부(300), 제2 발열부(400) 및 제3 발열부(500)를 포함한다.

상기 금형부(100)는 그 내부에 전자 부품(SD)이 위치하는 캐비티(C)가 형성된다. 여기서, 상기 전자 부품(SD)은 일 예로, 기판 상에 회로 패턴이 패터닝된 칩이 연결된 반도체 소자를 포함할 수 있다. 이에, 상기 캐비티(C)에서는 상기 전자 부품(SD)에 수지물(R)을 몰딩하여 상기 전자 부품(SD)을 외부로부터 전기적으로 보호한다. 이때, 상기 수지물(R)은 일 예로, 에폭시 수지를 포함할 수 있다.

상기 금형부(100)는 그 사이에 상기 캐비티(C)가 형성되도록 나누어진 제1 및 제2 금형(110, 120)을 포함한다. 이에, 상기 제1 및 제2 금형(110, 120)에는 각각 상기 캐비티(C)를 형성하기 위한 제1 및 제2 공간 형성부(111, 121)가 형성된다. 여기서, 상기 제1 공간 형성부(111)는 경우에 따라, 형성되지 않을 수 있다. 이럴 경우, 상기 캐비티(C)는 상기 제2 공간 형성부(121)에 의해서만 형성될 수 있다.

또한, 본 실시예에서 상기 제1 금형(110)은 상기 제2 금형(120)보다 z축을 기준으로 하부에 설치된다.

이하, 상기 캐비티(C)의 형상을 도 3을 추가적으로 참조하여 보다 상세하게 설명하고자 한다.

도 3은 도 1에 도시된 몰딩 장치 중 금형부의 제1 금형을 위에서 바라본 도면이다.

도 3을 추가적으로 참조하면, 상기 캐비티(C)는 x축을 기준으로 상기 제1 및 제2 금형(110, 120)의 측부에 형성될 수 있다. 또한, 상기 캐비티(C)는 y축을 기준으로 일정한 간격으로 다수개가 배치될 수도 있고, 하나가 길게 배치될 수도 있다.

상기 제1 금형(110)은 상기 x축을 기준으로 중앙부에 삽입홀(112)이 형성된다. 상기 삽입홀(112)은 상기 중앙부에 일정한 간격으로 여러 개가 형성될 수도 있다 상기 삽입홀(112)의 상단에는 상기 캐비티(C)와 별도의 연결 통로(CR)를 통해 연결된 포트(P)가 형성된다. 상기 포트(P)는 실질적으로, 상기 삽입홀(112)의 입구를 의미할 수 있다.

상기 삽입부(200)는 외부로부터 상기 z축을 기준으로 상기 제1 금형(110)의 삽입홀(112)을 통해 상기 포트(P)까지 삽입된다. 이때, 상기 삽입부(200)는 상기 수지물(R)을 고체 상태로 상기 삽입홀(112)을 상기 포트(P)까지 가압하면서 용융하여 삽입시킨다. 이때, 상기 삽입부(200)에 의해 가압되는 상기 수지물(R)을 반대쪽에서 막아주기 위하여 상기 제2 금형(120)에는 컬(cull, 122)이 형성될 수 있다.

상기 제1 발열부(300)는 상기 삽입홀(112)을 통해 상기 포트(P)까지 삽입되는 상기 삽입부(200)와 인접하도록 상기 금형부(100)의 제1 금형(110)에 내장된다. 또한, 상기 제1 발열부(300)는 상기 조건에 부합하는 상기 제2 금형(120)에 내장될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 발열부(300)는 상기 제2 금형(120) 중 컬(122)의 상부에 내장될 수 있다. 한편, 상기 제1 발열부(300)는 상기 제1 및 제2 금형(110, 120)에 모두 내장될 수 있다.

상기 제1 발열부(300)는 상기 삽입부(200)에 의해 상기 포트(P)까지 가압되는 고체 상태의 상기 수지물(R)을 제1 온도로 가열하여 액체 상태로 용융시킨다. 이때, 상기 제2 금형(120)의 컬(122)에도 상기 수지물(R)을 용융을 보조하기 위하여 별도의 발열체가 내장될 수 있다.

이로써, 상기 제1 발열부(300)는 용융된 상기 수지물(R)을 상기 연결 통로(CR)를 통해 상기 캐비티(C)로 이송하도록 유도할 수 있다. 이에, 상기 제1 발열부(300)는 상기 포트(P)와 인접하게 위치한다. 또한, 상기 컬(122)은 용융된 상기 수지물(R)을 상기 캐비티(C)로의 이송이 원활하도록 가이드해 주는 형상을 가질 수도 있다.

한편, 상기 제1 발열부(300)는 상기 수지물(R)이 용융된 상태로 상기 포트(P), 상기 캐비티(C) 및 상기 연결 통로(CR)에 모두 채워지면, 용융 상태의 상기 수지물(R)을 경화시키는 역할도 하게 된다. 이는, 용융 상태의 상기 수지물(R)에 외부로부터 제공되는 열에 의해 반응하여 경화되는 경화제가 포함되어 있기 때문이다.

상기 제1 발열부(300)는 니크롬선과 같이 외부로부터 제공되는 구동 전압에 의해 열을 발생하는 열선 형태를 갖는다. 이러한 상기 제1 발열부(300)는 상기 y축 을 기준으로 길게 형성될 수 있다.

상기 제2 발열부(400)는 상기 캐비티(C)와 인접하도록 상기 금형부(100)의 제1 금형(110)에 내장된다. 이와 달리, 상기 제2 발열부(400)는 상기 제1 발열부(300)와 마찬가지로, 상기의 조건에 부합하는 상기 제2 금형(120)에 내장될 수 있다. 또한, 상기 제2 발열부(400)는 상기 제1 및 제2 금형(110, 120)에 모두 내장될 수 있다. 한편, 상기 제2 발열부(400)는 상기 제1 발열부(300)에서처럼 열선 형태로 내장될 수 있다.

상기 제2 발열부(400)는 상기 캐비티(C)를 상기 제1 발열부(300)의 제1 온도보다 낮은 제2 온도로 상기 포트(P)로부터 용융 상태로 상기 캐비티(C)로 채워지는 상기 수지물(R)을 가열한다. 이는, 상기 캐비티(C)로 채워진 상기 수지물(R)을 경화시키기 위해서이다.

예를 들어, 상기 수지물(R)이 에폭시를 포함하고 있다면, 상기 제2 발열부(400)의 제2 온도는 상기 캐비티(C)에서 경화되는 상기 수지물(R)이 적합한 강도를 갖도록 하기 위하여 약 170 내지 180℃인 것이 바람직하고, 실질적으로는 약 175℃일 수 있다.

이에 대하여, 상기 제1 발열부(300)의 제1 온도는 상기 포트(P)에서의 용융된 상기 수지물(R)의 경화되는 시간을 상기 캐비티(C)에서 용융된 상기 수지물(R)이 경화되는 시간을 맞춰주기 위하여 약 190 내지 200℃인 것이 바람직하고, 실질적으로는 약 195℃일 수 있다.

이는, 에폭시 수지를 포함하고 있는 상기 포트(P)가 가열됨에 따라 상기 수 지물(R)의 온도가 올라가면 그 주위를 둘러싸고 있는 상기 금형부(100)와의 열교환이 빠르게 진행됨에 따라 경화되는 시간이 단축되는 상기 수지물(R)의 물성을 이용한 것이다.

한편, 상기 포트(P)에서 용융된 상기 수지물(R)과 상기 캐비티(C)에서 용융된 상기 수지물(R)이 서로 동일한 온도로 가열될 경우, 그 경화되는 시간이 달라지는 이유는 각각에서 용융된 상기 수지물(R)이 노출되는 면적에 따라 상기 수지물(R)의 물성 변화가 서로 다르기 때문이다.

따라서, 상기 금형부(100) 내부의 상기 포트(P)에서 상기 제1 발열부(300)를 통해 상기 제2 발열부(400)에 의해 가열되는 상기 캐비티(C)에서보다 더 높은 온도로 가열하여 상기 포트(P) 내의 상기 수지물(R)을 더 빠르게 용융 및 경화시킴으로써, 용융된 상기 수지물(R)을 상기 금형부(100)의 포트(P)와 캐비티(C)에서 동일한 시간 동안 경화되도록 유도하면서 전체적인 경화 시간을 단축시킬 수 있다.

즉, 전체적으로 상기 전자 부품(SD)이 몰딩 성형되는데 걸리는 시간을 단축하여 생산성을 향상시킬 수 있다. 일 예로, 상기 전자 부품(SD)이 몰딩 성형하는데 걸리는 시간은 상기 제1 및 제2 발열부(300, 400)의 제1 및 제2 온도를 고려하여 약 10 내지 20초 정도 단축될 수 있다.

상기 제3 발열부(500)는 상기 제1 및 제2 발열부(300, 400) 사이에서 상기 연결 통로(CR)와 인접한 상기 금형부(100)의 제1 금형(110)에 내장된다. 또한, 상기 제3 발열부(500)는 상기 제1 발열부(300)와 마찬가지로, 상기의 조건에 부합하는 상기 제2 금형(120)에 내장될 수 있다. 한편, 상기 제3 발열부(500)는 상기 제1 및 제2 금형(110, 120)에 모두 내장될 수 있다.

한편, 상기 금형부(100)의 제1 금형(110)이 그 내부에 상기 캐비티(C)를 형성하기 위한 상기 제1 공간 형성부(111)와 상기 포트(P)가 형성된 몰드 금형(115) 및 상기 몰드 금형(115)의 외부를 지지하는 베이스 다이(116)를 포함할 경우, 상기 제1, 제2 및 제3 발열부(300, 400, 500)는 상기 몰드 금형(115)과 상기 베이스 다이(116) 사이에 배치될 수 있다. 이와 달리, 상기 제1, 제2 및 제3 발열부(300, 400, 500)는 상기 베이스 다이(116)에 내장될 수 있다.

이러면, 상기 몰드 금형(115)을 상기 제1 금형(110)을 교체하고자 할경우, 상기 제1, 제2 및 제3 발열부(300, 400, 500)의 배치 구조로 인하여 상기 교체가 간섭되는 것을 방지할 수 있다.

상기 제3 발열부(500)는 상기 제1 발열부(300)처럼 열선 형태로 내장될 수 있다. 상기 제3 발열부(500)는 상기 제1 발열부(300)의 제1 온도와 상기 제2 발열부(400)의 제2 온도와의 사이인 제3 온도로 상기 포트(P)로부터 상기 캐비티(C)로 용융 상태로 이송하는 상기 수지물(R)을 가열한다.

이로써, 상기 제3 발열부(500)는 상기 제1 온도로 가열되는 상기 포트(P)와 상기 제2 온도로 가열되는 상기 캐비티(C) 사이에서 상기 수지물(R)의 온도 편차를 일정하게 유도할 수 있다. 이에, 상기 제3 온도는 실질적으로, 상기 제2 온도보다 소정의 차이로 낮거나, 같아질 수 있다. 또한, 상기 제3 발열부(500)는 상기 제1 발열부(300)에 의해 가열된 상기 수지물(R)의 온도 편차를 최대한 정확하게 유도하기 위하여 상기 제2 발열부(400)보다 상기 제1 발열부(300)에 더 인접하도록 위치 할 수 있다.

이하, 상기 제1, 제2 및 제3 발열부(300, 400, 500)에 의해 조정되는 용융된 상기 수지물(R)의 위치에 따른 온도를 도 4에 도시된 그래프를 추가적으로 참조하여 보다 상세하게 설명하고자 한다.

도 4는 도 1에 도시된 몰딩 장치의 x축에 따른 온도 분포를 나타낸 그래프이다.

도 4의 그래프를 추가적으로 참조하면, 우선, 도 4에 도시된 그래프의 x축을 포트 구간(PS), 연결 통로 구간(CRS) 및 캐비티 구간(CS)으로 구분한다.

상기 포트 구간(PS)에서 용융된 상기 수지물(R)은 상기 제1 발열부(300)의 제1 온도에 의해 가열되어 t1의 온도를 나타낸다. 이후, 상기 연결 통로 구간(CRS)에서 용융된 상기 수지물(R)은 상기 제3 발열부(500)의 제3 온도에 의하여 상기 t1의 온도가 급격하게 떨어져 t2의 온도를 나타낸다. 이후, 상기 캐비티 구간(CS)에서 상기 제2 발열부(400)의 제2 온도에 의해 용융된 상기 수지물(R)이 일정하게 가열되면서 그 온도 또한 상기 t2의 온도와 크게 차이가 나지 않는 t3 온도를 나타낸다.

이와 같이, 상기 포트 구간(PS)에서 상기 t1의 온도로 가열되어 용융된 상기 수지물(R)을 상기 제3 발열부(500)를 통해 제3 온도로 가열하여 상기 포트(P) 및 상기 캐비티(C)에서의 상기 수지물(R)의 온도 편차를(t2-t3) 일정하게 유도할 수 있다. 즉, 상기 온도 편차(t2-t3)를 최대 약 20℃가 되도록 할 수 있다.

여기서, 상기 온도 편차(t2-t3)를 한정하는 최대 약 20℃는 상기 캐비티(C) 에서의 용융된 상기 수지물(R)이 적합한 강도로 경화되는 범위일 수 있다.

이로써, 상기 캐비티(C)에서 몰딩 성형이 이루어진 상기 전자 부품(SD)이 상기 온도 편차(t2??t3)로 인하여 불량 처리되는 것을 방지할 수 있다.

도 5는 도 1에 도시된 몰딩 장치를 이용한 일 실시예에 따른 몰딩 방법을 나타낸 순서도이다.

도 1 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 부품(SD)의 몰딩 방법은 먼저, 상기 전자 부품(SD)을 몰딩 성형하기 위한 수지물(R)을 외부로부터 금형부(100) 내부의 포트(P)로 삽입시키면서 제1 발열부(300)를 이용하여 제1 온도로 가열함으로써, 용융시킨다(S10).

이어, 삽입부(200)를 통해 삽입이 이루어진 상기 수지물(R)을 가압하여 상기 포트(P)로부터 상기 전자 부품(SD)이 위치하는 캐비티(C)로 연결 통로(CR)를 통해 이송시킨다(S20).

이때, 상기 수지물(R)은 상기 포트(P)와 상기 캐비티(C) 사이에서 상기 제1 온도보다 낮은 제3 온도로 발열하는 제3 발열부(500)를 통과하게 된다.

이어, 상기 포트(P)로부터 상기 제3 발열부(500)가 위치한 부위를 거쳐 상기 캐비티(C)로 이송한 상기 수지물(R)을 상기 제2 발열부(400)를 통해 상기 제1 온도와 상기 제3 온도 사이의 제2 온도로 가열하여 경화시킨다(S30). 이때, 상기 제3 온도는 실질적으로, 상기 제2 온도와 같거나 소정의 차이로 낮게 형성될 수 있다.

이로써, 상기 포트(P)와 상기 캐비티(C) 사이에서는 상기 제1 온도로 가열된 상기 수지물(R)의 온도 편차를 일정하게 유도할 수 있다. 한편, 상기 제1, 제2 및 제3 발열부(300, 400, 500)의 제1, 제2 및 제3 온도는 상기 포트(P), 상기 캐비티(C) 및 상기 연결 통로(CR)에서 동일한 시간에 경화되도록 조정될 수 있다. 또한, 이들의 경화되는 시간이 최대한 짧아지도록 상기 제1, 제2 및 제3 온도는 조정될 수 있다. 이로써, 상기 전자 부품(SD)의 몰딩 성형 공정을 보다 짧은 시간에 진행할 수 있다.

상기 제3 발열부(500)의 제3 온도는 상기 수지물(R)이 경화시 적합한 강도를 갖도록 상기 제1 발열부(300) 및 상기 제2 발열부(400)에 의해 가열된 상기 수지물(R)의 온도 편차가 최대 20℃가 유지되도록 추가적으로 조정될 수 있다.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

상술한 본 발명은 반도체 소자와 같은 전자 부품을 몰딩 성형할 때, 수지물이 전체적으로 경화되는 시간을 동일하면서 빠르게 함으로써, 전체적인 몰딩 성형 공정을 단축시키는데 이용될 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 부품의 몰딩 장치를 분해하여 개략적으로 나타낸 구성도이다.

도 2는 도 1에 도시된 몰딩 장치를 결합한 도면이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

SD : 전자 부품 R : 수지물

C : 캐비티 P : 포트

CR : 연결 통로 100 : 금형부

200 : 삽입부 300 : 제1 발열부

400 : 제2 발열부 500 : 제3 발열부

1000 : 전자 부품의 몰딩 장치

Claims

포트로 제공되는 수지물을 제1 온도로 가열하여 용융시키는 단계; 및

상기 포트로부터 이송되어 전자 부품이 위치하는 캐비티로 유입되는 상기 수지물을 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도로 가열하여 경화시키는 단계를 포함하고,

상기 수지물이 상기 포트로부터 상기 캐비티로 이송하는 도중 상기 포트와 상기 캐비티에서 상기 수지물의 온도 편차가 일정하게 유지되도록 상기 이송하는 수지물을 상기 제2 온도와 같거나 낮은 제3 온도로 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 몰딩 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3 온도는 상기 수지물이 상기 포트 부위, 상기 캐비티 부위 및 상기 포트로부터 상기 캐비티로 이송하는 부위에서 동일하게 경화되도록 조정되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 몰딩 방법.
제1항에 있어서, 상기 제3 온도는 상기 제1 및 제2 온도의 온도 편차가 최대 20℃가 되도록 조정되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 몰딩 방법.
그 내부에 몰딩 성형을 위한 전자 부품이 위치하는 캐비티 및 상기 캐비티와 연결되고 외부로부터 수지물이 제공되는 포트가 형성된 금형부;

상기 포트와 인접하게 위치하고, 상기 제공되는 수지물을 제1 온도로 가열하 여 용융시키는 제1 발열부;

상기 캐비티와 인접하게 위치하고, 상기 포트로부터 이송되어 상기 캐비티로 유입되는 상기 수지물을 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도로 가열하여 경화시키는 제2 발열부; 및

상기 포트 및 상기 캐비티 사이에 위치하고, 상기 수지물이 상기 포트로부터 상기 캐비티로 이송하는 도중 상기 포트와 상기 캐비티에서 상기 수지물의 온도 편차가 일정하게 유지되도록 상기 이송하는 수지물을 상기 제2 온도와 같거나 낮은 제3 온도로 가열하는 제3 발열부를 포함하는 전자 부품의 몰딩 장치.
제4항에 있어서, 상기 제3 발열부는 상기 제2 발열부보다 상기 제1 발열부에 더 인접하도록 위치하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 몰딩 장치.
제4항에 있어서, 상기 금형부는

제1 금형; 및

상기 제1 금형과의 사이에 상기 캐비티 및 상기 포트가 형성되도록 상기 제1 금형과 결합하는 제2 금형을 포함하고,

상기 제1, 제2 및 제3 발열부 각각은 상기 제1 및 제2 금형 중 적어도 하나에 내장되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 몰딩 장치.
제4항에 있어서, 상기 금형부는

그 내부에 상기 캐비티 및 상기 포트가 형성된 몰드 금형; 및

상기 몰드 금형의 외부를 지지하고, 상기 몰드 금형과의 사이에 상기 제1, 제2 및 제3 발열부가 배치되는 베이스 다이를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 몰딩 장치.
제4항에 있어서, 상기 금형부는

그 내부에 상기 캐비티 및 상기 포트가 형성된 몰드 금형; 및

상기 몰드 금형의 외부를 지지하고, 상기 제1, 제2 및 제3 발열부가 내장되는 베이스 다이를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 몰딩 장치.
제4항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3 발열부는 상기 금형부에 열선 형태로 내장되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 몰딩 장치.