KR100916330B1 - 탄소나노튜브 합성 방법 및 장치 - Google Patents

탄소나노튜브 합성 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

탄소나노튜브 합성 방법 및 장치가 개시된다. 탄소나노튜브 합성 방법에 있어서, 반응 챔버 내부를 가열시키고, 가열된 반응 챔버 내부로 분말 형태의 촉매를 제1 방향으로 공급한다. 그리고, 촉매와 반응하기 위한 소스 가스를 반응 챔버 내부로 촉매의 공급을 지연시킬 수 있는 제2 방향으로 공급하여 촉매와 소스 가스의 반응에 의해 탄소나노튜브를 합성한다. 따라서, 촉매의 공급 방향과 상이한 방향으로 소스 가스를 공급시켜 촉매의 공급 속도를 지연시킴으로써, 촉매와 소스 가스의 반응 시간을 확보하여 반응률이 향상되므로, 탄소나노튜브를 효율적으로 합성할 수 있다.

Description

탄소나노튜브 합성 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS OF COLLECTING CARBON NANO TUBE}
본 발명은 탄소나노튜브 합성 방법 및 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 분말 형태의 촉매를 이용하여 탄소나노튜브를 합성하기 위한 탄소나노튜브 합성 방 법 및 장치에 관한 것이다.
탄소동소체인 탄소나노튜브는 하나의 탄소 원자가 다른 탄소 원자와 육각형의 벌집 무늬로 결합되어 튜브 형태를 이루고 있는 물질로써, 수 나노미터(nm)의 직경을 갖는다. 특히, 탄소나노튜브는 우수한 기계적 특성, 전기적 선택성, 전계방출 특성, 고효율의 수소저장매체 특성 등을 갖는다. 그러므로, 탄소나노튜브는 항공우주, 생명공학, 환경에너지, 재료산업, 의약의료, 전자컴퓨터, 보안안전 등의 폭넓은 기술 분야에 그 적용이 가능하다.
그리고, 탄소나노튜브를 합성하기 위한 방법의 예로서는 전기방전, 플라즈마 화학기상증착, 열 화학기상증착, 열분해 등을 들 수 있고, 이들 방법 중에서도 열 화학기상증착, 열분해가 상용적이다.
상기 열 화학기상증착 또는 열분해를 적용한 탄소나노튜브의 합성에서는, 도 1에 도시된 바와 같이, 주로 장축이 수평으로 형성된 원통형의 반응로(1)와 상기 반응로(1)를 가열하는 가열부(3)를 포함하는 합성 장치를 사용한다. 여기서, 상기 가열부(3)는 주로 원통형의 반응로(1)를 둘러싸는 구조를 갖고, 약 600℃ 내지 1,000℃의 온도로 반응로(1)를 가열한다. 또한, 도 1의 합성 장치는 반응로(1)의 일측으로 가스가 제공되고, 상기 일측과 마주하는 타측으로 가스가 배출되는 구조를 갖는다. 이에, 기판이 수용된 반응로(1)를 고온으로 가열하면서 가스를 제공함에 따라 기판에 탄소나노튜브가 합성된다.
도 1의 합성 장치는 가열부(3)가 반응로(1) 전체를 둘러싸지 못하고 일부를 둘러싸는 구조를 갖는다. 이는, 가열부(3)가 반응로(1) 전체를 둘러쌀 경우 그 주변에 위치하는 다른 부재에 열적 영향을 끼칠 수 있기 때문이다. 그러므로, 가열부(3)가 둘러싼 부분에 해당하는 반응로(1) 부분에만 기판을 위치시키기 때문에 반응로(1)의 공간적인 효율성이 저하되는 문제점이 발생한다.
또한, 상기 합성 장치는 반응로(1) 자체를 직접적으로 가열하기 때문에 반응로(1)의 수명을 단축시키는 원인을 유발하기도 한다. 아울러, 상기 합성 장치는 공간적인 효율성의 저하로 인하여 대형화하기 어려운 문제점이 발생한다.
본 발명의 일 목적은 분말 형태의 촉매가 공급되는 것을 지연시키면서 촉매와 소스 가스를 반응시키기 위한 탄소나노튜브 합성 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 언급한 방법을 용이하게 수행할 수 있는 탄소나노튜브 합성 장치를 제공하는데 있다.
상기 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 탄소나노튜브 합성 방법에 있어서, 반응 챔버 내부를 가열시키고, 상기 가열된 반응 챔버의 내부로 분말 형태의 촉매를 제1 방향으로 공급한다. 그리고, 상기 촉매와 반응하기 위한 소스 가스를 상기 반응 챔버 내부로 상기 촉매의 공급을 지연시킬 수 있는 제2 방향으로 공급하여 상기 촉매와 상기 소스 가스의 반응에 의해 탄소나노튜브를 합성한다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 제1 방향은 상기 반응 챔버의 상부에서 하부로 향하는 방향이고, 상기 제2 방향은 상기 반응 챔버의 하부에서 상부로 향하는 방향이다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 소스 가스를 상기 반응 챔버의 하부에 배치되고 복수개의 분사홀들이 형성된 분산판을 통하여 상기 소스 가스를 상기 반응 챔버 내부에 상기 제2 방향으로 공급한다. 예를 들어, 상기 소스 가스가 상기 반응 챔버 하부의 일부 영역에서 상기 반응 챔버 상부의 전체 영역으로 분산되도록 공급할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 소스 가스를 상기 반응 챔버로 공급하기 전에 상기 소스 가스를 일차적으로 가열하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 탄소나노튜브를 합성하기 위한 상기 촉매와 상기 소스 가스의 반응과 연속적으로 상기 합성된 탄소나노튜브를 회수하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 탄소나노튜브 합성 장치는 반응 챔버, 촉매 공급부 및 소스 가스 공급부를 포함한다. 상기 촉매 공급부는 분말 형태의 촉매를 제1 방향으로 상기 반응 챔버 내부에 공급한다. 상기 소스 가스 공급부는 상기 반응 챔버 내부로 상기 촉매와 반응하기 위한 소스 가스를 상기 촉매의 공급을 지연시킬 수 있도록 제2 방향으로 공급한다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 제1 방향은 상기 반응 챔버의 상부에서 하부로 향하는 방향이고, 상기 제2 방향은 상기 반응 챔버의 하부에서 상부로 향하는 방향이다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 촉매 공급부는 상기 반응 챔버의 측벽에 적어도 하나 배치되고, 상기 촉매가 분사되는 부분이 상기 반응 챔버의 상부 방향으로 향하여 상기 촉매를 상기 반응 챔버의 하부에서 상부 방향으로 분사하는 분사 노즐을 포함하며, 상기 분사 노즐로부터 상기 반응 챔버의 상부로 분사된 상기 촉매가 상기 반응 챔버 내부에 상기 제1 방향으로 공급될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예들에 있어서, 상기 촉매 공급부는 상기 반응 챔버의 상부에 배치되고 메쉬 타입의 구조를 가지며 상기 반응 챔버 내부로 상기 촉매를 분산시키기 위한 분산망을 포함하며, 상기 분산망을 통하여 상기 반응 챔버 내부로 공급된 상기 촉매가 상기 반응 챔버 내부에 상기 제1 방향으로 공급될 수 있다. 예를 들어, 상기 분산망은 상기 반응 챔버보다 작을 수 있다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 소스 가스 공급부는 상기 반응 챔버의 하단에 배치되고 복수개의 분사홀들이 형성된 분산판을 포함하며, 상기 분사홀들을 통하여 상기 반응 챔버 내부로 상기 소스 가스를 상기 제2 방향으로 공급한다. 예를 들어, 상기 분산판은 상기 반응 챔버보다 작을 수 있다. 또한, 상기 분산판은 그 상부면이 곡선의 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 그리고, 상기 분산판은 상기 반응 챔버의 측벽으로부터 일정 거리 이격되어 상기 반응 챔버의 중앙부에 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 소스 가스 공급부의 하부에 배치되고, 상기 촉매와 상기 소스 가스의 반응과 연속적으로 상기 합성된 탄소나노튜브를 회수하기 위한 회수부를 더 포함한다. 예를 들어, 상기 회수부는 상기 분산판과 상기 반응 챔버의 측벽 사이에 형성된 이격 공간을 통하여 상기 합성된 탄소나노튜브를 회수할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 소스 가스는 상기 촉매와 반응하여 탄소나노튜브를 합성하기 위한 반응 가스와 상기 촉매의 공급을 지연시키기 위한 캐리어 가스를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 소스 가스 공급부는 상기 소스 가스 공급부로부터 상기 반응 챔버로 상기 소스 가스의 공급 경로를 제공하는 소스 가스 공급관 및 상기 소스 가스 공급관의 일 영역에 배치되어 상기 공급되는 소스 가스의 양을 조절하기 위한 소스 가스 조절 밸브를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 소스 가스 공급부는 상기 소스 가스 공급부 및 상기 소스 가스 공급관 중 적어도 하나와 인접하게 배치되어 상기 공급되는 소스 가스를 가열하기 위한 예비 가열부를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 예비 가열부는 상기 소스 가스 공급부 및 상기 소스 가스 공급관 중 적어도 하나를 둘러싸면서 배치되고 상기 소스 가스를 가열하기 위한 히팅 코일이 될 수 있다. 이와 달리, 상기 예비 가열부는 상기 소스 가스 공급부와 상기 소스 가스 공급관의 사이에 배치되고 플라즈마를 이용하여 상기 소스 가스를 가열하기 위한 플라즈마 히터가 될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 반응 챔버의 상부에 배치되고, 상기 소스 가스를 상기 반응 챔버로부터 외부로 배출하기 위한 가스 배출부를 더 포함하고, 상기 가스 배출부는 원통 타입의 구조를 가지고 사이클론 방식으로 상기 소스 가스를 배출시킬 수 있다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 반응 챔버의 외측벽을 감싸도록 배치되고, 상기 반응 챔버의 내부를 일정 온도로 가열시키기 위한 가열부를 더 포함할 수 있다.
상술한 본 발명에 따르면, 제1 방향으로 공급되는 분말 형태의 촉매를 향하여 제2 방향으로 소스 가스를 공급하여 촉매의 공급을 지연시킨다. 따라서, 소스 가스가 촉매의 공급을 지연시키면서 촉매와 반응하므로, 반응 시간을 충분하게 확 보하여 반응률을 향상시킬 수 있다. 또한, 공급되는 촉매 입자와 소스 가스가 연속적으로 반응하여 전체적인 탄소나노튜브의 수율 및 효율이 향상될 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조 부호를 유사한 구성 요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 탄소나노튜브 합성 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 3은 도 2의 탄소나노튜브 합성 장치를 상부에서 도시한 정면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 탄소나노튜브 합성 장치(100)는 반응 챔버(200), 촉매 공급부(300), 소스 가스 공급부(500) 및 회수부(600)를 포함한다.
반응 챔버(200)는 그 내부에서 탄소나노튜브를 합성하기 위한 공간을 제공한다. 특히, 반응 챔버(200)는 외부로부터 제공된 열을 이용하여 탄소나노튜브를 합성하기 위한 공간을 제공할 수 있다. 이 때, 상기 열은 약 500 내지 1,100℃가 될 수 있다. 이에 반응 챔버(200)는 상기 열에 견딜 수 있는 재질로 형성된다. 예를 들어, 반응 챔버(200)는 석영, 그라파이트 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있 다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 반응 챔버(200)는 수직으로 세워진 통 타입의 구조를 갖는다. 예를 들어, 반응 챔버(200)는 장축이 수직으로 세워진 원통 형상을 가질 수 있다. 이는 후술할 촉매가 공급되면서 소스 가스와 반응하기 위한 공간을 제공하기 위해서이다.
촉매 공급부(300)는 촉매를 공급한다. 예를 들어, 촉매는 철, 코발트 등의 전이 금속을 포함한다. 본 발명의 실시예들에 있어서, 촉매는 분말 형태를 갖는다. 즉, 촉매는 상기 전이 금속 계열의 재질로 이루어진 분말 형태를 가질 수 있다. 이는 촉매가 액체 상태인 경우, 후술할 소스 가스와의 반응률이 저하되기 때문이다.
또한, 촉매 공급부(300)는 측벽을 관통하여 형성된 촉매 공급관(310)을 통하여 촉매를 공급하고, 촉매 공급관(310)의 일 영역에 배치된 촉매 조절 밸브(320)가 공급되는 촉매의 양을 조절할 수 있다.
촉매 공급부(300)는 반응 챔버(200)의 내부로 촉매를 공급한다. 촉매 공급부(300)는 촉매를 반응 챔버(200)의 내부에 제1 방향으로 공급한다. 예를 들어, 상기 제1 방향은 반응 챔버(200)의 상부에서 하부로 향하는 방향이 될 수 있다. 따라서, 촉매 공급부(300)는 반응 챔버(200)의 상부에서 하부 방향으로 낙하시키는 방식으로 촉매를 공급한다. 이와 달리, 촉매 공급부(300)는 낙하시키는 방식 이외에 다양한 방향으로 촉매를 공급할 수 있다. 따라서, 상기 제1 방향이 반응 챔버(200)의 상부에서 하부로 향하는 방향으로 한정되는 것은 아니라고 할 것이다.
예를 들어, 촉매 공급부(300)는 분사 노즐(330)을 포함한다. 분사 노즐(330) 은 반응 챔버(200)의 내측벽(210)에 적어도 하나 배치된다. 예를 들어, 분사 노즐(330)은 반응 챔버(200)의 내측벽(210) 하부측에 복수개가 배치될 수 있다. 도 3을 참조하면, 분사 노즐(330)은 반응 챔버(200)의 내측벽(210)을 따라 네 개가 배치된다. 이와 달리, 분사 노즐(330)은 일정한 간격으로 내측벽(210)을 따라 복수개가 배치될 수 있다.
분사 노즐(330)은 상부 방향으로 일정 각도를 이루면서 형성된다. 즉, 분사 노즐(330)의 분사 방향은 반응 챔버(200)의 상부로 향한다. 따라서, 분사 노즐(330)로부터의 분사된 촉매는 반응 챔버(200)의 상단과 인접한 영역에 도달한다. 그리고, 촉매는 반응 챔버(200) 내부에서 제1 방향으로 공급된다. 즉, 분사 노즐(330)은 촉매를 상부로 분사하여 촉매가 자유 낙하하는 방식으로 반응 챔버(200)의 상부에서 하부 방향으로 낙하되도록 한다.
소스 가스 공급부(500)는 반응 챔버(200)의 내부로 소스 가스를 제공한다. 이 때, 소스 가스 공급부(500)는 소스 가스 공급관(510)을 통하여 반응 챔버(200) 내부로 소스 가스를 제공한다. 이 때, 소스 가스 조절 밸브(520)가 소스 가스 공급관(510)의 일 영역에 배치되어 제공되는 소스 가스의 양을 조절할 수 있다.
또한, 소스 가스 공급부(500)는 반응 챔버(200)의 하부 일측에 배치된다. 예를 들어, 소스 가스 공급부(500)는 반응 챔버(200)의 하부측 중앙에 배치된다.
소스 가스 공급부(500)는 반응 챔버(200) 내부에 소스 가스를 제2 방향으로 공급한다. 여기서, 상기 제2 방향은 촉매의 공급 방향인 제1 방향과 상이하다. 본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 제2 방향과 제1 방향은 실질적으로 반대 방향이 다. 따라서, 소스 가스 공급부(500)는 반응 챔버(200)의 하부에서 상부 방향으로 소스 가스를 제공한다. 따라서, 소스 가스 공급부(500)로부터 제공된 소스 가스가 촉매의 공급을 지연시킬 수 있다. 구체적으로, 소스 가스를 하부에서 공급하지 않은 경우, 촉매가 반응 챔버(200)의 상단에서 하단까지 제1 시간동안 공급된다. 그러나, 소스 가스를 하부에서 공급하는 경우, 촉매의 공급이 소스 가스에 의해 지연되어 촉매가 반응 챔버(200)의 상단에서 하단까지 상기 제1 시간보다 큰 제2 시간 동안 공급된다. 따라서, 촉매가 천천히 공급하므로 촉매와 소스 가스가 반응할 수 있는 시간이 충분히 확보된다. 따라서, 촉매와 소스 가스의 반응률이 향상되므로 탄소나노튜브의 수율 및 순도가 크게 향상될 수 있다.
또한, 소스 가스 공급부(500)는 소스 가스 조절 밸브(520)를 이용하여 소스 가스의 공급량을 조절할 수 있다. 따라서, 소스 가스 공급부(500)는 소스 가스 조절 밸브(520)를 이용하여 촉매의 공급 속도를 조절할 수 있다. 이와 달리, 소스 가스 공급부(500)는 별도로 배치된 제어부(도시되지 않음)를 통하여 소스 가스의 공급량을 조절하여 촉매의 공급 속도를 제어할 수 있다. 소스 가스의 공급량 조절에 관해서는 도 4를 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
소스 가스 공급부(500)는 반응 챔버(200)의 하부측에 배치된 분산판(560)을 포함한다. 또한, 분산판(560)은 그 상면에 복수개로 형성된 분사홀(562)들을 포함한다. 따라서, 소스 가스 공급부(500)는 분산판(560)의 분사홀(562)들을 통하여 반응 챔버(200) 내부로 소스 가스를 공급한다. 한편, 소스 가스 공급부(500)는 소스 가스 공급관(510)과 연결되고 분산판(560)과 소스 가스 공급관(510)의 사이에 배치된 분산 공간(550)을 포함할 수 있다. 따라서, 소스 가스 공급부(500)는 소스 가스 공급관(510)으로부터 공급된 소스 가스를 분산 공간(550)에서 일차적으로 분산시키고, 분산판(560)의 분사홀(562)들을 통해서 소스 가스를 부분적으로 집중시킨다. 그리고, 소스 가스 공급부(500)는 복수개의 분사홀(562)을 통해 반응 챔버(200)의 내부로 소스 가스를 공급한다. 이에 따라, 소스 가스가 반응 챔버(200)의 내부 공간에 전체적으로 균일하게 공급될 수 있다.
도 3을 참조하면, 분산판(560)은 반응 챔버(200)보다 작게 형성될 수 있다. 예를 들어, 분산판(560)과 반응 챔버(200)의 단면이 원의 형상을 갖는 경우, 분산판(560)의 직경은 반응 챔버(200)의 직경보다 작게 형성된다. 이 때, 소스 가스 공급부(500)가 공급되는 촉매 전부를 지연시키기 위해서는 소스 가스가 반응 챔버(200)의 내부 공간 전체를 향하여 분사될 필요가 있다. 이에 반응 챔버(200)보다 작게 형성된 분산판(560)의 상부면이 곡선의 형상을 가질 수 있다. 즉, 분산판(560)의 상부면이 볼록한 곡선의 형상을 갖는 경우, 분산판(560)의 가장 자리로부터 분사된 소스 가스는 반응 챔버(200)의 내측벽 방향으로 분사된다. 따라서, 분산판(560)이 반응 챔버(200)보다 작은 경우에도 소스 가스가 공급되는 촉매 전체에 대해 분사된다.
또한, 분산판(560)은 반응 챔버(200)의 내측벽(210)으로부터 일정 거리 이격되어 형성된다. 여기서, 분산판(560) 상부면의 형상은 분산판(560)과 내측벽(210)의 이격 거리(d)를 고려하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 이격 거리(d)가 큰 경우, 분산판(560)의 상부면은 상대적으로 더 휘어진 곡선의 형상을 가지고, 이격 거 리(d)가 작은 경우, 분산판(560)의 상부면은 상대적으로 덜 휘어진 곡선의 형상을 가질 수 있다. 따라서, 소스 가스 공급부(500)는 볼록하게 형성된 상부면을 갖는 분산판(560)을 통해 소스 가스를 공급하므로, 소스 가스가 공급되는 촉매 전부를 커버할 수 있다.
이와 같이, 소스 가스 공급부(500)는 소스 가스를 제2 방향, 즉 반응 챔버(200)의 상부 방향으로 공급하여 공급되는 촉매의 속도를 감소시킬 수 있다. 또한, 공급 속도가 제어되면서 공급되는 촉매가 소스 가스와 반응하여 탄소나노튜브가 합성될 수 있다.
회수부(600)는 합성된 탄소나노튜브를 회수한다. 예를 들어, 회수부(600)는 소스 가스 공급부(500)의 하부에 배치된다. 이에 회수부(600)는 촉매와 소스 가스의 반응에 의해 합성된 탄소나노튜브를 반응 챔버(200)의 하부에서 회수한다.
예를 들어, 분산판(560)이 반응 챔버(200)의 크기보다 작고, 분산판(560)이 반응 챔버(200)의 하단에 배치되는 경우, 분산판(560)은 반응 챔버(200)의 내측벽(210)으로부터 이격 거리(d)만큼 이격된다. 이 때, 회수부(600)는 분산판(560)과 내측벽(210) 사이의 이격 거리(d)에 의해 발생한 공간을 통하여 탄소나노튜브를 회수할 수 있다. 즉, 촉매가 반응 챔버(200)의 하부 방향인 제1 방향으로 낙하하고, 낙하하는 촉매가 소스 가스와 반응하여 합성된 탄소나노튜브가 반응 챔버(200)의 하부 방향으로 계속 낙하한다. 그리고, 낙하하는 탄소나노튜브는 상기 이격 공간을 통과한다. 따라서, 회수부(600)는 반응 챔버(200)의 하부측에서 탄소나노튜브를 회수할 수 있다.
이와 달리, 탄소나노튜브를 회수하기 위하여 별도로 회수 장치를 배치시킬 수 있다. 예를 들어, 반응 챔버(200)의 하부에서 탄소나노튜브를 회수하지 않고 합성 공정이 종료된 후, 외부의 회수 장치가 탄소나노튜브를 회수할 수 있다. 이 때, 반응 챔버(200)의 바닥부는 합성된 탄소나노튜브가 적층되기 위한 공간을 구비할 수 있다.
탄소나노튜브 합성 장치(100)는 가열부(700), 가스 배출부(800) 및 압력 조절부(900)를 더 포함한다.
가열부(700)는 반응 챔버(200) 내부를 가열시킨다. 예를 들어, 가열부(700)는 반응 챔버(200)를 둘러싸면서 배치된다. 예를 들어, 가열부(700)는 반응 챔버(200)의 내부 온도를 약 500 내지 1,100℃ 정도의 온도로 가열할 수 있다. 이에 가열부(700)는 반응 챔버(200)를 둘러싼 히팅 코일을 포함할 수 있다.
가스 배출부(800)는 반응 챔버(200)의 상부에서 소스 가스를 외부로 배출시킨다. 가스 배출부(800)에 관해서는 도 7을 통하여 상세하게 설명하기로 한다.
압력 조절부(900)는 반응 챔버(200)와 연결되어 반응 챔버(200) 내부의 압력 상태를 조절한다. 예를 들어, 압력 조절부(900)는 반응 챔버(200)내부의 압력 상태를 조절하기 위한 통로인 압력 조절관(910)과 압력 조절 밸브(920)를 포함한다. 이에 압력 조절부(900)가 반응 챔버(200)의 내부를 감압시켜 진공 상태로 유지할 수 있다.
본 발명에 따르면, 소스 가스를 공급되는 촉매를 향하여 공급하여 촉매의 공급 속도를 지연시킬 수 있다. 이 때, 소스 가스의 양을 조절하여 촉매의 공급 속도 를 제어하면서 촉매와 소스 가스를 반응 시킬 수 있다. 이와 같이, 소스 가스와 촉매를 반응시킴으로써 상대적으로 좁은 공간에서 효율적으로 탄소나노튜브를 합성할 수 있다. 또한, 탄소나노튜브를 연속적으로 합성시켜 탄소나노튜브의 수율 및 순도를 향상시킬 수 있다.
도 4는 도 2의 소스 가스 공급부를 구체적으로 설명하기 위한 구성도이다.
도 4를 참조하면, 소스 가스 공급부(500)는 반응 가스 제공부(530) 및 캐리어 가스 제공부(540)를 포함한다.
예를 들어, 반응 가스 제공부(530)는 촉매와 반응하여 탄소나노튜브를 합성하기 위한 반응 가스를 반응 챔버(200)의 내부에 제공한다. 또한, 캐리어 가스 제공부(540)는 반응 챔버(200)의 내부에서 촉매의 공급을 지연시키기 위한 캐리어 가스를 반응 챔버(200)에 제공한다. 여기서, 반응 가스는 아세틸렌, 에틸렌, 메탄, 벤젠, 크실렌, 일산화탄소, 이산화탄소 등을 포함하고, 캐리어 가스는 아르곤 가스와 같은 불활성 가스를 포함할 수 있다.
캐리어 가스 제공부(540)는 캐리어 가스를 반응 챔버(200) 내부로 제공하여 촉매의 공급 속도를 감소시킬 수 있다. 이 때, 반응 가스는 반응 가스 조절 밸브(532)에 의해 차단될 수 있다. 촉매의 공급 속도가 지연될 때, 반응 가스 제공부(530)가 반응 챔버(200) 내부로 반응 가스를 제공한다. 이와 달리, 캐리어 가스와 반응 가스가 반응 챔버(200) 내부로 동시에 제공될 수도 있다. 예를 들어, 반응 가스가 공급되는 동안, 캐리어 가스는 캐리어 가스 조절 밸브(542)에 의해 그 양이 조절 될 수 있다. 예를 들어, 촉매가 반응 챔버(200)의 내부에서 촉매의 공급을 계 속적으로 지연시켜야 하므로 캐리어 가스를 완전히 차단하지는 않고, 그 양이 감소되도록 조절할 수 있다. 한편, 캐리어 가스 및/또는 반응 가스의 혼합 비율은 반응 가스 조절 밸브(532)와 캐리어 가스 조절 밸브(542)에 의해 조절될 수 있다. 이와 같이, 촉매가 반응 챔버(200)의 상부에서 하부 방향으로 낙하되고, 소스 가스가 하부에서 공급되어 촉매의 낙하 및/또는 공급 속도를 감소시키면서 촉매와 반응함으로써 탄소나노튜브가 합성될 수 있다.
도 5 및 도 6은 도 2의 예비 가열부를 설명하기 위한 구성도들이다.
도 2를 참조하면, 소스 가스 공급부(500)는 소스 가스를 예열시키기 위한 예비 가열부(570)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 예비 가열부(570)는 소스 가스 공급부(500)와 인접하게 배치된다. 예비 가열부(570)는 소스 가스 공급부(500)를 둘러싸면서 배치될 수 있다. 따라서, 예비 가열부(570)는 소스 가스 공급부(500) 내의 소스 가스를 가열시킬 수 있다.
도 5를 참조하면, 예비 가열부(570)는 소스 가스 공급관(510)을 둘러싸면서 배치된 히팅 코일(572)을 포함할 수 있다. 또한, 도 6을 참조하면, 예비 가열부(570)는 소스 가스 공급부(500)와 소스 가스 조절 밸브(520) 사이의 소스 가스 공급관(510)의 일 영역에 배치된 플라즈마 히터(574)를 포함할 수 있다. 이 때, 플라즈마 히터(574)는 플라즈마를 이용하여 소스 가스를 예열시킨다. 이와 달리, 예비 가열부(570)는 소스 가스를 일차적으로 예열시킬 수만 있다면, 다양한 히팅 부재들을 포함할 수 있다.
이와 같이, 예비 가열부(570)가 소스 가스를 일차적으로 가열하여 반응 챔 버(200) 내부로 소스 가스를 공급할 수 있다. 전술한 바와 같이, 소스 가스는 아세틸렌, 에틸렌, 메탄, 벤젠, 크실렌, 일산화탄소, 이산화탄소 등을 포함할 수 있다. 이에 예비 가열부(570)가 소스 가스를 탄소를 포함하는 라디칼로 활성화시킬 수 있다. 따라서, 예비 가열부(570)가 소스 가스를 탄소를 포함하는 라디칼로 활성화시키고, 소스 가스 공급부(500)가 상기 활성화된 라디칼을 반응 챔버(200) 내부로 공급한다. 이에 따라, 반응 챔버(200) 내부에서 수행되는 탄소나노튜브 합성 공정의 효율이 크게 향상될 수 있다.
도 7은 도 2의 가스 배출부를 구체적으로 설명하기 위한 구성도이다.
도 7을 참조하면, 가스 배출부(800)는 반응 챔버(200)와 연결된 가스 배출관(810) 및 가스 배출관(810)의 일 영역에 배치되어 배출되는 가스량을 조절하기 위한 가스 밸브(820)를 포함한다.
또한, 가스 배출부(800)는 사이클론 용기(830), 배기부(840) 및 촉매 배출부(850)를 포함한다. 사이클론 용기(830)는 가스 배출관(810)의 일측과 연결되고, 배기부(840)는 사이클론 용기(830)로부터 소스 가스를 외부로 배기시킨다. 또한, 촉매 배출부(850)는 사이클론 용기(830)의 하부와 연결되고 반응 챔버(200)로부터 배출된 촉매를 배출한다. 예를 들어, 촉매가 가스 배출관(810)을 통해 반응 챔버(200)로부터 배출되는 경우, 사이클론(cyclon) 방식을 사용하여 상대적으로 무거운 촉매를 사이클론 용기(830)의 하부로 유도하여 외부로 배출시킨다. 그리고, 가벼운 소스 가스는 배기부(840)를 통하여 외부로 배기시킬 수 있다. 따라서, 가스 배출부(800)는 소스 가스 및/또는 촉매를 외부로 배출시킬 수 있다.
이와 같이, 가스 배출부(800)는 사이클론 방식에 의하여 소스 가스와 촉매를 배출함으로써, 공정의 효율을 향상시킬 수 있다. 이와 달리, 가스 배출부(800)는 촉매 배출부(850)로부터 배출된 촉매를 반응 챔버(200)로 회수하여 재활용할 수도 있을 것이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 탄소나노튜브 합성 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. 본 발명의 다른 실시예들에 따른 탄소나노튜브 합성 장치는 촉매 공급부를 제외하고, 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 탄소나노튜브 합성 장치와 동일한 구성을 가지므로, 그 중복된 설명은 생략하기로 하며, 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호 및 명칭을 사용하기로 한다.
도 8을 참조하면, 촉매 공급부(400)는 분말 형태의 촉매를 반응 챔버(200) 내부로 공급한다. 촉매는 철, 코발트 등의 전이 금속을 포함한다. 따라서, 촉매 공급부(400)는 상기 전이 금속 계열의 재질로 이루어진 분말 형태의 촉매를 반응 챔버(200)의 내부로 공급한다.
촉매 공급부(400)는 반응 챔버(200)의 상부에 배치된다. 촉매 공급부(400)는 반응 챔버(200)의 상부벽을 관통하여 형성된 촉매 공급관(410)을 통하여 촉매를 공급하고, 촉매 공급관(410)의 일 영역에 배치된 촉매 조절 밸브(420)를 이용하여 공급하는 촉매의 양을 조절할 수 있다.
촉매 공급부(400)는 반응 챔버(200)의 상부에 배치된 분산망(430)을 포함한다. 예를 들어, 분산망(430)은 메쉬 타입의 구조를 가진다. 또한, 분산망(430)에는 복수개의 분산홀(432)이 형성된다. 이에 촉매 공급부(400)는 촉매를 분산시키기 위 하여 분산홀(432)을 통하여 반응 챔버(200) 내부로 촉매를 공급할 수 있다. 따라서, 분산홀(432)을 통하여 반응 챔버(200) 내부로 공급되는 촉매는 제1 방향을 가진다. 이 때, 제1 방향은 반응 챔버(200)의 상부에 하부를 향하는 방향이다.
예를 들어, 촉매 공급부(400)의 분산망(430)은 반응 챔버(200)의 크기보다 작을 수 있다. 또한, 분산망(430)과 반응 챔버(200)의 단면이 원의 형상인 경우, 분산망(430)의 직경은 반응 챔버(200)의 직경보다 상대적으로 작다. 따라서, 분산망(430)의 분산홀(432)을 통하여 공급되는 촉매는 반응 챔버(200)의 일부 공간을 통하여 아래 방향으로 낙하할 수 있다. 이는 촉매가 반응 챔버(200)의 전체 공간으로 공급되는 경우, 촉매의 일부가 소스 가스와 반응하지 못하거나 촉매의 빠른 속도로 낙하되어 합성률이 저하되기 때문이다.
이에 제1 방향으로 공급되는 촉매를 향하여 제2 방향으로 공급되는 소스 가스에 의해 촉매의 공급 속도가 감소하여 촉매는 상대적으로 천천히 공급되면서 소스 가스와 반응할 수 있다. 특히, 소스 가스 공급부(500)가 소스 가스의 양을 조절하여 공급함으로써 촉매의 공급 속도를 제어할 수 있다. 이와 같이, 소스 가스와 촉매가 상대적으로 좁은 공간에서 효율적으로 반응함으로써 탄소나노튜브를 효율적으로 합성할 수 있다. 또한, 탄소나노튜브를 연속적으로 합성시켜 탄소나노튜브의 수율 및 순도를 향상시킬 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 탄소나노튜브 합성 방법을 설명하기 위한 개략적인 순서도이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 탄소나노튜브 합성 방법에 있 어서, 먼저 반응 챔버의 내부를 가열시키고(S100), 가열된 반응 챔버의 내부로 촉매를 제1 방향으로 공급한다(S200). 그리고, 반응 챔버의 내부로 소스 가스를 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 공급시킨다(S300).
구체적으로, 먼저 가열부가 반응 챔버의 내부를 설정된 온도까지 가열시킨다. 예를 들어, 반응 챔버의 내부를 목표 온도보다 낮은 온도로 가열시켜 반응 챔버의 내부를 예열시킨다. 이와 달리, 반응 챔버의 내부를 소스 가스와 촉매가 반응할 수 있는 목표 온도로 가열시킬 수도 있다. 예를 들어, 목표 온도는 약 500 내지 1,100℃가 될 수 있다(S100).
촉매 공급부가 가열된 반응 챔버 내부로 촉매를 공급한다. 예를 들어, 촉매는 주로 철, 니켈 등을 포함한다. 한편, 촉매는 구 형상을 가질 수 있다. 여기서, 구 형상의 촉매를 사용하는 것은 제공되는 소스 가스와 반응하기 위한 면적을 상대적으로 많이 확보하기 위해서이다. 한편, 공정의 조건, 종류 등에 따라 촉매의 크기, 밀도, 응집 정도 등이 다양하게 변경될 수 있다.
또한, 촉매 공급부는 분말 형태의 촉매를 반응 챔버의 내부로 공급한다. 예를 들어, 촉매 공급부는 분말 형태의 촉매를 반응 챔버 내부에 제1 방향으로 공급한다. 여기서, 제1 방향은 반응 챔버의 상부에서 하부로 향하는 방향이 될 수 있다. 따라서, 촉매 공급부는 반응 챔버의 상부에서 하부 방향으로 낙하하는 방식으로 공급한다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 촉매 공급부는 분사 노즐을 포함하고, 분사 노즐이 반응 챔버의 상부 방향으로 촉매를 분사한다. 이 때, 상부로 분사된 촉매는 반응 챔버의 상부측에 도달하고, 도달한 영역으로부터 아래 방향으로 공급된다. 따라서, 촉매는 반응 챔버의 하부로 낙하한다. 본 발명의 다른 실시예들에 있어서, 촉매 공급부는 반응 챔버의 상부에 배치된 분산망을 포함하고, 분산망을 통하여 촉매를 반응 챔버의 상부에서 하부 방향으로 공급한다. 한편, 촉매 공급부는 촉매가 반응 챔버의 상부에서 하부 방향으로 공급할 수 있는 다양한 수단들을 포함할 수 있다. 이와 같이, 촉매 공급부는 촉매를 낙하시키는 방식으로 반응 챔버의 내부에 촉매를 공급한다(S200).
소스 가스 공급부가 촉매와 반응하기 위한 소스 가스를 반응 챔버의 내부로 공급한다. 예를 들어, 소스 가스는 아세틸렌, 에틸렌, 메탄, 벤젠, 크실렌, 일산화탄소, 이산화탄소 등이 사용될 수 있다. 이 때, 소스 가스를 반응 챔버의 내부에 집중하면서 동시에 균일하게 제공하기 위하여, 소스 가스 공급부는 반응 챔버의 하부에 배치된 분산판을 통하여 제공한다. 또한, 분산판은 다수개의 분사홀을 갖는다. 따라서, 소스 가스 공급부는 분사홀을 통하여 반응 챔버의 내부로 소스 가스를 분사한다. 또한, 소스 가스 공급부는 분산판의 하부에 형성된 분산 공간을 통하여 소스 가스를 제공한다. 분산 공간은 소스 가스가 분산되기 위한 소정의 공간을 마련하고, 분산 공간에서 분산된 소스 가스는 분사홀에 의해 부분적으로 집중되면서 반응 챔버 내로는 전체적으로 균일하게 분사될 수 있다. 이에 소스 가스와 촉매를 충분하게 반응시켜 탄소나노튜브를 합성시킬 수 있다.
또한, 반응 챔버의 하부에서 탄소나노튜브를 회수하기 위하여 분산판을 반응 챔버보다 작게 형성하는 경우, 분산판의 상부면을 곡선으로 형성할 수 있다. 따라 서, 분산판의 상부면을 볼록하게 형성할 경우, 소스 가스 공급부는 분산판을 통하여 반응 챔버 내부에 균일하게 공급할 수 있다. 이와 같이, 소스 가스 공급부는 반응 챔버의 하부의 일 영역에서 반응 챔버 상부의 전체 영역으로 소스 가스를 공급할 수 있다.
이 때, 소스 가스 공급부가 촉매의 제1 방향과 실질적으로 반대 방향인 제2 방향으로 소스 가스를 공급함으로써, 촉매가 공급되는 속도를 감소시킨다. 이 때, 소스 가스 공급부는 소스 가스의 양을 조절하여 공급할 수 있다. 따라서, 공급되는 소스 가스의 양에 따라 촉매의 공급 속도가 조절될 수 있다. 이와 같이, 낙하 방식으로 공급되는 촉매의 공급 속도를 조절하면서 소스 가스와 반응시킴으로써 상대적으로 좁은 공간을 전체적으로 활용하면서 그 합성 효율을 향상시킬 수 있다. 그리고, 촉매와 소스 가스를 연속적으로 합성시켜 탄소나노튜브의 합성 수율 및 순도를 향상시킬 수 있다(S300).
한편, 소스 가스를 반응 챔버로 공급하기 전에 소스 가스를 일차적으로 가열시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 즉, 예비 가열부가 소스 가스를 일정 온도까지 예열하여 소스 가스를 탄소를 포함하는 라디칼 등으로 활성화시키고, 소스 가스 공급부가 활성화된 상태의 소스 가스를 반응 챔버로 공급한다. 따라서, 공정 시간 및 비용을 절감하여 탄소나노튜브 합성 공정의 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 소스 가스 공급부의 하부에 배치된 회수부가 합성된 탄노나노튜브를 회수하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 회수부는 반응 챔버보다 작은 분산판의 하부에 배치된다. 이 때, 합성된 탄소나노튜브는 분산판과 반응 챔버의 내 측벽 사이의 이격 공간을 통하여 하부로 낙하한다. 따라서, 회수부가 반응 챔버의 하부에서 탄소나노튜브를 회수할 수 있다. 이와 달리, 반응 챔버 내부에 탄소나노튜브 합성 공정이 종료된 후, 별도의 회수 장치가 합성된 탄소나노튜브를 회수할 수도 있다.
이와 같이, 제1 방향으로 공급되는 촉매를 향하여 촉매의 공급을 지연시킬 수 있는 제2 방향으로 소스 가스를 공급함으로써, 촉매의 공급 속도가 감소한다. 따라서, 촉매는 상대적으로 천천히 공급되어 소스 가스와 반응할 수 있다. 특히, 소스 가스 공급부가 소스 가스의 양을 조절하여 공급함으로써 촉매의 공급 속도를 제어할 수 있다. 이와 같이, 소스 가스와 촉매의 반응이 상대적으로 좁은 공간에서 효율적으로 이루어지므로, 탄소나노튜브를 충분하게 합성할 수 있다. 또한, 탄소나노튜브를 연속적으로 합성시켜 탄소나노튜브의 수율 및 순도를 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 탄소나노튜브 합성 방법 및 장치에 있어서, 반응 챔버 내부에 제1 방향으로 공급되는 촉매를 향하여 촉매의 공급을 지연시킬 수 있는 제2 방향으로 소스 가스를 분사함으로써, 촉매의 공급 속도가 감소하여 촉매는 상대적으로 천천히 공급될 수 있다. 따라서, 촉매와 소스 가스의 반응 시간을 충분하게 확보하여 촉매와 소스 가스의 반응률을 향상시킬 수 있다.
또한, 소스 가스 공급부가 소스 가스의 양을 조절하여 공급함으로써 촉매의 공급 속도를 제어할 수 있다. 이와 같이, 촉매의 공급 속도를 제어하면서 소스 가스와 촉매를 상대적으로 좁은 공간에서 효율적으로 반응시킬 수 있다. 또한, 탄소 나노튜브를 연속적으로 합성시켜 탄소나노튜브의 수율 및 순도를 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 탄소나노튜브 합성 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 탄소나노튜브 합성 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 3은 도 2의 탄소나노튜브 합성 장치를 상부에서 도시한 정면도이다.
도 4는 도 2의 소스 가스 공급부를 구체적으로 설명하기 위한 구성도이다.
도 5 및 도 6은 도 2의 예비 가열부를 설명하기 위한 구성도들이다.
도 7은 도 2의 가스 배출부를 구체적으로 설명하기 위한 구성도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 탄소나노튜브 합성 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 탄소나노튜브 합성 방법을 설명하기 위한 개략적인 순서도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 탄소나노튜브 합성 장치 200 : 반응 챔버
210 : 내측벽 300, 400 : 촉매 공급부
330 : 촉매 분사 노즐 430 : 분산망
432 : 분산홀 500 : 소스 가스 공급부
530 : 반응 가스 제공부 540 : 캐리어 가스 제공부
550 : 분산 공간 560 : 분산판
562 : 분사홀 570 : 예비 가열부
572 : 히팅 코일 574 : 플라즈마 히터
600 : 회수부 700 : 가열부
800 : 가스 배출부 900: 압력 조절부

Claims (24)

  1. 반응 챔버 내부를 가열시키는 단계;
    상기 가열된 반응 챔버 내부로 분말 형태의 촉매를 제1 방향으로 공급하는 단계; 및
    상기 촉매와 반응하기 위한 소스 가스를 상기 반응 챔버 내부로 상기 촉매의 공급을 지연시킬 수 있는 제2 방향으로 공급하여 상기 촉매와 상기 소스 가스의 반응에 의해 탄소나노튜브를 합성하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 합성 방법.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제1 방향은 상기 반응 챔버의 상부에서 하부로 향하는 방향이고, 상기 제2 방향은 상기 반응 챔버의 하부에서 상부로 향하는 방향인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 소스 가스는 상기 반응 챔버의 하부에 배치되고 복수개의 분사홀들이 형성된 분산판을 통하여 상기 반응 챔버 내부에 상기 제2 방향으로 공급되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법.
  4. 제3 항에 있어서, 상기 소스 가스를 상기 반응 챔버 하부의 일부 영역에서 상기 반응 챔버 상부의 전체 영역으로 분산되도록 공급하는 것을 특징으로 하는 탄 소나노튜브 합성 방법.
  5. 제3 항에 있어서, 상기 소스 가스를 상기 반응 챔버로 공급하기 전에 상기 소스 가스를 일차적으로 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법.
  6. 제3 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브를 합성하기 위한 상기 촉매와 상기 소스 가스의 반응과 연속적으로 상기 합성된 탄소나노튜브를 회수하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법.
  7. 반응 챔버;
    상기 반응 챔버 내부로 분말 형태의 촉매를 제1 방향으로 공급하기 위한 촉매 공급부; 및
    상기 반응 챔버 내부로 상기 촉매와 반응하기 위한 소스 가스를 상기 촉매의 공급을 지연시킬 수 있도록 제2 방향으로 공급하는 소스 가스 공급부를 포함하는 탄소나노튜브 합성 장치.
  8. 제7 항에 있어서, 상기 제1 방향은 상기 반응 챔버의 상부에서 하부로 향하는 방향이고, 상기 제2 방향은 상기 반응 챔버의 하부에서 상부로 향하는 방향인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 장치.
  9. 제7 항에 있어서, 상기 촉매 공급부는 상기 반응 챔버의 측벽에 적어도 하나 배치되고, 상기 촉매가 분사되는 부분이 상기 반응 챔버의 상부 방향으로 향하여 상기 촉매를 상기 반응 챔버의 하부에서 상부 방향으로 분사하는 분사 노즐을 포함하며,
    상기 분사 노즐로부터 상기 반응 챔버의 상부로 분사된 상기 촉매가 상기 반응 챔버 내부에 상기 제1 방향으로 공급되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 장치.
  10. 제7 항에 있어서, 상기 촉매 공급부는 상기 반응 챔버의 상부에 배치되고 메쉬 타입의 구조를 가지며 상기 반응 챔버 내부로 상기 촉매를 분산시키기 위한 분산망을 포함하며,
    상기 분산망을 통하여 상기 반응 챔버 내부로 공급된 상기 촉매가 상기 반응 챔버 내부에 상기 제1 방향으로 공급되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 장치.
  11. 제10 항에 있어서, 상기 분산망은 상기 반응 챔버보다 작은 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 장치.
  12. 제7 항에 있어서, 상기 소스 가스 공급부는 상기 반응 챔버의 하단에 배치되 고 복수개의 분사홀들이 형성된 분산판을 포함하며,
    상기 분사홀들을 통하여 상기 반응 챔버 내부로 상기 소스 가스를 상기 제2 방향으로 공급하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 장치.
  13. 제12 항에 있어서, 상기 분산판은 상기 반응 챔버보다 작은 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 장치.
  14. 제13 항에 있어서, 상기 분산판은 그 상부면이 곡선의 형상을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 장치.
  15. 제13 항에 있어서, 상기 분산판은 상기 반응 챔버의 측벽으로부터 일정 거리 이격되어 상기 반응 챔버의 중앙부에 배치되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 장치.
  16. 제12 항에 있어서, 상기 소스 가스 공급부의 하부에 배치되고, 상기 촉매와 상기 소스 가스의 반응과 연속적으로 상기 합성된 탄소나노튜브를 회수하기 위한 회수부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 장치.
  17. 제16 항에 있어서, 상기 회수부는 상기 분산판과 상기 반응 챔버의 측벽 사이에 형성된 이격 공간을 통하여 상기 합성된 탄소나노튜브를 회수하는 것을 특징 으로 하는 탄소나노튜브 합성 장치.
  18. 제7 항에 있어서, 상기 소스 가스는 상기 촉매와 반응하여 탄소나노튜브를 합성하기 위한 반응 가스와 상기 촉매의 공급을 지연시키기 위한 캐리어 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 장치.
  19. 제7 항에 있어서, 상기 소스 가스 공급부는
    상기 소스 가스 공급부로부터 상기 반응 챔버로 상기 소스 가스의 공급 경로를 제공하는 소스 가스 공급관; 및
    상기 소스 가스 공급관의 일 영역에 배치되어 상기 공급되는 소스 가스의 양을 조절하기 위한 소스 가스 조절 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 장치.
  20. 제19 항에 있어서, 상기 소스 가스 공급부는
    상기 소스 가스 공급부 및 상기 소스 가스 공급관 중 적어도 하나와 인접하게 배치되어 상기 공급되는 소스 가스를 가열하기 위한 예비 가열부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 장치.
  21. 제20 항에 있어서, 상기 예비 가열부는 상기 소스 가스 공급부 및 상기 소스 가스 공급관 중 적어도 하나를 둘러싸면서 배치되고 상기 소스 가스를 가열하기 위 한 히팅 코일인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 장치.
  22. 제20 항에 있어서, 상기 예비 가열부는 상기 소스 가스 공급부와 상기 소스 가스 공급관의 사이에 배치되고 플라즈마를 이용하여 상기 소스 가스를 가열하기 위한 플라즈마 히터인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 장치.
  23. 제7 항에 있어서, 상기 반응 챔버의 상부에 배치되고, 상기 소스 가스를 상기 반응 챔버로부터 외부로 배출하기 위한 가스 배출부를 더 포함하고,
    상기 가스 배출부는 원통 타입의 구조를 가지고 사이클론 방식으로 상기 소스 가스를 배출시키는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 장치.
  24. 제7 항에 있어서, 상기 반응 챔버의 외측벽을 감싸도록 배치되고, 상기 반응 챔버의 내부를 일정 온도로 가열시키기 위한 가열부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 장치.
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