KR100914948B1 - 광학 기록 매체 및 광학 기록 매체를 사용하는 기록 및 판독 방법 - Google Patents

광학 기록 매체 및 광학 기록 매체를 사용하는 기록 및 판독 방법

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요시타카 하야시
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Abstract

본 발명의 목적은 기록 파장에서 광을 흡수하여 발열하고 발열 용융 및 변형되는 상 변화 재료(phase-change material)를 포함하는 제1 변형 재료 층과, 광을 투과하며 열 변형 및 변경되는 실리콘 산화물(SiOx; O ＜ x ≤ 2)을 함유하는 재료를 포함하는 제2 변형 재료 층을 구비한 적층 구조를 포함하는 광학 기록 매체를 제공하는 데 있다. 정보가 기록된 후에, 상기 제1 변형 재료 층의 두께는 기록 정보에 따라서 기록 마크의 중심이 그 기록 마크의 단부보다 더 두껍게 변경되고, 상기 제2 변형 재료 층은 상기 기록 정보에 기초하여 상기 제1 변형 재료 층 상에 형성된 요철 패턴(concave-convex pattern)에 대응하여 변형 및 변경되며, 상기 제1 변형 재료 층은 정보가 재생되는 경우에 고체 상태에서 용융 상태로 변경된다.

Description

광학 기록 매체 및 광학 기록 매체를 사용하는 기록 및 판독 방법{OPTICAL RECORDING MEDIUM AND RECORDING AND READOUT METHOD USING THE SAME}
본 발명은 정보를 광학 기록 및 재생하는 광학 기록 매체(이하에서는 "광학 정보 기록 매체" 또는 "정보 기록 매체"라고도 칭한다) 및 그 광학 기록 매체의 기록 재생 방법에 관한 것이다.
기록 정보를 재생하는 광학 시스템의 해상도 한계를 넘어서는 주기로 기록된 고밀도 정보의 재생 기술로서, 광학 기록 매체의 초해상도(super resolution) 기술이 개발되고 있는데, 상기 기술은 매체에 초해상도 층(super resolution layer)을 설치하여 미소 마크(microscopic marks) 또는 피트(pits)를 재생하는 기술이다. 초해상도 층 재료는 종종 상 변화 재료(phase-change material)가 사용된다.
예를 들면, 특허 문헌 1에는 위상 피트 위에 상 변화 재료 층을 형성하고, 재생 빔 스폿 내의 상 변화 재료 층의 일부를 액화하여, 해상도 한계에 대응하는 위상 피트를 재생하는 방법이 개시되어 있다.
특허 문헌 2에는 Ge-Te 합금의 마스크 층을 설치하고, 마스크 층에 증가된 광 투과율(optical transmittance)을 갖는 재생 창(reproduction window)을 형성하여, 기록 마크를 재생하는 방법이 개시되어 있다.
특허 문헌 3에는 Ge, Sb 및 Te의 3 개의 원소를 주성분으로서 포함하는 광 셔터 층(optical shutter layer)을 설치하고, 재생 빔 스폿 내의 상기 광 셔터 층의 일부를 용융하여, 기록 마크를 재생하는 방법이 개시되어 있다.
특허 문헌 4에는 Sb의 마스크 층을 설치하고, 마스크층을 재생 빔으로 조사하여 마스크 층에 광학 개구(optical aperture)를 형성함으로써, 기록 마크를 재생하는 방법이 개시되어 있다.
특허 문헌 5에는 과포화 흡수(supersaturated absorption)가 가능한 다이 재료(dye material)로 마스크 층을 구성하는 초해상도 재생 방법이 개시되어 있다.
종래 문헌으로 마스크 층, 재생 창, 광 셔터, 광학 개구 등의 용어가 사용되고 있는 사실로부터 알 수 있는 바와 같이, 종래의 초해상도 재생 방법은 재생 빔 스폿의 일부분에서 초해상도 재료의 광학 특성을 변경하여 유효 빔 직경을 감소시킴으로써, 미소 마크 또는 피트를 재생하고 있다. 재생 빔 스폿의 일부분에서 초해상도 재료의 광학 특성을 변경하는 방법은 초해상도 재료로서 상 변화 재료를 이용하여, 재생 빔 스폿 내의 상 변화 재료의 일부분을 용융시키는 방법을 사용한다
이하에서는 도 1을 참조하여 종래의 초해상도 재생 방법의 개요를 설명한다. 도 1은 초해상도 재료 층(101), 기록층(102), 기판(103), 기록 마크 또는 기록 피트(104), 초해상도 재료 층에 형성된 광학 개구(105) 및 레이저 빔(106)을 포함하는 광학 기록 매체의 단면도이다. 화살표(107)는 빔 스폿의 직경을 나타내고, 화살표(108)는 레이저 빔이 이동되는 방향을 나타낸다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 초해상도 재생 방법에 있어서, 빔 스폿 직경 내의 초해상도 재료의 일부를 통해 광학 개구가 형성되어 미소 마크를 재생하고 있다. 광학 개구 이외의 빔 스폿 직경 내의 영역은 초해상도 재료 층에 의해 차폐되어 있다. 레이저 빔(이하, 광원이라고도 한다)(106)으로부터 보면 기록층(102)은 초해상도 재료 층(101) 뒤에 위치한다. 빔 스폿이 초해상도 재료 층에 의해 차단된 상태가 되어, 기록층(102)에 도달하는 광량은 감소되고, 신호들의 강도를 저하시킨다. 보다 큰 기록 밀도에 대해서 기록 마크 또는 기록 피트(104)가 보다 작게 구성되면, 그에 따라서 광학 개구(105)도 보다 작게 되어야만 한다. 그 결과, 빔 스폿 직경의 상당히 큰 부분이 초해상도 재료에 의해 차단되어, 신호를 검출할 수 없을 정도로 신호의 강도는 추가로 저하된다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 제3361079호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 제3602589호 공보
[특허 문헌 3] 일본 특개평 제08-306073호 공보
[특허 문헌 4] 일본 특허 공개 제2000-229479호 공보
[특허 문헌 5] 일본 특허 공개 제2003-157584호 공보
본 발명의 목적은 초해상도 재료 층에 광학 개구를 형성하지 않고서 기록 정보가 재생되는 광학 픽업의 해상도 한계를 넘어서는 주기로 기록된 고밀도 정보를 기록 및 재생 가능하게 하는 광학 기록 매체 및 그 광학 기록 매체의 기록 재생 방법을 제공하는 데 있다. 여기서, 상기 해상도 한계는 광 파장을 λ로 하고, 대물 렌즈의 개구수를 NA로 하였을 때 λ/2 NA에 의해 산출된 주기를 초과하는 것으로서 정의된다.
도 1은 종래의 초해상도 재생 방법을 도시하는 도면이다.
도 2는 기록 트랙(미기록됨)을 따라서 본 발명의 광학 기록 매체의 단면도이다.
도 3은 기록 트랙(기록됨)을 따라서 본 발명의 광학 기록 매체의 단면도이다.
도 4의 (a)는 본 발명의 기록 방법에 이용된 광학 기록 매체의 구조를 도시하는 도면이다.
도 4의 (b)는 본 발명의 기록 방법의 조사 과정을 도시하는 도면이다.
도 4의 (c)는 본 발명의 기록 방법의 가열 과정을 도시하는 도면이다.
도 4의 (d)는 본 발명의 기록 방법의 냉각 과정을 도시하는 도면이다.
도 5의 (a)는 본 발명의 재생 방법에서 기록 상태를 도시하는 도면이다.
도 5의 (b)는 본 발명의 재생 방법에서 재생 상태를 도시하는 도면이다.
도 5의 (c)는 본 발명의 재생 방법에서 기록 마크의 평면도이다.
도 6의 (a)는 미기록된 부분이 저전력으로 재생되는 본 발명의 재생 방법에서 신호 레벨 변화를 도시하는 도면이다.
도 6의 (b)는 미기록된 부분이 저전력으로 재생되는 본 발명의 재생 방법에서 신호 레벨 변화를 도시하는 다른 도면이다.
도 6의 (c)는 미기록된 부분이 고전력으로 재생되는 본 발명의 재생 방법에서 신호 레벨 변화를 도시하는 도면이다.
도 6의 (d)는 미기록된 부분이 고전력으로 재생되는 본 발명의 재생 방법에서 신호 레벨 변화를 도시하는 다른 도면이다.
도 6의 (e)는 기록된 부분이 고전력으로 재생되는 본 발명의 재생 방법에서 신호 레벨 변화를 도시하는 도면이다.
도 6의 (f)는 기록된 부분이 고전력으로 재생되는 본 발명의 재생 방법에서 신호 레벨 변화를 도시하는 도면이다.
도 7의 (a)는 본 발명의 기록 재생 방법에서 레이저 전력 레벨의 설정 방법을 설명하는 도면이다.
도 7의 (b)는 도 7의 (a)의 전력 레벨에서 광학 기록 매체의 상태를 도시하는 도면이다.
도 7의 (c)는 본 발명의 기록 재생 방법에서 레이저 전력 레벨의 설정 방법을 도시하는 도면이다.
도 7의 (d)는 도 7의 (c)의 전력 레벨에서 광학 기록 매체의 상태를 도시하는 도면이다.
도 7의 (e)는 본 발명의 기록 재생 방법에서 레이저 전력 레벨의 설정 방법을 도시하는 도면이다.
도 7의 (f)는 도 7의 (e)의 전력 레벨에서 광학 기록 매체의 상태를 도시하는 도면이다.
도 7의 (g)는 본 발명의 기록 재생 방법에서 레이저 전력 레벨의 설정 방법을 도시하는 도면이다.
도 7의 (h)는 도 7의 (g)의 전력 레벨에서 광학 기록 매체의 상태를 도시하는 도면이다.
도 8은 예시적인 기록 재생 장치를 도시하는 도면이다.
도 9는 실시예의 광학 기록 매체의 구성을 도시하는 도면이다.
도 10은 실시예의 기록 펄스의 설정 방법을 도시하는 도면이다.
도 11은 가장 짧은 마크가 반복해서 기록된 후의 실시예의 광학 기록 매체를 도시하는 단면 화상이다.
도 12는 ZnS-SiOx 층의 조성비에 의한 결정 상태의 변화를 도시하는 표이다.
도 13은 ZnS-SiOx 층의 조성비에 의한 증착 속도의 변화를 도시하는 그래프이다.
도 14는 ZnS-SiOx 층의 화학 결합 상태의 측정 결과를 도시하는 그래프이다.
도 15는 ZnS-SiOx 층의 X선 회절의 측정 결과를 도시하는 그래프이다.
도 16은 레이저 조사에 의한 변형 신호의 예시적인 측정 장치를 도시하는 도면이다.
도 17은 레이저 조사에 의한 변형 신호의 측정 결과를 도시하는 도면이다.
도 18은 재생 과정에서 광학 기록 매체의 상태를 도시하는 도면이다.
상기한 문제점을 해결하기 위한 수단은 다음과 같다.
<1> 상 변화 재료(phase-change material)를 포함하는 제1 변형 재료 층과, 실리콘 산화물(SiOx; O ＜ x ≤ 2)을 함유하는 재료를 포함하는 제2 변형 재료 층을 구비한 적층 구조(stacked structure)를 포함하는 광학 기록 매체로서,
정보를 기록한 후에, 상기 제1 변형 재료 층의 두께는 기록 정보에 따라서 기록 마크의 중심이 그 기록 마크의 단부보다 더 두껍게 변경되며, 상기 제2 변형 재료 층은 상기 기록 정보에 기초하여 상기 제1 변형 재료 층상에 형성된 요철 패턴(concave-convex pattern)에 대응하여 변형 및 변경되는 것을 특징으로 한다.
<2> 상기 <1>에 기재된 바와 같은 광학 기록 매체에 있어서, 상기 기록 마크는 상기 제1 변형 재료 층과 제2 변형 재료 층의 변형된 부분이다.
<3> 상기 <1>에 기재된 바와 같은 광학 기록 매체에 있어서, 상기 제1 변형 재료 층은 적어도 안티몬(Sb)과 텔루륨(Te)을 포함하고, Sb와 Te의 조성비(Sb/Te)는 1.5∼5의 범위이다.
<4> 상기 <1>에 기재된 바와 같은 광학 기록 매체에 있어서, 상기 제2 변형 재료 층은 적어도 아연 화학 화합물(zinc chemical compound)과 실리콘 산화물(SiOx; O ＜ x ≤ 2)을 포함하고, 상기 아연 화학 화합물과 SiOx의 조성비(아연 화학 화합물/SiOx)는 1.5∼9의 범위이다.
<5> 상기 <4>에 기재된 바와 같은 광학 기록 매체에 있어서, 상기 제2 변형 재료 층의 아연 화합물은 레이저 조사 또는 열 처리에 의하여 결정화되는 것이다.
삭제
<6> 상기 <1>에 기재된 바와 같은 광학 기록 매체에 있어서, 기록 마크의 형상은 판독하는 동안 레이저 조사 또는 가열에 의하여 변경된다.
<7> 상기 <1>에 기재된 바와 같은 광학 기록 매체에 있어서, 상기 광학 기록 매체는 기판과 상기 제1 변형 재료 층 사이에 배치된 무기물 유전체 층을 포함한다.
<8> 상기 <7>에 기재된 바와 같은 광학 기록 매체에 있어서, 상기 무기물 유전체 층은 적어도 ZnS와 SiOx(O ＜ x ≤ 2)를 포함한다.
<9> 광학 기록 매체의 기록 및 판독 방법으로서, 정보를 기록하는 동안 용융에 의한 제1 변형 재료 층의 변형에 수반하여 제2 변형 재료 층이 변형 및 변경되는 강도로 레이저 빔을 조사하는 단계와, 상기 기록된 정보를 판독하는 동안 상기 제1 변형 재료 층이 용융되는 강도로 레이저 빔 조사에 의하여 고체 상태에서 용융 상태로의 상기 제1 변형 재료 층의 변경이 발생하는 신호 레벨 변화를 검출하는 단계를 포함하고, 상기 광학 기록 매체는, 기록 파장에서 광을 흡수하여 발열하고 발열 용융 및 변형되는 상 변화 재료를 포함하는 제1 변형 재료 층과, 광을 투과하며 열 변형 및 변경되는 실리콘 산화물(SiOx; O ＜ x ≤ 2)을 함유하는 재료를 포함하는 제2 변형 재료 층을 구비한 적층 구조를 포함하며,
정보가 기록된 후에, 상기 제1 변형 재료 층의 두께는 기록 정보에 따라서 기록 마크의 중심이 그 기록 마크의 단부보다 더 두껍게 변경되고, 상기 제2 변형 재료 층은 상기 기록 정보에 기초하여 상기 제1 변형 재료 층상에 형성된 요철 패턴에 대응하여 변형 및 변경되며, 상기 제1 변형 재료 층은 정보가 판독되는 경우에 고체 상태에서 용융 상태로 변경된다.
<10> 상기 <9>에 기재된 바와 같은 광학 기록 매체의 기록 및 판독 방법에 있어서, 상기 기록 마크는 상기 제1 변형 재료 층과 제2 변형 재료 층의 변형된 부분이다.
<11> 상기 <9>에 기재된 바와 같은 광학 기록 매체의 기록 및 판독 방법에 있어서, 광원은 반도체 레이저이고, 상기 레이저 빔 전력 레벨은 적어도 P1과 P2의 2개의 레벨들 사이에서 변조되며, 정보를 기록하는 동안에는 기록 정보에 대응하여 P1 ＞ P2가 만족되고, 상기 레이저 빔 전력 레벨은 레벨 P3에서 설정되며, 기록된 정보를 판독하는 동안에는 P2 ＞ P3가 만족된다.
<12> 상기 <11>에 기재된 바와 같은 광학 기록 매체의 기록 및 판독 방법에 있어서, 상기 반도체 레이저는 390 ㎚ 내지 410 ㎚ 사이의 파장을 갖는다.
본 발명의 광학 기록 매체는 기록 파장에서 광을 흡수하여 발열하고 발열 용융 및 변형되는 상 변화 재료를 포함하는 제1 변형 재료 층과, 광을 투과하며 열 변형 및 변경되는 실리콘 산화물(SiOx; O ＜ x ≤ 2)을 함유하는 재료를 포함하는 제2 변형 재료 층 및 필요하다면 다른 층들을 구비한 적층 구조를 포함한다.
광학 기록 매체에 있어서, 정보가 기록된 후에, 상기 제1 변형 재료 층의 두께는 기록 정보에 따라서 기록 마크의 중심이 그 기록 마크의 단부보다 더 두껍게 변경되며, 상기 제2 변형 재료 층은 상기 기록 정보에 기초하여 상기 제1 변형 재료 층상에 형성된 요철 패턴에 대응하여 변형 및 변경되고, 상기 제1 변형 재료 층은 정보가 재생되는 경우에 고체 상태에서 용융 상태로 변경된다.
상기 기록 마크는 상기 제1 변형 재료 층과 제2 변형 재료 층의 변형된 부분이다.
본 발명의 예시적인 광학 기록 매체를 도 2 및 도 3에 도시한다. 도 2는 미기록된 상태의 기록 트랙에 따른 광학 기록 매체의 단면도이다. 상기 광학 기록 매체는, 제1 변형 재료 층(201), 제2 변형 재료 층(202), 무기물 유전체 층(203) 및 기판(204)을 포함한다. 무기물 유전체 층은 생략될 수도 있다.
상기 제1 변형 재료 층(201)은 기록 파장에서 레이저 빔의 광을 흡수하고 발열 용융 및 변형되는 재료로 구성된다. 또한, 고체 상태와 용융 상태 사이에서 위상 상태가 변화되는 상 변화 재료를 이용한다. 그 재료는 융점(melting point)이 200∼700 ℃의 범위에 있는 재료가 바람직하다. 예를 들면, Bi, Sn, Sb, Zn 및 Te 등의 저융점 재료를 이용할 수 있다. 또한, InSb, InTe 및 SbSn 등의 금속간 화합물 재료를 이용할 수도 있다.
더욱 바람직하게는, 상기 제1 변형 재료 층은 적어도 안티몬(Sb)과 텔루늄(Te)를 함유하고, Sb와 Te의 조성비(Sb/Te)는 1.5∼5의 범위에 있다. 보다 바람직하게는, Sb/Te의 조성비는 2∼3의 범위에 있다. 이 범위에 있는 SbTe계 화합물은 δ상 결정계에 속한다. δ상 조성을 갖는 SbTe계 화합물은 가열되는 경우 상 분리(phase separation)나 상 전이(phase transition)가 일어나지 않고 용융 상태가 된다. 텔루늄(Te)은 텔루늄 산화물(TeOx)(여기서, 0 ＜ x ≤ 2)일 수 있다. SbTe의 2원계 재료(binary system materials) 및 Sb와 Te 이외의 원소를 포함하는 재료, 예를 들면 GeSbTe 등의 3원계 재료(trinary system materials), AgInSbTe 등의 4원계 재료(quatarnary system materials)를 이용할 수도 있다.
본 발명의 광학 기록 매체로는 고체 상태와 용융 상태 사이의 제1 변형 재료 층의 변화를 이용하여 재생 신호를 검출한다. 따라서, 고체 상태와 용융 상태 간의 변화의 과정에서 상 분리나 상 전이가 일어나면, 다수의 신호 레벨이 발생하고 신호 품질이 열화되거나 또는 신호 레벨의 검출이 곤란하게 된다. 고체 상태와 용융 상태 사이에서 단순하게 변화되는 상기한 재료들이 이용된다. 제1 변형 재료 층이 고체 상태와 용융 상태 사이에서 단순하게 변화되는 것에 의하여 고품질의 재생 신호를 얻을 수 있다.
상기 제2 변형 재료 층(202)은 기록 파장에서 광 투과율이 높은 재료로 구성된다. 제2 변형 재료 층의 광 투과율이 높으면, 하부 층에 위치한 제1 변형 재료 층에는 보다 많은 광을 수광하여 흡수하는 것이 가능하게 된다. 그 결과, 제1 변형 재료 층의 변형이 용이하게 됨과 동시에, 제2 변형 재료 층은 제1 변형 재료 층의 변형을 반영할 수 있다. 제2 변형 재료 층은, 증착된 경우에 저밀도 및/또는 가요성을 갖고, 가열된 경우에 강화되고 및/또는 경질화되는 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 이와 같은 재료로 이루어진 제2 변형 재료 층을 이용하는 것에 의하여 광 조사에 수반한 가열에 의하여 발생되는 제1 변형 재료 층의 변형에 따른 제2 변형 재료 층의 변형에 의해 기록이 가능하게 된다. 제2 변형 재료의 융점은 제1 변형 재료의 융점보다도 높은 것이 바람직하다. 양자의 융점차가 보다 큰 것이 더욱 바람직하다. 제2 변형 재료는 융점이 1,000 ℃ 이상의 재료를 이용하고, 제1 변형 재료는 전술한 바와 같이 융점이 대략 200∼700 ℃의 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 융점 차에 의하여, 기록/재생 과정에서 제1 변형 재료와 제2 변형 재료와의 상호 확산을 억제할 수 있고, 신호 품질의 열화를 방지할 수 있다.
상기 제2 변형 재료는 아연 화합물과 실리콘 산화물(SiOx; 0 ＜ x ≤ 2)을 함유하고, 아연 화합물과 실리콘 산화물의 조성비(아연 화합물/SiOx)는 1.5∼9의 범위에 있다. 이와 같은 재료를 이용하는 것에 의하여 박막화된 경우의 잔류 응력을 감소시킬 수 있고, 막 분리 없이 대형 기판에 대하여 층을 균일하게 형성할 수 있다. 또한, 고속으로 증착하는 것을 가능하게 함으로써, 제조 비용을 절감할 수 있다.
상기 제2 변형 재료로는 실리콘 산화물(SiOx; 0 ＜ x ≤ 2)과 그 밖의 재료 M을 함유한 재료가 바람직하다. 그 밖의 재료 M의 예로는 ZnS, CaS, BaS 등의 황화물(sulfide), ZnSe, BaSe 등의 셀렌화물(selenide), CaF2, BaF2 등의 불소 화합물 및 ZnO 등의 산화물을 포함할 수 있다. 실리콘 산화물(SiOx; 0 ＜ x ≤ 2)과 그 밖의 재료 M을 함유한 재료는 스퍼터링에 의해 고속으로 증착될 수 있다. 고속 증착은 광학 기록 매체의 제조 비용을 낮출 수 있다.
더욱 바람직한 제2 변형 재료는 적어도 아연 화합물과 실리콘 산화물(SiOx; 0 ＜ x ≤ 2)을 함유한 재료이다. 아연 산화물 이외의 아연 화합물의 예로는 ZnS, ZnSe, ZnTe 등을 포함할 수 있다. 이들 아연 화합물들 중에서 가장 바람직한 화합물은 ZnS이다. 아연 화합물과 실리콘 산화물의 조성비(아연 화합물/SiOx)는 1.5∼9의 범위이다. 이 조성비를 몰％로 표기하면, 아연 화합물 대 SiOx의 범위는 60(몰％) 대 40(몰％) ∼ 90(몰％) 대 10(몰％)의 범위가 된다. 도 12는 조성비에 의한 결정 상태의 변화를 도시하고 있다. 도 12에는 증착 층이 비정질(amorphous)이거나 결정(crystal) 상태인 것이 조사되었다. 또한, 조성비(ZnS/SiOx)와 결정 상태의 관계는 아연 화합물이 ZnS인 경우를 가정하여 조사되었다. ZnS-SiOx 층은 RF 스퍼터링에 의하여 실온의 아르곤 분위기에서 100 ㎚의 두께로 실리콘 기판상에 형성되었다. 층의 결정 상태는 X선 회절로 조사되었다. 필립스사에 의해 제조된 X선 회절 측정 장치인 X'pert MRD는 45 kV의 X선 관 전압(tube voltage) 및 40 mA의 관 전류(tube current)를 갖는 광원으로서 Cu의 Kα빔을 이용하였다. 광원의 광학 시스템에서 미러를 이용하여 층 표면에 0.5°의 고정 각도로 빔을 주입시켜서 검출기의 각도를 조작하는 층 측정 방법[저각 입사(low-angle-incidence) 비대칭 회절법]을 이용하였다. X선 회절 프로파일에 있어서 회절각을 2θ로 가정했을 때, 모든 회절 피크의 전체 반값 폭(FWHM: full width at half maximum)이 2°이상인 경우를 비정질 상태라고 판정하였다. 도 12는 조성비(ZnS/SiOx)와 ZnS-SiOx 층의 결정 상태 사이의 관계를 도시한다. ZnS-SiOx 층의 결정 상태는 ZnS/SiOx의 조성비에 의하여 변화한다. 9 이하의 조성비를 갖는 증착된 층은 비정질 상태가 된다. 비정질 상태가 되면 층의 잔류 응력을 감소시킬 수 있고, 대형 기판상에서 균일하게 층을 형성할 수 있다. 따라서, 조성비의 상한은 9이다. 도 13에는 ZnS-SiO2 층의 증착 속도를 나타낸다. 위에서 설명된 바와 같이, ZnS-SiO2 층은 RF 스퍼터링에 의하여 실온의 아르곤 분위기에서 증착되었다. 그 증착 속도는 ZnS/SiOx의 조성비에 따라 변화되고, 조성비가 도 13에 도시된 바와 같이 작아짐에 따라 저하된다. 증착 속도가 너무 크게 감소되면, 증착 시간이 불필요하게 연장되기 때문에 실용적이지 않게 된다. 따라서, 그 조성비의 하한은 1.5 부근이다. 그 결과, 층이 어느 정도 고속 증착 속도에서 비정질 상태에 있는 조성비는 1.5∼9의 범위에 있다. 아연 화합물로서 ZnS의 예를 나타내지만, 다른 아연 화합물의 경우에도 동일한 패턴을 갖는다. 따라서, 아연 화합물과 실리콘 산화물의 조성비(아연 화합물/SiOx)는 1.5∼9의 범위로 설정되어도 좋다.
아연 화합물로서는 상기 재료와 함께 아연 산화물(ZnOx, 0 ＜ x ≤ 1)을 함유할 수 있다. 도 14는 제2 변형 재료 층의 화학 결합 상태를 조사한 결과이다. 매체의 구성은 폴리카보네이트 기판/ZnS(80 몰％)-SiOx(20 몰％)/AgInSbTe/ZnS(80 몰％)-SiOx(20 몰％)이다. 광 전자용의 80°의 취출 각도, 광원으로서 8 KeV의 단색화된 고에너지 X선 및 1,000×700 ㎛2의 측정 영역을 이용하여 방사선 설비 SPring-8의 BＬ39XU의 빔 라인에 감마데이터 시엔타 에이비(Gammadata Scienta AB)사에 의해 제조된 XPS 검출기를 사용하는 광 전자 분석장비(XPS)에 의하여 산소 원소의 결합 상태를 조사하였다. 샘플의 측정을 위해서 고에너지 X선을 이용함에 따라 고에너지의 광 전자가 배출되어 표면 오염에 방해받는 일 없이 검출기에 도달하기 때문에, Ar 이온에 의한 가장 외부의 표면상에 에칭을 더 이상 수행할 필요가 없어진다. 측정은 주요 대형 연구 시설 전략 활용 프로그램의 채택 과제, 과제 번호 2005B0842하에서 행해졌다. 피크 피팅(peak fitting)에 의하여 피크의 전체 반값 폭(FWHM: full width at half maximum)을 구하기 위해서 어플리케이션 소프트 "XPSPEAK(Ver. 4.1)"를 이용하였다. 도 14에는 산소 원소의 1S 궤도의 광 전자 스펙트럼을 나타낸다. 광 전자 스펙트럼은 2 개의 피크로 구성된다. 고 결합 에너지 측의 피크는 SiOx의 Si-O 결합을 갖는 산소 원소의 광 전자 스펙트럼이다. 저 결합 에너지 측의 피크는 아연 산화물의 Zn-O 결합을 갖는 산소 원소의 광 전자 스펙트럼이다. 그 결과, 아연 화합물과 실리콘 산화물(SiOx; 0＜x≤2)을 함유한 제2 변형 재료 층으로서 ZnS-SiOx를 일례로서 이용하여 그 화학 결합 상태를 도시하고 있다. 아연 화합물으로서는 ZnS와 아연 산화물인　ZnOx를 함유하고 있다. 2 개의 재료들 간의 차이는 ZnS가 ZnS-SiOx의 중간 상태인 ZnOx에 함유되는 것에 의하여 완화된다. 그 결과, 2 개의 이종 재료들 간의 차이를 완화시키고 대형 기판에 대하여 균일하게 층을 형성함으로써 층의 잔류 응력을 낮추는 것이 가능하게 된다.
제2 변형 재료 층의 아연 화합물은 레이저 조사 또는 열 처리에 의하여 결정화되는 것이 바람직하다. 여기에서 결정화라고 하는 것은 제2 변형 재료 층의 X선 산란/회절 스펙트럼 측정에 있어서 레이저 조사 또는 가열에 의하여 아연 화합물의 결정 구조의 표면 분리에 대응하는 회절 또는 산란 피크 강도가 증가한 상태를 의미한다.
또한, 제2 변형 재료 층의 아연 화합물은 레이저 조사 또는 열 처리에 의하여 경질화되는 것이 바람직하다. 여기에서 경질화란 다이아몬드 칩 등으로 이루어진 압입기(indentor)[바르코비치 압입기(Berkovich indentor)]가 층 표면에 압입될 때 압입 깊이로부터 계산되어 구해진 경도가 증가된 상태를 의미한다.
본 발명의 광학 기록 매체의 기록 마크는 레이저 조사 또는 열 처리에 의하여 변형된다. 이 기록 마크는 적어도, 지지 기판, 제1 변형 재료 층 및 제2 변형 재료 층의 변형된 부분으로 구성된다. 여기에서 변형은 전단력 제어(shear force control)를 행한 상태에서 동조 포크(tuning fork) 등의 압전 소자상의 고정된 프로브가 매체 표면 부근으로 이동하는 경우에 검출된 변위 신호가 레이저 조사 또는 가열에 의하여 변경되는 것을 의미한다.
무기물 유전체 층은 제1 변형 재료 층과 지지 기판의 계면상에 배치된다. 무기물 유전체 층은 정보를 기록하는 동안 지지 기판으로의 열 확산을 감소시키고 그 기판이 변형되는 것을 방지하는 역할을 한다. 또한, 무기물 유전체 층은 정보를 재생하는 동안에는 지지 기판으로의 열 확산을 감소시키고 정보를 재생하는 데 필요한 레이저 전력 레벨을 낮추는 역할도 한다. 무기물 유전체 층은 제1 변형 재료 층에서 발생한 열의 지지 기판으로의 전도를 감소시킬 수 있는 재료라면 어떤 재료로도 이루어 질 수 있다. 예를 들면, SiO2, SiON 및 SiN 등의 실리콘 화합물, ZnS, CaS 및 BaS 등의 황화물, ZnSe, BaSe 등의 셀렌화물, CaF2, BaF2 등의 불소 화합물, SiC 등의 탄화물을 이용할 수 있다. 바람직하게는 무기물 유전체 층은 실리콘 산화물(SiOx; 0＜x≤2)과 그 밖의 재료 M을 함유한 재료이다. 그 밖의 재료 M으로는 ZnS, CaS 및 BaS 등의 황화물, ZnSe, BaSe 등의 셀렌화물, CaF2, BaF2 등의 불소 화합물, ZnO 등의 산화물일 수 있다. 실리콘 산화물(SiOx; 0＜x≤2)과 그 밖의 재료 M을 함유한 재료들은 스퍼터링에 의하여 고속으로 증착될 수 있고, 그와 같은 고속 증착에 의하여 광학 기록 매체의 제조 비용을 저감할 수 있다.
더욱 바람직하게는, 상기한 재료는 조사 광에 의하여 가열되어 변경된 후에 상당히 낮은 열 전도율을 갖는 아연 화합물과 실리콘 산화물(SiOx)을 함유한다. 이와 같은 재료를 이용한 무기물 유전체 층(203)은 지지 기판에 대한 열 전도를 효율적으로 감소시킬 수 있다. 또한, 제2 변형 재료 층(202)과 무기물 유전체 층(203)을 동일한 재료로 하는 것에 의하여 광학 기록 매체의 제조 비용을 절감할 수 있다.
기판(204)은 유리 또는 석영 기판과, 반도체 제조에 사용되는 Si 또는 SOI(절연체 상 실리콘) 기판과, HDD(하드 디스크)용의 Al 또는 불투명 유리 기판과, 폴리카보네이트, 아크릴, 폴리올레핀, 에폭시, 비닐 에스테르 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 등의 수지 기판일 수 있다.
도 3은 정보가 기록된 후의 기록 트랙에 따른 광학 기록 매체의 단면도이다. 광학 기록 매체는 제1 변형 재료 층(301), 제2 변형 재료 층(302), 무기물 유전체 층(303) 및 기판(304)을 포함한다. 도면의 참조 부호 305는 기록 마크 주기를 나타낸다. 도 3은 반복해서 기록된 가장 짧은 주기의 기록 마크를 나타낸다. 도면의 참조 부호 306은 기록 마크 중심을 나타내며, 도면의 참조 부호 307은 기록 마크 단부를 나타낸다. 여기에서 기록 마크란 제1 변형 재료 층과 제2 변형 재료 층의 변형된 부분을 가리킨다. 제1 변형 재료 층(301)은 기록 마크의 중심에서 두께 308을 가지며, 기록 마크의 단부에서 두께 309를 갖는다. 제2 변형 재료 층(302)은 기록 마크의 중심에서 두께 310을 가지며, 기록 마크의 단부에서 두께 311을 갖는다. 기록은 변형에 의해 행해지고, 제1 변형 재료 층은 두께가 변화한다.
제1 변형 재료 층의 두께는 기록 마크 중심(306)에서 두껍고, 기록 마크 단부(307)에서 얇다. 제1 변형 재료 층은 기록 마크 중심에서 볼록 형상이고, 기록 마크 단부에서 오목 형상으로 되어 있다. 기록 마크 중심의 두께(308)와, 기록 마크 단부의 두께(309)의 차이는 대략 5∼50 ㎚이다. 제2 변형 재료 층(302)은 제1 변형 재료 층(301)에 형성된 요철 패턴에 따라서 변형된다. 바꾸어 말하면, 제2 변형 재료 층(302)은 제1 변형 재료 층에 형성된 요철 패턴을 피복한 셸(shell)과 같은 역할을 한다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예를 도 4의 (a) 내지 도 6의 (f)를 참조하면서 설명한다.
도 4의 (a) 내지 (d)에는 본 발명의 기록 방법을 나타낸다. 도 4의 (a)는 제1 변형 재료 층(401), 제2 변형 재료 층(402), 무기물 유전체 층(403) 및 기판(404)을 포함하는 광학 기록 매체의 구성을 나타낸다. 도 4의 (b) 내지 (d)는 광 조사 후의 매체의 변화 과정(시간적 변화)을 나타낸다.
도 4의 (b)는 광 조사 과정을 나타낸다. 도면의 참조 부호 405는 광을 나타낸다. 광은 제2 변형 재료 층 측으로부터 제1 변형 재료 층(401)과 제2 변형 재료 층(402)의 적층 구조상에 조사된다. 광원은 레이저 빔 소스이고, 예를 들면, GaN 레이저 등의 반도체 레이저를 이용하는 것이 바람직하다. 반도체 레이저의 파장은 바람직하게는 370∼780 ㎚, 더욱 바람직하게는 390∼410 ㎚이다. 반도체 레이저를 이용하는 것에 의하여 저비용의 기록 방법 및 장치를 제공한다. 또한, 레이저 빔의 전력 레벨을 고속으로 변조하는 것에 의하여 반도체 레이저는 고밀도 정보의 고속 기록을 가능하게 한다. 고밀도 정보 기록을 위해 파장 390∼410 ㎚의 단파장 레이저 빔을 이용하여 미소한 레이저 스폿을 형성할 수 있다.
제2 변형 재료 층(402)은 광을 투과한 재료로 구성된다. 광(405)은 제1 변형 재료 층(401)에 의해 흡수된다. 광이 조사된 지점에서 제1 변형 재료 층(401)은 광을 흡수하여 발열 용융한다. 도 4의 (b)에서 화살표(406)는 제1 변형 재료의 이동 및 응집의 모습을 나타낸다. 용융 시에 재료의 이동 및 응집이 발생한다. 화살표(407)는 제1 변형 재료 층의 기록 위치를 나타내고 있다. 제1 변형 재료 층은 응집에 의하여 변형된다. 도 4의 (b)에서 도면의 참조 부호 408은 제2 변형 재료 층이 어떻게 변형되는지를 나타내고 있다. 제2 변형 재료는 저밀도 및/또는 가요성 재료이다. 따라서, 제1 변형 재료 층의 변형 시에 제2 변형 재료 층이 변형된다.
도 4의 (c)는 가열 과정을 나타내고 있다. 광 조사 직후의 매체 내의 주요 열 전달을 화살표로 나타낸다. 도 4의 (b)의 광 조사 과정에서 이와 유사한 열 전달이 발생하고 있다. 도 4의 (c)의 화살표(409)는 제1 변형 재료 층에서의 열 전달을 나타낸다. 제1 변형 재료 층은 광을 흡수하여 발열한다. 제1 변형 재료 층으로부터의 열에 의해 제2 변형 재료 층이 가열된다. 도 4의 (c)에서 도면의 참조 부호 410은 제2 변형 재료 층이 변형 후에 변경되는 상태를 나타낸다. 제2 변형 재료는 가열에 의하여 변경된다. 이 변형된 제2 변형 재료는 열에 의해 치밀화 및 경질화된 상태로 변경된다.
도 4의 (d)는 냉각 과정을 나타내고 있다. 자연 냉각에 의하여 제1 변형 재료 층은 용융 상태에서 고화, 예를 들면 결정화된다. 제2 변형 재료 층은 변형 및 열에 의해 변경되어, 치밀화 및/또는 경질화 상태가 된다. 제2 변형 재료 층은 냉각 후에 변형된 형상이 유지된다. 도 4의 (d)에서 도면의 참조 부호 411은 제1 변형 재료 층이 고화된 상태를 나타내고 있다. 도 4의 (d)에서 도면의 참조 부호 412는 제2 변형 재료 층이 변형 및 변경된 상태를 나타낸다. 제2 변형 재료 층은 제1 변형 재료 층의 변형에 따라서 변형 및 변경된 상태가 된다. 본 발명에 있어서, 제1 변형 재료 층을 용융 및 변형하고, 이것에 수반하여 제2 변형 재료 층을 변형 및 변경하는 강도로 광을 조사하는 것에 의하여, 도 3 또는 도 4의 (d)에 도시된 바와 같은 기록 상태가 된다.
도 5의 (a) 내지 (c) 및 도 6의 (a) 내지 (f)에는 본 발명의 재생 방법을 도시하고 있다. 기록 정보 재생시에는, 제1 변형 재료 층은 용융하지만 제2 변형 재료 층은 변형하지 않는 강도로 광을 조사한다.
도 5의 (a)는 도 3 또는 도 4의 (d)에 나타낸 기록 상태에서 기록 마크의 확대한 도면이다. 도 5의 (a)에는 제1 변형 재료 층(501)과 제2 변형 재료 층(502)을 포함하고 있다. 층 내부로의 열 전도는 두께에 크게 영향을 받으며, 그 두께에 비례하여 열 전도율은 변화한다. 기록 마크 단부(503)에서 제1 변형 재료 층의 두께는 감소하고 있다. 제1 변형 재료는 광을 흡수하여 발열하는 재료이다. 기록 마크 단부에서 두께가 감소하기 때문에, 제1 변형 재료 층 내의 열은 기록 트랙 방향의 인접한 기록 마크에 전달되기 어렵다. 즉, 각 기록 마크마다 열이 국소화하기 쉬운 상태가 되어 있다.
도 5의 (b)는 재생 상태를 나타낸다. 도 5의 (b)에는 용융 상태의 제1 변형 재료 층(504), 제2 변형 재료 층(505), 레이저 빔(506) 및 레이저 빔의 이동 방향(1507)을 갖는다. 제2 변형 재료 층은 제1 변형 재료 층의 변형에 따라 변형 및 변경되어, 치밀화 및/또는 경질화 상태에 있다. 재생 과정에서, 제2 변형 재료 층(505)은 그 형상이 유지된다. 제2 변형 재료 층(505)은 셸을 형성하고, 그 셸 내부에서 제1 변형 재료 층(504)이 용융한다. 제2 변형 재료 층의 셸에 따라서 제1 변형 재료 층은 용융 및 고화된다. 따라서, 재생 과정에서 용융하더라도 제1 변형 재료 층은 그 형상을 손상시키지 않고서 반복해서 재생될 수 있다.
도 5의 (c)는 기록 마크의 상태를 도시하는 평면도이다. 도면의 참조 부호 508은 레이저 스폿 직경을 나타낸다. 도면의 참조 부호 509는 레이저 빔의 이동 방향을 나타낸다. 도면의 참조 부호 510은 레이저 스폿의 중심에 있는 용융 상태의 기록 마크를 나타낸다. 도면의 참조 부호 511은 앞쪽에 위치한 고체 상태의 기록 마크를 나타낸다. 도 5의 (a)에 나타낸 바와 같이, 기록 마크 단부(503)에서 제1 변형 재료 층은 두께가 감소하기 때문에, 각 기록 마크마다 열이 국소화하기 쉬운 상태가 되어 있다. 따라서, 레이저 스폿 중심에서 기록 마크(510)가 용융 상태에 있더라도 그 기록 마크(510)의 바로 앞쪽에 있는 기록 마크(511)는 고체 상태가 가능하게 된다. 그 결과, 제1 변형 재료 층은 재생시에 순서대로 각 기록 마크에서 용융한다.
도 6의 (a) 내지 (f)에는 재생 신호 레벨의 변화를 나타낸다. 도 6의 (a), (c), (e)는 제1 변형 재료 층 및 기록 마크의 상태를 나타내는 광학 기록 매체의 평면도이다. 도 6의 (b), (d), (f)는 광학 기록 매체의 평면도에 대응하는 재생 신호 레벨의 변화를 나타내고 있다.
도 6의 (a)는 미기록 부분을 저 전력을 이용해서 재생한 상태를 나타내고, 도 6의 (b)는 그에 대응하는 재생 신호 레벨을 나타낸다. 도면의 참조 부호 601은 레이저 스폿 직경을, 도면의 참조 부호 602는 제1 변형 재료 층을, 도면의 참조 부호 603은 레이저 스폿의 이동 방향을, 도면의 참조 부호 604는 신호 레벨의 시간적 변화이다. 신호 레벨은 일정하다.
도 6의 (c)는 미기록 부분을 고 전력으로 재생한 상태를 나타내고, 도 6의 (d)는 그에 대응하는 재생 신호 레벨을 나타낸다. 도면의 참조 부호 601은 레이저 스폿을, 도면의 참조 부호 602는 제1 변형 재료 층을, 도면의 참조 부호 603은 레이저 스폿의 이동 방향을, 도면의 참조 부호 605는 제1 변형 재료 층의 용융 부분이다. 레이저 전력을 증가시키는 것에 의하여 제1 변형 재료 층이 용융하고, 용융 부분의 일부가 레이저 스폿에 관련된 상태가 된다. 도면의 참조 부호 606은 신호 레벨의 시간적 변화를 나타낸다. 신호 레벨은 일정하다. 제1 변형 재료 층의 용융 부분(605)의 일부가 레이저 스폿 내에 포함되기 때문에, 신호 레벨(606)은 저 전력 재생 시에 신호 레벨(604)보다도 약간 저하된다.
도 6의 (e)는 기록 부분을 고 전력으로 재생한 상태를 나타내고, 도 6의 (f)는 그에 대응하는 재생 신호 레벨을 나타낸다. 도면의 참조 부호 601은 레이저 스폿을, 도면의 참조 부호 602는 제1 변형 재료 층을, 도면의 참조 부호 603은 레이저 스폿의 이동 방향을, 도면의 참조 부호 605는 제1 변형 재료 층의 용융 부분을, 도면의 참조 부호 607은 용융 상태의 기록 마크를, 도면의 참조 부호 608은 고체 상태의 기록 마크를, 도면의 참조 부호 609는 레이저 스폿이 기록 마크의 중심에 있는 경우의 신호 레벨을, 도면의 참조 부호 610은 레이저 스폿이 기록 마크들 사이에 있는 경우의 신호 레벨이다. 전술한 바와 같이, 레이저 스폿 중심에서 기록 마크(607)가 용융 상태에 있더라도, 바로 앞쪽에 있는 기록 마크(608)는 고체 상태에 있다. 열은 기록 마크에서 국소화하기 쉬운 상태에 있다. 그 때문에, 제1 변형 재료 층(602)의 용융 온도의 임계치는 그 층의 부분들과 기록 마크 부분들 사이에서 서로 상이하다. 기록 마크 부분이 층 부분보다도 먼저 용융하고, 빔 중심에서 기록 마크가 용융한다. 신호 레벨(609)에 나타낸 바와 같이, 기록 마크의 용융에 의하여 신호 레벨은 저하된다. 또한, 신호 레벨(610)에 나타낸 바와 같이, 레이저 스폿이 기록 마크들 사이에 있으면, 앞쪽에 위치한 기록 마크(608)는 고체 상태에 있고, 레이저 스폿 내에 포함된 용융 부분의 비율은 변화되며 신호 레벨은 증가한다. 기록 마크의 용융은 기록 마크마다 순서대로 일어난다. 이 때문에 레이저 스폿과 기록 마크의 상대 위치에 따라서 레이저 스폿 내에 포함된 용융 부분의 비율이 변화된다. 그 결과, 고 신호 레벨(611)과 저 신호 레벨(612) 사이에서 변화하는 기록 마크 주기에 대응하는 주기 신호가 검출된다.
본 발명의 기록 재생 방법에서는, 제1 변형 재료 층을 용융 및 변형하고 그에 따라 제2 변형 재료 층을 변형 및 변경하는 강도로 광을 조사하는 것에 의하여, 각 기록 마크마다 열이 국소화하기 쉬운 기록 모드를 형성할 수 있다. 기록 정보를 재생하는 경우에, 제1 변형 재료 층은 용융하지만 제2 변형 재료 층은 변형하지 않는 강도로 광을 조사한다. 그 결과, 순서대로 각 기록 마크 내의 제1 변형 재료 층의 용융에 수반하는 신호 레벨의 변화에 의하여 광학 해상도 한계를 넘어서는 기록 정보를 검출할 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 실시예와 관련해서 도 7의 (a) 내지 (h)를 참조하면서 설명한다.
도 7의 (a), (c), (e), (g)는 레이저 전력 레벨을 나타낸다. 도 7의 (b), (d), (f), (h)는 대응하는 전력 레벨에서의 광학 기록 매체의 상태를 나타내는 단면도이다.
도 7의 (b)는 전력 레벨(705)에서 광학 기록 매체를 나타낸다. 광학 기록 매체는 제1 변형 재료 층(701), 제2 변형 재료 층(702), 무기물 유전체 층(703) 및 기판(704)을 포함한다. 전력 레벨(705)은 광학 기록 매체가 변화하지 않는 전력 레벨이다. 도 7의 (d)는 전력 레벨(707)에서의 광학 기록 매체를 나타낸다. 도면의 참조 부호 710은 용융 상태의 제1 변형 재료 층을, 도면의 참조 부호 711은 제1 변형 재료 층에서 제2 변형 재료 층으로의 열 전도를, 도면의 참조 부호 712는 변경된 상태의 제2 변형 재료 층을 나타낸다. 전력 레벨(707)은 제1 변형 재료 층이 용융 및 변형되고 제2 변형 재료 층이 변경되는 임계치 온도 이상으로 매체 온도를 상승시킨 전력 레벨이다. 도 7의 (f)는 미기록 부분에서는 전력 레벨(707)로 유지하고, 기록 부분에서는 전력 레벨(709)을 증가시킨 경우의 광학 기록 매체를 나타낸다. 도면의 참조 부호 710은 용융 상태인 제1 변형 재료 층의 미기록 부분을 나타낸다. 도면의 참조 부호 712는 변경된 상태인 제2 변형 재료 층의 미기록 부분을 나타낸다. 도면의 참조 부호 713은 기록 부분을 나타낸다. 기록 부분에 있어서, 제1 변형 재료를 용융하는 경우에 재료는 이동 및 응집이 발생한다. 도 7의 (f)의 화살표(714)는 재료의 이동을 나타낸다. 제2 변형 재료 층은 제1 변형 재료 층에 따라 변형되어 변경된다. 도 7의 (f)의 도면의 참조 부호 715는 셸 형상으로 변형된 제2 변형 재료 층을 나타낸다.
도 7의 (h)는 도 7의 (f)의 기록 마크를 재생한 상태를 나타낸다. 전력 레벨(706)에서의 광학 기록 매체이다. 제1 변형 재료 층(710)은 용융 상태가 된다. 제2 변형 재료 층(712)은 기록이 완료되었을 때의 변경된 형태의 상태이다. 재생 전력 레벨(706)은 기록시에 미기록 부분에 조사된 전력 레벨(707)보다도 낮게 된다. 따라서, 제2 변형 재료 층의 미기록 부분은 재생 과정에서 변화하지 않는다. 제2 변형 재료 층(715)의 기록 부분(713)은 변경 상태 및 형상에 대해서는 변화하지 않는다. 제1 변형 재료 층(716)만 용융 상태가 된다.
기록하는 동안, 레이저 빔의 전력 레벨은 P1과 P2의 2 개의 레벨들(여기에서, P1＞P2를 만족함) 사이에서 변조되고, 상기 전력 레벨은 기록 위치에서 P1로 상승된다. 미기록 부분이 레벨 P2로 조사되는 것에 의하여 제2 변형 재료 층이 변경되는 임계치 온도 이상으로 매체 온도를 상승시킨다. 재생의 경우에는, 레이저 빔의 전력 레벨은 레벨 P3(여기서, P2＞P3을 만족함)로 설정한다. 재생 빔의 전력 레벨은 기록하는 동안 미기록 부분을 조사하기 위해 이용되는 전력 레벨보다도 낮게 설정하는 것에 의하여, 재생 과정에서 제2 변형 재료 층의 변경을 억제할 수 있고, 신호 레벨의 변동이 없이 재생을 반복할 수 있기 때문에, 반복된 내구성을 개선할 수 있다.
이하에서는, 기록 재생 장치의 일 실시예에 관하여 도 8을 참조하면서 설명한다.
도 8의 기록 재생 장치는 레이저 빔 조사 유닛(81), 전력 레벨 변조 유닛(82), 매체 회전 유닛(84) 및 신호 검출 유닛(85)을 갖는다. 또한, 기록 재생 장치는 광학 기록 매체(83)와 레이저 빔(86)을 포함한다. 레이저 빔 조사 유닛(81)은 레이저 빔 원과, 레이저 빔을 집광하는 대물 렌즈와, 대물 렌즈를 구동하는 액추에이터로 구성된다. 레이저 빔 원은 370∼780 ㎚의 파장을 갖는 반도체 레이저이다. 대물 렌즈의 개구수는 0.5∼2.0이고, 바람직한 개구수는 0.8∼0.9이다. 레이저 빔을 광학 기록 매체의 층 표면에 대하여 직접 조사하는 것이 바람직하다. 즉, 레이저 빔 조사 유닛은 기판을 이용하지 않고 레이저 빔을 광학 기록 매체에 직접 조사할 수 있다.
전력 레벨 변조 유닛(82)은 전력 레벨 변조 회로(821)와 기준 신호 생성 회로(822)를 구비한다. 전력 레벨 변조 회로(821)는 레이저 전력 레벨 변조 신호(87)를 생성한다. 이 변조 신호(87)는 P1＞P2＞P3을 만족하는 적어도 3개의 레벨들 중에서 전력 레벨을 변조하기 위해서 이용된다. 또한, 변조 타이밍 신호(823)도 생성된다. 기준 신호 생성 회로(822)는 변조 타이밍 신호(823)에 기초하여 펄스 기준 신호(824)를 생성한다.
매체 회전 유닛(84)은 광학 기록 매체를 회전시키기 위한 스핀 스탠드(spin stand)(841)와, 기준 신호 생성 회로(842)를 구비한다. 기준 신호 생성 회로(842)는 스핀 스탠드로부터의 신호에 기초하여 회전 기준 신호(843)를 생성한다. 펄스 기준 신호(824)와 회전 기준 신호(843)를 주파수 동기시켜 스핀 스탠드를 회전시킨다.
레이저 빔 검출 유닛(85)은 광 검출기(851)와 서보 회로(852)를 포함한다. 광 검출기(851)는 매체로부터 신호(88)를 수신하여 포커스 및 트랙 오차 신호(853)를 생성한다. 서보 회로(852)는 오차 신호에 기초하여 레이저 빔 조사 유닛 구동 신호(89)를 생성한다. 레이저 빔 조사 유닛 구동 신호에 기초해서 액추에이터가 동작하여 포커스 및 트랙 잔류 오차가 감소된다.
상기한 장치 구성에 의하여, 기록 정보에 따라 P1＞P2＞P3을 만족하는 적어도 3개의 상이한 레벨들 중에서 레이저 빔의 전력 레벨을 변화시키는 것에 의하여 기록 재생을 수행할 수 있다.
다음에, 본 발명의 다른 실시예를 설명할 것이다. 본 실시예에서, 제2 변형 재료 층은 아연 화합물과 실리콘 산화물(SiOx; 0 ＜ x ≤ 2)을 함유하고, 아연 화합물은 레이저 조사 또는 열 처리에 의하여 결정화된다. 여기에서 결정화는 제2 변형 재료 층의 X선 산란/회절 스펙트럼의 측정에 있어서 레이저 조사 또는 가열에 의하여 아연 화합물의 결정 구조의 면 간격에 대응하는 회절 또는 산란 피크의 강도가 증가한 상태가 되는 것을 의미한다. 제2 변형 재료 층의 X선 회절의 측정 결과는 도 15에 도시되어 있다. 45 kV의 X선 관 전압 및 40 mA의 관 전류를 갖는 광원으로서 Cu의 Kα빔을 이용하는, 필립스사에 의해 제조된 X선 회절 측정 장치인 X'pert MRD를 이용하였다. 광원의 광학 시스템에서 미러를 이용하여 층 표면에 0.5°의 고정 각도로 빔을 주입시켜서 검출기의 각도를 조작하는 층 측정 방법[저각 입사 비대칭 회절법]을 이용하였다. 제2 변형 재료 층은 실리콘 기판상에 형성된다. 제2 변형 재료 층의 재료는 ZnS-SiO2이고 그 두께는 100 ㎚이었다. ZnS-SiO2 층은 층 형성시 그리고 열 처리 후에 측정하였다. 열 처리는 600 ℃의 온도로 30 분간 질소 분위기의 전기로(electric furnace) 내에서 수행되었다. X선 회절 프로파일은 도 15에 도시되어 있다. 층 형성 후의 ZnS-SiO2 층의 X선 회절 프로파일에는 2θ = 28.5(거리 d = 3.13　Å) 부근의 폭이 넓은 피크를 볼 수 있다. 낮은 강도로 폭 넓게 확산된 피크이기 때문에 형성 후의 ZnS-SiO2 층은 비정질 상태인 것으로 판명된다. 열 처리 후의 ZnS-SiO2 층의 X선 회절 프로파일에서는 2θ = 28.5 부근의 피크 강도가 증가한다. 이 회절 피크의 위치가 징크 블랜드(zinc-blende) 결정 구조의 ZnS의 (111)면 간격에 대응하기 때문에, 열 처리에 의하여 ZnS-SiO2 층의 ZnS 결정이 성장 또는 증가하고 있는 것이 밝혀진다. 위에서 논의된 바와 같이, 형성된 제2 변형 재료 층은 비정질 상태이다. 비정질 상태에 있기 때문에 층의 잔류 응력을 감소시킬 수 있고, 층 분리가 없이 대형 기판에 대하여 층을 균일하게 형성할 수 있다. 레이저 조사 또는 열 처리에 의하여 결정화가 수행된다. 층이 비정질 상태이면, 층 내에 존재하는 미결합(dangling bond) 등의 결함에 의해 대기 중의 산소와 수분이 흡수되고, 제2 변형 재료 층에서는 시간 경과에 따른 품질 변화가 발생한다. 결정화를 수행하는 것에 의하여, 제2 변형 재료 층을 구성하는 원소에 있어서 미결합 등의 결함을 감소시킬 수 있고, 또한 재생 과정에서 제2 변형 재료의 열화를 방지하여, 반복된 내구성을 개선할 수 있다.
다음에, 본 발명의 다른 실시예에 관하여 설명한다. 본 실시예는 광학 기록 매체의 기계적 특성을 나타내고 있다. 제2 변형 재료 층은 아연 화합물과 실리콘 산화물(SiOx; 0 ＜ x ≤ 2)을 함유하고, 아연 화합물은 레이저 조사 또는 열 처리에 의하여 경질화된다. 여기에서 경질화는 다이아몬드 칩 등으로 이루어진 압입기(Indentor)[바르코비치 압입기]가 층 표면에 압입될 때 구해지는, 압입 깊이로부터 계산된 경도가 증가한 상태를 의미한다. 특히 다음 상태를 추가로 도시하고 있다. 최근, 나노 스케일에서의 기계적 특성 평가 방법인 나노 인덴테이션(nano indentation)이 주목되고 있다. 나노 인덴테이션은 다이아몬드 칩 등의 압입기가 층 표면에 압입되어, 하중-변위 곡선 해석에 의하여 층 샘플의 경도를 구하는 방법이다. 측정에는 Ulvac-Phi사에 의해 제조된 Tribo Scope를 이용하였다. 제2 변형 재료 층을 실리콘 기판상에 형성하고, 전기로를 이용하여 600 ℃의 온도로 30 분간 질소 분위기에서 가열하였다. 제2 변형 재료는 ZnS-SiO2로 구성되었고, 그 두께가 100 ㎚이었다. 열 처리의 전후에 ZnS-SiO2 층의 경도를 측정하였다. 하중-변위 곡선으로부터 구한 열 처리 전의 ZnS-SiO2 층의 경도는 6 GPa이였고, 열 처리 후의 ZnS-SiO2 층의 경도는 8 GPa이였다. 위에서 논의된 바와 같이, 형성된 제2 변형 재료 층의 상태는 가요성 재료이고, 그것은 열 처리에 의하여 경질화된다. 그와 같은 재료를 이용하는 것에 의하여 재생 과정에서의 제2 변형 재료의 열화를 방지하여 반복된 내구성을 개선할 수 있다.
본 발명의 광학 기록 매체의 기록 마크는 변형되고, 또한 레이저 조사 또는 열 처리에 의하여 그 기록 마크의 원래의 상태로 복귀한다. 이 기록 마크는 적어도, 지지 기판, 제1 변형 재료 층 및 제2 변형 재료 층의 변형된 부분으로 구성된다. 여기에서 변형은 전단력 제어(shear force control)를 행한 상태에서 동조 포크(tuning fork) 등의 압전 소자상의 고정된 프로브가 매체 표면 부근으로 이동하는 경우에 검출된 변위 신호가 레이저 조사 또는 가열에 의하여 변경되는 상태를 의미한다.
도 16에는 측정 장치를 나타낸다. 1601은 샘플을 나타내고, 1602는 원통 피에조 스테이지를 나타낸다. 1603은 파이버 프로브를 나타내고, 1604는 동조 포크인 결정 트랜스듀서(crystal transducer)를 나타낸다. 파이버 프로브는 동조 포크에 고정되고 진동된다. 1605는 렌즈를 나타내고, 1606은 레이저 빔을 나타내며, 1607은 레이저 다이오드를 나타낸다. 레이저 빔의 파장은 650 ㎚이다. 1608은 레이저를 구동하는 레이저 드라이버를 나타내고, 1609는 파형 발생기를 나타낸다. 1610은 동조 포크를 구동하는 파형 발생기를 나타내고, 1611은 차동 증폭기를 나타내며, 1612는 고정 위상 증폭기(lock-in amplifier)를 나타낸다. 1613은 PID 제어 회로를 나타내고, 1614는 기준 전압원을 나타내며, 1615는 오실로스코프를 나타낸다. 1616은 피에조 구동용의 바이폴러 소소를 나타낸다.
샘플(1601)의 구성은 폴리카보네이트 기판/50 ㎚의 ZnS(80 몰％)-SiOx(20 몰％)/20 ㎚의 AgInSbTe/45 ㎚의 ZnS(80 몰％)-SiOx(20 몰％)이다. NA 0.85의 대물 렌즈가 있는 광학 픽업을 갖는 기록 장치에 의하여 405 ㎚의 파장에서 기록 마크가 형성되었고, 도 16에 도시된 장치를 이용하여 레이저 조사에 의한 기록 마크의 변형 상태를 조사하였다. 기록 마크는 도 11에 도시된 바와 같이 제1 변형 재료 층으로서 변형된 AgInSbTe와 제2 변형 재료 층으로서 변형된 ZnS-SiO2로 구성되었다. 이상과 같은 상태의 샘플이 도 16의 측정 장치에 삽입되고, 레이저 조사에 의한 기록 마크의 변위를 측정하였다. 도 17에 그 측정 결과를 나타내고 있다. 1701은 파형 발생기로부터의 레이저 펄스의 변조 신호인 출력 신호를 나타내고, 샘플에 대하여 펄스 광을 조사하였다. 1702는 원통 피에조 스테이지(1602)의 변위 신호의 변화를 나타낸다. 그것은 샘플 표면과 파이버 프로브 선단 사이의 간격을 일정하게 유지시키는 전단력 제어하에서 파이버 프로브(1603)를 위치시킴으로써 획득되는 변위 신호이며, 레이저 펄스 조사에 의하여 샘플 표면이 변위되었음을 나타내고 있다. 신호 강도로부터 산출된 원통 피에조의 신축량은 대략 10 ㎚이었고, 레이저 조사에 의하여 샘플의 기록 마크의 높이가 대략 10 ㎚ 정도 변화되고 있는 것을 나타낸다. 그 결과, 레이저 조사에 의하여 기록 마크의 형상이 변형되는 매체 구성으로 하면, 재생 과정에 있어서 재료의 광학 특성의 변화 및 형상 변화가 신호원이 된다. 2 개의 상이한 변화가 신호에 포함되기 때문에, 재생 신호 강도를 증가시킬 수 있다.
본 발명에 의하면, 초해상도 재료 층에 광학 개구를 형성하지 않고서 광학 픽업의 해상도 한계를 넘어서는 주기로 기록된 고밀도 정보의 기록 재생을 가능하게 하는 광학 기록 매체 및 그 광학 기록 매체의 기록 재생 방법을 제공할 수 있다.
실시예
이하, 실시예를 참조하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 그러나, 본 발명은 이 실시예에 의하여 한정되는 것이 아니다.
폴리카보네이트 기판(904) 위에, ZnS-SiOx의 무기물 유전체 층(903)을 50 ㎚의 두께로, AgInSbTe의 제1 변형 재료 층(901)을 20 ㎚의 두께로, ZnS-SiOx의 제2 변형 재료 층(902)을 45 ㎚의 두께로, 이 순서대로 스퍼터링에 의하여 증착함으로써, 도 9에 도시된 구성(미기록 상태의 단면도)의 정보 기록 매체를 제작하였다.
제1 변형 재료 층의 스퍼터링 타겟의 Sb/Te 비는 2.2이었다. 또한, 제2 변형 재료 층 및 무기물 유전체 층의 스퍼터링 타겟은 ZnS와 SiO2의 혼합물이었고, ZnS/SiO2 비는 4였다.
405 ㎚의 레이저 파장을 갖는 GaN 반도체 레이저를 이용하여 정보 기록 매체 상에 정보의 기록을 수행하였다. 대물 렌즈의 개구수(NA)는 0.85이고, 선형 기록 속도는 4.5 m/sec였다. 도 10에는 최단 기록 마크가 반복해서 기록되는 경우의 기록 펄스의 설정 방법을 도시한다. 레이저 전력은 P1 = 5 mW, P2 = 1.8 mW, 여기에서 P1＞P2를 만족하는 2개의 레벨들 간에 변조되었다. 전력 레벨은 매체 표면에서 측정되었다. 펄스 폭 W = 12 nsec, 펄스 주기 S = 44 nsec, 및 펄스 듀티 W/S = 27％이다.
도 11은 반복해서 기록된 최단 마크를 나타내는 단면 화상이다. 기록 트랙은 그 기록 트랙의 중심 부근에서 집속 이온 빔(FIB) 장치에 의하여 처리되었고, 그 단면은 투과형 전자 현미경(TEM)으로 관찰한 결과이다.
도면의 참조 부호 1101은 Ag(4 원자%), In(7 원자%), Sb(61 원자%), 및 Te(28 원자%)의 조성과, 2.2의 Sb/Te 비를 갖는 AgInSbTe의 제1 변형 재료 층을 나타낸다. 도면의 참조 부호 1102는 ZnS-SiOx 제2 변형 재료 층을 나타낸다. 도면의 참조 부호 1103은 ZnS-SiOx의 무기물 유전체 층을 나타낸다. 도면의 참조 부호 1104는 200 ㎚의 최단 마크의 기록 주기를 나타낸다. 도면의 참조 부호 1105는 기록 마크의 중심을 나타내고, 도면의 참조 부호 1106은 기록 마크의 단부를 나타내고 있다.
제1 변형 재료 층(1101)의 두께는 기록 마크 중심에서는 두껍고, 기록 마크 단부에서는 작다. 기록 마크 중심에서의 두께는 23 ㎚이고, 기록 마크 단부에서의 두께는 12 ㎚이다. ZnS-SiOx의 제2 변형 재료 층은 거의 균일한 두께를 가지며, AgInSbTe의 제1 변형 재료 층의 요철 패턴에 따라서 변형된다.
이 단면 화상으로부터 알 수 있는 바와 같이, ZnS-SiOx의 제2 변형 재료 층은 제1 변형 재료 층의 요철 패턴을 피복한 셸의 형상으로 기록을 행하였다.
상기 기록의 경우와 동일한 장치를 이용하여, 반복해서 기록된 최단 마크를 재생하였다. 재생 전력 레벨을 0.2 mW로 설정하고, 종래의 재생 상태를 적용하였다. 신호는 일정한 레벨이었고, 관찰된 주기 신호는 없었다. 재생 전력이 P2＞P3를 만족하는 P3 = 1.3 mW로서 설정되면, 200 ㎚의 기록 마크 주기에 대응하는 주기 신호를 검출할 수 있었다. 재생 신호의 신호 진폭은 60 mV이었다.
도 18은 재생 과정에서 매체의 상태를 도시하는 단면도이다. 도면의 참조 부호 1801은 AgInSbTe의 제1 변형 재료 층을 나타내고, 도면의 참조 부호 1802는 ZnS-SiOx의 제2 변형 재료 층을 나타내며, 도면의 참조 부호 1803은 ZnS-SiOx의 무기물 유전체 층을 나타낸다. 도면의 참조 부호 1804 및 1805는 기록 마크를 나타낸다. 제1 변형 재료 층(1801)과 제2 변형 재료 층(1802)은 변형된 상태에 있다. 도면의 참조 부호 1806은 레이저 빔을 나타내며, 도면의 참조 부호 1807은 레이저 빔의 진행 방향을 나타낸다. 기록 마크(1805)는 레이저 빔의 중심에 위치한다. 도면의 참조 부호 1808은 제1 변형 재료 층의 재료(AgInSbTe)가 용융 상태에 있는 것을 나타낸다. 도면의 참조 부호 1809는 레이저 빔의 중심에 위치한 기록 마크(1805)가 변형되고, 원래의 상태로 복귀하는 상태를 나타내고 있다. 레이저 빔의 중심에 위치된 기록 마크(1805)는 가열되고, 제1 변형 재료 층(AgInSbTe)이 용융 상태가 되는 것에 의하여 광학 상수(optical constant)의 변화가 발생하며, AgInSbTe의 용융에 의하여 기록 마크(1805)의 순간적인 변형(1809)이 발생한다. 광학 상수의 변화 및 기계적인 변형의 2 종류의 상이한 변화가 재생 신호원이 되기 때문에, 신호 강도를 증가시킬 수 있고, 광학 픽업의 해상도 한계를 넘어서는 고밀도 정보를 재생할 수 있다.
본 발명의 광학 기록 매체는 적어도, 기록 파장에서 광을 흡수하여 발열하고 발열 용융 및 변형되는 상 변화 재료를 포함하는 제1 변형 재료 층과, 광을 투과하며 열 변형 및 변경되는 실리콘 산화물(SiOx; O ＜ x ≤ 2)을 함유하는 재료를 포함하는 제2 변형 재료 층을 구비한 적층 구조를 포함한다. 그것은 초해상도 재료 층에 광학 개구를 형성하지 않고서 광학 해상도 한계를 넘어서는 고밀도 정보의 기록 재생을 가능하게 하는 광학 기록 매체로서 바람직하게 사용된다.

Claims (13)

  1. 기록 파장에서 광을 흡수하여 발열하고 발열 용융 및 변형되는 상 변화 재료(phase-change material)를 포함하는 제1 변형 재료 층과, 광을 투과하며 열 변형 및 변경(alteration)되는 실리콘 산화물(SiOx; O ＜ x ≤ 2)을 함유하는 재료를 포함하는 제2 변형 재료 층을 구비한 적층 구조(stacked structure)
    를 포함하고,
    정보의 기록후에는, 상기 제1 변형 재료 층의 두께가 기록 정보에 따라서 기록 마크(recorded mark)의 중심이 그 기록 마크의 단부보다 더 두껍게 변화되며, 상기 제2 변형 재료 층은 상기 기록 정보에 기초하여 상기 제1 변형 재료 층 상에 형성된 요철 패턴(concave-convex pattern)에 대응하여 변형 및 변경되고,
    정보의 판독시에는, 레이저 빔의 이동에 따라 상기 제1 변형 재료 층의 고체 상태로부터 용융 상태로의 변화가 각 기록 마크마다 순서대로 일어나는 것인 광학 기록 매체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기록 마크는 상기 제1 변형 재료 층과 제2 변형 재료 층의 변형된 부분인 것인 광학 기록 매체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 변형 재료 층은 적어도 안티몬(Sb)과 텔루륨(Te)을 포함하고, 상기 Sb와 Te의 조성비(Sb/Te)는 1.5∼5의 범위에 있는 것인 광학 기록 매체.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2 변형 재료 층은 적어도 아연 화학 화합물(zinc chemical compound)과 실리콘 산화물(SiOx)(여기서, O ＜ x ≤ 2)을 포함하고, 상기 아연 화학 화합물과 SiOx의 조성비(아연 화학 화합물/SiOx)는 1.5∼9의 범위에 있는 것인 광학 기록 매체.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2 변형 재료 층의 아연 화합물은 레이저 조사 또는 열 처리에 의하여 결정화되는 것인 광학 기록 매체.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서, 상기 기록 마크의 형상은 판독하는 동안에 레이저 조사 또는 가열에 의하여 변경되는 것인 광학 기록 매체.
  8. 제1항에 있어서, 상기 광학 기록 매체는 기판과 상기 제1 변형 재료 층 사이에 배치된 무기물 유전체 층을 포함하는 것인 광학 기록 매체.
  9. 제8항에 있어서, 상기 무기물 유전체 층은 적어도 ZnS와 SiOx(여기서, O ＜ x ≤ 2)를 포함하는 것인 광학 기록 매체.
  10. 광학 기록 매체의 기록 및 판독 방법으로서,
    정보를 기록하는 동안 용융(melting)에 의한 제1 변형 재료 층의 변형에 수반하여 제2 변형 재료 층이 변형 및 변경되는 강도로 레이저 빔을 조사하는 단계와,
    기록된 정보를 판독하는 동안 상기 제1 변형 재료 층이 용융되는 강도의 레이저 빔 조사에 의하여 고체 상태에서 용융 상태로의 상기 제1 변형 재료 층의 변경이 발생하는 신호 레벨 변화를 검출하는 단계
    를 포함하고,
    상기 광학 기록 매체는,
    기록 파장에서 광을 흡수하여 발열하고 발열 용융 및 변형되는 상 변화 재료를 포함하는 제1 변형 재료 층과, 광을 투과하며 열 변형 및 변경되는 실리콘 산화물(SiOx; O ＜ x ≤ 2)을 함유하는 재료를 포함하는 제2 변형 재료 층을 구비한 적층 구조를 포함하며,
    정보의 기록후에는, 상기 제1 변형 재료 층의 두께가 기록 정보에 따라서 기록 마크의 중심이 그 기록 마크의 단부보다 더 두껍게 변화되고, 상기 제2 변형 재료 층은 상기 기록 정보에 기초하여 상기 제1 변형 재료 층 상에 형성된 요철 패턴에 대응하여 변형 및 변경되며,
    정보의 판독시에는, 레이저 빔의 이동에 따라 상기 제1 변형 재료 층의 고체 상태로부터 용융 상태로의 변화가 각 기록 마크마다 순서대로 일어나는 것인 광학 기록 매체의 기록 및 판독 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 기록 마크는 상기 제1 변형 재료 층과 제2 변형 재료 층의 변형된 부분인 것인 광학 기록 매체의 기록 및 판독 방법.
  12. 제10항에 있어서, 광원은 반도체 레이저이고, 정보를 기록하는 동안에는 상기 레이저 빔 전력 레벨은 기록 정보에 대응하여 적어도 기록 위치에서의 전력 레벨인 P1과 미기록된 부분에서의 전력 레벨인 P2(여기서, P1 ＞ P2)의 2 개의 레벨들 사이에서 변조되며, 기록 정보를 판독하는 동안에는 상기 레이저 빔 전력 레벨은 레벨 P3(여기서, P2 ＞ P3)로 설정되는 것인 광학 기록 매체의 기록 및 판독 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 반도체 레이저는 390 ㎚ 내지 410 ㎚ 사이의 파장을 갖는 것인 광학 기록 매체의 기록 및 판독 방법.
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