KR100896469B1 - 3족 질화물 반도체 발광소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 3족 질화물 반도체층; 그리고, 복수개의 3족 질화물 반도체층의 성장에 이용되는 기판;으로서, 대향하는 두개의 변이 라운드되어 있는 돌기를 구비하는 기판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.

질화물, 반도체, 발광소자, 기판, 사파이어, 결정, 결함. 라운딩, 모서리

Description

3족 질화물 반도체 발광소자{Ⅲ-NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}

본 발명은 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 돌기의 측면 방향의 제약을 해소하면서도 결정성이 좋은 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.

여기서, 3족 질화물 반도체 발광소자는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물 반도체층을 포함하는 발광다이오드와 같은 발광소자를 의미하며, 추가적으로 SiC, SiN, SiCN, CN와 같은 다른 족(group)의 원소들로 물질이나 이들 물질로 된 반도체층을 포함하는 것을 배제하는 것은 아니다.

도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 3족 질화물 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 에피성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 에피성장되는 n형 질화물 반도체층(300), n형 질화물 반도체층(300) 위에 에피성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 에피성장되는 p형 질화물 반도체층(500), p형 질화물 반도체층(500) 위에 형성되는 p측 전극(600), p측 전극(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700), p형 질화물 반도체 층(500)과 활성층(400)이 메사 식각되어 노출된 n형 질화물 반도체층 위에 형성되는 n측 전극(800), 그리고 보호막(900)을 포함한다.

기판(100)은 동종기판으로 GaN계 기판이 이용되며, 이종기판으로 사피이어 기판, SiC 기판 또는 Si 기판 등이 이용되지만, 질화물 반도체층이 성장될 수 있는 기판이라면 어떠한 형태이어도 좋다. SiC 기판이 사용될 경우에 n측 전극(800)은 SiC 기판 측에 형성될 수 있다.

기판(100) 위에 에피성장되는 질화물 반도체층들은 주로 MOCVD(유기금속기상성장법)에 의해 성장된다.

버퍼층(200)은 이종기판(100)과 질화물 반도체 사이의 격자상수 및 열팽창계수의 차이를 극복하기 위한 것이며, 미국특허 제5,122,845호에는 사파이어 기판 위에 380℃에서 800℃의 온도에서 100Å에서 500Å의 두께를 가지는 AlN 버퍼층을 성장시키는 기술이 개시되어 있으며, 미국특허 제5,290,393호에는 사파이어 기판 위에 200℃에서 900℃의 온도에서 10Å에서 5000Å의 두께를 가지는 Al(x)Ga(1-x)N (0≤x<1) 버퍼층을 성장시키는 기술이 개시되어 있고, 국제공개공보 WO/05/053042호에는 600℃에서 990℃의 온도에서 SiC 버퍼층(씨앗층)을 성장시킨 다음 그 위에 In(x)Ga(1-x)N (0<x≤1) 층을 성장시키는 기술이 개시되어 있다.

n형 질화물 반도체층(300)은 적어도 n측 전극(800)이 형성된 영역(n형 컨택층)이 불순물로 도핑되며, n형 컨택층은 바람직하게는 GaN로 이루어지고, Si으로 도핑된다. 미국특허 제5,733,796호에는 Si과 다른 소스 물질의 혼합비를 조절함으로써 원하는 도핑농도로 n형 컨택층을 도핑하는 기술이 개시되어 있다.

활성층(400)은 전자와 정공의 재결합을 통해 광자(빛)를 생성하는 층으로서, 주로 In(x)Ga(1-x)N (0<x≤1)로 이루어지고, 하나의 양자우물층(single quantum well)이나 복수개의 양자우물층들(multi quantum wells)로 구성된다. 국제공개공보 WO/02/021121호에는 복수개의 양자우물층들과 장벽층들의 일부에만 도핑을 하는 기술이 개시되어 있다.

p형 질화물 반도체층(500)은 Mg과 같은 적절한 불순물을 이용해 도핑되며, 활성화(activation) 공정을 거쳐 p형 전도성을 가진다. 미국특허 제5,247,533호에는 전자빔 조사에 의해 p형 질화물 반도체층을 활성화시키는 기술이 개시되어 있으며, 미국특허 제5,306,662호에는 400℃ 이상의 온도에서 열처리(annealing)함으로써 p형 질화물 반도체층을 활성화시키는 기술이 개시되어 있고, 국제공개공보 WO/05/022655호에는 p형 질화물 반도체층 성장의 질소전구체로서 암모니아와 하이드라진계 소스 물질을 함께 사용함으로써 활성화 공정없이 p형 질화물 반도체층이 p형 전도성을 가지게 하는 기술이 개시되어 있다.

투광성 전극(600; light-transmitting electrode)은 p형 질화물 반도체층(500) 전체로 전류가 잘 공급되도록 하기 위해 구비되는 것이며, 미국특허 제5,563,422호에는 p형 질화물 반도체층의 거의 전면에 걸쳐서 형성되며 p형 질화물 반도체층(500)과 오믹접촉하고 Ni과 Au로 이루어진 투광성 전극에 관한 기술이 개시되어 있으며, 미국특허 제6,515,306호에는 p형 질화물 반도체층 위에 n형 초격자층을 형성한 다음 그 위에 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 투광성 전극을 형성한 기술이 개시되어 있다.

한편, 투광성 전극(600)이 빛을 투과시키지 못하도록, 즉 빛을 기판 측으로 반사하도록 두꺼운 두께를 가지게 형성할 수 있는데, 이러한 기술을 플립칩(flip chip) 기술이라 한다. 미국특허 제6,194,743호에는 20nm 이상의 두께를 가지는 Ag 층, Ag 층을 덮는 확산 방지층, 그리고 확산 방지층을 덮는 Au와 Al으로 이루어진 본딩 층을 포함하는 전극 구조에 관한 기술이 개시되어 있다.

p측 본딩 패드(700)와 n측 전극(800)은 전류의 공급과 외부로의 와이어 본딩을 위한 것이며, 미국특허 제5,563,422호에는 n측 전극을 Ti과 Al으로 구성한 기술이 개시되어 있다.

보호막(900)은 이산화규소와 같은 물질로 형성되며, 생략되어도 좋다.

한편, n형 질화물 반도체층(300)이나 p형 질화물 반도체층(500)은 단일의 층이나 복수개의 층으로 구성될 수 있으며, 최근에는 레이저 또는 습식 식각을 통해 기판(100)을 질화물 반도체층들로부터 분리하여 수직형 발광소자를 제조하는 기술이 도입되고 있다.

도 2는 국제공개공보 WO02/75821호 및 WO03/10831호에 개시된 발광소자를 나타내는 도면으로서, 패터닝된 기판(400) 상에서 질화물 반도체층(410)이 성장되는 과정을 제시하고 있다. 질화물 반도체층(410)은 패터닝된 기판(400)의 바닥면과 상면에서 성장을 시작한 다음, 성장된 질화물 반도체층(410)이 만나게 되고, 만난 영역에서 성장이 촉진된 다음, 평탄한 면을 형성하게 된다. 이렇게 패터닝된 기판(400)을 이용함으로써, 빛을 스캐터링하여 외부양자효율을 높이는 한편, 결정 결함을 감소시켜 질화물 반도체층(410)의 질을 향상시키게 된다.

도 3은 WO03/10831호에 개시된 돌기의 일 예를 나타내는 도면으로서, 기판에 육각의 횡단면을 가지는 돌기가 도시되어 있다. 한편 WO03/10831호에는, 이 돌기의 측면이 질화물 반도체의 성장안정면(예: 기판의 플랫존(401; Flat Zone); 도 4 참조)에 평행하게 놓이는 경우에는, 질화물 반도체의 성장이 늦어져서, 결정 결함이 다수 발생한다고 지적하고 있으며, 결정 결함을 줄이기 위해, 이 돌기의 모든 측면을 성장안정면과 교차하도록 형성한 기술이 제시되어 있다. 따라서 이러한 돌기의 측면 방향의 제약은 결정성의 향상을 위한 기판 상 돌기 및/또는 오목부(depression)의 형성에 제약을 가져온다.

도 4는 질화물 반도체의 성장안정면을 설명하는 도면으로서, C면 사파이어 기판(400) 상에 60도 각도 차이를 가지는 3개의 성장안정면(402,403,404)이 표시되어 있다.

본 발명은 상기한 문제점을 해소한 3족 질화물 반도체 발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한 본 발명은 돌기의 측면 방향의 제약을 해소하면서도 결정성이 좋은 3족 질화물 반도체 발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한 본 발명은 돌기를 가진 기판에 대해 스크라이빙 라인이 이루는 각도를 조절함으로써 외부양자효율을 높인 3족 질화물 반도체 발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한 본 발명은 질화물 반도체의 성장을 위한 공간을 기판 상에 충분히 확보할 수 있는 3족 질화물 반도체 발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.

이를 위해, 본 발명은 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 3족 질화물 반도체층; 그리고, 복수개의 3족 질화물 반도체층의 성장에 이용되는 기판;으로서, 대향하는 두개의 변이 라운드되어 있는 돌기를 구비하는 기판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.

또한 본 발명은 돌기가 라운드된 대향하는 두개의 변을 이어주는 두개의 연결 변을 구비하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자를 제공한다. 바람직하게는 두개의 연결 변은 직선으로 이루어지지만, 마스크 패턴에 따라 바깥쪽 또는 안쪽으로 약간 만곡되게 형성되어도 좋다.

또한 본 발명은 기판이 적어도 하나의 절단면에 의해 경계지워지며, 두개의 연결 변의 연장선이 적어도 하나의 절단면과 교차하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자를 제공한다. 여기서, 적어도 하나의 절단면은 발광소자의 외곽을 형성하는 면으로서, 다이아몬드 커팅에 의해 형성되어도 좋고, 스크라이빙/브레이킹 공정에 의해 형성되어도 좋다.

또한 본 발명은 기판이 돌기가 복수개 형성된 제1 어레이와 돌기가 복수개 형성된 제2 어레이를 구비하며, 제1 어레이의 복수개의 돌기와 제2 어레이의 돌기가 서로 어긋나게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.

본 발명에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자에 의하면, 돌기의 측면 방향의 제약을 해소하면서도 질화물 반도체층의 결정성을 높일 수 있게 된다.

또한 본 발명에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자에 의하면, 돌기를 가진 기판에 대해 스크라이빙 라인이 이루는 각도를 조절함으로써 외부양자효율을 높일 수 있게 된다.

또한 본 발명에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자에 의하면, 질화물 반도체의 성장을 위한 공간을 기판 상에 충분히 확보하여, 질화물 반도체층의 결정성을 높일 수 있게 된다.

이하 도면을 참고로 하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.

도 5는 본 발명에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 3족 질화물 반도체 발광소자는 돌기(90)가 형성된 사파이어 기판(10), 사파이어 기판(10) 위에 성장되는 버퍼층(20), 버퍼층(20) 위에 성장되는 n형 질화물 반도체층(30), n형 질화물 반도체층(30) 위에 성장되는 활성층(40), 활성층(40) 위에 성장되는 p형 질화물 반도체층(50), p형 질화물 반도체층(50) 위에 형성되는 투광성 전극(60), 투광성 전극(60) 위에 형성되는 p측 전극(70), p형 질화물 반도체층(50)과 활성층(40)이 메사 식각되어 노출된 n형 질화물 반도체층(31) 위에 형성되는 n측 전극(80)을 포함한다.

도 6은 본 발명에 따른 돌기의 형태 및 배열을 설명하는 도면으로서, 사파이어 기판(10) 위에 돌기(90)가 형성되어 있다. 돌기(90)는 두개의 라운드된 변(91)과 두개의 라운드된 변(91)을 이어주는 두개의 연결 변(92)을 가진다. 라운드된 변(91)은 사파이어 기판(10)의 플랫존(401) 즉, 질화물 반도체의 성장안정면과 마주하고 있지만, 라운드됨으로써 성장안정면과 평행한 면이 제거됨으로써 질화물 반도체층의 성장 지연을 제거하여 결정결함을 줄일 수 있게 된다. 한편 어레이(A)의 돌기의 라운된 변과 어레이(B)의 돌기의 라운드된 변이 정렬되도록 배치할 수도 있으나 이때 질화물 반도체의 성장을 위해 이들 사이의 간격을 일정 이상 확보해야 한다. 따라서 어레이(A)의 돌기의 라운된 변과 어레이(B)의 돌기의 라운드된 변이 서로 어긋나게 배치되도록 함으로써 어레이(A)와 어레이(B) 사이의 간격을 줄일 수 있게 된다. 또한 라운드되지 않은 직사각형의 돌기와 비교하여, 본 발명에 따른 돌 기는 라운드된 변(91)을 가짐으로써, 돌기 사이에 영역(93)이 확보되어, 어레이(A)와 어레이(B) 사이의 간격을 줄이더라도 질화물 반도체층의 성장을 위한 공간을 확보할 수 있게 된다.

도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 돌기를 형성하는 공정의 일 예를 설명하는 도면으로서, 먼저 기판(10) 위에 포터 레지스터(11)를 도포한 후 패터닝 공정을 수행한다. 패터닝 공정은 사진 식각 공정을 통하여 이루어진다. 이 때, 도포되는 포토 레지스터(11)의 두께는 기판(10)에 형성될 돌기의 높이에 따라 달라지게 되며, 포토 레지스터의 두께는 형성하고자 하는 돌기의 높이에 따라서 조절하게 된다. 패턴의 형태는 도 8에 도시되어 있다. 패턴은 예를 들어, 높이(H)가 4.2um, 폭(W)이 2.4um, 돌기가 간격(D1)이 1.6um, 어레이간 간격(D2)이 0.8um인 형태가 사용될 수 있으며, 모서리 부근이 절단된 형태를 가진다. 이러한 공정을 사용하여 형성된 돌기의 일 예가 도 9에 도시되어 있다. 필요에 따라 돌기의 상부가 평탄면을 가지도록 할 수도 있으며, 이 경우에 돌기의 상부에서도 질화물 반도체의 성장이 일어난다.

다음으로, 기판(10)을 식각하는 공정을 수행한다. 일반적으로 RIE(Reactive Ion Etching) 법으로 실시하게 된다. 한편 마스크 패턴은 모서리에서 식각이 활발하게 이루어지므로, 마스크 패턴을 라운딩하지 않더라도 본 발명에 따른 돌기(90)를 형성하는 것이 가능하다. 물론 모서리가 라운드된 형태의 패턴을 사용하거나, 라운딩을 위한 베이킹 고정을 사용하여도 좋다. 이때 식각을 통해 연결 변은 직선의 형태를 가지며, 베이킹 공정이 행해지는 등의 경우에 약각 만곡한 형태를 가질 수도 있다.

도 10은 본 발명에 따라 준비된 기판에 GaN 에피층을 성장한 에피층을 광학 현미경을 이용하여 촬영한 사진으로서, 좌측은 촛점을 사파이어 기판과 에피층의 경계면에 맞춘 것으로 사파이어 기판에 가공된 돌기의 모양이 투영되어 보인다. 우측은 촛점을 에피층의 표면에 맞춘 사진으로 표면에 피트(pit)나 핀홀이 형성됨이 없이 매끄러운 표면의 우수한 에피 결정층을 얻을 수 있었다. 약 4um 두께의 GaN층이 MOCVD 방법에 의해서 다음과 같은 방법으로 성장되었다; MOCVD의 반응로 안에 준비된 기판을 그라파이트 재질로 만든 서셉터(Susceptor)에 위치하고, 수소 분위기에서 온도를 1100℃까지 올려서 기판 표면의 불순물을 제거하고, 이어서 SiC를 원료 소스로서 분당 4.5 마이크로몰의 DTBSi, 분당 17 마이크로몰의 CBr₄를 사용하고, 성장 온도 950℃에서 성장 시간을 60초로 하여, 예상 두께 10A으로 성장하였다. 다음으로 표면 웨팅층(Suface Wetting Layer)로 InGaN을 원료 소스로서 분당 10 마이크로몰의 TMIn, 400 마이크로몰의 TMGa, 분당 12 리터의 NH₃를 사용하고, 성장 온도 500℃ 하에서, 성장 시간을 35초로 하여, 두께 500A으로 성장하였다. 다음으로 언도핑 GaN을 원료 소스로 분당 870 마이크로몰의 TMGa, 분당 18 리터의 NH₃를 사용하고, 성장온도 1050℃ 하에서 성장 시간을 7200초로 하여 두께 4 um으로 성장하였다. 이렇게 성장된 에피층의 결정성은 XRD 록킹커브의 측정 결과로 알 수 있는데, XRD (002)의 반측폭이 ~250 아크세컨드 이었으며, XRD (102)의 반측폭은 ~300 아크세컨드로 아주 우수한 결정성을 보였다.

도 11은 발광소자와 스크라이빙 라인과의 관계를 설명하는 도면으로서, 기판(10)의 플랫존(401)에 사각형 돌기(90)가 형성되어 있으며, 개별 발광소자의 절단면(10a,10b) 즉, 스크라이빙 라인이 점선으로 표시되어 있다. 사각형 돌기(90)의 측면(90a)과 스크라이빙 라인이 이루는 각도(y)를 조절함으로써, 추출되는 광의 양을 조절할 수 있다.

도 12는 4.5umx3um의 밑변을 가지는 사각뿔 형태의 돌기를 이용하여 각도(y)에 따른 광 추출효율의 변화를 분석한 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프로서, 각도(y)가 45°부근에서 광 추출효율이 증가함을 나타내고 있으며, 이러한 결과는 라운드된 변을 가지는 돌기에 마찬가지로 적용될 수 있다. 시뮬레이션에는 옵티칼 리서치 어소시에이츠 사(Optical Research Associates)의 라이트툴스 5.1(Light Tools 5.1) 프로그램이 사용되었다.

도 13은 본 발명에 따른 돌기 배치의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 돌기(90)가 플랫존(401)에 대해 회전되어 사파이어 기판(10)에 형성되어 있다. 이러한 구성을 통해, 도 12에서의 결과를 발광소자에 적용함에 있어서, 돌기(90)의 방향에 맞추어 스크라이빙 라인을 조절하는 것이 아니라, 스크라이빙 라인에 대하여 돌기(90)의 방향을 맞출 수 있게 된다.

도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,

도 2는 국제공개공보 WO02/75821호 및 WO03/10831호에 개시된 발광소자를 나타내는 도면,

도 3은 WO03/10831호에 개시된 돌기의 일 예를 나타내는 도면,

도 4는 질화물 반도체의 성장안정면을 설명하는 도면,

도 5는 본 발명에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서,

도 6은 본 발명에 따른 돌기의 형태 및 배열을 설명하는 도면으로서,

도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 돌기를 형성하는 공정의 일 예를 설명하는 도면,

도 9는 본 발명에 따른 돌기의 일 예를 나타내는 도면,

도 10은 본 발명에 따라 준비된 기판에 GaN 에피층을 성장한 에피층을 광학 현미경을 이용하여 촬영한 사진,

도 11은 발광소자와 스크라이빙 라인과의 관계를 설명하는 도면,

도 12는 4.5umx3um의 밑변을 가지는 사각뿔 형태의 돌기를 이용하여 각도(y)에 따른 광 추출효율의 변화를 분석한 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프,

도 13은 본 발명에 따른 돌기 배치의 다른 예를 나타내는 도면.

Claims (15)

1. 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 3족 질화물 반도체층; 그리고,

   복수개의 3족 질화물 반도체층의 성장에 이용되는 기판;으로서, 대향하는 두개의 변이 라운드되어 있는 돌기를 구비하는 기판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자.
2. 제 1 항에 있어서,

   돌기가 라운드된 대향하는 두개의 변을 이어주는 두개의 연결 변을 구비하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자.
3. 제 2 항에 있어서,

   기판이 적어도 하나의 절단면에 의해 경계지워지며,

   두개의 연결 변의 연장선이 적어도 하나의 절단면과 교차하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자.
4. 제 3 항에 있어서,

   기판이 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자.
5. 제 2 항에 있어서,

   두개의 연결 변의 연장선이 복수개의 질화물 반도체층의 적어도 하나의 성장안정면과 교차하며, 전체 성장안정면과 비평행인 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자.
6. 제 2 항에 있어서,

   두개의 연결 변이 직선인 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자.
7. 제 1 항에 있어서,

   라운드된 대향하는 두개의 변이 복수개의 질화물 반도체층의 성장안정면과 마주하는(facing) 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자.
8. 제 1 항에 있어서,

   기판이 돌기가 복수개 형성된 제1 어레이와 돌기가 복수개 형성된 제2 어레이를 구비하며,

   제1 어레이의 복수개의 돌기와 제2 어레이의 돌기가 서로 어긋나게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자.
9. 제 1 항에 있어서,

   기판이 적어도 하나의 절단면에 의해 경계지워지며,

   돌기가 라운드된 대향하는 두개의 변을 이어주는 두개의 연결 직선 변을 구비하고,

   두개의 연결 변의 연장선이 적어도 하나의 절단면과 교차하며,

   두개의 연결 변의 연장선이 복수개의 질화물 반도체층의 적어도 하나의 성장안정면과 교차하며, 전체 성장안정면과 비평행하고,

   라운드된 대향하는 두개의 변이 복수개의 질화물 반도체층의 성장안정면과 마주하며,

   기판이 돌기가 복수개 형성된 제1 어레이와 돌기가 복수개 형성된 제2 어레이를 구비하고, 제1 어레이의 복수개의 돌기와 제2 어레이의 돌기가 서로 어긋나게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자.
10. 제 9 항에 있어서,

    기판이 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자.
11. 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 3족 질화물 반도체층; 그리고,

    복수개의 3족 질화물 반도체층의 성장에 이용되며, 제1 변과 제2 변을 가지는 돌기를 구비하는 기판;으로서, 제1 변이 질화물 반도체층의 성장안정면과 마주하는 라운드된 변으로 된 기판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자.」
12. 제 11 항에 있어서,

    기판이 사파이어 기판인 것을 특징을 하는 3족 질화물 반도체 발광소자.
13. 제 11 항에 있어서,

    기판이 적어도 하나의 절단면에 의해 경계지워지며,

    제2 변의 연장선이 적어도 하나의 절단면과 교차하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자.
14. 제 13 항에 있어서,

    제2 변의 연장선이 복수개의 질화물 반도체층의 적어도 하나의 성장안정면과 교차하며, 전체 성장안정면과 비평행한 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자.
15. 제 11 항에 있어서,

    기판이 돌기가 복수개 형성된 제1 어레이와 돌기가 복수개 형성된 제2 어레이를 구비하며,

    제1 어레이의 돌기의 제1 변과, 제2 어레이의 돌기의 제1 변은 서로 어긋나게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자.

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