KR100891988B1 - 구동회로 일체형 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그제조방법 - Google Patents
구동회로 일체형 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (8)
- 구동회로부 CMOS(complementary metal-oxide semiconductor)와 화소부 스위칭 소자를 동일 기판에 형성하는 구동회로 일체형 액정표시장치 박막트랜지스터에 있어서,버퍼층과;상기 버퍼층 위로 상기 화소부에 대응하여 n+ 도핑에 의한 n형 오믹콘택층과 n- 도핑에 의한 LDD층과 액티브채널층으로 이루어진 제 1 n형 반도체층과, 상기 CMOS부에 대응하여 서로 이격하며 n+ 도핑에 의한 n형 오믹콘택층과 n- 도핑에 의한 LDD층과 액티브채널층으로 이루어진 제 2 n형 반도체층 및 p+ 도핑에 의한 p형 오믹콘택층 및 액티브채널층으로 이루어진 p형 반도체층과;상기 제 1, 2 n형 반도체층과 p형 반도체층 위로 이들 각 반도체층의 상기 n형 오믹콘택층 및 p형 오믹콘택층과 각각 접촉하며 상기 버퍼층 일부까지 연장되어 형성된 소스 및 드레인 전극과;상기 소스 및 드레인 전극 위로 전면에 형성된 게이트 절연막과;상기 게이트 절연막 위로 상기 제 1 및 2 n형 반도체층과, p형 반도체층 각각의 상기 액티브채널층과 오버랩되도록 형성된 게이트 전극과;상기 게이트 전극 위로 전면에 형성된 보호층을 포함하는 구조의 구동부 일체형 액정표시장치 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 n형 반도체층의 구조는 상기 제 1 및 제 2 n형 반도체층의 중앙부는 도핑이 이루어지지 않은 액티브채널층을 이루며, 상기 제 1 및 제 2 n형 반도체층의 양끝은 상기 n형 오믹콘택층을 이루며, 상기 n형 오믹콘택층과 상기 액티브채널층 사이에 LDD층이 형성되며,상기 p형 반도체층의 구조는 상기 p형 반도체층의 양끝은 상기 p형 오믹콘택층을 이루며, 상기 p형 오믹콘택층 사이의 도핑이 이루어지지 않은 부분이 액티브채널층을 이루는 것이 특징인 구동부 일체형 액정표시장치 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연막 및 보호층은 상기 화소부에 형성된 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀이 형성된 것이 특징인 구동부 일체형 액정표시장치 박막 트랜지스터.
- 구동회로부 CMOS(complementary metal-oxide semiconductor)와 화소부 스위칭 소자를 동일 기판에 형성하는 구동회로 일체형 액정표시장치 박막트랜지스터의 제조 방법에 있어서,절연기판 전면에 버퍼층을 형성하는 단계와;상기 버퍼층 상에 제 1 마스크 공정을 진행하여 화소부 및 COMS부의 폴리 실리콘의 반도체층을 형성하는 단계와상기 버퍼층 상에 제 1 마스크 공정을 진행하여 화소부에 폴리실리콘의 제 1 반도체층을, COMS부에 폴리실리콘의 제 2 및 3 반도체층을 형성하는 단계와;제 2 마스크 공정을 진행하여 상기 제 1, 2 및 3 반도체층 상에 각각 그 중앙부를 가리도록 실리콘 산화막 패턴을 형성하는 단계와;상기 실리콘 산화막 패턴이 형성된 기판에 제 1 도즈량의 n+ 도핑을 하여 상기 실리콘 산화막 외부로 노출된 상기 제 1, 2 및 3 반도체층 각각의 양 끝단이 n형 오믹콘택층을 이루도록 하는 단계와;상기 n형 오믹콘택층이 형성된 기판 상에 PR을 도포하고 제 3 마스크 공정을 진행하여 상기 제 1 및 제 2 반도체층을 완전히 가리도록 p+도핑 차단 PR패턴을 형성하는 단계와;상기 p+도핑 차단 PR패턴이 형성된 기판에 상기 제 1 도즈량보다 큰 제 2 도즈량의 p+ 도핑하여 상기 제 3 반도체층의 n형 오믹콘택층을 이루는 부분이 p형 오믹콘택층을 이루도록 하는 단계와;상기 p형 오믹콘택층이 형성된 기판 상에 금속물질을 전면 증착하고 제 4 마스크 공정을 진행하여 상기 제 1,2 및 3 반도체층 각각의 상기 n형 및 p형 오믹콘택층과 접촉하며 상기 버퍼층까지 연장하며, 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극을 형성하고, 동시에 상기 실리콘 산화막 패턴을 제거하는 단계와;상기 실리콘 산화막 패턴이 제거된 기판 전면에 산화 실리콘을 증착하여 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막 상에 금속물질을 증착하고 제 5 마스크 공정을 진행하여 상기 제 1, 2 및 3 반도체층의 도핑이 이루어지지 않은 액티브 영역과 대응되도록 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극을 블록킹 패턴으로 이용하여 상기 제 1 도즈량보다 작은 제 3 도즈량의 n-도핑을 하여 상기 제 1 및 제 2 반도체층 중 상기 각 n형 오믹콘택층과 도핑되지 않은 상기 액티브 영역 사이에 n형 LDD층을 형성하는 단계를 포함하는 구동회로부 일체형 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 제 1 및 제 2 반도체층에 대응해서는 상기 LDD층 사이의 액티브 영역과 대응하여 제 1 폭을 갖도록, 상기 제 3 반도체층에 대응해서는 상기 p형 오믹콘택층 사이의 액티브 영역에 대응하여 상기 제 1 폭보다 큰 제 2 폭을 가지며 형성하는 것이 특징인 구동회로부 일체형 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 n형 LDD층 형성하는 단계 이후에는 제 6 마스크 공정에 의해 상기 제 1 반도체층의 n형 오믹콘택층과 접촉하며 형성된 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 구동회로부 일체형 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 1, 제 2 도즈량은 각각 1E15/㎠ 내지 9E15/㎠, 2E15/㎠ 내지 1E16/㎠의 값을 가지며, 제 3 도즈량은 1E13/㎠ 내지 5E13/㎠인 구동회로부 일체형 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
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