KR100890677B1 - 반도체 집적 회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이중 대역 송수신용 반도체 집적 회로의 저잡음 증폭기와 수신 믹서의 주파수 특성을 열화시키지 않기 위한 것이다.
저잡음 증폭기의 패키지 밖의 핀 선단으로부터 패드까지의 거리가 최단이 되는 위치에 저잡음 증폭기를 배치한다. 접지 핀들 사이, 및 고주파 신호 핀들 사이가 인접하지 않게 배치된다. 저잡음 증폭기의 접지 핀과 바이어스 회로의 접지를 나눈다. 고주파 신호선들이 서로 교차하지 않은 핀 레이아웃으로 한다.
고주파수 대역 수신 믹서 입력 핀, 저주파수 대역 저잡음 증폭기, 출력 핀, 믹서 회로 접지 핀, 국부 발진 신호 입력 핀, 국부 발진 신호용 증폭기

Description

반도체 집적 회로{SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT}
도 1은 본 발명의 실시예를 도시하는 도면.
도 2는 패키지의 기생 소자를 포함하며, 바이어스 회로가 저잡음 증폭기의 접지 노드를 갖는 경우의 회로예를 도시하는 도면.
도 3은 레이아웃 구성예를 도시하는 도면.
도 4는 종래의 이동체 통신용, 이중 대역 대응 송수신용 반도체 집적 회로를 도시하는 도면.
도 5는 인접한 본딩 와이어, 리드 핀, 및 등가 회로를 도시하는 도면.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
100 : 이중 대역 송수신 IC의 패키지
101, 102 : 고주파수 대역 수신 믹서 입력 핀
103 : 저주파수 대역 저잡음 증폭기, 출력 핀
104 : 저주파수 대역 저잡음 증폭기, 접지 핀
105 : 저주파수 대역 저잡음 증폭기, 입력 핀
106 : 고주파수 대역 저잡음 증폭기, 접지 핀
107 : 고주파수 대역 저잡음 증폭기, 출력 핀
108 : 고주파수 대역 저잡음 증폭기, 접지 핀
109 : 고주파수 대역 저잡음 증폭기, 입력 핀
110, 111 : 저주파수 대역 수신 믹서 입력 핀
112 : 믹서 회로 접지 핀
113 : 믹서 회로 전원 핀
114, 115 : 믹서 회로 출력 핀
116, 117 : 국부 발진 신호 입력 핀
118 : 고주파수 대역 수신 믹서
119 : 저주파수 대역 수신 믹서
120 : 국부 발진 신호용 증폭기
121 : 저주파수 대역 저잡음 증폭기용 트랜지스터
122 : 저주파수 대역 저잡음 증폭기용 바이어스 저항
123 : 고주파수 대역 저잡음 증폭기용 트랜지스터
124 : 고주파수 대역 저잡음 증폭기용 바이어스 저항
125 : 저주파수 대역 저잡음 증폭기용 바이어스 회로
126 : 고주파수 대역 저잡음 증폭기용 바이어스 회로.
127 : 이중 대역 수신 믹서 회로부
128 : 송신 회로 블록
129 : 송신 회로 블록 전원 핀
130 : 송신 회로 블록 접지 핀
131 : 저잡음 증폭기용 출력 정합 회로
132 : 저잡음 증폭기용 입력 정합 회로
133 : 대역 통과 필터
134 : 대역 통과 필터
135 : 저주파수 대역 입력 단자
136 : 고주파수 대역 입력 단자
137 : 믹서 입력 정합 회로용 인덕터
138, 141 : 믹서 입력 정합 회로용 용량
139, l40 : 신호선 교차점
201 : 저잡음 증폭기용 트랜지스터
202 : 기생 소자로서의 본딩 와이어와 패키지의 리드 핀
203 : 바이어스 회로
204 : 저잡음 증폭기 입력점
205 : 콜렉터 바이어스 전위
206 : 전원 전위
207 : 접지
208 : 바이어스 회로의 등가 회로로서의 용량, C2
209 : 트랜지스터 베이스, 에미터 사이 용량, C1
210 : 베이스, 에미터 전위
211 : 본딩 와이어와 패키지 리드의 등가 회로로서의 인덕터, L
2l2 : 상호 컨덕턴스, gm
300 : 송수신 IC칩
30l : 고주파수 대역 및 저주파수 대역 저잡음 증폭기의 레이아웃
302 : 고주파수 대역 및 저주파수 대역 수신 믹서 회로의 레이아웃
303 : 송수신 IC의 QFP
304 : 칩 접착면의 지지재
305 : 칩 접착면
306, 307 : 고주파수 대역 수신 믹서 입력 핀
308 : 저주파수 대역 저잡음 증폭기, 출력 핀
309 : 저주파수 대역 저잡음 증폭기, 접지 핀
310 : 저주파수 대역 저잡음 증폭기, 입력 핀
311 : 고주파수 대역 저잡음 증폭기, 접지 핀
312 : 고주파수 대역 저잡음 증폭기, 출력 핀
313 : 고주파수 대역 저잡음 증폭기, 접지 핀
314 : 고주파수 대역 저잡음 증폭기, 입력 핀
315, 316 : 저주파수 대역 수신 믹서 입력 핀
317 : 믹서 회로 접지 핀
318 : 믹서 회로 전원 핀
319, 320 : 믹서 회로 출력 핀
321, 322 : 국부 발진 신호 입력 핀
323 : 송신 회로 블록 전원 핀
324 : 송신 회로 블록 접지 핀
325 : 본딩 와이어
401 : 고주파부와 중간 주파수대를 포함하는IC 회로
402a : 고주파수 대역 저잡음 증폭기
402b : 저주파수 대역 저잡음 증폭기
403a : 고주파수 대역 수신 믹서
403b : 저주파수 핸드 수신 믹서
404 : 믹서
405 : 가변 이득 증폭기
406 : 복조기
407 :디바이더
408 : 변조기
409 : 오프셋 PLL
410 : 신시사이저
411 : 대역 통과 필터
501 : 패키지 지지 부재
502 : 집적 회로 기판
503 : 집적 회로
504 : 접지용 패드
505 : 본딩 와이어
506 : 리드 핀
507 : 기생 트랜스포머
본 발명은 주로 고주파수 대역과, 저주파수 대역의 2개의 주파수 대역의 무선 시스템에 적용하는 이중 대역 무선 통신 이동체 단말 기기에 있어서, 저잡음 증폭기를 집적화한 이중 대역 송수신용 반도체 집적 회로에 관한 것이다.
도 4는 종래의 이중 대역 송수신용 반도체 집적 회로(이하, 송수신IC라 칭한다.)를 적용한 단말 기기의 구성예이다. 이것은 2개의 다른 주파수대의 무선 통신 시스템의 휴대 단말에 적용된다. 송수신 IC(401)는 이중 대역 무선 시스템에 적용하는 고주파수 대역 수신 믹서(403a), 및 저주파수 대역 수신 믹서(403b), 다음 단의 믹서(404), 가변 이득 증폭기(405), 복조기(406), 변조기(408), 오프셋 PLL(409), 및 디바이더(407)로 구성된다. 주파수 변환에 필요한 국부 발진 신호는 신시사이저(410)와 내장된 디바이더(407)로부터 공급된다. 송수신 IC에 접속된 대역 통과 필터(411)는 대역외 의사를 제거한다. 고주파수 대역 저잡음 증폭기(402a), 및 저주파수 대역 저잡음 증폭기(402b)는 IC 외부에 부착되어 있다. 지금까지 저잡음 증폭기는 트랜지스터 프로세스의 fT 한계, 트랜지스터 기판 사이 용량에 의해 고주파 대역에서의 이득, 또는 잡음 특성의 부족으로 IC 내장화가 곤란하였다. 그러나, 최근의 미세 프로세스 향상에 의해 상기한 문제가 극복되어, 저잡음 증폭기의 내장이 가능하게 되었다.
이중 대역 송수신 IC에 적용하는 저잡음 증폭기의 일례가 Keng Leong Fong「Dual-Band High-Linearity Variable-Gain Low-Noise Amplifiers for Wireless Applications」1SSCC 1999, pp224-225, p.463에 개시되어 있다. 이것은 이중 대역 송수신 IC 대상으로 2개의 저잡음 증폭기를 1 칩화하고 TSSOP20 핀 패키지에 봉인한 것으로, 송수신계 전체를 내장한 구성은 아니다. 또한, 신호선이나 접지선 등과 패드의 대응은 불명확하다. 또한, 저잡음 증폭기를 내장한 송수신 IC의 일례가 Michiel Steyaert et al 「A single-Chip CMOS Transceiver for DCS180O wireless Communications」 ISSCC 1998, pp48-49, p411이다. 이것은, 송수신 회로를 1칩화한 것이지만, 이중 대역에 적용하는 것은 아니다. 신호선이나 접지선 등과 패드의 대응은 불명확하다. 또한, 사용하고 있는 패키지도 불명확하다.
본 발명에서는 도 4에서 도시한 이중 대역용의 송수신 회로 칩(4O1)에 저잡음 증폭기(402a, 및 402b)를 새롭게 내장하였다. 이 경우에, 패키지에 있어서의 핀 레이아웃 상의 과제가 발견되었다. 또, 본 발명에서는 패키지는 4면에 핀이 배치되어 있는 Quad Flat package(이하, QFP라 칭한다)를 이용하였다.
제1 과제는, 저잡음 증폭기를 QFP의 리드 핀 중 긴 리드 핀에 긴 본딩 와이어로 본딩하는 레이아웃으로 하면, 기생 인덕턴스에 의한 마이너스 귀환량이 커져 고주파 이득과 잡음 특성이 열화한다고 하는 것이다.
제2 과제는, IC의 핀 사이의 트랜스포머 결합이나 IC를 실장하는 다층 기판 상의 배선 교차에 의한 트랜스포머 결합으로 마찬가지로 IC의 고주파 특성이 열화한다고 하는 것이다.
제3 과제는, 저잡음 증폭기에 있어서의 기생 용량과 기생 인덕턴스에 의해 발진이 발생하는 경우가 있다고 하는 것이다.
본 발명의 목적은 이중 송수신용 IC 회로에 내장하는 저잡음 증폭기의 고주파 특성을 열화시키지 않는 핀 레이아웃을 제공하는 것이다.
이하, 본 발명의 실시예를 도 1에 나타낸다. 도면 중의 참조 번호(100)는 본 발명을 적용하는 이중 대역 송수신 IC의 QFP이다. 참조 번호(123)는 도 4의 고주파수 대역 저잡음 증폭기(402a)에 상당하는 것으로, 참조 번호(121)는 도 4의 저주파수 대역(402b)에 상당하는 것이다. 참조 번호(118)는 도 4에서 도시한 고주파수 대역 수신 믹서(403a)에 상당하며, 참조 번호(119)는 도 4의 저주파수 대역 수신 믹서(403b)에 상당한다.
도 1에 있어서, 저주파수 대역 저잡음 증폭기(121)와 고주파수 대역 저잡음 증폭기(123)는, 각각 저주파수 대역 저잡음 증폭기용 바이어스 회로(125)와, 고주파수 대역 저잡음 증폭기용 바이어스 회로(126)로부터 안정된 바이어스 전류가 공급된다. 저주파수 대역 저잡음 증폭기용 바이어스 저항(122) 및 고주파수 대역 저잡음 증폭기용 바이어스 저항(124)에 의해서, 각각 바이어스 회로로부터의 바이어스 전류가 바이어스 전압으로 변환되어 저잡음 증폭기에 공급된다. 참조 번호(103)는 저주파수 대역 저잡음 증폭기의 출력 핀, 참조 번호(104)는 저주파수 대역 저잡음 증폭기의 접지 핀, 참조 번호(105)는 저주파수 대역 저잡음 증폭기의 입력 핀, 참조 번호(106 및 108)는 고주파수 대역 저잡음 증폭기의 접지 핀, 참조 번호(107)는 고주파수 대역 저잡음 증폭기의 출력 핀, 참조 번호(109)는 고주파수 대역 저잡음 증폭기의 입력 핀, 참조 번호(129)는 송신 회로 블록의 전원 핀, 참조 번호(130)는 송신 회로 블록의 접지 핀이다. 참조 번호(129 및 130)는 바이어스 회로(125 와 126)의 전원, 접지이기도 하다. 참조 번호(127)는 이중 대역 수신 믹서부이고, 고주파수 대역 수신 믹서(118), 저주파수 대역 믹서(119), 및 양 수신 믹서에 국부 발진 신호를 공급하는 국부 발진 신호용 증폭기(120)로 이루어진다. 참조 번호(101, 102)는 고주파수 대역 수신 믹서 입력 핀, 참조 번호(110, 111)는 저주파수 대역 수신 믹서 입력 핀, 참조 번호(112)는 믹서 회로 접지 핀, 참조 번호(113)는 믹서 회로 전원 핀, 참조 번호(114, 115)는 믹서 회로 출력 핀, 참조 번호(116 및 117)는 국부 발진 신호 입력 핀이다. 참조 번호(142)는 전원이고, 핀(113) 및 핀(129)을 통하여 수신 믹서, 송신 회로에 전원 전압을 공급함과 함께, 저잡음 증폭기에 출력 정합 회로(131)를 통해 전원 전압을 공급한다.
이하, 본 발명의 핀 레이아웃의 특징에 대해 설명한다.
첫째로, 저잡음 증폭기의 패키지 밖 핀 선단으로부터 패드까지의 거리가 최단이 되는 위치에 저잡음 증폭기의 회로를 설치한다. 이와 같이 함으로써 리드 핀 본딩 와이어의 기생 인덕턴스에 의한 마이너스 귀환의 효과가 저감하여, 이득, 잡음 특성이 열화를 방지한다. 본 실시예에서는, 참조 번호(103)로부터 참조 번호(109) 핀에 배치하는 것이, 패키지 밖의 핀 선단으로부터, 저잡음 증폭기의 거 리가 최단이 되는 경우이다.
또한, 이들 핀 중에서 상기 거리가 최단의 것은 핀(106)이고, 저잡음 증폭기를 형성하는 바이폴라 트랜지스터의 에미터가 접속되어 있다.
둘째로, 복수의 저잡음 증폭기의 접지 핀끼리는 상호 인접하지 않도록 하였다. 본 실시예에서는 고주파수 대역 저잡음 증폭기(123)의 접지 핀은 2개이며, 그 때문에, 기생 인덕턴스에 의한 마이너스 귀환의 효과가 반감하여, 고이득이 얻어진다. 도 5에 접지한 본딩 와이어와 리드 핀과의 등가 회로를 나타낸다. 참조 번호(502)는 집적 회로 기판이다. 참조 번호(503)는 그 위에 만들어지는 집적 회로이며, 여기서는 저잡음 증폭기이다. 패키지 지지 부재(501) 상에 있는 리드 핀(506)은 본딩 와이어(505)로 저잡음 증폭기의 접지의 패드(504)와 접속된다. 이 때의 등가 회로는 참조 번호(507)로 도시되는 역 부호의 트랜스포머 결합으로 되고, 한쪽의 리드 핀에 흐르는 전류는 다른쪽의 리드 핀의 전류를 감소시키는 작용을 한다. 이 때문에, 인접한 리드 핀을 2개 이용한 경우, 기생 인덕턴스는 반이 되지 않고, 트랜스포머의 결합도의 영향으로 대개 단일 리드와 비교하여 70% 정도로 된다. 따라서, 기생 인덕턴스의 저감에는 입력 핀과 출력 핀이 인접하지 않는 것이 중요해진다. 또한, 입출력 고주파 신호도 인접하지 않도록, 접지 핀을 사이에 삽입한다. 이에 따라, 상술한 바와 마찬가지의 트랜스포머 결합을 피할 수 있다. 즉, 한쪽의 고주파 신호에 흐르는 전류가 이웃하는 고주파 신호의 전류를 감소시켜, 이득의 열화를 초래한다고 하는 문제가 방지된다. 본 실시예에서는, 참조 번호(106)로부터 참조 번호(109)에 도시한 핀 레이아웃이 상당한다. 참조 번호(103)로부터 참조 번호(105)의 핀 레이아웃도 고주파 신호선이 인접하지 않는 예이다.
셋째로 저주파수 대역 수신 믹서(119)의 입력 핀 저주파수 대역 저잡음 증폭기(121)의 입출력 핀 사이에 고주파수 대역 수신 믹서(118)의 입력 핀이 배치되고, 고주파수 대역 수신 믹서(118)의 입력 핀과 고주파수 대역 저잡음 증폭기(123)의 입출력 핀 사이에 저주파수 대역 저잡음 증폭기(12l)의 입출력 핀이 배치되며, 저주파수 대역 수신 믹서(119)의 입력 핀과 저주파수 대역 저잡음 증폭기(121)의 입력 핀(105) 사이에 저주파수 대역 저잡음 증폭기(121)의 출력 핀(103)이 배치되고, 고주파수 대역 수신 믹서의 입력 핀과 고주파수 대역 저잡음 증폭기(123)의 입력 핀(109) 사이에 고주파수 대역 저잡음 증폭기(123)의 출력 핀(107)이 배치되어 있다.
저잡음 증폭기의 출력 핀이 입력 핀보다도 수신 믹서에 가까운 위치에 놓임으로써 입력선과 출력선이 교차하지 않는다. 또한, 참조 번호(135 및 136)는 각각 저잡음 증폭기(l21 및 123)에 입력하는 고주파 신호의 입력점에서 안테나에 접속되어 있다. 각각에 붙여진 대역 통과 필터(133)에서 대역외 의사 신호를 제거하고, 입력 정합 회로(132)에서 50Ω 임피던스 정합을 취하고, 각각의 저잡음 증폭기(121, 123)로 고주파 신호가 입력한다. 출력은 입력 정합 회로(131)에서 임피던스 정합을 취한다. 다음에, 대역외 의사 신호를 대역 통과 필터(134)로 제거한 후, 믹서 입력 정합 회로용 용량(138, 141)과 믹서 입력 정합 회로용 인덕터(137)로 차동 신호를 생성하고, 수신 믹서(118, 119)에 입력한다. 이러한 배선 실장에 의하면, 점선으로 둘러싸인 참조 번호(139, 140)에서 배선의 교차가 생긴다. 그러나, 이 교차는 다른 대역의 신호선 끼리에 의한 것으로, 한쪽의 대역이 사용되고 있을 때에는 다른쪽은 사용되고 있지 않기 때문에 상호 간섭이 생기지 않는다.
넷째로, 저잡음 증폭기의 접지 핀과 저잡음 증폭기의 바이어스 회로의 접지 핀이 각각 설치된다. 또한, 바이어스 회로의 전원 핀 및 접지 핀은 송신 블록의 전원, 접지 핀과 공유된다. 도 2에서는, 패키지의 기생 소자를 포함하며, 바이어스 회로가 저잡음 증폭기와 공통의 접지 노드를 갖는 경우의 회로예를 나타낸다. 도 2의 상단이 그 회로이다. 참조 번호(201)는 저잡음 증폭기용 트랜지스터이고, 참조 번호(202)는 본딩 와이어와 패키지의 리드이며, 참조 번호(203)는 저잡음 증폭기의 바이어스 회로이다. 참조 번호(205)는 트랜지스터(201)의 콜렉터 바이어스 전위이고, 참조 번호(206)는 바이어스 회로의 전원 전위, 참조 번호(207)는 접지이다. 도 2의 하단은 상단의 회로의 등가 회로이다. 참조 번호(208)가 바이어스 회로의 등가 회로로서의 용량 C2, 참조 번호(209)가 트랜지스터 베이스와 에미터 사이 용량 C1, 참조 번호(210)가 베이스와 에미터 사이 전위, 참조 번호(212)가 트랜지스터의 상호 컨덕턴스 gm, 참조 번호(2l1)가 본딩 와이어와 패키지 리드 핀의 등가 회로로서의 인덕터 L로 나타내진다. 트랜지스터의 입력점(204)으로부터 본 임피던스 Zin은 다음의 수학식 1로 나타내진다.
Figure 112000007355509-pat00006
이 때, 1<ω2C2L로 되면, 수학식 1의 실수부는 마이너스로 되어, 임피던스가 마이너스성 저항으로 되어 발진하는 경우가 있다. 이 때문에 전원, 접지를 나누어, 발진의 원인인 바이어스 회로의 기생 용량을 제거한다.
본 실시예에서는 이중 대역의 시스템에 대해 진술하고 있지만, 복수 대역을 갖는 경우에서도 마찬가지의 고찰에 의해 실현될 수 있다.
도 3에 본 발명의 핀 레이아웃으로 구성한 송수신 IC를 도시한다. 참조 번호(300)는 본 발명을 적용한 송수신 IC의 칩이다. 참조 번호(303)는 송수신 IC를 봉인하는 QFP이고, 도 1의 참조 번호(100)에 대응한다. 참조 번호(304)는 패키지의 칩 접착면(305)의 지지재이다. 참조 번호(301)는 고주파수 대역과 저주파수판과의 저잡음 증폭기의 레이아웃이고, 참조 번호(302)는 마찬가지로 2개의 대역의 수신 믹서의 레이아웃이다.
참조 번호(308)는 저주파수 대역 저잡음 증폭기의 출력 핀, 참조 번호(309)는 저주파수 대역 저잡음 증폭기의 접지 핀, 참조 번호(310)는 저주파수 대역 저잡음 증폭기의 입력 핀, 참조 번호(311, 313)는 고주파수 대역 저잡음 증폭기의 접지 핀, 참조 번호(312)는 고주파수 대역 저잡음 증폭기의 출력 핀, 참조 번호(314)는 고주파수 대역 저잡음 증폭기의 입력 핀, 참조 번호(323)는 송신 회로 블록 전원 핀, 참조 번호(324)는 송신 회로 블록 접지 핀이며, 도 1의 핀(101∼109, 및 129, 130)과 대응하고 있다. 또한 참조 번호(315, 316)는 저주파수 대역 수신 믹서 입 력 핀, 참조 번호(317)는 믹서 회로 접지 핀, 참조 번호(318)는 믹서 회로 전원 핀, 참조 번호(319, 320)는 믹서 회로 출력 핀, 참조 번호(321, 322)는 국부 발진 신호 입력 핀으로, 도 1의 핀(110∼117)에 대응하고 있다. 참조 번호(325)는 칩 상의 각 패드로부터 상기에 도시한 리드 핀에 붙인 본딩 와이어이다.
도 1에서 도시한 핀 배치를 실현하기 위해서는 도 3에 도시한 바와 같이 이하의 점이 긴요하다. 저잡음 증폭기의 패키지 외 핀 선단으로부터 패드까지의 거리가 최단이 되는 위치에 저잡음 증폭기의 회로를 설치한다. 또한 수신 믹서는 참조 번호(301 과 302)의 관계와 같이 저잡음 증폭기에 인접하여 배치한다. 또한, 제1 수신 믹서의 입력 핀, 그 옆에 제2 수신 믹서의 입력 핀, 그 옆에 제1 수신 믹서에 접속하는 저잡음 증폭기의 입출력 핀, 그 옆에 제2 수신 믹서에 접속하는 저잡음 증폭기의 입출력 핀이 배열되도록 하는 것이다.
본 발명은 첫째로 저잡음 증폭기의 패키지 외 핀 선단으로부터 패드까지의 거리가 최단이 되는 위치에 저잡음 증폭기의 회로를 설치함으로써 이득 및 잡음 특성이 향상되었다. 둘째로 2개의 저잡음 증폭기의 접지 핀과 고주파 신호 핀을 인접하지 않게 배치하여, 핀 사이에서의 트랜스포머 결합이 저감되었다. 셋째로, 수신 믹서와 저잡음 증폭기의 다층 실장 기판으로 신호 배선이 교차하지 않는 핀 레이아웃으로 배선 간의 트랜스포머 접합이 저감되었다. 넷째로, 저잡음 증폭기의 전원과 접지 핀, 바이어스 회로의 전원, 접지 핀을 나누어, 발진이 저감되었다.

Claims (12)

  1. 수신 신호가 입력되는 제1 주파수 대역 증폭기와, 상기 제1 주파수 대역 증폭기의 출력이 입력되는 제1 주파수 대역 수신 믹서를 1 칩 상에 포함하는 반도체 칩과,
    상기 제1 주파수 대역 증폭기의 접지 패드와 전기적으로 접속되며 패키지 밖으로 돌출하는 제1 리드 핀과,
    상기 제1 주파수 대역 수신 믹서의 입력에 접속되는 패드와 전기적으로 접속되며 패키지 밖으로 돌출하는 제2 리드 핀을 포함하고,
    상기 제1 리드 핀의 선단으로부터 상기 제1 주파수 대역 증폭기의 접지 패드까지의 거리가, 상기 제2 리드 핀의 선단으로부터 상기 제1 주파수 대역 수신 믹서의 입력에 접속되는 패드까지의 거리에 비해 짧은 것을 특징으로 하는,
    반도체 집적 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 주파수 대역 증폭기는 바이폴라 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 주파수 대역 증폭기의 접지 패드는 상기 바이폴라 트랜지스터의 에미터가 접속되는 패드인 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 주파수 대역 증폭기에 접속되는 바이어스 회로를 더 포함하고, 상기 제1 주파수 대역 증폭기의 접지 핀과 상기 바이어스 회로의 접지 핀이 각각 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 주파수 대역 증폭기는 바이폴라 트랜지스터를 지니고, 그 에미터가 접지 핀에 접속되고, 그 베이스가 입력 핀에 접속되며, 그 콜렉터가 출력 핀에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  5. 수신 신호가 입력되는 제1 주파수 대역 증폭기 및 제2 주파수 대역 증폭기와, 상기 제1 주파수 대역 증폭기 및 제2 주파수 대역 증폭기의 출력이 각각 입력되는 제1 주파수 대역 수신 믹서 및 제2 주파수 대역 수신 믹서를 1칩 상에 포함하는 반도체 칩과,
    상기 제1 주파수 대역 증폭기 또는 상기 제2 주파수 대역 증폭기의 접지 패드와 전기적으로 접속되며 패키지 밖으로 돌출하는 제1 리드 핀과,
    상기 제1 주파수 대역 수신 믹서 또는 상기 제2 주파수 수신 믹서의 입력에 접속되는 패드와 전기적으로 접속되며 패키지 밖으로 돌출하는 제2 리드 핀을 포함하고,
    상기 제1 리드 핀의 선단으로부터 상기 제1 주파수 대역 증폭기 또는 상기 제2 주파수 대역 증폭기의 접지 패드까지의 거리가, 상기 제2 리드 핀의 선단으로부터 상기 제1 주파수 대역 수신 믹서 또는 상기 제2 주파수 대역 수신 믹서의 입력에 접속되는 패드까지의 거리에 비해 짧은 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 주파수 대역 증폭기 및 상기 제2 주파수 대역 증폭기는 각각 바이폴라 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 주파수 대역 증폭기 또는 상기 제2 주파수 대역 증폭기의 접지 패드는 상기 바이폴라 트랜지스터들 중 어느 하나의 에미터가 접속되는 패드인 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제1 주파수 대역 증폭기에 접속되는 제1 바이어스 회로와, 상기 제2 주파수 대역 증폭기에 접속되는 제2 바이어스 회로를 더 포함하고,
    상기 제1 주파수 대역 증폭기의 접지 핀과 상기 제1 바이어스 회로의 접지 핀이 각각 설치되어 있고, 또한 상기 제2 주파수 대역 증폭기의 접지 핀과 상기 제2 바이어스 회로의 접지 핀이 각각 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 주파수 대역 증폭기는 바이폴라 트랜지스터를 지니고, 그 에미터가 접지 핀에 접속되고, 그 베이스가 입력 핀에 접속되며, 그 콜렉터가 출력 핀에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  9. 수신 신호가 입력되는 제1 주파수 대역 증폭기와, 상기 제1 주파수 대역 증폭기의 출력이 입력되는 제1 주파수 대역 수신 믹서와, 송신 회로 블록을 1칩 상에 포함하는 반도체 칩과,
    상기 제1 주파수 대역 증폭기의 접지 패드와 전기적으로 접속되며 패키지 밖으로 돌출하는 제1 리드 핀과,
    상기 송신 회로 블록에 전원 전압을 공급하기 위해서 설치된 패드와 전기적으로 접속되며 패키지 밖으로 돌출하는 제2 리드핀을 포함하고,
    상기 제1 리드 핀의 선단으로부터 상기 제1 주파수 대역 증폭기의 접지 패드까지의 거리가, 상기 제2 리드 핀의 선단으로부터 상기 송신 회로 블록에 전원 전압을 공급하기 위해서 설치된 패드까지의 거리에 비해 짧은 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1 주파수 대역 증폭기는 바이폴라 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 주파수 대역 증폭기의 접지 패드는 상기 바이폴라 트랜지스터의 에미터가 접속되는 패드인 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제1 주파수 대역 증폭기에 접속되는 바이어스 회로를 더 포함하고, 상기 제1 주파수 대역 증폭기의 접지 핀과 상기 바이어스 회로의 접지 핀이 각각 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 주파수 대역 증폭기는 바이폴라 트랜지스터를 포함하고, 그 에미터가 접지 핀에 접속되고, 그 베이스가 입력 핀에 접속되며, 그 에미터가 출력 핀에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
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