KR100885972B1 - 오버레이 오차를 측정하는 반도체 디바이스, 오버레이오차를 측정하는 방법, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 - Google Patents
오버레이 오차를 측정하는 반도체 디바이스, 오버레이오차를 측정하는 방법, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100885972B1 KR100885972B1 KR1020070091182A KR20070091182A KR100885972B1 KR 100885972 B1 KR100885972 B1 KR 100885972B1 KR 1020070091182 A KR1020070091182 A KR 1020070091182A KR 20070091182 A KR20070091182 A KR 20070091182A KR 100885972 B1 KR100885972 B1 KR 100885972B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mosfet
- gate
- overlay error
- device parameter
- transistor
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70653—Metrology techniques
- G03F7/70658—Electrical testing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (27)
- 반도체 기판 상의 오버레이 오차(overlay error)를 결정하는 반도체 디바이스에 있어서:제 1 MOSFET(transistor) 및 제 2 MOSFET를 포함하여 이루어지고,상기 제 1 MOSFET는 제 1 게이트(gate)와 연계된 제 1 및 제 2 확산 영역(diffusion region)을 포함하여 이루어지며,상기 제 2 MOSFET는 제 2 게이트와 연계된 제 3 및 제 4 확산 영역을 포함하여 이루어지고,상기 제 1 및 제 2 게이트는 상이한 게이트 길이를 가지며,상기 제 2 게이트는 상기 제 1 게이트의 방위에 대해, 상기 제 2 MOSFET의 디바이스 파라미터 상에서의 오버레이 오차의 영향이 상기 제 1 MOSFET의 디바이스 파라미터 상에서의 오버레이 오차의 영향과 비교하여 정반대의 부호(opposite sign)를 갖는 방식으로 방위되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 게이트는 제 1 게이트부 및 제 2 게이트부를 포함하여 이루어지고, 상기 제 1 게이트부 및 상기 제 2 게이트부는 제 1 방향으로 서로 평행하게 연장되며, 상기 제 1 게이트부의 게이트 길이는 상기 제 2 게이트부의 게이트 길이와 다르고,상기 제 2 MOSFET는 상기 제 1 방향에 수직인 제 2 방향으로 상기 제 1 MOSFET에 인접하여 배치되며,상기 제 2 게이트는 제 3 게이트부 및 제 4 게이트부를 포함하여 이루어지고, 상기 제 3 게이트부 및 상기 제 4 게이트부는 상기 제 1 방향으로 서로 평행하게 연장되며, 상기 제 3 게이트부의 게이트 길이는 상기 제 4 게이트부의 게이트 길이와 다른 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 2 게이트의 상기 제 3 게이트부 및 상기 제 4 게이트부의 구성은 상기 제 1 게이트의 상기 제 1 게이트부 및 상기 제 2 게이트부의 구성에 대해 미러링된 레이아웃(mirrored layout)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 제 1 게이트의 상기 제 1 게이트부는 상기 제 1 게이트의 상기 제 2 게이트부의 측벽(side wall)과 실질적으로 일직선인 측벽을 갖고, 상기 제 2 게이트의 상기 제 3 게이트부는 상기 제 2 게이트의 상기 제 4 게이트부의 측벽과 실질적으로 일직선인 측벽을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 MOSFET의 디바이스 파라미터의 제 1 값 및 상기 제 2 MOSFET의 디바이스 파라미터의 제 2 값을 결정하는 회로를 더 포함하여 이루어지는 반도체 디바이스.
- 제 5 항에 있어서,상기 디바이스 파라미터를 측정하는 회로는 상기 제 1 MOSFET의 디바이스 파라미터의 제 1 값과 상기 제 2 MOSFET의 디바이스 파라미터의 제 2 값 간의 디바이스 파라미터 차이를 결정하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 5 항에 있어서,상기 디바이스 파라미터는 온-전류(on-current), 오프-전류(off-current) 및 임계 전압을 포함하여 이루어지는 그룹으로부터의 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 MOSFET의 상기 제 1 게이트 및 상기 제 2 MOSFET의 상기 제 2 게이트는 연결되고, 공통 게이트 접촉부(common gate contact)를 공유하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 MOSFET들은, 복수의 2 이상의 MOSFET 요소들의 각각의 제 1 및 제 2 그룹을 포함하여 이루어지는 제 1 및 제 2 합성 MOSFET(composite transistor)로서 각각 배치되고, 상기 제 1 및 제 2 그룹에서의 상기 복수의 2 이상의 MOSFET 요소들은 상기 각각의 그룹 내의 상기 복수의 2 이상의 MOSFET 요소들을 연속하여 커플링하는 중간 확산 영역들을 갖는 각각 제 1, 제 2 확산 영역들과 제 3, 제 4 확산 영역들 사이에서 직렬 연결(series connection)로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 9 항에 있어서,상기 합성 MOSFET들의 게이트들은 서로 연결되고, 공통 게이트 접촉부를 공유하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 9 항에 있어서,상기 MOSFET 요소들의 제 1 그룹의 각각의 MOSFET 요소의 제 2 게이트부는 단일의 제 2 게이트부로 결합(join)되고, 이는 상기 제 1 및 제 2 확산 영역들 사이에서 연장되며,상기 MOSFET 요소들의 제 2 그룹의 각각의 MOSFET 요소의 제 3 게이트부는 단일의 제 3 게이트부로 결합되고, 이는 상기 제 3 및 제 4 확산 영역들 사이에서 연장되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,제 1 추가 MOSFET 및 제 2 추가 MOSFET를 더 포함하여 이루어지고,상기 제 1 추가 MOSFET는 제 1 추가 게이트와 연계된 제 1 추가 확산 영역 및 제 2 추가 확산 영역을 포함하여 이루어지며,상기 제 2 추가 MOSFET는 제 2 추가 게이트와 연계된 제 3 추가 확산 영역 및 제 4 추가 확산 영역을 포함하여 이루어지고,상기 제 1 및 제 2 추가 게이트는 상이한 게이트 길이를 가지며,상기 제 2 추가 게이트는 상기 제 1 추가 게이트의 방위에 대해, 상기 제 2 추가 MOSFET의 디바이스 파라미터 상에서의 오버레이 오차의 영향이 상기 제 1 추가 MOSFET의 디바이스 파라미터 상에서의 오버레이 오차의 영향과 비교하여 정반대의 부호를 갖는 방식으로 방위되고,상기 각각의 제 1 및 제 2 추가 MOSFET들은 상이한 길이를 갖는 게이트를 가지며,상기 제 1, 제 2, 제 1 추가 및 제 2 추가 MOSFET들은 각각의 MOSFET의 상이한 길이를 갖는 게이트들을 연결하는 공통 도체를 공유하고,상기 제 1 및 제 2 MOSFET들은 제 1 방향을 따라 정렬되며, 상기 제 1 및 제 2 추가 MOSFET들은 상기 제 1 방향에 수직인 제 2 방향을 따라 정렬되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 12 항에 있어서,상기 각각의 제 1, 제 2, 제 1 추가 및 제 2 추가 MOSFET들은 복수의 2 이상의 MOSFET 요소들의 각각의 제 1, 제 2, 제 1 추가 및 제 2 추가 그룹을 포함하여 이루어지는 제 1, 제 2, 제 1 추가 및 제 2 추가 합성 MOSFET로서 각각 배치되고, 상기 제 1, 제 2, 제 1 추가 및 제 2 추가 그룹에서의 상기 복수의 2 이상의 MOSFET 요소들은 상기 각각의 그룹 내의 상기 복수의 2 이상의 MOSFET 요소들을 연속하여 커플링하는 중간 확산 영역들을 갖는 각각의 합성 MOSFET의 2 개의 외측 확산 영역들 사이에서 직렬 연결로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,각각의 MOSFET는 수정된 MOSFET와 직렬로 배치되고, 상기 MOSFET와 상기 수정된 MOSFET 사이에 공통 확산 영역이 배치되며, 상기 수정된 MOSFET는 직렬로 배치된 상기 MOSFET에 대한 내부 디자인(designed-in) 오버레이 오차를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 14 항에 있어서,상기 MOSFET와 상기 수정된 MOSFET 사이의 상기 공통 확산 영역 상에 접촉부가 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 15 항에 있어서,각각의 MOSFET와 수정된 MOSFET 사이의 상기 공통 확산 영역 상의 상기 접촉부들은 서로 상호연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 반도체 기판 상의 오버레이 오차를 결정하는 반도체 디바이스를 제작하는 방법에 있어서:- 상기 반도체 기판 상에 제 1 MOSFET 및 제 2 MOSFET를 제공하는 단계;- 상기 제 1 MOSFET에 제 1 게이트와 연계된 제 1 및 제 2 확산 영역을 제공하는 단계; 및- 상기 제 2 MOSFET에 제 2 게이트와 연계된 제 3 및 제 4 확산 영역을 제공하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 방법은:- 상기 제 1 및 제 2 MOSFET를 각각 형성하는 상기 반도체 기판의 제 1 및 제 2 반도체 표면 영역을 형성하는 단계; 및- 상기 제 1 반도체 표면 영역 상에 상기 제 1 게이트를 생성하고, 상기 제 2 반도체 표면 영역 상에 상기 제 2 게이트를 생성하는 단계를 더 포함하여 이루어지며,상기 제 1 및 제 2 게이트는 상이한 게이트 길이를 갖고,상기 제 2 게이트는 상기 제 1 게이트의 방위에 대해, 상기 제 2 MOSFET의 디바이스 파라미터 상에서의 오버레이 오차의 영향이 상기 제 1 MOSFET의 디바이스 파라미터 상에서의 오버레이 오차의 영향과 비교하여 정반대의 부호를 갖는 방식으로 방위되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제작 방법.
- 반도체 기판 상의 리소그래피 패턴의 오버레이 오차를 측정하는 방법에 있어서:상기 리소그래피 패턴은 제 1 MOSFET 및 제 2 MOSFET를 포함하는 1 이상의 반도체 디바이스를 포함하여 이루어지고,상기 제 1 MOSFET는 제 1 게이트와 연계된 제 1 및 제 2 확산 영역을 포함하여 이루어지며,상기 제 2 MOSFET는 제 2 게이트와 연계된 제 3 및 제 4 확산 영역을 포함하여 이루어지고,상기 제 1 및 제 2 게이트는 상이한 게이트 길이를 가지며,상기 제 2 게이트는 상기 제 1 게이트의 방위에 대해, 상기 제 2 MOSFET의 디바이스 파라미터 상에서의 오버레이 오차의 영향이 상기 제 1 MOSFET의 디바이스 파라미터 상에서의 오버레이 오차의 영향과 비교하여 정반대의 부호를 갖는 방식으로 방위되고, 상기 방법은:- 상기 1 이상의 반도체 디바이스의 제 1 MOSFET의 디바이스 파라미터의 제 1 값을 결정하는 단계,- 상기 1 이상의 반도체 디바이스의 제 2 MOSFET의 디바이스 파라미터의 제 2 값을 결정하는 단계, 및- 상기 제 1 MOSFET의 디바이스 파라미터의 제 1 값과 상기 제 2 MOSFET의 디바이스 파라미터의 제 2 값 간의 디바이스 파라미터 차이를 결정하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 오버레이 오차 측정 방법.
- 삭제
- 삭제
- 리소그래피 장치에 있어서:방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템;패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 패터닝 디바이스 지지체;기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블;상기 기판 테이블의 위치를 결정하는 간섭계 디바이스; 및상기 기판의 타겟부 상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하여 이루어지고,상기 리소그래피 장치는 입력 포트(input port), 프로세서(processor), 메모리(memory) 및 출력 포트(output port)를 더 포함하여 이루어지며,상기 프로세서는 상기 입력 포트, 상기 메모리 및 상기 출력 포트에 연결되고, 상기 입력 포트를 통해 1 이상의 반도체 디바이스에 전기적으로 연결되도록 배치되며,상기 1 이상의 반도체 디바이스는 제 1 MOSFET 및 제 2 MOSFET를 포함하여 이루어지는 반도체 기판 상의 오버레이 오차를 결정하도록 배치되고,상기 제 1 MOSFET는 제 1 게이트와 연계된 제 1 및 제 2 확산 영역을 포함하여 이루어지며,상기 제 2 MOSFET는 제 2 게이트와 연계된 제 3 및 제 4 확산 영역을 포함하여 이루어지고,상기 제 1 및 제 2 게이트는 상이한 게이트 길이를 가지며,상기 제 2 게이트는 상기 제 1 게이트의 방위에 대해, 상기 제 2 MOSFET의 디바이스 파라미터 상에서의 오버레이 오차의 영향이 상기 제 1 MOSFET의 디바이스 파라미터 상에서의 오버레이 오차의 영향과 비교하여 정반대의 부호를 갖는 방식으로 방위되고, 상기 프로세서는:- 1 이상의 반도체 디바이스의 상기 제 1 MOSFET의 디바이스 파라미터의 제 1 값을 포함하여 이루어지는 제 1 신호를 수신하고;- 상기 1 이상의 반도체 디바이스의 상기 제 2 MOSFET의 디바이스 파라미터의 제 2 값을 포함하여 이루어지는 제 2 신호를 수신하며;- 상기 1 이상의 반도체 디바이스의 상기 제 1 MOSFET의 디바이스 파라미터의 제 1 값과 상기 제 2 MOSFET의 디바이스 파라미터의 제 2 값 간의 디바이스 파라미터 차이를 결정하고;- 상기 디바이스 파라미터 차이로부터 오버레이 오차 값을 결정하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 21 항에 있어서,상기 출력 포트는 상기 패터닝 디바이스 지지체 및 상기 기판 테이블 중 1 이상에 각각의 제어 신호를 제공하기 위해 상기 패터닝 디바이스 지지체 및 상기 기판 테이블 중 1 이상에 연결되고,상기 프로세서는 상기 패터닝 디바이스 지지체, 상기 기판 테이블 및 상기 간섭계 디바이스 중 1 이상에 오버레이 오차 보정 신호를 제공하도록 배치되며, 상기 오버레이 오차 보정 신호는 상기 결정된 오버레이 오차 값에 기초하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 컴퓨터에 의해 로딩(load)되기 위한 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 있어서:상기 컴퓨터는 프로세서, 메모리, 입력 포트 및 출력 포트를 포함하여 이루어지고, 상기 메모리는 상기 프로세서에 연결되고, 상기 입력 포트 및 상기 출력 포트는 각각 상기 프로세서에 연결되며, 상기 컴퓨터는 리소그래피 장치의 일부분이고, 상기 리소그래피 장치는 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템; 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 패터닝 디바이스 지지체; 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 상기 기판 테이블의 위치를 결정하는 간섭계 디바이스; 및 상기 기판의 타겟부 상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하여 이루어지며,상기 프로세서는 상기 입력 포트를 통해 1 이상의 반도체 디바이스에 전기적으로 연결되도록 배치되고,상기 1 이상의 반도체 디바이스는 제 1 MOSFET 및 제 2 MOSFET를 포함하여 이루어지는 반도체 기판 상의 오버레이 오차를 결정하도록 배치되며, 상기 제 1 MOSFET는 제 1 게이트와 연계된 제 1 및 제 2 확산 영역을 포함하여 이루어지고, 상기 제 2 MOSFET는 제 2 게이트와 연계된 제 3 및 제 4 확산 영역을 포함하여 이루어지며, 상기 제 1 및 제 2 게이트는 상이한 게이트 길이를 갖고, 상기 제 2 게이트는 상기 제 1 게이트의 방위에 대해, 상기 제 2 MOSFET의 디바이스 파라미터 상에서의 오버레이 오차의 영향이 상기 제 1 MOSFET의 디바이스 파라미터 상에서의 오버레이 오차의 영향과 비교하여 정반대의 부호를 갖는 방식으로 방위되며,로딩된 이후에 컴퓨터 프로그램물은 상기 프로세서로 하여금:- 1 이상의 반도체 디바이스의 상기 제 1 MOSFET의 디바이스 파라미터의 제 1 값을 포함하여 이루어지는 제 1 신호를 수신하는 단계;- 상기 1 이상의 반도체 디바이스의 상기 제 2 MOSFET의 디바이스 파라미터의 제 2 값을 포함한 제 2 신호를 수신하는 단계; 및- 상기 1 이상의 반도체 디바이스의 상기 제 1 MOSFET의 디바이스 파라미터의 제 1 값과 상기 제 2 MOSFET의 디바이스 파라미터의 제 2 값 간의 디바이스 파라미터 차이를 결정하는 단계를 수행하게 하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
- 제 23 항에 있어서,상기 컴퓨터 프로그램물은 상기 프로세서로 하여금:- 상기 디바이스 파라미터 차이로부터 오버레이 오차 값을 결정하는 단계를 더 수행하게 하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
- 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 리소그래피 패턴을 전사하는 단계를 포함하여 이루어지는 디바이스 제조 방법에 있어서,반도체 기판 상의 상기 리소그래피 패턴의 오버레이 오차를 측정하는 단계를 더 포함하여 이루어지고,상기 리소그래피 패턴은 제 1 MOSFET 및 제 2 MOSFET를 포함하여 이루어지는 1 이상의 반도체 디바이스의 일부분을 포함하여 이루어지며,상기 제 1 MOSFET는 제 1 게이트와 연계된 제 1 및 제 2 확산 영역을 포함하여 이루어지고,상기 제 2 MOSFET는 제 2 게이트와 연계된 제 3 및 제 4 확산 영역을 포함하여 이루어지며,상기 제 1 및 제 2 게이트는 상이한 게이트 길이를 갖고,상기 제 2 게이트는 상기 제 1 게이트의 방위에 대해, 상기 제 2 MOSFET의 디바이스 파라미터 상에서의 오버레이 오차의 영향이 상기 제 1 MOSFET의 디바이스 파라미터 상에서의 오버레이 오차의 영향과 비교하여 정반대의 부호를 갖는 방식으로 방위되며, 상기 방법은:- 상기 1 이상의 반도체 디바이스의 제 1 MOSFET의 디바이스 파라미터를 결정하는 단계;- 상기 1 이상의 반도체 디바이스의 제 2 MOSFET의 디바이스 파라미터를 결정하는 단계; 및- 상기 1 이상의 반도체 디바이스의 상기 제 1 MOSFET의 디바이스 파라미터의 제 1 값과 상기 제 2 MOSFET의 디바이스 파라미터의 제 2 값 간의 디바이스 파라미터 차이를 결정하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 마이크로전자 디바이스에 있어서:제 1 MOSFET 및 제 2 MOSFET를 포함하여 이루어지는 반도체 기판 상의 오버레이 오차를 결정하는 반도체 디바이스를 포함하여 이루어지고,상기 제 1 MOSFET는 제 1 게이트와 연계된 제 1 및 제 2 확산 영역을 포함하여 이루어지며,상기 제 2 MOSFET는 제 2 게이트와 연계된 제 3 및 제 4 확산 영역을 포함하여 이루어지고,상기 제 1 및 제 2 게이트는 상이한 게이트 길이를 가지며,상기 제 2 게이트는 상기 제 1 게이트의 방위에 대해, 상기 제 2 MOSFET의 디바이스 파라미터 상에서의 오버레이 오차의 영향이 상기 제 1 MOSFET의 디바이스 파라미터 상에서의 오버레이 오차의 영향과 비교하여 정반대의 부호를 갖는 방식으로 방위되는 것을 특징으로 하는 마이크로전자 디바이스.
- 제 26 항에 있어서,상기 마이크로전자 디바이스는 보정 기능을 수행하는 기능 블록들을 더 포함하여 이루어지고, 상기 반도체 디바이스는 상기 오버레이 오차에 기초하여 보정 값을 제공하도록 배치되며, 상기 보정 값은 상기 기능 블록들에 의해 사용되는 것을 특징으로 하는 마이크로전자 디바이스.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/517,571 US7704850B2 (en) | 2006-09-08 | 2006-09-08 | Semiconductor device for measuring an overlay error, method for measuring an overlay error, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US11/517,571 | 2006-09-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080023203A KR20080023203A (ko) | 2008-03-12 |
KR100885972B1 true KR100885972B1 (ko) | 2009-02-26 |
Family
ID=39168646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070091182A KR100885972B1 (ko) | 2006-09-08 | 2007-09-07 | 오버레이 오차를 측정하는 반도체 디바이스, 오버레이오차를 측정하는 방법, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7704850B2 (ko) |
JP (1) | JP4584967B2 (ko) |
KR (1) | KR100885972B1 (ko) |
CN (1) | CN101202268B (ko) |
TW (1) | TWI383433B (ko) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100892680B1 (ko) * | 2007-10-12 | 2009-04-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 테스트 회로 |
US8338192B2 (en) * | 2008-05-13 | 2012-12-25 | Stmicroelectronics, Inc. | High precision semiconductor chip and a method to construct the semiconductor chip |
US8502955B2 (en) * | 2008-12-30 | 2013-08-06 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining a characteristic |
CN102265220B (zh) * | 2008-12-30 | 2014-03-12 | Asml荷兰有限公司 | 确定特性的方法 |
KR102124204B1 (ko) * | 2013-08-07 | 2020-06-18 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 |
US9189705B2 (en) | 2013-08-08 | 2015-11-17 | JSMSW Technology LLC | Phase-controlled model-based overlay measurement systems and methods |
US9837324B2 (en) * | 2013-11-12 | 2017-12-05 | Skyworks Solutions, Inc. | Devices and methods related to radio-frequency switches having improved on-resistance performance |
US11901243B2 (en) * | 2013-11-12 | 2024-02-13 | Skyworks Solutions, Inc. | Methods related to radio-frequency switching devices having improved voltage handling capability |
CN106030411B (zh) * | 2014-02-17 | 2018-02-06 | Asml荷兰有限公司 | 确定边缘定位误差的方法、检测设备、图案形成装置、衬底及器件制造方法 |
US9985022B2 (en) * | 2016-10-05 | 2018-05-29 | Semiconductor Components Industries, Llc | Electronic device including a cascode circuit having principal drive and bypass transistors |
CN115943489A (zh) * | 2020-03-19 | 2023-04-07 | 隔热半导体粘合技术公司 | 用于直接键合结构的尺寸补偿控制 |
TWI787795B (zh) * | 2021-04-27 | 2022-12-21 | 普思半導體股份有限公司 | 半導體製程的圖案檢測方法及圖案檢測系統 |
TWI809959B (zh) * | 2022-06-30 | 2023-07-21 | 南亞科技股份有限公司 | 偏移量測設備及其操作方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020096474A (ko) * | 2001-06-20 | 2002-12-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 오버레이 측정이 가능한 노광 장치와 이에 적합한오버레이 측정 키 및 이들을 이용한 오버레이 측정방법 |
KR20030000990A (ko) * | 2001-06-28 | 2003-01-06 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 기판의 오버레이 측정방법 |
KR20040099928A (ko) * | 2003-05-20 | 2004-12-02 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 측정 방법 |
KR20060061501A (ko) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 측정 시스템 및 오버레이 측정방법 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61224429A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Toshiba Corp | 半導体装置の合せずれ検出装置 |
JP3453793B2 (ja) * | 1993-07-12 | 2003-10-06 | 住友金属工業株式会社 | 半導体装置及びこれを用いたアライメント検査方法 |
US5567553A (en) | 1994-07-12 | 1996-10-22 | International Business Machines Corporation | Method to suppress subthreshold leakage due to sharp isolation corners in submicron FET structures |
JP3634032B2 (ja) * | 1995-12-07 | 2005-03-30 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び露光方法 |
JPH09251945A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Sony Corp | 重ね合わせ精度管理用パターンおよびこれを用いた重ね合わせ精度管理方法 |
JPH1062809A (ja) * | 1996-08-13 | 1998-03-06 | Nikon Corp | 投影露光方法 |
US6316808B1 (en) * | 1998-08-07 | 2001-11-13 | International Business Machines Corporation | T-Gate transistor with improved SOI body contact structure |
JP3769393B2 (ja) * | 1998-09-21 | 2006-04-26 | 富士写真フイルム株式会社 | ハロゲン化銀写真感光材料 |
TW502309B (en) * | 2001-07-19 | 2002-09-11 | Taiwan Semiconductor Mfg | Photolithography method and device capable of increasing the overlay accuracy |
JP3818903B2 (ja) * | 2001-12-06 | 2006-09-06 | 株式会社リコー | 半導体装置のアライメント誤差の測定用素子 |
JP3994131B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2007-10-17 | 旭精工株式会社 | コインの払出装置 |
US6747310B2 (en) | 2002-10-07 | 2004-06-08 | Actrans System Inc. | Flash memory cells with separated self-aligned select and erase gates, and process of fabrication |
JP4641717B2 (ja) * | 2002-12-16 | 2011-03-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の評価方法及び素子基板 |
JP4174399B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2008-10-29 | 株式会社東芝 | 検査システム,検査方法,及び電子装置の製造方法 |
US20050127441A1 (en) * | 2003-12-11 | 2005-06-16 | International Business Machines Corporation | Body contact layout for semiconductor-on-insulator devices |
US7379184B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-05-27 | Nanometrics Incorporated | Overlay measurement target |
-
2006
- 2006-09-08 US US11/517,571 patent/US7704850B2/en active Active
-
2007
- 2007-07-19 US US11/826,894 patent/US7786477B2/en active Active
- 2007-08-30 TW TW096132261A patent/TWI383433B/zh active
- 2007-09-04 JP JP2007228801A patent/JP4584967B2/ja active Active
- 2007-09-07 KR KR1020070091182A patent/KR100885972B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-07 CN CN2007101488864A patent/CN101202268B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020096474A (ko) * | 2001-06-20 | 2002-12-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 오버레이 측정이 가능한 노광 장치와 이에 적합한오버레이 측정 키 및 이들을 이용한 오버레이 측정방법 |
KR20030000990A (ko) * | 2001-06-28 | 2003-01-06 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 기판의 오버레이 측정방법 |
KR20040099928A (ko) * | 2003-05-20 | 2004-12-02 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 측정 방법 |
KR20060061501A (ko) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 측정 시스템 및 오버레이 측정방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI383433B (zh) | 2013-01-21 |
US7786477B2 (en) | 2010-08-31 |
KR20080023203A (ko) | 2008-03-12 |
US20080061291A1 (en) | 2008-03-13 |
US7704850B2 (en) | 2010-04-27 |
JP2008066728A (ja) | 2008-03-21 |
JP4584967B2 (ja) | 2010-11-24 |
CN101202268A (zh) | 2008-06-18 |
TW200832507A (en) | 2008-08-01 |
CN101202268B (zh) | 2012-03-21 |
US20080149925A1 (en) | 2008-06-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100885972B1 (ko) | 오버레이 오차를 측정하는 반도체 디바이스, 오버레이오차를 측정하는 방법, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
US7532305B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method using overlay measurement | |
US7359029B2 (en) | Lithographic apparatus and method of reducing thermal distortion | |
JP4951033B2 (ja) | プロセス補償方法及びシステム並びにコンピュータプログラム | |
KR100697298B1 (ko) | 정렬 방법 및 장치, 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법,및 정렬 툴 | |
US8451454B2 (en) | Stage system, lithographic apparatus including such stage system, and correction method | |
US7298455B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
KR20070109871A (ko) | 변위 측정 시스템, 리소그래피 장치, 변위 측정 방법 및디바이스 제조 방법 | |
US8029953B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method with double exposure overlay control | |
TWI426354B (zh) | 微影裝置及元件製造方法 | |
KR100803267B1 (ko) | 포커스 결정 방법, 디바이스 제조 방법, 및 마스크 | |
KR20090052284A (ko) | 리소그래피 투영 장치의 포커스를 측정하는 방법 | |
WO2019115391A1 (en) | Voltage contrast metrology mark | |
KR101710024B1 (ko) | 기판 위치설정 시스템, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
KR102059034B1 (ko) | 기판에 마크 패턴을 전사하는 방법, 캘리브레이션 방법 및 리소그래피 장치 | |
US20130070226A1 (en) | Marker structure and method of forming the same | |
JP2009152558A (ja) | リソグラフィ方法 | |
NL1036232A1 (nl) | Lithographic apparatus with adjusted exposure slit shape enabling reduction of focus errors due to substrate topology and device manufacturing method. | |
US7508220B2 (en) | Detection assembly and lithographic projection apparatus provided with such a detection assembly |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130208 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140207 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150217 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160212 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170210 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180209 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190212 Year of fee payment: 11 |