KR100857519B1

KR100857519B1 - 전기 광학 장치의 제조 방법 및 전기 광학 장치

Info

Publication number: KR100857519B1
Application number: KR1020070053834A
Authority: KR
Inventors: 요이치 노다
Original assignee: 세이코 엡슨 가부시키가이샤
Priority date: 2006-06-08
Filing date: 2007-06-01
Publication date: 2008-09-08
Also published as: TW200809359A; JP2007328141A; CN100573289C; KR20070117458A; CN101086591A; JP4325643B2; US20070291574A1

Abstract

표시하는 색마다 층 두께가 상이한 투명 전극을 용이하게 형성할 수 있는 전기 광학 장치의 제조 방법 및 전기 광학 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.

대향 기판(12) 위에, 화소 영역을 구획하는 격벽(41)을 형성하는 격벽 형성 공정과, 격벽(41)에 의해 구획된 영역에 각각 대향 전극 형성 재료액(51)을 도포하여 대향 전극(43)을 형성하는 대향 전극 형성 공정을 구비하고, 상기 대향 전극 형성 공정에서, 대향 전극(43)의 층 두께를, 대응하여 설치되는 착색층(42R, 42G, 42B)을 투과하는 광의 파장대역에 따라 설정한다.

착색층, 컬러 필터층, 배향막, 대향 전극, 격벽

Description

전기 광학 장치의 제조 방법 및 전기 광학 장치{METHOD OF MANUFACTURING ELECTRO-OPTICAL APPARATUS AND ELECTRO-OPTICAL APPARATUS}

도 1은 본 발명의 일 실시예에서의 액정 장치를 나타내는 평면도.

도 2는 도 1의 A-A선 단면도.

도 3은 도 2의 부분 확대도.

도 4는 도 1의 등가 회로도.

도 5는 일 실시예에서의 액정 장치의 제조 공정을 나타내는 단면도.

도 6은 동일하게, 액정 장치의 제조 공정을 나타내는 단면도.

도 7은 도 1의 노광 헤드를 구비하는 광 프린터를 나타내는 사시도.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1 : 액정 장치 11 : TFT 기판(다른 기판)

12 : 대향 기판(기판) 14 : 액정층(전기 광학층)

21, 21R, 21G, 21B : 화소 전극(제 2 전극)

25 : 격벽(다른 격벽) 41 : 격벽

42 : 컬러 필터층 42R, 42G, 42B : 착색층

43, 43R, 43G, 43B : 대향 전극(제 1 전극)

26, 44 : 배향막

51 : 대향 전극 형성 재료액(전극 형성 재료액)

52 : 화소 전극 형성 재료액(다른 전극 형성 재료액)

본 발명은 예를 들어 액정 장치 등의 전기 광학 장치의 제조 방법 및 전기 광학 장치에 관한 것이다.

종래부터, 노트형 퍼스널 컴퓨터나 휴대 전화기, 전자 수첩 등의 전자 기기에서, 화상 정보를 표시하는 수단으로서 액정 장치가 널리 이용되고 있다. 이와 같은 액정 장치에는 컬러 표시를 행하기 위해서 컬러 필터 기판(대향 기판)이 일체로 구성되어 있다. 이 컬러 필터 기판은 예를 들어 투명 유리 등으로 이루어지는 기재(基材) 위에 소정의 패턴으로 화소에 대응하여 배열된 R(적색), G(녹색), B(청색)의 3색의 착색층을 갖고 있고, 액정층을 구동하는 투명 전극이나 액정층을 구성하는 액정 분자의 배향을 행하는 배향막이 착색층의 상면(上面)에 형성되어 있다.

이와 같은 컬러 필터 기판에서는 투명 전극에 광이 입사하면, 투명 전극의 입사면과 출사면에서 반사가 생긴다. 그리고, 입사광과 출사면 및 입사면에서 반사한 반사광의 사이에서 간섭이 발생한다. 여기에서, 3색 착색층의 각각의 상면에 형성된 투명 전극의 층 두께가 동일하게 되어 있기 때문에, 투명 전극에 입사한 광 중 적색광 성분, 녹색광 성분 및 청색광 성분의 투과율이 각각 상이하게 된다. 따라서, 표시하는 색광 성분에 의해 휘도의 불균일이 생기게 된다.

그래서, 투명 전극의 층 두께를 대응하여 설치되어 있는 착색층에서 표시되는 색광 성분에 따라 변경된 액정 장치가 제안되어 있다(예를 들어 특허문헌 1 참조).

이 액정 장치에서는 투명 전극의 층 두께를 층 내에서의 투과광과 반사광이 간섭하여 서로 강화하는 값으로 하고 있다. 이와 같이 화소에서 표시하는 색마다 투명 전극의 층 두께를 조정함으로써, 각 화소에서 표시하는 색광 성분에 의한 휘도의 불균일이 억제 가능하게 되어 있다.

[특허문헌 1] 일본국 공개특허평 7-56180호 공보

그러나, 상기 종래의 액정 장치에서도 이하의 과제가 남겨져 있다. 즉, 상기 종래의 액정 장치에서는 3색의 색마다 상이한 층 두께의 투명 전극을 형성할 때, 예를 들어 투명 전극 재료의 성막, 에칭을 반복하는 것이 행해진다. 따라서, 색마다에도 투명 전극의 층 두께를 동일하게 하는 것과 비교하여, 투명 전극의 형성 공정이 복잡화된다는 문제가 있다. 여기서, 최근에는 더 높은 색 재현성을 얻기 위해서 상술한 R, G, B의 3색 이외에 C(청록색)를 추가한 4색에 의해 표시를 행하는 경우가 있다. 이 경우에는 색마다 상이한 층 두께의 투명 전극을 형성하는 공정이 보다 복잡화된다는 문제가 있다.

본 발명은 상기 종래의 문제를 감안하여 이루어진 것으로서, 표시하는 색마다 층 두께가 상이한 투명 전극을 용이하게 형성할 수 있는 전기 광학 장치의 제조 방법 및 전기 광학 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서 이하의 구성을 채용하였다. 즉, 본 발명에 따른 전기 광학 장치의 제조 방법은, 제 1 및 제 2 전극 사이에 전기 광학층을 개재시키고, 평면 형상으로 배치된 복수의 화소에 대응하여 설치된 복수의 착색층을 갖는 컬러 필터층을 구비하는 전기 광학 장치의 제조 방법에 있어서, 기판 위에, 상기 기판 표면을 상기 화소와 대응하여 구획하는 격벽을 형성하는 격벽 형성 공정과, 상기 격벽에 의해 구획된 영역에, 각각 전극 형성 재료액을 도포하는 상기 제 1 전극을 형성하는 제 1 전극 형성 공정을 구비하고, 상기 제 1 전극 형성 공정에서, 상기 제 1 전극의 층 두께를, 대응하여 설치된 상기 착색층의 색광 성분에 따라 설정하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 따른 전기 광학 장치는, 제 1 및 제 2 전극 사이에 전기 광학층을 개재시키고, 평면 형상으로 배치된 복수의 화소에 따라 설치된 복수의 착색층을 갖는 컬러 필터층을 구비하는 전기 광학 장치에 있어서, 기판 위에 형성되어 상기 기판 표면을 구획하는 격벽을 갖고, 상기 제 1 전극의 층 두께가, 대응하여 설치된 상기 착색층의 투과광의 파장대역에 따라 설정되어 있는 것을 특징으로 한다.

본 발명에서는 격벽에 의해 구획된 영역 내로의 전극 형성 재료액의 도포량을 변경함으로써, 제 1 전극의 층 두께를 용이하게 조정할 수 있다. 따라서, 표시하는 색마다 층 두께가 상이한 제 1 전극을 용이하게 형성할 수 있다.

즉, 기판 위에 격벽을 형성하여 화소 영역을 구획한 후, 각 화소 영역에 전 극 형성 재료액을 도포하여 이것을 건조시킴으로써 석출된 전극 형성 재료에 의해 제 1 전극을 형성한다. 여기에서, 제 1 전극의 층 두께를 각각 대응하여 설치된 착색층의 투과광의 파장대역에 따른 값으로 함으로써, 착색층을 투과하는 파장대의 광에 대하여 제 1 전극 내에서의 광 손실을 억제할 수 있다. 예를 들어 제 1 전극에 입사한 광 중 착색층을 투과하는 파장대의 광에 대하여, 제 1 전극 내에서 제 1 전극의 입사면으로부터 출사면을 향하는 투과광과 출사면 및 입사면에서 반사하여 출사면을 향하는 반사광이 서로 강화하도록 각 제 1 전극의 층 두께를 설정함으로써, 착색층을 투과하는 파장대의 광에 대한 제 1 전극의 광 손실이 저감된다. 이것에 의해, 화소마다의 휘도의 불균일을 억제할 수 있다.

이상으로부터, 전극 형성 재료액의 도포량을 변경함으로써 용이하게 제 1 전극의 층 두께를 조정하고, 화소마다의 휘도의 불균일을 억제한 전기 광학 장치를 용이하게 제조할 수 있다.

또한, 본 발명의 전기 광학 장치의 제조 방법은, 상기 격벽이 도전성을 갖고 있고, 상기 격벽을 통하여 상기 제 1 전극을 서로 도통(導通)시키는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 전기 광학 장치는, 상기 격벽이 도전성을 갖고 있고, 상기 제 1 전극이 상기 격벽을 통하여 서로 도통하고 있는 것이 바람직하다.

본 발명에서는 제 1 전극이 격벽을 통하여 서로 도통함으로써, 각 제 1 전극이 동전위(同電位)로 되고, 제 1 전극의 전압 제어가 용이해진다.

또한, 본 발명의 전기 광학 장치의 제조 방법은 상기 제 1 전극 형성 공정에 서, 상기 전극 형성 재료액을 액적 토출법에 의해 도포하는 것이 바람직하다.

본 발명에서는 액적 토출법에 의해 제 1 전극을 선택적으로 형성할 수 있다. 이것에 의해, 전극 형성 재료액의 낭비를 억제할 수 있어, 저비용화가 도모된다.

또한, 본 발명의 전기 광학 장치의 제조 방법은, 다른 기판 위에, 상기 다른 기판 표면을 상기 화소와 대응하여 구획하는 다른 격벽을 형성하는 다른 격벽 형성 공정과, 상기 다른 격벽에 의해 구획된 영역에 각각 다른 전극 형성 재료액을 도포, 건조시켜 상기 제 2 전극을 형성하는 제 2 전극 형성 공정을 구비하고, 상기 제 2 전극 형성 공정에서, 상기 제 2 전극의 층 두께를, 대응하여 설치되는 상기 착색층의 색광 성분에 따라 설정하는 것이 바람직하다.

본 발명에서는 상술한 바와 마찬가지로, 다른 격벽에 의해 구획된 영역 내로의 다른 전극 형성 재료액의 도포량을 변경함으로써, 제 2 전극의 층 두께를 용이하게 조정할 수 있다. 따라서, 이것에 의해, 화소마다의 휘도의 불균일을 더 억제한 전기 광학 장치를 용이하게 제조할 수 있다.

또한, 본 발명의 전기 광학 장치의 제조 방법은 상기 제 2 전극 형성 공정에서, 상기 다른 전극 형성 재료액을 액적 토출법에 의해 도포하는 것이 바람직하다.

본 발명에서는 상술한 바와 마찬가지로, 액적 토출법에 의해 제 2 전극을 선택적으로 형성할 수 있다. 이것에 의해, 다른 전극 형성 재료액의 낭비를 억제할 수 있어 저비용화가 도모된다.

또한, 본 발명의 전기 광학 장치의 제조 방법은, 상기 제 1 전극 형성 공정 전에, 상기 격벽에 의해 구획된 영역에 각각 상기 착색층을 형성하는 컬러 필터층 형성 공정을 구비하는 것으로 할 수도 있다.

본 발명에서는 착색층, 제 1 전극의 순서로 기판 위에 적층하고, 최상면의 제 1 전극과 제 2 전극에서 개재된 전기 광학층에 전압을 인가하여 화상의 표시를 행한다.

또한, 본 발명의 전기 광학 장치의 제조 방법은, 상기 컬러 필터층 형성 공정이 상기 착색층에 인접하여 절연층을 형성하는 절연층 형성 공정을 갖고, 상기 절연층 형성 공정에서, 상기 절연층의 층 두께를, 대응하여 설치되는 상기 착색층의 투과광의 파장대역에 따라 설정하는 것이 바람직하다.

본 발명에서는 착색층에 절연층을 설치함으로써, 각 착색층의 층 두께가 상이해도 착색층에 인접하여 절연층을 형성함으로써, 착색층 및 절연층 전체의 층 두께를 각 화소 영역에서 균일화할 수 있다. 여기에서, 절연층의 층 두께를 착색층의 투과광의 파장대역에 따라 설정함으로써, 상술한 바와 마찬가지로, 화소마다의 휘도 저하나 색의 불균일을 더 억제할 수 있다.

또한, 본 발명의 전기 광학 장치의 제조 방법은, 상기 전기 광학층이, 액정층을 구성하고, 상기 제 1 전극의 상면에 배향막을 형성하는 배향막 형성 공정을 갖고, 상기 배향막 형성 공정에서, 상기 배향막의 막 두께를, 대응하여 설치되는 상기 착색층의 투과광의 파장대역에 따라 설정하는 것으로 할 수도 있다.

본 발명에서는 액정 장치를 구성하는 액정층의 액정 분자의 배향을 제어하는 배향막의 막 두께를 착색층의 투과광의 파장대역에 따라 설정함으로써, 상술한 바와 마찬가지로, 화소마다의 휘도 불균일을 더 억제할 수 있다.

이하, 본 발명에 의한 전기 광학 장치의 제조 방법 및 전기 광학 장치의 일 실시예를, 도면에 기초하여 설명한다. 여기에서, 도 1은 액정 장치의 평면도, 도 2는 도 1의 A-A선 단면도, 도 3은 도 2의 부분 확대도, 도 4는 액정 장치의 등가 회로도이다. 또한, 이하의 설명에 사용하는 각 도면에서는 각 부재를 인식할 수 있는 크기로 하기 위해서, 각 부재의 축척을 적당하게 변경하고 있다.

본 실시예에서의 액정 장치(전기 광학 장치)(1)는 TFT(Thin Film Transistor: 박막트랜지스터)를 화소 스위칭 소자로서 사용한 TFT 방식 액티브 매트릭스형 액정 장치이다. 그리고, 액정 장치(1)는 도 1 내지 도 4에 나타낸 바와 같이, 액정 패널(2)과, 액정 패널(2)의 외면에 각각 배치된 편광판(도시 생략)을 구비하고 있다.

액정 패널(2)은 도 1 내지 도 3에 나타낸 바와 같이, TFT 기판(다른 기판)(11)과, TFT 기판(11)과 대향 배치된 대향 기판(기판)(12)과, TFT 기판(11) 및 대향 기판(12)을 점착하는 밀봉재(13)와, TFT 기판(11) 및 대향 기판(12)에 의해 형성된 셀 갭 내에 봉입된 액정층(전기 광학층)(14)을 구비하고 있다. 그리고, 액정 패널(2)은 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, TFT 기판(11)과 대향 기판(12)이 중첩되는 동시에 밀봉재(13)의 내측에 형성된 주변 차광막(15)을 갖고 있고, 이 주변 차광막(15)에 의해 밀봉 영역의 내측이 화상 표시 영역(16)으로 되어 있다. 또한, 도 1에서는 대향 기판(12)의 도시를 생략하고 있다.

TFT 기판(11)은 도 1 내지 도 3에 나타낸 바와 같이, 평면에서 보아 직사각형 형상을 갖고 있고, 예를 들어 유리나 석영, 플라스틱 등의 투광성 재료에 의해 구성되어 있다. 그리고, TFT 기판(11) 중 화상 표시 영역(16)과 중첩되는 영역에는 도 2 내지 도 4에 나타낸 바와 같이, 화소 전극(21)이나 TFT 소자(22), 복수의 데이터선(23) 및 주사선(24)이 형성되어 있다. 또한, TFT 기판(11)의 내측 표면에는 격벽(25)이 형성되어 있다. 또한, TFT 기판(11)의 내측 표면에는 배향막(26)이 형성되어 있다.

화소 전극(21)은 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide: 산화인듐주석) 등의 투광성 도전 재료에 의해 구성되어 있고, 화소 전극 형성 재료(전극 형성 재료)인 ITO의 미립자를 분산시킨 후술하는 화소 전극 형성 재료액(52)을 적하, 건조시킴으로써 형성되어 있다. 또한, 화소 전극(21)은 평면 형상으로 복수 배치된 화소 영역의 각각에 설치되어 있다. 그리고, 화소 전극(21)은 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 대향 기판(12)에 설치된 후술하는 대향 전극(제 1 전극)(43)과 액정층(14)을 통하여 대향 배치되어 있고, 대향 전극(43) 사이에 액정층(14)을 삽입한다.

또한, 화소 전극(21)의 층 두께는 도 3에 나타낸 바와 같이, 후술하는 컬러 필터층(42)의 착색층(42R, 42G, 42B)을 투과하는 투과광의 파장대역에 따라 설정되어 있다. 즉, 화소 전극(21) 중, 적색광을 투과시키는 후술하는 착색층(42R)과 대응하여 설치된 화소 전극(21R)의 층 두께와, 녹색광을 투과시키는 후술하는 착색층(42G)과 대응하여 설치된 화소 전극(21G)의 층 두께와, 청색광을 투과시키는 후술하는 착색층(42B)과 대응하여 설치된 화소 전극(21B)의 층 두께가 상이하다.

여기서, 화소 전극(21R)은 적색광에 대한 투과율이 최대로 되는 층 두께로 되어 있고, 화소 전극(21G)은 녹색광에 대한 투과율이 최대로 되는 층 두께로 되어 있고, 화소 전극(21B)은 청색광에 대한 투과율이 최대로 되는 층 두께로 되어 있다. 예를 들어 본 실시예에서는 적색광의 파장을 630㎚, 녹색광의 파장을 550㎚, 청색광의 파장을 465㎚, 화소 전극(21)을 구성하는 ITO의 굴절률을 1.8로 하였을 때, 화소 전극(21R)의 층 두께가 175㎚, 화소 전극(21G)의 층 두께가 154㎚, 화소 전극(21B)의 층 두께가 129㎚로 되어 있다.

각 화소 전극(21R, 21G, 21B)의 층 두께를 상술한 바와 같이 설정함으로써, 예를 들어 화소 전극(21R)에서는 화소 전극(21R)에 입사한 광 중 착색층(42R)을 투과하는 광인 적색광 성분에 대하여, 화소 전극(21R) 내에서 화소 전극(21R)의 입사면으로부터 출사면을 향하는 투과광과 출사면 및 입사면에서 반사하여 출사면을 향하는 반사광이 서로 강화하게 된다. 이것에 의해, 화소 전극(21R)의 적색광 성분에 대한 입사광과 출사광의 강도비인 광 손실이 저감된다.

TFT 소자(22)는 예를 들어 n형 트랜지스터에 의해 구성되어 있고, 데이터선(23)과 주사선(24)의 교점에 각각 설치되어 있다. 또한, TFT 기판(11)의 상면에 비정질 폴리실리콘막 또는 비정질 폴리실리콘막을 결정화시킨 폴리실리콘막을 부분적으로 형성하고, 이것에 대하여 부분적인 불순물의 도입이나 활성화를 행함으로써 형성되어 있다. 그리고, TFT 소자(22)는 소스 전극이 데이터선(23)에 접속되고, 게이트 전극이 주사선(24)에 접속되고, 드레인 전극이 화소 전극(21)에 접속되어 있다. 또한, 화소 전극(21)에 기입된 화상 신호의 누설을 방지하기 위해서, 화소 전극(21)과 용량선(27) 사이에 유지 용량(28)이 접속되어 있다.

또한, TFT 기판(11)의 내측 표면에는 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 평 면에서 보아 TFT 소자(22)나 데이터선(23), 주사선(24)과 중첩되는 동시에 화소 전극(21)의 주위를 감싸도록 TFT 기판(11)의 표면을 구획하는 격벽(25)이 형성되어 있다.

격벽(25)은 평면에서 보아 TFT 소자(22)나 데이터선(23), 주사선(24)과 중첩되는 동시에 화소 전극(21)의 주위를 감싸고 TFT 기판(11)의 표면을 구획하도록 형성되어 있다. 그리고, 격벽(25)은 예를 들어 아크릴이나 폴리이미드, 에폭시 등과 같은 유기 재료에 의해 구성되어 있고, 절연성을 갖고 있다.

데이터선(23)은 도 4에 나타낸 바와 같이, 예를 들어 알루미늄 등의 금속에 의해 구성된 배선으로서, 도 4에 나타내는 Y방향으로 연장되도록 형성되어 있다. 또한, 주사선(24)은 데이터선(23)과 마찬가지로, 도 4에 나타내는 X방향으로 연장되도록 형성되어 있다. 그리고, 이들 데이터선(23) 및 주사선(24)에 의해, 화소가 구획된다.

또한, TFT 기판(11)에는 도 1에 나타낸 바와 같이, 한 변 단부(도 1에 나타내는 하변)에 대향 기판(12)으로부터 외측으로 돌출하는 돌출 영역이 형성되어 있다.

또한, TFT 기판(11) 위에는 상기 한 변을 따라 데이터선 구동 회로(31)가 설치되어 있고, 상기 한 변과 인접하는 2변을 따라 주사선 구동 회로(32, 33)가 설치되어 있다. 그리고, TFT 기판(11)의 상기 돌출 영역에는 데이터선 구동 회로(31) 및 주사선 구동 회로(32, 33)의 단자 그룹인 단자부(34)가 설치되어 있다. 이들 데이터선 구동 회로(31), 주사선 구동 회로(32, 33) 및 단자부(34)는 배선(35)에 의해 적당하게 접속되어 있다.

데이터선 구동 회로(31)는, 공급된 신호에 기초하여, 복수의 데이터선(23)에, 도 4에 나타낸 바와 같은 화상 신호(S1, S2, …)를 공급하는 구성으로 되어 있다. 여기에서, 데이터선 구동 회로(31)에 의해 데이터선(23)에 기입되는 화상 신호는 선(線)순차로 공급하여도 서로 인접하는 복수의 데이터선(23)끼리에 대하여 그룹마다 공급할 수도 있다.

또한, 주사선 구동 회로(32, 33)는, 공급된 신호에 기초하여, 복수의 주사선(24)에, 도 4에 나타낸 바와 같은 주사 신호(G1, G2, …)를 소정의 타이밍으로 펄스적으로 공급하는 구성으로 되어 있다. 여기에서, 주사선 구동 회로(32, 33)에 의해 주사선(24)에 전송되는 주사 신호는 선순차로 공급된다.

배향막(26)은 화소 전극(21) 및 격벽(25)의 표면에 설치되어 있고, 예를 들어 폴리이미드막 등의 투광성 유기 재료에 의해 구성된 막에 러빙(rubbing) 처리 등의 소정의 배향 처리를 실시함으로써 형성되어 있다.

대향 기판(12)은 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, TFT 기판(11)과 마찬가지로 평면에서 보아 직사각형 형상을 갖고 있고, 예를 들어 유리나 석영, 플라스틱 등의 투광성 재료에 의해 구성되어 있다. 그리고, 대향 기판(12) 중 액정층(14) 측의 표면에는 격벽(41)과 컬러 필터층(42)과 대향 전극(43)이 형성되어 있다. 또한, 대향 기판(12)의 표면에는 배향막(44)이 형성되어 있다.

격벽(41)은 격벽(25)과 마찬가지로, 평면에서 보아 TFT 소자(22)나 데이터선(23), 주사선(24)과 중첩되는 동시에 대향 전극(43)을 감싸고 대향 기판(12)의 표 면을 구획하도록 형성되어 있다. 그리고, 격벽(41)은 예를 들어 감광성을 갖는 동시에 내부에 카본 미립자를 분산시킨 아크릴이나 폴리이미드, 에폭시 등의 감광성 유기 재료에 의해 구성되어 있고, 카본 미립자를 분산시킴으로써 도전성을 갖고 있다. 여기에서, 격벽(41)의 도전율은 대향 전극(43)과 동등하게 되어 있다. 따라서, 격벽(41)을 통하여 인접하는 대향 전극(43) 사이의 도통이 충분히 확보되고, 각 대향 전극(43)의 전위를 공통으로 할 수 있다. 또한, 감광성 수지 재료 중에 카본 미립자를 분산시킴으로써 격벽(41)이 도전성을 갖고 있지만, 카본 미립자에 한정되지 않고, 다른 도전성 미립자를 분산시킬 수도 있다.

컬러 필터층(42)은 대향 기판(12)의 표면에 형성되어 있고, 적색광을 투과시키는 착색층(42R), 녹색광을 투과시키는 착색층(42G) 및 청색광을 투과시키는 착색층(42B)에 의해 구성되어 있다. 이 착색층(42R, 42G, 42B)은 예를 들어 감광성 수지 재료에 의해 구성되어 있고, 격벽(41)에 의해 구획된 영역 내에 형성되어 있다. 여기에서, 착색층(42R, 42G, 42B)의 투과광의 중심 파장은 각각 630㎚, 550㎚, 465㎚로 되어 있다.

대향 전극(43)은 화소 전극(21)과 마찬가지로 ITO 등의 투광성 도전 재료에 의해 구성되어 있다. 또한, 대향 전극(43)은 화소 전극(21)과 마찬가지로, 화소 영역에 따라 설치되어 있다. 그리고, 대향 전극(43)의 층 두께는 착색층(42R, 42G, 42B)을 투과하는 투과광의 파장대역에 따라 설정되어 있다. 즉, 대향 전극(43) 중, 착색층(42R)과 대응하여 설치된 대향 전극(43R)의 층 두께와, 착색층(42G)과 대응하여 설치된 대향 전극(43G)의 층 두께와, 착색층(42B)과 대응하여 설 치된 대향 전극(43B)의 층 두께가 상이하다. 여기에서, 대향 전극(43R, 43G, 43B)은 각각 적색광, 녹색광, 청색광에 대한 투과율이 최대로 되는 층 두께로 되어 있다. 예를 들어 본 실시예에서는 대향 전극(43R, 43G, 43B)의 층 두께가 각각 175㎚, 154㎚, 129㎚로 되어 있다.

따라서, 예를 들어 대향 전극(43R)에서는 대향 전극(43R)에 입사한 광 중 착색층(42R)을 투과하는 광인 적색광 성분에 대하여, 대향 전극(43R) 내에서 대향 전극(43R)의 입사면으로부터 출사면을 향하는 투과광과 출사면에서 반사하여 입사면을 향하는 반사광이 서로 강화하게 하게 된다.

또한, 대향 전극(43)은 격벽(41)이 도전성을 갖고 있기 때문에, 서로 도통하고 있다. 따라서, 각 대향 전극(43)의 전위가 동등하게 되고, 대향 전극(43) 중 하나에 전압을 인가하는 것만으로 모든 대향 전극(43)의 전위를 제어할 수 있다.

배향막(44)은 배향막(26)과 마찬가지로, 예를 들어 폴리이미드막 등의 투광성 유기막에 러빙 처리 등의 소정의 배향 처리를 실시함으로써 형성되어 있다. 여기에서, 배향막(44)의 러빙 방향은 배향막(26)의 러빙 방향과 거의 동일 방향으로 되어 있다. 그리고, 대향 기판(12)의 코너부에는 TFT 기판(11)과 대향 기판(12) 사이의 전기적인 도통을 확보하기 위한 기판간 도통재(45)가 설치되어 있다.

액정층(14)은 도 1 내지 도 3에 나타낸 바와 같이, 배향막(26, 44) 사이에서 소정의 배향 상태로 되어 있다. 이 액정층(14)의 액정 모드로서는 TN(Twisted Nematic) 모드 외에, VAN(Vertical Aligned Nematic) 모드, STN(Super Twisted Nematic) 모드, ECB(Electrically Controlled Birefringence) 모드, OCB(Optical Compensated Bend) 모드 등을 채용할 수 있다.

(액정 장치의 제조 방법)

다음으로, 상술한 구성의 액정 장치의 제조 방법에 대해서, 도 5 및 도 6을 참조하면서 설명한다. 여기에서, 도 5 및 도 6은 각각 액정 장치의 제조 공정을 나타내는 단면도이다. 또한, 이하의 설명에서는 액정 패널의 제조 공정에 특징이 있기 때문에, 액정 패널의 제조 공정을 중심으로 설명한다.

본 실시예에서의 액정 패널의 제조 공정은 대향 기판 형성 공정과, TFT 기판 형성 공정을 갖고 있다.

우선, 대향 기판 형성 공정을 행한다. 이 대향 기판 형성 공정은 격벽 형성 공정과, 컬러 필터층 형성 공정과, 대향 전극 형성 공정을 구비하고 있다.

처음에, 격벽 형성 공정을 행한다. 여기에서는 우선, 유리 등의 투광성 재료로 이루어지는 대향 기판(12) 위의 전면에 카본 미립자를 함유한 도전성의 감광성 유기 재료를 스핀 코팅법 등을 이용하여 도포하고, 이것을 건조시킴으로써 격벽층을 형성한다. 그리고, 마스크(도시 생략)를 사용한 포토리소그래피 기술에 의해, 이 격벽층 중 컬러 필터층(42)이나 대향 전극(43)을 형성하는 화소 영역에 개구를 형성한다. 이와 같이 하여, 대향 기판(12)의 내측 표면에, 격벽(41)을 형성한다(도 5의 (a)).

이 후, 격벽(41)의 내측 표면에, 후술하는 대향 전극 형성 재료액(전극 형성 재료액)(51)에 대하여 친액성을 갖기 위한 친액화 처리를 실시한다. 이 친액화 처리는 예를 들어 격벽(41)의 내측 표면에 플라스마 처리 등을 실시하는 것이나 실란 커플링제 등의 친액화용 표면 처리제를 도포함으로써 행해진다.

다음으로, 컬러 필터층 형성 공정을 행한다. 여기에서는 우선, 격벽(41)이 형성된 대향 기판(12) 위의 전면에 적색광을 투과시키는 착색이 실시된 유기 재료를 스핀 코팅법 등을 이용하여 도포하고, 이것을 건조시킴으로써 착색층을 형성한다. 그리고, 마스크(도시 생략)를 사용한 포토리소그래피 기술에 의해, 격벽(41)의 개구 영역에 적색광을 투과시키는 착색층(42R)을 형성한다. 또한, 착색층(42R)의 형성 방법과 마찬가지로, 녹색광을 투과시키는 착색층(42G) 및 청색광을 투과시키는 착색층(42B)을 형성한다. 이와 같이 하여, 대향 기판(12)의 내측 표면 중 격벽(41)의 개구 영역에 착색층(42R, 42G, 42B)을 형성하여 컬러 필터층(42)을 구성한다(도 5의 (b)).

이어서, 대향 전극 형성 공정을 행한다. 여기에서는 컬러 필터층(42)이 형성된 대향 기판(12)의 내측 표면 중 격벽(41)의 개구 영역에, 대향 전극(43)을 구성하는 ITO의 미립자를 분산매 중에 분산시킨 대향 전극 형성 재료액(51)의 액적을 액적 토출법을 이용하여 적하한다(도 5의 (c)).

ITO의 미립자의 표면에는 분산매 중에서의 분산성을 향상시키기 위해서 유기물 등을 코팅하여 사용할 수도 있다. 또한, ITO의 미립자의 입경(粒徑)은 1㎚ 이상 100㎚ 이하인 것이 바람직하다. 이것은 100㎚보다도 크면, 노즐에 막힘이 생기는 경우가 있다. 또한, 1㎚보다 작으면, ITO의 미립자에 대한 코팅제의 부피비가 커져, 얻어지는 막 중의 유기물 비율이 과다해진다.

또한, 분산매로서는 ITO의 미립자를 분산할 수 있는 것으로, 응집을 일으키 지 않는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 물 외에, 메탄올이나 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올류, n-헵탄, n-옥탄, 데칸, 도데칸, 테트라데칸, 톨루엔, 크실렌, 시멘, 듀렌, 인덴, 디펜텐, 테트라히드로나프탈렌, 데카히드로나프탈렌, 시클로헥실벤젠 등의 탄화 수소계 화합물, 또한 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 1,2-디메톡시에탄, 비스(2-메톡시에틸)에테르, p-디옥산 등의 에테르계 화합물, 또한 프로필렌카보네이트, γ-부티로락톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드, 시클로헥사논 등의 극성 화합물을 들 수 있다. 이들 중, 미립자의 분산성과 분산액의 안정성, 또한 액적 토출법에 대한 적용 용이성의 점에서, 물, 알코올류, 탄화수소계 화합물, 에테르계 화합물이 바람직하고, 보다 바람직한 분산매로서는 물, 탄화수소계 화합물을 들 수 있다.

그리고, 대향 전극 형성 재료액(51)의 표면 장력은 예를 들어 0.02N/m 이상 0.07N/m 이하의 범위 내인 것이 바람직하다. 액적 토출법에서 액체를 토출할 때, 표면 장력이 0.02N/m 미만이면, 잉크 조성물의 노즐면에 대한 젖음성이 증대하기 때문에 비행 구부러짐이 생기기 쉬워지고, 0.07N/m을 초과하면 노즐 선단(先端)에서의 메니스커스의 형상이 안정되지 않기 때문에 토출량이나, 토출 타이밍의 제어가 곤란해진다. 표면 장력을 조정하기 위해서, 상기 분산액에는 기판과의 접촉각을 크게 저하시키지 않는 범위에서, 불소계, 실리콘계, 노니온계 등의 표면 장력 조절제를 미량 첨가하면 된다. 노니온계 표면 장력 조절제는 액체의 기판에 대한 젖음성을 향상시키고, 막의 레벨링성을 개량하고, 막의 미세한 요철 발생 등의 방지에 도움이 되는 것이다. 상기 표면 장력 조절제는 필요에 따라, 알코올, 에테르, 에스테르, 케톤 등의 유기 화합물을 포함할 수도 있다.

또한, 대향 전극 형성 재료액(51)에는 ITO의 미립자가 서로 접촉하여 응집을 일으키는 것을 방지하기 위해서, 분산 안정제가 첨가된다. 분산 안정제로서는 예를 들어 알킬아민 등의 아민 화합물을 사용할 수 있다. 이 분산 안정제는 금속 미립자 표면으로부터 이탈한 후, 최종적으로는 분산매와 함께 증산(蒸散)할 수 있는 것이 필요하며, 적어도 비점이 300℃를 초과하지 않는 범위, 통상, 250℃ 이하의 범위로 되는 것이 바람직하다. 예를 들어 알킬아민으로서, 그 알킬기는 C8∼C18의 범위로 선택되고, 알킬쇄의 말단에 아미노기를 갖는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어 상기 C8∼C18의 범위의 알킬아민은 열적인 안정성도 있고, 또한, 실온 부근에서의 증기압도 그다지 높지 않고, 실온 등에서 보관할 때, 함유율을 원하는 범위로 유지, 제어하는 것이 용이하는 등, 핸들링성의 면에서 적합하게 사용할 수 있다.

대향 전극 형성 재료액(51)의 점도는 예를 들어 1mPa·s 이상 50mPa·s 이하인 것이 바람직하다. 이것은 액적 토출법을 이용하여 액체 재료를 액적으로서 토출할 때, 점도가 1mPa·s보다 작은 경우에는 노즐 주변부가 잉크의 유출에 의해 오염되기 쉽고, 또한 점도가 50mPa·s보다 큰 경우에는 노즐 구멍에서의 막힘 빈도가 높아져 원활한 액적의 토출이 곤란해지기 때문이다.

여기서, 액적 토출법의 토출 기술로서는 대전 제어 방식이나 가압 진동 방식, 전기 기계 변환 방식, 전기열 변환 방식, 정전 흡인 방식 등을 들 수 있다. 대전 제어 방식은 재료에 대전 전극에서 전화(電化)를 부여하고, 편향 전극에서 재료의 비상 방향을 제어하여 노즐로부터 토출시키는 것이다. 또한, 가압 진동 방식은 재료에 예를 들어 30kg/㎠ 정도의 초고압을 인가하여 노즐 선단 측에 재료를 토출시키는 것이며, 제어 전압을 인가하지 않는 경우에는 재료가 직진하여 노즐로부터 토출되고, 제어 전압을 인가하면 재료 사이에 정전적인 반발이 일어나 재료가 비산하기 때문에 노즐로부터 토출되지 않는다. 그리고, 전기 기계 변환 방식은 피에조 소자(압전 소자)가 펄스적인 전기 신호를 받아 변형하는 성질을 이용한 것이며, 피에조 소자가 변형함으로써 재료를 저장한 공간에 가요 물질을 통하여 압력을 부여하고, 이 공간으로부터 재료를 밀어내어 노즐로부터 토출시키는 것이다. 또한, 전기열 변환 방식은 재료를 저장한 공간 내에 설치한 히터에 의해, 재료를 급격하게 기화시켜 버블(기포)을 발생시키고, 버블의 압력에 의해 공간 내의 재료를 토출시키는 것이다. 또한, 정전 흡인 방식은 재료를 저장한 공간 내에 미소 압력을 가하고, 노즐에 재료의 메니스커스를 형성하고, 이 상태에서 정전 인력을 가하고나서 재료를 인출하는 방식이다. 이 외, 전기장에 의한 유체의 점성 변화를 이용하는 방식이나, 방전 불꽃에 의해 비산시키는 방식 등, 다양한 기술을 적용할 수 있다. 이 액적 토출법은 재료의 사용에 낭비가 적고, 또한 원하는 위치에 원하는 양의 재료를 적확하게 배치할 수 있다는 이점을 갖는다. 또한, 액적 토출법에 의해 토출되는 대향 전극 형성 재료액(51)의 한 방울의 양은 예를 들어 1ng 이상 300ng 이하로 되어 있다.

이 액적 토출법에 의해 컬러 필터층(42)을 구성하는 각 착색층(42R, 42G, 42B) 위에 적하되는 대향 전극 형성 재료액(51)의 액적량은 적하되는 대향 전극 형성 재료액(51) 중의 ITO의 농도가 동일하면, 착색층(42R), 착색층(42G), 착색층(42B)의 순으로 적어진다.

그리고, 적하한 대향 전극 형성 재료액(51)에 가열 처리를 실시하여 내부의 용매를 증발시키는 동시에, ITO의 미립자를 소성시킨다. 이 가열 처리에 의해, 대향 전극(43R, 43G, 43B)이 형성된다.(도 5의 (d)). 이와 같이, 대향 전극 형성 재료액(51)의 도포량을 변경함으로써, 각 대향 전극(43R, 43G, 43B)의 층 두께가 설정된다. 따라서, 층 두께가 상이한 대향 전극(43R, 43G, 43B)을 용이하게 형성할 수 있다.

이 때, 액적 토출법을 사용함으로써 착색층(42R, 42G, 42B) 위에 선택적으로 대향 전극 형성 재료액(51)의 액적이 적하되기 때문에, 대향 전극 형성 재료액(51)의 낭비가 억제되어 있다. 여기에서, 격벽(41)이 도전성을 갖고 있기 때문에, 착색층(42R, 42G, 42B) 위에 각각 형성된 대향 전극(43R, 43G, 43B)이 격벽(41)을 통하여 서로 도통하고 있다.

이 후, 격벽(41) 및 대향 전극(43R, 43G, 43B)의 상면이 폴리이미드 등의 유기 재료로 이루어지는 배향막 형성 재료층을 형성하고, 이것에 러빙 처리를 실시함으로써 배향막(44)을 형성한다(도 5의 (e)). 이와 같이 하여, 대향 기판(12)을 형성한다.

이어서, TFT 기판 형성 공정을 행한다. 이 TFT 기판 형성 공정은 격벽 형성 공정과, 화소 전극 형성 공정을 구비하고 있다.

우선, 유리 등의 투광성 재료로 이루어지는 TFT 기판(11) 위에, 주지의 방법에 의해 TFT 소자나, 복수의 데이터선(23) 및 주사선(24) 등을 형성한다.

다음으로, 격벽 형성 공정을 행한다. 여기에서는 상술한 대향 기판 형성 공정에서의 격벽 형성 공정과 동일하게, TFT 기판(11) 위의 전면에 감광성 유기 재료를 스핀 코팅법 등을 이용하여 도포하고, 이것을 건조시킴으로써 격벽층을 형성한다. 그리고, 마스크(도시 생략)를 사용한 포토리소그래피 기술에 의해, 이 격벽층의 화소 전극(21)을 형성하는 영역에 개구를 형성한다. 이것에 의해, TFT 기판(11)의 내측 표면에 격벽(25)을 형성한다(도 6의 (a)).

이 후, 상술한 바와 마찬가지로, 격벽(25)의 내측 표면에, 후술하는 화소 전극 형성 재료액(다른 전극 형성 재료액)(52)에 대하여 친액성을 갖기 위한 친액화 처리를 실시한다.

다음으로, 화소 전극 형성 공정을 행한다. 여기에서는 대향 전극 형성 공정과 마찬가지로, 격벽(25)이 형성된 TFT 기판(11)의 내측 표면 중 격벽(25)의 개구 영역에 화소 전극(21)을 구성하는 ITO의 미립자가 분산된 화소 전극 형성 재료액(52)의 액적을 액적 토출법을 이용하여 적하한다(도 6의 (b)). 여기에서, TFT 기판(11) 위에 적하되는 화소 전극 형성 재료액(52)의 액량은 적하되는 화소 전극 형성 재료액(52) 중의 ITO의 농도가 동일하면, 착색층(42R)과 대응하는 영역, 착색층(42G)과 대응하는 영역, 착색층(42B)과 대응하는 영역의 순으로 적어진다.

그리고, 가열 처리를 실시하여 화소 전극(21R, 21G, 21B)을 형성한다(도 6의 (c)). 여기에서, 격벽(25)이 절연성을 갖고 있기 때문에, 화소 전극(21R, 21G, 21B)은 비도통으로 되어 있다.

이 후, 격벽(25) 및 화소 전극(21R, 21G, 21B)의 상면에 폴리이미드 등의 유기 재료로 이루어지는 배향막 형성 재료층을 형성하고, 이것에 러빙 처리를 실시함으로써 배향막(26)을 형성한다(도 6의 (d)). 여기에서, 배향막(26)의 러빙 방향은 배향막(44)의 러빙 방향과 거의 동일 방향으로 되어 있다. 이상과 같이 하여, TFT 기판(11)을 형성한다.

그 후, 형성한 TFT 기판(11)과 대향 기판(12)을 밀봉재(13)에 의해 점착하는 동시에 TFT 기판(11)과 대향 기판(12) 사이에 액정층(14)을 봉입한다. 이와 같이 하여, 액정 패널(2)을 형성한다. 또한, TFT 기판(11) 및 대향 기판(12) 각각의 외측 표면에 상기 편광판을 설치하고, 액정 장치(1)를 제조한다.

(전자 기기)

이와 같은 구성의 액정 장치(1)는 예를 들어 도 7에 나타나 있는 바와 같은 휴대 전화기(전자 기기)(100)에 설치된다. 여기에서, 도 7은 휴대 전화기(100)의 사시도이다. 이 휴대 전화기(100)는 복수의 조작 버튼(101), 수화구(102), 송화구(103) 및 본 실시예의 액정 장치(1)로 이루어지는 표시부(104)를 구비하고 있다.

이상과 같이, 본 실시예에서의 액정 장치의 제조 방법 및 액정 장치(1)에 의하면, 대향 전극 형성 재료액(51)이나 화소 전극 형성 재료액(52)의 적하량을 조정함으로써 각 착색층(42R, 42G, 42B)으로 표시되는 색마다에 설정된 층 두께가 상이한 대향 전극(43R, 43G, 43B)이나 화소 전극(21R, 21G, 21B)을 용이하게 형성할 수 있다. 따라서, 화소마다의 휘도의 불균일을 억제한 액정 장치(1)를 용이하게 제조 할 수 있다.

여기에서, 격벽(41)이 도전성을 갖고 있기 때문에, 대향 전극(43)이 격벽(41)을 통하여 서로 도통하고, 각 대향 전극(43)이 동전위로 된다. 따라서, 대향 전극(43)을 공통 전극으로 하여 그 전압 제어가 용이해진다.

또한, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경을 추가하는 것이 가능하다.

예를 들어 상기 실시예에서는 화소 전극과 대향 전극을 각각 액적 토출법을 이용하여 형성하고 있지만, 어느 한쪽만이어도 된다. 이와 같이 하여도 액적 토출법을 이용하여 형성된 화소 전극 또는 대향 전극을 투과하는 광 중 대응하여 설치되는 착색층의 투과광의 파장대역의 광에 대한 손실을 저감할 수 있다.

또한, 컬러 필터층과 대향 기판 사이 또는 컬러 필터층과 대향 전극 사이에 각 착색층의 층 두께의 차이를 조정하는 절연층을 형성할 수도 있다. 즉, 착색층은 그 색 표시의 재현성을 향상시키는 것을 목적으로 하여, 투과광의 파장대역에 따라 색 표시의 재현성을 더 높일 수 있는 층 두께로 설정되는 경우가 있다. 따라서, 투과광의 파장대역에 따라 층 두께가 각각 상이하게 된다. 그래서, 착색층에 인접하여 투광성 재료에 의해 구성된 절연층을 형성함으로써 착색층과 절연층을 합한 층 두께를 각 착색층에 의해 최적화할 수 있다. 여기에서, 상술한 화소 전극 및 대향 전극과 마찬가지로, 각 절연층의 층 두께를 대응하여 설치되어 있는 착색층의 투과광의 파장대역에 따라 설정하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 각 절연층에 대응하여 설치된 착색층을 투과하는 광의 손실이나 색의 불균일을 억 제할 수 있다.

마찬가지로, TFT 기판 위에 형성된 배향막 또는 대향 기판 위에 형성된 배향막 또는 그 양쪽의 막 두께를 상술한 화소 전극 및 대향 전극과 마찬가지로, 대응하여 설치되어 있는 착색층의 투과광의 파장대역에 따라 조정할 수도 있다. 이와 같이 함으로써, 상술한 바와 마찬가지로, 배향막을 투과하는 광의 손실이나 색의 불균일을 억제할 수 있다.

또한, 대향 기판에 설치된 격벽이 도전성을 갖는 감광성 수지 재료에 의해 구성되어 있지만, 각 대향 전극 사이에서 격벽을 통하여 도통이 확보되어 있으면 되고, 절연성 재료에 의해 구성된 층과 도전성 재료에 의해 구성된 층을 적층하고, 이 도전성 재료에 의해 구성된 층에 의해 각 대향 전극의 도통을 도모하는 구성으로 할 수도 있다. 여기에서, 격벽을, 절연 재료에 의해 구성된 층과 도전성 재료에 의해 구성된 층을 교대로 복수 적층한 구성으로 할 수도 있다.

또한, 대향 기판에 설치된 격벽이 도전성을 갖고 있고, 각 대향 전극이 이 격벽을 통하여 서로 도통하고 있지만, 각 대향 전극의 전위를 각각 제어할 수 있는 구성으로 하면, 이 격벽을 절연성 재료로 형성하고, 도전성을 갖지 않는 구성으로 할 수도 있다.

또한, 각 착색층을 포토리소그래피 기술을 이용하여 형성하고 있지만, 화소 전극이나 대향 전극과 마찬가지로, 액적 토출법을 이용하여 형성할 수도 있다. 이 때, 대향 기판 위에 형성된 격벽에 의해 구획된 화소 영역에 각 착색층을 형성하는 착색층 형성 재료액의 액적을 적하하고, 이것을 건조시킴으로써 착색층을 형성한 다.

또한, 컬러 필터층이 적색광, 녹색광 및 청색광의 3색을 각각 투과시키는 착색층을 구비하고 있고, 3색에 의해 컬러 표시를 행하고 있지만, 다른 3색에 의해 컬러 표시를 행하는 구성으로 할 수도 있고, 이것에 청록색 광을 투과시키는 착색층을 추가한 4색에 의해 컬러 표시를 행하는 구성으로 할 수도 있다. 또한, 적어도 2색의 광을 각각 투과시키는 착색층을 구비하고 있으면 되고, 컬러 표시에 한정되지 않는다.

또한, 전기 광학 장치로서 액정 장치를 사용하여 설명하고 있지만, 컬러 필터층을 투과시켜 컬러 표시를 행하는 전기 광학 장치이면, 예를 들어 유기 EL 장치 등, 다른 전기 광학 장치일 수도 있다. 여기서, 유기 EL 장치를 사용하는 경우에는, 전기 광학층으로서 전압을 인가함으로써 백색으로 발광하는 발광 기능층을 사용하고, 발광한 백색광을 컬러 필터층을 투과시킴으로써 적색광, 녹색광 및 청색광에 의한 컬러 표시를 행할 수 있다.

또한, 액정 장치를 갖는 전자 기기로서 휴대 전화기에 대해서 설명하였지만, 액정 장치 등의 전기 광학 장치를 구비하고 있으면, 휴대 전화기에 한정되지 않고, 다른 전자 기기에 적용할 수도 있다. 여기에서, 적용할 수 있는 전자 기기로서는 노트형 퍼스널 컴퓨터나 PDA(Personal Digital Assistant: 휴대 정보 단말기), 퍼스널 컴퓨터, 워크스테이션, 디지털 스틸 카메라, 차량 탑재용 모니터, 카 내비게이션 장치, 디지털 비디오 카메라, 텔레비전 수상기, 뷰파인더형 또는 모니터 직시형 비디오 테이프 리코더, 소형 무선 호출기, 전자 수첩, 전자 계산기, 전자북이나 프로젝터, 워드프로세서, 텔레비전 전화기, POS 단말, 터치 패널을 구비하는 기기 등을 들 수 있다.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 표시하는 색마다 층 두께가 상이한 투명 전극을 용이하게 형성할 수 있는 전기 광학 장치의 제조 방법 및 전기 광학 장치를 제공할 수 있다.

Claims

제 1 및 제 2 전극 사이에 전기 광학층을 개재시키고, 평면 형상으로 배치된 복수의 화소 영역을 갖고, 상기 복수의 화소 영역의 각각에 대응하여 설치된 착색층을 투과시켜 표시를 행하는 전기 광학 장치의 제조 방법으로서,

기판 위에, 상기 화소 영역을 구획하는 격벽을 형성하는 격벽 형성 공정과,

상기 격벽에 의해 구획된 영역에, 각각 전극 형성 재료액을 도포하여 상기 제 1 전극을 형성하는 제 1 전극 형성 공정을 구비하고,

상기 제 1 전극 형성 공정에서, 상기 제 1 전극의 층 두께를, 대응하여 설치되는 상기 착색층을 투과하는 광의 파장대역에 따라 설정하고,

상기 격벽이 도전성을 갖고 있고, 상기 격벽을 통하여 상기 제 1 전극을 서로 도통(導通)시키는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
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제 1 항에 있어서,

상기 제 1 전극 형성 공정에서, 상기 전극 형성 재료액을 액적 토출법에 의해 도포하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,

다른 기판 위에, 상기 다른 기판 표면을 상기 화소와 대응하여 구획하는 다른 격벽을 형성하는 다른 격벽 형성 공정과,

상기 다른 격벽에 의해 구획된 영역에 각각 다른 전극 형성 재료액을 도포, 건조시켜 상기 제 2 전극을 형성하는 제 2 전극 형성 공정을 구비하고,

상기 제 2 전극 형성 공정에서, 상기 제 2 전극의 층 두께를, 대응하여 설치되는 상기 착색층의 투과광의 파장대역에 따라 설정하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
제 4 항에 있어서,

상기 제 2 전극 형성 공정에서, 상기 다른 전극 형성 재료액을 액적 토출법에 의해 도포하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 제 1 전극 형성 공정 전에, 상기 격벽에 의해 구획된 영역에 각각 상기 착색층을 형성하는 컬러 필터층 형성 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
제 6 항에 있어서,

상기 컬러 필터층 형성 공정이 상기 착색층에 상하(上下)로 인접하여 절연층을 형성하는 절연층 형성 공정을 갖고,

상기 절연층 형성 공정에서, 상기 절연층의 층 두께를, 대응하여 설치되는 상기 착색층을 투과하는 광의 파장대역에 따라 설정하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 전기 광학층이 액정층을 구성하고,

상기 제 1 전극의 상면(上面)에 배향막을 형성하는 배향막 형성 공정을 갖고,

상기 배향막 형성 공정에서, 상기 배향막의 막 두께를, 대응하여 설치되는 상기 착색층을 투과하는 광의 파장대역에 따라 설정하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
제 1 및 제 2 전극 사이에 전기 광학층을 개재시키고, 평면 형상으로 배치된 복수의 화소에 따라 설치된 복수의 착색층을 갖는 컬러 필터층을 구비하는 전기 광학 장치에 있어서,

기판 위에 형성되어 상기 기판 표면을 구획하는 격벽과,

상기 격벽에 의해 구획된 영역에 형성된 제 1 전극을 갖고,

상기 제 1 전극의 층 두께가, 대응하여 설치된 상기 착색층을 투과하는 광의 파장대역에 따라 설정되어 있고,

상기 격벽이 도전성을 갖고 있고, 상기 격벽을 통하여 상기 제 1 전극을 서로 도통(導通)시키는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
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