JP2008066055A

JP2008066055A - 透明導電膜とその製造方法、電気光学装置とその製造方法、及び電子機器

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Publication number: JP2008066055A
Application number: JP2006241127A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Denda; 敦傳田
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2006-09-06
Filing date: 2006-09-06
Publication date: 2008-03-21

Abstract

【課題】透過率、比抵抗、化学的安定性等について高い水準で優れた特性を得られる透明導電膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る透明導電膜（画素電極９）は、インジウム錫酸化物を主成分とし、インジウム原子と錫原子の合計原子数に対する錫原子数の比率である錫濃度が異なる複数の部位（第１の導電層９ａ、第２の導電層９ｂ）を有している。
【選択図】図４

Description

本発明は、透明導電膜とその製造方法、電気光学装置とその製造方法、及び電子機器に関するものである。

液晶装置等の表示デバイスの電極として、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料を用いた透明導電膜が用いられている。このような透明導電膜は、スパッタ法を用いて形成するのが一般的であるが、プロセス温度を低減できる液相法を用いて透明導電膜を形成することも検討されている（例えば特許文献１〜３参照）。下記特許文献に記載の液体材料を所望の平面パターンにて基体上に塗布した後、熱処理を施すことで基体上に所望形状の透明導電膜を形成することができる。
特開２００５−１６６３５０号公報特開２００５−１８３０５４号公報特開２００６−０２８４３１号公報

ところで、ＩＴＯを用いた透明導電膜では、膜中の錫濃度により透過率、比抵抗、化学的安定性等が異なったものとなる。そのため、従来は、透明導電膜の用途に応じて優先される特性が得られるように錫濃度を決定していた。しかし、これらはいずれも透明導電膜に要求される重要な特性であるため、複数の特性において優れた透明導電膜が求められている。

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、透過率、比抵抗、化学的安定性等について高い水準で優れた特性を得られる透明導電膜及びその製造方法を提供することを目的としている。

また本発明は、高品質の透明導電膜を具備し、表示輝度、コントラスト等の表示品質、及び信頼性に優れた電気光学装置とその製造方法を提供することを目的としている。

本発明の透明導電膜は、上記課題を解決するために、インジウム錫酸化物を主成分とし、インジウム原子と錫原子の合計原子数に対する錫原子数の比率である錫濃度が異なる複数の部位を有することを特徴とする。上述したように透明導電膜に要求される特性としては、透過率、比抵抗、化学的安定性等が挙げられるが、これらの特性は、透明導電膜の全体について要求されるのではない。例えば、電気光学装置の透明導電膜に用いた場合に重要となる透過率については、電気光学装置の画素領域に設けられた透明電極のうち、光透過領域に位置する部分にのみ要求される特性である。また、化学的安定性については、特に透明導電膜の表面について要求される特性である。一方、インジウム錫酸化物を主成分とする透明導電膜では、膜中の錫濃度に応じてＳｎＯの含有量が変化するために、透過率や比抵抗、あるいは化学的安定性等が錫濃度によって異なったものとなる。そこで本発明では、部位により錫濃度を異ならせることで、部位により異なった透過率、比抵抗、化学的安定性等を得られるようにした。このような透明導電膜によれば、透明導電膜を構成するインジウム錫酸化物の全てが所望の特性を兼ね備えたものとなっていなくても、特定部位において要求される特性については容易に満たすことができるため、透明導電膜として要求される特性を高い水準で兼ね備えたものとなる。

相対的に高い前記錫濃度を有する導電層と、相対的に低い前記錫濃度を有する導電層とを積層した膜構造を有する構成とすることができる。すなわち、本発明の透明導電膜は、錫濃度の異なる導電層を積層した構造とすることができる。このような構成であれば、従来の工程をほとんど変更することなく極めて容易に形成することが可能である。

他の導電部材と電気的に接続される部位に、他の領域よりも前記錫濃度の高い領域が形成されている構成としてもよい。詳細は後述しているが、錫濃度が比較的高いインジウム錫酸化物膜では、錫濃度が低いインジウム錫酸化物膜よりも比抵抗が低くなる。そこで、本構成では、他の導電部材との接続部に低抵抗のインジウム錫酸化物膜を形成し、これにより前記接続部における抵抗を低下させることができる。

前記錫濃度の高い領域における前記錫濃度が５％以上１５％以下であることが好ましい。かかる錫濃度範囲とすることで、比抵抗を十分に低減することができる。

当該透明導電膜の最表面に、他の領域よりも前記錫濃度の低い領域が形成されていることが好ましい。錫濃度を低くすることで、膜中に含まれるＳｎＯの量を減らすことができ、化学的に安定なインジウム錫酸化物膜を形成することができる。そこで本構成のように錫濃度の低い領域を透明導電膜の表面に配することで、透明導電膜全体の抵抗が上昇するのを抑えつつ、透明導電膜の化学的安定性（耐候性、耐薬品性等）を高めることができる。

前記錫濃度の低い領域における前記錫濃度が、インジウム原子と錫原子の合計原子数に対する錫原子数の比率で、５％未満であることが好ましい。錫濃度をこのような範囲とすることで、膜中のＳｎＯ含有量を低減し、当該領域の化学的安定性を向上させることができる。

本発明の透明導電膜の製造方法は、インジウム錫酸化物を主成分とする透明導電膜の製造方法であって、第１の組成を有する第１の液体材料を基体上に配置する工程と、前記基体上の第１の液体材料を乾燥固化させて第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層上に、前記第１の組成に対して錫濃度が低い第２の組成を有する第２の液体材料を配置する工程と、前記第１の導電層上の第２の液体材料を乾燥固化させて第２の導電層を形成する工程と、を有することを特徴とする透明導電膜の製造方法。本発明の製造方法によれば、錫濃度の異なる導電層を積層してなる透明導電膜を極めて容易に製造することができる。上記液体材料としては、インジウム錫酸化物の微粒子を分散媒に分散させた液体材料、インジウム微粒子と錫粒子とを所定の組成比で分散媒に分散させた液体材料、あるいは、インジウム及び錫の無機塩又は有機塩を溶媒に溶解させた液体材料等を用いることができる。いずれの液体材料においても、錫濃度の調整は容易である。

前記第１の導電層を前記第２の導電層よりも狭い平面領域に形成し、前記第１の導電層を覆って前記第２の導電層を形成する製造方法であってもよい。このような製造方法とすれば、第１の導電層を覆う第２の導電層を容易に形成できるので、例えば第１の導電層について比抵抗は低いが化学的安定性に劣る導電層を形成した場合にも、第２の導電層として化学的安定性に優れた導電層を形成すれば、透明導電膜全体としての抵抗上昇を抑えつつ、化学的安定性にも優れた透明導電膜を容易に形成することができる。

本発明の電気光学装置は、基板上に、電気光学物質と、該電気光学物質に電圧を印加する透明電極とを具備した電気光学装置であって、前記透明電極が、インジウム錫酸化物を主成分とするとともに、インジウム原子と錫原子との合計原子数に対する錫原子数の比率である錫濃度において異なる複数の部位を有していることを特徴とする。この構成によれば、部位により錫濃度を異ならせることで、部位により異なる特性を有する透明電極を備えたものとなる。したがって、透明電極全体としてみると透過率、比抵抗、及び化学的安定性等を高い水準で兼ね備えた透明電極となる。このように本発明によれば、明るく、高コントラストの表示が可能で、かつ信頼性に優れた電気光学装置を提供することができる。

前記透明電極が、相対的に高い前記錫濃度を有する導電層と、相対的に低い前記錫濃度を有する導電層とを積層した膜構造を有する構成としてもよい。このような構成とすれば、錫濃度の高い導電層により透明電極の比抵抗を低減することができ、錫濃度の低い導電層により高い化学的安定性を得られる。したがって、低抵抗で化学的にも安定な透明電極を備えた電気光学装置となる。

前記基板上に、前記透明電極と接続された導電部材が設けられており、前記透明電極の前記導電部材と接続される部位に、他の領域よりも前記錫濃度が高い領域が形成されていることが好ましい。このように他の導電部材との接続部に低抵抗の領域が形成された構成とすることで、透明電極と導電部材との接続抵抗を低減することができる。

さらに、前記導電部材上に形成された絶縁膜が形成されるとともに、当該絶縁膜を貫通して前記導電部材に達する貫通孔が形成されており、前記貫通孔を介して前記透明電極と前記導電部材とが電気的に接続されており、少なくとも前記貫通孔内に位置する前記透明電極には、他の領域よりも前記錫濃度が高い領域が形成されていることが好ましい。この構成によれば、貫通孔を介して透明電極と導電部材とが電気的に接続される構成においても、接続抵抗を低減できる。

前記透明電極の最表面に、他の領域よりも前記錫濃度の低い領域が形成されていることが好ましい。すなわち、化学的に安定な錫濃度の低い領域が表面に形成されていることが好ましい。耐候性や耐薬品性については、主に電極表面について要求される特性であるので、このような構成とすることで、透明電極全体としても化学的安定性に優れたものとなる。

本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に、電気光学物質と、該電気光学物質に電圧を印加する透明電極とを具備した電気光学装置の製造方法であって、前記基板上の第１の液体材料を乾燥固化させて固化膜を形成する工程と、前記固化膜上に、前記第１の組成に比して低い錫濃度の第２の組成を有する第２の液体材料を配置する工程と、前記固化膜上の第２の液体材料を乾燥固化させる工程と、前記第１及び第２の液体材料の固化膜を焼成して透明電極に変換する工程と、を有することを特徴とする。

この製造方法によれば、透過率、比抵抗、化学的安定性等について高い水準で実現した透明電極を具備した電気光学装置を容易に製造することができる。また液相法を用いているので、フォトリソグラフィ法に比して材料の無駄が無く、安価に電気光学装置を製造することができる。

本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に、電気光学物質と、該電気光学物質に電圧を印加する透明電極とを具備した電気光学装置の製造方法であって、前記基板上の第１の液体材料を乾燥固化させて第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層上に、前記第１の組成に対して錫濃度が低い第２の組成を有する第２の液体材料を配置する工程と、前記第１の導電層上の第２の液体材料を乾燥固化させて第２の導電層を形成する工程と、を有することを特徴とする。

本発明の電気光学装置の製造方法では、前記第１の液体材料を配置するに先立って、前記基板上に導電部材を形成する工程と、前記導電部材を覆う絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を貫通して前記導電部材に達する貫通孔を形成する工程と、を有しており、前記基板上に第１の液体材料を配置するに際して、当該第１の液体材料を前記貫通孔内に選択的に配置することもできる。

この製造方法によれば、透明電極のコンタクト領域について比抵抗の低い第１の導電層が形成されており、基板上に露出する透明電極の本体部分について化学的安定性に優れた第２の導電層が形成されている電気光学装置を容易に製造することができる。特に本発明では、液相法を用いて導電層を形成するので、上記貫通孔内に第１の液体材料を配置するのも極めて容易である。

本発明の電子機器は、先に記載の本発明の透明導電膜を備えたことを特徴とする。この構成によれば、透過率、比抵抗、化学的安定性等を高い水準で兼ね備えた透明導電膜を有するので、電子機器において、表示部の明るさの向上、電極における光損失の低減、さらに信頼性の向上を実現することができる。なお、本発明の透明導電膜は、上述した電気光学装置の透明電極のほか、色素増感型太陽電池の電極としても好適に用いることができる。あるいはまた、電子機器の外面側に成膜して帯電防止膜として用いることもできる。

また本発明の電子機器は、先に記載の本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、明るく、項コントラストの表示部を具備した電子機器を提供することができる。

（液晶装置（電気光学装置））
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。

図１（ａ）は、本発明に係る透明導電膜からなる画素電極を具備した液晶装置（電気光学装置）の平面図である。図１（ｂ）は、同、液晶装置の等価回路図である。図２は、本実施形態に係る液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板における複数の画素の平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿う液晶装置の部分断面図である。図４（ａ）は、本実施形態に係る画素電極の断面構造を示す図であり、図４（ｂ）は、同画素電極の他の構成例を示す図である。

本実施形態の液晶装置１００は、図３に示すように、液晶層５０を挟持して対向するＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを備えている。液晶層５０は、例えば、初期配向が基板面に対して垂直方向とされた負の誘電率異方性を有する液晶からなる垂直配向モードの液晶層である。

図１（ａ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを、両者が対向する領域の周縁に沿って形成した光硬化性封止材であるシール材１５２によって貼り合わせた構成である。シール材１５２によって区画された領域内に液晶が封入、保持されている。シール材１５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されてなり、液晶注入口を備えず、封止材にて封止された痕跡がない構成となっている。

シール材１５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り１５３が形成されている。シール材１５２の外側の領域には、ソース線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に隣接する２辺に沿ってゲート線駆動回路２０４が設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられたゲート線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所に、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。

ソース線駆動回路２０１及びゲート線駆動回路２０４は、ＴＦＴアレイ基板１０上に半導体プロセスを用いて形成してもよい。あるいは、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。

液晶装置１００の画像表示領域には、図１（ｂ）に示すように、互いに交差して延びる複数のゲート線３ａと複数のソース線６ａとが形成されている。ゲート線３ａとソース線６ａとの交差点に対応してＴＦＴ（薄膜トランジスタ）３０が設けられている。ゲート線３ａ及びソース線６ａにより区画された平面視マトリクス状の領域（画素領域）には画素電極９が形成されている。ソース線６ａはＴＦＴ３０のソースと電気的に接続されている。図示略の駆動回路から出力される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎはソース線６ａを介してＴＦＴ３０に供給される。画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のソース線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

ＴＦＴ３０のゲートにはゲート線３ａが電気的に接続されており、図示略の駆動回路から所定のタイミングでゲート線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加されるようになっている。画素電極９はＴＦＴ３０のドレインと電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、ソース線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極９に書き込まれるようになっている。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と液晶を介して対向する共通電極との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が接続されている。蓄積容量７０はＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。

次に、図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板上に、インジウム錫酸化物（以下、「ＩＴＯ」と略す。）等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極９（点線部１９ａにより輪郭を示す）がマトリクス状に配列形成されており、画素電極９の縦横の境界に各々沿ってソース線６ａ、ゲート線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。本実施形態において、各画素電極９及び各画素電極９を囲むように配設されたソース線６ａ、ゲート線３ａ、容量線３ｂ等が形成された領域が画素であり、マトリクス状に配置された各画素毎に表示を行うことが可能な構造になっている。

ソース線６ａは、ＴＦＴ３０を構成する例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち、後述のソース領域にコンタクトホール５を介して電気的に接続されている。画素電極９は、半導体層１ａのうち、後述のドレイン領域に画素コンタクトホール８を介して電気的に接続されている。また、半導体層１ａのうち、後述のチャネル領域（図中左上がりの斜線の領域）に対向するようにゲート線３ａが配置されており、ゲート線３ａはチャネル領域に対向する部分でゲート電極として機能する。

容量線３ｂは、ゲート線３ａに沿って略直線状に伸びる本線部（平面視でゲート線３ａに沿って形成された第１領域）と、ソース線６ａと交差する箇所からソース線６ａに沿って前段側（図中上向き）に突出した突出部（平面視でソース線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。そして、図２中、右上がりの斜線で示した領域には、複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。

次に、図３に示す断面構造をみると、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置された対向基板２０との間に誘電異方性が負の液晶からなる垂直配向モードの液晶層５０が挟持されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、石英等の透光性材料からなる基板本体１０Ａと、基板本体１０Ａの液晶層５０側の面に形成されたＴＦＴ３０、画素電極９、配向膜４０を主体として構成されている。一方、対向基板２０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２０Ａと、基板本体２０Ａの液晶層５０側の面に形成された共通電極２１と配向膜６０とを主体として構成されている。

ＴＦＴアレイ基板１０において、基板本体１０Ａの液晶層５０側の面には画素電極９が設けられ、各画素電極９に隣接する位置に、各画素電極９をスイッチング制御する画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ゲート電極（ゲート線３ａ）と、ゲート電極からの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’と、ゲート線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２と、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃと、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅと、を備えている。

また、ゲート線３ａ上、及びゲート絶縁膜２上を含む基板本体１０Ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５、及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じる画素コンタクトホール８が開孔した第２層間絶縁膜４が形成されている。ソース線６ａは、第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。さらに、ソース線６ａ上及び第２層間絶縁膜４上には、高濃度ドレイン領域１ｅへ通じる画素コンタクトホール８が開孔した第３層間絶縁膜７が形成されている。したがって、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７を貫通する画素コンタクトホール８を介して画素電極９と電気的に接続されている。

また、本実施形態では、ゲート絶縁膜２をゲート線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体層１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、さらにこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。

また、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側の面において、ＴＦＴ３０が形成された領域に対応して、第１遮光膜１１ａが設けられている。第１遮光膜１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０を透過して入射した後、ＴＦＴアレイ基板１０の図示下面（ＴＦＴアレイ基板１０と空気との界面）で反射されて液晶層５０側へ戻る戻り光が、半導体層１ａのチャネル領域１ａ'、低濃度ソース領域１ｂ、及び低濃度ドレイン領域１ｃに入射するのを防止する機能を有する。第１遮光膜１１ａとＴＦＴ３０との間には、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的に絶縁するための第１層間絶縁膜１２が形成されている。さらに、図２に示したように、第１遮光膜１１ａは、コンタクトホール１３を介して前段あるいは後段の容量線３ｂと電気的に接続されるようになっている。

ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側の最表面には、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御する配向膜４０が、画素電極９及び第３層間絶縁膜７を覆って形成されている。

他方、対向基板２０には、基板本体２０Ａの液晶層５０側の面であって、ソース線６ａ、ゲート線３ａ、及びＴＦＴ３０の形成領域に対向する領域（各画素部の開口領域以外の領域）に、入射光がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃにするのを防止するための第２遮光膜２３が設けられている。さらに、第２遮光膜２３が形成された基板本体２０Ａの液晶層５０側には、そのほぼ全面に渡って、ＩＴＯ等からなる共通電極２１が形成されている。共通電極２１を覆って配向膜６０が形成されている。

上記構成を備えた本実施形態の液晶装置１００は、透明電極である画素電極９が、本発明に係る透明導電膜を用いて形成されたものとなっている。以下、かかる画素電極９の構成について図４を参照しつつ説明する。図４（ａ）には、図３に示した画素電極９と半導体層１ａとのコンタクト部分を拡大して示している。ただし、図４では、図面を見やすくするために一部の構成部材の図示を省略している。

図４（ａ）に示すように、第３層間絶縁膜７上には、第１の導電層９ａと、第２の導電層９ｂとの積層膜からなる画素電極９が形成されている。半導体層１ａ上に貫設された画素コンタクトホール８内には、第１の導電層９ａのみが形成されている。第１の導電層９ａ及び第２の導電層９ｂは、いずれもＩＴＯ（インジウム錫酸化物）からなる透明導電膜であるが、錫濃度（膜中のＩｎ原子数とＳｎ原子数との合計に対するＳｎ原子数の比率）が互いに異なったＩＴＯ膜からなるものとされている。具体的には、下層側の第１の導電層９ａの錫濃度は、上層側の第２の導電層９ｂの錫濃度よりも高くなっている。

ＩＴＯを用いて形成された透明導電膜は、膜中の錫濃度に依存して異なる特性を呈することが知られており、大別すると、以下の３種類の透明導電膜に分類できる。これら３種類の透明導電膜を、便宜上、錫濃度が低い順に、第１ＩＴＯ膜、第２ＩＴＯ膜、第３ＩＴＯ膜として以下に説明する。

第１ＩＴＯ膜（錫濃度５％未満）は、高い透過率が得られるが、その一方で、膜中にキャリアを効率よく形成するＳｎＯの存在確率が低くなり、比抵抗が高くなる。ただし、化学的に不安定なＳｎＯの含有量が低くなるので、耐候性や耐薬品性に優れた安定な膜を形成できる。

第２ＩＴＯ膜（錫濃度５％以上１５％以下）は、錫添加量を多くすることで、膜中のＳｎＯが多くなるほど透過率が高くなり、また比抵抗も低下する。その一方で、化学的に不安定なＳｎＯが増えるため耐候性や耐薬品性が低くなり、経時的に膜特性が変化したり、製造工程で損傷されることがある。

第３ＩＴＯ膜（錫濃度１５％超）は、錫添加量によらず第２ＩＴＯ膜と同等の透過率が得られる。一方、錫添加量を多くするほど比抵抗が高くなる。比抵抗が上昇するのは、Ｓｎ量の増加によりＳｎＯの存在限界を超えてしまい、高抵抗のＳｎＯ_２が析出し始めるからである。

このようにＩＴＯ膜は錫濃度に依存して異なる特性を具備したものとなる。そこで本発明では、図４（ａ）に示す画素電極９を構成する第１の導電層９ａ、第２の導電層９ｂのそれぞれについて、上記第１ＩＴＯ膜、第２ＩＴＯ膜、及び第３ＩＴＯ膜から選択された透明導電膜を用いる。具体的には、例えば、下層側に位置して半導体層１ａとのコンタクト部となる第１の導電層９ａについて、比抵抗を低くすることができる錫濃度５％以上１５％以下の第２ＩＴＯ膜を用いる一方、画素電極９の表層側に位置する第２の導電層９ｂについては、化学的安定性に優れた第１ＩＴＯ膜（錫濃度５％未満）を用いた構成とする。このような構成とすることで、半導体層１ａとのコンタクト部において抵抗を低くでき、さらに耐候性、薬品耐性にも優れた画素電極９となる。

また画素電極９には、図４（ｂ）に示す構成も適用できる。すなわち、半導体層１ａ上に開口した画素コンタクトホール８内にのみ選択的に第１の導電層９ａを形成し、第１の導電層９ａ上を含む第３層間絶縁膜７上の領域に第２の導電層９ｂを形成した構成とすることができる。このような構成とすれば、第１の導電層９ａの形成領域が極めて狭い領域に限定されるため、比抵抗は低いもののＳｎＯ含有量が多いために化学的安定性が比較的低くなる第２ＩＴＯ膜によって第１の導電層９ａを形成した場合にも膜特性の変化が生じにくくなる。また、第１の導電層９ａの平面領域が狭くなることから、上層側に配した第２の導電層９ｂによって第１の導電層９ａを確実に覆うことができ、さらに化学的安定性に優れる第１ＩＴＯ膜を用いて第２の導電層９ｂを形成することから、第１の導電層９ａの損傷等をも効果的に防止することができる。したがって図４（ｂ）に示す構成によれば、図４（ａ）に示した構成に比しても優れた信頼性を得ることができる。

なお、本実施形態では、第１の導電層９ａとして第２ＩＴＯ膜を用い、第２の導電層９ｂとして第１ＩＴＯ膜を用いた２層構造の画素電極９について説明したが、画素電極９の構成としては、３層以上の導電層を積層したものであってもよいのは勿論である。また、積層構造ではない単層膜でありながら、部分的に錫濃度が異なっているような透明導電膜を形成してもよい。

また、積層構造の画素電極９において、一部の層に錫濃度が１００％である（インジウムを含まない）ＳｎＯ_２膜を用いることもできる。ＳｎＯ_２膜は、第２ＩＴＯ膜と同等の透過率が得られるが、比抵抗は第２ＩＴＯ膜の２〜１０倍程度に上昇する。しかしその一方で、ＳｎＯ_２は化学的に安定な相であるため、得られる透明導電膜は耐候性及び耐薬品性に優れたものとなる。そこで、上記画素電極９の最表層に、ＳｎＯ_２膜からなる第３導電層を形成してもよい。このような構成とすることで、画素電極９の抵抗上昇を抑えつつ、表面についてさらに優れた耐候性、耐薬品性を得ることができる。

また本実施形態では、画素電極９について本発明に係る透明導電膜を用いた場合について説明したが、対向基板２０側の共通電極２１を本発明に係る透明導電膜により形成してもよいのは勿論である。またさらに、液晶装置の外面側に設けられる帯電防止膜として本発明に係る透明導電膜を用いてもよい。

また本実施形態では、高温ポリシリコン膜や低温ポリシリコン膜を半導体層とするＴＦＴ３０について説明したが、薄膜トランジスタを構成する半導体層は、アモルファスシリコン膜であってもよい。また、薄膜トランジスタの構造についても、本実施形態のトップゲート構造に限定されず、ボトムゲート構造も採用でき、複数のゲートを備えた構造であってもよい。

さらに、本実施形態では、垂直配向方式の液晶装置１００について説明しているが、ＴＮ方式、ＳＴＮ方式のほか、ＩＰＳ、ＦＦＳ等の横電界方式などの動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモード等の表示モードを変更してもよいのは勿論である。

また、本実施形態では、電気光学装置の一例として液晶装置を挙げて説明したが、電気光学装置としては、例えば、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に応用が可能である。

有機ＥＬ表示装置は、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して励起させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが再結合する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。

そして、本発明の薄膜トランジスタが形成されたＴＦＴアレイ基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラー有機ＥＬ表示装置を製造することができる。

さらに、本発明の薄膜トランジスタは、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。

（液晶装置の製造方法）
次に、液晶装置（電気光学装置）１００の製造方法について図面を参照して説明する。本発明に係る製造方法は、画素電極９及び共通電極２１を形成する工程に特徴を有している。その他の部分を形成する工程については従来公知の方法を採用することができる。なお、画素電極９及び共通電極２１を形成する工程は同一であるので、以下では、特に画素電極９を形成する工程について説明することとする。

図５及び図６は、画素電極９の形成工程を概念的に示す図である。基板本体１０Ａ上には、図３に示したようにＴＦＴ３０や層間絶縁膜４，７等が形成されているが、図５及び図６中では簡単のため図示を一部省略している。

画素電極９の形成工程は、図５に示すように、導電性微粒子１１を含有する第１の液体材料Ｌａを基板本体１０Ａ上に配置する工程（図５（ａ））と、基板本体１０Ａ上の第１の液体材料Ｌａを加熱処理して、第１の液体材料Ｌａの乾燥膜４０ａを形成する第１の焼成工程（図５（ｂ））と、乾燥膜４０ａを加熱処理して、乾燥膜４０ａ中の導電性微粒子１１を融着固化させ、固化膜４１ａを形成する第２の焼成工程（図５（ｃ））と、を有している。さらに、図６に示すように、固化膜４１ａ上にさらに第２の液体材料Ｌｂを吐出配置する工程（図６（ａ））と、固化膜４１ａ上の第２の液体材料Ｌｂを加熱処理して第２の液体材料Ｌｂの乾燥膜４０ｂを形成する第３の焼成工程（図６（ｂ））と、乾燥膜４０ｂをさらに加熱処理して固化膜４１ｂを形成する第４の焼成工程（図６（ｃ））と、基板本体１０Ａ上の固化膜４１ａ及び固化膜４１ｂを一括焼成して第１の導電層９ａと第２の導電層９ｂとの積層膜からなる画素電極９を形成する第５の焼成工程（図６（ｄ））と、を有している。

なお、図５及び図６に示す画素電極９の形成工程は、ほんの一例であり、液体材料Ｌａ、Ｌｂの性状や形成する画素電極９の構成に応じて工程の一部を変更することができるのは勿論である。例えば、本実施形態の工程では、第１の液体材料Ｌａの固化膜４１ａを形成した後、第２の液体材料Ｌｂの固化膜４１ｂを形成しているが、第１の液体材料Ｌａから液体成分を除去した乾燥膜４０ａ上に、第２の液体材料Ｌｂを吐出配置し、これらを一括して焼成してもよい。あるいは、第１の液体材料Ｌａの固化膜４１ａを加熱処理して第１の導電層９ａを基板本体１０Ａ上に形成した後、第１の導電層９ａ上に第２の液体材料Ｌｂを吐出配置し、これを乾燥、焼成して第２の導電層９ｂを形成してもよい。

また、選択する製造工程によっては、第２の液体材料Ｌｂを基板本体１０Ａ上に配置したとき、先に配置されている第１の液体材料Ｌａの導電性微粒子と、後から配置された第２の液体材料Ｌｂの導電性微粒子とが混ざり合うことも考えられる。しかし本発明では、第１の導電層９ａ、第２の導電層９ｂはいずれもＩＴＯ膜であるため、第１の液体材料Ｌａの導電性微粒子と、第２の液体材料Ｌｂの導電性微粒子とが若干量混ざり合ったとしても、得られる画素電極９の特性に大きく影響することはない。

第１の液体材料Ｌａ及び第２の液体材料Ｌｂは、導電性微粒子１１を有機溶媒等の分散媒に分散させたスラリーからなるものである。本実施形態の場合、導電性微粒子１１として、所定の組成で調製したＩｎ−Ｓｎ合金の微粒子を用いている。導電性微粒子１１の平均一次粒子径は２０ｎｍであり、１ｎｍ〜５０ｎｍ程度の範囲とすることが好ましい。導電性微粒子１１の表面には、分散媒に分散させて液体材料を調製した際の微粒子の凝集を防止する目的で、分散剤としての有機物がコーティングされていてもよい。また導電性微粒子１１としては、Ｉｎ粒子とＳｎ粒子とを所定の組成比で混合したものを用いることもできる。

Ｉｎ−Ｓｎ合金の組成、ないしＩｎ粒子とＳｎ粒子との混合比は、形成する第１の導電層９ａ、及び第２の導電層９ｂにおける錫濃度に応じて調整する。

先に記載のように、画素電極９を構成する第１の導電層９ａ及び第２の導電層９ｂは、いずれもＩＴＯ膜であるが、その錫濃度において異なるものとなっており、第１の導電層９ａの錫濃度が第２の導電層９ｂの錫濃度よりも高くなっている。したがって、第１の液体材料Ｌａ及び第２の液体材料Ｌｂについても、形成する導電層９ａ、９ｂの錫濃度に応じて導電性微粒子１１の錫濃度が異ならされたものとされる。

例えば、第１の導電層９ａとして、錫濃度が５％以上１５％以下である第２ＩＴＯ膜を形成する場合には、錫濃度を５％以上１５％以下に調製されたＩｎ−Ｓｎ合金からなる導電性微粒子の分散液を第１の液体材料Ｌａとして用いる。あるいは、Ｉｎ粒子とＳｎ粒子との混合比率において錫濃度が５％以上１５％以下に調製された分散液を用いる。

また第２の液体材料Ｌｂについても、同様に錫濃度が調整される。例えば第２の導電層９ｂとして錫濃度が５％未満である第１ＩＴＯ膜を形成する場合には、錫濃度を５％未満に調製されたＩｎ−Ｓｎ合金からなる導電性微粒子の分散液を第２の液体材料Ｌｂとして用いる。あるいは、Ｉｎ粒子とＳｎ粒子との混合比率において錫濃度が５％未満に調製された分散液を用いる。

なお、液体材料Ｌａ、Ｌｂとしては、あらかじめ目的とする組成（Ｓｎ含有率）で形成したＩＴＯ微粒子の分散液や、インジウム又は錫の無機塩、あるいは有機塩の溶液を用いることもできる。ＩｎとＳｎとの組成比において所望の比率が得られるものであれば、従来から知られているＩＴＯ膜形成用の液体材料を用いることができ、公知の液体材料について材料組成を変更したものでもよい。

次に、液体材料Ｌａ、Ｌｂを構成する分散媒としては、導電性微粒子１１を良好に分散させ、凝集を起こさないものであればよく、沸点が２４０℃程度以下（より好ましくは１８０℃程度以下）のものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、導電性微粒子１１の分散性と液体材料の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。

液体材料Ｌａ、Ｌｂの表面張力は０．０２Ｎ／ｍ〜０．０７Ｎ／ｍの範囲内であることが好ましい。後述する液滴吐出法にて液体材料を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、液体材料のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体材料の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。前記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。

また、液体材料Ｌａ、Ｌｂの粘度は１ｍＰａ・ｓ〜５０ｍＰａ・ｓであることが好ましい。液滴吐出法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるだけでなく、液滴の吐出量が減少する。

ところで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ^２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。

また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。本実施形態では、上記のピエゾ素子を用いる電気機械変換方式にて液滴吐出工程を行った。

以下に、画素電極９を形成する工程を具体的に説明する。

まず、図５（ａ）に示すように、図示略の液滴吐出装置に備えられた吐出ヘッドＨから、第１の導電層９ａを形成するための第１の液体材料Ｌａを吐出し、基板本体１０Ａ上に配置する。画素電極９のうち下層側に配される第１の導電層９ａは、画素コンタクトホール８を介してＴＦＴ３０に導通されるため（図４（ａ）参照）、第１の液体材料Ｌａは画素コンタクトホール８内に埋め込まれる。

なお、液滴吐出法を用いる場合に、基板本体１０Ａ上には液体材料の仕切部材としてのバンク（隔壁）を形成することが好ましい。バンクにより区画された領域に液体材料を配置することで、基板本体１０Ａ上に所望の平面形状の画素電極９を形成することができる。

第１の液体材料Ｌａを基板本体１０Ａ上に吐出配置したならば、図５（ｂ）に示すように、基板本体１０Ａ上の第１の液体材料Ｌａを加熱処理することで、第１の液体材料Ｌａ中の分散媒（液体成分）を除去して乾燥膜４０ａを得る（第１の焼成工程）。かかる第１の焼成工程では、液体成分の除去とともに、導電性微粒子１１の酸化を極力防止しつつ導電性微粒子１１をコーティングしている分散剤を分解する。

第１の焼成工程は、酸素濃度が０．５〜５．０ｐｐｍに設定された雰囲気下で行われる。あるいは、常圧下で、Ｎ_２ガスやＡｒガス、及びこれら希ガスとＨ_２ガスとの混合ガスの雰囲気で行ってもよいし、大気減圧下で、Ｎ_２ガスやＡｒガス、及びこれら希ガスとＨ_２ガスとの混合ガスの雰囲気で行ってもよい。

本実施形態における具体的な処理条件は以下の通りである。第１の液体材料Ｌａの分散媒には、沸点が２２０℃以下となるものを用いおり、第１の焼成工程の処理条件は、常圧でＨ_２ガス／Ｎ_２ガスの混合ガス（Ｈ_２濃度１％）雰囲気、酸素濃度５ｐｐｍ、加熱温度２２０℃、加熱時間１時間、である。

次に、図５（ｃ）に示すように、乾燥膜４０ａを加熱処理して、乾燥膜４０ａ中の導電性微粒子１１を融着固化させ、固化膜４１ａを形成する（第２の焼成工程）。第２の焼成工程によって、導電性微粒子１１の溶着を進行させ、画素電極における膜密度を上げるとともに、その結晶性を高めることができる。

第２の焼成工程は、酸素濃度が０．１〜１．０ｐｐｍに設定された雰囲気下で行われる。第２の焼成工程はまた、常圧下で、Ｎ_２ガスやＡｒガス、及びこれら希ガスとＨ_２ガスとの混合ガスの雰囲気で行われるのが好ましい。

本実施形態における第２の焼成工程の具体的な処理条件は、常圧でＨ_２ガス／Ｎ_２ガスの混合ガス（Ｈ_２濃度１％）雰囲気、酸素濃度１ｐｐｍ、加熱温度３５０℃、加熱時間１時間、である。

次に、図６（ａ）に示すように、液滴吐出装置を用いて、第２の導電層９ｂを形成するための第２の液体材料Ｌｂを、固化膜４１ａ上に選択的に配置する。このとき、基板本体１０Ａ上にバンクが形成されていれば、第２の液体材料Ｌｂの選択配置についても極めて容易に行うことができる。また、導電性微粒子１１の焼結体である固化膜４１ａは、空隙を含んだ低密度の膜であるため、第２の液体材料Ｌｂを配置したときに液滴を保持しやすく、第２の液体材料Ｌｂが固化膜４１ａの外側に濡れ広がってしまうのを防止することができる。

次に、図６（ｂ）に示すように、基板本体１０Ａ上の第２の液体材料Ｌｂを加熱処理することで、第２の液体材料Ｌｂ中の分散媒（液体成分）を除去し、乾燥膜４０ｂを得る（第３の焼成工程）。かかる第３の焼成工程により、第２の液体材料Ｌｂ中の導電性微粒子の分散剤が除去される。この第３の焼成工程の処理条件は、第２の液体材料Ｌｂの種類が第１の液体材料Ｌａと同様のものである場合には、第１の焼成工程（図５（ｂ））と同様の条件でよい。

次に、図６（ｃ）に示すように、基板本体１０Ａ上の乾燥膜４０ｂを加熱処理することで、乾燥膜４０ｂ中の導電性微粒子を融着固化させ、固化膜４１ｂを形成する（第４の焼成工程）。かかる第４の焼成工程における処理条件も、第２の液体材料Ｌｂが第１の液体材料Ｌａと同様のものであれば、上述した第２の焼成工程と同様の条件とすることができる。

次に、図６（ｄ）に示すように、基板本体１０Ａ上に積層された固化膜４１ａ及び固化膜４１ｂを、酸素含有雰囲気（酸素濃度１０％以上）中で加熱処理することで、これらを構成する導電性微粒子（Ｉｎ−Ｓｎ合金）を酸化させて透明導電膜に変換し、固化膜４１ａを変換してなる第１の導電層９ａと、固化膜４１ｂを変換してなる第２の導電層９ｂとの積層膜からなる画素電極９を形成する（第５の焼成工程）。第５の焼成工程において、固化膜４１ａ、４１ｂはそれぞれ所定の組成に調製されたＩｎ−Ｓｎ合金からなるものとされているので、固化膜４１ａと固化膜４１ｂとを酸化させることで、所望の膜特性を具備した第１の導電層９ａと第２の導電層９ｂとからなる画素電極９を形成することができる。本実施形態における具体的な処理条件は、大気中加熱、加熱温度２５０℃、加熱時間１時間、である。

以上の工程により、画素電極９を形成したならば、その後、画素電極９を覆って配向膜を形成することで、ＴＦＴアレイ基板１０を作製することができる。

また、画素電極９として、図４（ｂ）に示した構成のものを形成する場合には、上記第１の導電層９ａを形成する工程において、第１の液体材料Ｌａを画素コンタクトホール８内に選択的に配置する。そして、この第１の液体材料Ｌａを乾燥固化すれば、画素コンタクトホール８内のみに選択的に形成された固化膜（４１ａ）が得られる。その後、第２の液体材料Ｌｂを画素電極９の平面領域に対応する領域に吐出配置し、これを乾燥固化させて固化膜（４１ｂ）とした後、これらの固化膜を酸素雰囲気下で焼成する。そうすると、図４（ｂ）に示したように、画素コンタクトホール８内にのみ第１の導電層９ａが形成され、かかる第１の導電層９ａを覆って第２の導電層９ｂが形成された画素電極９を得ることができる。

以上説明した工程により、ＴＦＴアレイ基板１０を製造することができる。そして、別途公知の製造方法により作成した対向基板２０を用意し、ＴＦＴアレイ基板１０上にシール材１５２を描画した後、シール材１５２に囲まれる領域に液晶を配置してＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０を貼り合わせる。その後シール材１５２を硬化させれば、液晶装置１００を製造することができる。

本実施形態の製造方法によれば、画素コンタクトホール８が貫設された第３層間絶縁膜７上に、錫濃度の異なる第１の導電層９ａと第２の導電層９ｂとを順次液滴吐出法により形成するので、極めて容易に効率よく、部位により異なる特性を有する画素電極９を形成することができる。そして、得られる画素電極９は、半導体層１ａとのコンタクト部に低抵抗の第１の導電層９ａが形成されており、表面側には化学的安定性に優れた第２の導電層９ｂが形成されたものとなるので、電気特性及び信頼性に優れた画素電極となる。また、液滴吐出法を用いているので、材料の無駄が無く低コストに画素電極９を形成できる。したがって本実施形態の製造方法によれば、明るく高コントラストの表示が可能で、信頼性にも優れた液晶装置を安価に製造することができる。

また、本実施形態の場合、液滴吐出法を用いて画素電極９を形成しているので、画素コンタクトホール８内に画素電極９の一部を充填して形成することができる。したがって、スパッタ法などの気相成膜法を用いた場合に比して、画素コンタクトホール内の膜の付き回りが極めて良好であり、コンタクト部分における電気的信頼性にも優れた画素電極となる。

（プロジェクタ）
次に、本発明の電子機器の一実施形態としてのプロジェクタについて、図７を用いて説明する。図７は、プロジェクタの要部を示す概略構成図である。このプロジェクタは、前記実施形態に係る液晶装置を光変調手段として備えたものである。

図７において、８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は本発明の液晶装置からなる光変調手段、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投射レンズである。光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。

ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、赤色光用光変調手段８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、緑色光用光変調手段８２３に入射される。さらに、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９および出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられている。この導光手段８２１を介して、青色光が青色光用光変調手段８２４に入射される。

各光変調手段８２２、８２３、８２４により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投影され、画像が拡大されて表示される。

このような構成からなるプロジェクタは、前記の液晶装置１００を光変調手段として備えている。したがって、高画質の表示が可能で、信頼性に優れたプロジェクタとなっている。

なお、本発明の技術的範囲は、前述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、前述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。例えば、前記実施形態ではスイッチング素子としてＴＦＴを備えた液晶装置を例にして説明したが、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode）等の二端子型素子を備えた液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、前記実施形態では透過型液晶装置を例にして説明したが、反射型液晶装置に本発明を適用することも可能である。

また、前記実施形態ではＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置を例示して説明したが、ＴＮ（Twisted Nematic）モードの液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、実施形態では３板式の投射型表示装置（プロジェクタ）を例にして説明したが、単板式の投射型表示装置や直視型表示装置に本発明を適用することも可能である。

また、本発明の液晶装置を、プロジェクタ以外の電子機器に適用することも可能である。その具体例として、携帯電話を挙げることができる。この携帯電話は、前述した各実施形態またはその変形例に係る液晶装置を表示部に備えたものである。また、その他の電子機器としては、例えばＩＣカード、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。

実施形態に係る液晶装置の平面図及び等価回路図。液晶装置の画素平面図。図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図。実施形態に係る画素電極の部分断面構成図及びその変形例。液晶装置の製造工程図。液晶装置の製造工程図。電子機器の一例であるプロジェクタを示す図。

符号の説明

１００液晶装置（電気光学装置）、１０ＴＦＴアレイ基板、２０対向基板、３０ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、８画素コンタクトホール、９画素電極（透明導電膜、透明電極）、９ａ第１の導電層、９ｂ第２の導電層、Ｌａ第１の液体材料、Ｌｂ第２の液体材料、

Claims

インジウム錫酸化物を主成分とし、インジウム原子と錫原子の合計原子数に対する錫原子数の比率である錫濃度が異なる複数の部位を有することを特徴とする透明導電膜。
相対的に高い前記錫濃度を有する導電層と、相対的に低い前記錫濃度を有する導電層とを積層した膜構造を有することを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜。
他の導電部材と電気的に接続される部位に、他の領域よりも前記錫濃度の高い領域が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の透明導電膜。
前記錫濃度の高い領域における前記錫濃度が５％以上１５％以下であることを特徴とする請求項３に記載の透明導電膜。
当該透明導電膜の最表面に、他の領域よりも前記錫濃度の低い領域が形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の透明導電膜。
前記錫濃度の低い領域における前記錫濃度が、インジウム原子と錫原子の合計原子数に対する錫原子数の比率で、５％未満であることを特徴とする請求項６に記載の透明導電膜。
インジウム錫酸化物を主成分とする透明導電膜の製造方法であって、
第１の組成を有する第１の液体材料を基体上に配置する工程と、
前記基体上の第１の液体材料を乾燥固化させて第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層上に、前記第１の組成に対して錫濃度が低い第２の組成を有する第２の液体材料を配置する工程と、
前記第１の導電層上の第２の液体材料を乾燥固化させて第２の導電層を形成する工程と、
を有することを特徴とする透明導電膜の製造方法。
前記第１の導電層を前記第２の導電層よりも狭い平面領域に形成し、前記第１の導電層を覆って前記第２の導電層を形成することを特徴とする請求項７に記載の透明導電膜の製造方法。
基板上に、電気光学物質と、該電気光学物質に電圧を印加する透明電極とを具備した電気光学装置であって、
前記透明電極が、インジウム錫酸化物を主成分とするとともに、インジウム原子と錫原子との合計原子数に対する錫原子数の比率である錫濃度において異なる複数の部位を有していることを特徴とする電気光学装置。
前記透明電極が、相対的に高い前記錫濃度を有する導電層と、相対的に低い前記錫濃度を有する導電層とを積層した膜構造を有することを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
前記基板上に、前記透明電極と接続された導電部材が設けられており、
前記透明電極の前記導電部材と接続される部位に、他の領域よりも前記錫濃度が高い領域が形成されていることを特徴とする請求項９又は１０に記載の電気光学装置。
前記透明電極の最表面に、他の領域よりも前記錫濃度の低い領域が形成されていることを特徴とする請求項９から１１のいずれか１項に記載の電気光学装置。
基板上に、電気光学物質と、該電気光学物質に電圧を印加する透明電極とを具備した電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上の第１の液体材料を乾燥固化させて固化膜を形成する工程と、
前記固化膜上に、前記第１の組成に比して低い錫濃度の第２の組成を有する第２の液体材料を配置する工程と、
前記固化膜上の第２の液体材料を乾燥固化させる工程と、
前記第１及び第２の液体材料の固化膜を焼成して透明電極に変換する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
基板上に、電気光学物質と、該電気光学物質に電圧を印加する透明電極とを具備した電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上の第１の液体材料を乾燥固化させて第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層上に、前記第１の組成に比して低い錫濃度の第２の組成を有する第２の液体材料を配置する工程と、
前記第１の導電層上の第２の液体材料を乾燥固化させて第２の導電層を形成する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
前記第１の液体材料を配置するに先立って、前記基板上に導電部材を形成する工程と、前記導電部材を覆う絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を貫通して前記導電部材に達する貫通孔を形成する工程と、を有しており、
前記基板上に第１の液体材料を配置するに際して、当該第１の液体材料を前記貫通孔内に選択的に配置することを特徴とする請求項１３又は１４に記載の電気光学装置の製造方法。
請求項１から６のいずれか１項に記載の透明導電膜を備えたことを特徴とする電子機器。
請求項９から１２のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。