KR100816334B1 - 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조과정은 다음과 같다. 게이트 배선을 형성하고, 그 위에 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성한다. 다음, 게이트 절연막 위에 반도체층 및 저항성 접촉층을 차례로 형성한다. 다음, 하나의 감광막 패턴을 이용하여 데이터선과 이 데이터선에 연결되어 있으며 반도체층 상부에 형성되어 있는 소스 전극과 게이트 전극을 중심으로 소스 전극과 마주하는 반도체층 상부에 형성되어 있는 드레인 전극과 이 드레인 전극에서 연장되어 형성된 반사판을 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 다음, 데이터 배선 및 반도체층을 덮는 컬러 필터를 형성한다. 다음, 컬러 필터에 드레인 전극 또는 반사판을 노출시키는 하나 또는 두개의 접촉 구멍을 형성한다. 다음, 반사판에 연결되는 투명 화소 전극을 형성한다.
커플링, 저항성 접촉층, 반사판, 유지용량, 감광막
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 도시한 배치도이고,
도 2는 도 1의 II-II'선에 대한 단면도이고,
도 3a 내지 도 11b는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 공정도이다.
본 발명은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 반사형 및 투과형 모드를 함께 가지는 액정표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중의 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 유리 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져 있으며, 두 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열 시켜 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
액정 표시 장치의 한 기판은 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터를 가지며, 이러한 박막 트랜지스터 기판에는 박막 트랜지스터 외에도 게이트선과 외부로부터 신호를 인가받아 게이트선에 전달하는 게이트 패드 등을 포함하는 게이트 배선, 데이터선과 외부로부터 신호를 인가받아 데이터선으로 전달하는 데이터 패드 등을 포함하는 데이터 배선, 데이터 배선과 전기적으로 연결되어 있으며 그 상부에 위치하여 데이터 배선으로부터 신호를 받는 화소전극이 형성되어 있다.
이러한 박막 트랜지스터 기판에는 데이터 배선과 화소전극간의 커플링 (coupling)을 없애도록 데이터 배선과 화소전극 사이에 낮은 유전율을 갖는 유기 절연막을 형성하는 것이 일반적이다.
또한, 최근에는 휴대용 전화 등에 이용되는 중소형 액정 표시 장치의 수요가 급증하면서, 이러한 용도로 사용되는 액정 표시 장치의 사용시간을 늘리기 위하여 전력 소비를 최소화 할 수 있도록, 백라이트(backlight)를 필요로 하는 투과형 모드와 백라이트 없이 외부의 자연광 등을 반사시켜 볼 수 있게 하는 반사형 모드를 모두 적용시킨 반사 투과 복합형 모드가 필요한 실정이다. 또, 최대의 개구율 확보를 위하여 박막 트랜지스터 기판 상에 컬러 필터를 형성하기도 한다.
그러나, 이러한 반사 투과 복합형 박막 트랜지스터 기판을 제조하기 위해서는 유기 절연막 공정과 함께 반사전극을 형성하는 공정이 추가되며 또한, 최대의 개구율 확보를 위하여 박막 트랜지스터 기판 상에 컬러 필터를 형성할 경우는 컬러 필터의 공정까지 추가되어 공정 과정이 상당히 복잡한 문제가 있다.
따라서, 이러한 박막 트랜지스터 기판을 제조하기 위해서는 통상 5∼6매 마스크를 이용하는 사진식각 공정이 요구되는데, 가격 경쟁력을 가지기 위해 제조 공정을 단순화하는 것이 바람직하다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 최대 개구율 확보와 데이터 배선과 화소 전극간의 커플링을 막기 위해 컬러 필터를 가지는 반사 투과 복합형 모드의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 공정을 단순화하는 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에서는 데이터 배선과 화소 전극 사이에 보호막을 대신하여 낮은 유전율을 가지는 유기물질로 이루어진 컬러 필터를 형성하고, 데이터 배선과 동일한 층에 반사판을 형성하며, 이러한 데이터 배선 및 반도체층을 한번의 사진 식각 공정으로 형성한다.
구체적으로, 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조는 다음과 같다. 절연 기판 위에 형성된 게이트선과 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있다. 게이트 배선 상부에는 게이트 절연막이 형성되어 있다. 게이트 절연막 위에는 반도체층이 형성되어 있고, 반도체층 위에는 저항성 접촉층이 형성되어 있다. 그 위로 게이트 배선과 교차하여 매트릭스 배열의 화소 영역을 이루는 데이터선과 데이터선에 연결되어 있으며 반도체층 상부에 형성되어 있는 소스 전극과 게이트 전극을 중심으로 소스 전극과 마주 하는 반도체층 상부에 형성되어 있는 드레인 전극과 드레인 전극에서 연장되어 형성된 반사판을 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다. 데이터 배선 및 게이트 절연막 위에는 드레인 전극 또는 반사판을 드러내는 제 1 접촉 구멍을 갖는 컬러 필터가 형성되어 있다. 컬러 필터 위에는 화소 전극이 형성되어 있다.
이때, 반사판은 화소 중앙부에 위치하며 열 방향으로 길게 형성된 것이 바람직하다.
한편, 게이트 배선은 게이트선의 끝단에 연결되는 게이트 패드를 더 포함하고, 데이터 배선은 데이터선의 끝단에 연결되는 데이터 패드를 더 포함할 수 있다.
컬러 필터는 게이트 절연막과 함께 게이트 패드를 노출시키는 제 2 접촉 구멍 및 데이터 패드를 노출시키는 제 3 접촉 구멍을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 박막 트랜지스터 기판은 화소 전극과 동일한 층으로 형성되어 상기 제 2 접촉 구멍을 통하여 상기 게이트 패드를 덮는 보조 게이트 패드 및 상기 제 3 접촉 구멍을 통하여 상기 데이터 패드를 덮는 보조 데이터 패드를 더 포함할 수 있다.
또, 상기 반사판의 끝 부분이 이웃하는 화소행의 게이트선과 중첩되도록 하는 것이 바람직하다.
이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은 다음과 같다. 먼저, 게이트 배선을 형성하고 상기 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성한다. 상기 게이트 절연막 위에 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층 위에 저항성 접촉층을 형성한다. 다음, 데이터선과 상기 데이터선에 연결되어 있으며 상기 반도체층 상부에 형성되어 있는 소스 전극과 상기 게이트 전극을 중심으로 상기 소스 전극과 마주하는 상기 반도체층 상부에 형성되어 있는 드레인 전극과 상기 드레인 전극에서 연장되어 형성된 반사판을 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 다음, 상기 데이터 배선 및 상기 반도체층을 덮는 컬러 필터를 형성한다. 상기 컬러 필터에 상기 드레인 전극 또는 상기 반사판을 노출시키는 접촉 구멍을 형성한다. 다음, 상기 반사판에 연결되는 투명 화소 전극을 형성한다.
이때, 상기 데이터 배선, 상기 저항성 접촉층 및 상기 반도체층을 하나의 감광막 패턴을 사용하여 함께 형성한다.
또한, 상기 화소 전극은 습식 식각으로 패터닝하는 것이 바람직하다.
그러면, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.
먼저, 도 1 내지 도 2를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 도시한 배치도이고, 도 2는 도 1에서 II-II' 선에 대한 단면도이다.
도 1 및 도 2에서와 같이, 절연 기판(10) 위에 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy), 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴-텅스텐 합금(MoW), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 등의 금속 또는 도전체로 이루어진 게이트 배선(21, 22, 23)이 형성되어 있다. 게이트 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(21), 게이트선(21)의 일부인 게이트 전극(22), 게이트선(21)의 끝에 연결되어 외부로부터 주사 신호를 인가받아 게이트선(21)으로 전달하는 게이트 패드(23)를 포함한다.
게이트 배선(21, 22, 23) 위에는 질화 규소(SiNX) 따위로 이루어진 게이트 절연막(30)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(30) 위에는 비정질 규소 따위의 반도체로 이루어진 반도체층 (41)이 형성되어 있으며, 반도체층(41) 위에는 인(P)과 같은 n형 불순물이 도핑되어 있는 비정질 규소 따위의 반도체로 이루어진 저항성 접촉층(52, 53)이 게이트 전극(22)을 중심으로 양쪽으로 분리되어 형성되어 있다.
저항성 접촉층(52, 53) 위에는 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴-텅스텐 합금, 크롬, 탄탈륨 등의 금속 또는 도전체로 이루어진 데이터 배선(61, 62, 63, 64, 66)이 형성되어 있다. 데이터 배선은 세로 방향으로 뻗어 있는 데이터선(61), 데이터선(61)의 일부인 소스 전극(62), 게이트 전극(22)을 중심으로 소스 전극(62)과 마주하는 드레인 전극(63), 드레인 전극에서 연장되어 화소 중앙에 위치하는 반사판(64), 데이터선(61)에 연결되어 외부로부터 화상 신호를 인가받아 데이터선(61)에 전달하는 데이터 패드(66)를 포함한다. 여기서, 반사판 (64)은 데이터선(61)과의 단락을 방지하기 위해 화소 중앙부에 위치하며 화소열 방향으로 길게 형성되어 있다. 또한, 이웃하는 화소행의 게이트선(21)과 중첩되어 유지 용량을 형성한다. 한편, 이러한 반사판(64)이 이웃하는 화소행의 게이트선(21)과 중첩되어 생성된 유지 용량만으로 그 용량이 부족한 경우에는 게이 트 배선과 동일한 층으로 유지 용량용 배선을 형성할 수 있다.
데이터 배선(61, 62, 63, 64, 66)의 하부에 위치하는 저항성 접촉층(52, 53)은 데이터 배선과 동일한 패턴으로 이루어지며, 저항성 접촉층(52, 53)의 하부에 위치하는 반도체층(41)은 데이터 배선과 동일한 패턴에 소스 전극(62)과 드레인 전극(63)의 사이에 위치하여 박막 트랜지스터의 채널(C)로 정의되는 부분이 더하여 이루어진다.
데이터 배선(61, 62, 63, 64, 66) 및 게이트 절연막(30) 위에는 R(적색), G(녹색), B(청색) 컬러 필터(70)가 형성되어 있다.
여기서 컬러 필터(70)는 각 화소열마다 양끝이 중첩되어 있어, 블랙 매트릭스를 따로 형성하지 않을 수 있다. 또한, 컬러 필터(70)는 데이터 배선(61, 62, 63)과 후술하는 화소 전극(80)간의 커플링(coupling)을 막아주는 보호막의 역할을 하며, 드레인 전극(63) 또는 반사판(64)을 드러내는 두 개의 접촉 구멍(71, 72)이 형성되어 있다. 또한, R, G, B 별 컬러 필터가 형성되는 화소 부분을 벗어난 게이트 패드(23) 및 데이터 패드(64)를 포함하는 패드부에는 Blue 컬러 필터를 형성하는 것이 바람직하다. 이때, 패드부의 컬러 필터(70)에는 게이트 패드(23) 및 데이터 패드(64)를 각각 드러내는 접촉 구멍(73, 74)이 형성되어 있다.
컬러 필터(70) 위에는 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와 같은 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극(80)이 접촉 구멍(71, 72)을 통하여 드레인 전극(63) 및 반사판(64)을 덮도록 형성되어 있다.
패드부 상부에 위치하는 컬러 필터(70) 위에는 화소 전극(80)과 같은 물질로 이루어진 보조 게이트 패드(83) 및 보조 데이터 패드(84)가 접촉 구멍(73, 74)을 통하여 게이트 패드(23)와 데이터 패드(64)를 덮도록 형성되어 있다.
그러면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 대하여 도 3a 내지 도 11b, 앞서의 도 1 내지 도 2를 참조하여 설명한다.
먼저, 도 3a 및 도 3b에서와 같이, 절연 기판(10) 위에 게이트 배선용 도전체 또는 금속을 스퍼터링 따위의 방법으로 1,000Å 내지 3,000Å의 두께로 증착하고 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 게이트선(21), 게이트 전극(22) 및 게이트 패드(23)를 포함하는 게이트 배선을 형성한다. 여기서, 게이트 배선은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy) 등의 비저항이 낮은 물질로 이루어진 단일막 또는 크롬(Cr) 등의 물리 화학적 특성이 우수한 물질을 더하여 이중막으로 형성할 수 있다.
다음, 도 4에 보인 바와 같이, 게이트 배선(22, 24, 26, 28) 및 기판(10) 위에 게이트 질화 규소와 같은 절연 물질을 증착하여 게이트 절연막(30)을 형성한다.
이어, 도 5a 및 도 5b에서와 같이, 게이트 절연막(30) 위에 데이터선(61), 데이터 패드(66), 소스 전극(62) 및 드레인 전극(63), 반사판(64)을 포함하는 데이터 배선(61, 62, 63, 64, 66), 그 하부에 위치하여 데이터 배선(61, 62, 63, 64, 66)과 동일한 패턴으로 이루어지는 저항성 접촉층(52, 53) 및 데이터 배선(61, 62, 63, 64, 66)과 동일한 패턴에 소스 전극(62)과 드레인 전극(63)의 사이에 위치하여 박막 트랜지스터의 채널(C)로 정의되는 부분이 더하여 이루어지는 반도체 패턴(41) 을 형성한다.
여기서, 하나의 저항성 접촉층(52)은 드레인 전극(63), 반사판(64)의 하단과 접촉되어 있고, 다른 하나의 저항성 접촉층(55)은 소스 전극(65), 데이터선(62) 및 데이터 패드(64)의 하단과 접촉되어 있다.
이러한 데이터 배선(61, 62, 63, 64, 66), 저항성 접촉층(52, 53) 및 반도체 패턴(41)은 하나의 감광막 패턴을 사용하여 형성하는데, 이를 도 6내지 도 10을 참조하여 자세히 설명한다.
우선, 도 6에서와 같이, 게이트 절연막(30) 위에 비정질 규소 따위의 반도체로 이루어진 반도체층(41)을 화학 기상 증착법을 이용하여 500 Å 내지 2,000 Å의 두께로 증착하고, 이 반도체층(41) 위에는 인(P)과 같은 n형 불순물이 도핑되어 있는 비정질 규소 따위의 반도체로 이루어진 저항성 접촉층(51)을 화학 기상 증착법을 이용하여 300 Å 내지 600 Å의 두께로 증착한다.
이어서, 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴-텅스텐 합금, 크롬, 탄탈륨 등의 금속 또는 도전체로 이루어진 데이터 배선용 도전층(60)을 스퍼터링 따위의 방법으로 1,500Å 내지 3,000Å의 두께로 증착한다. 그리고, 그 위에 감광막을 1 μm 내지 2 μm의 두께로 도포한다.
이어, 도 7과 같이 마스크를 통하여 감광막에 빛을 조사한 후, 현상하여 감광막 패턴(112, 114)을 형성한다. 이때, 감광막 패턴(112, 114)은 데이터 배선 부분(A)에 위치한 감광막의 제1 부분(112)이 박막 트랜지스터의 채널부(C), 즉 소스 전극(62)과 드레인 전극(63) 사이에 위치한 감광막의 제2 부분(114)보다 두껍게 되 도록 형성하며, 기타 부분(B)은 잔류하지 않도록 형성한다. 감광막의 제2 부분(114)의 감광막의 제1 부분(112)의 두께의 비는 후술할 식각 공정에서의 공정 조건에 따라 다르게 하여야 하되, 제2 부분(114)의 두께를 제 1 부분(112) 두께의 1/2 이하로 하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 부분적으로 다른 두께를 가지는 감광막 패턴은 부분적으로 다른 투과율을 가지는 하나의 마스크를 사용하여 형성한다. 빛 투과량을 조절하기 위하여 주로 슬릿(slit)이나 격자 형태의 패턴, 혹은 반투명막이 있는 마스크를 사용한다. 이때, 슬릿 사이에 위치한 패턴의 선 폭이나 패턴 사이의 간격, 즉 슬릿의 폭은 노광시 사용하는 노광기의 분해능보다 작은 것이 바람직하며, 반투명막을 이용하는 경우에는 마스크를 제작할 때 투과율을 조절하기 위하여 다른 투과율을 가지는 박막을 이용하거나 두께가 다른 박막을 이용할 수 있다.
이와 같은 마스크를 통하여 감광막에 빛을 조사하면 빛에 직접 노출되는 부분(C)에서는 고분자들이 완전히 분해되며, 슬릿 패턴이나 반투명막에 대응되는 부분(B)에서는 빛의 조사량이 적으므로 고분자들은 완전 분해되지 않은 상태이며, 차광막으로 가려진 부분(A)에서는 고분자가 거의 분해되지 않는다. 이때, 노광 시간을 길게 하면 모든 분자들이 분해되므로 그렇게 되지 않도록 해야 한다.
이와 같이 선택 노광된 감광막을 현상하면, 고분자 분자들이 분해되지 않은 부분만이 남고, 빛이 적게 조사된 중앙 부분에는 빛에 전혀 조사되지 않은 부분보다 얇은 두께의 감광막이 남는다.
다음, 도 8에 도시한 바와 같이, 감광막 패턴(112, 114)을 마스크로하여 기 타 부분(B)의 노출되어 있는 데이터 배선용 도전층(60)을 제거하여 그 하부의 저항성 접촉층(51)을 노출시킨다.
이렇게 하면, 채널부(C) 및 데이터 배선부(A)에 있는 데이터 배선용 도전층(60)만이 남고, 기타 부분(B)의 데이터 배선용 도전층(60)은 제거되어 그 하부에 위치하는 저항성 접촉층(51)이 드러난다.
다음, 도 9에 도시한 바와 같이, 기타 부분(B)의 노출된 저항성 접촉층(51) 및 그 하부의 반도체층(41)을 감광막의 제 2 부분(114)과 함께 건식 식각 방법으로 동시에 제거한다. 이 때의 식각은 감광막 패턴(112, 114)과 저항성 접촉층(51) 및 반도체층(41)이 동시에 식각되며 게이트 절연막(30)은 식각되지 않는 조건하에서 행하여야 하며, 특히 감광막 패턴(112, 114)과 반도체층(41)에 대한 식각비가 거의 동일한 조건으로 식각하는 것이 바람직하다. 예를 들어, SF6과 HCl의 혼합 기체나, SF6과 O2의 혼합 기체를 사용하면 거의 동일한 두께로 두 막을 식각할 수 있다.
감광막 패턴(112, 114)과 반도체층(41)에 대한 식각비가 동일한 경우, 감광막의 제 2 부분(114)의 두께는 반도체층(41)과 저항성 접촉층(51)의 두께를 합한 것과 같거나 그보다 작아야 한다.
이렇게 하면, 채널부(C)에 위치한 감광막의 제 2 부분(114)이 제거되어 채널부(C)의 데이터 배선용 도전층(60)이 드러나고, 기타 부분(B)의 저항성 접촉층(51) 및 반도체층(41)은 제거되어 그 하부의 게이트 절연막(30)이 드러난다. 한편, 데이터 배선부(A)의 감광막의 제 1 부분(112) 역시 식각되므로 두께가 얇아진다.
이어, 애싱(ashing)을 통하여 채널부(C)의 데이터 배선용 도전층(60) 표면에 남아 있는 감광막의 제 2 부분(114)의 잔류물을 제거한다.
다음, 도 10에 도시한 바와 같이, 남아 있는 감광막 패턴의 제 1 부분(112)을 마스크로하여 채널부(C)에 위치하는 데이터 배선용 도전층(60) 및 그 하부의 저항성 접촉층(51) 부분을 식각하여 제거한다.
이때, 반도체층(41)의 일부가 제거되어 두께가 작아질 수도 있으며 감광막 패턴의 제1 부분(112)도 어느 정도의 두께로 식각된다. 이때의 식각은 게이트 절연막(30)이 식각되지 않는 조건으로 행하여야 하며, 감광막 패턴의 제1 부분(112)이 식각되어 그 하부의 데이터 배선용 도전층(60)이 드러나는 일이 없도록 감광막 패턴이 두꺼운 것이 바람직함은 물론이다.
이렇게 하면, 데이터 배선용 도전층(60)의 일부가 식각되어 소스 전극(62)과 드레인 전극(63)이 분리되며 이를 포함하여 데이터선(61), 반사판(64), 데이터 패드(66)가 완성되고, 그 하부의 저항성 접촉층이(51, 52)이 완성된다.
마지막으로 데이터 배선부(A)에 남아 있는 감광막 패턴의 제1 부분(112)을 에싱 작업에 의하여 제거하면, 도 5a 및 도 5b에 보인 바와 같은 구조를 얻을 수 있다.
다음, 도 11a 및 도 11b에서와 같이, 컬러 필터(70)를 형성하고, 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 드레인 전극(63) 및 반사판(64), 게이트 패드(23), 데이터 패드(66)를 각각 드러내는 접촉 구멍(71, 72, 73, 74)을 형성한다. 이때, 컬러 필터를 각 화소열마다 양끝을 중첩시켜 형성하는 것이 바람직하다.
다음, 앞서의 도 1 내지 도 2에서와 같이, ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전 물질을 스퍼터링 따위의 방법으로 400Å 내지 500Å의 두께로 증착하고, 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 드레인 전극(63) 및 반사판(64)과 연결된 화소 전극(80), 접촉 구멍(73)을 통하여 게이트 패드(23)에 연결되는 보조 게이트 패드(83) 및 접촉 구멍(74)을 통하여 데이터 패드(66)와 연결된 보조 데이터 패드(84)를 패터닝하여 형성한다. 이때, 화소 전극 바로 아래에 위치하는 컬러 필터의 원치않는 식각을 막기 위해 화소 전극을 습식 식각으로 패터닝하는 것이 바람직하다.
이와 같이 본 발명에서는 반사 투과 복합형 모드 박막 트랜지스터 기판에서 반사판이 드레인과 이어지도록 하며, 이에 따른 데이터 배선과 화소 전극간의 커플링을 막기 위한 컬러 필터를 형성하도록 하여 최대 개구율을 확보할 수 있는 동시에 제조공정을 단순화할 수 있고, 따라서 생산성을 증대시킬 수 있다.
Claims (7)
- 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선과 상기 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선,상기 게이트 배선을 덮고 있는 게이트 절연막,상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체층,상기 반도체층 위에 형성되어 있는 저항성 접촉층,상기 게이트 배선과 교차하여 매트릭스 배열의 화소 영역을 이루는 데이터선과 상기 데이터선에 연결되어 있으며 상기 반도체층 상부에 형성되어 있는 소스 전극과 상기 게이트 전극을 중심으로 상기 소스 전극과 마주하는 상기 반도체층 상부에 형성되어 있는 드레인 전극과 상기 드레인 전극에서 연장되어 형성된 반사판을 포함하는 데이터 배선,상기 데이터 배선 및 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 상기 드레인 전극 또는 상기 반사판을 드러내는 제 1 접촉 구멍을 갖는 컬러 필터,상기 컬러 필터 위에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서,상기 반사판은 화소 중앙부에 위치하며 열 방향으로 길게 형성되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서,상기 게이트 배선은 게이트선의 끝단에 연결되는 게이트 패드를 더 포함하고,상기 데이터 배선은 데이터선의 끝단에 연결되는 데이터 패드를 더 포함하고,상기 컬러 필터는 상기 게이트 절연막과 함께 상기 게이트 패드를 노출시키는 제 2 접촉 구멍 및 상기 데이터 패드를 노출시키는 제 3 접촉 구멍을 더 포함하고,상기 화소 전극과 동일한 층으로 형성되어 상기 제 2 접촉 구멍을 통하여 상기 게이트 패드를 덮는 보조 게이트 패드 및 상기 제 3 접촉 구멍을 통하여 상기 데이터 패드를 덮는 보조 데이터 패드를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제2항에서,상기 반사판의 끝 부분이 이웃하는 화소행의 게이트선과 중첩된 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 절연 기판 위에 게이트선과 상기 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계,상기 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계,상기 게이트 절연막 위에 반도체층을 형성하는 단계,상기 반도체층 위에 저항성 접촉층을 형성하는 단계,데이터선과 상기 데이터선에 연결되어 있으며 상기 반도체층 상부에 형성되어 있는 소스 전극과 상기 게이트 전극을 중심으로 상기 소스 전극과 마주하는 상기 반도체층 상부에 형성되어 있는 드레인 전극과 상기 드레인 전극에서 연장되어 형성된 반사판을 포함하는 데이터 배선을 형성하는 단계,상기 데이터 배선 및 상기 반도체층을 덮는 컬러 필터를 형성하는 단계,상기 컬러 필터에 상기 드레인 전극 또는 상기 반사판을 노출시키는 접촉 구멍을 형성하는 단계,상기 반사판에 연결되는 투명 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.
- 제5항에서,상기 데이터 배선, 상기 저항성 접촉층 및 상기 반도체층을 하나의 감광막 패턴을 사용하여 함께 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제5항에서,상기 화소 전극은 습식 식각으로 패터닝하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
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