KR100814655B1 - 실리콘 웨이퍼 제조 방법 - Google Patents

실리콘 웨이퍼 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100814655B1
KR100814655B1 KR1020060079880A KR20060079880A KR100814655B1 KR 100814655 B1 KR100814655 B1 KR 100814655B1 KR 1020060079880 A KR1020060079880 A KR 1020060079880A KR 20060079880 A KR20060079880 A KR 20060079880A KR 100814655 B1 KR100814655 B1 KR 100814655B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
conveying blade
mounting surface
silicon wafer
vapor phase
Prior art date
Application number
KR1020060079880A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070024383A (ko
Inventor
가즈토시 이노우에
나오유키 와다
Original Assignee
가부시키가이샤 사무코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 사무코 filed Critical 가부시키가이샤 사무코
Publication of KR20070024383A publication Critical patent/KR20070024383A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100814655B1 publication Critical patent/KR100814655B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/005—Transport systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

웨이퍼를 열처리 또는 기상 상 성장시키기 위해서 배면의 센터 위치를 포함하는 웨이퍼의 특정 영역만을 탑재할 수 있는 탑재면을 갖는 컨베잉 블레이드를 이용해서 기상 상 성장 장치 또는 단일 웨이퍼 열처리 장치의 처리로 내로 또는 처리로로부터 (100) 면 실리콘 웨이퍼를 운반하고, <010> 또는 <001> 방향을 컨베잉 블레이드의 탑재면의 횡단 방향에 대해서 소정 각도로 시프트함으로써 실리콘 웨이퍼를 제조하는 방법.
컨베잉 블레이드, 기상 상 성장 장치. 단일 웨이퍼 열처리 장치

Description

실리콘 웨이퍼 제조 방법{PROCESS FOR PRODUCING SILICON WAFER}
도 1은 본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼 제조 공정을 수행하기에 적절한 기상 상 성장 장치의 개략도.
도 2는 <010> 노치 제품의 <011> 방향이 컨베잉 블레이드 (conveying blade) 의 횡단 방향 (d) 과 일치하도록, 처리로에서 가열되는 웨이퍼를 컨베잉 블레이드에 위치시킨 상태를 도시하는 도면이며, (a) 는 평면도 이고 (b) 는 측면도.
도 3은 본 발명에 따른 제조 방법의 설명도이며, 기상 상 성장 장치에서 컨베잉 블레이드의 탑재면 상에 위치된 실리콘 웨이퍼의 운반 상태를 도시한 도면.
도 4는 <010> 노치 제품의 <010> 방향이 컨베잉 블레이드의 횡단 방향 (d) 과 일치하도록, 처리로에서 가열되는 웨이퍼를 컨베잉 블레이드 상에 위치시킨 상태를 도시한 도면이며, (a) 는 평면도이고 (b) 는 측면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1: 기상 상 성장 장치 2: 처리로
3: 웨이퍼 4: 컨베잉 블레이드
5: 가열 수단 6: 서셉터
발명의 배경
1. 발명의 분야
본 발명은 웨이퍼가 처리로에서 고온으로 가열될 때, 컨베잉 블레이드의 탑재면으로부터 돌출되는 웨이퍼의 일부의 하방 만곡양을 특히 감소시킬 수 있는 실리콘 웨이퍼 제조 방법에 관한 것이다.
2. 관련 기술의 설명
종래의 (100) 면 실리콘 웨이퍼로서, <011> 방향을 나타내는 노치 위치를 갖는 제품 (이하, <011> 노치 제품이라 칭함) 이 주류이다.
최근, 디바이스의 속도를 증가시키려는 목적으로, <010> 또는 <001> 방향을 나타내는 노치 위치를 갖는 제품을 45°로 회전시킴으로써 웨이퍼를 사용하는데 적용하기 시작했다 (이하, <010> 노치 제품이라 칭함).
도 1에 도시한 바와 같이, (100) 면 실리콘 웨이퍼의 제조는 통상적으로 (100) 면 웨이퍼 (3) 를 단일 웨이퍼 열처리 장치 또는 기상 상 성장 장치 (1) 의 처리로 (2) 에 위치시킨 후, 열처리 또는 기상 상 성장 (JP-A-10-294287 참조) 을 행함으로써 수행한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 (3) 를 처리로 (2) 내로 또는 처리로로부터 운반하는 것은 그 배면 (도 2의 그림자 영역 S) 의 센터 위치를 포함하는 웨이퍼 (3) 의 특정 영역만을 탑재할 수 있는 탑재면을 갖는 컨베잉 블레이드 (4) 를 사용함으로써 수행된다.
컨베잉 블레이드 (4) 의 탑재면으로부터 돌출된 웨이퍼 (3) 의 부분 (3a) 이처리로 (2) 에서 고온으로 가열될 때, 부분 (3a) 은 엠프티 웨이트 등과 같은 응력을 더 더함으로써 열변형되고, 그에 의해 이들 부분이 컨베잉 블레이드 (4) 로부터 하방으로 만곡되는 현상이 야기될 수도 있다.
웨이퍼 (3) 의 부분 (3a) 이 컨베잉 블레이드 (4) 로부터 하방으로 만곡되기 때문에, 처리된 웨이퍼 (3) 가 처리로 (2) 로부터 외부로 운반될 때, 이들 만곡된 부분 (3a) 은 사이드 지지부 등과 같은 처리로 주위에 배열된 부재들과 접촉해서 웨이퍼를 손상시킬 수도 있다.
발명의 요약
본 발명자들은 컨베잉 블레이드로부터 돌출된 웨이퍼의 부분의 만곡양에 대해 연구하였고, 컨베잉 블레이드 (4) 의 탑재면의 횡단 방향과 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 사이의 관계가 만곡양에 크게 영향을 미친다는 것을 발견하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 컨베잉 블레이드의 탑재면의 횡단 방향으로부터 웨이퍼의 소정의 결정 방향을 적절하게 시프트함으로써 고온에서 컨베잉 블레이드의 탑재면으로부터 돌출된 (100) 면 실리콘 웨이퍼의 부분의 하방 만곡을 감소시켜서 처리로로부터 외부로 운반시 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있는 실리콘 웨이퍼 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼를 열처리 또는 기상 상 성장시키기 위해서 배면의 센터 위치를 포함하는 웨이퍼의 특정 영역만을 탑재할 수 있는 탑재면을 갖는 컨베잉 블레이드를 이용해서 기상 상 성장 장치 또는 단일 웨이퍼 열처리 장치의 처리로 내로 또는 처리로로부터 (100) 면 실리콘 웨이퍼를 운반하고, <010> 또는 <001> 방향을 컨베잉 블레이드의 탑재면의 횡단 방향에 대해서 소정 각도만큼 시프트함으로써 실리콘 웨이퍼를 제조하는 방법을 제공한다.
발명의 바람직한 실시형태에서, 소정 각도는 25°이상, 및/또는 실리콘 웨이퍼의 노치 위치는 <010> 또는 <001> 방향이다.
본 발명에 따르면, 컨베잉 블레이드의 탑재면의 횡단 방향으로부터 웨이퍼의 소정의 결정 방향을 적절하게 시프트함으로써, 고온에서 컨베잉 블레이드의 탑재면으로부터 돌출된 (100) 면 실리콘 웨이퍼의 부분의 하방 만곡을 감소시켜서 처리로로부터 외부로 운반되는 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있다.
바람직한 실시형태의 설명
본 발명을 첨부한 도면을 참조해서 설명한다.
본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼의 제조 방법을 수행하기에 적절한 기상 상 성장 장치를 도 1에 도시하고, 도 3은 컨베잉 블레이드의 탑재면 상에 위치한 실리콘 웨이퍼를 기상 상 성장 장치의 처리로로 운반하는 상태를 도시한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 기상 상 성장 장치 (1) 는 실리콘 웨이퍼 (3) 상의 단결정의 에피택셜 성장된 박막을 형성하는 처리로 (반응로; 2), 램프 등과 같은 필름 형성시 웨이퍼 (3) 를 가열하는 가열 수단 (5), 처리로 (2) 에 배열되고 필름 형성 시 웨이퍼 (3) 를 지지하는 서셉터 (6), 웨이퍼 (3) 를 처리로 (2) 내로 또는 처리로로부터 운반하는 컨베잉 블레이드 (4), 및 컨베잉 블레이드 (4) 로부터 리프팅 동작을 통해서 서셉터 (6) 로 웨이퍼 (3) 의 이동을 가이드하는 리프트 핀 (7) 을 주로 구비한다.
본 발명의 구성의 주 특징은 (100) 면 실리콘 웨이퍼의 소정 결정 방향이 컨베잉 블레이드의 탑재면의 횡단 방향으로부터 적절하게 시프트된다는 것이다. 보다 구체적으로, <010> 또는 <001> 방향이 소정의 각도 θ만큼 시프트되고, 바람직하게 도 3에 도시한 바와 같이 컨베잉 블레이드 (4) 의 탑재면의 횡단 방향에 대해 25°이상 시프트된다. 이 특징을 이용함으로써, 고온에서 컨베잉 블레이드의 탑재면으로부터 돌출된 웨이퍼의 부분의 하방 만곡을 감소시켜서 반응로로부터 운반시 처리된 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있다.
발명자들은 처리된 웨이퍼가 컨베잉 블레이드에 위치되고 처리로로부터 외부로 운반될 때, 컨베잉 블레이드로부터 돌출된 웨이퍼의 부분이 컨베잉 블레이드로부터 하방으로 만곡될 수도 있고 또는 만곡되지 않을 수도 있다는 지식을 얻었다. 그 후, 발명자들은 추가로 연구를 수행해서 컨베잉 블레이드의 탑재면의 연장 방향과 웨이퍼의 특정 결정 방향 사이에서 정의된 각도를 적절한 범위로 설정하는 것이 충분하다는 것을 발견했고, 그 결과 본 발명이 완성되었다.
도 2(a) 및 도 2(b)는 <010> 노치 제품의 <011> 방향이 컨베잉 블레이드 (4)의 횡단 방향 (d) 과 일치하도록 처리로에서 가열되는 웨이퍼 (3) 를 컨베잉 블레이드 (4) 상에 위치시킨 상태를 도시하며, 도 4(a) 및 도 4(b)는 <010> 노치 제품의 <010> 방향이 컨베잉 블레이드 (4) 의 횡단 방향 (d) 과 일치하도록 처리로에서 가열되는 웨이퍼 (3) 를 컨베잉 블레이드 (4) 상에 위치시킨 상태를 도시한다. 도 2(a) 및 도 4(a) 각각은 평면도이고, 도 2(b) 및 도 4(b) 각각은 측면도이다. 또한, 도 2(a) 및 도 4(a) 에 도시된 "업"과 "다운"은 웨이퍼가 열변형되어 물결모양으로 (wavy) 만곡되었을 때 마운트 위치 (A) 및 밸리 위치 (B) 에 대응하는 위치를 각각 의미한다.
도 2(a)의 위치 상태에서 도시한 <011> 노치 제품은 도 2(b)에 도시한 바와 같이 탑재면 상에 위치된 웨이퍼의 양 말단부가 하방으로 만곡되고 탑재면 상에 위치된 측면 형태를 가지므로, 컨베잉 블레이드의 탑재면으로부터 돌출된 웨이퍼의 부분이 컨베잉 블레이드로부터 하방으로 만곡되지 않는다.
한편, 도 4(a)의 위치 상태에서 도시한 <010> 노치 제품은 도 4(b)에 도시한 바와 같이 탑재면 상에 위치한 웨이퍼의 양 말단부가 탑재면으로부터 상방으로 만곡된 측면 형태를 갖는다. 이 경우, 도 4(b)에 도시한 바와 같이 컨베잉 블레이드의 탑재면으로부터 돌출된 웨이퍼의 부분에서 말단 위치와 센터 위치 사이에 위치한 각각의 중간 부분 (밸리 위치 B에 대응) 이 컨베잉 블레이드 (4) 로부터 하방으로 만곡된다. 도 4(b)에서, 접촉부는 웨이퍼 (3) 의 만곡된 부분이 컨베잉 블레이드 (4) 의 사이드 에지와 접촉하는 것을 의미한다.
따라서, 본 발명에서, (100) 면 실리콘 웨이퍼의 소정 결정 방향은 컨베잉 블레이드의 탑재면의 횡단 방향으로부터 적절하게 시프트되고, 보다 구체적으로 <010> 또는 <001> 방향이 도 3에 도시된 바와 같이 컨베잉 블레이드의 탑재면의 횡단 방향에 대해서 소정 각도 θ만큼 시프트됨으로써, 도 4(b)에 도시한 바와 같이 탑재면 상에 위치한 웨이퍼의 양 말단부가 상방으로 만곡되는 측면 형태의 형성을 방지할 수 있다. 즉, 컨베잉 블레이드의 탑재면으로부터 돌출된 웨이퍼의 부분의 하방 만곡양이 작아질 수 있다 (예를 들면, 5 mm 이하).
비록 본 발명의 일 실시형태에 대해서 상술하였지만, 다양한 변경이 본 발명의 범위 내에서 이루어질 수도 있다.
본 발명에 따르면, 컨베잉 블레이드의 탑재면의 횡단 방향으로부터 웨이퍼의 소정 결정 방향을 적절하게 시프트함으로써 고온에서 컨베잉 블레이드의 탑재면으로부터 돌출된 (100) 면 실리콘 웨이퍼의 부분의 하방 만곡을 감소시켜서, 처리로로부터 외부로 운반시 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있다.

Claims (3)

  1. 웨이퍼를 열처리 또는 기상 상 성장시키기 위해 배면의 센터 위치를 포함한 웨이퍼의 특정 영역만을 탑재할 수 있는 탑재면을 갖는 컨베잉 블레이드 (conveying blade) 를 갖는 기상 상 성장 장치 또는 단일 웨이퍼 열처리 장치의 처리로 내로 및 처리로로부터 (100) 면 실리콘 웨이퍼를 운반하는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법으로서,
    <010> 또는 <001> 방향은 상기 컨베잉 블레이드의 상기 탑재면의 횡단 방향에 대해서 소정의 각도만큼 시프트되는, 실리콘 웨이퍼 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 소정의 각도는 25°이상인, 실리콘 웨이퍼 제조 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 실리콘 웨이퍼는 <010> 또는 <001> 방향의 노치 위치를 갖는, 실리콘 웨이퍼 제조 방법.
KR1020060079880A 2005-08-26 2006-08-23 실리콘 웨이퍼 제조 방법 KR100814655B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2005-00245253 2005-08-26
JP2005245253A JP4797514B2 (ja) 2005-08-26 2005-08-26 シリコンウェーハの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070024383A KR20070024383A (ko) 2007-03-02
KR100814655B1 true KR100814655B1 (ko) 2008-03-18

Family

ID=37074540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060079880A KR100814655B1 (ko) 2005-08-26 2006-08-23 실리콘 웨이퍼 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7820554B2 (ko)
EP (1) EP1758159B1 (ko)
JP (1) JP4797514B2 (ko)
KR (1) KR100814655B1 (ko)
CN (1) CN1924116B (ko)
TW (1) TWI335944B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113463181A (zh) * 2021-09-03 2021-10-01 江苏矽时代材料科技有限公司 一种半导体单晶硅生长装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6084479B2 (ja) 2013-02-18 2017-02-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法、熱処理装置およびサセプター
JP6241277B2 (ja) * 2013-12-27 2017-12-06 株式会社Sumco エピタキシャル成長装置
CN110911325B (zh) * 2019-11-29 2024-03-26 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 一种晶圆传送叶片
CN112216636A (zh) * 2020-08-27 2021-01-12 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种晶圆外延反应设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060098384A (ko) * 2003-10-16 2006-09-18 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. 웨이퍼 취급 방법 및 시스템

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL171309C (nl) * 1970-03-02 1983-03-01 Hitachi Ltd Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, waarbij een laag van siliciumdioxyde wordt gevormd op een oppervlak van een monokristallijn lichaam van silicium.
JPH07147311A (ja) * 1993-11-24 1995-06-06 Tokyo Electron Ltd 搬送アーム
US6267423B1 (en) * 1995-12-08 2001-07-31 Applied Materials, Inc. End effector for semiconductor wafer transfer device and method of moving a wafer with an end effector
US6217663B1 (en) * 1996-06-21 2001-04-17 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3891636B2 (ja) * 1997-04-22 2007-03-14 株式会社ルネサステクノロジ 半導体製造装置および半導体ウェハの移載方法
JPH1154598A (ja) * 1997-08-06 1999-02-26 Kokusai Electric Co Ltd ウェーハサセプタ
JPH11106293A (ja) * 1997-10-03 1999-04-20 Super Silicon Kenkyusho:Kk エピタキシャルウエハ製造方法及び装置
US6164894A (en) * 1997-11-04 2000-12-26 Cheng; David Method and apparatus for integrated wafer handling and testing
JP4016371B2 (ja) * 1999-11-10 2007-12-05 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2002025873A (ja) * 2000-07-07 2002-01-25 Hitachi Cable Ltd 半導体ウエハ及びその表面、裏面判別方法
JP2002025990A (ja) * 2000-07-12 2002-01-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体デバイスの製造装置および半導体デバイスの製造方法
US6327517B1 (en) * 2000-07-27 2001-12-04 Applied Materials, Inc. Apparatus for on-the-fly center finding and notch aligning for wafer handling robots

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060098384A (ko) * 2003-10-16 2006-09-18 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. 웨이퍼 취급 방법 및 시스템

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113463181A (zh) * 2021-09-03 2021-10-01 江苏矽时代材料科技有限公司 一种半导体单晶硅生长装置
CN113463181B (zh) * 2021-09-03 2021-11-02 江苏矽时代材料科技有限公司 一种半导体单晶硅生长装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070024383A (ko) 2007-03-02
EP1758159A3 (en) 2008-12-24
US20070059150A1 (en) 2007-03-15
CN1924116B (zh) 2011-06-08
JP2007059740A (ja) 2007-03-08
CN1924116A (zh) 2007-03-07
US7820554B2 (en) 2010-10-26
JP4797514B2 (ja) 2011-10-19
EP1758159B1 (en) 2011-05-18
EP1758159A2 (en) 2007-02-28
TW200708638A (en) 2007-03-01
TWI335944B (en) 2011-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100814655B1 (ko) 실리콘 웨이퍼 제조 방법
US20110259879A1 (en) Multi-Zone Induction Heating for Improved Temperature Uniformity in MOCVD and HVPE Chambers
US20110073037A1 (en) Epitaxial growth susceptor
US20130048629A1 (en) Susceptor
JP5092162B2 (ja) 半導体ウェーハの製造方法および製造装置
JP3900154B2 (ja) 半導体ウェーハの製造方法及びそれに用いられるサセプタ
KR20200036723A (ko) 기상 성장 장치, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법
EP1533834B1 (en) Vapor phase epitaxial apparatus and vapor phase epitaxial method
JP2008186944A (ja) 気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長用サセプタの設計方法及び気相成長方法
JP2001127143A (ja) 基板支持装置
JP2000269137A (ja) 半導体製造装置及びウェハ取扱方法
JP2002265295A (ja) 気相成長用サセプタ及びこれを用いた気相成長方法
CN115868008A (zh) 气相生长装置以及外延晶片的制造方法
JP2005235906A (ja) ウェーハ保持具及び気相成長装置
JP2005032803A (ja) 半導体製造方法及び半導体ウェハ
JP7258277B1 (ja) ＳｉＣ基板及びＳｉＣエピタキシャルウェハ
KR102582346B1 (ko) 웨이퍼의 에피택셜층 성장 방법
WO2022162928A1 (ja) リフトピン、半導体製造装置およびリフトピン製造方法
JP2002170865A (ja) シリコンウェーハ熱処理用３点支持具の配置方法
KR20050089719A (ko) 기판 지지 장치
JPH04121737U (ja) 基板加熱装置
WO2001006031A1 (en) Susceptorless semiconductor wafer support and reactor system for epitaxial layer growth
KR20230169019A (ko) SiC 기판 및 SiC 에피택셜 웨이퍼
CN114293250A (zh) 对硅片位置进行调准的系统、方法及外延设备
KR101496674B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130304

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140228

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150227

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160311

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170303

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180302

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190304

Year of fee payment: 12