KR100809234B1

KR100809234B1 - 질화물 반도체 발광소자 제조방법

Info

Publication number: KR100809234B1
Application number: KR20060078988A
Authority: KR
Inventors: 명선영; 박길한; 유상덕; 박희석; 김학환; 이상범
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2006-08-21
Filing date: 2006-08-21
Publication date: 2008-03-05
Also published as: KR20080017174A

Abstract

본 발명은, 제1 도전형 질화물 반도체로 이루어진 기저층 상면에 복수의 윈도우를 갖는 마스크를 형성하는 단계와, 상기 복수의 윈도우에 노출된 상기 기저층 영역 각각에 상기 기저층 상면에 대해 경사진 결정면을 갖는 육각 피라미드 구조의 제1 도전형 질화물 반도체 결정을 선택적으로 성장시키는 단계와, 상기 제1 도전형 질화물 반도체 결정 표면에 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 순차적으로 성장시키는 단계를 포함하며, 상기 마스크는 적어도 2개의 영역을 구분되며, 상기 적어도 2개의 영역에 위치한 윈도우는 각각 서로 다른 크기를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.

질화물 결정(nitride crystal), 피라미드(pyramid), 발광다이오드(light emitting diode)

Description

질화물 반도체 발광소자 제조방법{FABRICATION METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}

도1a 및 도1b은 각각 종래의 육각 피라미드형 질화물 발광소자의 사시도 및 부분 상세도이다.

도2a 내지 도2d는 각각 본 발명의 일 실시형태에 따른 육각 피라미드형 질화물 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도이다.

도3a 내지 도3c는 각각 본 발명에 채용가능한 다양한 패턴의 마스크를 나타내는 평면도이다.

도4는 도2d의 구조로부터 제조될 수 있는 질화물 발광소자의 일 예를 나타내는 측단면도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호설명>

11,21: 기판 12,22: 제1 도전형 질화물 기저층

13,23: 마스크 W: 윈도우

14,24: 제1 도전형 질화물 결정구조

15,25: 활성층 16,26: 제2 도전형 질화물 반도체층

27: 투명전극층 29a,26b: 제1 및 제2 전극

본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 선택성장법을 이용한 복수의 육각 피라미드형 발광구조를 갖는 질화물 발광소자 제조방법에 관한 것이다.

필라멘트를 사용한 벌브형 전구와 형광등을 대체할 새로운 조명원으로써 반도체 발광소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 최근에는, 선택적인 성장방법을 이용하여 육각 피라미드형의 발광구조를 형성함으로써 고품질 질화물 발광소자를 제공하는 방안이 개발되었다.

이러한 선택적 성장방법에 의해 얻어진 질화물 단결정은 측방향으로 성장과정에서 수평방향으로 성장되던 다수의 결함이 차단되어 활성층에 거의 영향을 주지 않으며, 선택적 성장방법에서 얻어진 육각 피라미드형 LED 구조는 비극성면인 경사진 측면을 가지므로, 압전효과(piezo-electric field effect)를 완화시킬 수 있다. 또한, 기하학적인 관점에서 육각 피라미드형 LED 구조는 경사진 측면에 의해 동일한 면적 대비의 유효 발광면적이 넓어지므로, 휘도특성의 개선효과도 기대할 수 있다.

하지만, 질화물 발광소자를 위한 복수의 육각 피라미드형 발광구조물 어레이를 형성하는 과정에서, 반응챔버 내에서의 질화물 성장을 위한 소스가스의 구배 차 이로 인해 특정영역에서 상대적으로 과성장이 발생되는 문제가 있다. 이러한 문제는 도1a 및 도1b를 참조하여 설명될 수 있다.

도1a에는 기저층(12) 상에 선택 성장된 육각 피라미드 결정구조(14)의 어레이가 도시되어 있다. 기판(11) 상에 제1 도전형 질화물인 기저층(12)이 형성된다. 상기 기저층(12) 상에 복수의 윈도우(W)가 형성된 마스크(13)가 형성되고, 윈도우(W)를 통해 복수의 육각 피라미드 구조의 제1 도전형 질화물 결정(14)이 성장된다.

이러한 선택적인 성장과정에서, 질화물 성장을 위한 소스가스가 중심영역보다 모서리영역에 우선적으로 제공될 수 있으므로, 도1a에 나타난 바와 같이, 모서리영역에서의 육각 피라미드 결정구조(14)가 중심영역에서보다 빠른 속도로 성장될 수 있다.

그 결과, 모서리영역에서와 같이 빠른 성장속도를 갖는 영역에서는 인접한 육각 피라미드 결정구조(14)가 서로 연결되는 머지영역(merged area: M)이 형성될 수 있다. 이러한 머지영역(M)은 결정성이 매우 낮을 뿐만 아니라, 심지어 공극(void) 등이 존재할 수도 있다.

이로 인해, 도1b에 도시된 바와 같이, 육각 피라미드 결정구조(14) 표면에 후속성장되는 활성층(15)의 두께 또는 In 함량이 불균일해지고, 머지영역(M) 상에서 활성층(15)이 제대로 성장되지 못한 부분이 발생되어, 제2 도전형 질화물 반도체인 육각 피라미드 결정구조(14)인 제1 도전형 질화물층(16)과 직접 접촉하는 심각한 쇼트 불량이 야기될 수도 있다.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제를 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 영역에 따른 성장속도 차이를 고려하여 복수의 육각 피라미드형 발광구조를 위한 윈도우의 배열을 개선한 질화물 반도체 발광소자 제조방법을 제공하는데 있다.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위해서, 본 발명은

제1 도전형 질화물 반도체로 이루어진 기저층 상면에 복수의 윈도우를 갖는 마스크를 형성하는 단계와, 상기 복수의 윈도우에 노출된 상기 기저층 영역 각각에 상기 기저층 상면에 대해 경사진 결정면을 갖는 육각 피라미드 구조의 제1 도전형 질화물 반도체 결정을 선택적으로 성장시키는 단계와, 상기 제1 도전형 질화물 반도체 결정 표면에 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 순차적으로 성장시키는 단계를 포함하며, 상기 마스크는 적어도 2개의 영역을 구분되며, 상기 적어도 2개의 영역에 위치한 윈도우는 각각 서로 다른 크기를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.

상기 마스크의 적어도 2개의 영역은, 질화물 소스가스의 공급위치에 인접한 제1 영역과, 상기 질화물 소스가스의 공급위치로부터 이격된 제2 영역을 포함하는 경우에, 상기 제1 영역에 위치한 윈도우는 상기 제2 영역에 위치한 윈도우의 크기보다 작은 크기를 갖도록 형성될 수 있다.

이와 달리, 상기 마스크의 적어도 2개의 영역은, 상기 마스크의 모서리영역에 인접한 제1 영역과, 상기 제1 영역에 의해 둘러싸인 제2 영역을 포함하는 경우에는, 상기 제1 영역에 위치한 윈도우는 상기 제2 영역에 위치한 윈도우 크기보다 작은 크기를 갖도록 형성될 수 있다.

바람직하게, 상기 윈도우는 구형이며, 상기 제1 영역에 위치한 윈도우는 상기 제2 영역에 위치한 윈도우의 직경보다 1.5 배 내지 2.5배로 큰 직경을 갖도록 형성될 수 있다.

필요에 따라, 상기 복수의 윈도우는 상기 마스크의 모서리영역에서 그 중심방향을 따라 그 크기가 커지도록 형성될 수 있다. 상기 적어도 2개의 영역에 위치한 복수의 윈도우는 서로 동일한 간격을 갖도록 배열될 수 있다.

본 발명의 구체적인 실시형태에서, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 광투과성 도전층을 형성하는 단계와, 상기 기저층 상면의 일 영역이 노출되도록 메사에칭을 실시하는 단계와, 상기 노출된 기저층 상면의 일영역과 상기 광투과성 도전층의 일영역에 각각 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 보다 상세히 설명한다.

도2a와 같이, 기판 상에 제1 도전형 질화물 반도체인 기저층을 형성하는 단계로 시작될 수 있다.

본 실시형태에 사용가능한 기판(21)은 사파이어, SiC, Si, ZnO, MgAl₂O₄, MgO, LiAlO₂, Ga₂O₃ 및 LiGaO₂로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어질 수 있다. 기판(21) 상에 제1 도전형 질화물 반도체 결정으로 이루어진 기저층(22)이 형성된다. 또한, 도시되지 않았으나, 상기 기저층(22)이 형성되는 상기 기판(21) 표면에 그 기저층(22)을 형성하기 전에 AlN 또는 GaN과 같은 저온 질화물 버퍼층(미도시)을 추가로 형성할 수 있다.

이어, 도2b와 같이, 상기 기저층(22) 상면에 복수의 윈도우(W)를 갖는 마스크(23)를 형성한다.

상기 마스크(23)는 이에 한정되지는 않으나, 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막로 형성될 수 있다. 상기 마스크(13)에 형성된 복수의 윈도우(W)는 육각 피라미드의 질화물 반도체 결정(도2c의 24 참조)이 성장되기 시작하는 영역을 정의한다.

본 발명에 채용된 마스크(23)에 형성된 윈도우(W)는 서로 다른 크기를 갖도 록 배열된다. 여기서는 구형인 윈도우(W)로 예시되어 있으므로, 상기 크기는 직경을 의미하는 것으로 이해할 수 있다. 본 실시형태에서, 상기 복수의 윈도우(W) 배열은 상기 마스크(23)의 모서리 인접영역으로 정의되는 제1 영역(Ⅰ)과 그 내부의 제2 영역(Ⅱ)에서 서로 다른 크기(S1＞S2)을 갖도록 배열된다. 상기 마스크(23)의 제1 영역(Ⅰ)은 상기 마스크(13)의 제2 영역(Ⅱ)보다 질화물 성장을 위한 소스가스가 우선하여 제공되므로 많은 반응이 일어나고 상대적으로 제2 영역(Ⅱ)에 이르는 소스가스의 양은 감소되기 때문에, 상기 제1 영역(Ⅰ)에서의 질화물 단결정은 상기 제2 영역(Ⅱ)에서의 속도보다 빠른 속도로 성장된다.

상기 복수의 윈도우 (W)는 상기 제1 영역(Ⅰ)에 위치한 윈도우는 상기 제2 영역(Ⅱ)에 위치한 윈도우의 크기(S2)보다 작은 크기(S1)를 갖도록 형성된다. 윈도우의 크기는 앞서 설명한 바와 같이 육각 피라미드 결정이 성장되기 시작하는 영역을 정의하며, 육각 피라미드 결정구조의 최대 크기는 윈도우의 크기에 의해 의존한다. 예를 들어, 성장속도가 빠른 제1 영역(Ⅰ)에서 성장되는 육각 피라미드 결정구조(도2c의 24 참조)는 상대적으로 작은 크기(S1)의 윈도우를 가지므로, 제2 영역(Ⅱ)에서보다 빨리 임계 크기에 도달하여 추가적인 성장이 제한된다. 이러한 원리에 기초하여 제1 영역(Ⅰ)에서 윈도우의 크기(S1)를 작게 형성함으로써 머지현상을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 상기 윈도우(W)는 영역에 의한 구분없이 서로 동일한 간격(d1=d2)을 갖도록 배열될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

다음으로, 도2c와 같이, 상기 복수의 윈도우(W)에 노출된 상기 기저층(23) 영역 각각에 육각 피라미드 구조의 제1 도전형 질화물 반도체 결정(24)을 선택적으로 성장시킨다. 여기서, 상기 육각 피라미드 구조의 제1 도전형 질화물 반도체 결정(24)은 상기 기저층(22) 상면에 대해 경사진 결정면을 가지며, 그 경사각은 성장속도와 같은 성장조건에 따라 적절히 제어될 수 있다.

앞서 설명한 바와 같이, 동일한 성장조건에서도, 성장속도가 빠른 제1 영역(Ⅰ)에서 성장되는 육각 피라미드 결정구조(24)는 상대적으로 제2 영역(Ⅱ)에서 성장되는 육각 피라미드 결정구조(14)의 크기를 갖도록 성장되더라도, 도2b에서 설명한 바와 같이 제1 영역(Ⅰ)에서 위치한 윈도우의 크기(S1)는 제2 영역(Ⅱ)보다 작은 크기(S2)를 갖도록 형성되므로, 제1 영역(Ⅰ)에서의 육각 피라미드 결정구조(24)는 제2 영역(Ⅱ)에서보다 상대적으로 빨리 성장되더라도, 임계 크기에 빨리 도달하게 되므로, 서로 연결될 가능성을 크게 낮출 수 있다.

상기 제2 영역(Ⅱ)에서의 육각 피라미드 결정(24)은 제1 영역(Ⅰ)에서의 상대적으로 작은 육각 피라미드 결정구조(24)의 성장이 임계치에서 지연되는 과정에서 추가적으로 성장될 수 있으므로, 제1 영역(Ⅰ)에서의 육각 피라미드 결정(24)은 제2 영역(Ⅱ)에서의 유사한 크기(h1≒h2) 또는 보다 큰 크기를 갖도록 형성될 수 있다.

실제로 상기 제1 영역(Ⅰ)의 윈도우 크기(S1)는 반응장치와 전체 성장면적 및 공정조건에 따라 다소 차이는 있으나, 원형인 윈도우영역의 경우에, 바람직하게는 제1 영역(Ⅱ)의 윈도우(W)는 제2 영역(Ⅰ)의 윈도우 직경(S1)보다 1.5 배 내지 2.5배 큰 직경(S2)을 갖도록 배열될 수 있다.

도2d와 같이, 상기 제1 도전형 질화물 반도체 결정(24) 표면에 활성층(25) 및 제2 도전형 질화물 반도체층(26)을 순차적으로 성장시킨다.

본 실시형태에서는, 마스크(23)의 윈도우 크기의 조정을 통해 육각 피라미드구조를 갖는 제1 도전형 질화물 결정(24)이 서로 연결되지 않을 수 있으므로, 그 위에 형성되는 활성층(25)은 비극성면인 경사면에 안정적으로 형성될 수 있으며, 그 활성층(25) 상에 형성되는 제2 도전형 질화물 반도체층(26)도 도1b에서 설명된 바와 같이 제1 도전형 질화물 결정구조(25)와 쇼트되지 않을 수 있다.

본 실시형태에 채용된 마스크(23)는 도3a와 유사한 마스크(33) 형태로 이해할 수 있다. 즉, 도3a에 도시된 마스크(33)는 제1 도전형 질화물 반도체층(32)을 노출시키는 일정한 간격(d)의 윈도우(W)를 가지며, 모서리와 인접한 제1 영역(Ⅰ)과 그 제1 영역(Ⅰ)에 의해 둘러싸인 제2 영역(Ⅱ)으로 구분된다. 상대적으로 제1 영역(Ⅰ)은 앞서 설명한 바와 같이 질화물 성장을 위한 소스가스가 제2 영역(Ⅱ)에 비해 많은 양이 쉽게 도달하므로, 성장속도가 빠르게 진행될 수 있다. 이러한 성장속도 차이로 인해, 제1 영역(Ⅰ)에서 성장되는 육각 피라미드 결정구조의 상호 연결을 방지하기 위해서, 상기 제1 영역(Ⅰ)에 위치한 윈도우(W)가 제2 영역(Ⅱ)의 크기(S2)보다 작은 크기(S1)를 갖도록 형성된다.

본 발명에서 윈도우의 크기와 관련된 설계기준은, 반응챔버에서의 소스가스의 구배 차이로 인한 성장속도 차이에 의존하는 것으로 이해될 수 있다. 전체 면적 에서의 불균일한 성장속도는 반응장비, 성장조건 및 성장면적의 형상 및 크기에 따라 달라질 수 있으므로, 본 발명에 따른 마스크에서의 윈도우 배열은 그 조건에 적합하게 다양한 형태로 구현될 수 있다.

다른 예는 도3b에 도시되어 있다. 마스크(43)는 제1 도전형 질화물 반도체층(42)을 노출시키는 일정한 간격(d)의 윈도우(W)를 갖는다. 본 예에 따른 마스크(43)는 반응을 위한 소스가스의 공급로가 상대적으로 큰 성장면적을 갖는 기판의 일측에 위치할 경우에는, 소스가스의 농도구배는 소스가스의 공급로와 인접한 제1 영역(Ⅰ)에 집중되어 그 제1 영역(Ⅰ)에서 빠른 성장속도를 나타낼 것이며, 상대적으로 소스가스의 공급로에 먼 제2 영역(Ⅱ)은 상대적으로 느린 성장속도를 나타낼 것이다. 따라서, 도3b와 같이 공급로와 인접한 제1 영역(Ⅰ)에 위치한 윈도우의 크기(S1)는 다른 제2 영역(Ⅱ)에 위치한 윈도우 크기(S2)보다 작도록 설계될 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 마스크는 도3c에 도시된 바와 같이 3개 이상의 영역으로 구분되어 각 영역에서 서로 다른 윈도우 크기를 갖도록 설계될 수 있다. 도3c에 도시된 마스크(53)도 앞선 예와 유사하게 제1 도전형 질화물 반도체층(52)을 노출시키는 일정한 간격(d)의 윈도우(W)를 갖는다.

본 마스크(53)의 윈도우 배열은 상대적으로 큰 면적을 갖는 기판을 이용한 질화물 반도체 소자 제조공정에서 유용하게 채용될 수 있다. 즉, 도3c에 도시된 마스크(53)는, 모서리에서 중앙영역으로의 순서로 제1 내지 제3 영역(Ⅰ,Ⅱ,Ⅲ)으로 구분된다. 상기 제1 영역(Ⅰ)은 모서리에 가장 인접한 영역으로 상대적으로 가장 성장속도가 빠른 영역으로 그 윈도우 간격(d1)도 가장 큰 간격을 갖도록 배열된다.

추가적으로 제2 영역(Ⅱ)에서의 성장속도는 상기 제1 영역(Ⅰ)에서의 성장속도보다는 작더라도 중앙에 위치한 제3 영역(Ⅲ)에서보다는 빠르게 나타나므로, 제1 영역(Ⅰ)의 윈도우 크기(S1)보다는 크지만 제3 영역(Ⅲ)의 윈도우 크기(S3)보다 작은 크기(S2)을 갖는다.

도3c에서 설명된 원리와 같이, 전체의 성장면적에서의 성장조건의 차이가 보다 세분화될 것이 요구될 경우에는 상기 윈도우 간격이 달리 성장되는 영역을 추가적으로 세분화할 수 있다. 나아가, 소스공급량이 많은 위치에서 가장 적은 위치를 따라 윈도우 간격이 점차 작아지도록 마스크를 설계할 수도 있다. 예를 들어, 필요에 따라 마스크는 모서리 영역에서 중심영역으로 향할수록 윈도우 간격이 점차 작아지도록 설계할 수 있다.

이와 같이 제조된 질화물 반도체 발광구조는 다양한 형태의 전극배열구조를 갖는 발광장치로 구현될 수 있다. 그 일 예로서 도4에는 도2의 구조로부터 제조될 수 있는 질화물 반도체 발광소자(20)가 도시되어 있다.

도4에 도시된 질화물 반도체 발광소자(20)는, 도2d에서 얻어진 육각 피라미드구조를 갖는 질화물 반도체 발광구조로부터 얻어질 수 있다.

보다 구체적으로, 도2d에 도시된 발광구조물의 제2 도전형 질화물 반도체 층(26) 상에 광투과성 도전층(27)을 형성한 후에, 그 일부영역에 대해 메사에칭을 실시하여 제1 도전형 질화물 반도체인 기저층(22) 상면의 일 영역을 노출시킨다. 이어, 상기 노출된 기저층(22) 상면의 일영역과 상기 광투과성 도전층(27)의 일영역에 각각 제1 및 제2 전극(29a,29b)을 형성된다.

그 결과로 얻어진 질화물 반도체 발광소자(20)에서는, 빠른 성장속도를 나타내는 특정영역(본 실시형태에서는 모서리영역)에서 성장된 육각 피라미드 결정구조(24)가 다른 영역(본 실시형태에서는 내부영역)의 크기와 유사하거나 보다 큰 크기를 가질 수 있다. 또한, 소스가스의 농도구배가 높은 영역에서 머지현상이 방지되도록 해당영역의 윈도우가 다른 영역에 비해 작은 크기를 갖는 구조적 특징으로 가질 수 있다는 것을 확인할 수 있다.

이는 앞서 설명한 바와 같이, 반응챔버에서의 소스농도구배 차이로 인한 불균일한 피라미드 성장으로 비롯된 국부적인 머지현상을 방지함으로써 균일한 두께의 활성층(25)을 보장하고 제1 및 제2 도전형 질화물층(24,26)간의 쇼트를 예방할 수 있다는 장점을 제공한다.

이와 같이, 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 육각 피라미드 결정구조를 형성하기 위한 선택적 에피택셜 성장과정에서 사용되는 마스크의 윈도우 크기(원형인 경우에는, 직경)을 조정함으로써 상대적으로 많은 양의 소스가스가 공급되는 영역에서 야기될 수 있는 피라미드 결정구조의 머지현상을 억제시킬 수 있다. 이로써 활성층 두께 및 In 함량의 불균일 문제를 해결하고, 쇼트 등의 불량이 방지되는 신뢰성이 있는 질화물 발광소자를 제공할 수 있다.

Claims

제1 도전형 질화물 반도체로 이루어진 기저층 상면에 복수의 윈도우를 갖는 마스크를 형성하는 단계;

상기 복수의 윈도우에 노출된 상기 기저층 영역 각각에 상기 기저층 상면에 대해 경사진 결정면을 갖는 육각 피라미드 구조의 제1 도전형 질화물 반도체 결정을 선택적으로 성장시키는 단계; 및

상기 제1 도전형 질화물 반도체 결정 표면에 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 순차적으로 성장시키는 단계를 포함하며,

상기 마스크는 적어도 2개의 영역으로 구분되며, 상기 적어도 2개의 영역에 위치한 윈도우는 각각 서로 다른 크기를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
제1항에 있어서,

상기 마스크의 적어도 2개의 영역은, 질화물 소스가스의 공급위치에 인접한 제1 영역과, 상기 질화물 소스가스의 공급위치로부터 이격된 제2 영역을 포함하며,

상기 제1 영역에 위치한 윈도우는 상기 제2 영역에 위치한 윈도우의 크기보다 작은 크기를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
제1항에 있어서,

상기 마스크의 적어도 2개의 영역은, 상기 마스크의 모서리영역에 인접한 제1 영역과, 상기 제1 영역에 의해 둘러싸인 제2 영역을 포함하며,

상기 제1 영역에 위치한 윈도우는 상기 제2 영역에 위치한 윈도우 크기보다 작은 크기를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
제2항 또는 제3항에 있어서,

상기 윈도우는 구형이며, 상기 제2 영역에 위치한 윈도우는 상기 제1 영역에 위치한 윈도우의 직경보다 1.5 배 내지 2.5배로 큰 직경을 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
제1항에 있어서,

상기 복수의 윈도우는 상기 마스크의 모서리영역에서 그 중심방향을 따라 그 크기가 커지도록 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
제1항에 있어서,

상기 적어도 2개의 영역에 위치한 복수의 윈도우는 서로 동일한 간격을 갖도록 배열된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
제1항에 있어서,

상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 광투과성 도전층을 형성하는 단계와,

상기 기저층 상면의 일 영역이 노출되도록 메사에칭을 실시하는 단계와,

상기 노출된 기저층 상면의 일영역과 상기 광투과성 도전층의 일영역에 각각 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
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