KR101629343B1 - 에피택시 구조체 및 나노 패턴화 기판의 제조 방법 - Google Patents

에피택시 구조체 및 나노 패턴화 기판의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101629343B1
KR101629343B1 KR1020100074050A KR20100074050A KR101629343B1 KR 101629343 B1 KR101629343 B1 KR 101629343B1 KR 1020100074050 A KR1020100074050 A KR 1020100074050A KR 20100074050 A KR20100074050 A KR 20100074050A KR 101629343 B1 KR101629343 B1 KR 101629343B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
delete delete
substrate
layer
semiconductor
silicon dioxide
Prior art date
Application number
KR1020100074050A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110013325A (ko
Inventor
젠-유 리
칭-후아 치우
티엔-창 루
하오-정 쿠오
Original Assignee
에피스타 코포레이션
시노-아메리칸 실리콘 프로덕츠 인코포레이티드.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에피스타 코포레이션, 시노-아메리칸 실리콘 프로덕츠 인코포레이티드. filed Critical 에피스타 코포레이션
Publication of KR20110013325A publication Critical patent/KR20110013325A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101629343B1 publication Critical patent/KR101629343B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02603—Nanowires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
    • H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
    • H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
    • H01L21/02645—Seed materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
    • H01L21/02647—Lateral overgrowth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers

Abstract

본 발명의 기판표면에는 복수개의 나노입자 구조체 또는 나노 기둥 구조체가 설치되어 있으며, 각 나노입자 구조체의 깊이와 직경의 비율은 1 이상이거나, 나노 기둥 구조체의 높이와 직경의 비율은 5 이상이며, 나노입자 구조체 및 나노 기둥 구조체는 호형의 상면을 구비하고 있다. 에피택시 공정을 거쳐 상기 기판으로 에피택시층을 형성할 때, 상기 에피택시층은 저결함 밀도배열을 가지며, 후속되는 소자 제작 공정의 수율을 향상시키는데 효과적이다.

Description

에피택시 구조체 및 나노 패턴화 기판의 제조 방법{EPITAXY STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF NANO PATTERNING SUBSTRATE}
본 발명은 나노 패턴화 기판 및 에피택시 구조체와 관련된 것으로, 특히 에피택시 구조체에 발생할 수 있는 결함을 크게 감소시킬 수 있는 나노 패턴화 기판 및 에피택시 구조체에 관한 것이다.
발광 다이오드는 종래의 전구에 비하여 부피가 작고, 수명이 길며, 저전압/저전류 구동이 가능하고, 쉽게 파손되지 않으며, 발광시에 심각한 열 문제가 없으며, 수은을 포함하지 않으며(오염을 발생하지 않음), 발광 효율이 좋은(전기 절약) 등의 절대적으로 우세한 특성을 가지고 있다. 또한 최근 몇 년 동안 발광 다이오드의 발광 효율이 계속해서 향상되고 있어서, 발광 다이오드는 일부 분야, 예를 들면 고속 반응이 필요한 스캐너 광원, 액정표시장치의 백라이트(backlight)나 자동차 전조등의 대시보드 조명, 교통 신호등 및 일반적인 조명장치 등에서는 이미 형광등과 백열전구를 점진적으로 대체하고 있다.
게다가, 질소를 포함한 III-V족 화합물은 광역 밴드갭 에너지를 가지는 재료이며, 그 발광 파장은 자외선으로부터 적외선까지의 범위를 포괄하는 것으로, 모든 가시광선의 주파수대를 포괄한다고 말할 수 있다. 그러므로, 질화갈륨을 함유하는 화합물 반도체, 예를 들면 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄갈륨(GaAlN), 질화갈륨인듐(GaInN) 등의 발광 다이오드 소자는 이미 각종 발광 모듈에서 광범하게 이용되고 있다.
도 1은 발광 다이오드 구조체의 단면 개략도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 발광 다이오드 구조체(100)는 주로 기판(110), 제1 반도체층(120), 전극(122), 발광층(130), 제2 반도체층(140), 저항 접촉층(150) 및 전극(142)으로 구성된다. 그 중, 제1 반도체층(120), 발광층(130), 제2 반도체층(140), 저항 접촉층(150) 및 전극(142)은 순서대로 기판(110)에 배치되며, 발광층(13)은 제1 반도체층(120)을 부분적으로 덮고 있으며, 전극(122)은 발광층(130)이 덮지 않은 제1 반도체층(120)에 배치되어 있다.
그러나, 사파이어(sapphire) 또는 탄화규소(SiC)를 기판으로 삼아 그 위에 제1 반도체층을 직접 에피택시 성장시키는 경우, 상기 기판의 에피택시 성장면이 평면이기 때문에, 상기 평면상에서 직접 에피택시 공정을 진행할 때 양자 우물에 도달할 때까지 성장하면 결함이 발생하게 되며 제작된 제1 반도체층에 상당히 높은 결함 밀도가 형성된다. 따라서 후속되는 소자 제작의 수율에 영향을 미칠 뿐만 아니라 발광 효율과 전자이동속도가 더욱 낮아지므로 발광 효율이 높은 발광 다이오드를 얻을 수 없다.
이 점을 고려하여, 본 발명은 나노 패턴화 기판 구조체를 제공하여 에피택시 구조체에 발생할 수 있는 결함을 크게 감소시킬 수 있는 나노 패턴화 기판 및 애피택시 구조체를 제공하는 것을 주요 목적으로 한다.
위에서 언급한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 기판 표면에는 복수의 나노입자 구조체 또는 나노 기둥 구조체가 설치되어 있으며, 각 나노입자 구조체의 깊이와 직경의 비율은 1 이상이거나 또는 각 나노 기둥 구조체 깊이와 직경의 비율은 5 이상이며, 나노입자 구조체 및 나노 기둥 구조체는 호형의 상면을 가지고 있다. 상기 기판을 통해 에피택시 공정을 통해 에피택시층을 형성할 때, 상기 에피택시층은 저결함 밀도 배열을 가질 수 있으며, 후속되는 소자 제작 공정의 수율을 향상시키는데 효과적이다.
도 1은 발광 다이오드 구조체의 단면 개략도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 나노 패턴화 기판 구조체의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 나노입자 구조체를 확대하여 보여준 개략도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 나노 패턴화 기판의 성형과정을 나타낸 개략도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 나노 패턴화 기판 구조체의 개략도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 나노 패턴화 기판의 성형과정을 나타낸 개략도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 나노 패턴화 기판 구조체의 개략도이다.
도 8은 본 발명의 나노 기둥 구조체를 확대하여 보여준 개략도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 나노 패턴화 기판의 성형과정을 나타낸 개략도이다.
도 10은 본 발명의 에피택시 구조체의 개략도이다.
본 발명의 특징은 본 발명의 도면 및 실시예의 상세한 설명을 참고하면 정확하게 이해할 수 있다.
본 발명에 따른 '나노 패턴화 기판 및 에피택시 구조체'는 도 2의 제1 실시예에서 도시한 바와 같이, 상기 기판(1)의 표면(11)에 복수개의 나노입자 구조체(12)가 형성되어 있고, 각 나노입자 구조체(12)의 깊이(H)와 직경(D)의 비율은 1 이상(즉 H/D≥1)이다. 동시에, 도 3에 도시한 것을 참고하면, 각 나노입자 구조체(12)는 호형의 상면(121)을 구비하고 있다.
도 4는 기판의 성형 과정을 도시하였다. 기판(1)의 표면에 이산화규소층(21) 및 필름 금속층(22)이 차례대로 설치되어 있고, 필름 금속층(22)은 니켈재질일 수 있으며, 또한 필름 금속층(22)의 두께는 50~200 옹스트롬(angstrom) 범위에 있으며, 열처리(대략 섭씨 850℃)를 거쳐 상기 필름 금속층으로부터 복수개의 나노 금속과립(23)이 형성된다. 이렇게 형성된 나노 레벨의 금속과립(23)을 마스크로 하고 유도결함 플라즈마 반응성 이온식각(ICP-RIE) 기술을 이용하여 식각하고, 그 후에 섭씨 100℃의 질산 식각액에 담궈 산 부식을 진행하고, 남은 금속과립을 제거하면, 기존의 이산화규소층으로부터 복수개의 나노입자 구조체(12)가 형성된다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 나노 패턴화 기판을 나타낸 도면이다. 상기 기판(1)과 각 나노입자 구조체(12) 사이에는 반도체층(13)이 형성되어 있고, 반도체층(13)은 질화갈륨층일 수 있다. 그 성장 과정은 상술한 내용과 유사하며 아래와 같은 면에서만 다르다. 도 6과 같이 기판(1)의 표면에는 반도체층(13), 이산화규소층(21) 및 필름 금속층(22)이 차례대로 형성되어 있고, 열처리를 거쳐 필름 금속층(22)으로부터 복수개의 나노 금속과립(23)이 형성되고, 다시 식각하여 기존의 이산화규소층으로부터 복수개의 나노입자 구조체(12)가 형성된다.
도 7은 본 발명의 나노 패턴화 기판의 제3 실시예를 나타낸 도면이다. 기판(1)의 표면에는 반도체층(13)이 형성되고, 반도체층(13)의 표면(131)에는 복수개의 나노 기둥 구조체(14)가 형성되고, 각 나노 기둥 구조체(14)는 고 종횡비(high aspect ratio)를 가진다. 즉 높이(H)와 직경(D)의 비율은 5 이상(H/D≥5)이다. 동시에, 도 8을 참고하면, 각 나노 기둥 구조체(14)는 호형의 상면(141)을 갖는다.
기판의 성장 과정은 상술한 내용과 유사하며, 아래에 설명한 점에서만 다르다. 도 9와 같이 기판(1)의 표면에는 반도체층(13), 이산화규소층(21) 및 필름 금속층(22)이 차례대로 설치되어 있고, 열처리를 거쳐 필름 금속층(22)으로부터 복수개의 나노 금속과립(23)을 형성하고, 다시 식각하여 기존의 이산화규소층 및 반도체층으로부터 복수개의 고 종횡비를 가지는 나노 기둥 구조체(14)를 형성한다. 그 결과, 각 나노 기둥 구조체(14)는 반도체층 영역으로서의 제1층(13c)과 이산화규소층 영역으로서의 제2층(21c)을 포함한다.
각 실시예의 기판에 대하여 반도체 재료 측방향 에피택시 공정을 진행한다. 도 10은 제3 실시예를 예로 들어 상기 에피택시층(3)이 기판(1)에 형성되어 각 나노 기둥 구조체(14)를 덮는 구성(또는 나노입자 구조체를 덮는 구성)을 나타냈다. 그 중, 기판 표면에 형성된 복수개의 나노 기둥 구조체(또는 나노입자 구조체)는 고 종횡비의 특성을 통해 정방향 성장을 억제하며, 측방향 에피택시 영역을 증가시키며, 나아가 에피택시 품질을 개선한다. 또한 결정 격자가 매칭되지 않아 발생되는 터널링(tunneling) 결함을 대량으로 감소시켜 에피택시층이 저결함 밀도 배열을 이루도록 하며, 나아가 내부 양자 효율을 개선할 수 있다. 발광 소자가 제작된 후에는 발광 효율을 효과적으로 향상시킬 수 있고, 이산화규소 재질의 나노입자 구조체 또는 나노 기둥 구조체를 통하여, 아래쪽으로 향하는 빛을 위로 반사시킴에 있어 더욱 효율적이며 나아가 광 출력을 증가시킬 수 있다.
앞서 말한 내용을 종합하면, 본 발명은 발광소자에 비교적 적합한 나노 패턴화 기판 및 에피택시 구조체를 제공한다. 본 발명의 기술내용 및 기술특징은 이미 위에서 개시하였으나, 당업자는 본 발명에 개시된 내용을 기초로 하여 본 발명의 정신에 위배되지 않는 범위에서 교체 및 수정을 할 수 있다. 그러므로, 본 발명의 보호범위는 실시예에 제시한 것에 한정하지 않으며, 본 발명에 위배되지 않는 범위 내에서 진행한 교체 및 수정을 포함해야 하며, 이하의 특허출원청구범위에 기재된 범위를 기준으로 하여야 한다.
100: 발광 다이오드 110: 기판 120: 제1 반도체층 122: 전극 130: 발광층 130 140: 제2 반도체층 142: 전극 150: 저항 접촉층 1: 기판 11: 상부 표면 12: 나노입자 구조체 121: 상면 13: 반도체층 14: 나노 기둥 구조체 141: 상면 21: 이산화규소층 22: 필름 금속층 23: 나노 금속과립

Claims (24)

  1. 기판;
    상기 기판 표면에 설치되는 복수의 나노 기둥 구조체; 및
    상기 기판 상에 형성되고 상기 복수의 나노 기둥 구조체를 피복하는 반도체 에피택시층;
    을 포함하고,
    상기 복수의 나노 기둥 구조체는 각각 상기 기판 표면 상에 위치한 반도체 구조 및 상기 반도체 구조의 상단면 상에 위치한 이산화규소 구조를 포함하고, 각 상기 이산화규소 구조는 호형(弧形) 상단면 및 저면(底面)을 구비하고;
    각 상기 나노 기둥 구조체는 그 깊이와 직경의 비가 5보다 크고, 상기 기판과 상기 반도체 구조는 서로 다른 재료이고, 각 상기 반도체 구조의 상단면 및 상기 이산화규소 구조의 저면(底面)은 동일한 크기를 갖고 서로 접촉되는,
    에피택시 구조체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 나노 기둥 구조체는 규칙적인 간격을 가지는, 에피택시 구조체.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 구조의 재료는 질화갈륨인, 에피택시 구조체.
  4. 나노 패턴화 기판의 제조 방법으로서,
    기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 반도체층 상에 이산화규소층을 형성하는 단계;
    상기 이산화규소층 상에 박막 금속층을 형성하는 단계;
    상기 박막 금속층에 대하여 열처리를 진행함으로써 복수 개의 나노 금속과립을 형성하는 단계; 및
    상기 복수의 나노 금속과립을 마스크로 하여 상기 이산화규소층 및 일부분의 상기 반도체층에 대하여 식각을 진행하여 복수의 나노 기둥 구조체를 형성하는 단계;
    를 포함하고,
    각 상기 나노 기둥 구조체는 상기 반도체층 및 이산화규소층을 식각하여 얻은 반도체 구조 및 이산화규소 구조를 포함하고, 각 상기 나노 기둥 구조체의 깊이와 직경의 비율은 5보다 큰,
    나노 패턴화 기판의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 나노 기둥 구조체를 덮으며, 반도체층에 비해 결함이 적은 에피택시층을 상기 기판 상에 형성하는 단계를 더 포함하는 나노 패턴화 기판의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판과 복수의 상기 나노 기둥 구조체 사이에 제1 반도체층을 더 포함하는 에피택시 구조체.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 반도체 에피택시층은 상기 제1 반도체층에 비해 결함이 적은 에피택시층인, 에피택시 구조체.

  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
KR1020100074050A 2009-07-30 2010-07-30 에피택시 구조체 및 나노 패턴화 기판의 제조 방법 KR101629343B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW098214077 2009-07-30
TW098214077U TWM386591U (en) 2009-07-30 2009-07-30 Nano patterned substrate and epitaxial structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110013325A KR20110013325A (ko) 2011-02-09
KR101629343B1 true KR101629343B1 (ko) 2016-06-10

Family

ID=43526204

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100074050A KR101629343B1 (ko) 2009-07-30 2010-07-30 에피택시 구조체 및 나노 패턴화 기판의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20110024880A1 (ko)
KR (1) KR101629343B1 (ko)
TW (1) TWM386591U (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11405067B2 (en) 2018-10-18 2022-08-02 Po Ching SUNG Holding apparatus and method for use with portable electronic devices utilizing a strip apparatus

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8859399B2 (en) * 2008-11-19 2014-10-14 Agency For Science, Technology And Research Method of at least partially releasing an epitaxial layer
US8723159B2 (en) 2011-02-15 2014-05-13 Invenlux Corporation Defect-controlling structure for epitaxial growth, light emitting device containing defect-controlling structure, and method of forming the same
TW201300310A (zh) * 2011-06-28 2013-01-01 Aceplux Optotech Inc 具有奈米圖案的磊晶基板及發光二極體的製作方法
US8426270B2 (en) * 2011-07-22 2013-04-23 Intermolecular, Inc. Memory device with a textured lowered electrode
US10153396B2 (en) 2011-10-10 2018-12-11 Sensor Electronic Technology, Inc. Patterned layer design for group III nitride layer growth
US9806228B2 (en) 2011-10-10 2017-10-31 Sensor Electronic Technology, Inc. Patterned layer design for group III nitride layer growth
US10622515B2 (en) 2011-10-10 2020-04-14 Sensor Electronic Technology, Inc. Patterned layer design for group III nitride layer growth
US9691939B2 (en) 2011-10-10 2017-06-27 Sensor Electronic Technology, Inc. Patterned layer design for group III nitride layer growth
US9105792B2 (en) 2011-10-10 2015-08-11 Sensor Electronic Technology, Inc. Patterned layer design for group III nitride layer growth
KR20130072014A (ko) * 2011-12-21 2013-07-01 엘지이노텍 주식회사 에피텍셜 기판 및 패턴 형성 방법
KR20130136739A (ko) * 2012-06-05 2013-12-13 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
US9472702B1 (en) * 2012-11-19 2016-10-18 Sandia Corporation Photovoltaic cell with nano-patterned substrate
US8921167B2 (en) * 2013-01-02 2014-12-30 International Business Machines Corporation Modified via bottom for BEOL via efuse
US10431624B2 (en) * 2015-07-08 2019-10-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing image sensor including nanostructure color filter
CN108922948B (zh) * 2018-08-24 2023-11-10 广东省半导体产业技术研究院 一种发光二极管结构及其制作方法
CN114038965B (zh) * 2021-04-01 2024-01-16 重庆康佳光电技术研究院有限公司 外延基板及其制作方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW333684B (en) * 1997-09-24 1998-06-11 Nanya Technology Co Ltd The producing method for semiconductor capacitor electrode plate
KR100307310B1 (ko) * 1999-01-27 2001-10-29 송자 다이아몬드 나노 휘스커 제조방법
JP2001168028A (ja) * 1999-12-03 2001-06-22 Sony Corp 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物の結晶製造方法、窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物結晶基板、窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物結晶膜およびデバイスの製造方法
JP2001196699A (ja) * 2000-01-13 2001-07-19 Sony Corp 半導体素子
US6770353B1 (en) * 2003-01-13 2004-08-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Co-deposited films with nano-columnar structures and formation process
KR100581831B1 (ko) * 2004-02-05 2006-05-23 엘지전자 주식회사 발광 다이오드
KR100682872B1 (ko) * 2004-12-08 2007-02-15 삼성전기주식회사 고효율 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
KR20080034444A (ko) * 2005-08-05 2008-04-21 히다치 막셀 가부시키가이샤 결정 실리콘소자 및 그 제조방법
KR20070081184A (ko) * 2006-02-10 2007-08-16 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
WO2008048704A2 (en) * 2006-03-10 2008-04-24 Stc.Unm Pulsed growth of gan nanowires and applications in group iii nitride semiconductor substrate materials and devices
TWI338387B (en) * 2007-05-28 2011-03-01 Delta Electronics Inc Current spreading layer with micro/nano structure, light-emitting diode apparatus and its manufacturing method
US8652947B2 (en) * 2007-09-26 2014-02-18 Wang Nang Wang Non-polar III-V nitride semiconductor and growth method
TW200924202A (en) * 2007-11-30 2009-06-01 Delta Electronics Inc Solar cell and manufacturing method thereof
US20100035416A1 (en) * 2008-08-11 2010-02-11 Ding-Yuan Chen Forming III-Nitride Semiconductor Wafers Using Nano-Structures

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11405067B2 (en) 2018-10-18 2022-08-02 Po Ching SUNG Holding apparatus and method for use with portable electronic devices utilizing a strip apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110013325A (ko) 2011-02-09
TWM386591U (en) 2010-08-11
US20110024880A1 (en) 2011-02-03
US20140084238A1 (en) 2014-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101629343B1 (ko) 에피택시 구조체 및 나노 패턴화 기판의 제조 방법
KR100649769B1 (ko) 반도체 발광 다이오드 및 그 제조 방법
JP5475833B2 (ja) 垂直型発光素子
KR101125025B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
US8981534B2 (en) Pre-cutting a back side of a silicon substrate for growing better III-V group compound layer on a front side of the substrate
KR20110128545A (ko) 발광 소자, 발광 소자의 제조방법 및 발광 소자 패키지
CN1886827A (zh) 经表面粗化的高效氮化镓基发光二极管
JP3576963B2 (ja) 半導体発光素子
JP2010114159A (ja) 発光素子及びその製造方法
TWI493747B (zh) 發光二極體及其形成方法
TWI774759B (zh) 發光元件及其製造方法
KR101123010B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
CN101807648B (zh) 引入式粗化氮极性面氮化镓基发光二极管及其制作方法
JP2013110426A (ja) 半導体装置の製造方法
US20120068196A1 (en) Semiconductor light-emitting device and a method of manufacture thereof
JP2007214558A (ja) Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光ダイオード
US20100038656A1 (en) Nitride LEDs based on thick templates
KR20110041683A (ko) 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
US8394653B2 (en) Method for fabricating semiconductor lighting chip
RU2426197C1 (ru) Нитридное полупроводниковое устройство
KR100955821B1 (ko) 질화물계 발광소자 및 그의 제조방법
KR100765722B1 (ko) 나노 로드를 갖는 발광 소자 및 그의 제조 방법
Kim et al. Enhanced light output power of GaN-based light emitting diodes with overcut sideholes formed by wet etching
KR101252558B1 (ko) 수직형 발광 소자의 제조방법
KR100808197B1 (ko) 수직형 발광 소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20150313

Effective date: 20151023

S901 Examination by remand of revocation
E902 Notification of reason for refusal
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190429

Year of fee payment: 4