KR100764959B1 - 기판 처리 시스템에서 증착 물질의 기화를 개선시키는방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 화학 기상 증착을 수행하기 위하여 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치로서,뚜껑과 기화된 물질을 분배하는 샤워헤드를 가진 증착 챔버; 및상기 뚜껑에 달린 기화기를 포함하며,상기 기화기는 출구와 입구를 가진 캐비티를 한정하는 몸체를 가지며, 상기 출구는 상기 입구보다 크며, 상기 기화기는, 상기 샤워헤드와 상기 캐비티 출구 사이에 배치되어 분산(dispersing)된 액체 전구체를 상기 샤워헤드에 의하여 분배(distributing)되기 전에 기화된 물질로 기화시키는 가열 플레이트를 더 포함하며, 상기 몸체는 상기 입구에 연결되며 폭(W) 및 길이(L)을 가지며 상기 캐비티 입구에 캐리어 가스와 액체 전구체의 혼합된 흐름을 전달하는 제 1통로를 한정하며,상기 캐비티 입구로의 제 1통로의 길이(L) 대 폭(W)의 비는 20:1을 초과하지 않으며,상기 액체 전구체는 상기 캐비티를 통하여 확장하는 상기 캐리어 가스에 의하여 상기 가열 플레이트 위로 분산되는, 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1통로의 길이(L) 대 폭(W)의 비는 적어도 2:1인 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1통로의 길이는 2.54mm 이하인 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1통로의 폭은 0.762mm 이하인 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 캐비티는 리세스된 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 몸체는 액체 전구체의 흐름을 전달하는 제 2통로 및 상기 제 2통로에 배치된 밸브를 더 포함하며, 상기 밸브는 각각의 개폐위치를 가지며 개방되었을 때 상기 제 2통로를 통하여 액체 전구체의 흐름을 상기 제 1통로로 전달하는 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1통로는 캐리어 가스 입구 및 상기 캐리어 입구로부터 제 1통로 길이(L) 만큼 이격된 액체 전구체 입구를 가지며, 상기 몸체는 액체 전구체 흐름을 전달하며 상기 제 1통로 액체 전구체 입구에 연결된 제 2통로 및 상기 제 1통로 캐리어 가스 입구에 연결되고 상기 제 1통로에 캐리어 가스 흐름을 전달하는 제 3통로를 더 포함하며, 상기 제 1통로는 상기 액체 전구체와 상기 캐리어 가스 모두의 혼합된 흐름을 상기 길이(L)을 통하여 상기 캐비티 입구에 전달하는 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 삭제
- 제 7항에 있어서, 상기 제 2통로는 소정 각도로 상기 제 1통로에 연결되어 상기 제 1통로를 통한 상기 제 3통로로부터의 캐리어 가스 흐름을 상기 제 2통로로부터의 액체 전구체 흐름과 혼합하도록 하며, 상기 제 2통로는 상기 제 1통로에서 흐르는 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 9항에 있어서, 상기 제 2통로는 상기 제 1통로에 직각으로 결합되는 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 7항에 있어서, 상기 제 1통로는 제 1흐름 단면적을 가지면 상기 제 2통로는 상기 제 1흐름 단면적보다 작은 제 2흐름 단면적을 가지는 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 7항에 있어서, 상기 제 1통로는 제 1흐름 단면적을 가지며 상기 제 3통로는 상기 제 1흐름 단면적보다 작은 제 3흐름 단면적을 가지는 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 6항에 있어서, 상기 밸브는 무효 부분이 없는(zero dead volume) 밸브인 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 6항에 있어서, 상기 제 2통로는 상기 밸브가 상기 폐쇄위치에 있을 때 상기 밸브와 상기 제 1통로사이에서 무효 레그 부분을 한정하며, 상기 무효 레그 부분의 체적은 0.1cc이하인 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 14항에 있어서, 상기 무효 레그 부분은 0.001cc이하의 체적을 가지는 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 캐비티는 상기 입구에서 출구까지 일정하게 증가하는 흐름 단면적을 가지는 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 몸체는 상기 캐비티의 반구형 부분을 한정하도록 배치된 반구형 벽을 가지는 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 몸체는 상기 캐비티의 실린더형 부분을 한정하도록 배치된 실린더형 벽을 가지는 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 몸체는 상기 캐비티의 절두-원뿔형 부분을 한정하도록 배치된 절두-원뿔형 벽을 가지는 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 16항에 있어서, 상기 캐비티는 노즐형상을 가지는 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 가열 플레이트는 상기 캐비티 출구와 접하는 표면을 가지며 다수의 홈들을 한정하는 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 21항에 있어서, 상기 가열 플레이트의 홈은 동심형인 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 21항에 있어서, 상기 가열 플레이트의 홈의 폭은 1.5875mm 내지 3.175mm 범위인 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 21항에 있어서, 상기 가열 플레이트의 홈의 깊이는 6.35mm 내지 12.7mm 범위인 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 캐리어 가스 소스, 액체 전구체 소스, 및 화학 기상 증착을 수행하기 위하여 기화된 물질을 분배하는 샤워헤드를 갖는 증착 챔버와 함께 사용되는 기화기로서,입구와 출구를 가진 캐비티를 한정하는 몸체를 포함하며,상기 기화기는, 상기 캐비티 출구와 면하며 상기 샤워헤드에 의하여 분배되기 전에 분산된 액체 전구체를 기화된 물질로 기화시키는 가열 플레이트를 더 포함하며,상기 몸체는 상기 캐비티 입구에 연결되며 상기 캐비티 입구에 캐리어 가스와 액체 전구체 흐름을 전달하는 제 1통로를 한정하며,상기 제 1통로는 액체 입구를 가지며 상기 액체 입구와 상기 캐비티 입구사이의 폭(W)와 길이(L)을 한정하며,상기 몸체는 상기 제 1통로 액체 입구에 연결되며 상기 제 1통로에 액체 전구체 흐름을 전달하는 제 2통로 및 상기 제 1통로에 연결되며 상기 제 1통로에 캐리어 가스 흐름을 전달하는 제 3통로를 한정하며,상기 액체 전구체와 상기 캐리어 가스의 흐름은 상기 액체 입구와 상기 캐비티 입구사이의 상기 제 1통로에서 혼합되며,상기 액체 입구와 상기 캐비티 입구사이의 상기 제 1통로의 길이(L) 대 폭(W)의 비는 20:1을 초과하지 않으며,상기 캐비티는 상기 액체 전구체를 상기 가열 플레이트 위로 분산시키도록 상기 캐리어 가스가 상기 캐비티를 통하여 확장되도록 하는 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 기화기.
- 제 25항에 있어서, 상기 제 1통로의 길이(L) 대 폭(W)의 비는 적어도 2:1인 것을 특징으로 하는 기화기.
- 제 25항에 있어서, 상기 제 1통로의 길이는 2.54mm 이하인 것을 특징으로 하는 기화기.
- 제 25항에 있어서, 상기 제 1통로의 폭은 0.762mm 이하인 것을 특징으로 하는 기화기.
- 제 25항에 있어서, 상기 캐비티는 리세스된 것을 특징으로 하는 기화기.
- 제 25항에 있어서, 상기 몸체는 상기 제 2통로에 배치된 밸브를 더 포함하며, 상기 밸브는 각각의 개폐위치를 가지며 개방되었을 때 상기 제 2통로를 통하여 액체 전구체의 흐름을 상기 제 1통로로 전달하는 것을 특징으로 하는 기화기.
- 제 30항에 있어서, 상기 밸브는 무효 부분이 없는(zero dead volume) 밸브인 것을 특징으로 하는 기화기.
- 제 30항에 있어서, 상기 제 2통로는 상기 밸브가 상기 폐쇄위치에 있을 때 상기 밸브와 상기 제 1통로사이에서 무효 레그 부분을 한정하며, 상기 무효 레그 부분의 체적은 0.1cc이하인 것을 특징으로 하는 기화기.
- 제 32항에 있어서, 상기 무효 레그 부분은 0.001cc이하의 체적을 가지는 것을 특징으로 하는 기화기.
- 삭제
- 제 25항에 있어서, 상기 제 2통로는 소정 각도로 상기 제 1통로에 연결되어 상기 제 1통로를 통한 상기 제 3통로로부터의 캐리어 가스 흐름을 상기 제 2통로로부터의 액체 전구체 흐름과 혼합하도록 하며, 상기 제 2통로는 상기 제 1통로에서 흐르는 것을 특징으로 하는 기화기.
- 제 25항에 있어서, 상기 제 1통로는 제 1흐름 단면적을 가지며 상기 제 2통로는 상기 제 1흐름 단면적보다 작은 제 2흐름 단면적을 가지는 것을 특징으로 하는 기화기.
- 제 25항에 있어서, 상기 제 1통로는 제 1흐름 단면적을 가지며 상기 제 3통로는 상기 제 1흐름 단면적보다 작은 제 3흐름 단면적을 가지는 것을 특징으로 하는 기화기.
- 제 25항에 있어서, 상기 캐비티는 상기 캐비티 입구에서 캐비티 출구까지 일정하게 증가하는 흐름 단면적을 가지는 것을 특징으로 하는 기화기.
- 제 25항에 있어서, 상기 가열 플레이트는 상기 캐비티 출구와 접하는 표면을 가지며 다수의 홈들을 한정하는 것을 특징으로 하는 기화기.
- 제 39항에 있어서, 상기 가열 플레이트의 홈은 동심형인 것을 특징으로 하는 기화기.
- 제 39항에 있어서, 상기 가열 플레이트의 홈의 폭은 1.5875mm 내지 3.175mm 범위인 것을 특징으로 하는 기화기.
- 제 39항에 있어서, 상기 가열 플레이트의 홈의 깊이는 6.35mm 내지 12.7mm 범위인 것을 특징으로 하는 기화기.
- 화학 기상 증착을 수행하기 위하여 캐리어 가스 소스 및 액체 전구체 소스를 사용하는 장치로서,뚜껑을 가진 증착 챔버; 및상기 뚜껑에 달려 있으며, 출구와 리세스된 입구를 가진 노즐형 캐비티를 한정하는 알루미늄 몸체를 포함하는 기화기를 포함하며,상기 출구는 상기 입구보다 크며, 상기 캐비티 출구의 폭은 6.35mm를 초과하며,상기 몸체는 상기 입구에 연결되며 폭(W)와 길이(L)을 가지며 상기 캐리어 가스와 액체 전구체의 흐름을 상기 캐비티 입구로 전달하는 제 1통로를 한정하며, 상기 제 1통로의 길이(L)는 2.54mm 이하이며 상기 제 1통로의 폭(W)은 0.762mm 이하이며, 상기 제 1통로의 길이(L) 대 폭(W)의 비는 2:1 내지 20:1 범위 내에 있으며,상기 제 1통로는 캐리어 가스 입구 및 상기 캐비티 입구로부터 제 1통로 길이(L)만큼 이격된 액체 전구체 입구를 가지며,상기 몸체는 액체 전구체 흐름을 전달하며 상기 제 1통로 액체 전구체 입구에 연결된 제 2통로 및 상기 제 1통로 캐리어 가스 입구에 연결되고 상기 제 1통로에 캐리어 가스 흐름을 전달하는 제 3통로를 더 포함하며,상기 제 1통로는 상기 액체 전구체와 상기 캐리어 가스의 혼합된 흐름을 상기 길이(L)을 통하여 상기 캐비티 입구로 전달하며,상기 액체 전구체는 상기 캐비티를 통하여 확장하는 캐리어 가스에 의하여 분산되고,상기 기화기는 상기 제 2통로에 배치된 밸브를 더 포함하며, 상기 밸브는 각각의 개폐위치를 가지며 개방되었을 때 상기 제 2통로를 통하여 액체 전구체의 흐름을 상기 제 1통로로 전달하며,상기 제 2통로는 상기 밸브가 상기 폐쇄위치에 있을 때 상기 밸브와 상기 제 1통로사이에서 무효 레그 부분을 한정하며, 상기 무효 레그 부분의 체적은 0.1cc이하며,상기 챔버는 기화된 물질을 분산시키는 샤워헤드를 가지며, 상기 기화기는 상기 샤워헤드와 상기 캐비티 출구사이에 배치되며 상기 샤워헤드에 의하여 분산되기 전에 상기 기화된 물질에 분산된 액체 전구체를 기화시키는 알루미늄 가열 플레이트를 가지며, 상기 가열 플레이트는 상기 캐비티 출구와 접하는 표면을 가지며 다수의 동심형 홈을 한정하는 캐리어 가스 소스 및 액체 전구체 소스를 사용하는 장치.
- 화학 기상 증착을 수행하는 방법으로서,화학 기상 증착 챔버의 뚜껑에 달린 기화기의 몸체의 캐비티 입구로의 제 1혼합 통로내에서 캐리어 가스와 액체 전구체의 흐름을 혼합하는 단계 - 상기 제 1혼합 통로의 길이 대 폭의 비는 20:1을 초과하지 않음 - ;상기 몸체내의 캐비티 입구에서 캐비티 출구로 흐르는 캐리어 가스와 액체 전구체의 결합된 흐름을 확장시키는 단계 - 상기 캐비티 출구는 입구보다 커서 상기 액체 전구체가 상기 캐비티를 통하여 확장되는 캐리어 가스에 의하여 상기 캐비티 출구와 면하는 가열 플레이트 위로 분산되게 함 - ; 및증기를 발생시키기 위하여 상기 분산된 액체 전구체를 상기 가열 플레이트를 이용하여 기화시키며, 상기 증착 챔버내의 샤워 헤드를 이용하여 기판상에 상기 증기를 증착시키는 단계를 포함하는 화학 기상 증착을 수행하는 방법.
- 화학 기상 증착에 이용하도록 샤워헤드를 통한 증기의 분배를 통해 액체를 기화시키는 방법으로서,몸체의 캐비티 입구로의 제 1혼합 통로내에서 캐리어 가스와 액체 전구체의 흐름을 혼합하는 단계 - 상기 제 1혼합 통로의 길이 대 폭의 비는 20:1을 초과하지 않음 - ;상기 몸체내의 캐비티 입구에서 캐비티 출구로 흐르는 캐리어 가스와 액체 전구체의 결합된 흐름을 확장시키는 단계 - 상기 캐비티 출구는 입구보다 커서 상기 액체 전구체가 상기 캐비티를 통하여 확장되는 캐리어 가스에 의하여 상기 캐비티 출구와 면하는 가열 플레이트 위로 분산되게 함 - ; 및증기를 발생시키기 위하여 상기 분산된 액체 전구체를 상기 가열 플레이트를 이용하여 기화시키는 단계를 포함하는 액체를 기화시키는 방법.
- 제 45항에 있어서,상기 기화 형성 완료시에 상기 제 1통로에 대한 액체 전구체의 흐름을 종료하도록 밸브를 폐쇄시키는 단계; 및상기 폐쇄된 밸브와 상기 제 1통로사이에서 무효 레그 통로를 정화시키는 단계를 포함하며,상기 밸브는 상기 무효 레그의 체적이 0.1cc이하가 되도록 상기 제 1통로에 충분히 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 액체를 기화시키는 방법.
- 화학 기상 증착을 수행하기 위하여 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치로서,뚜껑을 가진 증착 챔버; 및뚜껑에 달린 기화기를 포함하며,상기 기화기는 출구와 입구를 가진 캐비티를 한정하는 몸체를 가지며, 상기 출구는 상기 입구보다 크며, 상기 몸체는 상기 입구에 연결되며 폭(W) 및 길이(L)을 가지며 상기 캐비티 입구에 캐리어 가스와 액체 전구체의 혼합된 흐름을 전달하는 제 1통로를 더 한정하며, 상기 캐비티 입구로의 제 1통로의 길이(L) 대 폭(W)의 비는 20:1을 초과하지 않으며, 상기 제 1통로는 캐리어 가스 입구 및 상기 캐리어 입구로부터 제 1통로 길이(L) 만큼 이격된 액체 전구체 입구를 가지며, 상기 몸체는 액체 전구체 흐름을 전달하며 상기 제 1통로 액체 전구체 입구에 연결된 제 2통로 및 상기 제 1통로 캐리어 가스 입구에 연결되고 상기 제 1통로에 캐리어 가스 흐름을 전달하는 제 3통로를 더 포함하며, 상기 제 1통로는 캐리어 가스의 흐름을 상기 액체 전구체 입구를 통과하여 보내는 형상이어서 캐리어 가스의 흐름은 상기 액체 전구체의 흐름을 액체 전구체의 작은 물방울(droplet)로 전단하여 상기 액체 전구체의 작은 물방울과 상기 캐리어 가스 모두의 혼합된 흐름을 형성하며, 상기 제1통로는 상기 액체 전구체의 작은 물방울과 상기 캐리어 가스 모두의 상기 혼합된 흐름을 상기 길이(L)를 통하여 상기 캐비티 입구에 전달하며, 상기 캐비티는 상기 입구에서 출구까지 일정하게 증가하는 흐름 단면적을 가지는 것을 특징으로 하는, 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 제 47항에 있어서, 상기 캐비티는 노즐 형상인 것을 특징으로 하는 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 화학 기상 증착을 수행하기 위하여 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치로서,뚜껑을 가진 증착 챔버; 및뚜껑에 달린 기화기를 포함하며,상기 기화기는 출구와 입구를 가진 캐비티를 한정하는 몸체를 가지며, 상기 출구는 상기 입구보다 크며, 상기 몸체는 상기 입구에 연결되며 폭(W) 및 길이(L)을 가지며 상기 캐비티 입구에 캐리어 가스와 액체 전구체의 혼합된 흐름을 전달하는 제 1통로를 더 한정하며, 상기 캐비티 입구로의 제 1통로의 길이(L) 대 폭(W)의 비는 20:1을 초과하지 않으며, 상기 제 1통로는 캐리어 가스 입구 및 상기 캐리어 입구로부터 제 1통로 길이(L) 만큼 이격된 액체 전구체 입구를 가지며, 상기 몸체는 액체 전구체 흐름을 전달하며 상기 제 1통로 액체 전구체 입구에 연결된 제 2통로 및 상기 제 1통로 캐리어 가스 입구에 연결되고 상기 제 1통로에 캐리어 가스 흐름을 전달하는 제 3통로를 더 포함하며, 상기 제 1통로는 캐리어 가스의 흐름을 상기 액체 전구체 입구를 통과하여 보내는 형상이어서 캐리어 가스의 흐름은 상기 액체 전구체의 흐름을 액체 전구체의 작은 물방울(droplet)로 전단하여 상기 액체 전구체의 작은 물방울과 상기 캐리어 가스 모두의 혼합된 흐름을 형성하며, 상기 제1통로는 상기 액체 전구체의 작은 물방울과 상기 캐리어 가스 모두의 상기 혼합된 흐름을 상기 길이(L)를 통하여 상기 캐비티 입구에 전달하며, 상기 몸체는 상기 캐비티의 반구형 부분을 한정하도록 배치된 반구형 벽을 가지는 것을 특징으로 하는, 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
- 화학 기상 증착을 수행하기 위하여 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치로서,뚜껑을 가진 증착 챔버; 및뚜껑에 달린 기화기를 포함하며,상기 기화기는 출구와 입구를 가진 캐비티를 한정하는 몸체를 가지며, 상기 출구는 상기 입구보다 크며, 상기 몸체는 상기 입구에 연결되며 폭(W) 및 길이(L)을 가지며 상기 캐비티 입구에 캐리어 가스와 액체 전구체의 혼합된 흐름을 전달하는 제 1통로를 더 한정하며, 상기 캐비티 입구로의 제 1통로의 길이(L) 대 폭(W)의 비는 20:1을 초과하지 않으며, 상기 제 1통로는 캐리어 가스 입구 및 상기 캐리어 입구로부터 제 1통로 길이(L) 만큼 이격된 액체 전구체 입구를 가지며, 상기 몸체는 액체 전구체 흐름을 전달하며 상기 제 1통로 액체 전구체 입구에 연결된 제 2통로 및 상기 제 1통로 캐리어 가스 입구에 연결되고 상기 제 1통로에 캐리어 가스 흐름을 전달하는 제 3통로를 더 포함하며, 상기 제 1통로는 캐리어 가스의 흐름을 상기 액체 전구체 입구를 통과하여 보내는 형상이어서 캐리어 가스의 흐름은 상기 액체 전구체의 흐름을 액체 전구체의 작은 물방울(droplet)로 전단하여 상기 액체 전구체의 작은 물방울과 상기 캐리어 가스 모두의 혼합된 흐름을 형성하며, 상기 제1통로는 상기 액체 전구체의 작은 물방울과 상기 캐리어 가스 모두의 상기 혼합된 흐름을 상기 길이(L)를 통하여 상기 캐비티 입구에 전달하며, 상기 몸체는 상기 캐비티의 절두-원뿔형 부분을 한정하도록 배치된 절두-원뿔형 벽을 가지는 것을 특징으로 하는, 캐리어 가스 소스와 액체 전구체 소스를 이용하는 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/495,551 US6596085B1 (en) | 2000-02-01 | 2000-02-01 | Methods and apparatus for improved vaporization of deposition material in a substrate processing system |
US09/495,551 | 2000-02-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010078241A KR20010078241A (ko) | 2001-08-20 |
KR100764959B1 true KR100764959B1 (ko) | 2007-10-08 |
Family
ID=23969057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020010004818A KR100764959B1 (ko) | 2000-02-01 | 2001-02-01 | 기판 처리 시스템에서 증착 물질의 기화를 개선시키는방법 및 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6596085B1 (ko) |
EP (1) | EP1122335A1 (ko) |
JP (2) | JP5190164B2 (ko) |
KR (1) | KR100764959B1 (ko) |
TW (1) | TW505952B (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2000-02-01 US US09/495,551 patent/US6596085B1/en not_active Expired - Fee Related
-
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- 2001-01-31 EP EP01102105A patent/EP1122335A1/en not_active Withdrawn
- 2001-02-01 JP JP2001065754A patent/JP5190164B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-01 TW TW090102094A patent/TW505952B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-02-01 KR KR1020010004818A patent/KR100764959B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-11-28 JP JP2012260322A patent/JP5732025B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5190164B2 (ja) | 2013-04-24 |
TW505952B (en) | 2002-10-11 |
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JP5732025B2 (ja) | 2015-06-10 |
KR20010078241A (ko) | 2001-08-20 |
US6596085B1 (en) | 2003-07-22 |
JP2013064200A (ja) | 2013-04-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120927 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130927 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140929 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150930 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160929 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170929 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181001 Year of fee payment: 12 |