CN116324026A - 蒸气输送设备 - Google Patents

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乔治·雷耶斯
埃米尔·德拉佩
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Abstract

一种用于衬底处理系统中的处理室的蒸发器组件包含：储存罐，其被设置成储存并加热前体液体；以及蒸发器阀块，其被安装于所述储存罐上。所述蒸发器阀块包括：本体；多个阀，其安装于所述本体上；载气入口，其与所述储存罐流体连通；前体液体入口，其与所述储存罐流体连通；蒸气端口，其与所述储存罐流体连通，以及蒸气出口，其与所述处理室流体连通。所述多个阀中的每一个与包含在所述蒸发器阀块内的相应流动路径流体连通。

Description

蒸气输送设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年10月9日申请的美国临时申请No.63/090,138的权益。上述引用的申请的全部公开内容都通过引用合并于此。
技术领域
本公开涉及用于衬底处理系统的气体输送系统。
背景技术
这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
用于执行沉积和/或蚀刻的衬底处理系统通常包括具有基座的处理室。在处理期间可将例如半导体晶片之类的衬底布置在该基座上。可将包括一种或多种前体的工艺气体混合物引入处理室中，以将膜沉积于衬底上或蚀刻衬底。在一些衬底处理系统中，射频(RF)等离子体可在处理室中点燃和/或基座上的RF偏压可使用于激活化学反应。
气体输送系统中的各种气体流动路径用于输送工艺气体、载气、氧化气体、前体气体和/或清扫气体至处理室。气体流动路径通过管道、阀、歧管、以及阀入口块中的气体流动通道来限定。
发明内容
一种用于衬底处理系统中的处理室的蒸发器组件包含：储存罐，其被设置成储存并加热前体液体；以及蒸发器阀块，其被安装于所述储存罐上。所述蒸发器阀块包括：本体；多个阀，其安装于所述本体上；载气入口，其与所述储存罐流体连通；前体液体入口，其与所述储存罐流体连通；蒸气端口，其与所述储存罐流体连通，以及蒸气出口，其与所述处理室流体连通。所述多个阀中的每一个与包含在所述蒸发器阀块内的相应流动路径流体连通。
在其他特征中，所述多个阀包括第一阀、第二阀、第三阀、第四阀、以及第五阀。所述第一阀、所述第二阀、所述第三阀、以及所述第四阀从所述蒸发器阀块的第一侧部水平地向外延伸。所述第一阀、所述第二阀、所述第三阀、以及所述第四阀在与所述蒸发器阀块的纵向轴线平行的方向上被并排布置在所述蒸发器阀块的所述第一侧部。所述第一阀、所述第二阀、所述第三阀、以及所述第四阀的纵向轴线垂直于所述蒸发器阀块的所述纵向轴线。
在其他特征中，所述第五阀从所述蒸发器阀块向上延伸。所述第五阀的纵向轴线垂直于所述蒸发器阀块的纵向轴线。所述第一阀与储罐供应阀块流体连通，所述储罐供应阀块被设置成选择性地将所述前体液体供应至所述储存罐。所述第二阀与载气源、所述第三阀、以及所述第四阀流体连通。所述第三阀与所述载气入口流体连通。所述载气入口在横向方向上偏离所述第三阀。所述第四阀与所述第五阀流体连通。
在其他特征中，所述第五阀与所述蒸气端口以及所述蒸气出口流体连通。所述第一阀与储罐供应阀块流体连通，所述储罐供应阀块被设置成选择性地将所述前体液体供应至所述储存罐。所述第二阀与所述第一阀相邻并且与载气源、所述第三阀、以及所述第四阀流体连通。所述第三阀与所述第二阀相邻并且与所述载气入口流体连通。所述第四阀与所述第三阀相邻并且与所述第五阀流体连通。所述第五阀被布置在所述第四阀的上方并且与所述蒸气端口和所述蒸气出口流体连通。
在其他特征中，所述载气入口与所述蒸气端口位于所述蒸发器阀块的相对侧部上。所述蒸发器组件还包含入口管，所述入口管从所述前体液体入口向下延伸进入所述储存罐。所述入口管的上端包括在所述入口管的侧壁中的开口，所述开口穿过所述侧壁在所述入口管的内部与所述储存罐之间提供流体连通。所述蒸发器组件还包含液位传感器，所述液位传感器从所述载气入口向下延伸。所述载气入口与所述液位传感器对齐，使得流动通过所述载气入口的载气流动通过在所述液位传感器内的管道并进入所述储存罐。所述蒸发器阀块被安装在所述储存罐的盖上。
根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。
附图说明
根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：
图1是根据本公开内容的衬底处理系统的示例的功能框图；
图2A是根据本公开内容的包括示例性蒸发器组件的蒸气供应系统的功能框图；
图2B是根据本公开内容的示例性蒸发器组件；
图2C是根据本公开内容的示例性蒸发器组件的等角视图；以及
图2D是根据本公开内容的蒸发器组件的入口管；
在附图中，可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。
具体实施方式
气体输送系统包括管道、阀、歧管和气体流动通道的布置，以将气体混合物供应至衬底处理系统(例如，被设置成执行沉积工艺的衬底处理系统，该沉积工艺包括，但不限于：化学气相沉积(CVD)、等离子体增强CVD(PECVD)、以及热原子层沉积(ALD))中的相应的处理室或工作站。该气体输送系统还可设置成将蒸气(例如，水蒸气)供应至处理室。
在某些示例中，气体输送系统包括汽化器与液体流量控制器，其布置成使超纯水(UPW)或另一前体流动并汽化。汽化器可能具有高的反应时间(例如，介于0.5和5.0秒之间以逐渐上升至全输出)。然而，有些工艺(例如，ALD工艺)执行少于0.5秒(例如，少于0.25秒)的配料步骤。在其他示例中，使用安瓿来加热水或另一前体，以在储存罐内形成蒸气并使载气流动以夹带蒸气。相对于汽化器，安瓿可能具有更短的反应时间。然而，相对于汽化器，安瓿是昂贵的并且具有额外的设计困难(例如，需要额外的部件，例如：加热器、多个传感器、以及其他电子器件)。
根据本公开内容的气体输送系统和方法实施整合的蒸发器组件，其被设置以产生蒸气(例如，水蒸气)并将其供应至处理室。该蒸发器组件包括加热的储存罐(例如，电抛光的不锈钢储存罐)，其在真空状态下储存汽化的前体(例如，UPW)。整合的蒸发器阀块被安装在储存罐上(例如，安装在储存罐的盖上或与储存罐的盖整合)。该蒸发器阀块包括多个阀，其被设置成提供相应的功能。例如，该蒸发器阀块包括五个阀，其分别被设置成用UPW填充储存罐，使惰性载气通过气体入口流入储存罐，将蒸气由储存罐释放至蒸气出口，清扫填充管线的液体(例如，UPW)并且使其进入储存罐中，以及使载气由气体入口分流至该蒸气出口。
蒸发器组件使系统复杂度与成本降低。例如，在单一阀块内整合多个阀简化了这些阀的加热、检修、以及维护。使加热的均匀度提高并消除冷点，从而减少了在各个阀入口与出口内的颗粒形成和累积。例如，可将阀块封闭在护套或包裹式加热器中且可包括一个或多个插入式加热器。
现在参照图1，示例性衬底处理系统100包括具有反应容积的处理室112。在一些示例中，衬底处理系统100被设置成执行等离子体增强化学气相沉积(CVD)或等离子体增强原子层沉积(ALD)工艺。可使用气体分配设备114(例如喷头)将工艺气体混合物供应至处理室112。在一些示例中，该喷头是枝形吊灯型的喷头。可将衬底118(例如半导体晶片)在处理期间布置在衬底支撑件116上。衬底支撑件116可包括基座、静电卡盘、机械卡盘、或其他类型的衬底支撑件。
一个或多个气体输送系统(GDS)120-1、120-2以及120-3可各自包括一个或多个气体源122-1、122-2、…、以及122-N(统称为气体源122)，其中N为大于1的整数。阀124-1、124-2、…、以及124-N(统称为阀124)，质量流量控制器126-1、126-2、…、以及126-N(统称为质量流量控制器126)，或其他流量控制设备可用于供应一种或多种气体至歧管130，该歧管130通过阀入口块体132将气体混合物供应至处理室112。阀入口块体132包括多个阀并为供应至处理室112的气体混合物限定相应的流动路径。阀入口块体132可包括一个或多个分流路径以用于选择性地将气体分流至真空或排放部。可提供一个或多个附加的气体输送系统以在其他位置供应气体或气体混合物。
控制器136可用于监控工艺参数，例如温度、压力等(使用一个或多个传感器140)并且用于控制工艺时序。控制器136可用于控制处理设备，例如气体输送系统120-1、120-2以及120-3、衬底支撑件加热器142、和/或RF等离子体产生器146。控制器136还可用于利用阀150与泵152将处理室112抽空。
RF等离子体产生器146在处理室中产生RF等离子体。RF等离子体产生器146可为电感或电容式RF等离子体产生器。在一些示例中，RF等离子体产生器146可包括RF供应部160以及匹配和分配网络162。虽然RF等离子体产生器146被显示为连接至气体分配设备114且衬底支撑件为接地或不接地的，但RF等离子体产生器146可连接至衬底支撑件116且气体分配设备114可为接地或不接地的。
根据本公开内容，蒸发器组件170被设置成将汽化的前体(例如，水蒸气)供应至阀入口块体132。载气由载气源174供应至蒸发器组件(例如，经过蒸发器阀块至储存罐，其未在图1中显示)170。液体(例如，UPW)由储罐液体源178通过储罐供应阀块182供应至蒸发器组件170。
根据本公开内容，在图2A、2B、以及2C中更加详细地描绘蒸气供应系统200，其包括示例性蒸发器组件204。蒸发器组件204包括储存罐208以及安装在储存罐208上的蒸发器阀块212。例如，蒸发器阀块212被安装在储存罐208的盖216上或与盖216整合。蒸发器阀块212包括多个阀(例如，阀220-1、220-2、220-3、220-4、以及220-5，统称为阀220)，该多个阀安装在蒸发器阀块212的相同外壳或本体224上。前往和/或来自阀220的流动路径被封闭在本体224的内部228内。
例如，阀220-1与储罐供应阀块232流体连通，储罐供应阀块232被设置成选择性地由设施储罐液体源234供应液体(例如，液态前体，例如UPW)。例如，储罐液体源234位于衬底处理系统外部(例如，在设施的地板236之下)。储罐供应阀块232也可选择性地将清扫气体(例如，氮气(N2))由清扫气体源238供应至阀220-1。阀220-1通过蒸发器阀块212将液体供应至储存罐208。对应于储罐液体源234以及清扫气体源238的相应阀(图未显示)被容纳在相同的储罐供应阀块232内。仅举例而言，与清扫气体源238流体连通的阀位于在与储罐液体源234流体连通的阀上游(即，更靠近阀220-1)的流动路径中。
阀220-2与载气(例如，氮气(N2))源240流体连通。阀220-2选择性地使载气流动至阀220-3以及220-4。阀220-3选择性地将载气供应至储存罐208，以夹带蒸气(例如，汽化的前体液体)，该蒸气在将储存罐208加热时(例如，使用加热器244)形成。阀220-4选择性地将载气供应至阀220-5以清扫蒸发器阀块212内的流动路径。加热器244可对应于一个或多个单独或共同控制的电阻加热器、护套或包裹式加热器(例如，围绕储存罐208的加热膜或层)等。在一些示例中，加热器244可以包括一个或多个凸缘插入式加热器，其延伸通过储存罐208的底部和/或侧壁以直接加热液体。
阀220-5与储存罐208和蒸气出口248流体连通。如图所示，阀220-5在阀220-4的上方处被布置在蒸发器阀块212的顶部上。阀220-5选择性地将来自储存罐208的蒸气(即，载气和蒸气混合物)通过蒸气出口248供应至阀入口块体250(例如，对应于图1的阀入口块体132)。例如，为了供应蒸气，将加热器244(例如，响应来自控制器252的信号)控制以加热储存罐208中的液态前体，以形成蒸气。选择性地控制(例如，使用控制器252)阀220以使载气流动进入储存罐208，以夹带蒸气并使蒸气流出蒸气出口248。
图2B、2C、以及2D更加详细地显示了示例性蒸发器组件204。图2B是蒸发器组件204的正视图，而图2C是蒸发器组件204的等角视图。258显示了液态前体通过阀220-1以及入口管256(在图2D中更详细地显示)而进入储存罐208中的流动路径。入口管256围绕液态前体入口260并且向下延伸进入储存罐208中。例如，储罐液体源234与储存罐208(其可维持在真空压力下)之间的压力差导致在填充期间液体的急速膨胀和喷溅。围绕液态前体入口260的入口管256在储存罐208的填充期间包含喷溅。
入口管256的上端可包括在入口管256侧壁中的开口、凹口、或挡板262。开口262提供入口管256上端的内部与储存罐208之间的流体连通。因此，被供应以清扫蒸发器阀块212内的流动路径的清扫气体(例如，来自清扫气体源238)流过阀220-1和液态前体入口260并流出开口262，而非向下流动进入入口管256中。通过这种方式，避免了在储存罐208内在液体中产生起泡。
266显示了载气通过阀220-2、220-3、220-4、以及220-5的流动路径。当阀220-2和220-3开启时，载气由载气(例如，氮气(N2))源240流动通过阀220-2和220-3，通过载气入口268进入储存罐208中以夹带蒸气。载气和蒸气混合物通过蒸气端口270和阀220-5(当开启时)流出储存罐208，并流出蒸气出口248。272显示了蒸气的流动路径。
载气入口268和蒸气端口270位于蒸发器阀块212(以及盖216)的相对侧。例如，载气入口268位于蒸发器阀块212的最左(或最右)端，而蒸气端口270位于蒸发器阀块212的最右(或最左)端。通过这种方式，在通过蒸气端口270供应蒸气(其与通过载气入口268将载气供应进入储存罐208中同时进行)期间，载气的流动与蒸气端口270相隔开以避免将蒸气吹离蒸气端口270。如图所示，载气流动进入储存罐208的位置横向地偏离阀220-3的位置。
在一些示例中(如图所示)，载气入口268还用作液位传感器端口。例如，液位传感器276由载气入口268向下延伸进入储存罐208中。通过液位传感器276的通道278与载气入口268对齐(例如，与载气入口268同轴或同心对齐)。液位传感器276可以是多重位置(例如，四位置)的分立液位传感器。液位传感器276(例如，通过连接器与布线280)将指示储存罐208内液体的液位的信号提供至控制器252。控制器252根据液位传感器276所指示的液体液位而选择性地控制阀220以用前体液体填充储存罐208。
如图2C所示，每一阀220都安装在蒸发器阀块212上，且对应的流动路径(以及相关的管道、焊接件等)被封闭在蒸发器阀块212内。因此，简化了蒸发器阀块212的加热且减少了加热的不均匀性。例如，减少了蒸发器阀块212内的冷点。在一示例中，加热器护套或包裹物(例如，膜)被结合到蒸发器阀块212的外表面。例如，加热器护套是包含加热器布线(例如，布线网)的薄片或垫子，其与蒸发器阀块212的外表面结合。
如图所示，四个阀(220-1、220-2、220-3、以及220-4)被布置在蒸发器阀块212的第一(例如，前)侧部。例如，阀220-1、220-2、220-3、以及220-4由蒸发器阀块的前侧部水平地向外延伸，使得阀220-1、220-2、220-3、以及220-4的纵向轴线在第一方向中垂直于蒸发器阀块212的纵向(例如，如图所示的竖直)轴线。阀220-1、220-2、220-3、以及220-4在与蒸发器阀块212的纵向轴线平行的方向上被并排布置在蒸发器阀块212的前侧部。相反，阀220-5从蒸发器阀块212的第二(例如，顶)侧部向上(竖直地向外)延伸，使得阀220-5的纵向轴线在第二方向中垂直于蒸发器阀块212的纵向轴线以及蒸气流出蒸气出口248的流动方向。
此外，蒸发器阀块212的本体224被包含在由储存罐208的外周和盖216所限定的覆盖区(footprint)内。蒸发器阀块212的纵向轴线垂直于储存罐208的竖直轴线。例如，蒸发器阀块212水平地延伸横越储存罐208的盖216。
在其他示例中，可将阀220按与图所示的不同的顺序布置，且/或一个或多个阀220在蒸发器阀块212上可具有不同方位或位置。例如，一个或多个阀220可布置为在蒸发器阀块212的前侧部上(如图所示)，而一个或多个阀220可布置在蒸发器阀块212的不同侧部上(例如，在顶侧、后侧上等)。
尽管被描述为安装在储存罐208的盖216上，但在其他示例中，蒸发器阀块212可安装在储存罐208的其他位置(例如，在储存罐208的侧壁上)。此外，尽管被显示为处于直立方位，但在其他示例中储存罐208可具有其他方位(例如，储存罐208的纵向轴线处于水平而非竖直的方位)。储存罐208可比图示的更高或更矮。如图所示，储存罐208的高度比储存罐208的直径短，以最大化所储存的液体的表面积。储存罐208可具有不同的形状(例如，矩形而非圆柱形)。
前面的描述本质上仅仅是说明性的，并且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，虽然本公开包括特定示例，但是本公开的真实范围不应当被如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方案在上面被描述为具有某些特征，但是相对于本公开的任何实施方案描述的那些特征中的任何一个或多个，可以在任何其它实施方案的特征中实现和/或与任何其它实施方案的特征组合，即使该组合没有明确描述。换句话说，所描述的实施方案不是相互排斥的，并且一个或多个实施方案彼此的置换保持在本公开的范围内。
使用各种术语来描述元件之间(例如，模块之间、电路元件之间、半导体层之间等)的空间和功能关系，各种术语包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“紧挨”、“在...顶部”、“在...上面”、“在...下面”和“设置”。除非将第一和第二元件之间的关系明确地描述为“直接”，否则在上述公开中描述这种关系时，该关系可以是直接关系，其中在第一和第二元件之间不存在其它中间元件，但是也可以是间接关系，其中在第一和第二元件之间(在空间上或功能上)存在一个或多个中间元件。如本文所使用的，短语“A、B和C中的至少一个”应当被解释为意味着使用非排他性逻辑或(OR)的逻辑(A或B或C)，并且不应被解释为表示“A中的至少一个、B中的至少一个和C中的至少一个”。
在一些实现方案中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制这些系统的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何工艺，包括处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(RF)产生器设置、RF匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、晶片转移进出工具和其他转移工具和/或与具体系统连接或通过接口连接的装载锁。
从广义上讲，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(DSP)、定义为专用集成电路(ASIC)的芯片、和/或执行程序指令(例如，软件)的一个或多个微处理器或微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定工艺的操作参数。在一些实施方案中，操作参数可以是由工艺工程师定义来在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤的配方的一部分。
在一些实现方案中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准，改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的工艺。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供工艺配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的工艺的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的工艺和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在室上的与位于远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的工艺。
示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(PVD)室或模块、化学气相沉积(CVD)室或模块、原子层沉积(ALD)室或模块、原子层蚀刻(ALE)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。
如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。

Claims (20)

1.一种用于衬底处理系统中的处理室的蒸发器组件，所述蒸发器组件包含：
储存罐，其被设置成储存并加热前体液体；以及
蒸发器阀块，其被安装于所述储存罐上，其中所述蒸发器阀块包括
本体，
多个阀，其安装于所述本体上，
载气入口，其与所述储存罐流体连通，
前体液体入口，其与所述储存罐流体连通，
蒸气端口，其与所述储存罐流体连通，以及
蒸气出口，其与所述处理室流体连通，
其中所述多个阀中的每一个与包含在所述蒸发器阀块内的相应流动路径流体连通。
2.根据权利要求1所述的蒸发器组件，其中所述多个阀包括第一阀、第二阀、第三阀、第四阀、以及第五阀。
3.根据权利要求2所述的蒸发器组件，其中所述第一阀、所述第二阀、所述第三阀、以及所述第四阀从所述蒸发器阀块的第一侧部水平地向外延伸。
4.根据权利要求3所述的蒸发器组件，其中所述第一阀、所述第二阀、所述第三阀、以及所述第四阀在与所述蒸发器阀块的纵向轴线平行的方向上被并排布置在所述蒸发器阀块的所述第一侧部。
5.根据权利要求4所述的蒸发器组件，其中所述第一阀、所述第二阀、所述第三阀、以及所述第四阀的纵向轴线垂直于所述蒸发器阀块的所述纵向轴线。
6.根据权利要求2所述的蒸发器组件，其中所述第五阀从所述蒸发器阀块向上延伸。
7.根据权利要求6所述的蒸发器组件，其中所述第五阀的纵向轴线垂直于所述蒸发器阀块的纵向轴线。
8.根据权利要求2所述的蒸发器组件，其中所述第一阀与储罐供应阀块流体连通，所述储罐供应阀块被设置成选择性地将所述前体液体供应至所述储存罐。
9.根据权利要求2所述的蒸发器组件，其中所述第二阀与载气源、所述第三阀、以及所述第四阀流体连通。
10.根据权利要求9所述的蒸发器组件，其中所述第三阀与所述载气入口流体连通。
11.根据权利要求10所述的蒸发器组件，其中所述载气入口在横向方向上偏离所述第三阀。
12.根据权利要求9所述的蒸发器组件，其中所述第四阀与所述第五阀流体连通。
13.根据权利要求2所述的蒸发器组件，其中所述第五阀与所述蒸气端口以及所述蒸气出口流体连通。
14.根据权利要求2所述的蒸发器组件，其中：
所述第一阀与储罐供应阀块流体连通，所述储罐供应阀块被设置成选择性地将所述前体液体供应至所述储存罐；
所述第二阀与所述第一阀相邻并且与载气源、所述第三阀、以及所述第四阀流体连通；
所述第三阀与所述第二阀相邻并且与所述载气入口流体连通；
所述第四阀与所述第三阀相邻并且与所述第五阀流体连通；以及
所述第五阀被布置在所述第四阀的上方并且与所述蒸气端口和所述蒸气出口流体连通。
15.根据权利要求1所述的蒸发器组件，其中所述载气入口与所述蒸气端口位于所述蒸发器阀块的相对侧部上。
16.根据权利要求1所述的蒸发器组件，其还包含入口管，所述入口管从所述前体液体入口向下延伸进入所述储存罐。
17.根据权利要求16所述的蒸发器组件，其中所述入口管的上端包括在所述入口管的侧壁中的开口，所述开口穿过所述侧壁在所述入口管的内部与所述储存罐之间提供流体连通。
18.根据权利要求1所述的蒸发器组件，其还包含液位传感器，所述液位传感器从所述载气入口向下延伸。
19.根据权利要求18所述的蒸发器组件，其中所述载气入口与所述液位传感器对齐，使得流动通过所述载气入口的载气流动通过在所述液位传感器内的管道并进入所述储存罐。
20.根据权利要求1所述的蒸发器组件，其中所述蒸发器阀块被安装在所述储存罐的盖上。
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