TW201843343A - 基板處理系統之前驅物蒸氣供應系統中的流監視系統及方法 - Google Patents

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艾里恩 拉芙依
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耶利米 鮑德溫
金成帝
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Abstract

一種汽化前驅物輸送方法，該汽化前驅物係在基板處理系統中利用蒸氣輸送系統加以輸送，該方法包含：(a)在基板的沉積階段期間，選擇性地供應推進氣體至儲存液體及汽化前驅物的安瓿的入口；(b)量測沉積階段期間之安瓿之出口處的推進氣體及汽化前驅物的壓力；(c)判定沉積階段期間的最大壓力；(d)基於取樣間隔及該取樣間隔期間的最大壓力，判定沉積階段的積分面積；以及(e)針對基板的複數沉積階段，重複(a)、(b)、(c)、及(d)。

Description

基板處理系統之前驅物蒸氣供應系統中的流監視系統及方法
本揭露內容相關於基板處理系統，且更尤其相關於藉由蒸氣供應系統供應至基板處理系統之前驅物蒸氣的控制系統及方法。
本文提供的先前技術說明係針對概括性呈現本揭露內容之上下文的目的。此先前技術部分中所述之目前列名發明人之工作、及不可以其他方式認定為申請時之先前技術的實施態樣敘述皆不明示或暗示地承認其為針對本揭露內容的先前技術。
基板處理系統係用以處理例如半導體晶圓的基板。處理經常涉及使基板在處理腔室中曝露至氣體混合物及/或汽化前驅物。僅舉例而言，當在基板上沉積覆層時，例如化學氣相沉積(CVD, chemical vapor deposition)、 電漿加強CVD(PECVD, plasma-enhanced CVD)、原子層沉積(ALD, atomic layer deposition)、及電漿加強ALD(PEALD, plasma-enhanced ALD)的製程將基板曝露至一或更多氣體混合物及/或汽化前驅物。
汽化前驅物可利用蒸氣輸送系統產生，該蒸氣輸送系統包含儲存液體及蒸氣前驅物的受加熱安瓿。推進氣體源供應推進氣體至安瓿。推進氣體流過安瓿並且挾帶汽化前驅物。推進氣體及汽化前驅物係輸送至處理腔室。然後，精確控制被輸送至處理腔室之汽化前驅物的量係困難且昂貴的。
許多蒸氣輸送系統缺少即時的流監視或直接給劑通量量測。降低之控制及/或監視程度導致不穩定的沉積速率、起因於循環間或基板間劑量波動而偏移的膜特性及缺陷、及/或硬體故障。
一種汽化前驅物輸送方法，該汽化前驅物係在基板處理系統中利用蒸氣輸送系統加以輸送，該方法包含：(a)在基板的沉積階段期間，選擇性地供應推進氣體至儲存液體及汽化前驅物的安瓿的入口；(b)量測沉積階段期間之安瓿之出口處的推進氣體及汽化前驅物的壓力；(c)判定沉積階段期間的最大壓力；(d)基於取樣間隔及該取樣間隔期間的最大壓力，判定沉積階段的積分面積；以及(e)針對基板的複數沉積階段，重複(a)、(b)、(c)、及(d)。
在其他特徵中，方法包含(f)基於最大壓力及積分面積之以下操作的至少一者：蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整蒸氣輸送系統的操作參數。操作參數包含安瓿之溫度、推進氣體之流速、及沉積階段之持續時間其中至少一者。壓力係利用壓力計加以量測。
在其他特徵中，方法包含針對複數基板重複(a)、(b)、(c)、(d)、及(e)。方法包含(f)基於針對複數基板之最大壓力及積分面積之以下操作的至少一者：蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整蒸氣輸送系統的操作參數。
在其他特徵中，方法包含在基板處理系統中執行化學氣相沉積。方法包含在基板處理系統中執行原子層沉積。
在其他特徵中，方法包含(f)針對複數基板的每一者，對複數沉積階段的最大壓力取平均；以及(g)基於針對複數基板之平均最大壓力的以下操作的至少一者：蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整蒸氣輸送系統的操作參數。
在其他特徵中，方法包含(f)針對複數基板的每一者，對複數沉積階段的積分面積取平均；以及(g)基於針對複數基板之平均積分面積的以下操作的至少一者：蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整蒸氣輸送系統的操作參數。
在其他特徵中，方法包含(f)針對複數基板的每一者，對複數沉積階段的積分面積取平均；(g)針對複數基板的每一者，對複數沉積階段的最大壓力取平均；以及(h)基於針對複數基板之平均最大壓力及平均積分面積之以下操作的至少一者：蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整蒸氣輸送系統的操作參數。
一種基板處理系統用蒸氣輸送系統，包含：安瓿，其包含入口及出口，且儲存液體前驅物及汽化前驅物。質流控制器(MFC, mass flow controller)選擇性地供應推進氣體。複數閥選擇性地供應推進氣體至安瓿的入口。壓力計量測安瓿之出口處的壓力。閥選擇性地i)使汽化前驅物轉向，或ii)供應汽化前驅物至處理腔室。與MFC、複數閥、及壓力計連通的控制器係用以：(a)在基板的沉積階段期間，選擇性地供應推進氣體至儲存液體及汽化前驅物的安瓿的入口；(b)在沉積階段期間，量測安瓿之出口處的推進氣體及汽化前驅物的壓力；(c)判定沉積階段期間的最大壓力；(d)基於取樣間隔及該取樣間隔期間的最大壓力，判定沉積階段的積分面積；以及(e)針對基板之複數沉積階段，重複(a)、(b)、(c)、及(d)。
在其他特徵中，控制器係更用以：(f)基於最大壓力及積分面積之以下操作的至少一者：蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整蒸氣輸送系統的操作參數。操作參數包含安瓿之溫度、推進氣體之流速、及沉積階段之持續時間其中至少一者。
在其他特徵中，與控制器連通的壓力計量測安瓿之出口處的壓力。控制器係更用以針對複數基板，重複(a)、(b)、(c)、(d)、及(e)。
在其他特徵中，控制器係更用以：(f)基於針對複數基板之最大壓力及積分面積之以下操作的至少一者：蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整蒸氣輸送系統的操作參數。
在其他特徵中，基板處理系統執行化學氣相沉積。基板處理系統執行原子層沉積。控制器係更用以：(f)針對複數基板的複數沉積階段，對最大壓力取平均；以及(g)基於平均最大壓力之以下操作的至少一者：蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整蒸氣輸送系統的操作參數。
在其他特徵中，控制器係更用以：(f)針對複數基板的複數沉積階段，對積分面積取平均；以及(g)基於平均積分面積之以下操作的至少一者：蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整蒸氣輸送系統的操作參數。
在其他特徵中，控制器係更用以：(f)針對複數基板的複數沉積階段，對積分面積取平均；(g)針對複數基板的複數沉積階段，對最大壓力取平均；以及(h)基於平均最大壓力及平均積分面積之以下操作的至少一者：蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整蒸氣輸送系統的操作參數。
本揭露內容之應用的進一步領域將從實施方式、申請專利範圍、及圖式而變得明白。實施方式及特定範例僅意在說明的目的，且不意圖限制本揭露內容的範疇。
本揭露內容相關於利用壓力計、而非利用顯著較貴之質流計的即時給劑通量監視系統及方法。在一些範例中，系統及方法包含：判定安瓿開放時之每一循環期間的最大壓力及積分面積（對應於安瓿壓力*時間）；針對基板判定經過複數沉積循環之平均最大壓力及平均積分面積；以及針對複數基板，重複進行計算。計算可用於蒸氣輸送系統的診斷操作，或者用以調整蒸氣輸送系統的一或更多操作參數。
本文中所述的系統及方法針對基板上所執行之每一單獨循環及/或複數沉積循環提供給劑通量訊息。藉由針對對應於每一基板的資料取平均或執行另一函數，可判定逐基板的趨勢。系統及方法可用以識別循環間或基板間之給劑通量改變時的錯誤。
現在參考圖1，其顯示例示性基板處理系統20。雖然前述範例將以電漿加強化學氣相沉積(PECVD)之脈絡加以描述，但本揭露內容可用於其他基板處理系統，例如原子層沉積(ALD)、PEALD、CVD、或其他製程。基板處理系統20包含容納基板處理系統20之其他元件且（在使用RF電漿的情況下）容納RF電漿的處理腔室22。基板處理系統20包含上電極24、及靜電卡盤(ESC, electrostatic chuck)26或其他基板支撐件。在操作期間，基板28係設置於ESC 26上。
僅舉例而言，上電極24可包含例如噴淋頭的氣體分佈裝置29，該氣體分佈裝置29導入並分佈製程氣體。氣體分佈裝置29可包含桿部，該桿部包括連接至處理腔室之頂部表面的一末端。基部通常係圓柱形，且從位於與處理腔室之頂部表面隔開之位置處的桿部的相反末端在徑向上向外延伸。噴淋頭之基部之面向基板的表面或面板包含複數孔，汽化前驅物、製程氣體、或排凈氣體流過該等孔。或者，上電極24可包含傳導板，且製程氣體可以另一方式加以導入。
ESC 26包含用作下電極的基部板30。基部板30支撐加熱板32，該加熱板32可對應於陶瓷多區域加熱板。耐熱層34可設置於加熱板32與基部板30之間。基部板30可包含一或更多通道36，用以使冷卻劑流過基部板30。
在使用電漿的情況下，RF產生系統40產生以及輸出RF電壓至上電極24及下電極（例如，ESC 26的基部板30）其中一者。上電極24及基部板30的另一者可為DC接地、AC接地、或浮接。僅舉例而言，RF產生系統40可包含產生RF功率的RF產生器42，該RF功率係藉由匹配及分佈網路44被饋送至上電極24或基部板30。在其他範例中，電漿可以感應方式或以遠端方式產生。
氣體輸送系統50包含一或更多氣體源52-1、52-2、…、及52-N（統稱為氣體源52），其中N係大於零的整數。氣體源52係藉由閥54-1、54-2、…、及54-N（統稱為閥54）、以及質流控制器56-1、56-2、…、及56-N（統稱為質流控制器56）而連接至歧管60。蒸氣輸送系統61供應汽化前驅物至歧管60或至連接至處理腔室的另一歧管（未顯示）。歧管60的輸出係饋送至處理腔室22。
溫度控制器63可連接至設置於加熱板32中的複數熱控制元件(TCE, thermal control element)64。溫度控制器63可用以控制複數TCE 64，以控制ESC 26及基板28的溫度。溫度控制器63可與冷卻劑組件66連通，以控制通過通道36的冷卻劑流。例如，冷卻劑組件66可包含冷卻劑泵浦、貯器、及/或一或更多溫度感測器。溫度控制器63操作冷卻劑組件66，以選擇性地使冷卻劑流過通道，從而使ESC 26冷卻。
閥70及泵浦72可用以從處理腔室22排空反應物。系統控制器80可用以控制基板處理系統10的元件。
現在參考圖2，蒸氣輸送系統61接收來自推進氣體源120的氣體。藉由 推進氣體源120輸出之推進氣體的流速係藉由質流控制器(MFC)126或其他流動控制裝置加以調控。閥124可設置於推進氣體源120與MFC 126之間。 MFC 126的輸出部係連接至閥132及134的入口。閥134的出口係連接至容納液體前驅物112及汽化前驅物114的安瓿110。閥132的出口係連接至閥136的入口及閥140的入口。閥136的出口係連接至安瓿110的出口。閥140的出口係連接至歧管60及排氣系統141。
不處於使用狀態時，閥132、134、及136可處於閉合狀態。在緊接沉積之前的階段期間，閥140可設置成轉向至排氣系統141的位置，以容許汽化前驅物的流動達成穩定狀態。在此階段期間，閥134及136係開放的，且閥132係閉合的。來自推進氣體源120的推進氣體係定向成通過閥134、安瓿110、閥136、及閥140，進入排氣系統141。
在沉積期間，閥140係設置於非轉向位置，以容許汽化前驅物之流動流至歧管60，而非排氣系統141。在沉積期間，閥134及136係開放的且閥132係閉合的。來自推進氣體源120的推進氣體係定向成通過閥134、安瓿110、閥136及140，進入歧管60。
現在參考圖3，安瓿壓力在沉積之前及期間作為時間的函數而改變。當閥134及136係開放且閥132係閉合時，閥140被移動成轉向或「閉合」位置，安瓿壓力降低，且然後增加至穩定狀態數值。當閥140被移動成非轉向或「開放」位置時，安瓿壓力具有存在一些壓力改變之大致上穩定的數值。在一些範例中，轉向或「閉合」位置之持續時間係在從0.1秒至2秒的範圍內。在一些範例中，非轉向或「開放」位置之持續時間係在從0.1秒至2秒的範圍內。在一些範例中，在基板上執行複數沉積循環。
現在參考圖4~5，在每一沉積循環期間，如圖4中所示，判定並儲存非轉向或「開放」位置期間的最大安瓿壓力。此外，在每一沉積循環期間，如圖5中所示，判定並儲存非轉向或「開放」位置期間的積分面積（安瓿壓力*時間）。在一些範例中，時間對應於安瓿壓力的取樣速率。就基板之複數循環期間的最大安瓿壓力係加以取平均及儲存。類似地，複數循環期間的積分面積係加以取平均及儲存。
現在參考圖6~7，針對額外的基板重複圖4及5中所繪示的步驟。在圖6中，針對複數基板判定沉積期間的平均最大安瓿壓力。在圖7中，針對複數基板判定沉積期間的平均積分面積（安瓿壓力*時間）。
現在參考圖8~9，基於前述計算，可執行蒸氣輸送系統的診斷及/或控制。例如，在改變推進氣體流時執行前述量測及計算容許將積分面積（安瓿壓力*時間）特徵化為推進氣體流的函數。換言之，如圖8中可見，可改變推進氣體流，以調整汽化前驅物給劑通量。
例如，在改變安瓿溫度時執行前述量測及計算容許將將積分面積（安瓿壓力*時間）特徵化為安瓿溫度的函數。換言之，如圖9中可見，可改變安瓿溫度，以調整汽化前驅物給劑通量。
現在參考圖10，其顯示根據本揭露內容，用以控制及/或診斷蒸氣牽引系統之操作的方法200。在步驟210，將基板裝載至處理腔室中。在步驟214，方法判定沉積循環是否啟動。在一些範例中，沉積循環對應於閥140的非轉向或開放位置。
當步驟214係「是」(true)，方法在步驟218藉由安瓿壓力乘以閥140開放 （例如，汽化前驅物被輸送至歧管60）的時間而產生積分面積，以及儲存該積分面積。在步驟222，判定沉積循環期間的最大安瓿壓力。在步驟226，方法判定是否在基板上待執行另一沉積循環。若步驟226係「是」，則方法返回至步驟218。否則，方法持續進行步驟230，且基板係從處理腔室移除。
在步驟234，方法計算針對基板的平均最大安瓿壓力及積分面積（對應於安瓿壓力*時間）並且儲存數值。在步驟238，方法判定是否在另一基板上待執行沉積。若步驟238係「是」，則方法返回至步驟210。若步驟238係「否」(false)，則方法持續進行步驟242，並且比較針對複數基板的平均最大壓力及對應於安瓿壓力*時間的積分面積。
在步驟246，蒸氣輸送系統的操作係基於針對一基板或複數基板的最大壓力及積分之壓力*時間加以調整或診斷。或者，蒸氣輸送系統的操作係基於針對複數基板的平均最大壓力及積分之壓力*時間加以調整或診斷。例如，蒸氣輸送系統的操作可藉由調整推進氣體流速、閥134、136的開放持續時間、安瓿溫度、或其他操作參數而加以調整。或者，該等閥可用以診斷製程漂移或其他錯誤情形。
前述描述內容本質上僅係說明性的，且絕不意圖限制本揭露內容、其應用、或使用。本揭露內容之廣義教示可以各種形式實施。因此，儘管本揭露內容包含特定的範例，但本揭露內容的真正範疇不應被如此限制，因為其他修正將在研究圖式、說明書、及隨後之申請專利範圍時變得明白。應理解，方法內一或更多的步驟可在不改變本揭露內容之原理的情況下按照不同的順序（或同時地）執行。進一步講，儘管每一實施例於以上係被描述為具有某些特徵，但相關本揭露內容任何實施例而描述之該等特徵的任何一或更多者可在任何其他實施例中實施，並且/或者可與任何其他實施例的特徵進行組合，即使該組合並未明確地描述亦然。換言之，所描述的實施例並非係互相排斥，且一或更多實施例之間互相的置換仍屬於本揭露內容的範疇。
元件之間（例如，模組、電路元件、半導體層等之間）空間及功能的關係係使用諸多用語而描述，包含「連接」、「嚙合」、「耦合」、「鄰近」、「接近」、「在頂部上」、「之上」、「之下」、及「設置」。除非明確地描述成係「直接」的，否則當在以上揭露內容中描述第一與第二元件之間的關係時，該關係可為在第一與第二元件之間沒有其他中間元件出現的直接關係，也可為在第一與第二元件之間存在一或更多中間元件（空間上、或功能上）的間接關係。如本文中所使用，詞組「A、B、及C之至少一者」應被解釋成意指使用非排除性邏輯「或」的邏輯(A或B或C)，並且不應被解釋成意指「A之至少一者、B之至少一者、及C之至少一者」。
在一些實施例中，控制器係系統的一部分，該系統可為上述範例的一部分。如此之系統可包含半導體處理設備，該半導體處理設備包含（複數）處理工具、（複數）腔室、（複數）處理平台、及/或特定的處理元件（晶圓基座、氣體流動系統等）。該等系統可與電子設備整合，以在半導體晶圓或基板的處理之前、期間、以及之後，控制該等系統的運作。電子設備可稱為「控制器」，其可控制系統或複數系統的諸多元件或子部件。取決於處理要求及/或系統類型，控制器可程式設定成控制本文中所揭露製程的任何者，包含處理氣體的輸送、溫度設定（例如，加熱及/或冷卻）、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻(RF)產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流速設定、流體輸送設定、位置和操作設定、晶圓轉移（進出與特定系統相連接或相接合之工具及其他轉移工具及/或裝載鎖）。
廣泛地講，控制器可定義為具有諸多積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體的電子設備，其用以接收指令、發佈指令、控制操作、啟動清洗操作、啟動終點量測、及類似者。積體電路可包含：儲存程式指令之韌體形式的晶片、數位訊號處理器(DSP, digital signal processor)、定義為特定用途積體電路(ASIC, application specific integrated circuit)的晶片、及/或一或更多微處理器、或執行程式指令（例如，軟體）的微控制器。程式指令可為以諸多單獨設定（或程式檔案）之形式傳達至控制器或系統的指令，該單獨設定（或程式檔案）針對實行（半導體晶圓上之，或針對半導體晶圓之）特定製程而定義操作參數。在一些實施例中，操作參數可為由製程工程師為了在一或更多以下者的製造期間實現一或更多處理步驟而定義之配方的一部分：覆層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶圓的晶粒。
在一些實施例中，控制器可為電腦的一部分，或耦合至電腦，該電腦係與系統整合、耦合至系統、以其他網路的方式接至系統、或其組合的方式而接至系統。例如，控制器可在能容許遠端存取晶圓處理之「雲端」或廠房主機電腦系統的全部或部分中。電腦可使系統能夠遠端存取，以監控製造操作的目前進度、檢查過去製造操作的歷史、自複數的製造操作檢查趨勢或效能度量，以改變目前處理的參數、設定目前處理之後的處理步驟、或開始新的製程。在一些範例中，遠端電腦（例如，伺服器）可經由網路提供製程配方至系統，該網路可包含局域網路或網際網路。遠端電腦可包含使得可以輸入參數及/或設定、或對參數及/或設定進行程式設定的使用者介面，然後將該參數及/或設定自遠端電腦傳達至系統。在一些範例中，控制器以資料的形式接收指令，該指令為即將於一或更多操作期間執行之處理步驟的每一者指定參數。吾人應理解，參數可特定地針對待執行之製程的類型、及控制器與之接合或加以控制之工具的類型。因此，如上所述，控制器可為分散式，例如藉由包含以網路的方式接在一起且朝向共同之目的（例如，本文中所述的製程及控制）運作的一或更多分離式控制器。針對如此目的之分散式控制器的範例將是腔室上與位於遠端的一或更多積體電路（例如，在作業平臺層級、或作為遠端電腦的一部分）進行通訊的一或更多積體電路，兩者結合以控制腔室上的製程。
在無限制的情況下，例示性系統可包含：電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉淋洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清洗腔室或模組、斜角緣部蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD)腔室或模組、化學氣相沉積(CVD)腔室或模組、原子層沉積(ALD)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE)腔室或模組、離子植入腔室或模組、軌道腔室或模組、以及可在半導體晶圓的加工及/或製造中相關聯或使用的任何其他半導體處理系統。
如以上所提及，取決於待藉由工具而執行之（複數）製程步驟，控制器可與半導體製造工廠中的一或更多以下者進行通訊：其他工具電路或模組、其他工具元件、叢集工具、其他工具介面、鄰近的工具、相鄰的工具、遍及工廠而分佈的工具、主電腦、另一控制器、或材料運送中使用之工具，該材料運送中使用之工具攜帶晶圓容器往返工具位置及/或裝載埠。
20‧‧‧基板處理系統
22‧‧‧處理腔室
24‧‧‧上電極
26‧‧‧ESC
28‧‧‧基板
29‧‧‧氣體分佈裝置
30‧‧‧基部板
32‧‧‧加熱板
34‧‧‧耐熱層
36‧‧‧通道
40‧‧‧RF產生系統
42‧‧‧RF產生器
44‧‧‧匹配及分佈網路
50‧‧‧氣體輸送系統
52-1‧‧‧氣體源
52-2‧‧‧氣體源
52-N‧‧‧氣體源
54-1‧‧‧閥
54-N‧‧‧閥
56-1‧‧‧質流控制器
56-N‧‧‧質流控制器
60‧‧‧歧管
61‧‧‧蒸氣輸送系統
63‧‧‧溫度控制器
64‧‧‧TCE
66‧‧‧冷卻劑組件
70‧‧‧閥
72‧‧‧泵浦
80‧‧‧系統控制器
110‧‧‧安瓿
112‧‧‧液體前驅物
114‧‧‧汽化前驅物
120‧‧‧推進氣體源
124‧‧‧閥
126‧‧‧MFC
132‧‧‧閥
134‧‧‧閥
136‧‧‧閥
140‧‧‧閥
141‧‧‧排氣系統
200‧‧‧方法
210‧‧‧步驟
214‧‧‧步驟
218‧‧‧步驟
222‧‧‧步驟
226‧‧‧步驟
230‧‧‧步驟
234‧‧‧步驟
238‧‧‧步驟
242‧‧‧步驟
246‧‧‧步驟
本揭露內容將自實施方式及附圖而變得更完整的理解，其中：
圖1係根據本揭露內容之包含蒸氣輸送系統之基板處理系統的範例的功能方塊圖；
圖2係根據本揭露內容之蒸氣輸送系統的範例的功能方塊圖；
圖3係繪示沉積循環期間，作為時間之函數的安瓿壓力的範例的圖表；
圖4係繪示複數沉積循環期間，最大安瓿壓力的範例的圖表；
圖5係繪示複數沉積循環期間，積分面積（安瓿壓力*時間）的範例的圖表；
圖6係繪示針對複數晶圓之平均最大安瓿壓力的範例的圖表；
圖7係繪示針對複數晶圓之平均積分面積（安瓿壓力*時間）的範例的圖表；
圖8係繪示作為推進氣體流之函數的積分面積（安瓿壓力*時間）的範例的圖表；
圖9係繪示作為安瓿溫度之函數的積分面積（安瓿壓力*時間）的範例的圖表；以及
圖10係繪示根據本揭露內容之蒸氣牽引系統之操作的控制及/或診斷方法的流程圖。
在圖式中，參考數字可重複使用，以識別相似及/或相同的元件。

Claims (22)

  1. 一種汽化前驅物輸送方法，該汽化前驅物係在基板處理系統中利用蒸氣輸送系統加以輸送，該方法包含： (a)在一基板的一沉積階段期間，選擇性地供應推進氣體至儲存液體及汽化前驅物的一安瓿的一入口； (b)在該沉積階段期間，量測該安瓿之一出口處的該推進氣體及該汽化前驅物的壓力； (c)判定該沉積階段期間的一最大壓力； (d)基於一取樣間隔及該取樣間隔期間的最大壓力，判定該沉積階段的一積分面積；以及 (e)針對該基板之複數沉積階段，重複(a)、(b)、(c)、及(d)。
  2. 如申請專利範圍第1項之汽化前驅物輸送方法，更包含： (f)基於該最大壓力及該積分面積之以下操作的至少一者：該蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整該蒸氣輸送系統的一操作參數。
  3. 如申請專利範圍第2項之汽化前驅物輸送方法，其中該操作參數包含該安瓿之溫度、該推進氣體之流速、及該沉積階段之持續時間其中至少一者。
  4. 如申請專利範圍第1項之汽化前驅物輸送方法，其中該壓力係利用一壓力計加以量測。
  5. 如申請專利範圍第1項之汽化前驅物輸送方法，更包含針對複數基板，重複(a)、(b)、(c)、(d)、及(e)。
  6. 如申請專利範圍第5項之汽化前驅物輸送方法，更包含： (f)基於針對該複數基板之該最大壓力及該積分面積之以下操作的至少一者：該蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整該蒸氣輸送系統的一操作參數。
  7. 如申請專利範圍第1項之汽化前驅物輸送方法，更包含在該基板處理系統中執行化學氣相沉積。
  8. 如申請專利範圍第1項之汽化前驅物輸送方法，更包含在該基板處理系統中執行原子層沉積。
  9. 如申請專利範圍第5項之汽化前驅物輸送方法，更包含： (f)針對該複數基板的每一者，對該複數沉積階段的該最大壓力取平均；以及 (g)基於針對該複數基板之平均最大壓力之以下操作的至少一者：該蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整該蒸氣輸送系統的一操作參數。
  10. 如申請專利範圍第5項之汽化前驅物輸送方法，更包含： (f)針對該複數基板的每一者，對該複數沉積階段的該積分面積取平均；以及 (g)基於針對該複數基板之平均積分面積之以下操作的至少一者：該蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整該蒸氣輸送系統的一操作參數。
  11. 如申請專利範圍第5項之汽化前驅物輸送方法，更包含： (f)針對該複數基板的每一者，對該複數沉積階段的該積分面積取平均； (g)針對該複數基板的每一者，對該複數沉積階段的該最大壓力取平均；以及 (h)基於針對該複數基板之平均最大壓力及平均積分面積之以下操作的至少一者：該蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整該蒸氣輸送系統的一操作參數。
  12. 一種基板處理系統用蒸氣輸送系統，包含： 一安瓿，其包含一入口及一出口，且儲存液體前驅物及汽化前驅物； 一質流控制器(MFC, mass flow controller)，以選擇性地供應推進氣體； 複數閥，以選擇性地供應推進氣體至該安瓿的該入口； 一壓力計，以量測該安瓿之一出口處的壓力； 一閥，以選擇性地i)使該汽化前驅物轉向、或ii)供應該汽化前驅物至一處理腔室；以及 一控制器，其係與該MFC、該複數閥、及該壓力計連通，且用以： (a)在一基板的一沉積階段期間，選擇性地供應推進氣體至儲存液體及汽化前驅物的一安瓿的一入口； (b)在該沉積階段期間，量測該安瓿之一出口處之該推進氣體及該汽化前驅物的壓力； (c)判定該沉積階段期間的最大壓力； (d)基於一取樣間隔及該取樣間隔期間的該最大壓力，判定該沉積階段的一積分面積；以及 (e)針對該基板之複數沉積階段，重複(a)、(b)、(c)、及(d)。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理系統用蒸氣輸送系統，其中該控制器係更用以： (f)執行基於該最大壓力及該積分面積之以下操作的至少一者：該蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整該蒸氣輸送系統的一操作參數。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理系統用蒸氣輸送系統，其中該操作參數包含該安瓿之溫度、該推進氣體之流速、及該沉積階段之持續時間其中至少一者。
  15. 如申請專利範圍第13項之基板處理系統用蒸氣輸送系統，更包含與該控制器連通的一壓力計，以量測該安瓿之一出口處的壓力。
  16. 如申請專利範圍第12項之基板處理系統用蒸氣輸送系統，其中該控制器係更用以針對複數基板，重複(a)、(b)、(c)、(d)、及(e)。
  17. 如申請專利範圍第16項之基板處理系統用蒸氣輸送系統，其中該控制器係更用以： (f)執行基於針對該複數基板之該最大壓力及該積分面積之以下操作的至少一者：該蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整該蒸氣輸送系統的一操作參數。
  18. 如申請專利範圍第12項之基板處理系統用蒸氣輸送系統，其中該基板處理系統執行化學氣相沉積。
  19. 如申請專利範圍第12項之基板處理系統用蒸氣輸送系統，其中該基板處理系統執行原子層沉積。
  20. 如申請專利範圍第16項之基板處理系統用蒸氣輸送系統，其中該控制器係更用以： (f)對該複數基板之該複數沉積階段的該最大壓力取平均；以及 (g)執行基於平均最大壓力之以下操作的至少一者：該蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整該蒸氣輸送系統的一操作參數。
  21. 如申請專利範圍第16項之基板處理系統用蒸氣輸送系統，其中該控制器係更用以： (f)對該複數基板之該複數沉積階段的該積分面積取平均；以及 (g)執行基於平均積分面積之以下操作的至少一者：該蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整該蒸氣輸送系統的一操作參數。
  22. 如申請專利範圍第16項之基板處理系統用蒸氣輸送系統，其中該控制器係更用以： (f)對該複數基板之該複數沉積階段的該積分面積取平均； (g)對該複數基板之該複數沉積階段的該最大壓力取平均；以及 (h)執行基於平均最大壓力及平均積分面積之以下操作的至少一者：該蒸氣輸送系統的診斷操作、及調整該蒸氣輸送系統的一操作參數。
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