KR100758296B1 - 트렌치의 형성 방법 - Google Patents
트렌치의 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100758296B1 KR100758296B1 KR1020060009369A KR20060009369A KR100758296B1 KR 100758296 B1 KR100758296 B1 KR 100758296B1 KR 1020060009369 A KR1020060009369 A KR 1020060009369A KR 20060009369 A KR20060009369 A KR 20060009369A KR 100758296 B1 KR100758296 B1 KR 100758296B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- trench
- semiconductor substrate
- polymer
- perform
- forming
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
Description
Claims (7)
- 반도체 기판 상에 마스크층을 형성한 후 패터닝하여 상기 반도체 기판을 노출하는 마스크 패턴을 형성하고;산소, 질소, 및 비활성 가스들로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나의 가스 또는 둘 이상의 가스들의 플라즈마를 사용하여 상기 마스크 패턴의 측벽에 형성된 폴리머를 제거하고;상기 노출된 반도체 기판을 식각하여 그 측면이 단일한 기울기를 갖는 트렌치를 형성하는 것을 포함하고,상기 마스크 패턴을 형성하는 것과 상기 트렌치를 형성하는 것은 건식식각 공정으로 수행되며,상기 폴리머를 제거하는 공정을 수행하기 위해 인가되는 바이어스 파워는 상기 건식식각 공정을 수행하기 위해 인가되는 바이어스 파워보다 작은 트렌치의 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 마스크층은 질화막을 포함하는 트렌치의 형성 방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 폴리머를 제거하는 공정을 수행하기 위해 인가되는 소오스 파워는 상기 건식식각 공정을 수행하기 위해 인가되는 소오스 파워보다 작은 트렌치의 형성 방법.
- 반도체 기판 상에 마스크층을 형성한 후 패터닝하여 상기 반도체 기판을 노출하는 마스크 패턴을 형성하고;산소, 질소, 및 비활성 가스들로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나의 가스 또는 둘 이상의 가스들의 플라즈마를 사용하여 상기 마스크 패턴의 측벽에 형성된 폴리머를 제거하고;사불화탄소를 포함하는 가스의 플라즈마를 사용하여 상기 노출된 반도체 기판 상에 형성된 자연 산화막을 제거하고;상기 노출된 반도체 기판을 식각하여 그 측면이 단일한 기울기를 갖는 트렌치를 형성하는 것을 포함하는 트렌치의 형성 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 폴리머를 제거하는 공정을 수행하기 위해 인가되는 바이어스 파워는 상기 자연 산화막을 제거하는 공정을 수행하기 위해 인가되는 바이어스 파워보다 작은 트렌치의 형성 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 폴리머를 제거하는 공정을 수행하기 위해 인가되는 소오스 파워는 상기 자연 산화막을 제거하는 공정을 수행하기 위해 인가되는 바이어스 파워보다 작은 트렌치의 형성 방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060009369A KR100758296B1 (ko) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | 트렌치의 형성 방법 |
US11/624,410 US7795151B2 (en) | 2006-01-31 | 2007-01-18 | Methods of forming a trench having side surfaces including a uniform slope |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060009369A KR100758296B1 (ko) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | 트렌치의 형성 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070078924A KR20070078924A (ko) | 2007-08-03 |
KR100758296B1 true KR100758296B1 (ko) | 2007-09-12 |
Family
ID=38322618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060009369A KR100758296B1 (ko) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | 트렌치의 형성 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7795151B2 (ko) |
KR (1) | KR100758296B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100814372B1 (ko) * | 2007-01-24 | 2008-03-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 |
KR100849190B1 (ko) * | 2007-03-19 | 2008-07-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
CN106783583B (zh) * | 2016-11-30 | 2019-06-21 | 上海华力微电子有限公司 | 一种优化低功耗产品漏电流的方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010005210A (ko) * | 1999-06-30 | 2001-01-15 | 윤종용 | 얕은 트렌치 소자분리 방법 |
KR20050054363A (ko) * | 2003-12-04 | 2005-06-10 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3397275B2 (ja) | 1995-08-22 | 2003-04-14 | ソニー株式会社 | トレンチの形成方法 |
KR100230384B1 (ko) | 1996-11-18 | 1999-11-15 | 윤종용 | 반도체소자의 트렌치 형성방법 |
KR20000008735A (ko) | 1998-07-15 | 2000-02-15 | 윤종용 | 게이트 산화막의 형성페일을 최소화하기 위한트랜치 형성방법 |
US6130166A (en) * | 1999-02-01 | 2000-10-10 | Vlsi Technology, Inc. | Alternative plasma chemistry for enhanced photoresist removal |
US6432832B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-08-13 | Lam Research Corporation | Method of improving the profile angle between narrow and wide features |
US6566270B1 (en) * | 2000-09-15 | 2003-05-20 | Applied Materials Inc. | Integration of silicon etch and chamber cleaning processes |
KR100588646B1 (ko) | 2003-11-25 | 2006-06-12 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
US7157351B2 (en) * | 2004-05-20 | 2007-01-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Ozone vapor clean method |
-
2006
- 2006-01-31 KR KR1020060009369A patent/KR100758296B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-01-18 US US11/624,410 patent/US7795151B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010005210A (ko) * | 1999-06-30 | 2001-01-15 | 윤종용 | 얕은 트렌치 소자분리 방법 |
KR20050054363A (ko) * | 2003-12-04 | 2005-06-10 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7795151B2 (en) | 2010-09-14 |
US20070178663A1 (en) | 2007-08-02 |
KR20070078924A (ko) | 2007-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7125783B2 (en) | Dielectric anti-reflective coating surface treatment to prevent defect generation in associated wet clean | |
US20050106888A1 (en) | Method of in-situ damage removal - post O2 dry process | |
KR100399986B1 (ko) | 셸로우트렌치 소자분리방법 | |
US6444518B2 (en) | Method and manufacturing a device separation film in a semiconductor device | |
US20080305609A1 (en) | Method for forming a seamless shallow trench isolation | |
US6828248B1 (en) | Method of pull back for forming shallow trench isolation | |
KR100758296B1 (ko) | 트렌치의 형성 방법 | |
US20100129983A1 (en) | Method of Fabricating Semiconductor Device | |
JP2005026662A (ja) | 半導体素子の素子分離膜の形成方法及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
KR100475025B1 (ko) | 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 | |
JPH10189731A (ja) | コンタクトホール形成方法 | |
KR100478496B1 (ko) | 반도체 소자의 트렌치 산화막 형성 방법 | |
KR100685581B1 (ko) | 소자분리막 형성 방법 | |
TW200414415A (en) | Semiconductor device fabricating method | |
US6080677A (en) | Method for preventing micromasking in shallow trench isolation process etching | |
KR20050099097A (ko) | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 | |
US6972242B2 (en) | Methods to fabricate semiconductor devices | |
US7981800B1 (en) | Shallow trench isolation structures and methods for forming the same | |
KR100865455B1 (ko) | Sti 공정에서의 딤플 발생 방지방법 | |
KR20060075402A (ko) | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 | |
KR100619395B1 (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
KR100512007B1 (ko) | 셀로우 트렌치 소자분리 방법 | |
KR100620171B1 (ko) | 반도체 소자의 섀로우 트랜치 분리막 제조방법 | |
KR100561513B1 (ko) | 반도체 소자의 셸로우 트렌치 소자분리 방법 | |
KR100575616B1 (ko) | 반도체소자의 무경계 콘택홀 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Publication of correction | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120831 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130902 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140901 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150831 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180831 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190830 Year of fee payment: 13 |