KR100753064B1 - 후막 유전체 패턴의 제조방법 및 화상 표시 장치의제조방법 - Google Patents

후막 유전체 패턴의 제조방법 및 화상 표시 장치의제조방법 Download PDF

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Abstract

후막 유전체 패턴의 형성방법에 있어서, 연화점이 비교적 낮은 감광성 유전체 페이스트층을 기판상에 형성하고, 상기 기판상에 연화점이 비교적 높은 감광성 유전체 페이스트층을 형성하며, 이들 페이스트층을 노광하고 현상하여 전구체 패턴을 형성하며, 상기 전구체 패턴을 일괄 소성하여 전방향 테이퍼 형상(바깥쪽으로 경사진 형상)의 측면 에지부와 편평한 상면을 갖는 후막 유전체 패턴을 형성한다.
감광성 유전체, 전구체, 연화점, 노광, 현상, 소성

Description

후막 유전체 패턴의 제조방법 및 화상 표시 장치의 제조방법{METHOD OF MANUFACTURING THICK DIELECTRIC PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING IMAGE DISPLAYING APPARATUS}
도 1a, 1b, 1c, 1d, 및 1e는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제조방법의 공정을 도시한 개략 단면도.
본 발명은, 전자 방출 부재가 배치된 기판상에 배치되는 절연체 패턴, 복수의 배선들 사이에 배치된 층간 절연층 패턴, 플라즈마 디스플레이 처럼 기판상에 형성된 격벽 패턴, 유전체 패턴, 회로 기판 처럼 기판상에 형성된 절연체 패턴과 같은 후막 유전체 패턴을 제조하는 방법과, 화상 표시장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.
다양한 디스플레이를 구성하는 유전체 패턴에 있어서, 원하는 절연 특성을 얻기 위해 두껍게 형성된 후막 유전체 패턴을 제조하는 방법으로서, 예를 들면, 일 본 특허공개번호 제 2003-195513 호에 개시된 감광성 페이스트를 이용하는 방법이 예시된다. 이러한 방법에서는, 기판상에 부가된 감광성 페이스트 층을 일회 이상 노광하여 현상과 소성공정을 수행하거나 또는 상기 감광성 페이스트를 기판상에 부가하여 노광과 소성공정을 1회 이상 반복함으로써, 패턴 에지에 소성 잔류물이 남지 않도록 소성하여 패턴 수축이 없는 매우 정밀한 부재 패턴을 얻게 된다.
그러나, 일본 특허공개번호 제 2003-195513 호에 개시된 방법에서는, 노광을 1회 이상 반복하므로 각 노광시 위치선정이 복잡하다. 또한, 입체 형상(측면 에지부의 바깥쪽으로 경사진 전방향 테이퍼 형상과 상부 표면부의 평면성)을 개선하기 위한, 안정화된 후막 유전체 패턴을, 필요한 공정수의 증가 없이 제조하는 방법이 요구되고 있다.
본 발명은 적은 공정수와 매우 높은 패턴 정확도로 후막 유전체 패턴을 제조하는 방법을 제공하는 것이며, 또한 입체 형상(측면 에지부의 바깥쪽으로 경사진 전방향 테이퍼 형상과 상부 표면부의 평면성)이 우수한 안정화된 후막 유전체 패턴을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은, 유전체 재료를 포함한 제 1 감광성 유전체 페이스트를 기판상에 부가하여 건조함으로써, 제 1 전구체층을 형성하는 단계;상기 제 1 전구체층상에, 상기 제 1 감광성 유전체 페이스트의 유전체 재료 보다 큰 평균 연화점을 갖는 유전체 재료를 포함한 제 2 감광성 유전체 페이스트를 부가하여 건조함으로써, 제 2 전구체층을 형성하는 단계;소정 패턴의 마스크를 통해`상기 제 1 전구체층과 상기 제 2 전구체층의 적층체를 일괄적으로 노광하여 현상함으로써 전구체 패턴을 형성하는 단계: 및 상기 전구체 패턴을 일괄적으로 소성함으로써 후막 유전체 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판상에 배치된 후막 유전체 패턴의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은, 복수의 전자 방출 부재; 상기 복수의 전자 방출 부재를 매트릭스 패턴으로 배선하는 복수의 행방향 배선과 복수의 열방향 배선; 및 상기 복수의 행방향 배선과 상기 복수의 열방향 배선 사이에 배치된 후막 유전체 패턴을 포함하며, 상기 후막 유전체 패턴은 상기 후막 유전체 패턴의 제조방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 제1국면에 따르면, 유전체 재료를 포함한 제 1 감광성 유전체 페이스트를 기판상에 부가하여 건조함으로써, 제 1 전구체층을 형성하는 단계;상기 제 1 전구체층상에, 상기 제 1 감광성 유전체 페이스트의 유전체 재료 보다 큰 평균 연화점을 갖는 유전체 재료를 포함한 제 2 감광성 유전체 페이스트를 부가하여 건조함으로써, 제 2 전구체층을 형성하는 단계;소정 패턴의 마스크를 통해`상기 제 1 전구체층과 상기 제 2 전구체층의 적층체를 일괄적으로 노광하여 현상함으로써 전구체 패턴을 형성하는 단계: 및 상기 전구체 패턴을 일괄적으로 소성함으로써 후막 유전체 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판상에 배치된 후막 유전체 패턴의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 제2국면에 따르면, 복수의 전자 방출 부재; 상기 복수의 전자 방출 부재를 매트릭스 패턴으로 배선하는 복수의 행방향 배선과 복수의 열방향 배선; 및 상기 복수의 행방향 배선과 상기 복수의 열방향 배선 사이에 배치된 후막 유전체 패턴을 포함하며, 상기 후막 유전체 패턴은 상기 후막 유전체 패턴의 제조방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명에서는, 적층체를 일괄적으로 노광하여 전구체 패턴을 형성하므로, 노광 공정은 일회만 수행하며, 매우 정확한 노광을 수행할 수 있다. 또한, 상기 적층체는 그 체적이 수축하도록 상층에서 높은 온도로 연화되므로, 상층은 하층의 수축시 하층의 변형 억제 부재로서 기능하여 결과적으로는 패턴 에지부에서 오버행(overhang)이 뚜렷하지 않은 우수한 입체 형상(측면 에지부의 바깥쪽으로 경사진 전방향 테이퍼 형상과 상부 표면부의 평면성)을 얻을 수 있다.
따라서, 본 발명에 따르면, 후막 유전체 패턴을 적은 공정수와 높은 정확도로 효율적으로 제공할 수 있으며, 상기 후막 유전체 패턴을 절연층으로서 이용하면 고품질 화상을 표시할 수 있는 화상 표시 장치를 제공할 수 있다.
이하 본 발명의 실시예를 설명한다.
본 발명에 의해 제조된 후막 유전체 패턴은, 전자 방출 부재가 배치된 기판상에 배치되는 절연체 패턴, 복수의 배선들 사이에 배치된 층간 절연층 패턴, 플라즈마 디스플레이 처럼 기판상에 형성된 격벽 패턴, 유전체 패턴, 회로 기판 처럼 기판상에 형성된 절연체 패턴등과 같은 유전체 패턴에 적용된다. 특히, 전자 방출 부재가 배치된 기판상에 배치되는 절연체 패턴과, 복수의 배선들 사이에 배치된 층간 절연층 패턴은 본 발명의 바람직한 실시형태로, 그 형성된 막 두께가 대략 10μm 내지 30μm이고 입체형상에 대한 영향도가 크다.
도 1a 내지 1e는 본 발명의 일실시예에 따른 제조방법의 공정을 도시한 개략적인 단면도이다. 본 발명의 각 공정은 도 1a 내지 1e를 참조하여 상세히 설명될 것이다.
<공정 1>
제 1 감광성 유전체 페이스트를 기판(1)상에 부가하여 건조함으로써, 제 1 전구체층(2a)를 형성한다. 다음, 상기 제 1 전구체층(2a)상에 제 2 감광성 유전체 페이스트를 부가하여 건조함으로써, 제 2 전구체층(3a)을 형성한다. 그러면, 상기 제 1 전구체층(2a) 및 상기 제 2 전구체층(3a)으로 구성된 적층체(4)가 형성된다 (도 1a).
본 발명에서는, 상기 제 2 감광성 유전체 페이스트에 함유된 유전체 재료는 상기 제 1 감광성 유전체 페이스트에 함유된 유전체 재료 보다 평균 연화점이 크다. 본 발명의 제조방법에 이용된 감광성 유전체 페이스트로서, 바람직하게는 유전체 재료로서 글래스 프릿이 첨가된 페이스트를 이용하며, 상기 글래스 프릿에는 감광성 유기 성분, 용매등의 주성분으로서 단독 또는 2종류 이상의 납 산화물 및 비스무스 산화물을 첨가한다. 본 발명에서는, 상기 제 1 및 제 2 감광성 유전체 페이스트에는 평균 연화점이 다른 글래스 프릿을 각각 첨가한다. 상기 글래스 프릿은 단독으로, 또는 평균 연화점이 다른 2종류 이상의 글래스 프릿을 조합하여 이용할 수 있다.
각 감광성 유전체 페이스트를 부가하는 방법으로는, 통상의 스크린 인쇄법, 바코드법 등을 이용하여 5μm 내지 40μm의 후막에 페이스트를 형성할 수 있다.
<공정 2>
공정 2에서 형성된 적층체(4)는 소정 패턴을 갖는 마스크(5)를 통해 일괄-노광한다. 각 전구체층(2a)(3a)을 광중합하여, 경화층(2a)(3a)을 포함하는 전구체 패턴이 되도록 한다 (도 1b). 통상, 노광공정에서는, 프락시미티(proximity) 노광장치로 소정 장소에서 얼라인하여, 원하는 후막 부재 패턴(9)에 대응하는 마스크(5)의 개구부(8)를 통해 미소 갭을 거쳐 적층체(4)에 광을 조사한다. 이때, 각 전구체층(2a)(3a)은 일괄적으로 노광되기 때문에, 잠상이 있는 각 경화층(2b)(3b)의 위치이동은 유발하지 않으므로 결국 균일한 단면 형상을 얻을 수 있다.
그러나, 하방으로 향하는 광감성에 기여하는 365nm 부근의 파장 광은 재료내의 흡수 및 산란으로 인해 감쇄되어 잠상 폭이 좁아진다. 그러므로, 도 1b에 도시된 바와 같이, 잠상 폭은 거의 계속적으로 경화층 3b로부터 2b로 좁아지게 된다.
<공정 3>
도 1c는 일괄노광 후의 상태를 도시한다. 통상, 현상공정은 노출되지 않은 부분을 용해시키는 약알칼리 용액으로 수행된다. 그 후, 현상공정은 순수 린스에 의해 중지되고, 에어 나이프(air knife)로 수제거 건조를 수행한다. 본 발명에서 는, 상기 제 1 전구체층(2a)과 상기 제 2 전구체층(3a)의 노출되지 않은 부분은 동시에 가용성 현상제를 이용하여 일괄적으로 현상한다.
<공정 4>
전구체 패턴(6)을 소성한다. 소성공정을 통해, 전구체 패턴(6)의 각 경화층(2b)(3b)은 연화, 결합 및 용융시 유동하여 그 체적이 수축한다. 본 발명에서는, 상기 경화층(3b)에 포함된 유전체 재료의 평균 연화점이 상기 경화층(2b)에 포함된 유전체 재료의 평균 연화점 보다 크기 때문에, 먼저, 상기 경화층(3b)에 포함된 유전체 재료의 평균 연화점 보다 낮은 온도에서, 또한 상기 경화층(3b)에 포함된 유전체 재료의 평균 연화점 보다 높은 온도에서, 경화층(2b)의 체적수축이 진행된다 (도 1d). 경화층(2b)의 형상변형이 기판(1)에 평행한 방향과 막 두께 방향으로 발생하더라도, 경화층(3b)의 체적수축은 그다지 많이 진행되지 않기 때문에, 경화층(3b)은 경화층(2b)의 변형 억제 부재로서 기능하며, 경화층(2b)의 체적 수축은 그 패턴내에서 막 두께 방향의 체적 수축이 발생함이 없이 모든 장소에서 균일하게 일어난다.
통상, 소성 오븐으로는 대기중의 열풍 순환 오븐과 대기중의 원적외선 히터 가열 방식의 오븐을 이용할 수 있으며, 또한 강제 공기 도입 방식이 이용될 수 있다.
도 1e는 도 1d의 상태에서 도달 가능한 가장 높은 소성 온도에 도달할 때 까지 온도를 추가로 상승시킨 후의 상태를 보여준다. 도 1d 보다 높은 온도로 온도는 추가로 상승하며, 경화층(3b)에 포함된 유전체 재료는 연화되어 결합되며, 체적수축이 시작되어 온도는 유전체 재료의 연화점까지 상승시켜 몇분 동안 유지시키는 동안, 유전체 재료는 거의 전체 영역에서 용융하기 시작하고, 그때 온도는 상온까지 하강하기 시작하여 완전히 일체화된 원하는 패턴을 얻을 수 있다.
그렇게 형성된 후막 유전체 패턴의 입체 형상은 상부표면의 평면성을 확보할 수 있으며, 특히, 에지부는 그 바닥(기판 계면)에서 상층까지 오버행 형상으로 되지 않으며, 잘 조절되는 전방향 테이퍼 형상이 전면에 형성된다.
<실시예>
하기에서 본 발명은 특정 예를 인용하여 상세히 설명될 것이다.
<실시예 1>
화상형성장치용의 전자방출부재가 배치된 전자원 기판용으로 상하 전극 사이에 배치된 절연체 패턴을 본 발명의 제조방법에 의해 제조하였다.
기판으로는 소다 라임 글래스가 이용되며, 상기 기판상에는, 먼저 전자 방출 부재와 이에 접속된 하전극을 형성하였다. 하전극으로는, 50nm의 막 두께를 갖는 Pt 재료를 일반적인 포토리소그래피 에칭에 의해 원하는 박막 패턴으로 형성하였다.
다음, 제 1 감광성 유전체 페이스트를 스크린 인쇄법에 의해 형성하였다. 스크린 인쇄의 판을 원하는 최종 두께에서 부터 시작하여 막 두께에 따라 적절히 이 용하지만, 본 실시예에서는, 55μm 직경의 스텐레스 철재로 이루어진 No. 145(1인치당 배선 수)의 배선을 포함한 판을 이용하였다. 또한, 감광성 유전체 페이스트로는, 단독 재료로서 대략 440℃의 글래스 연화점을 갖는 납 산화물을 주성분으로 함유한 글래스 프릿 (1)과, 단독 재료로서 대략 550℃의 글래스 연화점을 갖는 납 산화물을 주성분으로 함유한 글래스 프릿(2)의 2종류를 혼합하여 대략 480℃의 평균 연화점을 갖는 유전체 재료를 이용하며, 감광성을 갖는 용매 성분과 유기 성분을 조합함으로써 질량비가 대략 20 내지 40 퍼센트로 된 성분을 이용하였다. 그 후, 휘발시켜 건조할 목적으로, 용매를 열풍과 IR 히터로 대략 100℃에서 15분 동안 건조하였다. 건조 후의 상기 제 1 전구체층은 대략 26μm 막 두께를 갖는다.
다음, 글래스 프릿(2)만을 유전체 재료로서 이용하였으며, 감광성을 갖는 용매성분과 유기성분을 조합함으로써, 대략 20 내지 40 퍼센트의 질량비를 함유한 제 2 감광성 유전체 페이스트를 상기 제 1 감광성 유전체 페이스트와 동일한 방법으로 형성하여 건조하였다. 건조 후에, 상기 제 2 전구체층의 막두께는 25μm로 되었으며, 상기 제 1 전구체층과 합쳐서 대략 51μm로 되었다.
다음, 원하는 절연체 패턴에 대응하는 개구부를 갖는 마스크를 얼라인하여 원하는 장소에서 노출시켰으며, 상기 마스크와 제 2 전구체층 사이의 갭을 대략 100μm로 조정하여 100mJ/cm2의 노광값으로 노광하였다.
노광 후에, 상기 제 1 및 제 2 전구체층의 노출되지 않은 부분을 가용성 약알칼리 용액으로 현상하였으며, 그 후, 현상공정은 순수 린스에 의해 중지되었으며, 에어 나이프로 수제거 건조를 수행하여 상하 경화층이 일체화된 전구체 패턴을 얻게 된다.
그 후, 대기중에서 공기를 강제식으로 추가로 도입하면서 단계별로 가열 및 냉각하는 IR 히터 가열방식의 오븐을 이용하여, 상하 경화층이 일체화된 전구체 패턴을 일괄적으로 소성하였다. 온도가 상승하는 동안, 먼저, 두개의 감광성 페이스트에 잔류하는 용매 성분과 유기 성분을 대략 400℃에 도달할 때 까지 연소하여 제거하였다. 그 후, 온도는 추가로 상승하였으며, 하부 경화층의 글래스 프릿의 평균 연화점(이 경우 480℃) 보다 낮은 수십℃ 온도 근처에서 부터 글래스 프릿을 연화시켜 결합하였으며, 체적 수축은 시작하여 대략 480℃의 온도에서 글래스 프릿을 유동시키면서 용융하였다. 그러나, 이때, 온도는 상부 경화층에 함유된 글래스 프릿의 연화점 보다 여전히 낮기 때문에, 경화층의 체적 수축은 그리 많이 진행된 상태가 아니며, 경화층의 막 두께 방향의 체적 수축은 에지 발생 없이 모든 부분에서 균일하였다.
온도는 계속 상승하여, 상부경화층에 함유된 글래스 프릿의 연화점(530℃) 보다 낮은 30℃의 온도에서, 하층의 경우와 유사하게 글래스 프릿을 연화시켜 결합하였으며, 체적 수축이 시작된 후 온도를 연화점(530℃) 까지 상승시켜 10분 동안 유지하였으며, 거의 전면에 걸쳐 용융될 때에는, 온도 하강은 상온에 복원될 때 까지 촉진되어 원하는 유전체 패턴을 얻게 된다.
상기 원하는 절연체 패턴이, 막 두께가 대략 26μm인 막 두께 방향으로 대략 50% 수축하였더라도, 그 입체 형상은 상면의 평면성을 확보할 수 있었으며, 특히, 에지부는 바닥에서 상층까지 오버행 형상으로 되지 않았으며, 우수한 전방향 테이 퍼 형상으로 형성되었다.
그 후, 상전극으로서 Ag 페이스트를 대략 8μm의 막 두께로 상기 절연체 패턴상에 패턴-형성하여, 스크린 인쇄와 소성에 의해 스루-홀(through-hole)을 통해 하전극에 접속하였다.
상기 제조된 전자원 기판에서는, 절연체 패턴의 스루-홀에서 상기 하전극과 상전극 사이의 접속 불량 발생률은 0.1ppm 이하이며, 이는 일본 특허공개번호 제 2003-195513 호에 개시된 방법에 의해 전자원 기판을 형성한 때의 접속 불량 발생률 3.0ppm 보다 급격하게 감소하였다.
<실시예 2>
화상 표시 장치용 전자원 기판의 행방향 배선과 열방향 배선의 층간 절연체 패턴은 본 발명의 제조방법에 의해 제조되었다.
기판으로는, 낮은 변형점 글래스 PD 200 (아사히 글래스 Co., Ltd.)을 이용하였으며, 상기 기판상에는, 먼저 복수의 행방향 전자 방출 부재와 이들 전자 방출 부재를 접속시키는 복수의 열방향 배선을 열 마다 형성하였다. 열방향 배선으로는, 스크린 인쇄법으로 전면 도포, 가열, 건조, 노광, 현상 및 소성함으로써 감광성 은 페이스트 (글래스 프릿등)를 대략 5μm의 막 두께와 대략 35μm의 폭을 갖는 스트라이프 형상으로 패턴-형성하였다.
실시예 1과 유사하게 상기 제 1 및 제 2 감광성 유전체 페이스트를 이용하여 상기 기판상에는 전구체의 적층체를 형성하였다. 그러나, 원하는 막 두께를 얻기 위해, 상기 제 1 감광성 유전체 페이스트는 스텐레스 철재로 이루어진 40μm직경의 배선 봉의 판 No. 200 (1인치 당 배선 수)을 이용하였으며, 상기 제 2 감광성 유전체 페이스트는 스텐레스 철재로 이루어진 55μm직경의 배선 봉의 판 No. 145 (1인치 당 배선 수)을 이용하였다. 상기 두 가지 페이스트를 스크린 인쇄로 박막 형태로 형성하였으며, 용매를 휘발시켜 건조할 목적으로, 대략 15분 동안 대략 100℃에서 건조하였다. 건조 후 막 두께는 제 1 전구체층에 대해서는 대략 19μm이며, 상기 제 2 전구체층에 대해서는 대략 25μm이다. 그리고, 적층체의 전체 막 두께는 대략 44μm로 되었다.
다음, 실시예 1과 유사하게, 각 노광공정과 현상공정을 일괄적으로 수행하였으며, 그 후, 일괄 소성(최대 도달온도 530℃로 상승 후 10분 동안 유지함)을 상하층과 일체화된 전구체 패턴상에 수행하여 열방향 배선에 직교하는 복수의 스트라이프 형상의 층간 절연층 패턴을 얻었다. 결과적으로, 전체 막 두께는 대략 22μm 만큼 수축하고 또한 대략 50% 만큼 막 두께 방향으로 수축하더라도, 그 입체 형상은 실시예 1과 유사하게 상면의 평면성을 확보하도록 하였으며, 또한, 에지부는 바닥(기판 계면)에서 상층에 까지 오버행 형상으로 되지 않았으며, 우수한 전방향 테이퍼 형상을 형성하였다.
그 후, 상기 얻어진 층간 절연체 패턴상에는, 행방향 배선에 직교하는 복수의 열방향 배선을 형성하였다. 행방향 배선으로는, 은 페이스트를 스크린 인쇄 및 소성에 의해 스트라이프 형상으로 패턴-형성하였다. 그런데, 실시예 1과 유사하게, 층간 절연층상에는 스루-홀을 형성하였으며, 상기 스루-홀에 의해, 전자 방출 재료 는 각 행에 대해 행방향 배선에 접속시켰다. 따라서, 복수의 행방향 전자 방출 부재가, 상호-절연된 복수의 행방향 배선과 열방향 배선을 이용하여 매트릭스-배선된 전자원 기판을 형성하였다.
상기 제조된 층간 절연층 패턴을 화상 표시 장치의 전자원 기판용으로 이용하는 경우, 대향 기판(애노드)과 전자원 기판 사이의 갭은 대략 1.5mm이며, 10분 동안 12kV의 소정의 전위가 주어진 경우 두 기판 사이의 비정상 전기 방전의 발생률은 대략 1/10로 감소하였다. 이는 층간 절연층 패턴을 일본 특허공개번호 제 2003-195513 호에 개시된 제조방법에 의해 제조한 때의 3.0ppm의 접속 불량 발생률 보다 더욱 급격하게 감소한 것이다. 또한, 본래의 기능인 층간 절연층으로 하면, 부분적인 핀 홀 발생등으로 인해 행방향 배선과 열방향 배선사이의 전기적 회로 단락과 같은 결함 발생률은 대략 0.3ppm이었으며, 이는 층간 절연층 패턴을 일본 특허공개번호 제 2003-195513 호에 개시된 제조방법에 의해 제조한 때의 3.0ppm의 접속 불량 발생률 보다 더욱 급격하게 감소한 것이다.
본 발명에 따르면, 적은 공정수와 매우 높은 패턴 정확도로 후막 유전체 패턴을 제조할 수 있으며, 또한 입체 형상(측면 에지부의 바깥쪽으로 경사진 전방향 테이퍼 형상과 상부 표면부의 평면성)이 우수한 안정화된 후막 유전체 패턴을 얻을 수 있다.

Claims (3)

  1. 기판상에 배치된 후막 유전체 패턴의 제조방법에 있어서,
    유전체 재료를 포함한 제 1 감광성 유전체 페이스트를 기판상에 부가하여 건조함으로써, 제 1 전구체층을 형성하는 단계와,
    상기 제 1 전구체층상에, 상기 제 1 감광성 유전체 페이스트의 유전체 재료 보다 큰 평균 연화점을 갖는 유전체 재료를 포함한 제 2 감광성 유전체 페이스트를 부가하여 건조함으로써, 제 2 전구체층을 형성하는 단계와,
    소정 패턴의 마스크를 통해 상기 제 1 전구체층과 상기 제 2 전구체층의 적층체를 일괄적으로 노광하여 현상함으로써 전구체 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 전구체 패턴을 일괄적으로 소성함으로써 후막 유전체 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 후막 유전체 패턴의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 감광성 유전체 페이스트에 포함된 유전체 재료는 단독의 글래스 프릿, 또는 연화점이 다른 2종류 이상의 글래스 프릿의 혼합물인 것을 특징으로 하는 후막 유전체 패턴의 제조방법.
  3. 복수의 전자 방출 부재와, 상기 복수의 전자 방출 부재를 매트릭스 패턴으로 배선하는 복수의 행방향 배선과 복수의 열방향 배선과, 상기 복수의 행방향 배선과 상기 복수의 열방향 배선 사이에 배치된 후막 유전체 패턴을 구비하는 화상 표시 장치의 제조방법에 있어서,
    상기 후막 유전체 패턴은 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치의 제조방법.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006049837A (ja) * 2004-06-30 2006-02-16 Canon Inc 厚膜部材パターンの製造方法
US20090308860A1 (en) * 2008-06-11 2009-12-17 Applied Materials, Inc. Short thermal profile oven useful for screen printing
US20120083767A1 (en) * 2010-10-01 2012-04-05 The Johns Hopkins University Implantable bioreactor for delivery of paracrine factors
KR102212674B1 (ko) * 2014-07-09 2021-02-05 동우 화인켐 주식회사 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법
KR102202975B1 (ko) * 2014-07-09 2021-01-14 동우 화인켐 주식회사 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법
KR102023602B1 (ko) * 2017-09-27 2019-09-24 (주)이노시아 고정세 선폭을 가지는 칩인덕터 제조방법 및 이에 사용되는 감광성 물질
US11171840B2 (en) * 2018-12-10 2021-11-09 Gigamon Inc. Automated visual assistance for creating or debugging connections of a network device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003195513A (ja) * 2001-09-07 2003-07-09 Canon Inc 部材パターンの製造方法と、電子源及び画像表示装置の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0279670B1 (en) * 1987-02-18 1997-10-29 Canon Kabushiki Kaisha A reflection type mask
TW526693B (en) * 2000-06-15 2003-04-01 Murata Manufacturing Co Multilayer circuit component and method for manufacturing the same
US6653232B2 (en) * 2001-08-03 2003-11-25 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing member pattern and method of manufacturing wiring, circuit substrate, electron source, and image-forming apparatus
US6866989B2 (en) * 2001-09-07 2005-03-15 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming patterned insulating elements and methods for making electron source and image display device
JP2006049837A (ja) * 2004-06-30 2006-02-16 Canon Inc 厚膜部材パターンの製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003195513A (ja) * 2001-09-07 2003-07-09 Canon Inc 部材パターンの製造方法と、電子源及び画像表示装置の製造方法

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