KR100737781B1

KR100737781B1 - 회전식 재생기 및 이를 이용한 자기냉동기

Info

Publication number: KR100737781B1
Application number: KR1020060064344A
Authority: KR
Inventors: 이동관; 신승훈
Original assignee: 주식회사 대우일렉트로닉스
Priority date: 2006-07-10
Filing date: 2006-07-10
Publication date: 2007-07-10
Also published as: EP2038590A1; EP2038590A4; WO2008007833A1; JP2009543021A; CN101523132A; US20090266083A1

Abstract

본 발명은 회전식 트윈 마그넷부재와 능동 자기 재생기(Active Magnetic Regenerator: AMR)의 구성을 이용한 재생기와, 이 재생기를 사용한 자기냉동기에 관한 것이다.

Description

회전식 재생기 및 이를 이용한 자기냉동기{rotation type regenerator and magnetic refrigerator using the regenerator}

도 1은 능동자기냉동기 개념도.

도 2는 종래 능동자기냉동기의 구성도.

도 3은 도 2의 능동자기냉동기용 AMR베드를 도시한 단면도.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 회전식 재생기를 개략적으로 도시한 사시도.

도 5는 도 4의 능동자기재생기(AMR)의 주요 부분을 도시한 분리 사시도.

도 6 내지 도 14는 자기냉동시스템의 사이클 동작도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

40,140 : 펌프 60,163 : 저온열교환기(실내부기)

70,170 : 고온열교환기 100 : 재생기

110(110A,110B) : AMR 111 : AMR베드

114 : 관통공 115 : 장착홈

120L : 저온측 AMR노즐커넥터 120H : 고온측 AMR노즐

121L : 저온측 출입구 121H : 고온측 출입구

123L : 저온측 분배챔버 123H : 고온측 분배챔버

150 : 타워 210 : 마그넷부재

211 : 자석 213 : 바디

230 : 회전판

M : 메쉬 R : 리브형 격벽

S : 패킹 SOL1~SOL4 : 솔레노이드밸브

미국특허공보 제6,826,915호

능동자기냉동기의 개념을 설명하면, 도 1에 도시한 바와 같이, (a) 자석이 오른쪽으로 이동함에 따라 자장에 걸리게 되는 자기냉매층의 온도가 점선으로부터 실선으로 상승한다. (b) 저온부의 열전도유체가 고온부 방향으로 이동함으로써 자기냉매층은 점선에서 실선의 온도로 냉각되며, 이때 유체는 점차 가열되어 오른쪽 출구에서는 고온이 되어 고온부와의 열교환에 의해 열을 방출하게 된다. (c) 자석이 왼쪽으로 이동함에 따라 자장이 제거되는 자기냉매층의 온도는 점선에서 실선으로 더 떨어지게 된다. (d) 고온부로부터 저온부로의 유체의 이동에 의해 자기냉매 층은 점선에서 실선의 온도로 가열되며, 상대적으로 유체는 냉각되어 외쪽 출구에서는 저온이 되어 저온부로부터 열을 흡수함으로써 저온부의 냉각이 이루어진다.

이러한 사이클을 하는 종래의 능동자기냉동기로서, 예컨대 위에서 기술된 공보들이 제안되어 있다. 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 종래 능동자기냉동기는 제1AMR베드(10A)가 자기장 안에서 시작으로 볼 때, 제1AMR베드(10A)에서 가열된 열전도유체가 고온열교환기(70)를 통해 대기온도로 낮아진 후 제2자기열교환유닛(10B)을 통과한다. 이때 제2AMR베드(10B)는 자기장 밖에 있으며 자기재료(16)의 온도는 저온이므로 열전도유체가 지나가면서 열전도유체의 온도가 낮아진다. 온도가 낮아진 열전도유체는 저온열교환기(60)를 통과하여 다시 제1AMR베드(10A)로 투입되어서 가열된 후 고온열교환기(70)와 제2AMR베드(10B) 및 저온열교환기(60)로 가면서 한 사이클이 된다. 반대로, 이동기구(24)에 의해 제2AMR베드(10B)가 마그넷 서키트(22)로 가면 채널스위치(30)가 열전도유체의 흐름을 정반대로 바꾸어서 역회전하는 사이클이 된다.

한편, 도 3에 도시한 바와 같이, AMR베드(10)는 실린더 형태의 컨테이너(12), 컨테이너(12) 내부에 저장된 복수의 자기재료층(16) 및 메쉬(14)로 구성되어 있다. 컨테이너(12)는, 열교환튜브(32 또는 34)에 접속되는 열전도유체 인렛/아웃렛 포트(18a 및 18b)를 포함한다.

그런데, 인렛/아웃렛 포트(18a 및 18b)는 컨테이너(12)의 중심부에 설치되어 있다. 그래서, 열전도유체가 컨테이너(12) 단면 전체로 퍼져 유동하지 않아 열전도유체가 자기재료(16)를 한번 뚫고 지나간 자리만 계속 지나갈 우려가 크기 때문에 원만한 열교환의 수행이 어렵다.

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 열전도유체를 자기재료 전체로 분산 유동시켜 우수한 열교환을 수행시킬 수 있는 회전식 재생기와 이를 이용한 자기냉동기를 제공하는 데 있다.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 회전식 재생기는 열전도유체의 흐름을 통과시키는 자기재료를 포함하는 제1AMR(능동자기재생기)와 제2AMR(능동자기재생기); 자석; 상기 자석을 상기 제1AMR 또는 상기 제2AMR에 배치하여 자장을 인가하거나 소거하는 자석회전어셈블리; 로 이루어지되,

상기 각각의 AMR은 상기 자기재료가 충전될 관통공이 길이방향을 따라 형성되는AMR베드와, 상기 AMR베드의 양측에 결합되고 상기 관통공에 연통되는 저온측 AMR노즐과 고온측 AMR노즐로 구성되고,

상기 AMR노즐들 중 어느 하나에는 상기 열전도유체를 상기 관통공의 단면 전체에 골고루 분배하는 분배챔버가 형성되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 다른 특징에 따른 자기냉동기는 열전도유체의 흐름을 통과시키는 자기재료를 포함하는 제1AMR(능동자기재생기)와 제2AMR(능동자기재생기); 자석; 상기 자석을 상기 제1AMR 또는 상기 제2AMR에 배치하여 자장을 인가하거나 소거하는 자석회전어셈블리; 상기 AMR에 열적으로 접속되는 저온열교환부와 고온열교환부; 로 이루어지되,

이들 구성에 의하면, 분배챔버를 통해 열전도유체가 관통공 단면 전체로 골고루 분배 유동하기 때문에, 자기재료 전체와 골고루 열교환 할 수 있다.

전술한 구성에서, 상기 자석회전어셈블리는, 상기 제1AMR 또는 상기 제2AMR의 상하측에 배치되는 상기 자석을 지지한 바디와, 이 바디를 지지하는 회전판과, 이 회전판에 회전동력을 전달하는 회전동력전달부재로 구성되고, 상기 AMR 각각은 수직타워에 직각인 수평방향으로 지지되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 AMR노즐의 일단에는 분배챔버가, 타단에는 출입구가 형성되고, 상기 AMR노즐의 출입구는 상기 AMR과 같은 평면상에 있도록 상기 수직타워를 향해 'ㄱ'자 형태로 형성되면, 자석의 회전을 방해하지 않아 회전반경을 줄일 수 있다.

또한, 상기 AMR을 플라스틱 재질로 구현하면, 단열효과로 넓은 온도구배를 형성할 수 있다.

또한, 상기 AMR베드와 상기 AMR노즐 사이에 메쉬와 패킹이 설치되면, 열전도유체와 자기재료의 유출을 방지할 수 있다.

또한, 상기 관통공은 리브형 격벽에 의해 상측 관통공과 하측 관통공으로 구획되면, 열전도유체의 압력에 따른 베드의 변형을 방지할 수 있다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 따라 설명한다.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 회전식 재생기를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 5는 도 4의 능동자기재생기(AMR)의 주요 부분을 도시한 분리 사시도이고, 도 6 내지 도 22는 자기냉동시스템의 사이클 동작도이다.

도 4 내지 도 22에 도시한 바와 같이, 본 실시예의 자기냉동기는 재생기(100)와, 상기 재생기(100)와 열적으로 접속되는 저온열교환부(160)와 고온열교환부(170)로 포함되는 것이 바람직하다. 저온열교환부(160)는 냉각 기능을 하는 반면에, 고온열교환부(170)는 열방출 기능을 한다.

재생기(100)는 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 크게 능동자기재생기(Active Magnetic Regenerator: AMR)(110)와, 마그넷부재(210)와, AMR(110)에 자장을 인가하거나 소거하는 자석회전어셈블리로 구성하여 있다.

AMR(110)은 제1AMR(110A)과 제2AMR(110B)로 구성되어 있다. 각각의 AMR(110)은 도 5에 도시한 바와 같이, 열전도유체의 흐름을 통과시키는 자기재료를 포함하는 AMR베드(111)와, AMR베드(111)의 양측에 결합되는 저온측 AMR노즐(120L)과 고온측 AMR노즐(120H)로 구성하여 있다.

상기 AMR베드(111)에는, 자기재료가 충전될 관통공(114)이 길이방향을 따라 형성되어 있다. 또한, 상기 관통공(114)에는 저온측 AMR노즐(120L)과 고온측 AMR노즐(120H)이 연통 결합되어 있다.

또한, 저온측 AMR노즐(120L)의 양단에는 저온측출입구(121L)와 분배챔버(123L)가 형성되고, 고온측 AMR노즐(120H)의 양단에는 고온측출입구(121H)가 타단 엔 분배챔버(123H)가 형성되어 있다. 이들 분배챔버(123L)(123H)는 관통공(114)의 유로 단면 전체에 골고루 분배하는 분배챔버로 기능을 한다. 따라서, 저온출입구(121L) 또는 고온출입구(121H)에서 충분한 속도로 진행하다가 분배챔버(123L)(123H)에서 확산되어 관통공(114) 전체로 골고루 유동하기 때문에, 자기재료와의 부분적 접촉과 이에 따른 골 형상을 최대한 억제하여 열교환효율을 현저히 높일 있다. 또한, 저온측출입구(121L)와 고온측출입구(121H)는 열교환튜브(132)(134)에 접속되어 있다.

제1AMR(110A)은 대향되는 위치에 복수개 설치되고, 제2AMR(110B)은 제1AMR(110B)와 크로스 되도록 복수개 설치되어 있다.

이와 같은 크로스 배치 구조로 인해, 제1AMR베드(111A)가 자석(211) 속에 있으면 제2AMR베드(111B)는 자석(211)밖에 위치한다. AMR베드(111A)와 AMR베드(111B) 사이에 스페이스가 있는 이유는 AMR베드(111)가 자기장 밖으로 나올 때는 열전도유체가 흐르지 않아야 하기 때문이다. 즉, 제1AMR베드(111A)가 가열되면 제2AMR베드(111B)는 냉각되는 사이클이 반복된다.

이와 같은 AMR(110)의 구조에 의해, 열전도유체가 자기재료를 항상 거쳐 지나가기 때문에 열교환 효율을 상승시킬 수 있다. 또한, 자기재료가 외부로 노출되지 않아 단열 상태를 이룰 수 있어 열교환 효율이 상승된다.

또한, AMR베드(110A)(110B) 또는 전체 AMR(110)이 플라스틱 재질로 성형되는 것이 바람직하다. 플라스틱은 단열효과가 크고 넓은 온도구배를 형성해 준다.

한편, 상기 관통공(114)은 리브형 격벽(R)에 의해 상측 관통공(UP)과 하측 관통공(LP)으로 구획되는 것이 바람직하다. 격벽(R)은 리브의 기능을 하여, 압력으로 인해 AMR베드(111)의 형상이 변형되지 않도록 잡아주는 기능을 한다.

상기 관통공(114)의 장착홈(115)에는 메쉬(M)와 플라스틱 패킹(S)이 장착되는 것이 자기재료와 열전도유체의 유출을 방지한다는 측면에서 바람직하다.

저온열교환부(160)와 고온열교환부(170)는 열전도유체가 유동하는 열전달튜브(132)(133)(134)(135)(136)에 의해 AMR(110)과 열적으로 접속되어 있다. 열전도유체의 유동은 펌프(140)에 의해 생성된다. 또한, 열전도유체의 방향전환은 솔레노이드밸브(SOL1~SOL4)에 의해 행해진다. 또한, 펌프(140)의 전후로 바이패스튜브(137)가 접속되어 있다.

마그넷부재(210)는 자석(211)과 이 자석(211)을 지지하는 바디(213)로 구성하여 있다.

자석회전어셈블리(230)는 상기 마그넷부재(210)를 지지하는 회전판(230)과, 이 회전판(230)에 회전동력을 전달하는 회전동력전달부재(미도시)로 구성되어 있다. 회전동력전달부재(미도시)로는 기어, 벨트, 모터 등 다양하게 구현할 수 있다.

상기 자석(211) 사이로 AMR베드(111)가 출입되도록, 수직타워(150)에 직각인 수평방향으로 지지되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 AMR노즐(120L)(120H)의 출입구(121L)(121H)는 AMR베드(111)와 같은 평면상에 있도록 상기 수직타워(150)를 향해 'ㄱ'자 형태로 형성되는 것이 바람직하다. 이것은, 열전도유체가 자기재료로 흐르도록 하는 닛블의 크기가 자석들 사이의 거리보다 크므로 마그넷부재가 회전하는데 방해하는 것을 방지하기 위함이다. 또한, 마그넷부재(210)의 회전반경을 최소화하여 협소한 공간에서도 사용이 가능하다.

이하에서는 전술한 구성에 의한 본 실시예의 자기냉동기 사이클 동작을 도 6 내지 도 22에 따라 설명한다. 또한, 도 6 내지 도 22의 솔레노이드밸브(SOL)가 OFF 이면 엘보 형태로 유동하고, ON 이면 직선 형태로 유동하도록 스위치하는 것을 나타낸다.

도 6은 두 개의 마그넷부재(210)들이 AMR(110A)와 AMR(110B) 사이의 스페이스에 정확히 위치하였을 때를 나타낸다. 마그넷부재(210)들은 정확히 180도 각도로 위치하는 바람직하다. 도 1에서 AMR(110A)(110B)에 열전도유체가 흐르지 않아야 하기에, 솔레노이드밸브1 내지 솔레노이드밸브4는 OFF 상태이며, 열전도유체는 바이패스튜브(137)와 접속된 솔레노이드밸브3과 솔레노이드4를 통해 바이패스된다.

도 7 및 도 8은 복수의 AMR(110A)가 자석(211) 안으로 들어가는 반면에, 복수의 AMR(110B)은 자석(211) 밖으로 완전히 나갔기 때문에, 고온열교환기(170)를 거친 대기온도의 열전도유체가 튜브(132)를 통해 AMR(110B)을 지나며 냉각되고 대향AMR(110B)을 지나면서 또 한 번 냉각됨으로 더블 냉각효과를 얻을 수 있다. 대향AMR(110B)을 거쳐 더블 냉각된 열전도유체는 저온열교환기(160)를 지나면서 다시 대기온도(사실은 대기온도보다 약간 낮은 온도임)로 돌아와 AMR(110A)를 거쳐 1차 가열된 후 대향AMR(110A)를 거쳐 2차로 가열된다. 대향AMR(110A)를 거친 열전도유체의 온도가 AMR(110A)를 거친 열전도유체의 온도보다 더블 가열되어 튜브(134)와 튜브(135)를 통해 펌프(140)로 나가게 된다. 열전도유체는 펌프(140)를 지나 고온 열교환기(170)를 거쳐 대기온도(사실은 대기온도보다 약간 높은 온도임)로 돌아와 다시 AMR(110B)로 투입되는 것이 한 사이클이다. 도 8은 복수의 AMR(110A)이 자석(211) 속으로 완전히 들어가 멈춰서서 다시 밖으로 나오기 위해 이동하기 전까지의 상태이고, 열전도유체는 위의 설명한 방향으로 계속 흐른다. 이때의 솔레노이드밸브2는 OFF, 솔레노이드밸브1,3,4는 ON 상태로서, AMR(110A)의 저온측출입구(121AL)과 고온측출입구(121AH)는 저온측 인렛과 고온측 아웃렛으로, AMR(110B)의 고온측출입구(121BH)과 저온측출입구(121BL)는 고온측 아웃렛과 저온측 인렛으로 기능하여 순환하게 된다.

도 9 및 도 10은 복수의 AMR(110A)이 자석(211) 밖으로 나오기 위해 이동하는 순간부터 열전도유체가 AMR(110)에 흐르지 않고 바이패스하게 된다(솔레노이드밸브 모두 OFF).

도 11 및 도 12에서는 도 7 및 도 8의 사이클과 정반대로 AMR(110B)이 자석(211) 안으로 들어가는 반면에 AMR(110A)이 자석(211) 밖으로 완전히 나갔기 때문에 고온열교환기(170)를 거친 대기온도의 열전도유체가 정반대로 튜브(134)를 통해 대향AMR(110A)과 AMR(110A)을 통과하며 더블 냉각되고 저온열교환기(160)를 지나면서 다시 대기온도(사실은 대기온도보다 약간 낮은 온도임)로 돌아와 대향AMR(110B)과 AMR(110B)을 거쳐 더블 가열된 후 튜브(132)와 튜브(133)를 통해 펌프(140)로 나가게 된다. 열전도유체는 펌프(140)를 지나 고온열교환기(170)를 거쳐 대기온도 (사실은 대기온도보다 약간 높은 온도임)로 돌아와 튜브(134)를 통해 복수의 AMR(110A)으로 다시 투입되는 것이 한 사이클이다. 이때의 솔레노이드밸브1은 OFF, 솔레노이드밸브2,3,4는 ON 상태로서, AMR(110A)의 저온측출입구(121AL)과 고온측출입구(121AH)는 저온측 아웃렛과 고온측 인렛으로, AMR(110B)의 고온측출입구(121BH)과 저온측출입구(121BL)는 고온측 인렛과 저온측 아웃렛으로 기능하여 순환하게 된다.

도 13 및 도 14는 복수의 AMR(110B)이 자석(211) 밖으로 나오기 위해 이동하는 순간부터는 열전도유체가 AMR(110)에 흐르지 않고 바이패스된다.

도 6 내지 도 14의 9단계까지가 총 회전식 사이클의 반 사이클만을 보였으며 마그넷부재(210)가 처음의 위치로 되돌아 오기까지 도 8 내지 도 14로 똑같이 반복되는 것으로 총 회전식 사이클이 이루어진다.

이와 같은 본 실시예에 따른 자기냉동기 사이클의 특징은 열전도유체가 직접 자기재료를 거쳐야만 하는 구조로 열교환의 효율을 높였고, 4개의 AMR(110)이 연결되어 더욱 많은 양의 자기재료로 거의 두 배의 냉각효과를 볼 수 있다. 또한, AMR에 리브(114)가 있어서 열전도유체의 유동압력으로 인해 AMR의 형상이 변형되지 않지만, 설령 변형된다 하더라도 열전도유체는 분배챔버(D)의 구조에 의해 자기재료를 피해갈 수 없기 때문에 열교환의 효율이 높다. 또한, AMR(110)이 판형상으로 그 구조가 간단하지만 효율이 매우 좋고 성형이 용이한 플라스틱 재질로 형성되어 있다는 점이다.

또한, 회전식 AMR의 사이클 동작이기 때문에, 효율적이며 높은 저온과 고온의 온도구배로 냉각효과를 볼 수 있다. 앞에서 설명하였듯이 열전도유체가 2개의 AMR을 거쳐 더블 냉각되고 또한 2개의 AMR을 거쳐 더블 가열됨을 특징으로 두 배의 냉각효과를 얻을 수 있다.

또한, 사이클의 기본 특징은 AMR이 자석 안으로 들어갈 때는 열전도유체가 저온에서 고온으로 흐르며 AMR이 자석 밖으로 나가는 동안에는 열전도유체가 AMR에 흐르지 않는다. AMR이 자석 밖으로 나와서 냉각된 후 열전도유체가 고온에서 저온으로 흐른다.

또한, 고온열교환기의 위치는 펌프의 토출측에 있기 때문에, 고온열교환기의 위치도 펌프에 의해 가열된 열전도유체의 열을 AMR에 들어가기 전에 대기온도로 만들어 줄 수 있다.

또한, 자기재료는 자장이 인가될 때 온도가 변화는 특성이 있는데, 이러한 특성이 우수한 재료로는 미세한 크기의 분말인 가돌리늄(Gd)이 있다. 이 가돌리늄은 열전도유체의 흐름에 대해 침투성이 우수한 공극을 가지고 있고, 열의 흡수 및 방출이 우수하다.

본 발명의 재생기와 이를 이용한 자기냉동기는 전술한 실시예에 국한되지 않고 본 발명의 기술 사상이 허용하는 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다.

이상의 설명으로부터 명백하듯이, 본 발명의 재생기와 이를 이용한 자기냉동기에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.

첫째, AMR베드의 자기재료의 충전 횡단면도 거의 같은 크기의 분배챔버가 형성되어 있어, 열전도유체가 자기재료 전체로 골고루 유동하기 때문에, 부분적으로 유동하여 형성되는 골이 거의 억제되어 열교환효율을 현저히 향상시킬 수 있다.

둘째, 회전식 AMR의 사이클 동작을 이용하기 때문에 열교환 효율을 상승시킬 수 있다.

셋째, 열전도유체가 자기재료를 항상 거쳐 지나가는 구조로 되어 있어, 열교환 효율을 상승시킬 수 있다.

넷째, 메쉬와 플라스틱 패킹을 이용하여 열전도유체와 자기재료의 유출을 동시에 방지할 수 있다.

다섯째, 4개의 AMR을 이용하여 냉각효과를 두 배로 향상시킬 수 있다.

여섯째, AMR이 플라스틱 재질과 외부로 노출되지 않는 자기재료로 인해 단열 상태를 이룰 수 있어 열교환 효율을 상승시킬 수 있다.

일곱째, AMR베드의 관통공을 리브형태의 격벽으로 상하로 구획함으로써, 열전도유체의 유동압력으로 인해 AMR의 형상이 변형되지 않지만, 설령 변형된다 하더라도 열전도유체는 분배챔버(D)의 구조에 의해 자기재료를 피해갈 수 없기 때문에 열교환의 효율이 높다.

여덟째, AMR노즐의 출입구가 AMR과 같은 평면상에 있도록 수직타워를 향해 'ㄱ'자 형태로 형성됨으로써, 열전도유체가 자기재료로 흐르도록 하는 닛블의 크기가 자석들 사이의 거리보다 크므로 마그넷부재가 회전하는데 방해하는 것을 방지할 수 있고, 마그넷부재의 회전반경을 최소화하여 협소한 공간에서도 사용이 가능하다.

Claims

열전도유체의 흐름을 통과시키는 자기재료를 포함하는 제1AMR(능동자기재생기)와 제2AMR(능동자기재생기);

자석;

상기 자석을 상기 제1AMR 또는 상기 제2AMR에 배치하여 자장을 인가하거나 소거하는 자석회전어셈블리; 로 이루어지되,

상기 각각의 AMR은 상기 자기재료가 충전될 관통공이 길이방향을 따라 형성되는AMR베드와, 상기 AMR베드의 양측에 결합되고 상기 관통공에 연통되는 저온측 AMR노즐과 고온측 AMR노즐로 구성되고,

상기 AMR노즐들 중 어느 하나에는 상기 열전도유체를 상기 관통공의 단면 전체에 골고루 분배하는 분배챔버가 형성되는 것을 특징으로 하는 회전식 재생기.
제1항에 있어서,

상기 자석회전어셈블리는, 상기 제1AMR 또는 상기 제2AMR의 상하측에 배치되는 상기 자석을 지지한 바디와, 이 바디를 지지하는 회전판과, 이 회전판에 회전동력을 전달하는 회전동력전달부재로 구성되고,

상기 AMR 각각은 수직타워에 직각인 수평방향으로 지지되는 것을 특징으로 하는 회전식 재생기.
제2항에 있어서,

상기 AMR노즐의 일단에는 분배챔버가, 타단에는 출입구가 형성되고,

상기 AMR노즐의 출입구는 상기 AMR과 같은 평면상에 있도록 상기 수직타워를 향해 'ㄱ'자 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 회전식 재생기.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 AMR은 플라스틱 재질인 것을 특징으로 하는 회전식 재생기.
제4항에 있어서,

상기 관통공은 리브형 격벽에 의해 상측 관통공과 하측 관통공으로 구획되는 것을 특징으로 하는 회전식 재생기.
제5항에 있어서,

상기 AMR베드와 상기 AMR노즐 사이에는 메쉬와 패킹이 설치되는 것을 특징으로 하는 회전식 재생기.
열전도유체의 흐름을 통과시키는 자기재료를 포함하는 제1AMR(능동자기재생기)와 제2AMR(능동자기재생기);

자석;

상기 자석을 상기 제1AMR 또는 상기 제2AMR에 배치하여 자장을 인가하거나 소거하는 자석회전어셈블리;

상기 AMR에 열적으로 접속되는 저온열교환부와 고온열교환부; 로 이루어지되,

상기 각각의 AMR은 상기 자기재료가 충전될 관통공이 길이방향을 따라 형성되는AMR베드와, 상기 AMR베드의 양측에 결합되고 상기 관통공에 연통되는 저온측 AMR노즐과 고온측 AMR노즐로 구성되고,

상기 AMR노즐들 중 어느 하나에는 상기 열전도유체를 상기 관통공의 단면 전체에 골고루 분배하는 분배챔버가 형성되는 것을 특징으로 하는 자기냉동기.
제7항에 있어서,

상기 자석회전어셈블리는, 상기 제1AMR 또는 상기 제2AMR의 상하측에 배치되는 상기 자석을 지지한 바디와, 이 바디를 지지하는 회전판과, 이 회전판에 회전동력을 전달하는 회전동력전달부재로 구성되고,

상기 AMR 각각은 수직타워에 직각인 수평방향으로 지지되는 것을 특징으로 하는 자기냉동기.
제8항에 있어서,

상기 AMR노즐의 일단에는 분배챔버가, 타단에는 출입구가 형성되고,

상기 AMR노즐의 출입구는 상기 AMR과 같은 평면상에 있도록 상기 수직타워를 향해 'ㄱ'자 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 자기냉동기.
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 AMR은 플라스틱 재질이고,

상기 AMR베드와 상기 AMR노즐 사이에는 메쉬와 패킹이 설치되는 것을 특징으로 하는 자기냉동기.
제10항에 있어서,

상기 관통공은 리브형 격벽에 의해 상측 관통공과 하측 관통공으로 구획되는 것을 특징으로 하는 자기냉동기.