KR100730365B1 - 플레이트에 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법, 브리틀-형 물질, 및 ｐｄｐ, 및 마이크로-전기 기계 시스템, 및 플라즈마-주소지정 액정 디스플레이 - Google Patents
플레이트에 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법, 브리틀-형 물질, 및 ｐｄｐ, 및 마이크로-전기 기계 시스템, 및 플라즈마-주소지정 액정 디스플레이 Download PDFInfo
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 12
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 35
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
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Abstract
본 발명은 브리틀-형(brittle-like) 물질의 플레이트(1) 또는 층에 오목한 공간 또는 애퍼처(aperture)(5) 패턴을 얻는 방법에 관한 것이며, 상기 방법에서 노즐(2)로부터의 연마제 분말 입자 분사(jet)(4)는 상기 플레이트 또는 층의 표면상으로 인도되고, 상기 플레이트 또는 층에는 표면에 연마제 분말 입자의 충돌 영역을 한정하기 위해서 마스크(3)가 제공된다. 본 발명은 오목한 공간 또는 애퍼처의 그러한 패턴이 제공된 브리틀-형 물질과, 그러한 브리틀-형 물질의 특정 적용에 또한 관련된다.
Description
본 발명은 브리틀-형(brittle-like) 물질의 플레이트 또는 층에 오목한 공간 또는 애퍼처(aperture) 패턴을 얻는 방법에 관한 것이며, 상기 방법에서 노즐로부터의 연마제 분말 입자의 분사(jet)는 플레이트 또는 층의 표면상으로 인도되고, 상기 플레이트 또는 층에는 표면에 연마제 분말 입자의 충돌 영역을 한정하기 위해서 마스크가 제공된다. 본 발명은 또한 그런 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴이 제공된 브리틀-형 물질에 관한 것이며, 그런 브리틀-형 물질의 특정 응용에 관한 것이다.
위 "기술분야"에서 언급된 방법은 그 자체가 그 출원인의 이름으로 이전에 출원된 유럽 특허 출원 제0 660 360호로부터 알려져 있다. 분말 블라스팅(blasting) 방법에 따르면, 입자들은 고속으로 기판, 특히 유리에 부딪힌다. 충돌 후에, 상기 입자들은 기판에 국소적 손상을 발생하며 상기 국소적 손상은 표면으로부터 작은 조각을 제거하게 된다. 이 방법은 여러 번 반복되며 그래서 침식 방법으로 간주된다. 그래서 0.7mm의 두께를 갖는 유리 플레이트에는 금속 마스크가 제공된다. 상기 금속 마스크는 분말 블라스팅 방법 동안 국부적으로 벗겨지는 것(local delamination)을 방지하기 위해서 접착제 층에 의해서 플레이트에 부착된다. 노즐이 제공되는 스프레잉(spraying) 유닛은 플레이트의 표면상으로 향해지고, 한편 연마제 분말 입자, 예를 들면 실리콘 카바이드 또는 알루미늄 옥사이드의, 분사는 압력 또는 벤츄리(venturi) 원칙에 근거하여 노즐을 떠나서, 플레이트 또는 층의 표면에 부딪혀 그 안에 오목한 공간 또는 애퍼처를 형성한다. 연마제 분말 입자의 분사가 플레이트 또는 층으로 향해있는 각도는 그래서 90°이다. 플레이트가, 예를 들면, X축에 평행한 반복적 움직임을 수행하고 스프레잉 유닛가 Y축에 평행한 움직임을 수행하는 동안, 복수의 노즐을 사용하는 것이 이 유럽 특허 출원으로부터 또한 알려져 있으며, 여기서 둘 모두의 속도는 원하는 애퍼처 또는 오목한 공간, 특히 도관(duct) 패턴이 플레이트에 얻어지는 그런 방식으로 서로에게 적합하게 되어진다. 원하는 패턴의 보다 나은 동질성(homogeneity)을 얻기 위해서, 복수의 노즐을 이용하는 것이 이 공보로부터 또한 알려져 있으며, 여기서 그 노즐의 각각은 마스크의 임의의 부분을 통과한다. 그런 방법의 단점은, 플레이트의 표면에 수직으로 인도되는 연마제 분말 입자 분사가 플레이트 또는 층에 특정 형상의 구멍을 만든다는 것이다. 그러나, 평평한 바닥을 갖는, 실질적으로 대칭적인 오목한 공간 또는 애퍼처의 제조는 그런 방법을 가지고는 가능하지 않다. 또한, 실질적으로 수직한 측벽을 갖는 오목한 공간 또는 애퍼처의 재생 가능한 제조도 가능하지 않다.
그래서 본 발명의 목적은 브리틀-형 물질의 플레이트 또는 층에 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법을 제공하는 것으로서, 상기 오목한 공간 또는 애퍼처는 실질적으로 평평한 바닥을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 브리틀-형 물질의 플레이트 또는 층에 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법을 제공하는 것으로서, 상기 공간 또는 애퍼처는 실질적으로 수직한 측벽을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 브리틀-형 물질의 플레이트 또는 층에 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법을 제공하는 것으로서, 상기 공간 또는 애퍼처는 서로 연결된다.
본 발명에 따르면, 위 "기술분야"에서 설명된 방법은 적어도 2개의 연마제 분말 입자 분사 각각이 각각의 각도(α1,α2 ) 로 플레이트 또는 층의 표면상으로 인도되며, 상기 분사들은 서로 각도(180°-α1-α2)로 벌어져 있으며, 그래서 형성된 오목한 공간 또는 애퍼처의 형상은 브리틀-형 물질의 두께에 의해 제한되지 않는 것을 특징으로 한다.
명세서 및 청구항의 "적어도 2개의 연마제 분말 입자 분사"라는 어구 부분은 플레이트 또는 층의 표면이 항상 임의의 각도로 분말에 의해 블라스팅(powder-blast)되는 일 실시예로 간주되어야 한다. 그래서 하나의 노즐을 각도(α1)로 위치시키고 후속적으로 상기 같은 노즐을 각도(α2)로 위치시키는 것이 가능하며, 상기 실시예는 본 발명의 보호 범위내에 포함된다. 또한 노즐이 플레이트 또는 층의 표면으로 향하는 각도(α1)를 연속적으로 또는 불연속적으로 변경하는 것도 가능하며, 상기 실시예도 또한 본 발명의 보호 범위내에 포함된다. 실제로는, 각각의 각도(α1,α2 )를 갖는 각각의 2 개 이상의 별개의 노즐이 생산-기술 관점에서 이용될 것이다.
명세서 및 청구항에서 언급되는 "브리틀-형 물질"이라는 용어는 분말 블라스팅에 의해서 오목한 공간 또는 애퍼처가 제공될 수 있는 물질로 간주되어야 하며, 상기 물질을 위해서는 특히 유리, 세라믹 물질, 실리콘 그리고 브리틀 합성 물질이 적합한 기본 물질이다.
명세서 및 청구항에서 언급되는 "브리틀-형 물질의 두께에 의해서 제한되지 않는"이라는 어구 부분은 본 방법이 애퍼처 또는 오목한 공간을 임의의 브리틀-형 물질 또는 하나 이상의 브리틀-형 물질의 조합에 제공하기에 적합하며, 여기서 형성될 애퍼처 또는 오목한 공간은 이용될 물질 또는 물질의 조합의 두께를 부분적으로 또는 완전히 관통한다는 것을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 이와 같이 형성되는 애퍼처 또는 오목한 공간의 형상은 이후에 설명될 일본 특허 공개 제082 22129호의 경우와 같이 물질 성질의 가능한 변화(transition)에 의해 제한되지 않는다. 결과적으로, 스토퍼(stopper) 층으로서 단단한, 브리틀-형 물질은 필요하지 않게 된다.
연마제 분말 입자 분사를 이용하면서 브리틀-형 물질에 오목한 공간을 만드는 것은 1996년 8월 30일 번호 제082 22129호로 공개된 일본 특허 출원으로부터 알려져 있지만, 이 공보로부터 알려진 방법을 위해서는 브리틀-형 물질은 본질적으로 2개의 별개 물질, 즉 상대적으로 연한 브리틀-형 물질과 단단한 브리틀-형 물질로 구성되는 것이 필요하다. 상대적으로 연한 브리틀-형 물질에는 마스크가 제공되며, 마스크는 후속적으로 분말-블라스팅 처리되어 따라서 마스크에 의해 보호되지 않는 연한 브리틀-형 물질은 분말 입자에 의해서 제거된다. 오목한 공간은 그래서 단지 연한 브리틀-형 물질에 형성되며, 따라서 상대적으로 연한 브리틀-형 물질로부터 단단한 브리틀-형 물질로의 변화는 스토퍼 층으로서 작용하게 되는 것이다. 이렇게 형성된 오목한 공간은 연마제 분말 입자 분사에 의해서 제거되지 않는 단단한 브리틀-형 물질에 의해서 형성되는 평평한 바닥을 갖게 된다. 또한, 이 일본 특허 출원은, 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴이 형성되는 플레이트 또는 층의 표면에 대한 연마제 분말 입자 분사의 특정 각도에 대한 어떤 정보도 제공하지 않는다. 프릿(frit)이 상대적으로 연한 브리틀-형 물질로서 사용되며, 유리가 단단한 브리틀-형 물질로서 사용된다. 이 기술의 단점은 프릿 상층이 항상 단단한 브리틀-형 물질위에 제공되어야 한다는 것이며, 상기 처리는 비용-증가 효과를 갖는다. 또한 벗겨진 프릿은 제거되어야 한다.
본 발명에 따른 방법에서 사용된 각도(α1,α2 )는 바람직하게는 30°와 80°사이, 특히 45°와 65°사이이다.
그런 각도(α1,α2 )의 사용은 실질적으로 평평한 바닥을 갖는 오목한 공간 또는 애퍼처를 야기한다. 각도(α1,α2 )가 30°보다 작다면, 침식 속도는 낮고, 이것은 실제 적용에 있어 바람직하지 않다. 대조적으로, 각도(α1,α2 )가 80°보다 크다면, 하측에 형성된 도관은 90°각도로 분말 블라스팅에 의해서 얻어지는 도관에 비해 거의 넓어지지 않을 것이고, 이는 실질적으로 평평한 바닥 및 실질적으로 수직한 측벽을 갖는 대칭적인 오목한 공간 또는 애퍼처를 얻는데 이롭지 않다. 그러나, 본 발명이 평평한 바닥 및/또는 수직한 측벽을 갖는 애퍼처 또는 구멍에 한정되지 않는다는 것은 명백할 것이다. 본 방법에 따르면, 표면 밑에서 서로 연결되는 애퍼처를 형성하는 것이 대안적으로 가능하다. 또한, 본 발명에 따르면, 브리틀-형 물질의 두께 끝까지 연장하는 애퍼처 또는 오목한 공간도 얻어질 수 있다.
도관 또는 홈 또는 슬릿(slit)이 브리틀-형 물질의 플레이트 또는 층에 형성되어야 한다면, 연마제 분말 입자 분사와 플레이트 또는 층의 사이에서 상대적 움직임을 행하는 것이 본 발명에서 바람직하다. 노즐을 통한 정확하고 재생 가능한 분말 공급을 위해서, 노즐이 고정된 지점에 위치하는 것이 바람직하다.
운동 에너지의 손실을 야기하는, 연마제 분말 입자 분사의 간섭(interference)을 피하기 위해서, 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 단계적으로 얻는데, 2개의 연마제 분말 입자 분사가 차례로 플레이트 또는 층의 표면상으로 단계적으로 인도되는 것이 바람직하다. 이 연속적인 작동은 두 개의 분사의 빠른 교대(alternation)로 애퍼처 또는 오목한 공간의 형성이 발생하는 실시예를 또한 포함한다. 쌍방 분말 분사의 그런 고-빈도 교대에 따라, 대칭적인 오목한 공간 또는 애퍼처를 얻는 것이 가능하다.
본 발명의 특정 실시예에서, 분말 블라스팅 효율에 유리하게 영향을 주기 위해서 2개의 연마제 분말 입자 분사를 플레이트 또는 층의 별개의 위치상으로 인도하는 것은 더욱 바람직하다.
쌍방 분말 입자 분사를 위한 노즐의 기하학적 구조 또는 치수는 브리틀-형 물질의 플레이트 또는 층에 실질적으로 대칭적인 오목한 공간 또는 애퍼처를 얻기 위해서 실질적으로 동일한 것이 바람직하다는 것은 실험적으로 증명되었다. 또한, 평평한 바닥이 제공된 그런 대칭적인 오목한 공간 또는 애퍼처를 얻기 위해서는, 분말 입자의 크기와 속도에 의해 결정되는 운동 에너지가 쌍방 분말 입자 분사에 대해 실질적으로 동일한 것이 바람직하며, 또한 각도(α1)가 각도(α2)와 동일한 것이 특히 바람직하다. 또한, 그런 실시예에서 입자의 양, 즉 분말 플럭스(flux)가 쌍방 분말 입자 분사에 대해 실질적으로 동일한 것이 바람직하다.
입자의 운동 에너지를 조사할 수 있기 위해서는, 입자의 크기와 입자의 속도 둘 모두가 정확하게 결정되어야 하는 것이 필요하다. 주어진 실시예에서, 따라서 연마제 분말 입자는 10㎛와 50㎛ 사이의 크기를 갖는 것이 바람직하다.
85㎛ 내지 200㎛의 깊이를 갖는 브리틀-형 물질의 플레이트 또는 층에 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻기 위해서, 마스크는 30㎛와 100㎛ 사이의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명은 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴이 제공된 브리틀-형 물질에 또한 관련되며, 상기 브리틀-형 물질은 본 발명에서 설명된 방법에 의해서 특징된다.
본 발명에 따른 방법에 의해서 얻어진 브리틀-형 물질은 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 플라즈마-주소지정(addressed) 액정 디스플레이(PALC) 그리고 마이크로 일렉트로미케니컬 시스템(micro electromechanical system)을 위한 구성요소, 예를 들면, 센서, 액추에이터(actuators) 및 마이크로미터링(micrometering) 시스템 용도로 특히 적합하다.
본 발명의 이러한 및 다른 측면들은 이후에 설명될 실시예로부터 명백하며 그리고 이후에 설명될 실시예와 관련하여 명확해질 것이다.
본 발명은 본 발명을 단지 예시하는 역할을 하는 아래의 특정 실시예에 한정되지 않는다는 것을 주목해야 한다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명에 따른 방법을 개략적으로 도시하는 도면.
도 2a 내지 도 2i는 최신 기술에 따른 분말-블라스팅 실험에서의 홈(groove) 패턴을 도시하며, 광학 현미경에 의해서 얻어진 단면도.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 분말-블라스팅 실험에서의 홈 패턴을 도시하며, 광학 현미경에 의해서 얻어진 단면도.
도 4a 내지 도 4h는 본 발명에 따른 분말-블라스팅 실험에서의 홈 패턴을 도시하며, 광학 현미경에 의해서 얻어진 단면도.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 분말-블라스팅 실험에서의 홈 패턴을 도시하며, 주사 전자 현미경(SEM)에 의해서 얻어진 단면도.
도 6a 내지 도 6b는 최신 기술에 따른 분말-블라스팅 실험에서의 홈 패턴을 도시하며, 주사 전자 현미경에 의해서 얻어진 단면도.
도 1a 내지 도1c는 본 발명에 따른 방법을 별개의 서브-도면(sub-Figure)으로 개략적으로 도시한다. 브리틀-형 물질의 플레이트 또는 층은 참조 번호(1)로 표시되며, 상기 브리틀-형 물질상에는 상기 브리틀-형 물질의 표면(1) 상의 연마제 분말 입자(4)의 충돌 영역을 한정하기 위해서 마스크(3)가 제공된다. 연마제 분말 입자(4)의 분사는 상기 플레이트 또는 층(1)의 표면에 대해 각도(α1)로 향해있는 노즐(2)로부터 나온다. 상기 연마제 분말 입자(4) 분사의 운동 에너지의 결과로서, 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴(5)은 브리틀-형 물질층(1)에 형성되나, 한편 연마제 분말 입자(4)의 분사와 브리틀-형 물질층(1) 사이의 상대적 움직임이 행해지는 것도 또한 특정 실시예에서는 바람직하다.
도 1b는 노즐(2)이 브리틀-형 물질의 플레이트 또는 층(1)의 표면에 대해 각도(α2)로 향해있는 실시예를 도시한다. 연마제 분말 입자(4)의 분사는, 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴(5)이 브리틀-형 물질의 플레이트 또는 층(1)에 형성되는 그런 방식으로 상기 브리틀-형 물질의 플레이트 또는 층(10의 표면상으로 인도된다. 도 1a 및 도 1b에서 사용되는 노즐(2)은 특정 실시예에서 형 노즐이며, 따라서 브리틀-형 물질층(1)의 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴(5)은 각도(α1) 및 각도(α2)를 변경함에 의해서 얻어진다는 것이 명백하다. 또한, 노즐(2)로부터의 연마제 분말 입자(4)의 2개의 분사가 플레이트 또는 층(1)의 표면상에 연속적으로 인도되는 방법으로 오목한 공간 또는 애퍼처(5) 패턴을 단계적으로 얻는 것도 가능하다.
도 1c는, 2개의 별개의 노즐(2)이 연마제 분말 입자(4)의 분사를 브리틀-형 물질층(1)의 표면상으로 인도하여, 오목한 공간 또는 애퍼처(5)가 브리틀-형 물질층(1)에 형성되는 실시예를 개략적으로 도시한다. 이 개략적 도시는 두 개의 각도(α1 ,α2)가 서로 같아야 할 필요가 없음을 또한 보여준다. 또한, 2개의 연마제 분말 입자(4) 분사는 브리틀-형 물질의 플레이트 또는 층(1)의 별개의 위치(5)상으로 인도된다는 것은 주어진 실시예에서 바람직하다. 따라서 본 발명의 본질은 연마제 분말 입자의 분사가 플레이트 또는 층의 표면상으로 일정 각도로 인도되며, 상기 각도는 종래 기술로부터 알려진 90°각도보다 작다는 인식에 기초한다는 것이다.
도 2a 내지 도 2i는 광학 현미경에 의해 얻어진 그림을 개략적으로 도시한다. 브리틀-형 유리 물질에는 애퍼처 사이에 100㎛의 두께와 370㎛의 폭을 갖는 오르딜(Ordyl) BF410 타입의 마스크가 제공되었다. 23㎛의 평균 크기를 갖는 산화알루미늄(Al2O3)이 연마제 분말 입자로 사용되었으며 상기 연마제 분말 입자는 초(second)당 133m의 평균 속도로 브리틀-형 물질상으로 인도된다. 이 종래 기술 실험은 90°의 입사각, 즉 브리틀-형 물질상에 수직 입사로 행해졌다. 도 2a 내지 도 2i는 분말 하중(load)의 작용으로서 얻어진 애퍼처를 도시하는데, 도 2a는 17 gr/㎠의 분말 하중에 상당하고, 도 2i는 150 gr/㎠의 분말 하중에 상당하며, 상기 분말 하중은 각 도면에 대해 대략 17 gr/㎠의 값만큼 상승된다. 상기 도면들은 얻어진 애퍼처의 형상이 수직한 측벽 및/또는 평평한 바닥을 가지지 않는다는 것을 명확히 보여준다. 또한, 측벽의 기하학적 구조에서 명확히 보여질 수 있는 킹크(kink)는 도 2d부터 발생한다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 분말-블라스팅 실험의 광학 현미경 그림을 개략적으로 도시한다. 사용된 브리틀-형 물질은 유리이며 그의 표면에는 대략 100㎛의 두께와 애퍼처 사이의 360㎛의 폭을 갖는 반-블라스트(blast-resistant) 마스크가 제공되었다. 표면은 23㎛의 평균 크기와 초당 100m의 평균 속도를 갖는 산화알루미늄 입자로 분말-블라스팅 처리되었다. 이 분말-블라스팅 실험에서 사용된 각도(α1,α2)는 둘 다 75°이다. 얻어진 애퍼처의 형상이 입사 각도가 90°인, 도 2a 내지 도 2i와 관련하여 설명된 애퍼처의 형상과는 본질적으로 다르다는 것이 상기 광학 현미경의 도면 도 3a 내지 3c로부터 명백히 볼 수 있다. 도 3a는 42gr/㎠의 분말 하중에 상당하고, 도 3b는 52gr/㎠의 분말 하중에 상당하며, 도 3c는 72gr/㎠의 분말 하중에 상당한다. 또한, 수직한 측벽의 형성은 도 2a 내지 도 2i에서 도시되는 도면과 비교하여 상당히 넓어졌음을 도 3c로부터 볼 수 있다.
도 4a 내지 도 4h는 본 발명에 따른 분말-블라스팅 실험의 주사 전자 현미경(SEM) 도면을 도시한다. 유리가 브리틀-형 물질로서 이용되었고, 대략 100㎛의 두께와 애퍼처 사이의 360㎛의 폭을 가진 LF55G1 타입의 마스크가 제공되었다. 표면은 23㎛의 평균 크기와 초당 100m의 평균 속도를 가진 산화알루미늄 입자로 블라스트되었다. 이 실험에서 사용된 각도(α1,α2)는 둘 다 60°이다. 도 4a는 22gr/㎠의 분말 하중에 상당하며, 이 도면에서 유리에 형성된 애퍼처의 대칭적인 형상은 명백히 눈으로 볼 수 있다. 도 4b에서, 분말 하중은 32gr/㎠로 증가되었고, 브리틀-형 물질에 대칭적으로 형성된 애퍼처의 평평한 바닥과 실질적으로 수직한 측벽은 명백히 볼 수 있다. 도 4c에서, 분말 하중의 44gr/㎠ 값으로의 후속적 증가는 평평한 바닥의 구조가 변경되었고, 한편 측벽이 역시 약간 밑으로 파였음(undermine)을 보여준다. 도 4h에서, 분말 하중의, 예를 들면, 88gr/㎠로의 더한 증가는 60°의 각도로 2 개의 연마제 분말 입자 분사를 사용한 것이 형성된 애퍼처의 기하학적 구조에 본질적으로 영향을 주었음을 명백히 보여준다. 분말 하중의 한층 더한 증가는, 병치된(juxtaposed) 애퍼처가 서로 접촉하게 되어 표면 밑에서 서로 연결되고 서브-웨이(sub-way)라 언급되는 애퍼처가 얻어지는 것을 보증한다.
도 5a 내지 도 5d는 도 4a 내지 도 4h에 따라 실행된 실험의 부가적 주사 전자 현미경(SEM) 도면을 도시하며, 도 5a는 형성된 애퍼처의 대칭적인 형상을 명백히 보여준다. 도 5d에서, 평평한 바닥은, 상기 도 4h에서 도시되었듯이, 분말 하중이 더욱 증가된 후에 상당히 영향은 받은 약간 볼록한 구조로 변하였다.
마지막으로, 도 6a 내지 도 6b는 종래 기술에 따라 얻어진 오목한 도관 패턴을 개략적으로 도시하는데, 이 패턴은 유리 기판에서 90°의 입사각으로 얻어진 것이다. 얻어진 오목한 애퍼처의 형상은, 도 2a 내지 도 2i에 보여진 도면에 상당하며, 평평한 바닥과 수직한 측벽은 모두 결여됐음을 나타낸다는 것을 이 도 6a 내지 도 6b로부터 명백히 볼 수 있다.
본 발명은 본 발명을 단지 예시하는 역할을 하는 본 명세서의 특정 실시예에 한정되지 않는다는 것을 주목해야 한다.
Claims (20)
- 브리틀-형(brittle-like) 물질의 플레이트 또는 층에 오목한 공간 또는 애퍼처(aperture) 패턴을 얻는 방법으로서, 상기 방법에서 노즐로부터의 연마제 분말 입자 분사(jet)는 상기 플레이트 또는 층의 표면상으로 인도되고, 상기 플레이트 또는 층에는 상기 표면 상의 연마제 분말 입자의 충돌 영역을 한정하기 위해서 마스크가 제공되는, 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법에 있어서,2개의 연마제 분말 입자 분사 각각이 상기 플레이트 또는 층의 표면에 대해 각도(α1,α2 )로 향해있는 상기 노즐로부터 나와 상기 플레이트 또는 층의 표면상으로 인도되고, 상기 분사들은 서로 각도(180°-α1-α2)로 벌어져 있으며, 그래서 형성된 오목한 공간 또는 애퍼처의 형상은 상기 브리틀-형 물질의 두께에 의해 제한되지 않으며,상기 오목한 공간 또는 애퍼처는 평평한 바닥 및 수직한 측벽을 갖는 것을 특징으로 하는, 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 각도(α1,α2 ) 는 30°와 80°사이인 것을 특징으로 하는, 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 각도(α1,α2 ) 는 45°와 65°사이인 것을 특징으로 하는, 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 연마제 분말 입자 분사와 상기 플레이트 또는 층의 사이에서 상대적 움직임이 행해지는 것을 특징으로 하는, 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 플레이트 또는 층이 상기 연마제 분말 입자 분사에 대해 움직여지는 것을 특징으로 하는, 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴이 단계적으로 얻어지는데, 상기 2개의 연마제 분말 입자 분사가 차례로 상기 플레이트 또는 층의 표면상으로 인도되는 것을 특징으로 하는, 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 2 개의 연마제 분말 입자 분사가 상기 플레이트 또는 층의 별개의 위치상으로 인도되는 것을 특징으로 하는, 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 노즐은 쌍방 분말 입자 분사에 대해 동일한 기하학적 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 쌍방 분사의 상기 분말 입자가 동일한 평균 운동 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는, 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 쌍방 분말 입자 분사가 동일한 분말 플럭스(flux)를 갖는 것을 특징으로 하는, 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 각도(α1)는 각도(α2)와 동일한 것을 특징으로 하는, 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 연마제 분말 입자는 10㎛와 50㎛ 사이의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는, 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 마스크는 30㎛와 100㎛ 사이의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는, 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법.
- 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴이 제공된 브리틀-형 물질에 있어서, 제 1항의 방법이 실행된 것을 특징으로 하는, 브리틀-형 물질.
- 제 14항에 있어서, 상기 오목한 공간 또는 애퍼처는 평평한 바닥을 갖는 것을 특징으로 하는, 브리틀-형 물질.
- 제 14항 또는 제 15항에 있어서, 상기 오목한 공간 또는 애퍼처는 수직한 측벽을 갖는 것을 특징으로 하는, 브리틀-형 물질.
- 제 14항에 있어서, 상기 오목한 공간 또는 애퍼처는 상기 플레이트 또는 층의 표면 아래에서 서로 연결되는 것을 특징으로 하는, 브리틀-형 물질.
- 제 14항의 브리틀-형 물질을 포함하는, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP).
- 제 14항의 브리틀-형 물질을 포함하는, 마이크로-전기 기계 시스템(micro-electromechanical system).
- 제 14항의 브리틀-형 물질을 포함하는, 플라즈마-주소지정(plasma-addressed) 액정 디스플레이(PALC).
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP99202675 | 1999-08-18 | ||
| EP99202675.7 | 1999-08-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010089306A KR20010089306A (ko) | 2001-09-29 |
| KR100730365B1 true KR100730365B1 (ko) | 2007-06-19 |
Family
ID=8240550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020017004777A KR100730365B1 (ko) | 1999-08-18 | 2000-07-31 | 플레이트에 오목한 공간 또는 애퍼처 패턴을 얻는 방법, 브리틀-형 물질, 및 ｐｄｐ, 및 마이크로-전기 기계 시스템, 및 플라즈마-주소지정 액정 디스플레이 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6422920B1 (ko) |
| EP (1) | EP1121225A1 (ko) |
| JP (1) | JP2003507198A (ko) |
| KR (1) | KR100730365B1 (ko) |
| CN (1) | CN1168576C (ko) |
| WO (1) | WO2001012386A1 (ko) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6588484B1 (en) * | 2000-06-20 | 2003-07-08 | Howmet Research Corporation | Ceramic casting cores with controlled surface texture |
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- 2000-07-31 EP EP00953130A patent/EP1121225A1/en not_active Withdrawn
- 2000-07-31 JP JP2001516714A patent/JP2003507198A/ja not_active Withdrawn
- 2000-07-31 KR KR1020017004777A patent/KR100730365B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-07-31 CN CNB008022496A patent/CN1168576C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-31 WO PCT/EP2000/007415 patent/WO2001012386A1/en not_active Application Discontinuation
- 2000-08-18 US US09/642,256 patent/US6422920B1/en not_active Expired - Fee Related
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| KR20010089306A (ko) | 2001-09-29 |
| EP1121225A1 (en) | 2001-08-08 |
| US6422920B1 (en) | 2002-07-23 |
| WO2001012386A1 (en) | 2001-02-22 |
| JP2003507198A (ja) | 2003-02-25 |
| CN1168576C (zh) | 2004-09-29 |
| CN1327405A (zh) | 2001-12-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| G170 | Re-publication after modification of scope of protection [patent] | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |