KR100730243B1 - 대면적 스퍼터링 타겟의 탄성중합체 본딩 - Google Patents

대면적 스퍼터링 타겟의 탄성중합체 본딩 Download PDF

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KR100730243B1
KR100730243B1 KR1020050102404A KR20050102404A KR100730243B1 KR 100730243 B1 KR100730243 B1 KR 100730243B1 KR 1020050102404 A KR1020050102404 A KR 1020050102404A KR 20050102404 A KR20050102404 A KR 20050102404A KR 100730243 B1 KR100730243 B1 KR 100730243B1
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하인민 에이치. 레
아키히로 호소카와
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본 발명의 실시예들은 일반적으로 반도체 제조에서 이용되는 스퍼터링 타겟들에 관한 것이다. 특정하게는, 본 발명은 스퍼터링 타겟들을 증착 챔버에서 상기 스퍼터링 타겟들을 지지하는 배킹 플레이트에 본딩시키는 것에 관한 것이다. 일 실시예에서, 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법은 상기 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일과 배킹 플레이트 사이에 탄성중합체 접착층을 제공하는 단계; 및 상기 탄성중합체 접착층 내에 적어도 하나의 금속 메쉬를 제공하는 단계를 포함하는데, 상기 적어도 하나의 금속 메쉬의 적어도 일부분은 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일과 배킹 플레이트와 접촉하고, 상기 적어도 하나의 금속 메쉬의 적어도 일부분은 0.5mm 이상의 직경을 갖는 금속 와이어로 제조된다.

Description

대면적 스퍼터링 타겟의 탄성중합체 본딩 {ELASTOMER BONDING OF LARGE AREA SPUTTERING TARGET}
도 1(종래 기술)은 기존의 플라즈마 스퍼터링 리액터의 개략적 횡단면도.
도 2는 2차원 타겟 타일 어레이로부터 형성되는 직사각형 타겟의 정면도.
도 3a는 냉각 채널들을 포함하는 타겟 배킹에 본딩되는 타겟 타일들의 기존 구성을 나타내는 횡단면도.
도 3b는 네 개의 타일들 사이의 코너 영역의 정면도.
도 4(종래 기술)는 타겟 타일들을 배킹 플레이트에 본딩시키는 기존 방법을 도시하는 개략도.
도 5는 배킹 플레이트에 본딩되는 스퍼터링 타겟의 본 발명의 일 실시예의 횡단면도.
도 6은 본 발명에서 이용되는 금속 메쉬의 일 실시예의 투시도.
도 7은 도 6에 도시된 금속 메쉬를 이용하여 스퍼터링 타겟을 배킹 플레이트에 본딩시키는 흐름도.
도 8a는 3×2 타겟 타일 어레이로부터 형성되는 직사각형 타겟의 정면도.
도 8b는 도 8a의 배킹 플레이트에 본딩되는 타겟 타일들(830C, 830E)의 횡단면도.
도 8c는 3×1 타겟 타일 어레이로부터 형성되는 직사각형 타겟의 정면도.
도 8d는 하나의 피이스 타겟으로부터 형성되는 직사각형 타겟의 정면도.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※
12 : 챔버 18 : DC 전원
20 : 기판 48 : 갭
72 : 인터스틱스 110 : 배킹 플레이트
125 : 금속 메쉬 130 : 타겟
본 발명의 실시예들은 일반적으로 전자 디바이스 제조에서 이용되는 스퍼터링 타겟들에 관한 것이다. 특정하게는, 본 발명은 스퍼터링 타겟을 배킹 플레이트(backing plate)에 본딩시키는 것에 관한 것인데, 상기 배킹 플레이트는 스퍼터링 타겟을 증착 챔버 내에 지지시킨다.
물리적 기상 증착(PVD)은 전자 디바이스들의 제조에서 가장 통상적으로 이용되는 프로세스들 중 하나이다. PVD는 진공 챔버 내에서 수행되는 플라즈마 공정인데, 상기 진공 챔버 내에서는 음으로 바이어스된 타겟이 상대적으로 무거운 원자들(예를 들어 아르곤)을 갖는 비활성 가스, 또는 비활성 가스와 같은 것을 포함하는 가스 혼합물의 플라즈마에 노출된다. 비활성 가스의 이온들에 의한 타겟 충격(또는 스퍼터링)으로 인해, 타겟 물질에서 원자들이 방출된다. 방출된 원자들은 챔버 내부에서 타겟 아래쪽으로 위치되는 기판 페데스탈 상에 배치된 기판 상에 증착 막으로써 축적된다. 평면 패널 디스플레이 스퍼터링은 대형 기판들 및 직사각형 형상을 갖는 장기간 개발되어 온 웨이퍼 스퍼터링 기술과는 원칙적으로 구별된다.
도 1(종래 기술)은 전기적으로 접지된 진공 챔버(12)를 포함하는 일반적인 DC 마그네트론 PVD 리액터(10)를 도시하는데, 이때 전기적 절연체(16)를 통해 타겟(14)이 상기 진공 챔버에 진공 밀봉된다. DC 전원(18)은 아르곤 스퍼터 동작 가스를 플라즈마로 여기시키기 위해 상기 챔버(12)에 대해 타겟(14)을 역방향 바이어스 시킨다. 그러나, RF 스퍼터링 역시 공지된다는 것이 인지된다. 양전하 아르곤 이온들은 바이어싱된 타겟(14), 및 상기 타겟(14)의 반대측으로 페데스탈 상에 지지되는 기판(20) 상으로의 타겟(14)으로부터의 스퍼터 물질에 유인된다. 타겟의 뒤쪽에 위치된 마그네트론(24)은 전자를 트랩하여 플라즈마 밀도를 증가시키고 스퍼터링 속도를 증가시키기 위해, 타겟(14)의 앞면과 평행하게 자계를 형성한다. 최신 스퍼터 리액터들에서, 마그네트론은 더 소형화될 수 있고 타겟(14)의 뒷편을 중심으로 스캔될 수도 있다. 심지어는 부식 및 증착의 균일성을 증가시키기 위해 대형 마그네트론이 스캔될 수 있다. 알루미늄, 티타늄, 및 구리 타겟들은 일반적으로, 좀더 저렴하고 좀더 간편한 가공 가능 물질로 된 타겟 배킹 플레이트 상에 스퍼터링 코팅 또는 본딩되어지는 스퍼터링 물질 층으로 형성된다.
스퍼터링 리액터들은 실질적으로 원형 실리콘 웨이퍼들 상에 스퍼터링하기 귀해 폭넓게 개발되었었다. 수년에 걸쳐, 실리콘 웨이퍼들의 크기는 50mm에서 300mm의 직경으로 증가했다. 웨이퍼들에 대해 좀더 균일한 증착을 제공하기 위해 서, 스퍼터링 타겟들은 웨이퍼들의 크기보다 어느 정도 더 클 필요는 있다. 일반적으로, 웨이퍼 스퍼터 타겟들은 알루미늄 및 구리와 같은 물질들에 대한 단일 원형 부재, 또는 복잡한 물질들에 대한 배킹 플레이트 상에 형성되는 연속적인 단일 스퍼터 층으로 형성된다.
1990년대 초반, 스퍼터 리액터들은 컴퓨터 모니터 또는 텔레비전 스크린으로서 사용하기 위한 액정 디스플레이(LCD)와 같은 대형 디스플레이에 사용되는 유리 패널들 상에 형성되는 박막 트랜지스터(TFT) 회로 장치를 위해 개발되었었다. 그러한 기술은 이후에, 플라즈마 디스플레이 및 태양 전지판과 같은 다른 유형의 디스플레이들, 및 플라스틱 및 중합체와 같은 다른 패널 구성물들에 적용되었다. 초기 리액터들의 일부분은 약 400mm×600mm의 크기를 갖는 패널들을 위해 설계되었다. 생성되는 평면 패널 디스플레이의 증가되는 크기, 및 다중 디스플레이들이 단일 글래스 상에 제조된 후 다이싱될 때 실현되는 경제적 규모로 인해, 패널들의 크기는 계속 증가하여 왔다. 평면 패널 제조 장비는 최소 1.8 직경 크기를 갖는 패널들 상에 스퍼털이 하기 위해 상업적으로 이용가능하고, 상기 장비는 2m×2m의 크기 심지어는 더 큰 크기를 갖는 패널들에 대해서도 고려된다.
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패널들의 크기 증가로 인해서, 스퍼터링 타겟들이 점점 대형화됨에 따라 스퍼터링 타겟들을 인듐 본딩에 의해 배킹 플레이트들에 본딩시키는 기존의 방식은 매우 고가이게 된다. 그러므로, 경제적이고 견고한 대형 기판 처리 시스템을 위한, 스퍼터링 타겟들을 배킹 플레이트들에 본딩시키는 방법이 요구된다.
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본 발명의 실시예들은 스퍼터링 타겟 타일들을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법을 제공한다. 본 발명의 실시예들은 스퍼터링 타겟 타일과 배킹 플레이트 사이에 탄성중합체 접착층을 포함하는 스퍼터링 타겟 어셈블리 또한 제공한다. 일 실시예에서, 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법은 상기 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일과 배킹 플레이트 사이에 탄성중합체 접착층을 제공하는 단계; 및 상기 탄성중합체 접착층 내에 적어도 하나의 금속 메쉬를 제공하는 단계를 포함하는데, 상기 적어도 하나의 금속 메쉬의 적어도 일부분은 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일과 배킹 플레이트와 접촉하고, 상기 적어도 하나의 금속 메쉬의 적어도 일부분은 0.5mm 이상의 직경을 갖는 금속 와이어로 제조된다.
다른 실시예에서, 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법은 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일과 배킹 플레이트 사이에 적어도 하나의 탄성중합체 접착층을 제공하는 단계; 및 상기 적어도 하나의 탄성중합체 접착층 내에 적어도 하나의 금속 메쉬를 제공하는 단계를 포함하는데, 상기 적어도 하나의 금속 메쉬의 적어도 일부분은 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일 및 배킹 플레이트와 접촉하고, 상기 적어도 하나의 금속 메쉬의 개구부들의 전체 표면적은 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일의 전체 본딩 표면적의 약 40% 내지 약 70%이다.
다른 실시예에서, 스퍼터링 타겟 어셈블리는 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일, 상기 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일을 위한 배킹 플레이트, 상기 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일과 상기 배킹 플레이트 사이의 탄성중합체 접착층, 및 상기 탄성중합체 접착층 내부의 적어도 하나의 금속 메쉬를 포함하는데, 상기 탄성중합체 접착층은 적어도 하나의 스퍼터링 타겟과 배킹 플레이트를 함께 본딩시키고, 상기 적어도 하나의 금속 메쉬의 적어도 일부분은 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일과 배킹 플레이트와 접촉하고, 상기 적어도 하나의 금속 메쉬의 적어도 일부분은 0.5mm 이상의 직경을 갖는 금속 와이어로 제조된다.
다른 실시예에서, 스퍼터링 타겟 어셈블리는 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일, 상기 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일을 위한 배킹 플레이트, 상기 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일과 상기 배킹 플레이트 사이의 적어도 하나의 탄성중합체 접착층, 및 상기 탄성중합체 접착층 내부의 적어도 하나의 금속 메쉬를 포함하는데, 상기 탄성중합체 접착층은 적어도 하나의 스퍼터링 타겟과 배킹 플레이트를 본딩시키고, 상기 적어도 하나의 금속 메쉬의 적어도 일부분은 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일 및 배킹 플레이트와 접촉하고, 상기 적어도 하나의 금속 메쉬의 개구부들의 전체 표면적은 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일의 전체 본딩 표면적의 약 40% 내지 약 70%이다.
또 다른 실시예에서, 스퍼터링 타겟 어셈블리는 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일, 상기 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일을 위한 배킹 플레이트, 상기 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일과 상기 배킹 플레이트 사이의 적어도 하나의 탄성중합체 접착층, 및 및 상기 탄성중합체 접착층 내부에 적어도 하나의 금속 메쉬를 포함하는데, 상기 탄성중합체 접착층은 적어도 하나의 스퍼터링 타겟과 배킹 플레이트를 함께 본딩시키고, 상기 탄성중합체 접착층은 열 전도성을 증가시키기 위해 약 0% 내지 약 80% 중량 범위의 금속성 파우더를 포함하고, 상기 적어도 하나의 금속 메쉬의 적어도 일부분은 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일과 배킹 플레이트와 접촉하고, 상기 적어도 하나의 금속 메쉬의 적어도 일부분은 0.5mm 이상의 직경을 갖는 금속 와이어로 제조된다.
위에서 언급한 본 발명의 특징들이 좀더 자세히 설명되는 방식으로, 위에 요약되어 있는 본 발명의 좀더 상세한 설명이 첨부된 도면에 도시되는 실시예들을 참조함으로써 이루어질 것이다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 본 발명의 전형적 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 사상을 제한하는 것으로 간주되어서는 안되고, 본 발명은 다른 동일한 효과의 실시예들을 허용한다.
대형 스퍼터링 타겟들에 대해, 도 2에 도시된 바와 같은 2-차원 타일 배열이 때때로 필요하다. 직사각형 타겟 타일들(32)은 직사각형 어레이에 배열되어 타겟 배킹 플레이트(34)에 본딩된다. 도 2의 정면도에 도시된 바와 같이, 실질적인 직사각형 타겟(30)은 직사각형 어레이에 배열되어 타겟 배킹 플레이트(34)에 본딩되는 직사각형 타겟 타일들(32)을 포함한다. 타일 크기는 타일들의 제조 편의성을 포함하여 다수의 요인들에 의존하고, 타일 크기는 3×1, 3×3, 4×5(도 2에 도시됨), 또는 다른 적용가능한 조합일 수 있다. 타일들(32)은 예를 들어 750mm×900mm와 같은 실질적 크기일 수 있고, 3×3 어레이가 대형 패널에 필요하게 된다. 타일 어레이에서 타일들의 개수는, 만일 타겟 물질이 크롬이나 몰리브덴과 같이 함께 작용하기 어려우면, 훨씬 더 클 수도 있다. 도시된 타겟 배킹 플레이트(34)는 일반적으로 스퍼터링 코팅되는 패널의 형상 및 크기에 적합한 직사각형 형상이지만, 그 코너들(36)은 일반적으로 그러한 플레이트를 지지하는 챔버 바디에 적합하게 둥근 형상이며, 타겟(30)을 냉각시키는 데 이용되는 냉각액을 위한 타겟 및 파이프 커플링들에 전력을 공급하기 위한 전기적 단자를 포함하는 챔버 바디로부터의 연장부(38)를 포함할 수 있다. 도 3a의 예시적 횡단면도에 도시된 바와 같이, 평면 패널 스퍼터링을 위한 타겟 배킹 플레이트(34)는 전형적으로 두 개의 금속 플레이트들(42, 44)을 예를 들어, 티타늄 용접 또는 용접과 본딩을 함께하여 형성된다. 플레이트들(42, 44) 중 하나는 선형 냉각 채널들(46)과 함께 형성되는데, 상기 채널들을 통해 냉각액이 순환한다. 이러한 배킹 플레이트(34)는 웨이퍼 처리를 위한 일반적 배킹 플레이트보다 더 복잡한데, 왜냐하면 매우 큰 패널 크기에 대해서는 매우 큰 타겟(30)에 대해 차압을 최소화하기 위해서 통상적 냉각관보다는 후면 진공 챔버를 제공하는 것이 바람직하기 때문이다.
타일들(32)은 상기 타일들(32) 사이에 형성 가능한 갭(48)을 갖는 챔버 측 상에서 배킹 플레이트(34)에 본딩된다. 전형적으로, 타일들(32)은 타일 어레이의 주변부에서 경사진 에지들을 가능하다면 제외시킨 수직 코너들을 갖는 평행육면체 형상을 갖는다. 상기 갭(48)은 타일들의 제조상 변형 및 열 팽창을 충족시키고자 함이고, 0 내지 0.5mm일 수 있다. 이웃한 타일들(32)은 바로 인접할 수 있지만 이것이 서로 강제로 행해져서는 안 된다. 한편, 갭(48)의 너비는 플라즈마 암흑부보다 더 커서는 안 되는데, 상기 플라즈마 암흑부는 일반적으로 플라즈마 시스 두께와 일치하며 아르곤 작동 가스의 평상시 압력에 대한 약 0.5mm보다 약간 크다. 플라즈마는 플라즈마 암흑부보다 더 작은 최소 간격을 갖는 공간에는 형성할 수 없다. 게다가, 도 3b 의 평면도에서 네 개의 타일들(32) 사이의 코너 영역(70)에 도시된 바와 같이, 직사각형 어레이에 배열된 네 개의 타일들(32)은 서로를 따라 슬라이딩하는 경향이 있으며, 상호간의 타입 갭들(48)에 대한 상이한 크기들과 정렬 오류되는 경향이 있다. 인터스틱스(interstix)는, 세 개 또는 그 상의 타일들 사이의 인터페이스들의 지점 또는 공간을 의미하므로, 인터스틱스라는 용어는 두개의 타일들 사이의 라인을 포함하지 않는다. 더욱이,인터스틱스(72)에 형성된 웰은 타일들(32) 사이의 가장 큰 갭을 나타낸다. 인터스틱스(72)의 가장 큰 너비가 플라즈마 암흑부 아래에 있도록 유지하는 것이 중요한데, 이는 인터스틱스(72) 내에 플라즈마가 형성되는 것을 방지하기 위함이다. 결과적으로, 하부에 놓이는 티타늄 배킹 플레이트(34)는, 타일들(32)이 스퍼터링되는 동안 스퍼터링되지 않게 된다.
도 2를 다시 참조하면, 타일들(32)은 스퍼터링되길 원하는 타겟(30) 영역에 대략 일치하게 또는 어느 정도 더 크게 직사각형 외곽선(40) 내에 배열된다. 도 1의 마그네트론(24)은 이러한 외곽선(40) 내부에서 스캔된다. 차폐물들 또는 다른 수단을 사용하여 배킹 플레이트(34)의 비-타일 표면이 고밀도 플라즈마에 노출되어 스퍼터링되는 것을 방지하기 위해 이용된다. 티타늄, 지지 몰리브덴 또는 다른 타일들과 같은 물질로 이루어진 배킹 플레이트를 완전히 스퍼터링하는 것이 요구되지는 않는다. 배킹 플레이트(34)가 타겟 타일들(32)과 동일한 물질로 구성될 때조차도, 배킹 플레이트의 스퍼터링이 필요치는 않다. 배킹 플레이트(34)는 복잡한 구조물이고, 하나의 타일(32) 세트가 소모된 이후에 재생하고 새로운 타일(32) 세트 에 대해 사용하는 것이 요구된다. 배킹 플레이트(34)에 대한 어떠한 스퍼터링도 회피되어야만 한다.
타겟 타일들을 배킹 플레이트에 본딩하기 위해 이용가능한 여러 개의 공정들 및 본딩 물질들이 존재한다. 도 4(종래 기술)에 도시된 하나의 대중적 프로세스는 두개의 가열 테이블들(60, 62)을 포함하는 장치를 포함한다. 타일들(32)은 하향 배향되는 스퍼터링 면을 갖는 하나의 테이블(60) 상에 위치된다. 각각의 타일(32)은 인듐과 같은 접착 코팅(64)에 의해 후면측 상에 페인팅된다. 가열 테이블(60)은 인듐의 녹는점인 156℃ 보다 더 높은 약 200℃ 로 코팅 타일들(32)을 가열함으로써, 인듐이 타일들(32)을 적시고 균일한 용해층을 형성한다. 유사하게, 배킹 플레이트(34)는 다른 가열 테이블(62) 상에 위치되어, 인듐 코팅(66)으로 페인팅되며, 약 200℃ 로 가열된다. 용해 상태의 모든 인듐 코팅들(64, 66)에 의해, 타일들(32)은 제 1 테이블(60)로부터 제거되고, 역전되어, 서로 면하고 있는 용해된 인듐 코팅들(64, 66)과 상향 배향된 스퍼터링 면들을 갖는 배킹 플레이트(34)의 상부 상에 위치된다. 냉각되자마자, 인듐은 응고되어, 타일들(32)을 배킹 플레이트(34)에 본딩시킨다.
인듐 본딩을 이용하여 타겟 타일들을 배킹 플레이트에 본딩시키는 것은, Al 배킹 플레이트에 본딩된 몰리브덴 타겟과 같이, 타겟 타일들의 물질들과 배킹 플레이트 사이의 서로 다른 열 팽창으로 인해 문제점이 발생한다. 본딩된 어셈블리가 인듐에 대한 약 200℃ 의 본딩 온도에서 실온으로 냉각 될때, 서로 다른 열 팽창은 상기 어셈블리를 굽어지게(bow) 할수도 있다. 고체 인듐의 연성으로 인해, 상기 굽어짐은 본딩된 어셈블리를 압착시킬 수 있다. 그러나, 압착은 일반적으로 비제어식 공정이고, 타일들은 압착 동안에 서로에 대해 슬라이딩 할 수도 있어서 예를 들어 1mm과 같이 플라즈마 암흑부보다 더 큰 갭과 같은 원치 않는 타일 정렬 오류를 생성시키게 된다.
또한, 그러한 대형 기계적 구조물들은 원하는 정도의 정렬을 제공하도록, 특정하게는 0.5 mm 이상으로는 본딩 타일들이 분리되지 않도록 조작되는 것이 쉽지 않다. 결과적으로, 정렬 오류된 타일들(32)의 가장 넓은 지점은 플라즈마 암흑부, 즉 1mm보다 더 크게 되어서, 플라즈마는 배킹 플레이트(34) 쪽으로 전달될 수 있다. 갭이 플라즈마 암흑부보다 아주 약간만 크다면, 갭 내에서의 플라즈마 상태는 안정적이지 않을 수 있어서, 결과적으로 간헐적 아킹을 유발시킨다. 아킹이 타일 물질에 적합할지라도, 아킹은 원자들 이외의 타겟 물질 입자들을 제거시키고 오염물질 입자들을 생성할 수도 있다. 플라즈마가 배킹 플레이트에 도달하면, 스퍼터링 될 것이다. 플레이트 스퍼터링은, 만일 타일들 및 배킹 플레이트가 서로 다른 물질들이라면, 물질 오염원을 유입시킬 것이다. 더욱이, 플레이트 스퍼터링은 재생된 타겟에 대해 배킹 플레이트를 재사용하는 것을 어렵게 만들 것이다.
본 발명의 실시예들은 탄성중합체 접착제를 이용함으로써 스퍼터링 타겟들 또는 타겟을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법을 제공한다. 본딩된 타겟 타일들을 갖는 배킹 플레이트는 배킹 플레이트 및 본딩된 타겟 타일들이 굽어질 위험성을 감소시키기 위해, 100-150℃ 이하와 같이 상대적인 저온에서 경화될 수 있다. 본 발명의 개념은 임의의 유형의 기판들을 처리하는 데 이용되는 모든 크기의 스퍼터링 타겟들 또는 타겟을 본딩시키기 위해 적용될 수 있다. 본 발명의 개념은 750㎠ 이상의 타겟들, 바람직하게는 2000㎠ 이상의 타겟들, 더욱 바람직하게는 15000㎠ 이상의 타겟들, 및 가장 바람직하게는 40000㎠ 이상의 타겟들에 적용될 수 있다. 도 5는 적어도 하나의 금속 메쉬(125)를 갖는 탄성중합체 접착제(120)에 의해 배킹 플레이트(110)에 본딩되는 타겟(또는 타겟 타일)의 횡단면도를 도시한다. 타겟(130)은 단일 피이스 타겟, 하나의 피이스에 용접된 타겟 타일들, 서로 근접하게 위치된 타겟 타일들, 또는 서로 근접하게 위치된 용접된 타겟 타일들일 수 있다. 타겟은 알루미늄, 구리, 금, 니켈, 주석, 몰리브덴, 크롬, 아연, 팔라듐, 스테인레스 강, 인듐, 티타늄, 텅스텐, 네오디뮴 및 그것들의 결합물들과 같은 원소들을 포함하는 임의의 유형의 스퍼터링 물질들로 이루어질 수 있다. 스퍼터링 타겟들에 의해 증착되는 막들의 예들은, 알루미늄, 알루미늄 네오디뮴, 알루미늄 합금, 구리, 구리 합금, 금, 니켈, 주석, 주석 합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금, 티타늄, 질화 티타늄, 탄탈, 질화 탄탈, 텅스텐, 크롬, 아연, 아연 산화물, 팔라듐, 팔라듐 합금, 스테인레스 강, 및 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함한다.
평면 패널 디스플레이를 제조하기 위한 타겟 물질의 예는 몰리브덴이다. 배킹 플레이트는 스퍼터링 타겟에 대한 지지대를 제공하고, 전원과의 전기적 연결을 제공한다. 배킹 플레이트(110)는 알루미늄, 구리, 금, 니켈, 주석, 몰리브덴, 크롬, 아연, 팔라듐, 스테인레스 강, 팔라듐 합금, 주석 합금, 알루미늄 합금 및 구리 합금과 같은 전도성 물질들로 이루어질 수 있다. 평면 패널 디스플레이를 제조하기 위한 PVD 챔버에 대한 배킹 플레이트 물질의 예는 알루미늄이다.
탄성중합체 접착제(120)는 탄성중합체로 제조된 임의의 접착제일 수 있다. 타겟(또는 타겟 타일들)과 배킹 플레이트를 본딩시키기에 적합한 탄성중합체는 경화 처리 전후에 낮은 응력을 가져야만 하는데, 상기 경화 처리는 타겟 및 배킹 플레이트가 그들 사이에서 탄성중합체 접착제(120)에 의해 함께 압착된 이후에 수행된다. 타겟(130) 및 배킹 플레이트(110)를 본딩시키는데 이용되는 탄성중합체(120)는 타겟(130) 및 배킹 플레이트(110)에 근사한 온도 계수를 가져야만 한다. 미국 미네소타 주 St. Paul의 3M, 미국 미시건 주 Midland의 Dow Chemicals, 및 미국 오클라호마 주 Oklahoma City의 GE Consumer Electrics는 금속들 간의 본딩을 위한 많은 유형의 상업적 탄성중합체를 제공한다. 금속을 금속에 본딩시키는데 이용될 수 있는 탄성중합체 접착제의 예는 3M에서 이용가능한 AF 30/EC 1660 접착제이다.
금속 메쉬(125)는 구리, 알루미늄, 구리 합금, 알루미늄 합금과 같이 양호한 전기적 및/또는 열적 전도성들을 갖는 임의의 금속으로 제조될 수 있다. 타겟(130)과 배킹 플레이트(110) 사이에는 하나 또는 그 이상의 금속 메쉬들(125)이 존재할 수 있다. 금속 메쉬(125)는 타겟(130)과 배킹 플레이트(110) 사이에 전기적 및/또는 열적 전도성을 제공하고, 전원에 연결된다. 도 6은 상부에 놓이는 금속 와이어들로 제조되는 금속 메쉬(125)의 일 실시예의 투시도이다. 금속 메쉬(125)의 금속 와이어들은 다양한 방식들로 배열될 수 있다. 금속 메쉬(125) 내의 개구부들은 탄성중합체 접착제(120)가 통과하기에 충분히 클수 있고, 이는 금속 메쉬가 타겟(130) 및 배킹 플레이트(110)와의 양호한 접촉을 갖는 것을 보장하고, 또한 타겟의 중앙 영역과 근처와 같이 타겟(130)과 배킹 플레이트(110) 사이의 특정 부분들로 탄성중합체 접착제(120)가 구성되는 것을 방지하도록 보장한다. 전체 본딩 표면적에 대한 개구부들(126)의 전체 표면적의 비율은 약 35% 내지 약 90%이고, 바람직하게는 약 40% 내지 약 70%이고, 가장 바람직하게는 약 55% 내지 약 65%이다. 개구부들(126)의 전체 표면적의 비율이 너무 낮으면, 탄성중합체 접착제는 금속 메쉬를 관통할 수 없으며, 금속 메쉬가 타겟 및/또는 배킹 플레이트와 접촉하지 못하게 한다. 게다가, 대형 기판을 처리하기 위한 PVD 챔버에 대한 스퍼터링 타겟에 대해 금속 메쉬(125)가 타겟(130)과 배킹 플레이트(110) 사이의 양호한 접촉을 제공하도록 보장하기 위해, 금속 메쉬를 제조하는데 이용되는 금속 와이어들의 직경들은 충분한 전기적 및/또는 열적 접촉을 제공하기 위해 적어도 0.5mm, 바람직하게는 0.8mm 이상어야 한다.
탄성중합체 접착제(120)는 타겟(130)과 배킹 플레이트(110) 사이의 양호한 열 전도성을 제공하기 위해 금속 메쉬(125)와 결합되고, 타겟(130)이 스퍼터링 공정 동안에 배킹 플레이트(110)를 통해 흐르는 냉각 매질(미도시됨)에 의해 적당히 냉각될 수 있음을 보장한다. 열 전도성은 금속 메쉬(125)로부터 전달될 수 있거나, 탄성중합체 접착제는 열 전도성을 증가시키기 위해 선택적으로 약 0% 내지 약 80%의 중량 범위로 은 파우더와 같은 금속성 파우더를 포함한다. 스퍼터링 공정은 10-4Torr 이상과 같이 고진공 하에서 동작되기 때문에, 타겟(130)과 배킹 플레이트(110) 사이의 탄성중합체는 가스 유출을 막기 위해, 처리 챔버 내에서 사용하기 전 에 경화될 필요가 있다.
도 7은 탄성중합체 접착제(120) 및 적어도 하나의 금속 메쉬(125)를 이용하여 타겟(130)과 배킹 플레이트(110)를 본딩하기 위한 프로세스의 실시예를 도시한다. 단계(1)에서, 타겟(130)과 배킹 플레이트는 타겟의 에지들을 샌딩하는 단계 및 본딩 물질(또는 접착제)을 수용하여 표면 준비 서브-단계들 이후에 지지 구조물(미도시됨) 상에 위치되는 배킹 플레이트와 타겟의 표면들을 세척하는 단계와 같은, 표면 준비 서브-단계들이 수행된다. 타겟(130)에 대한 지지 구조물은 타겟(130)을 홀딩하거나 잡아 이후에 단계로 이동시키는 기계적 장치를 포함할 수 있다. 상기 준비 서브-단계들은, 타겟(130) 및 배킹 플레이트(110)이 준비되어 지지 구조물들에 단단히 고정된다는 것을 보장하도록 수행된다. 타겟(130)은 하나의 피이스 또는 여러개의 피이스들로 함께 용접되는 타일들로 구성될 수 있거나 용접되지 않은 단일체일 수 있다. 타겟(130)은 또한 300mm 이상의 기판들에 대한 반도체 웨이퍼 처리를 위해 이용될 수 있다. 그러한 경우에, 타겟은 원형일 수 있다.
단계(2)에서, 탄성중합체(또는 탄성중합체 접착제)(120A) 층은 지지 구조물과 떨어져 있는 타겟(130) 표면(또는 배킹 플레이트와 면하게 될 표면) 상에 도포된다. 탄성중합체(또는 탄성중합체 접착제)(120B) 층은 지지 구조물에서 떨어져 있는 배킹 플레이트(110) 표면(또는 타겟과 면하게 될 표면) 상에 역시 도포된다.
단계(3)에서, 금속 메쉬(125)(전기적 및/또는 열적 도체)는 단계(2)에서 배킹 플레이트 상에 도포된 탄성중합체 층 상에 위치되고, 단계(2) 동아네 도포된 탄 성중합체 층(120A)은 탄성중합체 층(120A)으로 하여금 배킹 플레이트(110) 쪽으로 하향하여 면하도록 하기 위해 플립 오버된다. 그 후, 타겟(130)은 타겟(130)과 배킹 플레이트(110)를 함께 본딩시키기 위해 배킹 플레이트(110)에 대해 배치된다. 금속 메쉬(125)는, 타겟(130) 및 배킹 플레이트(110)가 함께 압착된 이후에 타겟(130)과 배킹 플레이트(110) 사이에 금속 메쉬가 위치되도록 하기 위해, 사전-결정된 본딩 위치에 위치되어야 한다. 타겟(130)은 플립 오버되어, 배킹 플레이트(110) 위쪽에 수작업으로 또는 기계적 장치들에 의해 배치될 수 있다. 20㎡ 이상의 표면적과 같은 대형 타겟들에 대해, 타겟을 수동으로 플립시키고 운반하는 것은 타겟의 크기 및 무게로 인해 어려울 수 있고, 기계적 장치들이 이러한 작업들을 수행할 필요가 있을 수도 있다.
단계(4)에서, 타겟(130)은 배킹 플레이트(110)로 약간 낮아짐으로써, 타겟(130) 상의 탄성중합체 층(120A)이 배킹 플레이트(110) 상의 탄성중합체 층(120B) 및 금속 메쉬와 접촉하게 한다. 탄성중합체 층(120)은 탄성중합체 층(120A)과 탄성중합체 층(120B)을 함께 압착시킴으로써 형성된 후, 경화된다. 타겟(130) 상의 탄성중합체 층(120A) 및 배킹 플레이트(110) 상의 탄성중합체 층(120B)는 공간을 금속 메쉬로 채워서 탄성중합체 층이 되고, 금속 메쉬(125)는 전기적 및 열적 접촉을 제공하기 위해 타겟(130)과 배킹 플레이트(110)와 접촉하게 된다. 일 실시예에서, 배킹 플레이트에 대해 스퍼터링 타겟을 압착시키기 위해 스퍼터링 타겟의 상부 상에 정적 하중(static weight)이 배치된다. 일 실시예에서, 스퍼터링 타겟 및 배킹 플레이트는 클램프들에 의해 함께 압착될 수 있다. 그 후, 물과 같은 가열된 액체, 또는 N2와 같은 가스가 탄성중합체를 경화시키기 위해 배킹 플레이트(110)에서 가열 채널(들)을 통해 통과된다. 탄성중합체는 PVD 공정 동안에 가스 유출을 방지하기 위해 경화되는데, 상기 PVD 공정은 고진공, 예를 들어 10-4Torr 하에서 동작한다. 타겟 및/또는 배킹 플레이트가 굽어지는 것을 방지하기 위해, 저온 경화가 요구된다. 온도 범위는 약 25℃ 내지 약 100℃, 바람직하게는 약 45℃ 내지 약 70℃, 가장 바람직하게는 약 45℃ 내지 약 55℃ 일 수 있다. 탄성중합체 경화는 1일과 같이 상대적으로 긴 시간을 제공할 실온에서 수행될 수 있다. 고온에서의 경화는 50℃에서 경화 시간을 예를 들어 8시간과 같이 더 짧게 할 수 있다. 탄성중합체 본딩은 인듐 본딩의 처리 온도(약 200℃)와 비교하여 낮은 처리 온도(30℃ 내지 100℃)라는 장점을 갖는다. 낮은 처리 온도는 본딩 공정 이후에 타겟과 본딩 플레이트의 굽혀짐의 위험성을 감소시킨다.
탄성중합체가 타겟의 표면과 배킹 플레이트 상에 도포된 이후의 단계(2)와 타겟이 금속 메쉬와 배킹 플레이트데 대해 압착될 때의 단계(4) 사이의 시간은 탄성중합체가 건조되어 유동성을 잃을 만큼 그렇게 길면 안 된다. 지속 시간은 12시간 이하, 바람직하게는 6시간 이하, 가장 바람직하게는 2시간 이하로 유지되어야 한다.
도 7에 설명된 공정의 실시예는, 스퍼터링 타겟이 배킹 플레이트 위쪽에 배치되어 배킹 플레이트에 대해 압착되는 것을 도시한다. 스퍼터링 타겟 및 배킹 플레이트의 위치들은 스퍼터링 타겟이 배킹 플레이트 아래쪽에 배치되도록 플립핑될 수 있다. 이러한 경우에 금속 메쉬는, 배킹 플레이트가 낮아져서 금속 메쉬 및 스퍼터링 타겟에 대해 압착되기 전에 스퍼터링 타겟 상에서 탄성중합체 층 상에 배치된다.
타겟(130)은 타겟 물질로 이루어진 하나의 피이스 또는 다중 피이스들로 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 다중 타겟 타일들이 배킹 플레이트에 본딩된다. 타일들은 함께 가까이 위치되고, 타일들 사이의 간격은 바람직하게는 예를 들어 1mm과 같이 플라즈마 암흑부 이하로 유지된다. 도 8a는 배킹 플레이트(810)에 본딩될 타일들(830A, 830B, 830C, 830D, 830E, 830F)의 개략적 상부도이다. 6개의 타일들(830A, 830B, 830C, 830D, 830E, 830F)은 하나의 크기이거나 상이한 크기들일 수 있다. 도 8b는 배킹 플레이트(810)데 대한 타일들(830C, 830E)의 일부분의 개략적 횡단면도를 도시한다. 배킹 플레이트(810)와 타겟 타일들(830C, 830E) 사이에는, 층 내에 금속 메쉬를 갖는 본딩 층(820)이 존재하고, 상기 금속 메쉬는 타겟 타일들(830C, 830E) 및 배킹 플레이트(810)과 접촉한다. 타겟 타일들(830C, 830E) 사이의 가장 넓은 간격(850)은 플라즈마 암흑부 아래쪽에 유지되어야 한다. 도 8c는 배킹 플레이트에 본딩되어질 다중 타일들의 다른 예시도이다. 세 개의 타일들(830G, 830H 및 830I)이 배킹 플레이트(810)에 본딩된다. 타일들은 또한 상기 배킹 플레이트에 본딩되기 전에 하나의 대형 피이스로 함께 용접될 수 있다. 타겟 타일들은 배킹 플레이트에 본딩되기 전에, 레이저 용접, e-빔 용접, 또는 FSW에 의해 본딩될 수 있다. 도 8d는 배킹 플레이트(810)에 본딩될 단일 피이스 타겟(830J)를 도시한다.
전기적 및/또는 열적 도체로서 금속 메쉬를 이용하는 개념 역시 다른 유형들의 본딩에 적용될 수 있다. 예를 들어, 금속 메쉬는 또한 인듐을 본딩 물질로써 이용하는 두 개의 도전성 층들 사이에 위치될 수 있다. 0.5mm 이상의 직경을 갖는 금속 와이어들로 이루어진 금속 메쉬를 이용하는 개념은 PVD 챔버들에서 반도체 웨이퍼 처리를 위한 타겟 본딩을 위해 이용될 수 있다. 본 발명의 사상은 평면 패널 디스플레이, 태양 전지판들, 또는 전자 디바이스들을 제조하기 위해 스퍼터링 타겟들을 본딩하는데 적용될 수 있다.
앞서 언급한 내용들이 본 발명의 실시예들에 따른 것일지라도, 본 발명의 기본적 사상을 벗어나지 않으면서 다른 실시예들 및 변형예들이 가능하며, 본 발명의 사상은 이후의 청구항들에 의해서만 결정된다.
따라서, 경제적이고 견고한 대형 기판 처리 시스템을 위해 스퍼터링 타겟들을 배킹 플레이트들에 본딩시키는 방법이 제공된다.

Claims (47)

  1. 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일을 배킹 플레이트(backing plate)에 본딩시키는 방법으로서,
    상기 스퍼터링 타겟 타일과 상기 배킹 플레이트 사이에 탄성중합체 접착층을 제공하는 단계; 및
    상기 탄성중합체 접착층 내에 적어도 하나의 금속 메쉬를 제공하는 단계 - 상기 금속 메쉬의 적어도 일부분은 상기 스퍼터링 타겟 타일 및 상기 배킹 플레이트와 접촉하고, 상기 금속 메쉬의 상기 일부분은 0.5mm 이상의 직경을 갖는 금속 와이어로 구성됨 -
    를 포함하는 스퍼터링 타겟을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟 타일과 상기 배킹 플레이트 사이에 채워지는 상기 탄성중합체 접착층을 경화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타겟을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법.
  3. 청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 2 항에 있어서,
    상기 탄성중합체 접착층을 경화시키는 단계는 100℃ 미만의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타겟을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법.
  4. 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 2 항에 있어서,
    상기 탄성중합체 접착층을 경화시키는 단계는 가열된 물을 상기 배킹 플레이트 내의 가열 채널들을 통해 45℃ 내지 약 70℃의 온도에서 통과시킴으로써 완료되는 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타겟을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법.
  5. 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항에 있어서,
    적어도 세 개의 스퍼터링 타겟 타일들이 존재하고, 상기 적어도 세 개의 스퍼터링 타겟 타일들은 플라즈마 암흑부보다는 작은, 상기 적어도 세 개의 스퍼터링 타겟 타일들 사이에서 최대 갭을 가지면서 나란히 위치되는 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타겟을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟 타일은 본딩 이전에 함께 용접되는 스퍼터링 타겟 타일들로 구성되는 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타겟을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법.
  7. 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항에 있어서,
    상기 탄성중합체 접착층은 열 전도성을 증가시키기 위해 약 0% 내지 약 80%의 중량 범위로 금속성 파우더를 포함하는 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타겟을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법.
  8. 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항에 있어서,
    상기 금속 메쉬의 개구부들의 전체 표면적은 상기 스퍼터링 타겟 타일의 전체 본딩 표면적의 약 40% 내지 약 70% 인 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타겟을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟 타일의 전체 표면적은 750㎠ 이상인 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타겟을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법.
  10. 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟 타일은 비-원형인 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타겟을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟은 알루미늄, 구리, 금, 니켈, 주석, 몰리브덴, 크롬, 아연, 팔라듐, 스테인레스 강, 인듐, 티타늄, 텅스텐, 네오디뮴 및 그것들의 조합물들로 구성되는 그룹으로부터 선택된 원소를 포함하는 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타겟을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 배킹 플레이트는 알루미늄, 구리, 금, 니켈, 주석, 몰리브덴, 크롬, 아연, 팔라듐, 스테인레스 강, 팔라듐 합금, 주석 합금, 알루미늄 합금, 구리 합금 및 그것들의 조합물들로 구성되는 그룹으로부터 선택된 전도성 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타겟을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법.
  13. 적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법으로서,
    상기 스퍼터링 타겟 타일과 상기 배킹 플레이트 사이에 적어도 하나의 탄성중합체 접착층을 제공하는 단계; 및
    상기 탄성중합체 접착층 내에 적어도 하나의 금속 메쉬를 제공하는 단계 - 상기 금속 메쉬의 적어도 일부분은 상기 스퍼터링 타겟 타일 및 상기 배킹 플레이트와 접촉하고, 상기 금속 메쉬의 개구부들의 전체 표면적은 상기 스퍼터링 타겟 타일의 전체 본딩 표면적의 약 40% 내지 약 70% 임 -
    을 포함하는 스퍼터링 타겟 타일을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법.
  14. 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 13 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟 타일과 상기 베이킹 플레이트 사이에 채워지는 상기 탄성중합체 접착층을 경화시키는 단계를 더 포함하는데, 상기 경화 단계는 가열된 물을 상기 배킹 플레이트 내의 가열 채널들을 통해 45℃ 내지 약 70℃의 온도에서 통과시킴으로써 완료되는 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타겟을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법.
  15. 청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 13 항에 있어서,
    적어도 세 개의 스퍼터링 타겟 타일들이 존재하고, 상기 스퍼터링 타겟 타일들은 플라즈마 암흑부보다는 작은, 상기 스퍼터링 타겟 타일들 사이에서 최대 갭을 가지면서 나란히 위치되는 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타겟을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 금속 메쉬의 상기 일부분은 0.5mm 이상의 직경을 갖는 금속 와이어로 구성되는 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타겟을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟 타일은 비-원형인 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타겟을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟 타일의 전체 표면적은 750㎠ 이상인 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타겟을 배킹 플레이트에 본딩시키는 방법.
  19. 스퍼터링 타겟 어셈블리로서,
    적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일;
    상기 스퍼터링 타겟 타일을 위한 배킹 플레이트;
    상기 스퍼터링 타겟 타일과 상기 배킹 플레이트 사이의 탄성중합체 접착층 - 상기 탄성중합체 접착층은 상기 스퍼터링 타겟과 상기 배킹 플레이트를 함께 본딩시킴 -; 및
    상기 탄성중합체 접착층 내부의 적어도 하나의 금속 메쉬 - 상기 금속 메쉬의 적어도 일부분은 상기 스퍼터링 타겟 타일 및 상기 배킹 플레이트와 접촉하고, 상기 금속 메쉬의 적어도 일부분은 0.5mm 이상의 직경을 갖는 금속 와이어로 구성됨 -
    을 포함하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 금속 메쉬 내의 개구부들의 전체 표면적은 전체 스퍼터링 표면적의 약 40% 내지 약 70% 인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟 타일은 비-원형인것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  22. 제 19 항에 있어서,
    적어도 세 개의 스퍼터링 타겟 타일들이 존재하고, 상기 스퍼터링 타겟 타일들은 플라즈마 암흑부보다는 작은, 상기 스퍼터링 타겟 타일들 사이에서 최대 갭을 가지면서 나란히 위치되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  23. 제 19 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟 타일 중 적어도 하나는 상기 배킹 플레이트에 본딩되기 이전에 함께 용접되는 스퍼터링 타겟 타일들로 구성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  24. 제 19 항에 있어서,
    상기 탄성중합체 접착층은 열 전도성을 증가시키기 위해 약 0% 내지 약 80%의 중량 범위로 금속성 파우더를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈 블리.
  25. 제 19 항에 있어서,
    단지 하나의 단일 스퍼터링 타겟 타일이 존재하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  26. 제 19 항에 있어서,
    상기 배킹 플레이트 내에 가열 채널들이 존재하고, 상기 탄성중합체 접착층은 가스-유출을 방지하기 위해 경화되며, 상기 경화는 가열된 물을 상기 배킹 플레이트 내의 상기 가열 채널들을 통해 45℃ 내지 약 70℃의 온도에서 통과시킴으로써 완료되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  27. 제 19 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟 타일의 전체 표면적은 750㎠ 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  28. 제 19 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟 어셈블리는 평면 패널 디스플레이 및 태양 전지판을 제조하기 위한 PVD 스퍼터링 타겟 어셈블리인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  29. 스퍼터링 타겟 어셈블리로서,
    적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일;
    상기 스퍼터링 타겟 타일을 위한 배킹 플레이트;
    상기 스퍼터링 타겟 타일과 상기 배킹 플레이트 사이의 적어도 하나의 탄성중합체 접착층 - 상기 탄성중합체 접착층은 상기 스퍼터링 타겟과 상기 배킹 플레이트를 함께 본딩시킴 -; 및
    상기 탄성중합체 접착층 내부의 적어도 하나의 금속 메쉬 - 상기 금속 메쉬의 적어도 일부분은 상기 스퍼터링 타겟 타일 및 상기 배킹 플레이트와 접촉하고, 상기 금속 메쉬의 개구부들의 전체 표면적은 상기 스퍼터링 타겟 타일의 전체 본딩 표면적의 약 40% 내지 약 70% 임 -
    을 포함하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 금속 메쉬의 상기 일부분은 0.5mm 이상의 직경을 갖는 금속 와이어로 구성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  31. 제 29 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟 타일은 비-원형인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  32. 제 29 항에 있어서,
    적어도 세 개의 스퍼터링 타겟 타일들이 존재하고, 상기 스퍼터링 타겟 타일들은 플라즈마 암흑부보다는 작은, 상기 스퍼터링 타겟 타일들 사이에서 최대 갭을 가지면서 나란히 위치되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  33. 제 29 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟 타일 중 적어도 하나는 상기 배킹 플레이트에 본딩되기 이전에 함께 용접되는 스퍼터링 타겟 타일들로 구성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  34. 제 29 항에 있어서,
    상기 탄성중합체 접착층은 열 전도성을 증가시키기 위해 약 0% 내지 약 80%의 중량 범위로 금속성 파우더를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  35. 제 29 항에 있어서,
    단지 하나의 단일 스퍼터링 타겟 타일이 존재하는 것을 특징으로 하는 스퍼 터링 타겟 어셈블리.
  36. 제 29 항에 있어서,
    상기 배킹 플레이트 내에 가열 채널들이 존재하고, 상기 탄성중합체 접착층은 가스-유출을 방지하기 위해 경화되며, 상기 경화는 가열된 물을 상기 배킹 플레이트 내의 상기 가열 채널들을 통해 45℃ 내지 약 70℃의 온도에서 통과시킴으로써 완료되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  37. 제 29 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟 타일의 전체 표면적은 750㎠ 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  38. 제 29 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟 어셈블리는 평면 패널 디스플레이 및 태양 전지판을 제조하기 위한 PVD 스퍼터링 타겟 어셈블리인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  39. 스퍼터링 타겟 어셈블리로서,
    적어도 하나의 스퍼터링 타겟 타일;
    상기 스퍼터링 타겟 타일을 위한 배킹 플레이트;
    상기 스퍼터링 타겟 타일과 상기 배킹 플레이트 사이의 탄성중합체 접착층 - 상기 탄성중합체 접착층은 상기 스퍼터링 타겟과 상기 배킹 플레이트를 함께 본딩시키고, 상기 탄성중합체 접착층은 열 전도성을 증가시키기 위해 약 0% 내지 약 80% 중량 범위의 금속성 파우더를 포함함 -; 및
    상기 탄성중합체 접착층 내부에 적어도 하나의 금속 메쉬 - 상기 금속 메쉬의 적어도 일부분은 상기 스퍼터링 타겟 타일 및 상기 배킹 플레이트와 접촉하고, 상기 금속 메쉬의 상기 일부분은 0.5mm 이상의 직경을 갖는 금속 와이어로 구성됨 -
    을 포함하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  40. 제 39 항에 있어서,
    상기 금속 메쉬 내의 개구부들의 전체 표면적은 전체 스퍼터링 표면적의 약 40% 내지 약 70% 인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  41. 제 39 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟 타일은 비-원형인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  42. 제 39 항에 있어서,
    적어도 세 개의 스퍼터링 타겟 타일들이 존재하고, 상기 스퍼터링 타겟 타일들은 플라즈마 암흑부보다는 작은, 상기 스퍼터링 타겟 타일들 사이에서 최대 갭을 가지면서 나란히 위치되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  43. 제 39 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟 타일 중 적어도 하나는 상기 배킹 플레이트에 본딩되기 이전에 함께 용접되는 스퍼터링 타겟 타일들로 구성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  44. 제 39 항에 있어서,
    단지 하나의 단일 스퍼터링 타겟 타일이 존재하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  45. 제 39 항에 있어서,
    상기 배킹 플레이트 내에 가열 채널들이 존재하고, 상기 탄성중합체 접착층은 가스-유출을 방지하기 위해 경화되며, 상기 경화는 가열된 물을 상기 배킹 플레이트 내의 상기 가열 채널들을 통해 45℃ 내지 약 70℃의 온도에서 통과시킴으로써 완료되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  46. 제 39 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟 타일의 전체 표면적은 750㎠ 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
  47. 제 39 항에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟 어셈블리는 평면 패널 디스플레이 및 태양 전지판을 제조하기 위한 PVD 스퍼터링 타겟 어셈블리인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 어셈블리.
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