TWI431707B - Electrostatic cups and electrostatic chuck with the electrode sheet - Google Patents

Electrostatic cups and electrostatic chuck with the electrode sheet Download PDF

Info

Publication number
TWI431707B
TWI431707B TW095125093A TW95125093A TWI431707B TW I431707 B TWI431707 B TW I431707B TW 095125093 A TW095125093 A TW 095125093A TW 95125093 A TW95125093 A TW 95125093A TW I431707 B TWI431707 B TW I431707B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
electrostatic chuck
insulating layer
shortest distance
electrode layer
Prior art date
Application number
TW095125093A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200715447A (en
Inventor
Kinya Miyashita
Hiroshi Fujisawa
Riichiro Harano
Original Assignee
Creative Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Creative Tech Corp filed Critical Creative Tech Corp
Publication of TW200715447A publication Critical patent/TW200715447A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI431707B publication Critical patent/TWI431707B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24273—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture
    • Y10T428/24322—Composite web or sheet
    • Y10T428/24331—Composite web or sheet including nonapertured component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24851—Intermediate layer is discontinuous or differential

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)

Description

靜電吸盤及靜電吸盤用之電極薄片
此發明，係有關靜電吸盤及靜電吸盤用之電極薄片。
半導體製程中從離子佈植裝置、電漿處理裝置、蝕刻裝置、電子曝光裝置電子曝光裝置、離子描繪裝置開始，為了在各種裝置中吸附．保持半導體晶圓，係廣泛使用靜電吸盤。又在液晶製造領域中，對絕緣性基板進行液晶壓入時所使用的基板貼合裝置，或離子佈植裝置等，為了吸附．保持玻璃基板也使用靜電吸盤。
近年來，受到平面顯示器之需求提高的影響，面板尺寸日漸大型化，例如液晶用之母玻璃基板尺寸已經出現超過2m×2m者。為了處理此大型基板，更加提高靜電吸盤所發揮之保持力．吸附力則是重要課題。
另一方面，半導體製程中係要求離子佈植裝置等之處理能力的更加提升。例如為了提升離子佈植裝置之處理能力，必須提高離子束電流，但是隨之每單位時間內佈植到矽晶圓之離子佈植量會增加，靜電吸盤用以冷卻矽晶圓之冷卻能力會有無法充分追上的問題。亦即被吸附於靜電吸盤之基板，通常是以靜電吸盤所具備之冷卻手段，經由靜電吸盤之試料吸附面來冷卻，但是離子佈植量增加使得矽晶圓等基板溫度有上升傾向，此外基板本身本來就具有刮痕或扭曲，或試料吸附面之平坦性不良等原因，會使基板無法充分密合於試料吸附面，而有無法如預期進行基板冷卻的問題。如離子佈植般，必須沿著特定圖案來處理基板的情況下，係於基板表面設置阻劑膜，但若基板表面沒有充分冷卻，則會超過此阻劑膜之耐熱溫度，使阻劑膜硬化而難以從基板剝除阻劑膜，而有對以下工程造成障礙之虞。
隨著矽晶圓或玻璃等基板的大型化，有關基板冷卻的問題變的更顯著。然後當要吸附的基板變的更大，以試料吸附面吸附時，充分確保基板平坦性就變的很重要。就這觀點來看，提高靜電吸盤之吸附力是必須的。
然而，對兩個電極施加正負電壓的雙極型靜電吸盤，係如以下數式(1)所示，在不平均電場之情況下所產生之梯度力F會是吸附基板的一個主要因素。此梯度力正比於電場強度E之平方的空間微分，亦即正比於梯度。
然後至此為止，以提高電場強度E為目的，報告有數種於相同平面內互相不同地裝入兩個具有梳齒狀導電部的圖案電極，使鄰接之電極間距離更窄的靜電吸盤(例如參考專利文件1及2)。然而當鄰接之電極間距離變的更窄，會有在此等電極間產生放電之虞。有關此放電極限，通常對電極間距離0.5mm是3kV左右，但是實際上如上述般，使用裝入梳齒狀之圖案電極的靜電吸盤時，就安全性來看必須施加比其更低的電壓。因此尤其對大型基板更難作用充分的吸附力。
此種狀況下，本發明者等在先前申請中，係提案一種雙極型靜電吸盤，其在金屬基盤上，具有從靠近此金屬基盤開始依序層積第1絕緣層，第1電極層，電極間絕緣層，第2電極層，以及第2絕緣層的層積構造(PCT/JP2005/004557)。此靜電吸盤，係在第1電極層級第2電極層之間設置電極間絕緣層，故絕緣耐壓之可靠度較優良，而發現了即使對大型試料也可對應的強力梯度力。此外，也報告有使兩個電極層間具有絕緣層地，於靜電吸盤之厚度方向配置有第2電極層及第1電極層的靜電吸盤(參考專利文件3及4)。然而就此種靜電吸盤來說，從有效發現梯度力之觀點來看的檢討，尚未充分。
〔專利文件1〕日本特開平10－223742號公報〔專利文件2〕日本特表2000－502509號公報〔專利文件3〕日本特開2005－64105號公報〔專利文件4〕日本特開2003－243493號公報
因此，本發明者等為了可充分對應所保持之基板的大型化，同時解決有關基板冷卻之問題，係針對一種具有經由電極間絕緣層來層積第1電極層與第2電極層之層積構造的雙極型靜電吸盤，精心檢討使靜電吸盤之吸附力及保持力更加提高；結果對形成此等電極層之電極，尤其對形成位於保持基板之試料吸附面之第2電極層的電極形狀做最佳化，將第2電極層，以滿足特定關係式而配置有複數開口部之圖案電極來形成，發現可有效發揮梯度力，而得到發揮優良吸附力的靜電吸盤，於是完成本發明。
從而本發明之目的，係提供一種可發揮優良吸附力及保持力的靜電吸盤。又，本發明之其他目的，係提供一種可發揮優良吸附力及保持力的靜電吸盤用之電極薄板。
亦即本發明為一種靜電吸盤，係在金屬基盤上，具有從靠近此金屬基盤開始依序層積第1絕緣層，第1電極層，電極間絕緣層，第2電極層，以及第2絕緣層的層積構造；其中上述第2電極層，係由以下圖案電極所構成：在特定平面範圍內具有複數開口部；且互相鄰接之上述開口部之最短距離X，和將平行於此最短距離X之直線作為假想直線，將此等鄰接之開口部之重心對此假想直線分別投影時，以該垂線腳所得到的線段長度L，係具有L/X≧1.5的關係；同時L<2.6mm。
又，本發明為一種靜電吸盤用之電極薄片，係具有依序層積了第1絕緣層，第1電極層，電極間絕緣層，第2電極層，以及第2絕緣層的層積構造；其中上述第2電極層，係由以下圖案電極所構成：在特定平面範圍內具有複數開口部；且互相鄰接之上述開口部之最短距離X，和將平行於此最短距離X之直線作為假想直線，將此等鄰接之開口部之重心對此假想直線分別投影時，以該垂線腳所得到的線段長度L，係具有L/X≧1.5的關係；同時L<2.6mm。
本發明中，第2電極層，係由在特定平面範圍內具有複數開口部的圖案電極所構成。開口部之形狀，可例舉圓形、橢圓形、三角形以上之多邊形及正多邊形、以及矩形等；然後有關第2電極層，可以由複數配置了例如從此等所選擇之一種或兩種以上形狀所構成之開口部，而形成為具有網狀導電部的圖案電極所構成；或是由複數配置有一端開放之矩形開口部，而形成為具有梳齒狀導電部的圖案電極所構成。
又，有關形成第2電極層之上述圖案電極，係使互相鄰接之上述開口部之最短距離X，和將平行於此最短距離X之直線作為假想直線，將此等鄰接之開口部之重心對此假想直線分別投影時，以該垂線腳所得到的線段長度L，具有L/X≧1.5，理想上為L/X≧2的關係；同時使L未滿2.6mm，L≦2.2mm為佳，L≦2.0mm較佳，0.3mm≦L≦1.3mm更佳。在此，L/X係一種指標，表示開口部造成之開口對於鄰接之兩個開口部之最短距離X的比例，開口程度隨著此L/X變大而增加。當此開口程度增加，則可使自位於比第2電極層更下側(金屬基盤側)之第1電極層開始滲透的電位(滲透電位)其分布增加，而更容易產生梯度力。另一方面，梯度力會集中於開口部之邊際(開口部之邊緣)，亦即以開口部與導電部之邊界為中心，會集中產生在相當於開口部側與導電部側等兩側方向的部分；故推測若從鄰接之兩個開口部的關係，有某個程度的開口存在，亦即當L/X大於5則梯度力產生的效果會飽和。又將鄰接之開口部之重心投影於假想直線，當得到之線段長度L為2.6mm以上，則對基板作用之梯度力總量會減少，而難以發揮充分的吸附力及保持力。
又，本發明中之第2電極層，如果是滿足上述L/X及L之關係式的圖案電極時，互相鄰接之開口部之最短距離X為0.2mm以上，以0.3mm以上為佳。若此最短距離X為0.2mm以上，則可有效產生梯度力，發揮充分的吸附力及保持力。
在此，表示圖案電極之一例，說明互相鄰接之開口部之最短距離X和線段長度L的求出方法。第1圖係表示將開口部形狀作為圓形來複數配置，亦即在特定平面範圍內複數配置圓孔5c，而形成為具有網狀導電部5b之圖案電極的放大圖(一部分)。首先複數開口部(圓孔5c)中互相鄰接之開口部(圓孔5c)之最短距離X，在例如著眼於此第1圖之圓孔A時，可以說是與此圓孔A以最短距離鄰接之一個圓孔，亦即與圓孔B的最短距離。第1圖中，作為與此圓孔A以最短距離鄰接之圓孔，除了圓孔B之外還有圓孔C、圓孔D、圓孔E、圓孔F、圓孔G，與此圓孔A以最短距離X存在，但是圓孔H與圓孔A則不以最近距離鄰接，而從此對象去除。
其次，將平行於此最短距離X之直線作為假想直線，將此等鄰接之開口部之重心對此假想直線分別投影時，以該垂線腳所得到的線段長度L，係例如第1圖中將圓孔A與圓孔B之重心分別投影於假想直線1，將投影時個別之垂線與上述假想直線1的交點，所得到之線段的長度L。
又，第2圖係表示將矩形開口部5a一端加以開放地來複數配置，而形成為具有梳齒狀導電部5b之圖案電極的放大圖(一部分)。本發明係如第2圖所示，也可以複數配置一端開放之開口部來形成圖案電極。這種情況下，首先也是決定互相鄰接之開口部5a之最短距離X。然後將平行於此最短距離X之直線1看成假想直線，將上述鄰接之開口部5a之重心分別投影於此假想直線1，求出投影時個別垂線與假想直線1之交點所得到的線段長度L。
開口部之形狀與其配置等，即使與第1圖或第2圖所示者不同，只要依照第1圖及第2圖所示之思考方式，可以求出最短距離X及線段長度L即可。用以形成圖案電極之開口部，其形狀或配置方法雖無特別限制，但是例如複數配置開口部，而形成有網狀導電部之圖案電極時，理想上係如第1圖所示，排列為在包含互相鄰接之開口部之最短距離X的直線上，最少座落有此等鄰接之開口部的重心來排列即可；更理想來說，在包含最短距離X的直線上，不直接鄰接之其他開口部也座落有其重心地，具有特定規則性來排列亦可；更理想來說，將圖案電極之平面範圍內所有開口部都排列為具有規則性為佳。又，複數配置有一端開放之矩形開口部，而形成為具有梳齒狀導電部的圖案電極時，理想上係如第2圖所示，在包含最短距離X的直線上座落有其他開口部的重心地，來對其各開口部形狀即可。另外，在圖案電極中，即使存在有不會實際達到本發明中開口部功能之大小的穴或開口等，也是著眼於實際工作為開口部之對象來求出最短距離X和線段長度L。
本發明中之第1電極層，係可透過形成第2電極層之圖案電極的開口部來滲透電位地，對應上述開口部最少存在第1電極層之一部分，更理想上係對應開口部之部分全部存在有第1電極層。此第1電極層，係可與第2電極層一樣，由具有網狀或梳齒狀導電部之圖案電極來構成，但是考慮製作簡便性，使平面範圍全部以導電部構成為佳。
第1電極層及第2電極層之材質，可以舉出銅、鎢、鋁、鎳、鉻、銀、鉑、錫、鉬、鎂、鈀、鉭等；其中以導電性或生產性觀點來看，以銅或鋁為佳。第1電極層及第2電極層可以為相同材質，也可以為不同材質。此等第1電極層及第2電極層之膜厚可以適當選擇，理想上以0.1~20μm為佳，尤其第2電極層以0.1~5μm為更佳。第2電極層，其圖案電極之凹凸有反映於形成試料吸附面之第2絕緣層之表面的可能性，但是在0.1~5μm之範圍內，不需要磨擦處理等特殊處理就可以將試料吸附面之平坦性Ra確保在1μm左右。
作為形成第1電極層及第2電極層的方法，例如使用上述任一種金屬所構成之箔，形成為具有特定形狀之導電部；也可以利用於絕緣性薄膜之正反兩面層積有上述金屬箔的層積體，以蝕刻等形成特定導電部。又，在第1電極層、電極間絕緣層或第2絕緣層等任一個的面，以濺鍍法、離子鍍法(離子鍍蒸鍍法)、氣相澱積法，或是電鍍處理等來成膜，因應必要蝕刻為特定形狀來形成導電部；或是將黏膠狀之金屬印刷於特定面來形成導電部，更可以將鉬、鎢、鉭等高熔點金屬溶噴於特定面來形成導電部。其中，尤其在形成膜厚0.1~5μm之較薄第2電極層時，使用離子鍍法為佳。
又，在第1電極層、電極間絕緣層及第2絕緣層，可以由聚醯亞胺、聚醯胺亞醯胺、聚酯、聚對苯二甲酸乙二酯、環氧及丙烯酸所選出之一種或兩種樹脂所構成的樹脂層來形成；或是由氧化鋁、氮化鋁、碳化矽、氮化矽、氧化鋯及氧化鈦所選出之一種或兩種所構成之陶瓷層來形成；更可以由矽及二氧化矽所選出之一種或兩種所構成之層來形成。其中就量產性之觀點來看，由聚醯亞胺、聚醯胺亞醯胺、聚酯、聚對苯二甲酸乙二酯、環氧及丙烯酸所選出之一種或兩種樹脂所構成的樹脂層來形成為佳，又從耐絕緣性或化學耐性來看顗聚醯亞胺為佳。在第1電極層、電極間絕緣層及第2絕緣層可以各自用相同材質形成，也可以適當選擇而各自由不同材質來形成。又，個別之膜厚可以適當選擇，但理想上係第1絕緣層為25~100μm，電極間絕緣層為25~100μm，以及第2絕緣層為50~300μm。
就金屬基盤來說，可使用通常使用之鋁合金製鋁基盤等。又在本發明中，可以在此金屬基盤與第1絕緣層之間設置膜厚500~1000μm之矽膠所構成的柔軟層。一般來說，靜電吸盤在吸附矽晶圓等基板時，試料吸附面與基板之接觸率(密合率)，係將形成試料吸附面之第2絕緣層假設以橡膠類揉軟體來形成時，頂多數%~10%左右。然後第2絕緣層為聚醯亞鞍時，此接觸率會降到1%左右。因此如上所述，在金屬基盤與第1絕緣層之間設置柔軟層，可以提高試料吸附面與基板之接觸率。例如第2絕緣層為聚醯亞鞍時，可以將該接觸率下限提高到2%左右。
又，製造本發明之靜電吸盤的方法並無特別限制，但是例如可以在金屬基盤上，從接近金屬基盤開始依序層積第1絕緣層、第1電極層、電極間絕緣層、第2電極層以及第2絕緣層，之後因應必要在金屬基盤與第1絕緣層之間夾入柔軟層，以特定之加熱．加壓條件熱壓合，形成具有層積構造之靜電吸盤；也可以預先形成依序層積有第1絕緣層、第1電極層、電極間絕緣層、第2電極層以及第2絕緣層的電極薄片，之後因應必要在此電極薄片與金屬基盤與之間夾入柔軟層，以特定之加熱．加壓條件熱壓合，形成具有層積構造之靜電吸盤。另外，第1電極層及第2電極層，可以如上述一般，與第1絕緣層、電極間絕緣層或第2絕緣層的任一個預先一體形成，然後如上述般熱壓合形成靜電吸盤。又，本發明之靜電吸盤的形狀或大小並無特別限制。亦即可以配合被吸附物也就是基板的形狀或大小等，例如將試料吸附面之平面形狀作為圓形、矩形等等。
若依本發明，藉由將形成第2電極層之圖案電極的形狀加以特定，可以將分布於試料吸附面側之來自第1電極層的滲透電位加以最佳化，於試料吸附面有效展現梯度力，而得到可發揮優良吸附力及保持力的靜電吸盤。又，若依本發明之靜電吸盤，則因為試料吸附面側之第2電極層係由具有特定開口部之圖案電極所構成，故庫倫力會與上述梯度力一同作用，不論對矽晶圓等半導體基板或是玻璃基板等絕緣性基板，都可發揮優良吸附力及保持力。若依此種靜電吸盤，則可充分對應要保持之基板的大型化要求，又，可以提高基板對試料吸附面之密合性，故也可有效進行基板冷卻。
 〔計算例1〕
第2電極層如第2圖所示，係由以下的圖案電極所構成：複數配置有一端開放之矩形開口部，而形成為梳齒狀導電部，同時在包含鄰接之開口部之最短距離X的直線上，座落有其他開口部的重心；在此種情況下，調查了鄰接之開口部之最短距離X與將此圖案電極用於靜電吸盤時之吸附力的關係。如第3圖及第4圖所示，針對一種靜電吸盤X，其在金屬基盤1上，具有從靠近此金屬基盤1開始依序層積第1絕緣層2，第1電極層3，電極間絕緣層4，第2電極層5，以及第2絕緣層6的層積構造；其中形成第2電極層5之圖案電極中，使互相鄰接之開口部5a的最短距離X和開口部5a的寬度d相等地，亦即在保持X＝d之情況下，分別變化此等X與d的值，以計算來求出由第2絕緣層6表面所構成之試料吸附面7的每單位面積吸附力。
作為計算條件，第1電極層3係使其平面範圍全部都為導電部，將第1電極層3與第2電極層5之厚度分別設定為10μm，並將此等電極層之電位差設定為3000V。電極間絕緣層4與第2絕緣層6之材質分別假設為聚醯亞胺，尤其將第2絕緣層6之介電率用3.5來計算，而針對要吸附．保持之基板8，則作為厚度0.5mm，介電率5.5的玻璃基板。在此之計算，係使用二維之通用電磁場計算軟體。在第5圖表示將電極間絕緣層4之厚度固定為50μm，而第2絕緣層6之厚度為50、75、125、150、175以及200μm時，最短距離X與吸附力的關係。又，在第6圖表示將第2絕緣層6之厚度固定為125μm，電極間絕緣層4之膜厚為25、50及75μm時，最短距離X與吸附力的關係。另外第5圖中，係假設第2絕緣層6為陶瓷所構成之情況，設定介電率為9加以計算，配合表示其結果的一部分。
由上述第5圖及第6圖可得知，不管是第2絕緣層6之膜厚或電極間絕緣層4之膜厚，幾乎鄰接之開口部5a之最短距離X(＝d：開口部5a的寬度)在0.2mm以上才顯示較高吸附力，而在0.3~1.0mm則存在吸附力的峰值。然後在1.3mm以上則以指數函數降低。又，隨著第2絕緣膜6之膜厚變小，發現吸附力峰值之位置會偏移到最短距離X較小的一邊。另外當第2絕緣層6之介電率變高時，來自第1電極層3之電場會難以穿過開口部5a來滲透，故得知吸附力峰值之位置會偏移到最短距離X較大的方向。
〔計算例2〕
第2電極層5如第1圖所示，係由以下的圖案電極所構成：在特定平面範圍內複數配置有圓孔5c，而具有網狀導電部；在此種情況下，調查了鄰接之圓孔5c之最短距離X，與將此圖案電極用於靜電吸盤時試料吸附面7之吸附力的關係。在此，圓孔5c係著眼於一個圓孔A，鄰接於圓孔A之六個圓孔B~G則被配置為位於正六邊形的頂點。然後在此圖案電極中，使互相鄰接之圓孔5c的最短距離X和圓孔5c的直徑d相等地，亦即在保持X＝d之情況下，分別變化此等X與d的值，與計算力1一樣求出由第2絕緣層6表面所構成之試料吸附面7的每單位面積吸附力。在第7圖表示將電極間絕緣層4之厚度固定為50μm，而第2絕緣層6之厚度為50、75、125、150、175以及200μm時，最短距離X與吸附力的關係。又，在第8圖表示將第2絕緣層6之厚度固定為125μm，電極間絕緣層4之膜厚為25、50及75μm時，最短距離X與吸附力的關係。另外第7圖中，係假設第2絕緣層6為陶瓷所構成之情況，設定介電率為9加以計算，配合表示其結果的一部分。
由上述第7圖及第8圖可得知，不管是第2絕緣層6之膜厚或電極間絕緣層4之膜厚，幾乎鄰接之開口部5a之最短距離X(=d：開口部5a的寬度)在0.2mm以上才顯示較高吸附力，而在0.3~1.0mm則存在吸附力的峰值。然後在1.6mm以上則以指數函數降低。又，隨著第2絕緣膜6之膜厚變小，發現吸附力峰值之位置會偏移到最短距離X較小的一邊。另外當第2絕緣層6之介電率變高時，來自第1電極層3之電場會難以穿過開口部5a來滲透，故得知吸附力峰值之位置會偏移到最短距離X較大的方向。
〔計算例3〕
計算例1中用於形成靜電吸盤X之第2電極層5，具有梳齒狀導電部5b的圖案電極中，使互相鄰接之開口部5a之最短距離X，和將平行於此最短距離X之直線當作假想直線1，將此等鄰接開口部5a之重心對此假想直線分別投影時，有關從該垂線腳之線段長度L所求出的L/X，係計算其與吸附力有何種關係。第9圖，係具有梳齒狀導電部5b之圖案電極的部份放大圖。在計算中，係改變互相鄰接之開口部5a之最短距離X(相當於形成梳齒狀導電部者之中，一條帶狀電極部份的寬度)，和開口部5a的寬度d。例如第9圖(1)~(3)中，依照(1)、(2)、(3)的順序，表示開口部5a之最短距離X變大同時開口部5a之寬度d變小的情況。此時，從互相鄰接之兩個開口部5a所包夾之範圍的導電部(形成梳齒狀導電部者之中，一條帶狀電極部份)中心，到包含開口部5a之寬度d的開口部5a一端為止，係使此距離Z為固定而來改變X與d。如此一來，具有梳齒狀導電部之圖案電極中，改變X與L(L＝X＋d)時，L/X與將此圖案電極用於第2電極層5時試料吸附面7每單位面積之吸附力的關係，係使用二維之通用電磁場計算軟體來求出。作為此時之計算條件，電極間絕緣層4之厚度為50μm，介電率為3.5；又將第2絕緣層6之介電率作為3.5，分別求出第2絕緣層6之厚度為50、125、200μm等各情況。其他有關第1絕緣層、第1電極層、第2電極層、玻璃基板(被吸附物)之條件，則與實驗例1相同。
在此，第10圖中表示Z＝1mm時之計算結果，第11圖中表示Z＝0.5mm時之計算結果。得知不管哪種情況，只要L/X在1.5以上則吸附力就開始上升，2~4則可發揮較高數值吸附力。然後當L/X大於5則吸附力之上升就飽和，依情況不同多少會有減少的傾向。此等傾向，可確認幾乎不受到第2絕緣層6之厚度的影響。又，第12圖(1)，表示Z＝1mm時，開口部5a之寬度d＝0.75mm、L/X＝2.5之情況下，作用於玻璃基板之電位等高線(40V)的分布情況；第12圖(2)，表示Z＝1mm時，開口部5a之寬度d＝0.25mm、L/X＝1.2之情況下，作用於玻璃基板之電位等高線(40V)的分布情況。得知相對於第12圖(1)中，電位等高線對玻璃基板細密分布，12圖(2)中電位等高線的分布較粗糙。
〔計算例4〕
作為第2電極層5，使用如第1圖所示般在特定平面範圍內複數配置有圓孔5c，而具有網狀導電部5b的圖案電極來構成；在此種情況下，進行與上述計算例3相同的計算。如第13圖之一部份所示，改變互相鄰接之圓孔5c之最短距離X，而L/X與將此圖案電極用於第2電極層5時試料吸附面7每單位面積之吸附力的關係，係以計算來求出。結果得到與計算例3所示之情況幾乎相同的結果。。又，第14圖(1)，表示Z＝1.5mm時，圓孔5c之直徑d＝0.75mm、L/X＝1.5之情況下，作用於玻璃基板之電位等高線(40V)的分布情況；第14圖(2)，表示Z＝1.5mm時，開口部5a之寬度d＝0.25mm、L/X＝1.1之情況下，作用於玻璃基板之電位等高線(40V)的分布情況。得知相對於第14圖(1)中，電位等高線對玻璃基板細密分布，14圖(2)中電位等高線的分布較粗糙。藉此，可看出開口部為圓孔所構成之網狀圖案電極的情況下，尤其在圓孔上方有集中產生梯度力的傾向，而可推測出為圓孔時，其直徑d比梳齒狀圖案電極中開口部寬度d更寬者，較為有利。
實施例1
第3圖，係實施例1之雙極型靜電吸盤之立體分解說明圖；第4圖，係第3圖所示之靜電吸盤X之A－A`剖面說明圖(部分)。首先，利用在聚醯亞胺層之單面具有膜厚12μm之銅表面層的長206mm×寬206mm聚醯亞胺薄片(日本三井化學有限公司製造，品名：Neoflex)，將此聚醯亞胺層(膜厚50μm，介電率3.5)作為電極間絕緣層4，以蝕刻去除銅表面層之邊緣，成為長200mm×寬200mm之平面範圍全都是導電部所構成的第1電極層3。然後在此聚醯亞胺薄片之聚醯亞胺層(電極間絕緣層4)的表面堆積0.1μm的鉻，自其上方開始以離子鍍法成膜有膜厚4.0μm的銅。其次對成膜厚之銅施加特定表面處理之後，進行蝕刻處理，形成如第2圖所示般，複數並排有一端開放之矩形開口部5a，具有梳齒狀電部5b的圖案電極，而將此圖案電極當作第2導電層5。此圖案電極在長200mm×寬200mm之平面範圍內，開口部5a之開口寬度d係1mm，並使互相鄰接之開口部5a之最短距離X為1mm地將開口部5a配置為有規則性；且形成為在包含互相鄰接之上述開口部5a之最短距離X的直線上，座落有其他開口部5a的重心。亦即此圖案電極之L＝2mm，L/X＝2。
其次，在形成上述第2電極層5之圖案電極的表面，經由膜厚20μm之熱可塑性聚醯亞胺系黏著薄片(未圖示)，重疊上長206mm×寬206mm×膜厚125μm且介電率3.5之聚醯亞鞍薄膜(日本DuPont－Toray公司製造，品名：Kapton)所構成的第2絕緣層6。又，第1電極層3表面也經由與上述相同之黏著薄片(未圖示)，重疊上長206mm×寬206mm×膜厚40μm且介電率3.5之聚醯亞鞍薄膜(日本DuPont－Toray公司製造，品名：Kapton)所構成的第1絕緣層2。然後在第2絕緣層6之上面側與第1絕緣層2之下面側，分別疊貼上緩衝材(未圖示)，將此等設置於加熱推壓機，於厚度方向以壓力2Mpa、加熱溫度150℃、以及保持時間5分鐘的條件來加熱加壓，之後藉由去除緩衝材，製作出具有依序層積第1絕緣層2、第1電極層3、電極間絕緣層4、第2電極層5、第2絕緣層6之層積構造的電極薄片9。
其次，在圖示外之內含水冷管的鋁合金(A5056)製鋁基盤1上，黏貼上述所得到之電極薄片9。此時為了保持電極薄片9之修飾的平坦度，係於確保了平坦度之多孔質玻璃(未圖示)的表面，使上述電極薄片9之第2絕緣層6相對於多孔質玻璃地來重疊電極薄片9之後，於電極薄片9之第1絕緣層2，經由高度0.7mm、直徑5mm之柔軟材所構成的間隔物(未圖示)，設置上述鋁基盤。然後此間隔物造成之鋁基盤1與電極薄片9的縫隙中，注入有圖示外之自我黏著性液狀矽膠(日本GE東芝Silicone公司製造，品名：TSE3663)，在真空下除泡之後，經由上述多孔質玻璃進行真空吸引，使電極薄片9密合於此多孔質玻璃之表面，約花上一整天使矽膠硬化。如此一來，則完成於鋁基盤上經由矽膠所構成之0.7mm柔軟層(未圖示)而層積有電極薄片9的靜電吸盤X。完成之靜電吸盤X中第2絕緣層6之表面(試料吸附面7)有~±1μm左右的表面凹凸，故不特別需要磨擦處理。
實施例2
將與實施例1相同之聚醯亞胺薄片(日本三井化學有限公司製造，品名：Neoflex)切出直徑184mm，將此聚醯亞胺層作為電極間絕緣層4，以蝕刻去除銅表面層之邊緣，成為直徑182mm之平面範圍全都是導電部所構成的第1電極層3。然後在此聚醯亞胺薄片之聚醯亞胺層(電極間絕緣層4)的表面堆積0.1μm的鉻，自其上方開始以離子鍍法成膜有膜厚4.0μm的銅。其次進行特定之蝕刻處理與遮罩處理，如第1圖所示，形成開了複數直徑d＝1.2mm之圓孔5c之網狀導電部5b所構成的圖案電極，將此圖案電極作為第2電極層5。此圖案電極，係在直徑182mm之平面範圍內有規則性地開了複數圓孔5c；若著眼於一個圓孔5c，則使鄰接於此圓孔5c之6個圓孔對應正六邊形的頂點來配置。又，互相鄰接之圓孔5c的最短距離X為1.0mm，此圖案電極為L＝2.2，L/X＝2.2。然後與實驗例1相同，製作電極薄片9之後，與實驗例1一樣完成了雙極型靜電吸盤X。
〔實驗例1〕
評價了上述實施例1及實施例2所得到之雙極型靜電吸盤X的吸附力。首先，準備厚度0.75mm之矽晶圓以20mm×20mm的尺寸作為實驗用矽晶圓，於設置在800mTorr之真空下之實施例1及實施例2所得到之靜電吸盤X的試料吸附面7中央，放置此晶圓。然後在第1電極層3與第2電極層5之間施加電位差3000V的電壓，吸附上述實驗用矽晶圓，在室溫下以0.5mm/分鐘的速度於垂直方向剝除此實驗用矽晶圓時，以測力器(Load Cell)測定其剝除強度。吸附實驗用晶圓之時間為1分鐘。又，針對長20mm×寬20mm×厚度0.7mm之實驗用玻璃基板(介電率5.5)也進行相同測定，將各結果表示於第1表。
〔實驗例2〕
將上述實施例2所得到之靜電吸盤X實際使用於離子佈植裝置時，評價基板溫度。於混合掃描式離子佈植裝置設置實施例2所得到之靜電吸盤X，在第1電極層3與第2電極層5之間施加電位差3000V的電壓，於此靜電吸盤X之試料吸附面7吸附直徑200mm的矽晶圓8。然後，於鋁基盤1之水冷管中，以2公升/分鐘之比例流入冷卻水，並以450W之離子束電力，11 5 ions/cn的離子佈植量來對矽晶圓8進行離子佈植。此時於矽晶圓8之中心，以及直徑110mm之圓周上的四點，總計於五個場所安裝熱標籤來測定各位置的溫度。結果五個場所之平均溫度為90℃。作為參考，除了沒有設置矽膠所構成之柔軟層以外，於與實施例2完全相同製造之靜電吸盤X吸附了矽晶圓吸附了矽晶圓，然後以與上述相同之條件進行離子佈植，測定此時的矽晶圓溫度之後，得知與上述一樣五個場所之平均為120℃以上。
設置於上述實施例1極2之靜電吸盤X的柔軟層，前提是為矽膠(硬度為楊格率0.01GPa)，且當吸附力為50gf/cm2 時，寬度10mm之假想壓接子會下沉0.1μm以上(最大0.3μm)。在此，第15圖中，係將實施例2之靜電吸盤設置於上述離子佈植裝置，並吸附8吋矽晶圓，以與此實驗例2相同之條件作離子佈植時，以計算來求出晶圓與試料吸附面7之密合度和晶圓溫度的關係。在此，橫軸之1表示晶圓整面完全密合於試料吸附面7的狀態，0.01則表示晶圓之平面範圍中有1%接觸試料吸附面7的狀態。藉此，從上述實驗例2所得到之結果，可想到實驗例2之靜電吸盤X中，試料吸附面7與晶圓的密合度在10%左右。
X．．．雙極型靜電吸盤
1．．．金屬基盤
2．．．第1絕緣層
3．．．第1電極層
4．．．電極間絕緣層
5．．．第2電極層(圖案電極)
5a．．．開口部
5b．．．導電部
5c．．．圓孔
6．．．第2絕緣層
7．．．試料吸附面
8．．．基板
9．．．電極薄片
〔第1圖〕第1圖，係在特定平面範圍內配置複數圓孔，形成為具有網狀導電部之圖案電極(第2電極層)的部分放大圖〔第2圖〕第2圖，係在特定平面範圍內配置複數個一端開放之矩形開口部，形成為具有梳齒狀導電部之圖案電極(第2電極層)的部分放大圖〔第3圖〕第3圖，係本發明靜電吸盤之立體分解說明圖〔第4圖〕第4圖，係第3圖所示之靜電吸盤之A－A`剖面說明圖(部分)〔第5圖〕第5圖，係針對具有梳齒狀導電部之圖案電極，表示鄰接之開口部之最短距離X，和將此圖案電極用於靜電吸盤時之吸附力之關係的圖表(固定電極間絕緣層的膜厚)〔第6圖〕第6圖，係針對具有梳齒狀導電部之圖案電極，表示鄰接之開口部之最短距離X，和將此圖案電極用於靜電吸盤時之吸附力之關係的圖表(固定第2絕緣層的膜厚)〔第7圖〕第7圖，係針對具有網狀導電部之圖案電極，表示鄰接之開口部之最短距離X，和將此圖案電極用於靜電吸盤時之吸附力之關係的圖表(固定電極間絕緣層的膜厚)〔第8圖〕第8圖，係針對具有網狀導電部之圖案電極，表示鄰接之開口部之最短距離X，和將此圖案電極用於靜電吸盤時之吸附力之關係的圖表(固定第2絕緣層的膜厚)〔第9圖〕第9圖(1)~(3)，係針對本發明之計算例3，表示具有梳齒狀導電部之圖案電極，改變其開口部5a之最短距離X和開口部5a之寬度d的情況〔第10圖〕第10圖，係針對計算例3中具有梳齒狀導電部之圖案電極，表示L/X與吸附力之關係的計算結果(Z＝1mm的情況)〔第11圖〕第11圖，係針對計算例3中具有梳齒狀導電部之圖案電極，表示L/X與吸附力之關係的計算結果(Z＝0.5mm的情況)〔第12圖〕第12圖，係針對計算例3，表示作用於玻璃基板之電位等高線(40V)之分布的情況(相當於第3圖所示之靜電吸盤的A－A`剖面說明圖)。第12圖(1)係Z＝1mm，開口部5a寬度d＝0.75mm，以及L/X＝2.5的情況；第12圖(2)係Z＝1mm，開口部5a寬度d＝0.25，以及L/X＝1.2的情況〔第13圖〕第13圖(1)~(3)，係針對本發明之計算例4，表示具有網狀導電部之圖案電極，改變其開口部5a之最短距離X和開口部5a之寬度d的情況〔第14圖〕第14圖，係針對計算例4，表示作用於玻璃基板之電位等高線(40V)之分布的情況(相當於第3圖所示之靜電吸盤的A－A`剖面說明圖)。第14圖(1)係Z＝1.5mm，圓孔5c直徑d＝0.75mm，以及L/X＝1.5的情況；第14圖(2)係Z＝1.5mm，開口部5a寬度d＝0.25，以及L/X＝1.1的情況〔第15圖〕第15圖，係表示實施例2之靜電吸盤中，基板(晶圓)對試料吸附面之密合度與基板溫度的關係
X．．．雙極型靜電吸盤
1．．．金屬基盤
2．．．第1絕緣層
3．．．第1電極層
4．．．電極間絕緣層
5．．．第2電極層(圖案電極)
6．．．第2絕緣層
7．．．試料吸附面
8．．．基板
9．．．電極薄片

Claims (11)

  1. 一種靜電吸盤，係在金屬基盤上，具有從靠近此金屬基盤開始依序層積第1絕緣層，第1電極層，電極間絕緣層，第2電極層，以及第2絕緣層的層積構造，其特徵係：上述第2電極層，係由以下圖案電極所構成：在特定平面範圍內具有複數之圓孔所成開口部；且互相鄰接之上述開口部之最短距離X，和將平行於此最短距離X之直線作為假想直線，將此等鄰接之開口部之重心對此假想直線分別投影時，以該垂線腳所得到的線段長度L，係具有L/X≧1.5的關係；同時L<2.6mm。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之靜電吸盤，其中，互相鄰接之開口部之最短距離X為0.2mm以上，不足1.6mm。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之靜電吸盤，其中，在包含開口部之最短距離X的直線上，最少座落有此等鄰接之開口部的重心。
  4. 如申請專利範圍第1項~第3項之任一項所記載之靜電吸盤，其中，第2電極層係由複數配置圓孔所構成之開口部，而形成為具有網狀導電部的圖案電極所構成；著眼於上述圓孔中之一個，則鄰接於此圓孔之6個圓孔的中心，係位於正六角形的頂點。
  5. 如申請專利範圍第1項~第4項之任一項所記載之靜電吸盤，其中，第2電極層係以離子鍍法形成為膜厚 0.1~5μm的圖案電極所構成。
  6. 如申請專利範圍第1項~第5項之任一項所記載之靜電吸盤，其中，在金屬基盤與第1絕緣層之間，存在有膜厚500~1000μm之矽膠所構成的柔軟層。
  7. 一種靜電吸盤用之電極薄片，係具有依序層積了第1絕緣層，第1電極層，電極間絕緣層，第2電極層，以及第2絕緣層的層積構造，其特徵係：上述第2電極層，係由以下圖案電極所構成：在特定平面範圍內具有複數之圓孔所成開口部；且互相鄰接之上述開口部之最短距離X，和將平行於此最短距離X之直線作為假想直線，將此等鄰接之開口部之重心對此假想直線分別投影時，以該垂線腳所得到的線段長度L，係具有L/X≧1.5的關係；同時L<2.6mm。
  8. 如申請專利範圍第7項所記載之靜電吸盤用之電極薄片，其中，互相鄰接之開口部之最短距離X為0.2mm以上，不足1.6mm。
  9. 如申請專利範圍第7項或第8項所記載之靜電吸盤用之電極薄片，其，在包含開口部之最短距離X的直線上，最少座落有此等鄰接之開口部的重心。
  10. 如申請專利範圍第7項~第9項之任一項所記載之靜電吸盤用之電極薄片，其中，第2電極層係由複數配置圓孔開口部，而形成為具有網狀導電部的圖案電極所構成；著眼於上述開口部中之一個，則鄰接於此開口部之6個開口部的中心，係位於正六角形的頂點。
  11. 如申請專利範圍第7項~第10項之任一項所記載之靜電吸盤用之電極薄片，其中，第2電極層係以離子鍍法形成為膜厚0.1~5μm的圖案電極所構成。
TW095125093A 2005-07-08 2006-07-07 Electrostatic cups and electrostatic chuck with the electrode sheet TWI431707B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005200739 2005-07-08
JP2005357641 2005-12-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200715447A TW200715447A (en) 2007-04-16
TWI431707B true TWI431707B (zh) 2014-03-21

Family

ID=37637067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095125093A TWI431707B (zh) 2005-07-08 2006-07-07 Electrostatic cups and electrostatic chuck with the electrode sheet

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8158238B2 (zh)
EP (1) EP1909308B1 (zh)
JP (1) JP4928454B2 (zh)
KR (1) KR100976320B1 (zh)
CN (1) CN101218668B (zh)
HK (1) HK1119294A1 (zh)
TW (1) TWI431707B (zh)
WO (1) WO2007007674A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4766156B2 (ja) * 2009-06-11 2011-09-07 日新イオン機器株式会社 イオン注入装置
EP2637741B1 (en) 2010-11-11 2016-02-03 Koninklijke Philips N.V. Carrying case for defibrillator with integrated button tester
EP2686736B1 (en) * 2011-03-17 2014-12-17 ASML Netherlands BV Electrostatic clamp, lithographic apparatus, and device manufacturing method
JP5583877B1 (ja) * 2012-11-06 2014-09-03 日本碍子株式会社 サセプタ
TWI540944B (zh) * 2014-07-14 2016-07-01 啟碁科技股份有限公司 基板結構的製造方法、基板結構以及金屬構件
JP6334338B2 (ja) * 2014-09-09 2018-05-30 京セラ株式会社 試料保持具
US10355624B2 (en) * 2014-10-09 2019-07-16 Carnegie Mellon University Electrostatic clutch
KR102311586B1 (ko) * 2014-12-26 2021-10-12 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 장치 내 기판 정렬 방법
DE102016206193A1 (de) 2016-04-13 2017-10-19 Trumpf Gmbh + Co. Kg Elektroadhäsionsgreifer mit fraktalen Elektroden
US20180138831A1 (en) * 2016-11-17 2018-05-17 Immersion Corporation Control of Contact Conditions For Static ESF
KR102644838B1 (ko) * 2018-10-23 2024-03-11 삼성디스플레이 주식회사 정전척 및 그를 구비하는 정전흡착장치
WO2022221050A1 (en) * 2021-04-16 2022-10-20 Black & Decker Inc. Electrostatic clutch for power tool

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5838529A (en) 1995-12-22 1998-11-17 Lam Research Corporation Low voltage electrostatic clamp for substrates such as dielectric substrates
JP3527823B2 (ja) 1997-01-31 2004-05-17 京セラ株式会社 静電チャック
JP3979792B2 (ja) * 2000-05-25 2007-09-19 株式会社巴川製紙所 静電チャック装置用接着シート及び静電チャック装置
TW492135B (en) 2000-05-25 2002-06-21 Tomoegawa Paper Co Ltd Adhesive sheets for static electricity chuck device, and static electricity chuck device
JP2002026113A (ja) * 2000-07-10 2002-01-25 Toshiba Corp ホットプレート及び半導体装置の製造方法
JP4567249B2 (ja) * 2001-09-04 2010-10-20 太平洋セメント株式会社 静電チャック
JP2003243493A (ja) 2002-02-15 2003-08-29 Taiheiyo Cement Corp 双極型静電チャック
JP4010541B2 (ja) 2002-06-18 2007-11-21 キヤノンアネルバ株式会社 静電吸着装置
JP3965469B2 (ja) * 2002-10-30 2007-08-29 京セラ株式会社 静電チャック
US7430104B2 (en) * 2003-03-11 2008-09-30 Appiled Materials, Inc. Electrostatic chuck for wafer metrology and inspection equipment
JP4057977B2 (ja) * 2003-08-08 2008-03-05 株式会社巴川製紙所 静電チャック装置用電極シート、静電チャック装置および吸着方法
CN100470755C (zh) * 2004-03-19 2009-03-18 创意科技股份有限公司 双极型静电吸盘
US20070223173A1 (en) 2004-03-19 2007-09-27 Hiroshi Fujisawa Bipolar Electrostatic Chuck
CN101326627B (zh) * 2005-12-06 2010-06-09 创意科技股份有限公司 静电卡盘用电极片以及静电卡盘

Also Published As

Publication number Publication date
KR100976320B1 (ko) 2010-08-16
JPWO2007007674A1 (ja) 2009-01-29
CN101218668A (zh) 2008-07-09
CN101218668B (zh) 2010-11-03
JP4928454B2 (ja) 2012-05-09
EP1909308B1 (en) 2013-02-27
EP1909308A4 (en) 2010-11-10
HK1119294A1 (en) 2009-02-27
US20090041980A1 (en) 2009-02-12
US8158238B2 (en) 2012-04-17
WO2007007674A1 (ja) 2007-01-18
TW200715447A (en) 2007-04-16
KR20080038333A (ko) 2008-05-06
EP1909308A1 (en) 2008-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI431707B (zh) Electrostatic cups and electrostatic chuck with the electrode sheet
JP4825220B2 (ja) 静電チャック用電極シート及び静電チャック
JP4684222B2 (ja) 双極型静電チャック
JP5458323B2 (ja) 静電チャック及びその製造方法
TWI293992B (en) Elastomer bonding of large area sputtering target
KR101800337B1 (ko) 정전 척 장치
TW201021150A (en) Bipolar electrostatic chuck
KR101429593B1 (ko) 교류구동 정전 척
JP6686879B2 (ja) 静電チャック装置
EP2024108B1 (en) Cleaning of electrostatic chucks using ultrasonic agitation and applied electric fields
JP2008147430A (ja) 静電吸着方法
WO2012026421A1 (ja) 静電チャック装置及びその製造方法
TW578232B (en) Dry etch electrode and corrosion prevention method
JP2003133400A (ja) 吸着装置、真空処理装置及び吸着装置の製造方法
JP2003045951A (ja) 吸着装置
KR20040026790A (ko) 박판형 대기압 플라즈마 전극
JP2004155814A (ja) 導電性微粒子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees