KR100716085B1 - 탄성 표면파 장치 - Google Patents

탄성 표면파 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100716085B1
KR100716085B1 KR1020050079789A KR20050079789A KR100716085B1 KR 100716085 B1 KR100716085 B1 KR 100716085B1 KR 1020050079789 A KR1020050079789 A KR 1020050079789A KR 20050079789 A KR20050079789 A KR 20050079789A KR 100716085 B1 KR100716085 B1 KR 100716085B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
filter
acoustic wave
surface acoustic
mode
wave device
Prior art date
Application number
KR1020050079789A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060050788A (ko
Inventor
도시오 니시자와
도시히꼬 무라따
세이이찌 미또베
Original Assignee
후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 filed Critical 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤
Publication of KR20060050788A publication Critical patent/KR20060050788A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100716085B1 publication Critical patent/KR100716085B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0033—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only
    • H03H9/0038—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only the balanced terminals being on the same side of the track
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0047—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks
    • H03H9/0052—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded
    • H03H9/0057—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded the balanced terminals being on the same side of the tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
    • H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
    • H03H9/6469—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

본 발명은, 외부로부터의 누설 신호가 존재하고 있어도 양호한 필터 특성을 갖는 다중 모드형 SAW 필터를 포함하는 탄성 표면파 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이를 위해, 소정 임피던스(Fs, 예를 들면 50Ω)의 탄성 표면파 장치로서, 직렬로 접속된 복수의 다중 모드형 필터(10C, 10D)를 가지며, 상기 복수의 다중 모드형 필터의 합성 임피던스(F1+F2)가 상기 소정 임피던스를 형성한다. 복수의 다중 모드형 필터의 합성 임피던스가 상기 소정 임피던스를 형성하도록 구성되어 있기 때문에, 복수의 다중 모드형 필터의 개구 길이는 동일한 임피던스를 갖는 단일의 다중 모드형 필터의 개구 길이보다도 커진다. 따라서, 직렬로 접속된 복수의 다중 모드형 필터의 단위 면적당 여진 강도가 작아지기 때문에, 외부로부터의 누설 신호의 영향을 억제할 수 있어서, 양호한 필터 특성을 실현할 수 있다.
다중 모드형 SAW 필터, IDT, 빗형 전극, 반사 전극, 압전 기판

Description

탄성 표면파 장치{SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE}
도 1의 (a)는 다중 모드형 SAW 필터의 단체 타입을 나타내며, 도 1의 (b)는 단체 타입을 2개 캐스케이드 접속한 종래의 구성을 도시하는 도면.
도 2는 도 1의 (b)에 도시하는 캐스케이드 접속 구성을 3개 병렬로 접속한 종래의 다중 모드형 SAW 필터를 도시하는 도면.
도 3의 (a)는 다중 모드형 SAW 필터의 사용예를 나타내고, 도 3의 (b)는 그 문제점을 나타내는 그래프.
도 4의 (a)는 다중 모드형 필터의 단체 타입을 나타내고, 도 4의 (b)는 본 발명의 제1 실시예에 따른 다중 모드형 SAW 필터를 도시하는 도면.
도 5는 도 4의 (b)에 도시하는 다중 모드형 SAW 필터와, 종래의 다중 모드형 필터의 혼변조 레벨을 비교한 그래프.
도 6은 도 4의 (b)에 도시하는 구성의 변형예를 나타내는 도면.
도 7은 도 6의 구성으로 얻어지는 통과 대역 내에 스퓨리어스가 나타날 가능성을 설명하기 위한 그래프.
도 8의 (a)는 도 7에 나타나는 스퓨리어스를 억제하는 구성의 원리를 도시하는 도면이며, 도 8의 (b)는 그 효과를 나타내는 그래프.
도 9의 (a)는 제1 실시예의 구성을 도시하고, 도 9의 (b)는 제2 실시예에 따 른 다중 모드형 SAW 필터를 도시하는 도면.
도 10의 (a)는 제2 실시예의 구성을 도시하고, 도 10의 (b)는 제3 실시예에 따른 다중 모드형 SAW 필터를 도시하는 도면.
도 11의 (a)는 제3 실시예의 구성을 도시하고, 도 11의 (b)는 제4 실시예에 따른 다중 모드형 SAW 필터를 도시하는 도면.
도 12는 제5 실시예에 따른 다중 모드형 SAW 필터를 도시하는 도면.
도 13은 제5 실시예의 변형예를 나타내는 도면.
도 14는 제5 실시예의 다른 변형예를 나타내는 도면.
도 15는 제5 실시예의 필터 특성을 나타내는 도면.
도 16의 (a)는 제6 실시예에 따른 밸런스형 다중 모드형 SAW 필터의 단체 타입을 나타내며, 도 16의 (b)는 제6 실시예에 따른 밸런스형 다중 모드형 SAW 필터의 캐스케이드 접속 타입을 나타내는 도면.
도 17은 제7 실시예에 따른 듀플렉서를 도시하는 도면.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
10A∼10K : 다중 모드형 SAW 필터
12A, 12B, 14A, 14B, 16A, 16B, 16C : IDT
12a, 12b : 빗형 전극
18A, 18B, 20A, 20B : 반사 전극
22, 24, 26 : 배선 패턴
100 : 압전 기판
F1, F2 : 임피던스
T1, T2, T3 : 단자
[특허 문헌 1] 일본 특개 제2004-194269호 공보
본 발명은 탄성 표면파 장치에 관한 것으로, 특히 다중 모드형 탄성 표면파 장치에 관한 것이다.
최근, 휴대 전화 등의 무선 장치의 고주파 회로에는 탄성 표면파 장치로 형성된 필터가 사용되고 있다. 탄성 표면파 장치로 형성되는 필터(이하, SAW 필터라 함 : SAW는 Surface Acoustic Wave의 약자), 송신 필터나 수신 필터 등의 다른, 송신 필터와 수신 필터가 1개의 패키지 내에 설치된 듀플렉서로서 이용된다. SAW 필터에는 몇가지 타입이 알려져 있으며, 예를 들면 SAW 공진기를 래더형으로 접속한 것이나, 다중 모드형 SAW 필터 등이 있다. 일반적으로, 래더형의 SAW 필터는 송신 필터로서 이용되며, 다중 모드형 SAW 필터는 수신 필터로서 이용된다.
다중 모드형 SAW 필터의 기본 구성은, 예를 들면 특허 문헌 1에 기재된 바와 같이, 압전 기판 상에 형성된 1조의 반사 전극과, 반사 전극의 사이에 입출력의 인터디지털 트랜스듀서(IDT)를 갖는다. 입력용 IDT에 구동 전압을 인가하면, 반사 전극 간에 여진된 탄성 표면파가 전파되어, 반사 전극 간에 복수의 정상파가 발생 한다. 이 정상파에 따른 전압이 출력 IDT에 나타난다. 이러한 다중 모드형 SAW 필터는 대역 통과 필터로서 기능한다.
도 1의 (a)는 다중 모드형 SAW 필터의 단체 타입(기본 구성)을 나타내며, 도 1의 (b)는 단체 타입을 캐스케이드 접속(세로 접속)한 캐스케이드 타입을 나타낸다. 도 1의 (a)에 나타내는 단체 타입의 다중 모드형 SAW 필터(10)는, 입력 IDT(12), 그 양측에 위치하는 출력 IDT(14, 16), 및 SAW 전파 방향에서 출력 IDT(14, 16)의 외측에 위치하는 반사 전극(18, 20)을 갖는다. 입력 IDT(12), 출력 IDT(14, 16)는 각각, 전극 핑거가 인터 디지털로 배치된 1쌍의 빗형 전극을 갖는다. 입력 IDT(12), 출력 IDT(14, 16), 반사 전극(18, 20)은 LN(리튬 나이오베이트)이나 LT(리튬 탄탈레이트) 등의 압전 기판 상에 형성된 금속 패턴이다. 단체 타입의 임피던스 Fs는, 접속되는 전송 선로의 특성 임피던스(예를 들면, 50Ω)와 동일해지도록 설계된다. 도 1의 (b)에 나타내는 캐스케이드 접속 타입은, 2개의 다중 모드형 SAW 필터(10A 및 10B)를 캐스케이드 접속한 구성이다. 즉, 다중 모드형 SAW 필터(10A)의 2개의 출력 IDT와 다중 모드형 SAW 필터(10B)의 2개의 입력 IDT를 신호선(22, 24)에 의해 접속함과 함께, 다중 모드형 SAW 필터(10A)의 입력 IDT의 한쪽 빗형 전극(12a)과, 다중 모드형 SAW 필터(10B)의 출력 IDT의 한쪽 빗형 전극(12b)을 접지한다. 빗형 전극(12a와 12b)은 접지되어 있기 때문에, 이들 간의 신호의 전송은 없다. 다중 모드형 SAW 필터(10A)의 임피던스 Fi와 다중 모드형 SAW 필터(10B)의 임피던스 Fo는 모두, 접속되는 전송 선로의 특성 임피던스와 동일하며, 예를 들면 50Ω이다(Fs=Fi=Fo=50Ω).
도 2는, 도 1의 (b)에 도시하는 캐스케이드 접속 타입의 다중 모드형 SAW 필터를 3개 병렬로 접속한 구성이다.
도 1의 (a)나 도 1의 (b)의 다중 모드형 SAW 필터는, 예를 들면 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이 이용된다. 송신 필터 Tx와 수신 필터 Rx가 안테나 Ant에 접속되어 있다. 수신 필터 Rx는 다중 모드형 SAW 필터로 형성되어 있다. 송신 신호는 송신 필터 Tx를 통해 안테나 Ant로 출력되며, 안테나 Ant에서 수신한 수신 신호는 수신 필터 Rx를 통해 다음단의 회로에 출력된다.
그러나, 도 3의 (a)의 구성에서, 송신 신호를 출력하고 있는 상태에서 방해파(원하는 수신 주파수 대역 내의 주파수 성분)를 수신하면, 방해파와 함께 송신 신호의 누설 신호가 수신 필터 Rx를 구성하는 다중 모드형 SAW 필터를 여진하는 것을 알 수 있다. 도 3의 (b)에 이 문제점을 나타낸다. 도 3의 (b)에서, 횡축은 주파수, 종축은 수신 필터 Rx의 출력 전력을 나타낸다. 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 송신 신호가 존재하지 않는 경우에는 방해파 성분만이 수신 필터 Rx의 출력에 나타나는 데 대하여, 송신 신호의 누설 성분이 존재하면, 방해파 피크의 양측에 누설 신호에 기인한 전력이 수신 필터 Rx의 출력 포트에 나타난다. 이 전력에 의해 혼변조 레벨이 증가하며, 예를 들면 휴대 전화로서의 규격인 싱글 톤 방해 감도(Single Tone Defense : STD)가 열화된다. 이 문제점은, 송신 필터 Tx와 수신 필터 Rx가 각각 별개의 압전 기판을 이용하여 구성되어 있는 경우뿐만 아니라, 단일의 압전 기판을 이용하여 형성된 경우에도 발생한다.
본 발명은, 이상과 같은 문제를 고려하여 이루어진 것으로, 외부로부터의 누설 신호가 존재하고 있어도 양호한 필터 특성을 갖는 다중 모드형 SAW 필터를 포함하는 탄성 표면파 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 소정 임피던스의 탄성 표면파 장치로서, 직렬로 접속된 복수의 다중 모드형 필터를 가지며, 상기 복수의 다중 모드형 필터의 합성 임피던스가 상기 소정 임피던스를 형성하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치이다. 복수의 다중 모드형 필터의 합성 임피던스가 상기 소정 임피던스를 형성하도록 구성되어 있기 때문에, 복수의 다중 모드형 필터의 개구 길이는 동일한 임피던스를 갖는 단일의 다중 모드형 필터의 개구 길이보다도 커진다. 따라서, 직렬로 접속된 복수의 다중 모드형 필터의 단위 면적당 여진 강도가 작아지기 때문에, 외부로부터의 누설 신호의 영향을 억제할 수 있어서, 양호한 필터 특성을 실현할 수 있다.
상기 소정 임피던스는, 상기 탄성 표면파 장치가 접속되는 전송 선로의 특성 임피던스와 동일한 구성으로 할 수 있다.
상기 복수의 다중 모드형 필터는 각각 복수의 인터디지털 트랜스듀서(IDT)를 가지며, 상기 복수의 다중 모드형 필터의 대응하는 IDT끼리가 직렬로 접속되어 있는 구성으로 할 수 있다.
상기 복수의 다중 모드형 필터는 각각 복수의 인터디지털 트랜스듀서(IDT)를 가지며, 상기 복수의 다중 모드형 필터의 대응하는 IDT끼리는 공통의 버스에 의해 직렬로 접속되어 있으며, 상기 버스 바의 단부는 테이퍼 형상으로 형성되어 있는 구성으로 할 수 있다.
상기 복수의 다중 모드형 필터는 각각 복수의 인터디지털 트랜스듀서(IDT)를 가지며, 상기 복수의 다중 모드형 필터의 대응하는 IDT끼리는 배선 패턴으로 직렬로 접속되고, 인접하는 배선 패턴으로부터 각각 연장되는 전극 핑거 간에, 상기 인접하는 배선 패턴의 전위와는 상이한 전위를 갖는 전극 핑거가 적어도 1개 존재하는 구성으로 할 수 있다.
상기 복수의 다중 모드형 필터는 각각, 상이한 정전 용량을 갖는 구성으로 할 수 있다.
상기 복수의 다중 모드형 필터는 각각, 상이한 개구 길이를 갖는 구성으로 할 수 있다.
상기 복수의 다중 모드형 필터는, 상기 탄성 표면파 장치의 입력 단자가 접속되는 제1 다중 모드형 필터와, 상기 탄성 표면파 장치의 출력 단자가 접속되는 제2 다중 모드형 필터를 포함하는 구성으로 할 수 있다.
상기 복수의 다중 모드형 필터는, 상기 탄성 표면파 장치의 입력 단자 및 출력 단자가 접속되는 제1 다중 모드형 필터를 포함하는 구성으로 할 수 있다.
상기 탄성 표면파 장치를 복수 병렬로 접속할 수도 있다.
상기 탄성 표면파 장치는, 상기 복수의 다중 모드형 필터 중의 출력측에 배치되는 다중 모드형 필터에 캐스케이드 접속되는 별도의 다중 모드형 필터를 갖는 구성으로 할 수 있다.
상기 탄성 표면파 장치를 복수 병렬로 접속함과 함께, 이들 탄성 표면파 장 치 중의 출력측에 배치되는 다중 모드형 필터에 각각 캐스케이드 접속되는 별도의 복수의 다중 모드형 필터를 갖는 구성으로 할 수 있다.
상기 탄성 표면파 장치는 밸런스 입력 또는 밸런스 출력을 갖는 구성으로 할 수 있다.
상기 탄성 표면파 장치는, 상기 복수의 다중 모드형 필터가 형성되는 단일의 압전 기판을 갖는 구성으로 할 수 있다.
송신 신호와 수신 신호 중 어느 한쪽이 공급되는 제1 필터와, 다른쪽이 공급되는 제2 필터를 가지며, 상기 제1 필터는 본 발명의 제1 양태 내지 제13 양태 중 어느 한 항의 탄성 표면파 장치로 구성되며, 상기 제2 필터는 별도의 탄성 표면파 장치로 구성되도록 하여도 된다. 이 경우, 상기 제1 필터와 상기 제2 필터는 동일한 압전 기판 상에 형성되어 있는 구성으로 하는 것이 가능하다.
〈실시예〉
이하, 본 발명을 적합하게 실시한 형태에 대하여 도면을 이용하여 상세하게 설명한다.
[제1 실시예]
도 4의 (b)는 제1 실시예에 따른 다중 모드형 SAW 필터를 도시하는 도면이다. 도 4의 (a)는, 제1 실시예와의 차이를 명확하게 하기 위해 도시된 전술한 단체 타입의 다중 모드형 SAW 필터를 나타낸다. 도 4의 (b)에 도시하는 다중 모드형 SAW 필터는, 압전 기판(100) 상에 형성된 2개의 다중 모드형 SAW 필터(10C 및 10D)가 직렬로 접속된 구성을 갖는다(이하, 각각 제1 필터(10C), 제2 필터(10D)라 함). 제1 필터(10C)는 1조의 반사 전극(18A, 20A)과 이들 사이에 설치된 입출력용 IDT(12A, 14A 및 16A)를 갖는다. 마찬가지로, 제2 필터(10D)는 1조의 반사 전극(18B, 20B)과 이들 사이에 설치된 입출력용 IDT(12B, 14B 및 16B)를 갖는다.
제1 필터(10C)와 제2 필터(10D)를 직렬로 접속하기 위해, 배선 패턴(22, 24, 26)이 도시한 바와 같이 형성되어 있다. 배선 패턴(22 및 24)은, 제1 필터(10C)의 출력 IDT와 제2 필터(10D)의 입력 IDT를 접속한다. 배선 패턴(26)은, 제1 필터(10C)의 입력 IDT와 제2 필터(10D)의 입력 IDT를 접속한다. 즉, 제1 필터(10C)와 제2 필터(10D)의 대응하는 IDT끼리는 직렬로 접속되어 있다. 동작 상태에서는, 배선 패턴(26)의 전위, 즉 빗형 전극(12a, 12b)의 전위는, 입력 단자 T1에 공급되는 구동 전압과 그라운드 전위의 중간 전위로 된다. 제1 필터(10C)의 입력 IDT는, 구동 전압과 중간 전위의 전위차에 의해 SAW를 여진한다. 제2 필터(10D)의 입력 IDT는, 중간 전위와 그라운드 전위의 전위차에 의해 SAW를 여진한다. 도 1의 (b)의 구성과는 달리, 빗형 전극(12a, 12b)은 그라운드 전위가 아니다. 출력 단자 T2와 T3에는 동일한 위상의 출력 신호가 나타난다.
제1 필터(10C)와 제2 필터(10D)를 직렬로 접속한 구성이기 때문에, 제1 필터(10C)의 임피던스 F1과 제2 필터(10D)의 임피던스 F2의 합성 임피던스가, 소정의 임피던스(예를 들면, 50Ω)로 되도록 설계할 필요가 있다. 소정의 임피던스는, 도 4의 (b)의 다중 모드형 필터가 접속되는 전송 선로의 특성 임피던스와 동일하다. 현재, 도 4의 (a)에 나타내는 단체 타입의 임피던스 Fs를 50Ω으로 하면, Fs=F1+F2=50Ω으로 된다. F1+F2가 Fs(=50Ω)와 동등해지도록 하기 위해, 제1 필터 (10C)의 개구 길이(전극 핑거의 교차 폭) AP1과 제2 필터(20D)의 개구 길이 AP2를, 단체 타입의 개구 길이 AP0보다도 크게 설정하고 있다. 이에 따라, 제1 필터(10C)의 IDT 면적 및 제2 필터(10D)의 IDT 면적은 모두, 단체 타입의 IDT 면적보다도 커진다. 도 4의 (b)의 예로서는 AP1=AP2(=2 AP0)이기 때문에, 제1 필터(10C)와 제2 필터(10D)의 IDT 면적은 동일하다. 견해를 바꾸면, 도 4의 (b)의 구성은 도 4의 (a)의 단체 타입을 2 분할한 구성이라고도 할 수 있다.
도 4의 (b)의 구성에 따르면, 복수단(도 4의 (b)에서는 2단)의 직렬 접속에 의해, IDT에 걸리는 전압이 분산되어, IDT 면적의 확대에 의해 단위 면적당 SAW의 여진 강도가 작아진다. 이 결과, 도 3의 (a)에 나타내는 측정에서 얻어진 도 5의 특성도에 도시한 바와 같이, 도 4의 (b)의 구성을 갖는 「발명품」의 특성은, 도 1의 (b)의 구성을 갖는 「종래품」의 특성보다도, 혼변조 레벨의 증가가 억제되어 있다.
도 4의 (b)의 구성에서는, 입력 단자 T1과 출력 단자 T2, T3은 전극 패턴을 사이에 끼우도록 배치되어 있다. 이것에 대하여, 도 6에 도시한 바와 같이, 입력 단자 T1과 출력 단자 T2, T3을 동일한 측에 설치하는 구성으로 할 수 있다. 도 6의 다중 모드형 SAW 필터는, 직렬로 접속된 2개의 다중 모드형 SAW 필터(10E)(제1 필터)와 SAW 필터(10F)(제2 필터)를 갖는다. 직렬 접속을 위해 설치된 배선 패턴(22, 24, 26)은 IDT의 버스 바를 겸하고 있다. 즉, 제1 필터(10E)와 제2 필터(10F)의 대응하는 IDT끼리는, 공통의 버스 바(22, 24, 26)로 직렬로 접속되어 있다. 입력 단자 T1과 출력 단자 T2, T3은 제1 필터(10E)의 3개의 IDT에 설치되어 있다. 제1 필터(10E)의 임피던스 F11과 제2 필터(10F)의 임피던스 F12의 합성 임피던스는, 도 6에 도시하는 다중 모드형 SAW 필터가 접속되는 전송 선로의 특성 임피던스와 동일하다(예를 들면, 50Ω). 출력용 IDT(14B 및 16B)는, 단자 T2와 T3의 신호가 동일한 위상(동일한 극성)으로 되도록 구성되어 있다. 즉, IDT(12B)에 인접하는 IDT(14B)의 전극 핑거는 버스 바(22)에 접속되어 있으며, 마찬가지로 IDT(12B)에 인접하는 IDT(16B)의 전극 핑거는 버스 바(24)에 접속되어 있다.
도 7은, 도 6에 도시하는 구성(AP1=AP2)의 주파수 특성을 나타내는 도면이다. 도면의 횡축은 주파수(MHz), 종축은 감쇠량(㏈)이다. 도 7에 도시한 바와 같이, 통과 대역의 저주파수측에 스퓨리어스가 나타나 있다. 이 스퓨리어스를 저감할 수 있는 구성을 구비한 다중 모드형 SAW 필터를, 제2 실시예로 하여 이하에 설명한다.
[제2 실시예]
제2 실시예에서는, 도 7에 나타나는 스퓨리어스를 저감하기 위해, 패턴 간 용량 C에 주목하고 있다. 도 8의 (a)에 도시한 바와 같이 패턴 간 용량 C는, 버스 바를 겸한 배선 패턴(22 및 26) 사이의 용량, 및 배선 패턴(24 및 26) 사이의 용량이다. 배선 패턴(22, 24 및 26)에 각각 접속되는 전극 핑거도 패턴 간 용량 C에 관여한다. 도 8의 (b)는, 패턴 간 용량 C의 값이 도 8의 (a)에 나타내는 다중 모드형 SAW 필터의 주파수 특성에 어떠한 영향을 미치는지를 실험한 결과를 나타낸다. 도 8의 (b)로부터 알 수 있는 바와 같이, 패턴 간 용량 C를 작게 하면, 스퓨리어스를 저감할 수 있는 것을 알 수 있다.
도 9의 (b)는, 패턴 간 용량 C를 감소시키는 구성을 구비한 다중 모드형 SAW 필터를 도시하는 도면이다. 도 9의 (a)는 제2 실시예와의 차이를 명확하게 하기 위해 도시된 전술한 제1 실시예에 따른 다중 모드형 SAW 필터를 나타낸다. 도 9의 (b)의 다중 모드형 SAW 필터는, 제1 필터(10E)와 제2 필터(10G)를 갖는다. 인접하는 배선 패턴인 버스 바(22, 24, 26)로부터 각각 연장되는 전극 핑거 간에, 인접하는 배선 패턴의 전위와는 상이한 전위를 갖는 전극 핑거를 적어도 1개 갖는 구성이다. 구체적으로 설명하면, 버스 바(22)의 끝으로부터 연장되는 전극 핑거 Ia1과, 버스 바(22)에 인접하는 버스 바(26)의 대향하는 끝으로부터 연장되는 전극 핑거 Ib1 사이에, 이들의 버스 바(22 및 26)와는 상이한 전위인 그라운드 전위를 갖는 전극 핑거 Ic1이 배치되어 있다. 버스 바(22 및 26)의 전위는, 그라운드 전위와 입력 단자 T1에 공급되는 구동 전압 사이의 중간 전위이다. 마찬가지로, 버스 바(24)의 끝으로부터 신장되는 전극 핑거 Ia2와, 버스 바(24)에 인접하는 버스 바(26)의 대향하는 끝으로부터 연장되는 전극 핑거 Ib2 사이에, 이들 버스 바(24, 26)와는 상이한 전위인 그라운드 전위를 갖는 전극 핑거 Ic2가 배치되어 있다. 도 9의 (b)의 구성에서는, 2개의 전극 핑거 Ic1과 2개의 전극 핑거 Ic2가 배치되어 있는데, 그라운드 전위 중 적어도 1개의 전극 핑거가 배치되어 있으면 된다. 이와 같이, 전극 핑거 Ia1과 Ib1의 사이 및 Ia2와 Ib2의 사이에 그라운드 전위가 형성되어 있기 때문에, 도 9의 (b)의 구성은 도 9의 (a)의 구성에 비해 작은 패턴 간 용량 C를 가지며, 이 결과 스퓨리어스를 저감할 수 있다. 또한, 도 9의 (b)의 구성에 있어서의 전극 핑거 Ia1과 Ib1 사이의 거리 d22는, 도 9의 (a)의 구성에서의 대 응하는 전극 핑거간의 거리 d21보다도 작다. 이에 따라, 패턴 간 용량 C를 더욱 감소시킬 수 있다. 또한, 제1 필터(10E)의 임피던스 F11과 제2 필터(10G)의 임피던스 F12의 합성 임피던스는, 전송 선로의 특성 임피던스(예를 들면, 50Ω)와 동일하다.
제2 실시예의 다중 모드형 SAW 필터에 따르면, 혼변조 레벨의 증가를 억제할 수 있음과 함께, 도 7의 (b)에서 나타낸 바와 같이 통과 대역의 스퓨리어스를 저감할 수 있다.
[제3 실시예]
도 10의 (b)는, 제3 실시예에 따른 다중 모드형 SAW 필터를 도시하는 도면이다. 도 10의 (a)는, 제3 실시예와의 차이를 명확하게 하기 위해 도시된 전술한 제2 실시예의 다중 모드형 SAW 필터를 나타낸다. 도 10의 (a)의 구성에서, 제1 필터(10E)의 인접하는 IDT로부터 각각 연장되는 전극 핑거의 대응하는 길이가 패턴 간 용량 C에 기여한다(예를 들면, 전극 핑거 Id1과 Ie1). 따라서, 도 10의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 필터(10E)의 전극 핑거의 길이를 짧게 함으로써, 패턴 간 용량 C를 감소시킬 수 있다. 도 10의 (b)의 구성에서, 제1 필터(10H)의 전극 핑거가 짧아짐에 따라, 제1 필터(10H)의 개구 길이 AP11은 도 10의 (a)에 도시하는 제1 필터(10E)의 개구 길이 AP1보다도 작다. 따라서, 제1 필터(10H)의 임피던스 F21은 도 10의 (a)에 도시하는 제1 필터(10E)의 임피던스 F11보다도 커진다. 제1 필터(10H)와 제2 필터(10I)의 합성 용량을 원하는 임피던스값(예를 들면, 50Ω)으로 하기 위해, 제2 필터(10I)의 개구 길이 AP12를 크게 한다. 개구 길이 AP12를 크게 하여도 도 9의 (b)의 제2 필터(10G)와 마찬가지로, 제2 필터(10I)는 버스 바(22, 24, 26)와는 상이한 전위(그라운드 전위)의 전극 핑거 Ic1, Ic2를 갖기 때문에, 패턴 간 용량 C가 증대되지 않는다.
제3 실시예의 다중 모드형 SAW 필터에 따르면, 혼변조 레벨의 증가를 억제할 수 있음과 함께, 통과 대역의 스퓨리어스를 한층 저감할 수 있다.
[제4 실시예]
도 11의 (b)는, 제4 실시예에 따른 다중 모드형 SAW 필터를 도시하는 도면이다. 도 11의 (a)는, 제4 실시예와의 차이를 명확하게 하기 위해 도시된 전술한 제3 실시예의 다중 모드형 SAW 필터를 나타낸다. 제4 실시예의 다중 모드형 SAW 필터는, 제1 필터(10J)와 제2 필터(10K)를 갖는다. 제1 필터(10J)와 제2 필터(10K)는, 이들을 직렬로 접속하기 위한 배선 패턴으로서도 기능하는 공통의 버스 바(22A, 24A 및 26A)를 갖는다. 버스 바(22A와 26A)의 인접하는 엣지 간의 거리(패턴 간 거리) d34, 및 버스 바(24A 및 26A)의 인접하는 엣지 간의 거리 d34는, 도 11의 (a)의 대응하는 거리 d33보다도 길다. d34의 거리를 길게 취하여 패턴 간 용량 C를 감소시키기 위해, 버스 바(22A, 24A 및 26A)의 엣지는 테이퍼 형상으로 형성되어 있다. 또한, 버스 바(22A, 24A 및 26A)의 폭 L34를 도 11의 (a)에 도시하는 버스 바(22, 24 및 26)의 폭 L33보다도 좁게 하여, 패턴 간 용량 C를 감소시키고 있다. 제1 필터(10J)의 임피던스 F31과 제2 필터(10K)의 임피던스 F32의 합성 임피던스는, 제4 실시예의 다중 모드형 SAW 필터가 접속되는 전송 선로의 특성 임피던스(예를 들면, 50Ω)와 동일하다. 또한, 도 11의 (b)에 도시하는 반사 전극 (18C 및 18D)은 공통의 버스 바를 가지며, 반사 전극(20C 및 20D)은 공통의 버스 바를 갖는 구성이다.
제4 실시예의 다중 모드형 SAW 필터에 따르면, 혼변조 레벨의 증가를 억제할 수 있음과 함께, 통과 대역의 스퓨리어스를 한층 더 저감할 수 있다.
[제5 실시예]
도 12는, 제5 실시예에 따른 다중 모드형 SAW 필터를 도시하는 도면이다. 제5 실시예는, 참조 번호 50A, 50B 및 50C로 나타낸 바와 같이, 도 11의 (b)에 도시하는 다중 모드형 SAW 필터를 3개 병렬로 접속함과 함께, 각 필터(50A, 50B 및 50C)에 각각 도 1의 (a)이나 도 4의 (a)에 나타내는 단체 타입의 다중 모드형 SAW 필터(52A, 52B 및 52C)를 캐스케이드 접속한 구성을 갖는다. 단자 T11, T12 및 T13은 입력 단자로서 기능하며, 단자 T21, T22 및 T23은 출력 단자로서 기능한다. 입력 단자 T11, T12 및 T13에 동일한 입력 신호를 부여하고, 출력 단자 T21, T22 및 T23으로부터 동일한 위상의 출력 신호가 얻어진다.
제5 실시예의 다중 모드형 SAW 필터에 따르면, 혼변조 레벨의 증가를 억제할 수 있음과 함께, 통과 대역의 스퓨리어스를 효과적으로 저감할 수 있어서, 내전력 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 13은 도 12의 변형예로서, 도 12에 도시하는 필터(50A, 50B 및 50C)만으로 이루어지는 다중 모드형 SAW 필터를 도시하는 도면이다. 각 필터(50A, 50B 및 50C)의 출력은 출력 단자 T24에 공통으로 접속되어 있다.
도 14는 도 12의 변형예이고, 도 12에 도시하는 필터(50A, 50B 및 50C)로 이 루어지는 필터와, 필터(50D, 50E 및 50F)로 이루어지는 필터를 캐스케이드 접속한 구성이다. 필터(50D, 50E 및 50F)는 각각 도 11의 (b)에 도시하는 구성이다.
여기서, 제5 실시예의 다중 모드형 SAW 필터의 주파수 특성을 도 15에 나타낸다. 횡축은 주파수(MHz), 종축은 감쇠량(㏈)이다. 참조 번호 60으로 나타내는 선은 일반적으로 구해지는 삽입 손실의 값인 -3㏈의 감쇠를 나타내며, 참조 번호 62로 나타내는 선은 일반적으로 구해지는 대역 외 감쇠량인 -50㏈의 감쇠를 나타낸다. 도 15로부터 알 수 있는 바와 같이, 제5 실시예의 다중 모드형 SAW 필터는 삽입 손실이 작으며, 또한 대역 외 감쇠량이 커서, 양호한 필터 특성을 갖는다.
[제6 실시예]
제6 실시예는, 밸런스 필터의 예이다. 도 16의 (a)는, 제6 실시예에 따른 밸런스형 다중 모드형 SAW 필터의 단체 타입을 나타낸다. 도 16의 (a)에서, 신호 B1과 B2는 밸런스 입력 또는 밸런스 출력을 나타내고 있다. 밸런스 필터를 실현하기 위해, IDT(14B)와 IDT(16C)와는 상이한 전극 구성이다. IDT(12B 및 14B)의 인접하는 전극 핑거는 각각 버스 바(26)와 버스 바(22)와 접속되어 있는 데 대하여, IDT(12B와 16C)의 인접하는 전극 핑거는 각각 버스 바(26)와 버스 바(28)와 접속되어 있다.
도 16의 (b)는, 제6 실시예에 따른 밸런스형 다중 모드형 SAW 필터의 캐스케이드 접속 타입을 나타낸다. 전술한 병렬 접속된 다중 모드형 SAW 필터(50A, 50B 및 50C)에 각각, 단체 타입의 다중 모드형 SAW 필터(52D, 52E 및 52F)가 캐스케이드 접속되어 있다. 각 필터(52D, 52E 및 52F)는 B1과 B2로 나타내는 밸런스 출력 또는 밸런스 입력을 갖는다.
이와 같이 밸런스형이어도, 다중 모드형 SAW 필터(50A, 50B 및 50C)가 전술한 구성, 작용 및 효과를 갖기 때문에, 혼변조 레벨의 증가를 억제할 수 있음과 함께, 통과 대역의 스퓨리어스를 한층 저감할 수 있다.
[제7 실시예]
도 17은, 제7 실시예에 따른 듀플렉서를 나타낸다. 듀플렉서는 도 3의 (a)에 도시하는 송신 필터 Tx와 수신 필터 Rx를 1개의 패키지에 설치한 탄성 표면파 장치이다. 송신 필터는 SAW 공진기를 래더형으로 접속한 구성이며, 수신 필터는 도 12의 (b)에 도시한 구성이다. 송신 필터 Tx와 수신 필터 Rx는 1개의 압전 기판(100) 상에 형성되어 있다. 송신 필터 Tx는, 래더 구성의 직렬 아암에 설치된 SAW 공진기 S1∼S6과, 병렬 아암에 설치된 SAW 공진기 P1, P2를 갖는다. 이 듀플렉서는, 수신 필터 Rx가 전술한 바와 같이 구성되어 있기 때문에, 송신 필터 Tx의 누설 신호가 수신 필터 Rx에 미치는 영향, 즉 혼변조 레벨의 증가를 억압할 수 있음과 함께, 수신 필터 Rx의 통과 대역의 스퓨리어스를 억제할 수 있다.
또한, 이 듀플렉서는 예를 들면, PCS 휴대 전화 등의 무선 장치에서, 송신 신호(1850㎒∼1910㎒)와 수신 신호(1930㎒∼1990㎒)를 분리하기 위해 이용할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예를 설명하였다. 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시예나 변형예를 포함하는 것이다.
외부로부터의 누설 신호가 존재하고 있어도 양호한 필터 특성을 갖는 다중 모드형 SAW 필터를 포함하는 탄성 표면파 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

Claims (16)

  1. 소정 임피던스의 탄성 표면파 장치로서,
    직렬로 접속된 복수의 다중 모드형 필터를 가지며,
    상기 복수의 다중 모드형 필터의 합성 임피던스가 상기 소정 임피던스를 형성하고,
    상기 복수의 다중 모드형 필터는 각각 복수의 인터디지털 트랜스듀서(IDT)를 가지며, 상기 복수의 다중 모드형 필터의 대응하는 IDT끼리가 직렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 소정 임피던스는, 상기 탄성 표면파 장치가 접속되는 전송 선로의 특성 임피던스와 동일한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 복수의 다중 모드형 필터의 대응하는 IDT끼리는 공통의 버스 바로 직렬로 접속되어 있고, 상기 버스 바의 단부는 테이퍼 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 복수의 다중 모드형 필터의 대응하는 IDT끼리는 배선 패턴으로 직렬로 접속되고, 인접하는 배선 패턴으로부터 각각 연장되는 전극 핑거 간에, 상기 인접하는 배선 패턴의 전위와는 상이한 전위를 갖는 전극 핑거가 적어도 1개 존재하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 복수의 다중 모드형 필터는 각각, 상이한 정전 용량을 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 복수의 다중 모드형 필터는 각각, 상이한 개구 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 복수의 다중 모드형 필터는, 상기 탄성 표면파 장치의 입력 단자가 접속되는 제1 다중 모드형 필터와, 상기 탄성 표면파 장치의 출력 단자가 접속되는 제2 다중 모드형 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 복수의 다중 모드형 필터는, 상기 탄성 표면파 장치의 입력 단자 및 출력 단자가 접속되는 제1 다중 모드형 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  10. 제1항 또는 제2항의 탄성 표면파 장치를 복수 병렬로 접속한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 탄성 표면파 장치는, 상기 복수의 다중 모드형 필터 중의 출력측에 배치되는 다중 모드형 필터에 캐스케이드 접속되는 별도의 다중 모드형 필터를 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  12. 제1항 또는 제2항의 탄성 표면파 장치를 복수 병렬로 접속함과 함께, 이들 탄성 표면파 장치 중의 출력측에 배치되는 다중 모드형 필터에 각각 캐스케이드 접속되는 별도의 복수의 다중 모드형 필터를 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 탄성 표면파 장치는 밸런스 입력 또는 밸런스 출력을 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  14. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 탄성 표면파 장치는, 상기 복수의 다중 모드형 필터가 형성되는 단일의 압전 기판을 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  15. 송신 신호와 수신 신호 중 어느 한쪽이 공급되는 제1 필터와, 다른쪽이 공급되는 제2 필터를 가지며, 상기 제1 필터는 제1항 또는 제2항의 상기 탄성 표면파 장치로 구성되며, 상기 제2 필터는 별도의 탄성 표면파 장치로 구성되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 필터와 상기 제2 필터는 동일한 압전 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
KR1020050079789A 2004-08-31 2005-08-30 탄성 표면파 장치 KR100716085B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2004-00252644 2004-08-31
JP2004252644A JP4303178B2 (ja) 2004-08-31 2004-08-31 弾性表面波装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060050788A KR20060050788A (ko) 2006-05-19
KR100716085B1 true KR100716085B1 (ko) 2007-05-09

Family

ID=35198069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050079789A KR100716085B1 (ko) 2004-08-31 2005-08-30 탄성 표면파 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7212086B2 (ko)
EP (1) EP1630956B1 (ko)
JP (1) JP4303178B2 (ko)
KR (1) KR100716085B1 (ko)
CN (1) CN100566155C (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4537254B2 (ja) * 2005-04-28 2010-09-01 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波フィルタおよび分波器
JP5068255B2 (ja) * 2006-05-08 2012-11-07 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ
JP4244057B2 (ja) 2006-08-30 2009-03-25 富士通メディアデバイス株式会社 バランスフィルタおよび分波器
JP4290199B2 (ja) * 2007-01-11 2009-07-01 富士通メディアデバイス株式会社 フィルタ
WO2009060594A1 (ja) * 2007-11-06 2009-05-14 Panasonic Corporation 弾性波共振器、弾性波フィルタおよびこれを用いたアンテナ共用器
JP5016467B2 (ja) 2007-12-14 2012-09-05 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタ
JP5158725B2 (ja) * 2008-04-25 2013-03-06 京セラ株式会社 弾性表面波装置およびそれを用いた通信装置
WO2010061925A1 (ja) * 2008-11-28 2010-06-03 京セラ株式会社 弾性表面波フィルタおよびデュプレクサ
DE102010005306B4 (de) 2010-01-21 2015-06-18 Epcos Ag DMS Filter mit verbesserter Signalunterdrückung
JP5679558B2 (ja) 2011-01-19 2015-03-04 太陽誘電株式会社 分波器
JP5823581B2 (ja) * 2014-07-28 2015-11-25 太陽誘電株式会社 分波器
US10097158B2 (en) * 2014-10-16 2018-10-09 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device, filter, and duplexer
DE102016106185A1 (de) * 2016-04-05 2017-10-05 Snaptrack, Inc. Breitbandiges SAW-Filter
CN108631746B (zh) * 2018-04-12 2021-10-29 无锡市好达电子股份有限公司 一种声表面波滤波器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06204781A (ja) * 1993-01-05 1994-07-22 Murata Mfg Co Ltd 多電極形弾性表面波装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57119509A (en) * 1981-01-19 1982-07-26 Toshiba Corp Surface acoustic wave resonator
GB2117992B (en) * 1982-03-24 1985-09-18 Philips Electronic Associated Parallel-series acoustic wave device arrangement
US4814658A (en) * 1986-11-10 1989-03-21 Northern Telecom Limited SAW device with continuous finger pattern
JPS6423612A (en) * 1987-07-20 1989-01-26 Hitachi Ltd Elastic surface wave device
JPH066111A (ja) * 1992-06-18 1994-01-14 Mitsubishi Electric Corp 複合デュプレックスフィルタ
EP0782255B1 (en) * 1995-12-28 2002-03-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Longitudinal coupling type surface acoustic wave resonator filter
KR100213372B1 (ko) * 1996-05-10 1999-08-02 이형도 모노리틱 쏘 듀플렉서
JP3292071B2 (ja) * 1996-12-09 2002-06-17 松下電器産業株式会社 弾性表面波デバイス
JP3289674B2 (ja) * 1998-05-21 2002-06-10 株式会社村田製作所 表面波フィルタ装置、共用器、通信機装置
DE10013861A1 (de) * 2000-03-21 2001-09-27 Epcos Ag Dualmode-Oberflächenwellenfilter mit verbesserter Symmetrie und erhöhter Sperrdämpfung
FI113111B (fi) * 2000-11-24 2004-02-27 Nokia Corp Pietsosähköisiä resonaattoreita käsittävä suodinrakenne ja järjestely
JP3780408B2 (ja) * 2001-01-26 2006-05-31 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
JP3384403B2 (ja) * 2001-03-01 2003-03-10 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
JP2003071678A (ja) * 2001-08-30 2003-03-12 Makino Milling Mach Co Ltd 工作機械のテーブル装置
JP3833569B2 (ja) * 2001-12-21 2006-10-11 富士通メディアデバイス株式会社 分波器及びこれを用いた電子装置
US6924715B2 (en) * 2002-02-12 2005-08-02 Nortel Networks Limited Band reject filters
JP4056762B2 (ja) * 2002-02-25 2008-03-05 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波装置
ATE362674T1 (de) * 2002-05-16 2007-06-15 Tdk Corp Antennenweiche
JP3764731B2 (ja) * 2002-10-18 2006-04-12 富士通メディアデバイス株式会社 多重モード弾性表面波フィルタ及び分波器

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06204781A (ja) * 1993-01-05 1994-07-22 Murata Mfg Co Ltd 多電極形弾性表面波装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1630956B1 (en) 2011-07-27
EP1630956A2 (en) 2006-03-01
US7212086B2 (en) 2007-05-01
JP4303178B2 (ja) 2009-07-29
CN1744433A (zh) 2006-03-08
JP2006074202A (ja) 2006-03-16
CN100566155C (zh) 2009-12-02
KR20060050788A (ko) 2006-05-19
EP1630956A3 (en) 2007-10-10
US20060044079A1 (en) 2006-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100716085B1 (ko) 탄성 표면파 장치
US6781478B2 (en) Longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter and communication apparatus incorporating the same
EP1152529B1 (en) Longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter
US7902940B2 (en) Duplexer
JP3239064B2 (ja) 弾性表面波装置
KR100609966B1 (ko) 탄성표면파 필터 장치 및 통신 장치
KR20010107627A (ko) 종결합 공진기형 탄성 표면파 필터
JPH08265087A (ja) 弾性表面波フィルタ
KR20020003077A (ko) 탄성표면파 장치
JP2001267885A (ja) 弾性表面波装置
JP5018894B2 (ja) 弾性波フィルタ装置
US7042313B2 (en) Surface acoustic wave device and communication device using the same
US6292071B1 (en) Surface acoustic wave filter for improving flatness of a pass band and a method of manufacturing thereof
US10763822B2 (en) Acoustic wave resonator, filter, and multiplexer
KR20040101522A (ko) 탄성 표면파 장치
EP1267490A2 (en) Longitudinally-coupled resonator surface-acoustic wave filter and communications apparatus using the same
JP3915322B2 (ja) 弾性表面波フィルタ
WO2021010379A1 (ja) 弾性波フィルタおよびマルチプレクサ
JPH11251861A (ja) 縦結合多重モードｓａｗフィルタ
JP3890667B2 (ja) 縦結合二重モードｓａｗフィルタ
JP2004260402A (ja) 弾性表面波装置およびそれを有する通信装置
CN117713743A (zh) 多工器
JPH10294641A (ja) 横結合多重モードｓａｗフィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130502

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140418

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150417

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160418

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee