KR100709712B1 - pad structure for liquid crystal display - Google Patents
pad structure for liquid crystal display Download PDFInfo
- Publication number
- KR100709712B1 KR100709712B1 KR1020010005846A KR20010005846A KR100709712B1 KR 100709712 B1 KR100709712 B1 KR 100709712B1 KR 1020010005846 A KR1020010005846 A KR 1020010005846A KR 20010005846 A KR20010005846 A KR 20010005846A KR 100709712 B1 KR100709712 B1 KR 100709712B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pad
- gate
- data
- line
- signal
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
게이트선의 끝에 외부로부터 게이트 신호를 전달하는 게이트 패드가 형성되어 있고, 데이터선의 끝에 외부로부터 데이터 신호를 전달하는 데이터 패드가 그물망 구조로 형성되어 있다. 또한, 하나의 게이트 패드 또는 데이터 패드가 두 개 이상의 소패드가 모여서 이루어질 수도 있다. 이물질에 의해 각 패드 간에 단락이 발생하는 경우에는 레이저를 사용하여 이물질을 패드로부터 분리하고, 습기 및 전기적 충격에 의해 패드가 손상을 입었을 때에도 레이저를 사용하여 손상된 부분을 패드로부터 분리한다. 이때, 패드가 그물망 구조로 형성되어 있으면 이물질 또는 손상된 부분을 레이저로 자르기가 용이하며 패드로부터 완벽하게 분리할 수 있다. 한편, 각 배선마다 소패드를 다수로 형성하는 경우에는 오염 물질에 의해 다수의 소패드 중 어느 하나가 불량이면 불량인 부분을 레이저를 이용하여 제거하고 남은 소패드를 이용할 수 있다.A gate pad for transmitting a gate signal from the outside is formed at the end of the gate line, and a data pad for transmitting a data signal from the outside is formed in the mesh structure at the end of the data line. In addition, one gate pad or data pad may be formed by gathering two or more small pads. When a short circuit occurs between each pad due to a foreign material, the foreign matter is separated from the pad by using a laser, and even when the pad is damaged by moisture and electric shock, the damaged part is separated from the pad by using a laser. At this time, if the pad is formed in a mesh structure, it is easy to cut foreign substances or damaged parts with a laser and can be completely separated from the pad. On the other hand, in the case where a large number of small pads are formed for each wiring, if any one of the plurality of small pads is defective due to a contaminant material, the remaining small pads may be used after the defective portion is removed using a laser.
패드, 그물망, 레이저 Pad, mesh, laser
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,1 is a layout view of a thin film transistor substrate for a liquid crystal display according to a first exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에서 Ⅱ 부분을 확대하여 도시한 도면이고,FIG. 2 is an enlarged view of part II in FIG. 1;
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판에서 패드를 도시한 도면이고,3 illustrates a pad in a thin film transistor substrate according to a second exemplary embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판에서 패드를 도시한 도면이고,4 illustrates a pad in a thin film transistor substrate according to a third exemplary embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 패드에 이물질 또는 부식이 있을 때 불량을 제거하는 방법을 도시한 도면이다.5 is a diagram illustrating a method of removing a defect when there is a foreign matter or corrosion on a pad of a thin film transistor substrate according to an exemplary embodiment of the present invention.
본 발명은 액정 표시 장치의 패드 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a pad structure of a liquid crystal display device.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중의 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 유리 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져 있으며, 두 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열 시켜 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.The liquid crystal display is one of the most widely used flat panel display devices. The liquid crystal display includes two glass substrates on which electrodes are formed and a liquid crystal layer interposed therebetween. It is a display device that controls the amount of light transmitted by rearranging them.
액정 표시 장치의 한 기판에는 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터를 가지는 것이 일반적이며, 이러한 박막 트랜지스터 기판에는 박막 트랜지스터 외에도 게이트선과 외부로부터 신호를 인가받아 게이트선에 전달하는 게이트 패드 등을 포함하는 게이트 배선, 데이터선과 외부로부터 신호를 인가받아 데이터선으로 전달하는 데이터 패드 등을 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다. A substrate of a liquid crystal display generally has a thin film transistor for switching a voltage applied to an electrode. The thin film transistor substrate includes, in addition to the thin film transistor, a gate line and a gate pad that receives a signal from the outside and transfers the signal to the gate line. A data line including a gate line, a data line, and a data pad for receiving a signal from the outside and transferring the signal to the data line is formed.
여기서, 게이트 패드 및 데이터 패드는 제조 공정 중에 발생하는 이물질에 의한 단락 또는 구동 시 습기에 의해 발생하는 패드의 손상 등에 의해 불량이 생길 수 있으며, 이로 인해 수율이 떨어지는 문제점이 있다.Here, the gate pad and the data pad may be defective due to a short circuit caused by a foreign substance occurring during the manufacturing process or damage to the pad generated by moisture during driving, and thus, a yield may be deteriorated.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 패드 불량을 방지하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to prevent the failure of the pad.
이러한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에서는 패드를 그물망 형태로 형성한다.In order to achieve this problem, the present invention forms a pad in the form of a mesh.
본 발명에 따르면, 절연 기판 위에 게이트선이 형성되어 있고, 게이트선의 끝에 연결되어 있으며 외부로부터 게이트 신호를 전달받아 게이트선에 전달하는 게이트 패드가 형성되어 있다. 게이트선과 절연되어 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선이 형성되어 있고, 데이터선의 끝에 연결되어 있으며 외부로부터 데이터 신호를 전달받아 데이터선에 전달하는 데이터 패드가 형성되어 있다. 게이트선 및 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터가 형성되어 있고, 화소 영역에는 화소 전극이 형성되어 있다. 여기서, 게이트 패드 및 데이터 패드의 적어도 일부가 그물망 형태를 갖는 것이 바람직하다.According to the present invention, a gate line is formed on an insulating substrate, and a gate pad connected to an end of the gate line and receiving a gate signal from the outside and transmitting the gate signal to the gate line is formed. A data line is formed to be insulated from and cross the gate line to define a pixel area. A data pad is connected to an end of the data line and receives a data signal from an external source and transmits the data signal to the data line. A thin film transistor connected to the gate line and the data line is formed, and a pixel electrode is formed in the pixel region. Here, it is preferable that at least some of the gate pad and the data pad have a mesh shape.
또한, 게이트 패드와 데이터 패드는 그물망 형태를 갖는 소패드가 다수로 이루어질 수 있다.In addition, the gate pad and the data pad may include a plurality of small pads having a mesh shape.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 절연 기판 위에 게이트선이 형성되어 있고, 게이트선의 끝에 연결되어 있으며 외부로부터 게이트 신호를 전달받아 게이트선에 전달하는 게이트 패드가 형성되어 있다. 게이트선과 절연되어 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선이 형성되어 있고, 데이터선의 끝에 연결되어 있으며 외부로부터 데이터 신호를 전달받아 데이터선에 전달하는 데이터 패드가 형성되어 있다. 게이트선 및 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터가 형성되어 있고, 화소 영역에 화소 전극이 형성되어 있다. 여기서, 게이트 패드 및 데이터 패드는 각각 다수의 소패드로 이루어질 수 있다. According to another embodiment of the present invention, a gate line is formed on an insulating substrate, and a gate pad connected to an end of the gate line and receiving a gate signal from the outside and transmitting the gate signal to the gate line is formed. A data line is formed to be insulated from and cross the gate line to define a pixel area. A data pad is connected to an end of the data line and receives a data signal from an external source and transmits the data signal to the data line. A thin film transistor connected to the gate line and the data line is formed, and a pixel electrode is formed in the pixel region. Here, the gate pad and the data pad may be each composed of a plurality of small pads.
이러한 본 발명에서는 패드가 그물망 구조로 형성되어 있어 이물질 또는 습기 또는 전기적 충격에 의해 손상된 부분을 패드로부터 완벽하게 분리하여 패드 불량을 방지할 수 있다.In the present invention, the pad is formed in a mesh structure to completely separate the damaged portion by the foreign matter or moisture or electric shock from the pad to prevent the failure of the pad.
그러면, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 패드 구조에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.Next, a pad structure of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the pad structure.
먼저, 도 1을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조에 대하여 설명한다. First, a structure of a liquid crystal display according to a first exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도이다.1 is a layout view of a thin film transistor substrate for a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention.
도 1에서와 같이, 절연 기판(10) 위에 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(21), 게이트선(21)의 일부인 게이트 전극(22), 게이트선(21)의 끝에 연결되어 외부로부터 주사 신호를 인가받아 게이트선(21)으로 전달하는 게이트 패드(23)를 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있다. As shown in FIG. 1, the
게이트 배선(21, 22, 23)은 질화 규소(SiNX) 따위로 이루어진 게이트 절연막(도시하지 않음)으로 덮여 있다.The
게이트 절연막 위에는 비정질 규소 따위의 반도체로 이루어진 반도체층(41)이 섬 모양으로 형성되어 있으며, 반도체층(41) 위에는 인(P)과 같은 n형 불순물이 도핑되어 있는 비정질 규소 따위의 반도체로 이루어진 저항성 접촉층(도시하지 않음)이 게이트 전극(22)을 중심으로 양쪽으로 분리, 형성되어 있다. A
저항성 접촉층 위에는 세로 방향으로 뻗어 있는 데이터선(61), 데이터선(61)의 일부인 소스 전극(62), 게이트 전극(22)을 중심으로 소스 전극(62)과 마주하는 드레인 전극(63), 데이터선(61)에 연결되어 외부로부터 화상 신호를 인가받아 데이터선(61)에 전달하는 데이터 패드(64)를 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다. On the ohmic contact layer, a
여기서, 게이트 전극(22), 반도체층(41), 소스 전극(62) 및 드레인 전극(63)은 박막 트랜지스터를 이루고 있다.Here, the
데이터 배선(61, 62, 63, 64) 위에는 질화 규소 또는 유기 절연막으로 이루 어진 보호막(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 보호막은 게이트 절연막과 함께 게이트 패드(23)를 드러내는 접촉 구멍(73)을 가지고 있을 뿐만 아니라, 데이터 패드(64)를 드러내는 접촉 구멍(74)과 드레인 전극(63)을 드러내는 접촉 구멍(72)을 가지고 있다. On the
보호막 위에는 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와 같은 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극(80), 보조 게이트 패드(83) 및 보조 데이터 패드(84)가 형성되어 있다.The
화소 전극(80)은 접촉 구멍(72)을 통하여 드레인 전극(63)과 연결되어 화상 신호를 전달받는다. 보조 게이트 패드(83)와 보조 데이터 패드(84)는 접촉 구멍(73, 74)을 통해 게이트 패드(23) 및 데이터 패드(64)와 각각 연결되어 있으며, 이들은 패드(23, 64)와 외부 회로 장치와의 접착성을 보완하고 패드(23, 64)를 보호하는 역할을 한다. The
여기서, 게이트 패드(23) 및 데이터 패드(64)의 구조에 대하여 도 2를 참조하여 설명한다.Here, the structures of the
도 2는 도 1에서 Ⅱ 부분을 확대하여 도시한 도면이다.FIG. 2 is an enlarged view of part II in FIG. 1.
도 2에서와 같이, 데이터 패드(64)는 다수의 구멍(164)을 갖는 그물망 형태로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 여기서는 데이터 패드(64)를 도면으로 표시하였으나 게이트 패드(23)도 마찬가지로 그물망 형태로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 한편, 공정에 따라서 패드(23, 64)의 일부 또는 전부가 그물망 형태로 형성되어 있을 수 있다.
As shown in FIG. 2, the
이와 같이 패드(23, 64)를 그물망 형태로 형성하였을 때는 패드에 이물질이나 손상된 부분이 있을 때 그 부분을 패드로부터 분리하기가 용이하며 완벽하게 분리할 수 있다. 이에 대하여는 이후 도 5를 참조하여 설명한다. As described above, when the
한편, 게이트 패드(23) 및 데이터 패드(64)는 소패드가 두 개 이상 모여서 이루어질 수도 있으며, 이에 대하여 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 제2 및 제3 실시예로 설명한다. Meanwhile, the
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판에서 패드를 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판에서 패드를 도시한 도면이다. 여기서, 패드(23, 64)를 제외한 나머지 부분은 앞서 설명한 제1 실시예와 동일한 구조를 가지며, 도 3 및 도 4에서는 데이터 패드(64)의 구조만 도시하였으나 게이트 패드(23)도 마찬가지의 구조를 갖는다. 3 illustrates a pad in a thin film transistor substrate according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 illustrates a pad in a thin film transistor substrate according to a third embodiment of the present invention. Here, the remaining portions except for the
도 3에서와 같이, 데이터선(61)마다 연결되어 있는 데이터 패드는 소패드(641)가 두 개 이상 모여서 이루어지거나, 도 4에서와 같이 그물망 구조의 소패드(640)가 두 개 이상 모여서 이루어질 수 있다. As shown in FIG. 3, the data pads connected to each
그러면, 그물망 구조를 갖는 패드에서 이물질이나 손상된 부분을 패드로부터 분리하는 방법에 대하여 도 5를 참조하여 설명한다.Next, a method of separating foreign matters or damaged parts from the pads having the mesh structure will be described with reference to FIG. 5.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 패드에 이물질 또는 부식이 있을 때 불량을 제거하는 방법을 도시한 도면이다.5 is a diagram illustrating a method of removing a defect when there is a foreign matter or corrosion on a pad of a thin film transistor substrate according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 5에서와 같이, 이물질(C)이 패드(64)에 부착되면 각 패드(64) 간에 단락이 발생하게 되어 패드(64)에 손상이 오게 되고 패드(64) 불량이 발생하기 쉽다. 이러한 경우에는 레이저를 사용하여 L 선을 따라 잘라 이물질(C)을 패드(64)로부터 분리한다. 또한, 습기 및 전기적 충격에 의해 패드(64)가 손상된 경우에도 동일한 방법으로 레이저를 사용하여 손상된 부분을 패드(64)로부터 분리한다. 이때, 패드(64)가 그물망 구조로 형성되어 있기 때문에 이물질 또는 손상된 부분을 레이저로 자르기가 용이하며 패드로부터 완벽하게 분리할 수 있다.As shown in FIG. 5, when the foreign substance C is attached to the
또한, 도 4에서와 같이, 각 배선마다 소패드(640)를 다수로 형성하여 하나의 패드로 하는 경우에는 오염 물질에 의해 다수의 소패드(640) 중 어느 하나가 불량이면 불량인 부분을 레이저를 이용하여 제거하고 남은 소패드(640)를 이용할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 4, in the case where a plurality of
공정에 따라서 패드부의 일정 부분 또는 전체를 그물망 구조로 형성하여 종래 이물질 또는 습기에 의해 손상된 부분을 레이저를 이용하여 제거함으로써 패드 불량을 방지할 수 있다. According to the process, a portion or the whole of the pad portion may be formed in a mesh structure to prevent a pad defect by removing a portion damaged by a conventional foreign matter or moisture using a laser.
이와 같이 본 발명에서는 패드가 그물망 구조로 형성되어 있어 이물질 또는 습기 또는 전기적 충격에 의해 손상된 부분을 패드로부터 완벽하게 분리하여 패드 불량을 방지할 수 있다.As described above, in the present invention, the pad is formed in a mesh structure to completely separate a part damaged by foreign matter or moisture or electric shock from the pad, thereby preventing pad failure.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020010005846A KR100709712B1 (en) | 2001-02-07 | 2001-02-07 | pad structure for liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020010005846A KR100709712B1 (en) | 2001-02-07 | 2001-02-07 | pad structure for liquid crystal display |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020065691A KR20020065691A (en) | 2002-08-14 |
KR100709712B1 true KR100709712B1 (en) | 2007-04-19 |
Family
ID=27693560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020010005846A KR100709712B1 (en) | 2001-02-07 | 2001-02-07 | pad structure for liquid crystal display |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100709712B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102174069B1 (en) | 2014-03-03 | 2020-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | Printed circuit board and method of manufacturing a printed circuit board |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07230100A (en) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Citizen Watch Co Ltd | Liquid crystal display device and its production |
KR19990047260A (en) * | 1997-12-03 | 1999-07-05 | 김영환 | Pad array structure of liquid crystal display |
JPH11264998A (en) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Nec Corp | Wiring terminal and its formation |
KR20020017732A (en) * | 2000-08-31 | 2002-03-07 | 구본준, 론 위라하디락사 | the Structure of the LCD Pad and the Method for fabricating it |
-
2001
- 2001-02-07 KR KR1020010005846A patent/KR100709712B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07230100A (en) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Citizen Watch Co Ltd | Liquid crystal display device and its production |
KR19990047260A (en) * | 1997-12-03 | 1999-07-05 | 김영환 | Pad array structure of liquid crystal display |
JPH11264998A (en) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Nec Corp | Wiring terminal and its formation |
KR20020017732A (en) * | 2000-08-31 | 2002-03-07 | 구본준, 론 위라하디락사 | the Structure of the LCD Pad and the Method for fabricating it |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020065691A (en) | 2002-08-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100796749B1 (en) | A thin film transistor array substrate for a liquid crystal display | |
US7649586B2 (en) | Display device with floating transistor elements on alternating data lines | |
KR100385082B1 (en) | a liquid crystal display and a manufacturing method thereof | |
US7187001B2 (en) | Organic light emitting display with circuit measuring pad and method of fabricating the same | |
KR100336827B1 (en) | Liquid crystal display and fabricating method of substrate of the liquid crystal display | |
KR101209489B1 (en) | Liquid crystal display device | |
KR100612992B1 (en) | Thin film transistor for liquid crystal display and repairing methods the same | |
KR20120033689A (en) | Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
KR100656900B1 (en) | a thin film transistor array panel for a liquid crystal display having an electrostatic protection structure and a manufacturing method thereof | |
KR100709712B1 (en) | pad structure for liquid crystal display | |
KR100449849B1 (en) | Active matrix type display device | |
JP2000164874A (en) | Thin-film transistor array substrate, manufacturing method for it, and liquid-crystal display device | |
KR100635944B1 (en) | a thin film transistor array panel for a liquid crystal display | |
JP4891676B2 (en) | Display device | |
KR100759968B1 (en) | thin film transistor array panel for liquid crystal display, manufacturing method thereof and repairing method thereof | |
JP2624687B2 (en) | Method for manufacturing thin film active element array | |
KR100686224B1 (en) | a thin film transistor array panel for a liquid crystal display, a manufacturing method thereof and a repairing method thereof | |
KR100816335B1 (en) | Thin film transistor array panel and a method for attaching the integrated circuit for the same | |
KR100299683B1 (en) | LCD Display | |
KR100558716B1 (en) | Liquid crystal display panel and fabricating method thereof | |
KR100777698B1 (en) | thin film transistor array panel for a liquid crystal display and a manufacturing method thereof | |
JP2002131783A (en) | Active matrix type display device | |
KR20080044986A (en) | Array substrate and method of manufaturing the same | |
JP3773834B2 (en) | Liquid crystal display | |
KR100859509B1 (en) | a thin film transistor array panel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120315 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |