KR100701865B1 - Slit nozzle, substrate processing apparatus, and substrate processing method - Google Patents

Slit nozzle, substrate processing apparatus, and substrate processing method Download PDF

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KR100701865B1
KR100701865B1 KR1020060024254A KR20060024254A KR100701865B1 KR 100701865 B1 KR100701865 B1 KR 100701865B1 KR 1020060024254 A KR1020060024254 A KR 1020060024254A KR 20060024254 A KR20060024254 A KR 20060024254A KR 100701865 B1 KR100701865 B1 KR 100701865B1
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slit nozzle
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slit
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후미히코 이케다
이츠키 가지노
아키히로 호소카와
준이치 요시다
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다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 슬릿 노즐로부터 안정된 도포 폭으로 처리액을 도포할 수 있는 기술을 제공하는 것이다. This invention provides the technique which can apply | coat a process liquid with a stable application | coating width from a slit nozzle.

본 발명에 따른 슬릿 노즐은, 사이드 플레이트(721)의 하단부(721a)의 두께(d)를 0.7㎜ 이하로 한다. 이 때문에, 슬릿 노즐(42)의 이동 속도가 느릴 때나 레지스트액(90)의 점도가 낮을 때에도, 도포되는 레지스트액(90)의 외측으로의 팽창 폭을 작게 할 수 있다. 따라서, 레지스트액(90)의 도포 폭의 변동을 억제할 수 있다.In the slit nozzle according to the present invention, the thickness d of the lower end portion 721a of the side plate 721 is 0.7 mm or less. For this reason, even when the moving speed of the slit nozzle 42 is slow or when the viscosity of the resist liquid 90 is low, the expansion width to the outer side of the resist liquid 90 to apply can be made small. Therefore, the fluctuation | variation of the application | coating width of the resist liquid 90 can be suppressed.

Description

슬릿 노즐, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SLIT NOZZLE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}SLIT NOZZLE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 개략을 도시한 사시도. 1 is a perspective view showing an outline of a substrate processing apparatus according to the present invention;

도 2는 슬릿 노즐의 노즐 본체부의 구성을 도시한 사시도. 2 is a perspective view showing the configuration of a nozzle body portion of a slit nozzle;

도 3은 제 1 형태에 따른 사이드 플레이트의 형상을 도시한 도면. 3 shows the shape of the side plate according to the first aspect;

도 4는 사이드 플레이트의 두께를 바꾸었을 때의 도포 결과를 도시한 도면. 4 is a diagram showing an application result when the thickness of the side plate is changed.

도 5는 제 1 형태에 따른 사이드 플레이트의 형상을 도시한 도면. 5 is a view showing the shape of the side plate according to the first aspect;

도 6은 제 1 형태에 따른 사이드 플레이트의 형상을 도시한 도면. 6 is a view showing the shape of the side plate according to the first aspect;

도 7은 제 2 형태에 따른 사이드 플레이트의 형상을 도시한 도면. 7 shows the shape of the side plate according to the second aspect;

도 8은 제 2 형태에 따른 사이드 플레이트의 형상을 도시한 도면.8 shows the shape of a side plate according to a second aspect;

도 9는 제 2 형태에 따른 사이드 플레이트의 형상을 도시한 도면. 9 is a view showing the shape of the side plate according to the second aspect;

도 10은 제 2 형태에 따른 사이드 플레이트의 형상을 도시한 도면. 10 is a view showing the shape of the side plate according to the second aspect;

도 11은 제 3 형태에 따른 사이드 플레이트의 형상을 도시한 도면.11 is a view showing the shape of the side plate according to the third embodiment;

도 12는 제 3 형태에 따른 사이드 플레이트의 형상을 도시한 도면. 12 is a view showing the shape of the side plate according to the third embodiment;

도 13은 제 3 형태에 따른 사이드 플레이트의 형상을 도시한 도면. FIG. 13 is a view showing the shape of the side plate according to the third embodiment; FIG.

도 14는 제 3 형태에 따른 사이드 플레이트의 형상을 도시한 도면. 14 is a view showing the shape of the side plate according to the third embodiment;

도 15는 제 4 형태에 따른 사이드 플레이트의 형상을 도시한 도면. 15 is a view showing the shape of the side plate according to the fourth embodiment;

도 16은 제 4 형태에 따른 사이드 플레이트의 형상을 도시한 도면. Fig. 16 shows the shape of the side plate according to the fourth aspect.

도 17은 제어부가 가동판의 높이를 조절하기 위한 전기적 구성을 도시한 도면. 17 is a view showing an electrical configuration for the control unit to adjust the height of the movable plate.

도 18은 슬릿 노즐의 속도와 가동판의 높이의 관계를 도시한 도면. 18 is a diagram showing a relationship between the speed of the slit nozzle and the height of the movable plate;

도 19는 레지스트액의 점도와 가동판의 높이의 관계를 도시한 도면.Fig. 19 shows the relationship between the viscosity of a resist liquid and the height of a movable plate;

도 20은 노즐 본체부의 전방측의 하단부와 후방측의 하단부의 높이가 상이한 경우의, 노즐 본체부와 사이드 플레이트의 관계를 도시한 도면. Fig. 20 is a diagram showing the relationship between the nozzle body part and the side plate when the heights of the lower end part on the front side and the lower end part on the rear side of the nozzle body part are different;

도 21은 노즐 본체부의 전방측의 하단부와 후방측의 하단부의 높이가 상이한 경우의, 노즐 본체부와 사이드 플레이트의 관계를 도시한 도면. Fig. 21 is a diagram showing the relationship between the nozzle body portion and the side plate when the heights of the lower end portion on the front side of the nozzle body portion and the lower end portion on the rear side are different.

도 22는 종래의 도포 장치에 의한 도포 처리의 모양을 도시한 도면.Fig. 22 is a diagram showing a state of a coating process by a conventional coating device.

도 23은 종래의 도포 장치에 의한 도포 처리의 모양을 도시한 도면.Fig. 23 is a diagram showing a state of a coating process by a conventional coating device.

도 24는 종래의 도포 장치에 의한 도포 처리의 모양을 도시한 도면. Fig. 24 is a diagram showing the state of the coating treatment by the conventional coating apparatus.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> <Description of the symbols for the main parts of the drawings>

1 : 기판 처리 장치 2 : 기판 1: substrate processing apparatus 2: substrate

10 : 본체부 20 : 제어부10: main body 20: control unit

30 : 스테이지 40 : 가교부30: stage 40: bridge portion

42 : 슬릿 노즐 50 : 구동부42: slit nozzle 50: drive unit

71 : 노즐 본체부 71f : 노즐 본체부의 하단부71: nozzle body portion 71f: lower end of nozzle body portion

73 : 송액로 74 : 토출구 73: feeding path 74: discharge port

90 : 레지스트액90: resist liquid

72, 721, 722, 723, 724 : 사이드 플레이트72, 721, 722, 723, 724: side plates

721a, 722a, 723a, 724d : 사이드 플레이트의 하단부721a, 722a, 723a, 724d: lower part of side plate

721b, 722b, 723b :사이드 플레이트의 하단부의 외측면721b, 722b, 723b: outer side of lower end of side plate

724a : 가동판 724b : 가압 부재 724a: movable plate 724b: pressing member

721f : 박판 721g : 가압 부재721f: thin plate 721g: pressing member

724c : 조정 볼트 724f : 편심 캠 724c: Adjustment bolt 724f: Eccentric cam

본 발명은 액정용 유리 기판, 반도체 기판, 필름 액정용 플렉시블 기판, 포토마스크용 기판, 칼라 필터용 기판 등(이하, 단순히「기판」이라고 함)의 표면에 처리액을 도포하는 슬릿 노즐, 해당 슬릿 노즐을 구비한 기판 처리 장치 및 해당 슬릿 노즐을 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다. The present invention provides a slit nozzle for applying a treatment liquid to a surface of a liquid crystal glass substrate, a semiconductor substrate, a film liquid crystal flexible substrate, a photomask substrate, a color filter substrate (hereinafter simply referred to as a "substrate"), and the slit. A substrate processing apparatus provided with a nozzle and a substrate processing method using the slit nozzle.

종래부터, 기판의 제조 공정에는 포토레지스트 등의 처리액을 기판의 표면에 도포하는 도포 공정이 포함되어 있다. 도포 공정에 있어서는 슬릿형상의 토출부를 갖는 슬릿 노즐로부터 기판의 표면에 처리액을 토출하는 도포 장치(소위 슬릿 코터)가 사용된다. Conventionally, the manufacturing process of a board | substrate contains the application | coating process which apply | coats processing liquids, such as photoresist, to the surface of a board | substrate. In the coating step, a coating device (so-called slit coater) for discharging the processing liquid from the slit nozzle having a slit-shaped discharge part to the surface of the substrate is used.

도 22는, 종래의 도포 장치(100)에 의한 도포 처리의 모양을 도시하고 있다. 도포 장치(100)는 슬릿 노즐(110)의 토출부(111)로부터 기판(200)의 표면을 향하여 처리액(190)을 도포하면서, 도면 중의 X 방향으로 이동한다. 이에 따라, 기판 (200)의 표면에는 처리액의 박막이 형성된다. 이러한 종래의 도포 장치는, 예를 들면 특허문헌 1에 개시되어 있다. 22 shows a state of a coating process by the conventional coating device 100. The coating device 100 moves in the X direction in the drawing while applying the processing liquid 190 from the discharge part 111 of the slit nozzle 110 toward the surface of the substrate 200. As a result, a thin film of the processing liquid is formed on the surface of the substrate 200. Such a conventional coating device is disclosed by patent document 1, for example.

[특허문헌 1] 일본 공개 특허 공보 2003-275648호[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-275648

그러나, 종래의 도포 장치(100)에서는 안정된 도포 폭(W)으로 처리액(190)을 도포하는 것은 곤란하였다. However, in the conventional coating device 100, it was difficult to apply the treatment liquid 190 to the stable coating width W.

예를 들면, 도포 개시시와 같이 슬릿 노즐(110)의 이동 속도가 느릴 때에는, 도 23과 같이, 도포되는 처리액(190)이 외측으로 팽창되는 경향이 있다. 이 경우에는, 처리액(190)의 도포 폭(W)은 넓어진다. 한편, 슬릿 노즐(110)의 이동 속도가 빠를 때에는 도 24와 같이, 도포되는 처리액(190)이 내측으로 줄어드는 경향이 있다. 이 경우에는 처리액(190)의 도포 폭(W)은 좁아진다. For example, when the moving speed of the slit nozzle 110 is slow as in the start of coating, as shown in FIG. 23, the processing liquid 190 to be applied tends to expand outward. In this case, the application width W of the processing liquid 190 becomes wide. On the other hand, when the moving speed of the slit nozzle 110 is high, as shown in FIG. 24, the processing liquid 190 to be applied tends to decrease inward. In this case, the application width W of the treatment liquid 190 is narrowed.

또한, 슬릿 노즐(110)의 이동 속도뿐만 아니라, 처리액의 점도, 처리액의 표면 장력, 기판(200)의 표면 상태 등의 조건에 의해도, 처리액(190)의 도포 폭(W)은 변동된다. 또한, 이와 같이 도포 폭(W)이 변동되면, 그에 따라 형성되는 박막의 두께도 불안정한 것이 된다.In addition, the application width W of the treatment liquid 190 is determined by not only the moving speed of the slit nozzle 110 but also the conditions such as the viscosity of the treatment liquid, the surface tension of the treatment liquid, and the surface state of the substrate 200. Fluctuate. In addition, when the application | coating width W fluctuates in this way, the thickness of the thin film formed thereby will also become unstable.

본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 슬릿 노즐로부터 안정된 도포 폭으로 처리액을 도포할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of such a situation, and an object of this invention is to provide the technique which can apply | coat a process liquid with a stable application | coating width from a slit nozzle.

상기 과제를 해결하기 위하여, 청구항 1에 따른 발명은, 슬릿형상의 토출구를 그 하부에 갖는 슬릿 노즐에 있어서, 상기 토출구의 길이 방향을 따른 개구 가장자리를 규정하는 노즐 본체부와, 상기 노즐 본체부의 양단에 각각 부착되고, 상 기 토출구의 폭 방향을 따른 개구 가장자리를 규정하는 한 쌍의 사이드 플레이트를 구비하고, 상기 사이드 플레이트의 하단부의 두께는 0.7㎜ 이하인 것을 특징으로 한다. In order to solve the said subject, invention of Claim 1 is the slit nozzle which has a slit-shaped discharge port in the lower part, WHEREIN: The nozzle main body part which defines the opening edge along the longitudinal direction of the said discharge port, and the both ends of the said nozzle main body part. And a pair of side plates, each of which is attached to each other and defines an opening edge along the width direction of the discharge port, wherein a thickness of the lower end of the side plate is 0.7 mm or less.

청구항 2에 따른 발명은, 청구항 1에 기재된 슬릿 노즐에 있어서, 상기 사이드 플레이트의 하단부의 외측면의 수평면에 대한 각도가 45도 이상인 것을 특징으로 한다. The invention according to claim 2 is characterized in that, in the slit nozzle according to claim 1, the angle with respect to the horizontal plane of the outer surface of the lower end of the side plate is 45 degrees or more.

청구항 3에 따른 발명은, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 슬릿 노즐에 있어서, 상기 사이드 플레이트의 하단부는 상기 노즐 본체부의 하단부보다 아래쪽에 위치하는 것을 특징으로 한다. The invention according to claim 3 is the slit nozzle according to claim 1 or 2, wherein the lower end of the side plate is located below the lower end of the nozzle body.

청구항 4에 따른 발명은, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 슬릿 노즐에 있어서, 상기 사이드 플레이트의 하단부는 상기 노즐 본체부의 하단부보다 위쪽에 위치하는 것을 특징으로 한다. The invention according to claim 4 is the slit nozzle according to claim 1 or 2, wherein the lower end of the side plate is located above the lower end of the nozzle body.

청구항 5에 따른 발명은, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 슬릿 노즐에 있어서, 상기 사이드 플레이트는 상기 사이드 플레이트의 하단부의 높이를 조절하는 조절 수단을 갖는 것을 특징으로 한다. The invention according to claim 5 is the slit nozzle according to claim 1 or 2, wherein the side plate has an adjusting means for adjusting the height of the lower end of the side plate.

청구항 6에 따른 발명은, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 슬릿 노즐에 있어서, 상기 사이드 플레이트는 상기 토출구의 단부를 규정하는 박판과, 상기 박판을 고정하는 가압 부재를 갖는 것을 특징으로 한다. According to a sixth aspect of the present invention, in the slit nozzle according to claim 1 or 2, the side plate has a thin plate defining an end portion of the discharge port, and a pressing member for fixing the thin plate.

청구항 7에 따른 발명은, 슬릿형상의 토출구를 그 하부에 갖는 슬릿 노즐에 있어서, 상기 토출구의 길이 방향을 따른 개구 가장자리를 규정하는 노즐 본체부 와, 상기 노즐 본체부의 양단에 각각 부착되고, 상기 토출구의 폭 방향을 따른 개구 가장자리를 규정하는 한 쌍의 사이드 플레이트를 구비하고, 상기 사이드 플레이트의 하단부는 상기 노즐 본체부의 하단부보다 아래쪽에 위치하는 것을 특징으로 한다. In the invention according to claim 7, in the slit nozzle having a slit-shaped discharge port at the bottom thereof, the nozzle body part defining an opening edge along the longitudinal direction of the discharge port is attached to both ends of the nozzle body part, respectively, And a pair of side plates defining opening edges along the width direction of the lower end portion, wherein the lower end portion of the side plate is positioned below the lower end portion of the nozzle body portion.

청구항 8에 따른 발명은, 슬릿형상의 토출구를 그 하부에 갖는 슬릿 노즐에 있어서, 상기 토출구의 길이 방향을 따른 개구 가장자리를 규정하는 노즐 본체부와, 상기 노즐 본체부의 양단에 각각 부착되고, 상기 토출구의 폭 방향을 따른 개구 가장자리를 규정하는 한 쌍의 사이드 플레이트를 구비하고, 상기 사이드 플레이트의 하단부는 상기 노즐 본체부의 하단부보다 위쪽에 위치하는 것을 특징으로 한다. In the slit nozzle which has a slit-shaped discharge opening in the lower part, invention of Claim 8 is attached to the nozzle main body part which defines the opening edge along the longitudinal direction of the said discharge opening, and the both ends of the said nozzle main body part, respectively, The said discharge opening And a pair of side plates defining opening edges along a width direction of the lower surface, wherein the lower end of the side plate is positioned above the lower end of the nozzle body.

청구항 9에 따른 발명은, 슬릿형상의 토출구를 그 하부에 갖는 슬릿 노즐에 있어서, 상기 토출구의 길이 방향을 따른 개구 가장자리를 규정하는 노즐 본체부와, 상기 노즐 본체부의 양단에 각각 부착되고, 상기 토출구의 폭 방향을 따른 개구 가장자리를 규정하는 한 쌍의 사이드 플레이트를 구비하고, 상기 사이드 플레이트는 상기 사이드 플레이트의 하단부의 높이를 조절하는 조절 수단을 갖는 것을 특징으로 한다. According to a ninth aspect of the present invention, in a slit nozzle having a slit-shaped discharge port at a lower portion thereof, the nozzle body part defines an opening edge along a longitudinal direction of the discharge port, and is attached to both ends of the nozzle body part, respectively, And a pair of side plates defining an opening edge along the width direction of the side plate, wherein the side plate has an adjusting means for adjusting the height of the lower end of the side plate.

청구항 10에 따른 발명은, 기판 처리 장치로서, 청구항 1, 청구항 7, 청구항 8 및 청구항 9 중 어느 하나에 기재된 슬릿 노즐과, 상기 슬릿 노즐의 아래쪽에 있어서 기판을 수평으로 유지하는 유지 수단과, 상기 슬릿 노즐을 상기 유지 수단에 유지된 기판에 대하여 상기 토출구의 길이 방향과 직교하는 방향에 상대적으로 주 사하는 주사 수단과, 상기 슬릿 노즐에 처리액을 공급하는 공급 수단을 구비한 것을 특징으로 한다. The invention according to claim 10 is a substrate processing apparatus comprising: a slit nozzle according to any one of claims 1, 7, 8, and 9, a holding means for horizontally holding a substrate under the slit nozzle, And a scanning means for scanning the slit nozzle relative to the direction perpendicular to the longitudinal direction of the discharge port with respect to the substrate held by the holding means, and a supply means for supplying the processing liquid to the slit nozzle.

청구항 11에 따른 발명은, 청구항 9에 기재된 슬릿 노즐을 이용한 기판 처리 방법으로서, 상기 슬릿 노즐을 기판에 대하여 상대적으로 주사시키면서, 상기 토출구로부터 처리액을 기판을 향하여 토출하는 공급 공정과, 상기 처리액의 점도, 상기 슬릿 노즐의 속도, 또는 이들의 양 조건에 따라 상기 사이드 플레이트의 하단부의 높이를 조절하는 조절 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 11 is a substrate processing method using the slit nozzle according to claim 9, comprising: a supply step of discharging the processing liquid from the discharge port toward the substrate while scanning the slit nozzle relative to the substrate; It characterized in that it comprises a control step of adjusting the height of the lower end of the side plate according to the viscosity, the speed of the slit nozzle, or both conditions thereof.

이하, 본 발명의 바람직한 실시형태에 관하여 도면을 참조하면서 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of this invention is described, referring drawings.

<1. 기판 처리 장치의 전체 구성에 관하여> <1. About the whole structure of the substrate processing apparatus>

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략을 도시한 사시도이다. 도 1 및 이하의 각 도면에 있어서는, 도시 및 설명의 편의를 위하여 X 방향, Y 방향, 및 Z 방향을 정의한다. X 방향은 슬릿 노즐(42)의 이동 방향이다. Y 방향은 슬릿 노즐(42)의 길이 방향이다. Z 방향은 연직 방향이다. 1 is a perspective view showing an outline of a substrate processing apparatus 1 according to the present invention. In FIG. 1 and the following figures, the X direction, the Y direction, and the Z direction are defined for convenience of illustration and description. The X direction is the moving direction of the slit nozzle 42. The Y direction is the length direction of the slit nozzle 42. Z direction is a vertical direction.

기판 처리 장치(1)는 액정 표시 장치의 화면 패널을 구성하는 각형 유리 기판에 레지스트액을 도포하기 위한 장치로서, 본체부(10)와 제어부(20)를 갖는다. 본체부(10)는 스테이지(30)와, 가교부(40)와, 구동부(50)를 구비한다. The substrate processing apparatus 1 is an apparatus for apply | coating a resist liquid to the square glass substrate which comprises the screen panel of a liquid crystal display device, and has the main-body part 10 and the control part 20. As shown in FIG. The main body portion 10 includes a stage 30, a crosslinking portion 40, and a driving portion 50.

스테이지(30)는 기판(2)을 적재하는 유지대이다. 스테이지는 직방체형상의 석재 등에 의해 구성되고, 그 상면 및 측면은 평탄하게 가공되어 있다. 스테이지(30)의 상면은 수평면이고, 기판(2)의 유지면(31)으로 되어 있다. 유지면(31)에는 도시하지 않은 다수의 진공 흡착구가 형성되어 있다. 기판 처리 장치(1)에 있어서 기판(2)을 처리할 때에는, 진공 흡착구가 기판(2)을 흡착함으로써 기판(2)은 수평으로 유지된다. The stage 30 is a holder for loading the substrate 2. The stage is formed of a rectangular parallelepiped stone or the like, and the upper and side surfaces thereof are flatly processed. The upper surface of the stage 30 is a horizontal surface and serves as the holding surface 31 of the substrate 2. The holding surface 31 is formed with a plurality of vacuum suction ports (not shown). When processing the substrate 2 in the substrate processing apparatus 1, the vacuum suction port adsorbs the substrate 2 so that the substrate 2 is kept horizontal.

유지면(31)에는 복수의 리프트 핀(32)이 설치되어 있다. 리프트 핀(32)은 상하로 승강 자유롭게 구성되어 있다. 기판(2)을 스테이지(30) 상에 적재할 때, 또는 기판을 스테이지(30)로부터 제거할 때에는 리프트 핀(32)이 상승하여 기판을 유지한다. 또한, 유지면(31) 중, 기판(2)이 유지되는 영역을 사이에 끼운 양 단부에는 한 쌍의 주행 레일(33)이 고정 설치되어 있다. 주행 레일(33)은 가교부(40)를 지지하는 동시에, 가교부(40)의 X 방향의 이동을 안내하는 리니어 가이드를 구성한다. The holding surface 31 is provided with a plurality of lift pins 32. The lift pin 32 is comprised freely up and down. When loading the substrate 2 on the stage 30, or removing the substrate from the stage 30, the lift pins 32 are raised to hold the substrate. In addition, a pair of traveling rails 33 are fixedly provided at both ends of the holding surface 31 which sandwiched the area | region in which the board | substrate 2 is hold | maintained. The traveling rail 33 supports the bridge | crosslinking part 40, and comprises the linear guide which guides the movement of the bridge | crosslinking part 40 in the X direction.

유지면(31)의 +X 방향측에는 개구(34)가 설치되어 있다. 개구(34) 아래쪽의 본체부(10)의 내부에는 슬릿 노즐(42)의 상태를 정상화하기 위한 예비 도포 기구나, 슬릿 노즐(42)의 건조를 방지하기 위한 대기 포트 등이 설치되어 있다. The opening 34 is provided in the + X direction side of the holding surface 31. A preliminary application mechanism for normalizing the state of the slit nozzle 42, a standby port for preventing drying of the slit nozzle 42, and the like are provided inside the main body portion 10 below the opening 34.

가교부(40)는 스테이지(30)의 위쪽에 수평으로 걸려 걸쳐져 있다. 가교부(40)는 카본 화이버 보강 수지 등을 골재로 하는 노즐 지지부(41)와, 노즐 지지부(41)에 부착된 슬릿 노즐(42)과, 노즐 지지부(41)의 양단을 지지하는 승강 기구(43)를 갖고 있다. The bridge portion 40 is horizontally hung over the stage 30. The bridge | crosslinking part 40 is a nozzle support part 41 which consists of carbon fiber reinforced resin, etc., the slit nozzle 42 attached to the nozzle support part 41, and the lifting mechanism which supports both ends of the nozzle support part 41 ( 43).

슬릿 노즐(42)은 노즐 본체부(71)와, 노즐 본체부(71)의 양단에 부착된 사이드 플레이트(72)를 갖는다. 슬릿 노즐(42)은 기판(2)의 표면을 주사하면서, 기판(2) 표면의 소정의 영역에 레지스트액을 도포한다. 슬릿 노즐(42)의 상세한 구성 에 대해서는 후술한다. The slit nozzle 42 has a nozzle main body 71 and side plates 72 attached to both ends of the nozzle main body 71. The slit nozzle 42 scans the surface of the substrate 2 while applying the resist liquid to a predetermined region of the surface of the substrate 2. The detailed structure of the slit nozzle 42 is mentioned later.

승강 기구(43)는 노즐 지지부(41)를 통해 슬릿 노즐(42)을 지지하고 있다. 승강 기구(43)는 AC 서보 모터(43a)와 도시하지 않은 볼 나사를 구비하고 있고, 제어부(20)로부터의 제어 신호에 의거하여 슬릿 노즐(42)을 병진적으로 승강시킨다. 또한, 승강 기구(43)는 슬릿 노즐(42)의 YZ 평면 내에서의 자세를 조정한다. The lifting mechanism 43 supports the slit nozzle 42 via the nozzle support part 41. The elevating mechanism 43 includes an AC servomotor 43a and a ball screw (not shown), which raises and lowers the slit nozzle 42 translationally based on a control signal from the control unit 20. In addition, the lifting mechanism 43 adjusts the posture in the YZ plane of the slit nozzle 42.

구동부(50)는 스테이지(30)의 양측부를 따른 한 쌍의 고정자(51)와, 가교부(40)의 양 단부에 부착된 한 쌍의 이동자(52)를 구비하고 있다. 구동부(50)는 고정자(51)와 이동자(52)에 의해 한 쌍의 AC 코어리스 리니어 모터를 구성하고 있고, 가교부(40)를 X 방향으로 이동시킨다. 또한, 구동부(50)에는 스케일부와 검출자를 갖는 리니어 인코더(53)가 부착되어 있다. 리니어 인코더(53)는 이동자(52)의 위치를 검출하고 검출 결과를 제어부(20)로 송신한다. The drive unit 50 includes a pair of stators 51 along both sides of the stage 30 and a pair of movers 52 attached to both ends of the bridge portion 40. The drive part 50 comprises a pair of AC coreless linear motors by the stator 51 and the mover 52, and moves the bridge | crosslinking part 40 to an X direction. In addition, a linear encoder 53 having a scale part and a detector is attached to the drive part 50. The linear encoder 53 detects the position of the mover 52 and transmits the detection result to the control unit 20.

제어부(20)는 프로그램에 따라 각종 데이터를 처리하는 연산부(21)와, 프로그램이나 각종 데이터를 기억하는 기억부(22)를 구비한다. 또한, 제어부(20)의 전면에는 오퍼레이터로부터의 지시 입력을 접수하는 조작부(23)와, 각종 데이터를 표시하는 표시부(24)가 설치되어 있다. The control unit 20 includes an arithmetic unit 21 for processing various data according to a program, and a storage unit 22 for storing a program or various data. In addition, the front part of the control part 20 is provided with the operation part 23 which receives the instruction input from an operator, and the display part 24 which displays various data.

제어부(20)는 도시하지 않은 케이블에 의해 본체부(10)와 전기적으로 접속되어 있다. 제어부(20)는 조작부(23)로부터의 입력 신호나 리니어 인코더(53)로부터의 검출 결과에 의거하여 고정자(51) 및 이동자(52)의 동작을 제어한다. 이에 따라, 스테이지(30) 상의 가교부(40)의 동작이 제어된다. 또한, 제어부(20)는 조작부(23)로부터의 입력 신호나 도시하지 않은 각종 센서로부터의 신호에 의거하여, 승강 기구(43)의 동작이나 슬릿 노즐(42)로부터의 레지스트액의 토출 동작을 제어한다. The control part 20 is electrically connected with the main-body part 10 by the cable which is not shown in figure. The control unit 20 controls the operations of the stator 51 and the mover 52 based on the input signal from the operation unit 23 or the detection result from the linear encoder 53. As a result, the operation of the bridge portion 40 on the stage 30 is controlled. Moreover, the control part 20 controls the operation | movement of the lifting mechanism 43, and the discharge operation of the resist liquid from the slit nozzle 42 based on the input signal from the operation part 23, or the signal from the various sensors which are not shown in figure. do.

<2. 슬릿 노즐의 구성에 관하여> <2. About the configuration of the slit nozzle>

상기의 슬릿 노즐(42)의 구성에 관하여 다시 설명한다. 도 2는, 슬릿 노즐(42)의 노즐 본체부(71)의 구성을 도시한 사시도이다. The structure of said slit nozzle 42 is demonstrated again. FIG. 2: is a perspective view which shows the structure of the nozzle main-body part 71 of the slit nozzle 42. As shown in FIG.

도 2에 도시한 바와 같이, 노즐 본체부(71)의 내부에는 송액로(73)가 형성되어 있다. 송액로(73)는 레지스트액 공급원(75)과 접속되어 있다. 또한, 노즐 본체부(71)의 하단부에는 슬릿형상의 토출구(74)가 형성되어 있다. 레지스트액은 레지스트액 공급원(75)으로부터 송액로(73)로 공급되고, 토출구(74)로부터 기판(2)을 향하여 토출된다. As shown in FIG. 2, a liquid feeding path 73 is formed inside the nozzle body 71. The liquid feeding path 73 is connected to the resist liquid supply source 75. In addition, a slit-shaped discharge port 74 is formed at the lower end of the nozzle body 71. The resist liquid is supplied from the resist liquid supply source 75 to the liquid feeding path 73 and discharged from the discharge port 74 toward the substrate 2.

사이드 플레이트(72)는, 도 2에 도시한 노즐 본체부(71)의 양 단부(71d, 71e)에 부착된다. 즉, 노즐 본체부(71)는 송액로(73)의 전면(-X 측) 및 배면(+X 측)에 있어서 레지스트액의 흐름을 규정하고, 사이드 플레이트(72)는 송액로(73)의 양 단부(+Y 측 및 -Y측)에 있어서 레지스트액의 흐름을 규정한다. 또한, 노즐 본체부(71)는 토출구(74)의 길이 방향(Y 방향)을 따른 개구 가장자리를 규정하고, 사이드 플레이트(72)는 토출구(74)의 폭 방향(X 방향)을 따른 개구 가장자리를 규정한다. The side plate 72 is attached to both ends 71d and 71e of the nozzle main body 71 shown in FIG. That is, the nozzle main body 71 defines the flow of the resist liquid on the front side (-X side) and the rear side (+ X side) of the liquid feeding path 73, and the side plate 72 of the liquid feeding path 73 The flow of the resist liquid is defined at both ends (+ Y side and -Y side). Further, the nozzle body portion 71 defines the opening edge along the longitudinal direction (Y direction) of the discharge port 74, and the side plate 72 defines the opening edge along the width direction (X direction) of the discharge port 74. Regulate.

본 발명에 있어서, 사이드 플레이트(72)는 여러 가지 형태를 취할 수 있다. 이하에서는, 사이드 플레이트(72)의 여러 가지 형태에 관하여 설명한다. In the present invention, the side plate 72 may take various forms. Hereinafter, various aspects of the side plate 72 will be described.

<2-1. 사이드 플레이트의 제 1 형태><2-1. First form of side plate>

우선, 사이드 플레이트(72)의 제 1 형태에 관하여 설명한다. 도 3은, 제 1 형태에 따른 사이드 플레이트(721) 부근을, 송액로(73)를 포함하는 평면으로 절단한 단면도이다. 한편, 도 3 및 도 5 내지 도 16에 있어서는, 한 쪽의 사이드 플레이트부근만을 도시하였지만, 다른 쪽의 사이드 플레이트 부근도 동일한 구성이 된다. First, the first aspect of the side plate 72 will be described. FIG. 3: is sectional drawing which cut | disconnected the side plate 721 vicinity which concerns on 1st aspect to the plane containing the liquid feed path 73. As shown in FIG. On the other hand, in FIG. 3 and FIGS. 5-16, only one side plate vicinity was shown, but the other side plate vicinity also has the same structure.

사이드 플레이트(721)는 하단부(721a)의 Y 방향의 두께(d)가 0.7㎜ 이하가 되도록 가공되어 있다. 이 때문에, 토출구(74)로부터 토출된 레지스트액(90)이 사이드 플레이트(721)측으로 팽창되는 경우(도 3 중의 쇄선의 상태)에도, 그 팽창 폭은 대부분의 경우에 있어서 두께(d)의 범위 내로 억제된다. 이것은 레지스트액(90)의 팽창은 주로 사이드 플레이트(721)의 하단부(721a)와의 사이에서 생기는 메니스커스의 영향에 의한 것이기 때문이다. 이 때문에, 레지스트액의 도포 폭의 변동은 한 쪽에 대하여 두께(d)의 범위 내로 억제된다. The side plate 721 is processed so that the thickness d of the lower end part 721a in the Y direction may be 0.7 mm or less. For this reason, even when the resist liquid 90 discharged from the discharge port 74 expands to the side plate 721 side (the state of the broken line in FIG. 3), the expansion width is in the range of the thickness d in most cases. Suppressed into. This is because the expansion of the resist liquid 90 is mainly due to the influence of the meniscus generated between the lower end portion 721a of the side plate 721. For this reason, the fluctuation | variation of the application | coating width of a resist liquid is suppressed in the range of thickness d with respect to one side.

도 4는 일반적인 도포 조건(레지스트액(90)의 점도 : 2 내지 10cp, 슬릿 노즐(42)의 주사 속도 : 50 내지 150m/sec)에 있어서, 사이드 플레이트(721)의 하단부(721a)의 두께(d)를 변화시키고, 레지스트액(90)의 도포 폭이 지정 범위(1000±1㎜)에 들어가는지 여부를 조사한 결과이다. 이 결과에 의하면 두께(d)가 0.7㎜ 이하일 때에 도포 폭은 지정 범위에 들어가 안정된 도포 폭을 얻을 수 있었다. 4 shows the thickness of the lower end portion 721a of the side plate 721 under general application conditions (viscosity of the resist liquid 90: 2 to 10 cps, scanning speed of the slit nozzle 42: 50 to 150 m / sec). It is a result of having examined whether d) was changed and whether the application | coating width of the resist liquid 90 fell in the designated range (1000 +/- 1mm). According to this result, when the thickness d was 0.7 mm or less, the coating width fell into the designated range and a stable coating width was obtained.

도 3으로 되돌아가, 사이드 플레이트(721)의 하단부(721a)의 두께(d)는 0.01 ㎜ 이상이 되도록 가공되어 있다. 이 때문에, 사이드 플레이트(721)의 하단부(721a)에서의 강성을 확보할 수 있다. 또한, 사이드 플레이트(721)의 가공이 용이 해진다. Returning to FIG. 3, the thickness d of the lower end part 721a of the side plate 721 is processed so that it may become 0.01 mm or more. For this reason, the rigidity in the lower end part 721a of the side plate 721 can be ensured. In addition, the side plate 721 can be easily processed.

사이드 플레이트(721)의 하단부(721a)의 외측면(721b)은 테이퍼면으로 되어있다. 외측면(721b)의 수평면(XY 평면)에 대한 각도(θ)는 45도 이상으로 되어 있다. 이에 따라, 레지스트액(90)이 하단부(721a)의 두께(d)를 넘어 외측으로 팽창되는 것이 방지된다. The outer surface 721b of the lower end portion 721a of the side plate 721 is a tapered surface. Angle (theta) with respect to the horizontal surface (XY plane) of the outer side surface 721b is 45 degrees or more. Thereby, the resist liquid 90 is prevented from expanding outward beyond the thickness d of the lower end portion 721a.

사이드 플레이트(721)의 하단부(721a)의 외측면(721b)은 단차(721c)를 통해 사이드 플레이트(721)의 상부(721d)의 외측면(721e)과 연결되어 있다. 그리고, 사이드 플레이트(721)의 상부(721d)는 하단부(721a)의 두께(d)보다 큰 두께(d)를 갖고 있다. 이 때문에, 사이드 플레이트(721) 전체의 강성이 확보되고, 노즐 본체부(71)로의 설치도 용이해진다. The outer surface 721b of the lower end portion 721a of the side plate 721 is connected to the outer surface 721e of the upper portion 721d of the side plate 721 through the step 721c. The upper portion 721d of the side plate 721 has a thickness d larger than the thickness d of the lower end portion 721a. For this reason, the rigidity of the whole side plate 721 is ensured, and also the installation to the nozzle main-body part 71 becomes easy.

이와 같이, 제 1 형태에서는, 사이드 플레이트(721)의 하단부(721a)의 두께(d)를 0.7㎜ 이하로 한다. 이 때문에, 슬릿 노즐(42)의 이동 속도가 느릴 때나 레지스트액(90)의 점도가 낮을 때에도, 도포되는 레지스트액(90)의 외측으로의 팽창 폭을 작게 할 수 있다. 따라서, 레지스트액(90)의 도포 폭의 변동이 억제되는 동시에, 기판(2) 상에 형성되는 박막의 막두께 변동도 억제된다. Thus, in 1st aspect, the thickness d of the lower end part 721a of the side plate 721 shall be 0.7 mm or less. For this reason, even when the moving speed of the slit nozzle 42 is slow or when the viscosity of the resist liquid 90 is low, the expansion width to the outer side of the resist liquid 90 to apply can be made small. Therefore, the fluctuation of the coating width of the resist liquid 90 is suppressed, and the fluctuation of the film thickness of the thin film formed on the substrate 2 is also suppressed.

제 1 형태에 따른 사이드 플레이트(721)는, 도 5와 같이 구성되어도 좋다. 도 5에 있어서는, 사이드 플레이트(721)의 하단부(721a)의 외측면(721b)은 수평면에 대하여 90도의 각도(θ)를 갖고 있다. 즉, 사이드 플레이트(721)의 하단부(721a)의 외측면(721b)은 수평면에 대하여 수직으로 되어 있다. 이와 같이 하면, 레지스트액(90)이 하단부(721a)의 두께(d)를 넘어 외측으로 팽창되는 것을 더욱 방 지할 수 있다. The side plate 721 which concerns on a 1st aspect may be comprised like FIG. In FIG. 5, the outer surface 721b of the lower end portion 721a of the side plate 721 has an angle θ of 90 degrees with respect to the horizontal plane. That is, the outer surface 721b of the lower end portion 721a of the side plate 721 is perpendicular to the horizontal plane. In this way, the resist liquid 90 can be further prevented from expanding outward beyond the thickness d of the lower end portion 721a.

제 1 형태에 따른 사이드 플레이트(721)는 도 6과 같이 구성되어도 좋다. 도 6의 사이드 플레이트(721)는 송액로(73) 및 토출구(74)의 단부를 규정하는 박판(721f)과, 박판(721f)의 외측에 부착되는 가압 부재(721g)를 조합하여 구성되어 있다. 이와 같이 하면, 박판(721f) 및 가압 부재(721g)의 각각은 간이한 형상이 된다. 이 때문에, 하단부(721a)의 두께를 얇게 하고, 또한, 단차(721c)를 갖는 사이드 플레이트(721)의 형상을 용이하게 형성할 수 있다. The side plate 721 which concerns on a 1st aspect may be comprised like FIG. The side plate 721 of FIG. 6 is comprised combining the thin plate 721f which defines the edge part of the liquid feed path 73 and the discharge port 74, and the press member 721g attached to the outer side of the thin plate 721f. . In this way, each of the thin plate 721f and the pressing member 721g becomes a simple shape. For this reason, the thickness of the lower end part 721a can be made thin, and the shape of the side plate 721 which has the level | step difference 721c can be formed easily.

<2-2. 사이드 플레이트의 제 2 형태><2-2. Second form of side plate>

다음에, 사이드 플레이트(72)의 제 2 형태에 관하여 설명한다. 도 7은 제 2 형태에 따른 사이드 플레이트(722) 부근을 송액로(73)를 포함하는 평면으로 절단한 단면도이다. Next, a second aspect of the side plate 72 will be described. FIG. 7: is sectional drawing which cut | disconnected the vicinity of the side plate 722 which concerns on a 2nd form to the plane containing the liquid feeding path 73. As shown in FIG.

사이드 플레이트(722)의 하단부(722a)는 노즐 본체부(71)의 하단부(71f)보다 아래쪽에 설치된다. 즉, 사이드 플레이트(722)의 노즐 본체부(71)측의 면(송액로(73)의 단부를 규정하는 면)은 노즐 본체부(71)의 하단부(71f)보다 아래 쪽까지 연장되어 있다. 이 때문에, 사이드 플레이트(722)와 기판(2)의 거리(L2)는 노즐 본체부(71)와 기판(2)의 거리(L1)보다 작다. The lower end portion 722a of the side plate 722 is provided below the lower end portion 71f of the nozzle body portion 71. That is, the surface (surface defining the end of the liquid feed passage 73) on the side of the nozzle main body 71 of the side plate 722 extends below the lower end 71f of the nozzle main body 71. For this reason, the distance L2 of the side plate 722 and the board | substrate 2 is smaller than the distance L1 of the nozzle main body 71 and the board | substrate 2.

토출구(74)로부터 토출된 레지스트액(90)은 사이드 플레이트(722) 및 기판(2) 사이에서 메니스커스 부분(90a)을 형성한다. 본 형태에서는 사이드 플레이트(722)의 하단부(722a)를 기판(2)에 접근시키기 때문에, 메니스커스 부분(90a)의 곡률 반경(r)은 작아진다. 레지스트액(90)의 표면 장력을 γ로 하면 레지스트액(90) 을 외측 방향(Y 방향)을 향하여 빼는 힘이 되는 라플라스 압력(ΔP)은 ΔP=2γ/r로 나타낸다. 이 때문에, 메니스커스 부분(90a)의 곡률 반경(r)이 작아지면 라플라스 압력(ΔP)은 커진다. 즉, 모관 현상의 영향이 강해지고, 레지스트액(90)은 외측으로 강하게 끌리게 된다. 이에 따라, 토출구(74)로부터 토출된 레지스트액(90)이 내측으로 줄어드는 경우에도 그 축소 폭을 작게 할 수 있다. The resist liquid 90 discharged from the discharge port 74 forms a meniscus portion 90a between the side plate 722 and the substrate 2. In this embodiment, since the lower end portion 722a of the side plate 722 approaches the substrate 2, the radius of curvature r of the meniscus portion 90a is reduced. When the surface tension of the resist liquid 90 is γ, the Laplace pressure ΔP, which is a force for pulling the resist liquid 90 toward the outer direction (Y direction), is represented by ΔP = 2γ / r. For this reason, when the curvature radius r of the meniscus part 90a becomes small, the laplace pressure (DELTA) P becomes large. That is, the influence of the capillary phenomenon becomes stronger, and the resist liquid 90 is strongly attracted to the outside. Thereby, even when the resist liquid 90 discharged | emitted from the discharge port 74 reduces inward, the reduction width can be made small.

한편, 레지스트액(90)이 크게 바깥쪽으로 팽창되는 것을 방지하기 위하여, 상기 거리(L1)와 거리(L2)의 차이는 100㎛ 이하 혹은 거리(L1)의 70% 이하로 하는 것이 바람직하다. On the other hand, in order to prevent the resist liquid 90 from greatly expanding outward, the difference between the distance L1 and the distance L2 is preferably 100 μm or less or 70% or less of the distance L1.

본 형태에서는, 슬릿 노즐(42) 전체가 아니라 사이드 플레이트(722)만을 기판(2)에 접근시키고 있다. 이 때문에, 기판(2)이 융기부를 갖는 경우나, 기판(2) 상에 쓰레기가 실려 있는 경우에도, 그들에 노즐 본체부(71)가 접촉되는 일은 없다. 즉, 노즐 본체부(71)는 쓰레기 등에 의해 손상을 받는 일이 없고, 비싼 노즐 본체부(71)를 교환하기 위한 비용이나 시간을 저감시킬 수 있다. In this embodiment, only the side plate 722 is approaching the substrate 2, not the entire slit nozzle 42. For this reason, even when the board | substrate 2 has a ridge | bulb part and the garbage is loaded on the board | substrate 2, the nozzle main body part 71 does not contact them. That is, the nozzle main body 71 is not damaged by rubbish or the like, and the cost and time for replacing the expensive nozzle main body 71 can be reduced.

이와 같이, 제 2 형태에서는, 사이드 플레이트(722)의 하단부(722a)는 노즐 본체부(71)의 하단부(71f)보다 아래쪽에 설치된다. 이 때문에, 슬릿 노즐(42)의 이동 속도가 빠를 때나 레지스트액(90)의 점도가 높을 때에도, 도포되는 레지스트액(90)의 내측으로의 축소 폭을 작게 할 수 있다. 따라서, 레지스트액(90)의 도포 폭의 변동이 억제되는 동시에, 기판(2) 상에 형성되는 박막의 막두께 변동도 억제된다. As described above, in the second aspect, the lower end portion 722a of the side plate 722 is provided below the lower end portion 71f of the nozzle body portion 71. For this reason, even when the moving speed of the slit nozzle 42 is fast or when the viscosity of the resist liquid 90 is high, the reduction width inside the applied resist liquid 90 can be made small. Therefore, the fluctuation of the coating width of the resist liquid 90 is suppressed, and the fluctuation of the film thickness of the thin film formed on the substrate 2 is also suppressed.

제 2 형태에 따른 사이드 플레이트(722)는 도 8 내지 도 10과 같이 구성되어 도 좋다. 도 8 내지 도 10에 있어서는, 사이드 플레이트(722)의 하단부(722a)의 Y 방향의 두께(d)를, 0.01㎜ 이상 또한 0.7㎜ 이하로 한다. 또한, 사이드 플레이트(722)의 하단부(722a)의 외측면(722b)의 수평면에 대한 각도(θ)는 45도 이상으로 되어 있다. 이와 같이 하면, 본 형태의 효과에 더하여 상기 제 1 형태의 효과도 얻을 수 있다. The side plate 722 according to the second aspect may be configured as shown in FIGS. 8 to 10. 8-10, the thickness d of the lower end part 722a of the side plate 722 in the Y direction shall be 0.01 mm or more and 0.7 mm or less. Moreover, the angle (theta) with respect to the horizontal surface of the outer side surface 722b of the lower end part 722a of the side plate 722 is 45 degrees or more. By doing in this way, the effect of the said 1st aspect can also be acquired in addition to the effect of this aspect.

<2-3. 사이드 플레이트의 제 3 형태><2-3. Third form of side plate>

계속해서, 사이드 플레이트(72)의 제 3 형태에 대해서 설명한다. 도 11은 제 3 형태에 따른 사이드 플레이트(723) 부근을 송액로(73)를 포함하는 평면으로 절단한 단면도이다. Next, the third aspect of the side plate 72 will be described. 11 is a cross-sectional view of the vicinity of the side plate 723 according to the third embodiment, cut into a plane including the liquid feeding path 73.

사이드 플레이트(723)의 하단부(723a)는 노즐 본체부(71)의 하단부(71f)보다 위쪽에 설치된다. 즉, 사이드 플레이트(723)의 노즐 본체부(71)측의 면(송액로(73)의 단부를 규정하는 면)은 노즐 본체부(71)의 하단부(71f)까지 닿고 있지 않다. 이 때문에, 사이드 플레이트(723)와 기판(2)의 거리(L3)는 노즐 본체부(71)와 기판(2)과의 거리(L1)보다 크다. The lower end portion 723a of the side plate 723 is provided above the lower end portion 71f of the nozzle body portion 71. That is, the surface (surface defining the end of the liquid feed passage 73) on the side of the nozzle main body 71 of the side plate 723 does not touch the lower end 71f of the nozzle main body 71. For this reason, the distance L3 of the side plate 723 and the board | substrate 2 is larger than the distance L1 of the nozzle main body part 71 and the board | substrate 2.

본 형태에서는, 사이드 플레이트(723)의 하단부(723a)와 기판(2)의 거리가 멀기 때문에, 레지스트액(90)을 외측 방향으로 빼는 라플라스 압력(ΔP)은 작다. 이 때문에, 토출구(74)로부터 토출된 레지스트액(90)이 외측으로 팽창되는 경우에도 그 팽창 폭을 작게 할 수 있다. In this embodiment, since the distance between the lower end part 723a of the side plate 723 and the board | substrate 2 is large, the Laplace pressure (DELTA) P which pulls out the resist liquid 90 to an outward direction is small. For this reason, even when the resist liquid 90 discharged | emitted from the discharge port 74 expands outward, the expansion width can be made small.

본 형태는 슬릿 노즐(42)의 이동 속도가 현저하게 느릴 때나, 레지스트액(90)의 점도가 현저히 낮을 때에 특히 유효하다. 이러한 때에는 레지스트액(90)은 사이드 플레이트(723)의 하단부를 넘어 외측으로 팽창되고, 끝 가장자리부에 돌출부(90b)를 형성하는 경향이 있다(도 11 중의 쇄선의 상태). 본 형태와 같이 사이드 플레이트(722)의 하단부(723a)를 기판(2)으로부터 크게 이격시켜 놓으면, 외측에 대한 팽창 폭을 작게 할 수 있는 동시에 상기 돌출부(90b)를 해소할 수 있다. This embodiment is particularly effective when the moving speed of the slit nozzle 42 is remarkably slow or when the viscosity of the resist liquid 90 is remarkably low. At this time, the resist liquid 90 expands outward beyond the lower end of the side plate 723 and tends to form a protruding portion 90b at the edge portion (the state of the broken line in FIG. 11). If the lower end portion 723a of the side plate 722 is spaced apart from the substrate 2 as in this embodiment, the inflation width with respect to the outside can be reduced and the protrusion 90b can be eliminated.

한편, 레지스트액(90)이 크게 내측으로 줄어드는 것을 방지하기 위하여, 상기의 거리(L1)와 거리(L2)의 차이는 500㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. On the other hand, in order to prevent the resist liquid 90 from greatly decreasing inward, it is preferable that the difference between the distance L1 and the distance L2 is set to 500 µm or less.

본 형태에서는 슬릿 노즐(42) 전체가 아니라, 사이드 플레이트(723)만을 기판(2)으로부터 멀게 한다. 이 때문에, 노즐 본체부(71)와 기판(2)의 거리를 레지스트액(90)의 도포를 위해 최적의 거리(L1)로 유지하면서, 사이드 플레이트(723)와 기판(2)의 거리(L3)를 크게 확보할 수 있다. In this embodiment, only the side plate 723 is away from the substrate 2, not the entire slit nozzle 42. For this reason, while maintaining the distance between the nozzle main body 71 and the board | substrate 2 at the optimal distance L1 for application | coating of the resist liquid 90, the distance L3 of the side plate 723 and the board | substrate 2 ) Can be largely secured.

이와 같이, 제 3 형태에서는 사이드 플레이트(723)의 하단부(723a)는 노즐 본체부(71)의 하단부(71f)보다 위쪽에 설치된다. 이 때문에, 슬릿 노즐(42)의 이동 속도가 느릴 때나 레지스트액(90)의 점도가 낮을 때에도, 도포되는 레지스트액(90)의 외측으로의 팽창 폭을 작게 할 수 있다. 또한, 레지스트액(90)의 끝 가장자리부에 형성되는 돌출부(90b)를 해소할 수도 있다. 따라서, 레지스트액(90)의 도포 폭의 변동이 억제되는 동시에, 기판(2) 상에 형성되는 박막의 막두께 변동도 억제된다. As described above, in the third aspect, the lower end portion 723a of the side plate 723 is provided above the lower end portion 71f of the nozzle body portion 71. For this reason, even when the moving speed of the slit nozzle 42 is slow or when the viscosity of the resist liquid 90 is low, the expansion width to the outer side of the resist liquid 90 to apply can be made small. In addition, the protrusion 90b formed at the edge of the resist liquid 90 can be eliminated. Therefore, the fluctuation of the coating width of the resist liquid 90 is suppressed, and the fluctuation of the film thickness of the thin film formed on the substrate 2 is also suppressed.

제 3 형태에 따른 사이드 플레이트(723)는 도 12 내지 도 14와 같이 구성되어도 좋다. 도 12 내지 도 14에 있어서는, 사이드 플레이트(723)의 하단부(723a)의 Y 방향의 두께(d)를 0.01㎜ 이상 또한 0.7㎜ 이하로 한다. 또한, 사이드 플레 이트(723)의 하단부(723a)의 외측면(723b)의 수평면에 대한 각도(θ)는 45도 이상이 된다. 이와 같이 하면, 본 형태의 효과에 더하여 상기 제 1 형태의 효과도 얻을 수 있다. The side plate 723 which concerns on a 3rd form may be comprised like FIG. 12 thru | or FIG. 12-14, the thickness d of the lower end part 723a of the side plate 723 in the Y direction is made 0.01 mm or more and 0.7 mm or less. Further, the angle θ with respect to the horizontal plane of the outer surface 723b of the lower end portion 723a of the side plate 723 is 45 degrees or more. By doing in this way, the effect of the said 1st aspect can also be acquired in addition to the effect of this aspect.

<2-4. 사이드 플레이트의 제 4 형태><2-4. Fourth Form of Side Plate>

마지막으로, 사이드 플레이트(72)의 제 4 형태에 관하여 설명한다. 도 15는 제 4 형태에 따른 사이드 플레이트(724) 부근을 송액로(73)를 포함하는 평면으로 절단한 단면도이다. Finally, a fourth aspect of the side plate 72 will be described. FIG. 15 is a cross-sectional view of the vicinity of the side plate 724 according to the fourth embodiment, cut into a plane including the liquid feeding path 73.

사이드 플레이트(724)는 송액로(73) 및 토출구(74)의 단부를 규정하는 가동판(724a)과, 노즐 본체부(71)에 고착되는 가압 부재(724b)를 조합하여 구성되어 있다. 가동판(724a)은 그 상부에 비틀려 넣어진 조정 볼트(724c)를 통해 가압 부재(724b)와 연결되어 있다. 이 때문에, 조정 볼트(724c)를 돌림으로써 가동판(724a)을 상하로 승강시킬 수 있다. 즉, 이 사이드 플레이트(724)는 가동판(724a)의 높이를 조절하고, 그것에 의하여 사이드 플레이트(724)의 하단부(724d)의 높이를 조절할 수 있다. The side plate 724 is comprised combining the movable plate 724a which defines the edge part of the liquid feed path 73 and the discharge port 74, and the press member 724b fixed to the nozzle main body 71. As shown in FIG. The movable plate 724a is connected with the press member 724b through the adjustment bolt 724c twisted in the upper part. For this reason, the movable plate 724a can be moved up and down by turning the adjustment bolt 724c. That is, this side plate 724 can adjust the height of the movable plate 724a, and can adjust the height of the lower end part 724d of the side plate 724 by this.

가동판(724a)의 높이는 슬릿 노즐(42)의 이동 속도나, 레지스트액(90)의 점도에 따라 조절한다. 예를 들면, 슬릿 노즐(42)을 저속으로 이동시킬 때나, 레지스트액(90)의 점도가 낮을 때에는, 가동판(724a)을 비교적 높은 위치에 조절해 둔다. 이와 같이 하면, 가동판(724a)의 하단부(724d)와 기판(W)의 거리가 커지고, 도포되는 레지스트액(90)의 외측으로의 팽창 폭을 작게 할 수 있다. 또한, 슬릿 노즐(42)을 고속으로 이동시킬 때나, 레지스트액(90)의 점도가 높을 때에는, 가동 판(724a)을 비교적 낮은 위치로 조절해 둔다. 이와 같이 하면, 가동판(724a)의 하단부(724d)와 기판(W)의 거리가 작아지고, 도포되는 레지스트액(90)의 내측으로의 축소 폭을 작게 할 수 있다. The height of the movable plate 724a is adjusted according to the moving speed of the slit nozzle 42 and the viscosity of the resist liquid 90. For example, when the slit nozzle 42 is moved at low speed, or when the viscosity of the resist liquid 90 is low, the movable plate 724a is adjusted to a relatively high position. In this way, the distance between the lower end part 724d of the movable plate 724a and the board | substrate W becomes large, and the expansion width to the outer side of the resist liquid 90 apply | coated can be made small. In addition, when the slit nozzle 42 is moved at high speed or when the viscosity of the resist liquid 90 is high, the movable plate 724a is adjusted to a relatively low position. In this way, the distance between the lower end part 724d of the movable plate 724a and the board | substrate W becomes small, and the shrinkage width to the inside of the resist liquid 90 apply | coated can be made small.

제 4 형태에 따른 사이드 플레이트(724)는, 도 16과 같이 구성되어도 좋다. 도 16의 사이드 플레이트(724)에 있어서는, 가동판(724)과 가압 부재(724b)가 고정축(724e) 둘레에 회동하는 편심 캠(724f)을 통해 연결되어 있다. 이러한 구성이라도, 편심 캠(724f)을 회동킴으로써 가동판(724a)의 높이를 조절할 수 있다. The side plate 724 which concerns on a 4th aspect may be comprised like FIG. In the side plate 724 of FIG. 16, the movable plate 724 and the press member 724b are connected through the eccentric cam 724f which rotates around the fixed shaft 724e. Even in such a configuration, the height of the movable plate 724a can be adjusted by rotating the eccentric cam 724f.

한편, 사이드 플레이트(724)는 상기 조정 볼트(724c) 또는 편심 캠(724f)을 수동으로 주사하여 가동판(724a)의 높이를 조절하는 구성이어도 좋지만, 모터 등의 동력원을 이용하여 가동판(724a)의 높이를 조절하는 구성이어도 좋다. 또한, 제어부(20)와 동력원을 전기적으로 접속하고, 제어부(20)로부터의 신호에 의거하여 자동적으로 가동판(724a)의 높이가 조절되는 구성이어도 좋다. On the other hand, the side plate 724 may be configured to manually scan the adjustment bolt 724c or the eccentric cam 724f to adjust the height of the movable plate 724a. However, the movable plate 724a may be formed using a power source such as a motor. The height may be adjusted. Moreover, the structure which electrically connects the control part 20 and a power source, and adjusts the height of the movable plate 724a automatically based on the signal from the control part 20 may be sufficient.

또한, 가동판(724a)의 높이는 슬릿 노즐(42)의 정지시에 조절되도록 해도 좋지만, 슬릿 노즐(42)의 주사 중에 조절되도록 해도 좋다. 도 17은 슬릿 노즐(42)의 주사 중에, 제어부(20)가 가동판(724a)의 높이를 조절하기 위한 전기적 구성을 도시하고 있다. 제어부(20)는 리니어 인코더(53)로부터의 검출 신호에 의거하여, 슬릿 노즐(42)의 실제 속도를 산출한다. 그리고, 제어부(20)는 슬릿 노즐(42)의 실제 속도에 의거하여 동력원(724g)을 제어한다. 이에 따라, 슬릿 노즐(42)의 실제 속도에 따라 조정 볼트(724c)를 동작시키고, 가동판(724a)의 높이를 조절할 수 있다. 동일한 구성을 도 16의 편심 캠(724f)에 적용해도 좋다. The height of the movable plate 724a may be adjusted at the time of stopping the slit nozzle 42, but may be adjusted during scanning of the slit nozzle 42. FIG. 17 shows an electrical configuration for the control unit 20 to adjust the height of the movable plate 724a during the scanning of the slit nozzle 42. The control unit 20 calculates the actual speed of the slit nozzle 42 based on the detection signal from the linear encoder 53. Then, the control unit 20 controls the power source 724g based on the actual speed of the slit nozzle 42. Thereby, the adjustment bolt 724c can be operated according to the actual speed of the slit nozzle 42, and the height of the movable plate 724a can be adjusted. The same configuration may be applied to the eccentric cam 724f in FIG. 16.

이러한 슬릿 노즐(42)을 이용하여 도포 처리를 행할 때에는, 슬릿 노즐(42)의 토출구(74)로부터 기판(2)을 향하여 레지스트액을 토출한다. 그리고, 구동부(50)에 의해 슬릿 노즐(42)을 이동시키고, 그 이동 속도에 따라 가동판(724a)의 높이를 조절한다. When performing a coating process using such a slit nozzle 42, the resist liquid is discharged toward the board | substrate 2 from the discharge port 74 of the slit nozzle 42. FIG. And the slit nozzle 42 is moved by the drive part 50, and the height of the movable plate 724a is adjusted according to the moving speed.

슬릿 노즐(42)의 속도와 가동판(724a)의 높이의 관계는, 예를 들면, 도 18과 같은 관계로 한다. 즉, 주사 개시 직후나 정지 직전과 같이, 슬릿 노즐(42)이 저속일 때에는, 가동판(724a)을 비교적 높은 위치로 상승시킨다. 그리고, 슬릿 노즐(42)을 고속으로 이동시킬 때에는, 가동판(724a)을 비교적 낮은 위치로 하강시킨다. 이와 같이 하면, 레지스트액(90)의 외측으로의 팽창 폭이나, 내측으로의 축소 폭을 적절하게 작게 할 수 있다. The relationship between the speed of the slit nozzle 42 and the height of the movable plate 724a assumes the relationship as shown in FIG. 18, for example. That is, immediately after the start of scanning or just before stop, when the slit nozzle 42 is at low speed, the movable plate 724a is raised to a relatively high position. When the slit nozzle 42 is moved at high speed, the movable plate 724a is lowered to a relatively low position. In this manner, the expansion width to the outside of the resist liquid 90 and the reduction width to the inside can be appropriately reduced.

한편, 제어부(20)는 레지스트액(90)의 점도에 의거하여 동력원(724g)을 제어해도 좋다. 레지스트액(90)의 점도와 가동판(724a)의 높이의 관계는, 예를 들면, 도 19와 같은 관계로 한다. 즉, 레지스트액(90)의 점도가 낮을 때에는 가동판(724a)을 비교적 높은 위치로 상승시킨다. 그리고, 레지스트액의 점도가 높을 때에는, 가동판(724a)을 비교적 낮은 위치에 하강시킨다. 또한, 제어부(20)는 슬릿 노즐(42)의 이동 속도 및 레지스트액(90)의 점도의 양 조건에 의거하여 동력원(724g)을 제어해도 좋다. In addition, the control part 20 may control the power source 724g based on the viscosity of the resist liquid 90. FIG. The relationship between the viscosity of the resist liquid 90 and the height of the movable plate 724a is, for example, as shown in FIG. 19. That is, when the viscosity of the resist liquid 90 is low, the movable plate 724a is raised to a relatively high position. When the viscosity of the resist liquid is high, the movable plate 724a is lowered to a relatively low position. Moreover, the control part 20 may control the power source 724g based on both conditions of the moving speed of the slit nozzle 42, and the viscosity of the resist liquid 90. FIG.

<3. 변형예> <3. Variation>

이상, 본 발명의 실시형태에 관하여 설명하였지만, 본 발명은 상기의 예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기의 기판 처리 장치(1)는 정지시킨 기판(2) 에 대하여 슬릿 노즐(42)을 주사시키는 구성이었지만, 고정된 슬릿 노즐(42)에 대하여 기판(2)을 이동시키는 구성이라도 좋다. 즉, 기판에 대하여 슬릿 노즐(42)을 상대적으로 주사시키는 구성이면 좋다. As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said example. For example, although the said substrate processing apparatus 1 was a structure which scans the slit nozzle 42 with respect to the stopped board | substrate 2, even if it is the structure which moves the board | substrate 2 with respect to the fixed slit nozzle 42, good. That is, what is necessary is just a structure which scans the slit nozzle 42 relatively with respect to a board | substrate.

또한, 상기의 예에서는, 노즐 본체부(71)는 송액로(73)보다 전방측(+X측)인 하단부와, 송액로(73)보다 후방측(-X측)인 하단부의 높이가 동등한 경우에 관하여 설명하였다. 이 경우에는, 상기 사이드 플레이트(72)의 하단부(사이드 플레이트(721, 722, 723)의 하단부 또는 가동판(724d)의 하단부)는 노즐 본체부(71)의 하단부(71f)보다 낮은 위치로부터 높은 위치까지의 범위로 설정된다. 그러나, 도 20과 같이, 노즐 본체부(71)는 송액로(73)보다 전방측인 하단부(71g)가 송액로(73)보다 후방측인 하단부(71h)보다 아래쪽에 위치하도록 되어 있어도 좋다. 이 경우에는, 상기의 사이드 플레이트(72)의 하단부는 노즐 본체부(71)의 전방측의 하단부(노즐 본체부(71)의 최하단부 : 71g)보다 낮은 위치(h1)로부터 노즐 본체부(71)의 후방측의 하단부(71h)보다 높은 위치(h2)까지의 범위로 설정되는 것이 바람직하다. 또한, 도 21과 같이 노즐 본체부(71)는 송액로(73)보다 전방측인 하단부(71g)가, 송액로(73)보다 후방측인 하단부(71h)보다 위쪽에 위치하도록 되어 있어도 좋다. 이 경우에는 상기의 사이드 플레이트(72)의 하단부는 노즐 본체부(71)의 후방측인 하단부(노즐 본체부(71)의 최하단부 : 71h)보다 낮은 위치(h3)로부터 노즐 본체부(71)의 전방측인 하단부(71g)보다 높은 위치(h4)까지의 범위로 설정되는 것이 바람직하다. 사이드 플레이트(72)의 높이를 이러한 범위로 설정하면 보다 안정된 도포 폭을 얻을 수 있다. In addition, in the above example, the nozzle main body 71 has the same height of the lower end portion that is the front side (+ X side) than the liquid feeding passage 73 and the lower end portion that is the rear side (-X side) than the liquid feeding passage 73. The case was explained. In this case, the lower end of the side plate 72 (the lower end of the side plates 721, 722, 723 or the lower end of the movable plate 724d) is higher than the lower end 71f of the nozzle body 71. It is set in the range up to the position. However, as shown in FIG. 20, the nozzle main body 71 may be set so that the lower end 71g of the front side of the liquid feeding path 73 may be located below the lower end 71h of the back side of the liquid feeding path 73. As shown in FIG. In this case, the lower end portion of the side plate 72 is located from the lower portion of the front side of the nozzle body portion 71 (lower end portion of the nozzle body portion 71: 71 g) from the position h1 of the nozzle body portion 71. It is preferable to set in the range up to the position h2 higher than the lower end portion 71h on the rear side of. In addition, as shown in FIG. 21, the lower end portion 71g on the front side of the nozzle main body 71 may be positioned above the lower end portion 71h on the rear side of the liquid feeding passage 73. In this case, the lower end portion of the side plate 72 is located at a position lower than the lower end portion (lowest end portion of the nozzle body portion 71: 71h) of the nozzle body portion 71 from the position h3 of the nozzle body portion 71. It is preferable to set in the range to the position h4 higher than the lower end part 71g which is a front side. When the height of the side plate 72 is set in such a range, a more stable coating width can be obtained.

또한, 처리 대상의 기판은 액정용 유리 기판에 한하지 않고, 반도체 기판이나 포토 마스크 등이어도 좋다. 또한, 도포하는 처리액은 레지스트액에 한하지 않고 현상액 등의 다른 처리액이라도 좋다. In addition, the board | substrate of a process target is not limited to the glass substrate for liquid crystals, A semiconductor substrate, a photomask, etc. may be sufficient. The processing liquid to be applied is not limited to the resist liquid, but may be other processing liquids such as a developing solution.

청구항 1 내지 청구항 6 및 이들을 인용하는 청구항 10에 기재된 발명에 의하면, 사이드 플레이트의 하단부의 두께를 0.7㎜ 이하로 한다. 이 때문에, 도포되는 처리액의 외측으로의 팽창 폭을 작게 할 수 있다. 따라서, 처리액의 도포 폭의 변동이 억제되는 동시에, 형성되는 박막의 막두께 변동도 억제된다. According to invention of Claim 1 thru | or 6, and Claim 10 which quotes these, thickness of the lower end part of a side plate shall be 0.7 mm or less. For this reason, the width | variety of expansion to the outer side of the process liquid apply | coated can be made small. Therefore, the fluctuation | variation of the application | coating width | variety of a process liquid is suppressed, and the fluctuation of the film thickness of the formed thin film is also suppressed.

특히, 청구항 2에 기재된 발명에 의하면, 사이드 플레이트의 하단부의 외측면의 수평면에 대한 각도를 45도 이상으로 한다. 이 때문에, 처리액이 사이드 플레이트의 하단부를 넘어 외측으로 팽창되는 것을 방지할 수 있다. Especially, according to invention of Claim 2, the angle with respect to the horizontal surface of the outer surface of the lower end part of a side plate shall be 45 degrees or more. For this reason, it can prevent that a process liquid expands outward beyond the lower end part of a side plate.

특히, 청구항 3에 기재된 발명에 의하면, 사이드 플레이트의 하단부는 노즐 본체부의 하단부보다 아래쪽에 위치한다. 이 때문에, 처리액을 외측으로 빼는 압력이 강해지고, 도포되는 처리액의 내측으로의 축소 폭을 작게 할 수 있다. 따라서, 처리액의 도포 폭의 변동이 더욱 억제된다. In particular, according to the invention described in claim 3, the lower end of the side plate is located below the lower end of the nozzle body. For this reason, the pressure which pulls out a process liquid outside becomes strong, and the width | variety which is reduced inward of the process liquid apply | coated can be made small. Therefore, the fluctuation | variation of the application | coating width of a process liquid is further suppressed.

특히, 청구항 4에 기재된 발명에 의하면, 사이드 플레이트의 하단부는 노즐 본체부의 하단부보다 위쪽에 위치한다. 이 때문에, 처리액을 외측으로 빼는 압력이 약해지고, 도포되는 처리액의 외측으로의 팽창 폭을 작게 할 수 있다. 따라서, 처리액의 도포 폭의 변동이 더욱 억제된다. In particular, according to the invention described in claim 4, the lower end of the side plate is located above the lower end of the nozzle body. For this reason, the pressure which pulls out a process liquid outside becomes weak, and the expansion width to the outside of the process liquid apply | coated can be made small. Therefore, the fluctuation | variation of the application | coating width of a process liquid is further suppressed.

특히, 청구항 5에 기재된 발명에 의하면, 슬릿 노즐의 이동 속도나 처리액의 점도에 따라 사이드 플레이트의 하단부의 높이를 조절할 수 있다. 이 때문에, 처리액의 외측으로의 팽창 폭이나, 내측으로의 축소 폭을 상황에 따라 적절히 작게 할 수 있다. In particular, according to the invention described in claim 5, the height of the lower end of the side plate can be adjusted according to the moving speed of the slit nozzle or the viscosity of the processing liquid. For this reason, the expanded width to the outside of the processing liquid and the reduced width to the inside can be appropriately reduced according to circumstances.

특히, 청구항 6에 기재된 발명에 의하면, 박판 및 가압 부재의 각각을 간이한 형상으로 할 수 있다. 이 때문에, 사이드 플레이트를 용이하게 형성할 수 있다. In particular, according to invention of Claim 6, each of a thin plate and a press member can be made into a simple shape. For this reason, a side plate can be formed easily.

또한, 청구항 7 및 이것을 인용하는 청구항 10에 기재된 발명에 의하면, 사이드 플레이트의 하단부는 노즐 본체부의 하단부보다 아래쪽에 위치한다. 이 때문에, 처리액을 외측으로 빼는 압력이 강해지고, 도포되는 처리액의 내측으로의 축소 폭을 작게 할 수 있다. 따라서, 처리액의 도포 폭의 변동이 억제되는 동시에, 형성되는 박막의 막두께 변동도 억제된다. Moreover, according to invention of Claim 7 and Claim 10 which quoted this, the lower end part of a side plate is located below the lower end part of a nozzle main body part. For this reason, the pressure which pulls out a process liquid outside becomes strong, and the width | variety which is reduced inward of the process liquid apply | coated can be made small. Therefore, the fluctuation | variation of the application | coating width | variety of a process liquid is suppressed, and the fluctuation of the film thickness of the formed thin film is also suppressed.

또한, 청구항 8 및 이것을 인용하는 청구항 10에 기재된 발명에 의하면, 사이드 플레이트의 하단부는 노즐 본체부의 하단부보다 위쪽에 위치한다. 이 때문에, 처리액을 외측으로 빼는 압력이 약해지고, 도포되는 처리액의 외측으로의 팽창 폭을 작게 할 수 있다. 따라서, 처리액의 도포 폭의 변동이 억제되는 동시에, 형성되는 박막의 막두께 변동도 억제된다. Moreover, according to invention of Claim 8 and Claim 10 which quotes this, the lower end part of a side plate is located above upper end part of a nozzle main body part. For this reason, the pressure which pulls out a process liquid outside becomes weak, and the expansion width to the outside of the process liquid apply | coated can be made small. Therefore, the fluctuation | variation of the application | coating width | variety of a process liquid is suppressed, and the fluctuation of the film thickness of the formed thin film is also suppressed.

또한, 청구항 9 및 이것을 인용하는 청구항 10, 11에 기재된 발명에 의하면, 슬릿 노즐의 이동 속도나 처리액의 점도에 따라 사이드 플레이트의 하단부의 높이를 조절할 수 있다. 이 때문에, 처리액의 외측으로의 팽창 폭이나, 내측으로의 축소 폭을 상황에 따라 적절히 작게 할 수 있다. 따라서, 처리액의 도포 폭의 변동 이 억제되는 동시에, 형성되는 박막의 막두께 변동도 억제된다.Moreover, according to invention of Claim 9 and Claims 10 and 11 which refer to this, the height of the lower end part of a side plate can be adjusted according to the moving speed of a slit nozzle, and the viscosity of a process liquid. For this reason, the expanded width to the outside of the processing liquid and the reduced width to the inside can be appropriately reduced according to circumstances. Therefore, the fluctuation of the coating width of the treatment liquid is suppressed and the fluctuation of the film thickness of the formed thin film is also suppressed.

Claims (11)

슬릿형상의 토출구를 그 하부에 갖는 슬릿 노즐에 있어서, In the slit nozzle having a slit-shaped discharge port in the lower portion, 상기 토출구의 길이 방향을 따른 개구 가장자리를 규정하는 노즐 본체부와, A nozzle body portion defining an opening edge along the longitudinal direction of the discharge port; 상기 노즐 본체부의 양단에 각각 부착되고, 상기 토출구의 폭 방향을 따른 개구 가장자리를 규정하는 한 쌍의 사이드 플레이트를 구비하고, A pair of side plates attached to both ends of the nozzle body part and defining opening edges in a width direction of the discharge port, 상기 사이드 플레이트의 하단부의 두께는 0.7㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 슬릿 노즐. Slit nozzle, characterized in that the thickness of the lower end of the side plate is 0.7mm or less. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 사이드 플레이트의 하단부의 외측면의 수평면에 대한 각도가 45도 이상인 것을 특징으로 하는 슬릿 노즐. Slit nozzle, characterized in that the angle to the horizontal surface of the outer surface of the lower end of the side plate is 45 degrees or more. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 사이드 플레이트의 하단부는 상기 노즐 본체부의 하단부보다 아래쪽에 위치하는 것을 특징으로 하는 슬릿 노즐. The lower end of the side plate is positioned below the lower end of the nozzle body portion, the slit nozzle. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 사이드 플레이트의 하단부는 상기 노즐 본체부의 하단부보다 위쪽에 위치하는 것을 특징으로 하는 슬릿 노즐. The lower end of the side plate is positioned above the lower end of the nozzle body portion, the slit nozzle. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 사이드 플레이트는 상기 사이드 플레이트의 하단부의 높이를 조절하는 조절 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 슬릿 노즐. The side plate has a slit nozzle, characterized in that for adjusting the height of the lower end of the side plate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 사이드 플레이트는 상기 토출구의 단부를 규정하는 박판과, 상기 박판을 고정하는 가압 부재를 갖는 것을 특징으로 하는 슬릿 노즐. The side plate has a thin plate defining an end of the discharge port, and a pressing member for fixing the thin plate. 슬릿형상의 토출구를 그 하부에 갖는 슬릿 노즐에 있어서, In the slit nozzle having a slit-shaped discharge port in the lower portion, 상기 토출구의 길이 방향을 따른 개구 가장자리를 규정하는 노즐 본체부와,A nozzle body portion defining an opening edge along the longitudinal direction of the discharge port; 상기 노즐 본체부의 양단에 각각 부착되고, 상기 토출구의 폭 방향을 따른 개구 가장자리를 규정하는 한 쌍의 사이드 플레이트를 구비하고, A pair of side plates attached to both ends of the nozzle body part and defining opening edges in a width direction of the discharge port, 상기 사이드 플레이트의 하단부는 상기 노즐 본체부의 하단부보다 아래쪽에 위치하는 것을 특징으로 하는 슬릿 노즐. The lower end of the side plate is positioned below the lower end of the nozzle body portion, the slit nozzle. 슬릿형상의 토출구를 그 하부에 갖는 슬릿 노즐에 있어서, In the slit nozzle having a slit-shaped discharge port in the lower portion, 상기 토출구의 길이 방향을 따른 개구 가장자리를 규정하는 노즐 본체부와,A nozzle body portion defining an opening edge along the longitudinal direction of the discharge port; 상기 노즐 본체부의 양단에 각각 부착되고, 상기 토출구의 폭 방향을 따른 개구 가장자리를 규정하는 한 쌍의 사이드 플레이트를 구비하고, A pair of side plates attached to both ends of the nozzle body part and defining opening edges in a width direction of the discharge port, 상기 사이드 플레이트의 하단부는 상기 노즐 본체부의 하단부보다 위쪽에 위치하는 것을 특징으로 하는 슬릿 노즐. The lower end of the side plate is positioned above the lower end of the nozzle body portion, the slit nozzle. 슬릿형상의 토출구를 그 하부에 갖는 슬릿 노즐에 있어서,In the slit nozzle having a slit-shaped discharge port in the lower portion, 상기 토출구의 길이 방향을 따른 개구 가장자리를 규정하는 노즐 본체부와,A nozzle body portion defining an opening edge along the longitudinal direction of the discharge port; 상기 노즐 본체부의 양단에 각각 부착되고, 상기 토출구의 폭 방향을 따른 개구 가장자리를 규정하는 한 쌍의 사이드 플레이트를 구비하고, A pair of side plates attached to both ends of the nozzle body part and defining opening edges in a width direction of the discharge port, 상기 사이드 플레이트는 상기 사이드 플레이트의 하단부의 높이를 조절하는 조절 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 슬릿 노즐. The side plate has a slit nozzle, characterized in that for adjusting the height of the lower end of the side plate. 제 1 항, 제 7 항, 제 8 항 및 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 슬릿 노즐과,The slit nozzle according to any one of claims 1, 7, 8 and 9, 상기 슬릿 노즐의 아래쪽에 있어서 기판을 수평으로 유지하는 유지 수단과, Holding means for horizontally holding the substrate below the slit nozzle; 상기 슬릿 노즐을, 상기 유지 수단에 유지된 기판에 대하여 상기 토출구의 길이 방향과 직교하는 방향으로 상대적으로 주사하는 주사 수단과, Scanning means for scanning the slit nozzle relative to the substrate held by the holding means in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the discharge port; 상기 슬릿 노즐에 처리액을 공급하는 공급 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And a supply means for supplying a processing liquid to the slit nozzle. 제 9 항에 기재된 슬릿 노즐을 이용한 기판 처리 방법으로서, A substrate processing method using the slit nozzle according to claim 9, 상기 슬릿 노즐을 기판에 대하여 상대적으로 주사시키면서 상기 토출구로부 터 처리액을 기판을 향하여 토출하는 공급 공정과, A supplying step of discharging the processing liquid from the discharge port toward the substrate while scanning the slit nozzle relative to the substrate; 상기 처리액의 점도, 상기 슬릿 노즐의 속도, 또는 이들의 양 조건에 따라 상기 사이드 플레이트의 하단부의 높이를 조절하는 조절 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And an adjusting step of adjusting the height of the lower end of the side plate according to the viscosity of the processing liquid, the speed of the slit nozzle, or both conditions thereof.
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