KR100695564B1 - 실리콘 페이스트 조성물 및 전자파 차폐 가스켓 - Google Patents

실리콘 페이스트 조성물 및 전자파 차폐 가스켓 Download PDF

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Abstract

실리콘 페이스트 조성물 및 전자파 차폐 가스켓이 제공된다.
상기 실리콘 페이스트 조성물은 1 g/cc 이하의 겉보기 밀도(apparent density) 및 1.5g/cc 이하의 탭 밀도(Tap density)를 가진 전도성 금속 입자, 실리콘 수지 및 용매를 포함한다.
이러한 실리콘 페이스트 조성물은 우수한 전기 전도성 및 전자파 차폐 성능과 함께 보다 향상된 탄성 및 접착 특성을 가진 전자파 차폐 가스켓의 제조를 가능케 한다.
전도성 금속 입자, 분말 밀도, 겉보기 밀도, 탭 밀도, 가스켓

Description

실리콘 페이스트 조성물 및 전자파 차폐 가스켓{SILICONE PASTE COMPOSITION AND EMI SHIELD GASKET}
도 1은 실시예 2의 전자파 차폐율 시험 결과를 나타내는 그래프이고,
도 2는 비교예 2의 전자파 차폐율 시험 결과를 나타내는 그래프이다.
본 발명은 실리콘 페이스트 조성물 및 이를 이용해 제조되는 전자파 차폐 가스켓에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 우수한 전기 전도성 및 전자파 차폐 성능과 함께 보다 향상된 탄성 및 접착 특성을 가진 전자파 차폐 가스켓의 제조를 가능케 하는 실리콘 페이스트 조성물 및 이를 이용해 제조되는 전자파 차폐 가스켓에 관한 것이다.
최근 들어, 무선통신 환경의 폭발적인 증가세, 전자기기의 고집적화, 고정밀화 경향과 맞물려, 휴대폰, DMB 단말기, PDA와 같은 소형 무선기기 시장에서 전자파 차폐 가스켓의 수요가 크게 증가하고 있다.
이러한 전자파 차폐 가스켓은 전기 전도성 및 전자파 차폐 성능과 함께 탄성 및 접착 특성까지 구비하여야 하므로, 주로 전도성 금속 입자와 탄성을 갖는 수지를 포함하는 페이스트 조성물을 현장성형하여 제조된다. 여기서, 현장성형은 유동성 있는 페이스트 조성물을 원하는 형상으로 디스펜싱하고 온도 또는 수분과 같은 외부요인을 가해 경화시키는 방식으로, 이를 통해, 예를 들어, 복잡한 가스켓 형상을 이음새 부위의 단절없이 일체형으로 만들 수 있다. 이와 같은 방식으로 제조된 전자파 차폐 가스켓은 상기 전도성 금속 입자로 인해 전기 전도성 및 전자파 차폐 성능을 나타내면서도, 상기 수지로 인해 탄성 및 접착 특성을 나타내어 접합시의 실링 효과 및 틈새 차폐 효과를 얻을 수 있다.
그런데, 상기 전자파 차폐 가스켓이 일정 수준 이상의 전자파 차폐 성능을 나타내기 위해서는, 상기 페이스트 조성물에 포함된 전도성 금속 입자의 함량을 적어도 60-80 중량% 수준으로 유지할 필요가 있는 것으로 알려져 있다. 예를 들어, 특허 등록 제 403549 호에는 80중량%의 전도성 금속 입자를 포함하는 페이스트 조성물이 개시되어 있고, 특허 공개 제 2005-64088 호에는 60-80 중량%의 전도성 금속 입자를 포함하는 페이스트 조성물이 개시되어 있다.
그러나, 이러한 높은 함량으로 전도성 금속 입자가 포함되면, 상대적으로 상기 페이스트 조성물에 포함된 탄성을 갖는 수지의 함량이 줄어들어 전자파 차폐 가스켓의 탄성 및 접착 특성이 열화되는 문제점이 있다. 또한, 상기 전도성 금속 입자로는, 예를 들어, 은-코팅 구리 입자 또는 은-코팅 니켈 입자 등의 고가의 금속 재료가 사용되므로, 상기 전도성 금속 입자의 함량이 늘어남에 따라 전자파 차폐 가스켓의 제조 원가 역시 높아지는 문제점이 있다.
이러한 종래 기술의 문제점으로 인해, 일정 수준 이상의 전자파 차폐 성능을 유지하면서도 탄성 및 접착 특성이 보다 향상된 전자파 차폐 가스켓 또는 이의 제조를 가능케 하는 페이스트 조성물의 개발이 계속적으로 요청되어 왔다.
이에 본 발명은 우수한 전기 전도성 및 전자파 차폐 성능과 함께 보다 향상된 탄성 및 접착 특성을 가진 전자파 차폐 가스켓의 제조를 가능케 하는 실리콘 페이스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 실리콘 페이스트 조성물을 이용해 제조되는 전자파 차폐 가스켓을 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 1 g/cc 이하의 겉보기 밀도(apparent density) 및 1.5g/cc 이하의 탭 밀도(Tap density)를 가진 전도성 금속 입자, 실리콘 수지 및 용매를 포함하는 실리콘 페이스트 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한, 실리콘 페이스트 조성물을 현장성형하여 제조된 전자파 차 폐 가스켓을 제공한다.
기타 본 발명의 실시 형태들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명 및 첨부 도면에 포함되어 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 당업자가 자명하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명에 대한 예시로 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명은 기본적으로, 1 g/cc 이하의 겉보기 밀도 및 1.5g/cc 이하의 탭 밀도를 가진 전도성 금속 입자, 실리콘 수지 및 용매를 포함하는 실리콘 페이스트 조성물을 제공한다.
이러한 실리콘 페이스트 조성물은, 비교적 낮은 분말 밀도, 즉, 1 g/cc 이하의 겉보기 밀도 및 1.5g/cc 이하의 탭 밀도를 가진 전도성 금속 입자를 포함한다. 이러한 낮은 분말 밀도를 가진 전도성 금속 입자는 높은 분말 밀도를 갖는 것에 비해 상대적으로 낮은 함량으로도 동일한 공간을 채울 수 있다. 따라서, 상기 실리콘 페이스트 조성물이 상기 낮은 분말 밀도를 갖는 전도성 금속 입자를 포함하면, 상대적으로 낮은 함량의 전도성 금속 입자로도 균일하게 채워져 상기 실리콘 페이스트 조성물 내에서 상기 전도성 금속 입자 간의 연결 상태가 유지될 수 있다. 따라서, 이러한 실리콘 페이스트 조성물로 제조된 전자파 차폐 가스켓은 일정 수준 이 상의 전기 전도성 및 이에 따른 전자파 차폐 성능을 유지한다. 더구나, 이러한 전자파 차폐 가스켓은 상기 전도성 금속 입자의 함량이 감소된 만큼 탄성을 갖는 실리콘 수지를 증가된 함량으로 포함하여 보다 향상된 탄성 및 접착 특성을 나타낸다.
상기 실리콘 페이스트 조성물의 구성을 각 구성 성분 별로 구체적으로 살피면 이하와 같다.
상기 실리콘 페이스트 조성물은 우선, 낮은 분말 밀도, 즉, 1 g/cc 이하의 겉보기 밀도 및 1.5g/cc 이하의 탭 밀도를 가진 전도성 금속 입자를 포함한다.
이러한 전도성 금속 입자로는 은-코팅 구리 입자를 사용할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 예를 들어, 은-코팅 니켈 입자 등과 같이 종래부터 실리콘 페이스트 조성물에 전도성 금속 입자로 사용되던 임의의 금속 입자를 모두 사용할 수 있다.
또한, 이러한 전도성 금속 입자로는 낮은 분말 밀도, 즉, 1 g/cc 이하의 겉보기 밀도 및 1.5g/cc 이하의 탭 밀도를 가진 것이 사용되는 바, 상기 겉보기 밀도 및 탭 밀도와 같은 분말 밀도가 가진 기술적 의미와 상기 전도성 금속 입자가 낮은 분말 밀도를 가짐으로서 나타나는 작용을 구체적으로 살피면 다음과 같다.
소정 공간 내에 전도성 금속 입자들이 모여있는 경우, 이 소정 공간 내에는 전도성 금속 입자 자체가 차지하는 공간 외에 이러한 전도성 금속 입자들 사이의 공간, 즉, 공기가 차지하는 공간도 존재한다. 분말 밀도라 함은, 이러한 소정 공간의 단위 부피 내에 포함된 전도성 금속 입자의 중량으로 정의된다. 따라서, 이러한 분말 밀도는 전도성 금속 입자 자체의 밀도와는 다른 값을 가지며, 특히, 상기 소정 공간 내의 공기가 차지하는 공간으로 인해 상기 전도성 금속 입자 자체의 밀도보다 작은 값을 가진다.
이렇게 정의되는 분말 밀도 중에서도, 겉보기 밀도(apparent density)는 아무런 외력을 주지 않은 상태에서 소정 공간 내에 전도성 금속 입자들이 무작위로 모여있을 때 측정한 분말 밀도로 정의되며, 이에 비해, 탭 밀도(tap density)는 소정 공간 내에 모여있는 전도성 금속 입자를 가볍게 두드려 외력을 줌으로서 상기 소정 공간 내에 최대한 많은 전도성 금속 입자를 채운 상태에서 측정한 분말 밀도로 정의된다. 따라서, 상기 탭 밀도는 겉보기 밀도보다 큰 값을 가진다.
그런데, 상기 전도성 금속 입자가, 예를 들어, 은-코팅 구리 입자인 경우, 이러한 전도성 금속 입자 자체의 밀도는 약 9 g/cc로서, 종래에는 3 g/cc 이하의 겉보기 밀도 및 5 g/cc 이하의 탭 밀도의 비교적 큰 분말 밀도를 가진 전도성 금속 입자(은-코팅 구리 입자)를 사용하였다. 그러나, 이와 같이 큰 분말 밀도를 가진 전도성 금속 입자를 사용하는 경우, 전도성 금속 입자가 실리콘 페이스트 조성물 내에서 연결 상태를 유지하여 전자파 차폐 가스켓이 일정 수준 이상의 전기 전도성 및 전자파 차폐 성능을 나타낼 수 있게 하기 위해서는, 상기 전도성 금속 입자를 대략 60-80 중량%의 비교적 높은 함량으로 실리콘 페이스트 조성물에 포함시키지 않으면 안되었다.
이에 비해, 비교적 낮은 분말 밀도, 즉, 1 g/cc 이하의 겉보기 밀도 및 1.5g/cc 이하의 탭 밀도를 가진 전도성 금속 입자를 사용하면, 상대적으로 낮은 함 량의 전도성 금속 입자로도 실리콘 페이스트 조성물을 균일하게 채워 전도성 금속 입자 간의 연결 상태를 유지할 수 있다. 따라서, 전도성 금속 입자의 함량을 상당히 낮추더라도, 상기 실리콘 페이스트 조성물로 제조된 전자파 차폐 가스켓이 일정 수준 이상의 전기 전도성 및 이에 따른 전자파 차폐 성능을 유지하게 할 수 있다. 또한, 상기 전도성 금속 입자의 함량이 감소된 만큼 탄성을 갖는 실리콘 수지를 증가된 함량으로 실리콘 페이스트 조성물에 포함시켜, 전자파 차폐 가스켓이 보다 향상된 탄성 및 접착 특성을 나타내도록 할 수 있다.
한편, 상기 전도성 금속 입자가, 예를 들어, 은-코팅 구리 입자인 경우, 이러한 전도성 금속 입자는 8-22 중량%의 함량으로 은을 포함하는 것이 바람직하다. 만일, 상기 전도성 금속 입자에 포함된 은의 함량이 8 중량%보다 낮으면 은으로 코팅된 구리가 표면으로 노출되어 실리콘 페이스트 조성물 내의 각종 부식성 물질에 의해 산화됨으로서 저항 상승이 유발될 수 있다. 반대로, 은의 함량이 25 중량%를 넘으면 원료비의 상승을 가져와 은-코팅 구리 입자를 도입하는 의미가 사라지게 된다. 예를 들어, 상용화된 대부분의 은-코팅 구리 입자는 이러한 이유 때문에 약 15~18 중량%의 은을 구리에 코팅하고 있다.
또한, 상기 전도성 금속 입자는 평균 입경(D50)이 15-50㎛인 것이 바람직하다. 여기서, 평균 입경(D50)은 상기 전도성 금속 입자를 입경 순으로 순차 나열하였을 경우, 나열된 순서의 중앙에 있는 전도성 금속 입자의 입경으로 정의된다.
만일, 상기 전도성 금속 입자의 평균 입경(D50)이 15㎛보다 작아지면, 상기 전도성 금속 입자의 비표면적이 지나치게 넓어져 실리콘 페이스트 조성물의 화학적 안정성을 유지하기 어렵게 되고, 이 때문에, 제품의 유효기간이 줄어드는 문제가 있다. 또한, 평균 입경(D50)이 50㎛보다 커지면, 경화된 실리콘 페이스트 조성물의 표면에 전도성 금속 입자의 형상이 나타날 정도로 울퉁불퉁해져서 전자파 차폐 가스켓과 피착체와의 균일한 접촉을 방해할 가능성이 높아진다.
그리고, 상기 전도성 금속 입자는 상기 실리콘 페이스트 조성물의 전체 중량을 기준으로, 35-70 중량%의 함량으로 포함됨이 바람직하다. 만일, 상기 전도성 금속 입자가 70 중량%를 초과하여 포함되면 실리콘 페이스트 조성물 및 이를 이용해 제조된 전자파 차폐 가스켓의 비저항이 낮아지고 전기 전도성은 높아지지만, 탄성 및 접착 특성이 저하되고 점도가 지나치게 높아져 현장성형시에 디스펜싱하기 어렵게 되며 제조 원가 또한 높아진다. 또한, 35 중량% 미만으로 포함되면, 전기 전도도 및 전자파 차폐 성능이 저하되고 가스켓 형상의 발현이 어려워진다.
한편, 상기 실리콘 페이스트 조성물은 또한 실리콘 수지를 포함한다. 이러한 실리콘 수지로는 대표적으로 상온 수분 경화형 실리콘 수지를 사용할 수 있다. 다만, 이에 제한되지는 않으며, 실리콘 페이스트 조성물에 소정의 접착 특성을 부여할 수 있고 이를 경화시킬 수 있는 임의의 실리콘 수지를 사용할 수 있다.
이러한 실리콘 수지, 예를 들어, 상온 수분 경화형 실리콘 수지는 상기 실리콘 페이스트 조성물에 접착 특성을 부여하고, 상기 실리콘 페이스트 조성물을 상온에서 수분 경화시켜 전자파 차폐 가스켓의 제조를 가능케 하는 역할을 한다. 상기 상온 수분 실리콘 수지는 실리콘 수지, 촉매, 크로스링커 등이 일액형으로 혼합된 형태를 띄는 것으로, 탈옥심형, 탈아민형, 탈초산형 또는 탈알콜형 등이 있다.
또한, 상기 실리콘 수지, 예를 들어, 상온 수분 경화형 실리콘 수지로는 종래부터 실리콘 페이스트 조성물에 사용되던 것을 제한없이 모두 사용할 수 있으며, 신예츠사, 다우코닝사, GE, 록타이트사, WACKER사 등에 의해 상용화된 상온 수분 경화형 실리콘 수지 등을 사용할 수 있다.
그리고, 상기 실리콘 수지는 상기 실리콘 페이스트 조성물의 전체 중량을 기준으로, 20-60 중량%의 함량으로 포함됨이 바람직하다. 만일, 상기 실리콘 수지가 20 중량% 미만으로 포함되면, 실리콘 페이스트 조성 물 및 전자파 차폐 가스켓의 기질에 대한 접착 특성 및 탄성이 저하된다. 따라서, 전기 전도성을 저하시키지 않는 한도 내에서 상기 실리콘 수지의 함량을 증가시키는 것이 좋다.
상기 실리콘 페이스트 조성물은 또한 용매를 포함한다. 이러한 용매는 실리콘 페이스트 조성물의 전체적인 점도를 조절하고 상기 전도성 금속 입자나 실리콘 수지 또는 다른 고상 첨가제를 분산시키기 위한 매질로서 포함된 것이다. 이러한 용매로는, 예를 들어, 톨루엔 또는 자일렌이 사용되거나 환경 유해성이 없는 실록산 저분자체가 사용될 수도 있다. 또한, 상기 용매는 상기 전도성 금속 입자 및 실리콘 수지의 함량을 제외한 나머지 함량으로 상기 실리콘 페이스트 조성물에 포함될 수 있다.
그리고, 상기 실리콘 페이스트 조성물은, 상기 전도성 금속 입자, 실리콘 수지 및 용매 외에, 접착력 향상제, 분산조제 또는 보강필러 등의 첨가제를 하나 이상 선택적으로 포함할 수 있다.
우선, 접착력 향상제는 대부분의 실리콘 수지에 기본적으로 배합되어 있으 나, 실리콘 페이스트 조성물의 접착 특성을 개질 또는 강화하기 위해 추가로 포함될 수도 있다. 이는 일반적으로 실란 커플링제로 알려져 있다. 이러한 접착력 향상제로는 메톡시, 에톡시 실릴기와 아민 또는 이민과 같은 관능기가 함께 포함된 분자 등을 사용할 수 있다.
또한, 표면장력이 낮은 실리콘 수지의 특성상 필러의 젖음이 매우 쉽게 진행되어 분산에 큰 어려움은 없으나, 함량이 높은 전도성 금속 입자의 분산을 돕기 위해 분산조제가 상기 실리콘 페이스트 조성물의 첨가제로서 포함될 수도 있다. 이러한 분산조제로는 지방산(fatty acid), 지방산 아미드(fatty amide) 또는 지방산 에스테르(fatty ester) 등을 사용할 수 있다. 다만, 일부의 분산조제는 실리콘 수지의 경화 과정에 좋지 않은 영향을 미칠 수 있으므로, 투입에 앞서 테스트가 필요하다.
그리고, 상기 실리콘 페이스트 조성물을 디스펜싱한 후 전자파 차폐 가스켓의 형상을 안정화하고 각종 변형에 대한 기계적 특성을 향상시키기 위해, 건식 실리카(fumed silica)와 같은 보강필러가 첨가제로서 포함될 수도 있다. 다만, 상기 건식 실리카 역시 대부분의 실리콘 수지에 배합되어 있기는 하나, 필요에 따라 추가로 포함시킬 필요가 있는 경우에는, 용매 등의 매질 내에서 선속 15 ~ 20 m/sec 이상의 고속 교반을 통해 분산시킨 후 상기 실리콘 페이스트 조성물에 투입할 수 있다.
다만, 상술한 첨가제에 제한되지 않고, 실리콘 페이스트 조성물에 포함시킬 수 있는 임의의 첨가제를 포함시킬 수 있다. 또한, 상기 첨가제는 상기 전도성 금 속 입자, 실리콘 수지 및 용매의 함량을 제외한 나머지 함량으로 상기 실리콘 페이스트 조성물에 포함될 수 있다.
상술한 실리콘 페이스트 조성물은 낮은 분말 밀도를 가진 전도성 금속 입자를 포함함으로서, 전체적으로도 낮은 밀도를 가진다. 예를 들어, 상기 실리콘 페이스트 조성물의 밀도는 1.8-2.2g/cc으로 될 수 있다. 상기 실리콘 페이스트 조성물의 밀도가 이와 같이 낮아짐으로서 현장성형을 통한 전자파 차폐 가스켓 제조시에 작업성 또한 향상될 수 있다.
한편, 본 발명은 또한, 상술한 실리콘 페이스트 조성물을 현장성형하여 제조된 전자파 차폐 가스켓을 제공한다. 이러한 전자파 차폐 가스켓은 일정 수준 이상의 전기 전도성 및 이에 따른 전자파 차폐 성능을 유지하는 동시에 보다 향상된 탄성 및 접착 특성을 나타낸다.
상술한 전자파 차폐 가스켓을 제조함에 있어서는, 현장성형의 통상적인 방법에 따라, 상기 실리콘 페이스트 조성물을 소정의 전자파 차폐 가스켓의 형상으로 디스펜싱한 후, 온도 또는 수분 등의 외부 요인을 가해 경화시킨다.
또한, 본 발명은 상기 전자파 차폐 가스켓이 장착된 전자 장치를 제공한다. 이러한 전자 장치는 종래부터 전자파 차폐 가스켓이 사용되던 핸드폰 또는 DMB 단말기 등의 임의의 전자 장치일 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠 한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
실시예 1~2
전도성 금속 입자로는 하기 표 1에 나타난 겉보기 밀도 및 탭 밀도를 갖는 은-코팅 구리 입자를 사용하고, 상온 수분 경화형 실리콘 수지로는 WACKER 사의 탈옥심형 수지인 N10 제품을 사용하였다. 용매로 톨루엔을 사용했으며 건식 실리카는 Degussa의 R202를 톨루엔에 분산시켜 사용하였다. 각 구성 성분의 함량은 하기 표 1에 나타난 바와 같았다.
우선, 건식 실리카와 톨루엔 혼합물을 용기에 넣은 후 상온 수분 경화형 실리콘 수지를 첨가하여 핸드믹싱으로 10분간 예비 교반하여 균일 용액을 제조하였다. 여기에, 은-코팅 구리 입자를 첨가하여 다시 한 번 핸드믹싱으로 균일한 실리콘 페이스트 조성물을 제조하였다.
비교예 1~2
하기 표 1에 나타난 겉보기 밀도 및 탭 밀도를 가진 은-코팅 구리 입자와 실시예 1-2와 동일한 상온 수분 경화형 실리콘 수지, 톨루엔 및 건식 실리카를 하기 표 1에 나타난 함량으로 사용하여, 상기 실시예 1-2와 동일한 방법으로 실리콘 페이스트 조성물을 제조하였다.
[표 1]
겉보기 밀도 (g/cc) 탭 밀도 (g/cc) 실리콘 페이스트 조성 (중량%)
은-코팅 구리 입자 상온 수분 경화형 실리콘 수지 톨루엔 건식 실리카
실시예 1 0.60 1.21 55 35 9 1
실시예 2 0.70 1.27 56 38 6 0
비교예 1 1.46 2.20 55 35 9 1
비교예 2 1.46 2.20 67 28 5 0
시험예 : 전자파 차폐 가스켓의 제조 및 물성평가
상기 실시예 1~2 및 비교예 1~2에서 제조된 각각의 실리콘 페이스트 조성물의 밀도를 측정하고, 온도 25℃ 및 습도 40~50 RH%의 조건에서 각각의 실리콘 페이스트 조성물을 경화시켜 샘플을 형성하였다.
경화된 샘플의 전기 전도도를 확인하기 위해 Kiethley사의 멀티미터를 사용하여 4 단자 측정법으로 비저항을 측정하였다. 고무탄성을 반영하는 쇼아경도, Compression Set, 파단신율을 각각 ASTM D2240, D395 Method B, D412로 측정하였 다. 전자파 차폐율은 조성물을 0.4 t 두께의 시트로 만들어 ASTM D4935에 따라 측정, 비교하였다.
이러한 시험 결과를 하기의 표 2에 나타내었고, 실시예 2와 비교예 2의 전자파 차폐율 그래프를 도 1 및 도 2에 각각 나타내었다.
[표 2]
실리콘 페이스트 조성물의 물성
밀도 비저항 쇼아경도 Compression Set 파단신율
실시예 1 1.9 g/cc 0.005 Wcm 52 25% 200%
실시예 2 1.9 g/cc 0.003 Wcm 53 25% 200%
비교예 1 1.9 g/cc 측정 불가 51 20% 230%
비교예 2 2.5 g/cc 0.003 Wcm 62 30% 150%
상기 표 2를 참조하면, 낮은 분말 밀도를 가진 전도성 금속 입자를 포함하는 실시예 1 및 2의 경우, 비교예 2에 비해 전도성 금속 입자의 함량이 10 중량% 이상 감소하였음에도 불구하고, 비교예 2와 동등한 비저항을 나타내었다. 또한, 도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 실시예 1 및 2는 비교예 2와 거의 동등한 전자파 차폐 성능을 나타내었다.
또한, 상기 실시예 1 및 2는 상기 전도성 금속 입자의 함량이 줄어든 만큼 상온 수분 경화형 실리콘 수지의 함량이 증가함에 따라, 비교예 2에 비해 현저히 향상된 탄성(쇼와 경도 및 Compression set의 감소와 파단신율의 증가)을 나타내었다.
결국, 상기 실시예 1 및 2는 낮은 분말 밀도를 가진 전도성 금속 입자를 포함함으로서, 일정 수준 이상의 전기 전도성 및 전자파 차폐율을 유지하면서도, 보다 향상된 탄성 및 접착 특성을 나타낸다는 사실이 밝혀졌다.
본 발명에 따르면, 우수한 전자파 차폐 성능과 함께 보다 향상된 탄성 및 접착 특성을 나타내는 전자파 차폐 가스켓의 제공할 수 있게 된다. 따라서, 보다 향상된 성능을 가진 전자파 차폐 가스켓의 제조를 가능케 한다.

Claims (8)

1 g/cc 이하의 겉보기 밀도 및 1.5g/cc 이하의 탭 밀도를 가진 전도성 금속 입자, 탈옥심형, 탈아민형, 탈초산형, 탈알콜형 중 선택되는 하나 이상의 상온 수분 경화형 실리콘 수지 및 용매를 포함하는 실리콘 페이스트 조성물.
삭제
제 1 항에 있어서, 상기 전도성 금속 입자는 은-코팅 구리 입자인 실리콘 페이스트 조성물.
제 3 항에 있어서, 상기 전도성 금속 입자는 은의 함량이 8-22 중량%이고, 평균 입경(D50)이 15-50㎛인 실리콘 페이스트 조성물.
제 1 항에 있어서, 상기 전도성 금속 입자의 35-70 중량%, 실리콘 수지의 20-60 중량% 및 나머지 함량의 용매를 포함하는 실리콘 페이스트 조성물.
제 1 항에 있어서, 상기 조성물이 접착력 향상제, 분산 조제 및 보강 필러의 첨가제 중 적어도 하나 이상을 더 포함하는 실리콘 페이스트 조성물.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 의한 실리콘 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 전자파 차폐 가스켓.
제 7 항의 전자파 차폐 가스켓이 장착된 전자 장치.
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