KR100693207B1 - 플립 칩 기법을 이용한 이미지 센서 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 96
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 209
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 59
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 59
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 32
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910006164 NiV Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000010923 batch production Methods 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 11
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005050 thermomechanical fatigue Methods 0.000 description 1
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- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- 이미지 센서용 반도체 소자가 기판 상에 전기적/물리적으로 접착된 패키지로서,웨이퍼 칩 상의 소정 위치에 형성된 이미지 센서 픽셀 영역을 둘러싸는 형태로 일정 간격으로 이격되어 형성된 다수의 칩 패드와,상기 각 칩 패드 상에 형성된 다수의 UBM 구조층과,상기 각 UBM 구조층 상에 형성된 다수의 범프 구조층과,상기 이미지 센서 픽셀 영역과 다수의 범프 구조층 사이에서 상기 이미지 센서 픽셀 영역을 둘러싸는 댐 형태로 형성된 댐 구조층과,상기 각 범프 구조층에 각각 접착되는 구조의 다수의 입출력 패드와 상기 댐 구조층에 접착되는 구조의 댐 패드가 각각 형성된 기판과,상기 범프 구조층과 댐 구조층의 사이 및 범프 구조층의 외곽 영역에 채워진 언더필을 포함하고,상기 UBM 구조층은 금속 접착층과 금속 시드층으로 구성되며, 상기 금속 시드층은 Cu, Au, Ni, NiV 중 어느 하나인플립 칩 기법을 이용한 이미지 센서 패키지.
- 제 2 항에 있어서,상기 금속 시드층은, 0.05 ∼ 3㎛의 두께 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 플립 칩 기법을 이용한 이미지 센서 패키지.
- 이미지 센서용 반도체 소자가 기판 상에 전기적/물리적으로 접착된 패키지로서,웨이퍼 칩 상의 소정 위치에 형성된 이미지 센서 픽셀 영역을 둘러싸는 형태로 일정 간격으로 이격되어 형성된 다수의 칩 패드와,상기 각 칩 패드 상에 형성된 다수의 UBM 구조층과,상기 각 UBM 구조층 상에 형성된 다수의 범프 구조층과,상기 이미지 센서 픽셀 영역과 다수의 범프 구조층 사이에서 상기 이미지 센서 픽셀 영역을 둘러싸는 댐 형태로 형성된 댐 구조층과,상기 각 범프 구조층에 각각 접착되는 구조의 다수의 입출력 패드와 상기 댐 구조층에 접착되는 구조의 댐 패드가 각각 형성된 기판과,상기 범프 구조층과 댐 구조층의 사이 및 범프 구조층의 외곽 영역에 채워진 언더필을 포함하고,상기 각 범프 구조층과 댐 구조층은 일괄 공정을 통해 동시 형성되는 것을 특징으로 하는 플립 칩 기법을 이용한 이미지 센서 패키지.
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- 기판 상에 이미지 센서용 반도체 소자를 조립하여 패키징하는 방법으로서,이미지 센서 픽셀 영역과 다수의 칩 패드가 형성된 웨이퍼 칩의 UBM 구조층을 형성하는 과정과,상기 칩 패드 위에 있는 UBM 구조층의 상부와 상기 이미지 센서 픽셀 영역과 UBM 구조층 사이의 소정 위치에 범프 구조층과 댐 구조층을 형성하는 과정과,상기 범프 구조층과 댐 구조층을 에칭 마스크로 하여 상기 UBM 구조층의 일부를 선택적으로 제거함으로써, 상기 이미지 센서 픽셀 영역의 상부를 노출시키는 과정과,상기 댐 구조층과 이에 대응하는 상기 기판의 댐 패드 및 상기 범프 구조층 과 이에 대응하는 상기 기판의 입출력 패드가 맞닿도록 정렬시켜 접착시키는 과정과,상기 댐 구조층과 범프 구조층의 사이 및 상기 범프 구조층의 외곽 영역을 언더필하여 이미지 센서용 패키지를 완성하는 과정을 포함하는 플립 칩 기법을 이용한 이미지 센서 패키지 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 UBM 구조층은, 금속 접착층과 금속 시드층으로 구성되며, 상기 금속 시드층은 Cu, Au, Ni, NiV 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플립 칩 기법을 이용한 이미지 센서 패키지 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 금속 접착층과 금속 시드층은, 스퍼터링 또는 증기법에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 플립 칩 기법을 이용한 이미지 센서 패키지 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 금속 시드층은, 0.05 ∼ 3㎛의 두께 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 플립 칩 기법을 이용한 이미지 센서 패키지 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 범프 구조층과 댐 구조층은, 일괄 공정을 통해 동시 형성되는 것을 특징으로 하는 플립 칩 기법을 이용한 이미지 센서 패키지 제조 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 범프 구조층과 댐 구조층은, 전해도금 방법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 플립 칩 기법을 이용한 이미지 센서 패키지 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 범프 구조층과 댐 구조층 각각은, 금속 범프층과 솔더층으로 구성된 것을 특징으로 하는 플립 칩 기법을 이용한 이미지 센서 패키지 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 금속 범프층은 전해도금 방법으로 형성되고, 상기 솔더층은 스탠실 프린트 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플립 칩 기법을 이용한 이미지 센서 패키지 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 금속 범프층은, Cu, Au, Ni, NiV 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플립 칩 기법을 이용한 이미지 센서 패키지 제조 방법.
- 제 16 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속 범프층의 두께 범위는 0.5 ∼ 100㎛이고, 상기 솔더층의 두께 범위는 10 ∼ 50㎛인 것을 특징으로 하는 플립 칩 기법을 이용한 이미지 센서 패키지 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 금속 범프층은 범프와 댐으로 기능하고, 상기 솔더층은 상기 기판과의 접착을 위한 접착층으로 기능하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 기법을 이용한 이미지 센서 패키지 제조 방법.
- 제 16 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속 범프층의 두께 범위는 0.5 ∼ 20㎛이고, 상기 솔더층의 두께 범위는 20 ∼ 150㎛인 것을 특징으로 하는 플립 칩 기법을 이용한 이미지 센서 패키지 제조 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040114694A KR100693207B1 (ko) | 2004-12-29 | 2004-12-29 | 플립 칩 기법을 이용한 이미지 센서 패키지 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040114694A KR100693207B1 (ko) | 2004-12-29 | 2004-12-29 | 플립 칩 기법을 이용한 이미지 센서 패키지 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060075794A KR20060075794A (ko) | 2006-07-04 |
KR100693207B1 true KR100693207B1 (ko) | 2007-03-14 |
Family
ID=37168288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040114694A KR100693207B1 (ko) | 2004-12-29 | 2004-12-29 | 플립 칩 기법을 이용한 이미지 센서 패키지 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100693207B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101020876B1 (ko) | 2008-07-07 | 2011-03-09 | 박태석 | 관통홀 상호 연결에 의한 반도체 소자의 웨이퍼 레벨 칩스케일 패키지 및 제조방법 |
KR101849223B1 (ko) * | 2012-01-17 | 2018-04-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100870810B1 (ko) * | 2007-03-05 | 2008-11-27 | 주식회사 네패스 | 광검출용 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
KR100886446B1 (ko) * | 2007-05-15 | 2009-03-04 | 삼성전기주식회사 | 패키지 기판, 패키지 및 패키지 제조방법 |
KR102016495B1 (ko) * | 2018-01-31 | 2019-10-21 | 삼성전기주식회사 | 팬-아웃 센서 패키지 |
-
2004
- 2004-12-29 KR KR1020040114694A patent/KR100693207B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101020876B1 (ko) | 2008-07-07 | 2011-03-09 | 박태석 | 관통홀 상호 연결에 의한 반도체 소자의 웨이퍼 레벨 칩스케일 패키지 및 제조방법 |
KR101849223B1 (ko) * | 2012-01-17 | 2018-04-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060075794A (ko) | 2006-07-04 |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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