KR100691689B1 - 전기 광학 장치, 전기 광학 장치의 제조 방법, 및 전자 기기 - Google Patents

전기 광학 장치, 전기 광학 장치의 제조 방법, 및 전자 기기 Download PDF

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Abstract

본 발명은 가스 배리어층의 하지로 되는 층을 형성하는 재료의 유동성을 조정하는 동시에, 체적 변화를 일으켜 하지층을 형성하여 가스 배리어층으로의 응력 집중을 완화시키도록 한 전기 광학 장치 및 그 제조 방법, 및 전자 기기를 제공함을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 기체(200) 상에, 복수의 제1 전극(23)과, 제1 전극(23)의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부(221a)를 가진 뱅크 구조체(221)와, 개구부(221a)의 각각에 배치되는 전기 광학층(60)과, 뱅크 구조체(221) 및 전기 광학층(60)을 덮는 제2 전극(50)을 가진 전기 광학 장치(1)에서, 미립자(211)을 함유하는 유기 재료에 의해 제2 전극(50)을 덮는 동시에 거의 평탄한 표면이 형성된 완충층(210)과, 완충층(210)을 덮는 가스 배리어층(30)을 구비하도록 하였다.
전기광학 장치, 전자 기기, 가스 배리어층, 전기 광학층

Description

전기 광학 장치, 전기 광학 장치의 제조 방법, 및 전자 기기{ELECTROOPTICAL DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURITNG THEREOF, AND ELECTRONIC APPARATUS}
도 1은 EL 표시 장치의 배선 구조를 나타내는 도면.
도 2는 EL 표시 장치의 구성을 나타내는 모식도.
도 3은 도 2의 A－B 단면도.
도 4는 도 2의 C－D 단면도.
도 5는 도 3의 요부 확대 단면도.
도 6은 EL 표시 장치의 제조 방법을 공정 순서로 나타내는 도면.
도 7은 도 6에 이어지는 공정을 나타내는 도면.
도 8은 도 7에 이어지는 공정을 나타내는 도면.
도 9는 전자 기기를 나타내는 도면.
[부호의 설명]
1…표시 장치(전기 광학 장치),　 23…화소 전극(제1 전극),　
30…가스 배리어층,　 50…음극(제2 전극),　
55…음극 보호층(전극 보호층),　 60…발광층(전기 광학층),
200…기체,　 210…완충층, 207,211…미립자,　
221…유기 뱅크층(뱅크 구조체),　 221a…개구부,
1000…휴대 전화(전자기기), 1100…시계(전자 기기),
1200…정보 처리 장치(전자 기기),
1001,1101,1206…표시부(전기 광학 장치)
본 발명은 전기 광학 장치 및 그 제조 방법과, 이 전기 광학 장치를 구비한 전자 기기에 관한 것이다.
전기 광학 장치의 분야에서는, 산소나 수분 등에 대한 내구성 향상이 과제로 되어 있다. 예를 들면, 상기 전기 광학 장치의 일례인 유기 일렉트로루미네선스(이하, 유기 EL이라 약기함) 표시 장치에서는, 발광층(전기 광학층)을 구성하는 전기 광학 재료(유기 EL 재료, 정공 주입 재료, 전자 주입 재료 등)의 산소나 수분 등에 의한 열화나, 음극의 산소나 수분 등에 의한 도전성 저하 등에 의해, 다크 스폿이라 불리는 비발광 영역이 발생해버려, 발광 소자로서의 수명이 짧아진다는 과제가 있다.
이러한 과제를 해결하기 위해서, 표시 장치의 기판에 유리나 금속의 덮개를 부착하여 수분 등을 밀봉하는 방법이 채택되어 왔다. 또한, 근년에는 표시 장치의 대형화 및 경박화에 대응하기 위해서, 발광 소자상에 투명하고 가스 배리어성이 우수한 규소질화물, 규소산화물, 세라믹스 등의 박막을 고밀도 플라즈마 성막법(예를 들면, 이온 플레이팅, ECR 플라즈마 스패터, ECR 플라즈마 CVD, 표면파 플라즈마 CVD, ICP－CVD 등)에 의해 성막시키는 박막 밀봉이라 불리는 기술이 사용되고 있다. [특허 문헌 1 : 일본 특개2001－284041호 공보 참조]
그러나, 상술한 기술에 의해 성막되는 박층(가스 배리어층)은 치밀하고 매우 딱딱한 막이기 때문에, 박층이 피막하는 표면상에 요철이나 급준한 단차가 존재하면, 성막된 박층에 외부 응력이 집중하여 크랙이나 박리가 생겨, 오히려 차단성이 저하되어버리는 문제가 있다. 특히, 뱅크라 불리는 격벽을 마련하여, 복수의 발광층을 구분하고 있는 경우에는 가스 배리어층이 피막하는 표면이 뱅크의 존재에 의해 요철상으로 형성되어 버리기 때문에, 특히 문제가 된다.
이 때문에, 가스 배리어층을 평탄화시키는 하지층을 마련함으로써, 가스 배리어층으로의 응력 집중을 완화시키는 경우가 있지만, 이 하지층을 형성하는 재료가 유동적이면, 하지층의 고화 시에 재료가 유출하여, 평탄한 하지(표면)를 형성하기 어려운 문제가 있다.
또한, 가스 배리어층에서의 응력 발생을 억제하기 위해서, 체적 변화를 일으키기 어려운 재료로 하지층을 형성하는 것이 요망되고 있다.
본 발명은 상술한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 가스 배리어층의 하지로 되는 층을 형성하는 재료의 유동성을 조정하는 동시에, 체적 변화를 일으키기 어려운 하지층을 형성하여 가스 배리어층으로의 응력 집중을 완화시켜 박리나 크랙을 일으키기 않도록 한 전기 광학 장치 및 그 제조 방법, 및 전자 기기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 의한 전기 광학 장치, 전기 광학 장치의 제조 방법, 및 전자 기기에서는, 상기 과제를 해결하기 위해 이하의 수단을 채용하였다.
제1 발명은 기체 상에, 복수의 제1 전극과, 제1 전극의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부를 가진 뱅크 구조체와, 개구부의 각각에 배치되는 전기 광학층과, 뱅크 구조체 및 전기 광학층을 덮는 제2 전극을 갖는 전기 광학 장치에서, 제2 전극을 덮는 동시에 거의 평탄한 상면이 형성된 완충층과, 완충층을 덮는 가스 배리어층을 구비하도록 하였다. 이 발명에 의하면, 완충층이 기체측으로부터 발생하는 휘어짐이나 체적 변화에 의해 발생하는 응력을 완화한다. 따라서, 불안정한 뱅크 구조체로부터의 제2 전극의 박리를 방지할 수 있다. 또한, 완충층 상면이 거의 평탄화되므로, 완충층 상에 형성되는 딱딱한 피막으로 이루어지는 가스 배리어층이 평탄화되므로, 가스 배리어층에 응력이 집중하는 부위가 없어진다. 이것에 의해, 가스 배리어층에서의 크랙 발생을 방지할 수 있다.
또한, 완충층이 친유성의 유기 수지 재료로 이루어지고, 도포 형성 후에 감압 하에서 수분 또는 유기 용매 성분 등을 제거한 경화 피막인 것에서는 수분이 제거되어 있으므로, 전기 광학층의 열화 방지 효과가 높아진다.
또한, 완충층이 자외선 경화 수지에 의해 형성되는 것에서는 완충층을 가열하지 않고 성막할 수 있으므로, 가열에 의한 발광층으로의 악영향을 억제할 수 있다.
또한, 완충층이 규소를 함유하는 유기 고분자로 이루어지는 재료에 의해 형 성되는 것에서는 가스 배리어층 등과의 계면의 접착성을 향상시킬 수 있으므로, 휘어짐이나 응력에 의한 박리나 크랙의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 완충층이 주쇄에 질소 원자를 갖는 유기 재료에 의해 형성되는 것에서는 완충층을 발광층의 내열 온도 이하에서 형성할 수 있으므로, 발광층에 손상을 주는 것을 방지할 수 있다.
또한, 완충층이 미립자를 함유하는 것에서는 피막 형성시나 온도 변화에 대해서 체적 변화를 일으키기 어렵게 되어, 가스 배리어층에의 부담을 경감할 수 있다.
또한, 미립자가 10nm로부터 1000nm의 입경을 갖는 것에서는 미립자가 뱅크 구조체의 형상에 기인하는 요철이나 급준한 단차에 들어갈 수 있다. 또한 거의 동일한 지름의 미립자를 함유시킴으로써, 상면을 평탄화시키기 쉬워진다.
또한, 미립자가 완충층 내에 10％∼70％의 함유율로 함유되는 것에서는 완충층의 형성시에 완충층 재료가 유출하기 어려워져서, 평탄한 상면을 형성하기 쉬워진다.
또한, 미립자가 완충층과 다른 굴절율을 갖는 것에서는 완충층과 다른 굴절율을 가진 미립자가 연쇄함으로써, 광학도파로로 되어, 발광층으로부터의 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 제2 전극과 완충층의 사이에는, 제2 전극의 부식을 방지하는 전극 보호층이 마련되는 것에서는, 제조 프로세스 시에 제2 음극의 부식을 방지할 수 있어, 제2 음극이 양호한 도전성을 유지할 수 있다.
또한, 전극 보호층이 자외선 흡수 재료에 의해 형성되는 것에서는 전극 보호층이 자외선을 흡수하므로, 완충층의 형성시에 자외선이 발광층에 주는 악영향을 억제할 수 있다.
또한, 뱅크 구조체에서의 개구부를 형성하는 벽면이 기체와 110도∼170도의 각도를 갖도록 형성되는 것에서는, 발광층이 개구부에 배치되기 쉬워지므로, 발광층을 양호하게 형성할 수 있다.
또한, 뱅크 구조체에서의 개구부를 형성하는 벽면이 적어도 그 표면이 발액성을 갖도록 형성되는 것에서는, 발광층을 개구부에 확실히 배치할 수 있다.
또한, 완충층이, 뱅크 구조체가 노출하지 않도록, 뱅크 구조체보다도 넓은 범위를 피복하는 것에서는 뱅크 구조체의 영향에 의해 제2 전극의 표면에 형성되는 요철형의 형상을 빠짐없이 평탄화시킬 수 있다.
또한, 가스 배리어층이, 완충층이 노출하지 않도록, 완충층보다도 넓은 범위를 피복하는 것에서는 가스 배리어층을 거의 전면에 걸쳐 거의 평탄화시킬 수 있다.
또한, 가스 배리어층 및／또는 전극 보호층이 기체의 외주부의 절연층에 접촉하도록 형성되는 것에서는 제2 전극을 수분 등으로부터 차단할 수 있다.
또한, 전극 보호층과 가스 배리어층이 기체의 외주부에서 접촉하도록 형성되는 것에서는 제2 전극을 수분 등으로부터 거의 완전히 차단할 수 있다.
또한, 가스 배리어층의 상부에, 미립자를 함유하는 접착층을 거쳐서 표면 보호층이 마련되는 것에서는 미립자에 의해 접착층의 막두께를 균일하게 하기 쉬워지 는 동시에, 미립자가 광학도파로로 되어, 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 미립자가 유연성을 갖는 경우에는 외부로부터의 하중을 분산시킬 수도 있다.
제2 발명은 기체 상에, 복수의 제1 전극과, 제1 전극의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부를 갖는 뱅크 구조체와, 개구부의 각각에 배치되는 전기 광학층과, 뱅크 구조체 및 전기 광학층을 덮는 제2 전극을 갖는 전기 광학 장치의 제조 방법에서, 웨트 프로세스에 의해 제2 전극상에 완충층을 배치하는 동시에 거의 평탄한 상면을 형성하는 제1 공정과, 완충층 상에 가스 배리어층을 형성하는 제2 공정을 갖도록 하였다. 이 발명에 의하면, 완충층이 기체측으로부터 발생하는 휘어짐이나 체적 변화에 의해 발생하는 응력을 완화한다. 따라서, 불안정한 뱅크 구조체로부터의 제2 전극의 박리를 방지할 수 있다. 또한, 완충층 상면이 거의 평탄화되므로, 완충층 상에 형성되는 딱딱한 피막으로 이루어지는 가스 배리어층이 평탄화되므로, 가스 배리어층에 응력이 집중하는 부위가 없어진다. 이것에 의해, 가스 배리어층에서의 크랙 발생을 방지할 수 있다. 제1 공정은, 웨트 프로세스에 의해 제2 전극 상에 액상의 완충 재료를 배치하고, 그 액상의 완충 재료를 수증기 분압 50Pa이하, 바람직하게는, 1Pa이하에서 고화시키는 공정인 것이 바람직하다. 이렇게 함으로써, 완충층의 수분을 양호하게 저감시킬 수 있어, 전기 광학 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 제2 공정이 미립자를 함유하는 유기 재료에 의해 완충층을 형성하는 것에서는 미립자가 뱅크 구조체의 형상에 기인하는 요철이나 급준한 단차에 들어가고, 또한, 완충층의 형성시에 유출하기 어려우므로 평탄한 표면을 형성하기 쉬워진 다. 또한, 거의 동일한 지름의 미립자를 함유시킴으로써, 상면을 평탄화시키기 쉬워진다.
또한, 제2 공정이 주쇄에 질소 원자를 갖는 유기 재료에 의해 상기 완충층을 형성하는 것에서는 완충층을 발광층의 내열 온도 이하에서 형성할 수 있으므로, 발광층에 손상을 주는 것을 방지할 수 있다.
또한, 제1 공정이, 웨트 프로세스에 의해 제2 전극상에 액상의 완충 재료를 배치하여, 액상의 완충 재료를 수증기 분압 50Pa이하에서 고화시키는 공정인 것에서는, 완충층의 수분 함유량을 억제할 수 있으므로, 전기 광학층의 열화 방지 효과가 높아진다.
제3 발명은, 전자 기기가 제1 발명의 전기 광학 장치, 또는 제2 발명의 제조 방법에 의해 얻어진 전기 광학 장치를 구비하도록 하였다. 이 발명에 의하면, 가스 배리어층이 박리하거나, 크랙이 발생하거나 하지 않으므로, 수분 등에 의한 발광층의 열화가 방지된다. 따라서, 선명한 화상을 장시간 표시할 수 있는 전자 기기를 얻을 수 있다.
[발명을 실시하기 위한 최량의 형태]
이하, 본 발명의 전기 광학 장치, 전기 광학 장치의 제조 방법, 및 전자 기기의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
전기 광학 장치로서, 전기 광학 물질의 일례인 전계 발광형 물질, 그 중에서도 유기 일렉트로루미네선스(EL) 재료를 사용한 EL 표시 장치에 대해서 설명한다.
도 1은 EL 표시 장치(1)의 배선 구조를 나타내는 도면이다. EL 표시 장치 (1)는 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 TFT라 약기함)를 사용한 액티브 매트릭스형의 EL 표시 장치이다.
EL 표시 장치(전기 광학 장치)(1)는 도 1에 나타내는 바와 같이, 복수의 주사선(101)과, 각 주사선(101)에 대해서 직각으로 교차하는 방향으로 뻗은 복수의 신호선(102)과, 각 신호선(102)에 병렬로 뻗은 복수의 전원선(103)이 각각 배선된 구성을 갖는 동시에, 주사선(101)과 신호선(102)의 각 교점 부근에 화소 영역(X)이 마련된다.
신호선(102)에는 시프트 레지스터, 레벨 시프터, 비디오 라인 및 아날로그 스위치를 구비하는 데이터선 구동 회로(100)가 접속된다. 또한, 주사선(101)에는, 시프트 레지스터 및 레벨 시프터를 구비하는 주사선 구동 회로(80)가 접속된다.
또한, 화소 영역(X)의 각각에는, 주사선(101)을 거쳐서 주사 신호가 게이트 전극에 공급되는 스위칭용 TFT(112)와, 이 스위칭용 TFT(112)를 거쳐서 신호선(102)으로부터 공급되는 화소 신호를 유지하는 유지 용량(113)과, 그 유지 용량(113)에 의해서 유지된 화소 신호가 게이트 전극에 공급되는 구동용 TFT(123)와, 이 구동용 TFT(123)를 거쳐서 전원선(103)에 전기적으로 접속했을 때에 그 전원선(103)으로부터 구동 전류가 유입하는 화소 전극(전극)(23)과, 이 화소 전극(23)과 음극(전극)(50)의 사이에 끼인 기능층(110)이 마련된다. 화소 전극(23)과 음극(50)과 기능층(110)에 의해, 발광소자(유기 EL 소자)가 구성된다.
이 EL 표시 장치(1)에 의하면, 주사선(101)이 구동되어 스위칭용 TFT(112)가 온 상태로 되면, 그 때의 신호선(102)의 전위가 유지 용량(113)으로 유지되고, 그 유지 용량(113)의 상태에 따라, 구동용 TFT(123)의 온·오프 상태가 정해진다. 또한, 구동용 TFT(123)의 채널을 거쳐서, 전원선(103)으로부터 화소 전극(23)으로 전류가 흘러, 기능층(110)을 거쳐서 음극(50)으로 전류가 흐른다. 기능층(110)은 이것을 흐르는 전류량에 따라서 발광한다.
다음에, EL 표시 장치(1)의 구체적인 구성에 대해서 도 2∼도 5를 참조하여 설명한다.
EL 표시 장치(1)는 도 2에 나타내는 바와 같이 전기 절연성을 구비하는 기판(20)과, 스위칭용 TFT(도시하지 않음)에 접속된 화소 전극이 기판(20)상에 매트릭스상으로 배치되어 이루어지는 화소 전극역(도시하지 않음)과, 화소 전극역의 주위에 배치되는 동시에 각 화소 전극에 접속되는 전원선(도시하지 않음)과, 적어도 화소 전극역 상에 위치하는 평면으로 보아 거의 직사각형의 화소부(3)(도 2 중 일점쇄선 프레임내)를 구비하여 구성된 액티브 매트릭스형의 것이다.
또한, 본 발명에서는, 기판(20)과 후술하는 바와 같이 이것 위에 형성되는 스위칭용 TFT나 각종 회로, 및 층간 절연막 등을 포함하여, 기체라 부른다.(도 3, 4 중에서는 부호 200으로 나타내고 있다.)
화소부(3)는 중앙 부분의 실표시 영역(4)(도 2 중 2점쇄선 프레임내)과, 실표시 영역(4)의 주위에 배치된 더미 영역(5)(일점쇄선 및 2점쇄선의 사이의 영역)으로 구획된다.
실표시 영역(4)에는, 각각 화소 전극을 갖는 표시 영역(R, G, B)이 A-B 방향 및 C-D 방향으로 각각 이간하여 매트릭스상으로 배치된다.
또한, 실표시 영역(4)의 도 2 중 양측에는, 주사선 구동 회로(80,80)가 배치된다. 이들 주사선 구동 회로(80,80)는 더미 영역(5)의 아래측에 배치된 것이다.
또한, 실표시 영역(4)의 도 2 중 상측에는 검사 회로(90)가 배치된다. 이 검사 회로(90)는 EL 표시 장치(1)의 작동 상황을 검사하기 위한 회로로서, 예를 들면 검사 결과를 외부에 출력하는 검사 정보 출력 수단(도시하지 않음)을 구비하여, 제조 도중이나 출하 시의 표시 장치의 품질, 결함의 검사를 행할 수 있도록 구성된 것이다. 또한, 이 검사 회로(90)도, 더미 영역(5)의 아래측에 배치된 것이다.
주사선 구동 회로(80) 및 검사 회로(90)는, 그 구동 전압이 소정의 전원부로부터 구동전압 도통부(310)(도 3 참조) 및 구동 전압 도통부(340)(도 4 참조)를 거쳐서, 인가되도록 구성된다. 또한, 이들 주사선 구동 회로(80) 및 검사 회로(90)에서의 구동 제어 신호 및 구동 전압은 이 EL 표시 장치(1)의 작동 제어를 행하는 소정의 메인 드라이버 등으로부터 구동 제어 신호 도통부(320)(도 3 참조) 및 구동 전압 도통부(350)(도 4 참조)를 거쳐서, 송신 및 인가된다. 또한, 이 경우의 구동 제어 신호라 함은 주사선 구동 회로(80) 및 검사 회로(90)가 신호를 출력할 때의 제어에 관련하는 메인 드라이버 등으로부터의 지령 신호이다.
또한, EL 표시 장치(1)는 도 3, 도 4에 나타내는 바와 같이 기체(200)상에 화소 전극(23)과 발광층(60)과 음극(50)을 구비한 발광 소자(유기 EL 소자)를 다수 형성하고, 이들을 덮어 완충층(210), 가스 배리어층(30) 등을 더 형성한 것이다.
또한, 발광층(60)으로는, 대표적으로는 발광층(일렉트로루미네선스층)이며, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층 등의 캐리어 주입층 또는 캐 리어 수송층을 구비하는 것, 또는, 정공 저지층(홀 블로킹층), 전자 저지층(일렉트론 저지층)를 구비하는 것이어도 좋다.
기체(200)를 구성하는 기판(20)으로는, 이른바 톱 에미션형의 EL 표시 장치의 경우, 이 기판(20)의 대향측인 가스 배리어층(30)측으로부터 발광광을 취출하는 구성이므로, 투명 기판 및 불투명 기판 모두 사용할 수 있다. 불투명 기판으로는, 예를 들면 알루미나 등의 세라믹스, 스테인레스 스틸 등의 금속 시트에 표면 산화 등의 절연 처리를 행한 것, 또한 열경화성 수지나 열가소성 수지, 또는 그 필름(플라스틱 필름) 등을 들 수 있다.
또한, 이른바 바텀 에미션형의 EL 표시 장치의 경우에는, 기판(20)측으로부터 발광광을 취출하는 구성이므로, 기판(20)으로는, 투명 또는 반투명의 것이 채용된다. 예를 들면, 유리, 석영, 수지(플라스틱, 플라스틱 필름) 등을 들 수 있고, 특히 유리 기판이 적합하게 사용된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 가스 배리어층(30)측으로부터 발광광을 취출하는 톱 에미션형으로 하므로, 기판(20)으로는 상술한 불투명 기판, 예를 들면 불투명의 플라스틱 필름 등이 사용된다.
또한, 기판(20)상에는 화소 전극(23)을 구동하기 위한 구동용 TFT(123) 등을 포함하는 회로부(11)가 형성되어 있고, 그 위에 발광 소자(유기 EL 소자)가 다수 마련된다. 발광 소자는 도 5에 나타내는 바와 같이, 양극으로서 기능하는 화소 전극(23)과, 이 화소 전극(23)으로부터의 정공을 주입／수송하는 정공 수송층(70)과, 전기 광학 물질 중의 하나인 유기 EL 물질을 구비하는 발광층(60)과, 음극(50)이 차례로 형성된 것에 의해 구성된 것이다.
이러한 구성으로, 발광 소자는 그 발광층(60)에서, 정공 수송층(70)으로부터 주입된 정공과 음극(50)으로부터의 전자가 결합함에 의해 발광한다.
화소 전극(23)은 본 실시 형태에서는 톱 에미션형이므로 투명할 필요가 없고, 따라서 적당한 도전 재료에 의해서 형성된다.
정공 수송층(70)의 형성 재료로는, 예를 들면 폴리티오펜 유도체, 폴리피롤 유도체 등, 또는 그들의 도핑체 등이 사용된다. 구체적으로는 3,4-폴리에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌설폰산(PEDOT/PSS)의 분산액, 즉, 분산매로서의 폴리스티렌설폰산에 3,4-폴리에틸렌디옥시티오펜을 분산시켜, 이것을 물에 더 분산시킨 분산액 등이 사용된다.
발광층(60)을 형성하기 위한 재료로는 형광 또는 인광을 발광할 수 있는 공지의 발광 재료를 사용할 수 있다. 구체적으로는, (폴리)플루오렌 유도체(PF), (폴리)파라페닐렌비닐렌 유도체(PPV), 폴리페닐렌 유도체(PP), 폴리파라페닐렌 유도체(PPP), 폴리비닐카바졸(PVK), 폴리티오펜 유도체, 폴리메틸페닐실란(PMPS) 등의 폴리실란계 등이 적합하게 사용된다.
또한, 이들 고분자 재료에, 페릴렌계 색소, 쿠마린계 색소, 로다민계 색소 등의 고분자계 재료나, 루브렌, 페릴렌, 9,10－디페닐안트라센, 테트라페닐부타디엔, 나일 레드, 쿠마린 6, 퀴나크리돈 등의 저분자 재료를 도프하여 사용할 수도 있다.
또한, 상술한 고분자 재료 대신에, 종래 공지의 저분자 재료를 사용할 수도 있다.
또한, 필요에 따라서, 이러한 발광층(60) 상에 전자 주입층을 형성해도 좋다.
또한, 본 실시 형태에서 정공 수송층(70)과 발광층(60)은 도 3∼도 5에 나타내는 바와 같이 기체(200)상에 격자상으로 형성된 친액성 제어층(25)과 유기 뱅크층(221)에 의해서 둘러싸여 배치되고, 이것에 의해 둘러싸인 정공 수송층(70) 및 발광층(60)은 단일의 발광 소자(유기 EL 소자)를 구성하는 소자층으로 된다.
또한, 유기 뱅크층(221)의 개구부(221a)의 각 벽면의 기체(200) 표면에 대한 각도 θ가 110도 이상∼170도 이하로 되어 있다(도 5 참조). 이러한 각도로 한 것은 발광층(60)을 웨트 프로세스에 의해 형성할 때에, 개구부(221a)내에 배치하기 쉽게 하기 위한 것이다.
음극(50)은 도 3∼도 5에 나타내는 바와 같이, 실표시 영역(4) 및 더미 영역(5)의 총면적보다 넓은 면적을 구비하여, 각각을 덮도록 형성된 것으로, 발광층(60)과 유기 뱅크층(221)의 상면, 또 유기 뱅크층(221)의 외측부를 형성하는 벽면을 덮은 상태로 기체(200)상에 형성된 것이다. 또한, 이 음극(50)은 도 4에 나타내는 바와 같이 유기 뱅크층(221)의 외측에서 기체(200)의 외주부에 형성된 음극용 배선(202)에 접속된다. 이 음극용 배선(202)에는 플렉시블 기판(203)이 접속되어 있고, 이것에 의해서 음극(50)은 음극용 배선(202)을 거쳐서 플렉시블 기판(203)상의 도시하지 않은 구동 IC(구동 회로)에 접속된다.
음극(50)은 전자 주입 효과가 큰 재료가 적합하게 사용된다. 예를 들면, 칼슘, 마그네슘, 나트륨, 리튬 금속 또는 이들의 금속 화합물이다. 금속 화합물로서 는 불화칼슘 등의 금속 불화물, 산화리튬 등의 금속 산화물, 아세틸아세토나토칼슘 등의 유기 금속 착체가 해당한다.
또한, 이들 재료만으로는 전기 저항이 크고 전극으로서 기능하지 않기 때문에, 알루미늄, 금, 은, 동 등의 금속층, ITO(Indium Tin Oxide：인디움주석 산화물), 산화 주석 등의 금속 산화 도전층과의 적층체로서 조합하여 사용해도 좋다. 또한, 본 실시 형태에서는 불화리튬, 마그네슘 금속, ITO의 적층체를 투명성이 얻어지는 막두께로 조정하여 사용하는 것으로 한다.
음극(50)의 상층부에는 음극 보호층(55)을 형성하여도 좋다. 또한, 음극 보호층(55)은 매우 얇은 막이기 때문에 도시하지 않고 있다.
음극 보호층(55)은 제조 프로세스 시에 음극(50)이 부식되어 버리는 것을 방지하기 위해서 마련되는 층이며, 무기 화합물, 예를 들면, ITO, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 질산화물 등의 실리콘 화합물에 의해 형성된다. 음극(50)을 무기 화합물로 이루어지는 음극 보호층(55)으로 덮음으로써, 칼슘, 마그네슘, 나트륨, 리튬 금속 또는 이들의 금속 화합물로 이루어지는 음극(50)으로의 산소 등의 침입을 양호하게 방지할 수 있다. 또한, 음극 보호층(55)은 기체(200)의 외주부의 절연층(284) 위까지, 10nm∼300nm정도의 두께로 형성된다.
음극(50)상에는, 유기 뱅크층(221)보다도 넓은 범위로, 또한 음극(50)을 덮은 상태로 완충층(210)이 마련된다. 완충층(210)은 유기 뱅크층(221) 형상의 영향에 의해, 요철상으로 형성된 음극(50)의 요철 부분을 메우도록 배치되고, 또한, 그 상면은 거의 평탄하게 형성된다.
완충층(210)은 기체(200)측으로부터 발생하는 휘어짐이나 체적 변화에 의해 발생하는 응력을 완화하고, 불안정한 유기 뱅크층(221)으로부터의 음극(50)의 박리를 방지하는 기능을 갖는다. 또한, 완충층(210)의 상면이 거의 평탄화되므로, 완충층(210)상에 형성되는 딱딱한 피막으로 이루어지는 가스 배리어층(30)도 평탄화되므로, 응력이 집중하는 부위가 없어지고, 이것에 의해, 가스 배리어층(30)에서의 크랙 발생을 방지한다.
완충층(210)으로는 친유성으로 저흡수성을 갖는 고분자 재료, 예를 들면, 폴리올레핀계 또는 폴리에테르계를 사용할 수 있다. 또한, 메틸트리메톡시실란이나 테트라에톡시실란 등의 알콕시실란을 가수분해시켜서 축합시킨 유기 규소 폴리머여도 좋다. 또한, 3-아미노프로필트리메톡시실란이나 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 실란 커플링제 등의 규소 화합물을 함유한 고분자를 사용함으로써, 음극(50) 및 가스 배리어층(30)의 계면의 접착성을 향상시킬 수 있다.
또한, 완충층(210)으로서, 메타크릴레이트 수지나 에폭시 수지 등을 주성분으로 하는 자외선 경화형 수지를 사용할 수도 있다. 자외선 경화형 수지를 사용함으로써, 가열 처리를 행하지 않고 완충층(210)이 성막되므로, 가열에 의한 발광층(60)으로의 악영향을 막을 수 있다. 이 경우에는, 음극 보호층(55)이 자외선 흡수 재료에 의해 형성되도록 하는 것이 바람직하며 예를 들면 산화티탄이나 산화아연, 인디움주석 산화물(ITO) 등의 에너지 밴드 갭이 2∼4eV의 산화물 반도체 재료를 음극 보호층(55)의 적어도 일부에 사용함으로써, 완충층(210)을 투과한 자외선을 음극 보호층(55)에서 흡수시킴에 의해, 완충층(210)에 조사한 자외선이 발광층(60)에 악영향을 주는 것을 방지한다.
또한, 완충층(210)으로는, 주쇄에 질소 원자를 함유하는 유기 고분자로 이루어지는 재료, 예를 들면, 톨릴렌디이소시아네이트나 크실렌디이소시아네이트 등의 이소시아네이트 화합물(－N＝C＝O기를 가진 화합물)이나 디에틸렌트리아민이나 m-페닐렌디아민 등의 아민 화합물(－NH2기나 －NH기를 가진 화합물) 등을 가진 재료를 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리에스테르, 폴리에테르, 폴리알콜 등의 주제 성분과 중합시킨 중합체를 사용할 수 있다. 이들 중합체는 우레탄 결합, 아미드 결합, 우레아 결합을 함으로써, 주쇄에 질소 원자를 함유하는 구조로 된다.
이소시아네이트 화합물이나 아민 화합물은 반응성이 높고, 중합체가 가진 수산기나 카복실기와 저온하에서도 중합이 진행되기 때문에, 120℃이하의 저온에서도 경화가능하다. 또한 주쇄에 질소 원자를 함유하는 중합체는 질소 원자가 가진 극성에 의해 표면 자유 에너지가 높고, 그 때문에, 음극 보호층(55)이나 가스 배리어층(30) 등의 무기 화합물층과의 밀착성이 향상하여, 내구성이 뛰어난 다층 구조를 형성할 수 있다.
또한, 이소시아네이트 화합물은 수분과 반응함으로써, 요소 결합 반응을 일으켜, 중합체화한다. 이 반응에 의해, 완충층(210)에 잔존하는 수분을 고정화함으로써, 음극(50)이나 발광층(60)으로의 수분의 침입을 방지할 수 있다.
또한, 완충층(210)에는 미립자(211)가 첨가(함유)된다. 미립자(211)를 함유시킴으로써, 완충층(210)을 형성하는 완충층 재료의 유동성을 조정할 수 있다. 또 한, 완충층(210)이 미립자(211)를 함유함에 의해, 피막 형성시나 온도 변화에 대해서 체적 변화를 일으키기 어렵게 되어, 가스 배리어층(30)으로의 부담을 경감시킬 수 있다.
완충층(210)에 함유되는 미립자(211)는 유기 고분자 재료 또는 무기 산화물 재료, 예를 들면 폴리에스테르이나 PMMA(폴리메틸메타크릴레이트), 실리카나 알루미나가 바람직하다. 또한, 미립자(211)는 완충층(210)의 재료와 상용하기 쉽도록 커플링 처리 등의 표면 처리를 행한다.
또한, 미립자(211)는 10nm∼1000nm정도의 입경을 갖고, 완충층(210)에 10％∼70％의 함유율로 첨가된다. 이것에 의해, 미립자(211)가 유기 뱅크층(221)의 개구부(221a) 등의 단차에 들어가, 극간(隙間)이 없는 양호한 층을 형성할 수 있다. 또한, 거의 동일한 지름의 미립자(211)를 함유시킴으로써, 완충층(210)의 상면을 평탄화시킬 수 있다. 또한, 미립자(211)는 보다 많이 첨가시키는 것이 바람직하지만, 함유율이 80％를 넘으면, 막으로서의 강도를 유지할 수 없게 되는 경우가 있으므로 피해야 한다.
또한, 미립자(211)는 굴절율 n이 1.2∼2.0 정도의 재료로 구성되는 것이 바람직하다. 완충층(210)(예를 들면, 비정질 폴리올레핀 n＝1.53)과 다른 굴절율 n을 갖는 미립자(211)(예를 들면, 실리카 미립자 n＝1.46)가 연쇄함에 의해, 광학도파로를 형성하여, 발광층(60)으로부터의 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 미립자(211)의 입경은, 반드시 균일할 필요는 없고, 입경이 다른 입자로 구성해도 좋다. 예를 들면, 완충층(210)의 상면을 평탄화시키는 미립자(211)의 입경은 1000nm로 하고, 광학도파로로서 기능시키는 미립자(211) 또는 극간에 들어가는 미립자(211)의 입경은 10nm로 해도 좋다.
또한, 이러한 완충층(210)상에는, 완충층(210)의 기체(200) 위에서 노출하는 부위를 덮은 상태로 가스 배리어층(30)이 마련된다. 또한, 가스 배리어층(30)은 기체(200)의 외주부의 절연층(284)위까지 형성된다. 또한, 절연층(284)상에서, 음극 보호층(55)과 접촉하도록 해도 좋다.
가스 배리어층(30)은 그 내측에 산소나 수분이 침수하는 것을 방지하기 위한 것으로서, 이것에 의해 음극(50)이나 발광층(60)으로의 산소나 수분의 침입을 방지하여, 산소나 수분에 의한 음극(50)이나 발광층(60)의 열화 등을 억제하도록 한 것이다.
또한, 가스 배리어층(30)은 예를 들면 무기 화합물로 이루어지는 것으로, 바람직하게는 규소 화합물, 즉 규소질화물이나 규소산질화물, 규소산화물 등에 의해 형성된다. 단, 규소 화합물 이외에도, 예를 들면 알루미나나 산화탄탈, 산화티탄, 또는 다른 세라믹스 등으로 이루어져 있어도 좋다. 이렇게 가스 배리어층(30)이 무기 화합물로 형성되어 있으면, 특히 음극(50)이 ITO로 형성됨에 의해, 가스 배리어층(30)과 음극(50)의 일부의 밀착성이 좋아지고, 따라서 가스 배리어층(30)이 결함이 없는 치밀한 층으로 되어 산소나 수분에 대한 배리어성이 보다 양호해진다.
또한, 가스 배리어층(30)으로는, 예를 들면 상술한 규소 화합물 중의 다른 층을 적층한 구조로 해도 좋고, 구체적으로는, 음극(50)측으로부터 규소질화물, 규소산질화물의 순서로 형성하여, 또는 음극(50)측으로부터 규소산질화물, 규소 산화 물의 순서에 형성하여 가스 배리어층(30)을 구성하는 것이 바람직하다. 또한, 이러한 조합 이외에도, 조성비가 다른 규소 산화물을 2층 이상 적층한 경우에, 음극(50)측의 층의 산소 농도가 이것보다 외측 층의 산소 농도보다 낮게 되도록 구성하는 것이 바람직하다.
이와 같이 하면, 음극(50)측이 그 반대측보다 산소 농도가 낮게 되므로, 가스 배리어층(30) 중의 산소가 음극(50)을 통과하여 그 내측의 발광층(60)에 도달하여, 발광층(60)을 열화시켜 버리는 것을 방지할 수 있고, 이것에 의해 발광층(60)의 장수명화를 도모할 수 있다.
또한, 가스 배리어층(30)으로는 적층 구조로 하지 않고, 그 조성을 불균일하게 하여 특히 그 산소 농도가 연속적으로, 또는 비연속적으로 변화하는 구성으로 해도 좋고, 그 경우에도, 음극(50)측의 산소 농도가 외측의 산소 농도보다 낮게 되도록 구성하는 것이 상술한 이유에 의해 바람직하다.
또한, 이러한 가스 배리어층(30)의 두께로는 10nm이상, 500nm이하인 것이 바람직하다. 10nm미만이면, 막의 결함이나 막두께의 불균일 등에 의해 부분적으로 관통공이 형성되어 버려, 가스 배리어성이 손상되어 버릴 우려가 있고, 500nm를 넘으면, 응력에 의한 갈라짐이 생길 우려가 있기 때문이다.
또한, 본 실시 형태에서는 톱 에미션형으로 하고 있으므로, 가스 배리어층(30)은 투광성을 가질 필요가 있고, 따라서 그 재질이나 막두께를 적당히 조정함으로써, 본 실시 형태에서는 가시광 영역에서의 광선 투과율을 예를 들면 80％이상으로 하고 있다.
또한, 가스 배리어층(30)의 외측에는, 가스 배리어층(30)을 덮는 보호층(204)이 마련된다(도 8 참조). 이 보호층(204)은 가스 배리어층(30)측에 마련된 접착층(205)과 표면 보호층(206)으로 이루어진다.
접착층(205)은 가스 배리어층(30)상에 표면 보호층(206)을 고정시키고, 또한 외부로부터의 기계적 충격에 대해서 완충 기능을 갖는 것으로, 예를 들면 우레탄계, 아크릴계, 에폭시계, 폴리올레핀계 등의 수지로, 후술하는 표면 보호층(206)보다 유연하고 유리 전이점이 낮은 재료로 이루어지는 접착제에 의해서 형성된 것이다. 또한, 이러한 접착제에는 실란 커플링제 또는 알콕시실란을 첨가해 두는 것이 바람직하고, 이렇게 하면, 형성되는 접착층(205)과 가스 배리어층(30)의 밀착성이 보다 양호하게 되므로, 기계적 충격에 대한 완충 기능이 높아진다.
또한, 특히 가스 배리어층(30)이 규소 화합물로 형성되어 있는 경우 등에는, 실란 커플링제나 알콕시실란에 의해서 이 가스 배리어층(30)과의 밀착성을 향상시킬 수 있으므로, 가스 배리어층(30)의 가스 배리어성을 높일 수 있다.
또한, 접착층(205)에서도, 주쇄에 질소를 함유하는 중합체를 주성분으로서 형성하는 것이 바람직하다. 발광층(60)을 저온에서 경화시킬 수 있으므로, 발광층(40)에서의 손상을 억제할 수 있기 때문이다.
또한, 접착층(205)에도 미립자(207)를 함유시켜도 좋다. 미립자(207)를 함유함으로써, 미립자(207)가 스페이서로 되어, 접착층(205)의 막두께를 거의 균일화할 수 있다. 또한, 미립자(207)가 광학도파로로 되어, 발광층(60)으로부터의 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 미립자(207)가 유연성을 갖는 경우에는, 외부로부터의 하중을 완화하도록 기능시킬 수도 있다.
또한, 미립자(207)는 상술한 미립자(211)와 동일한 것이 바람직하다. 이 경우에도, 입경이 균일할 필요는 없다. 예를 들면, 스페이서로서 기능하는 미립자(207)의 입경은 1000nm로 하고, 광학도파로로서 기능하는 미립자(207)의 입경은 10nm로 해도 좋다.
표면 보호층(206)은 접착층(205)상에 마련되어, 보호층(204)의 표면측을 구성하는 것이며, 내압성이나 내마모성, 외부 광반사 방지성, 가스 배리어성, 자외선 차단성 등의 기능의 적어도 하나를 가져 이루어지는 층이다. 구체적으로는, 고분자층(플라스틱 필름)이나 DLC(다이아몬드형 카본)층, 유리 등에 의해 형성되는 것이다.
또한, 이 예의 EL 표시 장치에서는, 톱 에미션형으로 하는 경우에 표면 보호층(206), 접착층(205)을 모두 투광성의 것으로 할 필요가 있지만, 바텀 에미션형으로 하는 경우에는 그럴 필요는 없다.
상술한 발광 소자의 아래쪽에는, 도 5에 나타내는 바와 같이 회로부(11)가 마련된다. 이 회로부(11)는 기판(20)상에 형성되어 기체(200)를 구성하는 것이다. 즉, 기판(20)의 표면에는 하지로서 SiO2를 주체로 하는 하지 보호층(281)이 형성되고, 그 위에는 실리콘층(241)이 형성된다. 이 실리콘층(241)의 표면에는 SiO2 및／또는 SiN를 주체로 하는 게이트 절연층(282)이 형성된다.
또한, 실리콘층(241) 중, 게이트 절연층(282)을 끼워 게이트 전극(242)과 겹 친 영역이 채널 영역(241a)으로 된다. 또한, 이 게이트 전극(242)은 도시하지 않은 주사선(101)의 일부이다. 한편, 실리콘층(241)을 덮어, 게이트 전극(242)을 형성한 게이트 절연층(282)의 표면에는, SiO2를 주체로 하는 제1 층간 절연층(283)이 형성된다.
또한, 실리콘층(241) 중, 채널 영역(241a)의 소스측에는, 저농도 소스 영역(241b) 및 고농도 소스 영역(241S)이 마련되는 한편, 채널 영역(241a)의 드레인측에는 저농도 드레인 영역(241c) 및 고농도 드레인 영역(241D)이 마련되어, 이른바 LDD(Light Doped Drain) 구조를 형성한다. 이들 중, 고농도 소스 영역(241S)은 게이트 절연층(282)과 제1 층간 절연층(283)에 걸쳐서 개공하는 컨택트홀(243a)을 거쳐서, 소스 전극(243)에 접속된다. 이 소스 전극(243)은 상술한 전원선(103)(도 1 참조, 도 5에서는 소스 전극(243)의 위치에 지면 수직 방향으로 뻗어 있음)의 일부로서 구성된다. 한편, 고농도 드레인 영역(241D)은 게이트 절연층(282)과 제1 층간 절연층(283)에 걸쳐서 개공하는 컨택트홀(243a)을 거쳐서, 소스 전극(243)과 동일층으로 이루어지는 드레인 전극(244)에 접속된다.
소스 전극(243) 및 드레인 전극(244)이 형성된 제1 층간 절연층(283)의 상층은 예를 들면 아크릴계의 수지 성분을 주체로 하는 제2 층간 절연층(284)에 의해서 덮여있다. 이 제2 층간 절연층(284)은 아크릴계의 절연막 이외의 재료, 예를 들면, SiN, SiO2 등을 사용할 수 있다. 또한, ITO로 이루어지는 화소 전극(23)이, 이 제2 층간 절연층(284)의 표면상에 형성되는 동시에, 제2 층간 절연층(284)에 마련된 컨택트홀(23a)을 거쳐서 드레인 전극(244)에 접속된다. 즉, 화소 전극(23)은 드레인 전극(244)을 거쳐서, 실리콘층(241)의 고농도 드레인 영역(241D)에 접속된다.
또한, 주사선 구동 회로(80) 및 검사 회로(90)에 포함되는 TFT(구동 회로용 TFT), 즉, 예를 들면 이들 구동 회로 중, 시프트 레지스터에 포함되는 인버터를 구성하는 N채널형 또는 P채널형의 TFT는 화소 전극(23)과 접속되지 않은 점을 제외하고 구동용 TFT(123)와 같은 구조로 된다.
화소 전극(23)이 형성된 제2 층간 절연층(284)의 표면에는, 화소 전극(23)과, 상술한 친액성 제어층(25) 및 유기 뱅크층(221)이 마련된다. 친액성 제어층(25)은 예를 들면 SiO2 등의 친액성 재료를 주체로 하는 것이며, 유기 뱅크층(221)은 아크릴이나 폴리이미드 등으로 이루어지는 것이다. 또한, 화소 전극(23)상에는, 친액성 제어층(25)에 마련된 개구부(25a), 및 유기 뱅크층(221)으로 둘러싸여 이루어지는 개구부(221a)의 내부에, 정공 수송층(70)과 발광층(60)이 이 순서로 적층된다. 또한, 본 실시 형태에서의 친액성 제어층(25)의「친액성」이라 함은 적어도 유기 뱅크층(221)을 구성하는 아크릴, 폴리이미드 등의 재료와 비교하여 친액성이 높은 것을 의미하는 것으로 한다.
이상에서 설명한 기판(20)상의 제2 층간 절연층(284)까지의 층이, 회로부(11)를 구성한다.
여기서, 본 실시 형태의 EL 표시 장치(1)는 칼라 표시를 행하고자, 각 발광 층(60)이 그의 발광 파장대역이 광의 삼원색에 각각 대응하여 형성된다. 예를 들면, 발광층(60)으로서, 발광 파장대역이 적색에 대응한 적색용 발광층(60R), 녹색에 대응한 녹색용 발광층(60G), 청색에 대응한 청색용 발광층(60B)을 각각에 대응하는 표시 영역(R,G,B)에 마련하고, 이들 표시 영역(R,G,B)으로 칼라 표시를 행하는 1화소가 구성된다. 또한, 각색 표시 영역의 경계에는, 금속 크롬을 스패터링 등으로 성막한 도시를 생략한 BM(블랙 매트릭스)가 예를 들면 유기 뱅크층(221)과 친액성 제어층(25) 사이에 형성된다.
다음에, 본 실시 형태에 의한 EL 표시 장치(1)의 제조 방법의 일례를, 도 6, 7을 참조하여 설명한다. 도 6, 7에 나타내는 각 단면도는 도 2 중의 A－B선의 단면도에 대응한 도면이다.
또한, 본 실시 형태에서는, 전기 광학 장치로서의 EL 표시 장치(1)가 톱 에미션형인 경우이며, 또한, 기판(20)의 표면에 회로부(11)를 형성시키는 공정에 대해서는, 종래 기술과 다르지 않기 때문에 설명을 생략한다.
우선, 도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 표면에 회로부(11)가 형성된 기판(20)의 전면을 덮도록, 화소 전극(23)으로 되는 도전막을 형성하고, 또한, 이 투명 도전막을 패터닝함으로써, 제2 층간 절연층(284)의 컨택트홀(23a)을 거쳐서 드레인 전극(244)과 도통하는 화소 전극(23)을 형성하는 동시에, 더미 영역의 더미 패턴(26)도 형성한다.
또한, 도 3, 4에서는, 이들 화소 전극(23), 더미 패턴(26)을 총칭하여 화소 전극(23)으로 하고 있다. 더미 패턴(26)은 제2 층간 절연층(284)을 거쳐서 하층의 메탈 배선에 접속하지 않는 구성으로 된다. 즉, 더미 패턴(26)은 섬 형상으로 배치되어, 실표시 영역에 형성되어 있는 화소 전극(23)의 형상과 거의 동일한 형상을 갖는다. 물론, 표시 영역에 형성되어 있는 화소 전극(23)의 형상과 다른 구조라도 좋다. 또한, 이 경우, 더미 패턴(26)은 적어도 구동 전압 도통부(310(340))의 위쪽에 위치하는 것도 포함하는 것으로 한다.
그 다음에, 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 화소 전극(23), 더미 패턴(26)상, 및 제2 층간 절연막상에 절연층인 친액성 제어층(25)을 형성한다. 또한, 화소 전극(23)에서는 일부가 개구하는 태양으로 친액성 제어층(25)을 형성하고, 개구부(25a)(도 3도 참조)에서 화소 전극(23)으로부터의 정공 이동이 가능하게 되어 있다. 역으로, 개구부(25a)를 마련하지 않은 더미 패턴(26)에서는, 절연층(친액성 제어층)(25)이 정공 이동 차단층으로 되어 정공 이동이 생기지 않은 것으로 되어 있다. 이어서, 친액성 제어층(25)에서, 다른 2개의 화소 전극(23) 사이에 위치하여 형성된 요부에 도시하지 않은 BM(블랙 매트릭스)을 형성한다. 구체적으로는, 친액성 제어층(25)의 요부에 대해서, 금속 크롬을 사용하는 스패터링법으로 성막한다.
또한, 도 6(c)에 나타내는 바와 같이, 친액성 제어층(25)의 소정 위치, 자세하게는 상술한 BM을 덮도록 유기 뱅크층(221)을 형성한다. 구체적인 유기 뱅크층의 형성 방법으로는, 예를 들면 아크릴 수지, 폴리이미드 수지 등의 레지스트를 용매에 용해한 것을, 스핀 코팅법, 딥 코팅법 등의 각종 도포법에 의해 도포하여 유기질층을 형성한다. 또한, 유기질층의 구성 재료는 후술하는 잉크의 용매에 용해 하지 않고, 또한 에칭 등에 의해 패터닝하기 쉬운 것이면 어떠한 것이라도 좋다.
또한, 유기질층을 포토리소그래피 기술, 에칭 기술을 사용하여 패터닝하고, 유기질층에 개구부(221a)를 형성함으로써, 개구부(221a)에 벽면을 가진 유기 뱅크층(221)을 형성한다. 여기서, 개구부(221a)를 형성하는 벽면에 대해서, 기체(200) 표면에 대한 각도 θ을 110도 이상∼170도 이하로 되도록 형성한다.
또한, 이 경우, 유기 뱅크층(221)은 적어도 구동 제어 신호 도통부(320)의 위쪽에 위치하는 것을 포함하는 것으로 한다.
그 다음에, 유기 뱅크층(221)의 표면에, 친액성을 나타내는 영역과, 발액성을 나타내는 영역을 형성한다. 본 실시 형태에서는, 플라즈마 처리에 의해서 각 영역을 형성한다. 구체적으로는, 플라즈마 처리를, 예비 가열 공정과, 유기 뱅크층(221)의 상면 및 개구부(221a)의 벽면 및 화소 전극(23)의 전극면(23c), 친액성 제어층(25)의 상면을 각각 친액성으로 하는 친잉크화 공정과, 유기 뱅크층(221)의 상면 및 개구부(221a)의 벽면을 발액성으로 하는 발잉크화 공정과, 냉각 공정으로 구성한다.
즉, 기재(뱅크 등을 포함하는 기판(20))을 소정 온도, 예를 들면 70∼80℃ 정도로 가열하고, 그 다음에 친잉크화 공정으로서 대기 분위기 중에서 산소를 반응 가스로 하는 플라즈마 처리(O2 플라즈마 처리)를 행한다. 그 다음에, 발잉크화 공정으로서 대기 분위기 중에서 4불화메탄을 반응 가스로 하는 플라즈마 처리(CF4 플라즈마 처리)을 행한 후, 플라즈마 처리를 위해서 가열한 기재를 실온까지 냉각함 으로써, 친액성 및 발액성이 소정 개소에 부여되는 것으로 된다.
또한, 이 CF4 플라즈마 처리에서는, 화소 전극(23)의 전극면(23c) 및 친액성 제어층(25)에 대해서도 다소의 영향을 받지만, 화소 전극(23)의 재료인 ITO 및 친액성 제어층(25)의 구성 재료인 SiO2, TiO2 등은 불소에 대한 친화성이 부족하기 때문에, 친잉크화 공정으로 부여된 수산기가 불소기로 치환되지 않고, 친액성이 유지된다.
그 다음에, 정공 수송층 형성 공정에 의해서 정공 수송층(70)의 형성을 행한다. 이 정공 수송층 형성 공정에서는, 예를 들면 잉크젯법 등의 액적 토출법이나, 스핀 코팅법 등에 의해, 정공 수송층 재료를 전극면(23c)상에 도포한 후, 건조 처리 및 열처리를 행하여, 전극(23)상에 정공 수송층(70)을 형성한다. 정공 수송층 재료를 예를 들면 잉크젯법으로 선택적으로 도포하는 경우에는, 우선, 잉크젯 헤드(도시 생략)에 정공 수송층 재료를 충전하고, 잉크젯 헤드의 토출 노즐을 친액성 제어층(25)에 형성된 개구부(25a)내에 위치하는 전극면(23c)에 대향시켜, 잉크젯 헤드와 기재(기판(20))를 상대 이동시키면서, 토출 노즐로부터 1방울 당의 액량이 제어된 액적을 전극면(23c)에 토출한다. 다음에, 토출 후의 액적을 건조 처리하여, 정공 수송층 재료에 함유되는 분산매나 용매를 증발시킴으로써, 정공 수송층(70)을 형성한다.
여기서, 토출 노즐로부터 토출된 액적은 친액성 처리가 된 전극면(23c)상에서 퍼져, 친액성 제어층(25)의 개구부(25a)내에 채워진다. 한편, 발잉크 처리된 유기 뱅크층(221)의 상면에서는, 액적이 튕겨져서 부착되지 않는다. 따라서, 액적이 소정의 토출 위치에서 벗어나 유기 뱅크층(221)의 상면에 토출된다 해도, 그 표면이 액적으로 젖지 않고, 튕겨진 액적이 친액성 제어층(25)의 개구부(25a)내로 굴러 들어간다.
또한, 이 정공 수송층 형성 공정 이후는, 정공 수송층(70) 및 발광층(60)의 산화를 방지하기 위하여, 질소 분위기, 아르곤 분위기 등의 불활성 가스 분위기로 행하는 것이 바람직하다.
그 다음에, 발광층 형성 공정에 의해서 발광층(60)의 형성을 행한다. 이 발광층 형성 공정에서는, 예를 들면 잉크젯법에 의해, 발광층 형성 재료를 정공 수송층(70)상에 토출한 후, 건조 처리 및 열처리를 행함으로써, 유기 뱅크층(221)에 형성된 개구부(221a)내에 발광층(60)을 형성한다. 이 발광층 형성 공정에서는, 정공 수송층(70)의 재용해를 방지하기 위해, 발광층 형성 재료에 사용하는 용매로서, 정공 수송층(70)에 대해서 불용인 무극성 용매를 사용하다.
또한, 이 발광층 형성 공정에서는, 잉크젯법에 의해서 예를 들면 청색(B)의 발광층 형성 재료를 청색의 표시 영역에 선택적으로 도포하고, 건조 처리한 뒤, 마찬가지로 녹색(G), 적색(R)에 대해서도 각각 그 표시 영역에 선택적으로 도포하고, 건조 처리한다.
또한, 필요에 따라서, 상술한 바와 같이 이러한 발광층(60) 상에 전자 주입층을 형성해도 좋다.
그 다음에, 도 7(d)에 나타내는 바와 같이, 음극층 형성 공정에 의해서 음극 (50)의 형성을 행한다. 이 음극층 형성 공정에서는, 예를 들면, 진공 증착법, 이온 플레이팅법 등의 물리 기상 성장법(physical vapor deposition method：PVD)에 의해 ITO를 성막하여, 음극(50)으로 한다. 이 때, 이 음극(50)에 대해서는, 발광층(60)과 유기 뱅크층(221)의 상면을 덮는 것은 물론, 유기 뱅크층(221)의 외측부를 형성하는 벽면에 대해서도 이것을 덮는 상태로 되도록 형성한다.
또한, 음극(50)상에 음극 보호층(55)을 형성하는 경우에는, 고밀도 플라즈마 성막법을 사용하여 규소 산화물 등을 음극(50)상에 성막한다.
그 다음에, 도 7(e)에 나타내는 바와 같이, 완충층(210)은 도포 방식, 즉 웨트 프로세스에 의해 형성한다. 예를 들면 잉크젯법으로 형성하는 경우에는, 우선, 잉크젯 헤드(도시 생략)에 완충층 재료를 충전하고, 잉크젯 헤드의 토출 노즐을 음극(50)에 대향시켜, 잉크젯 헤드와 기재(기판(20))을 상대 이동시키면서, 토출 노즐로부터 1방울 당 액량이 제어된 액적을 음극(50)상에 토출한다. 격벽에 의해 형성되는 음극 표면의 요철에 대응하여 액적량을 제어함으로써, 완충층(210)의 표면을 보다 평탄하게 할 수 있다. 다음에, 토출 후의 액적을 건조 처리하여, 완충층 재료에 함유되는 분산매나 용매를 증발시킴으로써, 완충층(210)을 형성한다. 건조 처리 시에는, 수증기 분압 50Pa이하, 바람직하게는, 1Pa이하로 행하는 것이 바람직하다. 이 수증기 분압은 20℃에서의 분압으로 환산한 값이다. 노점(露点)으로 나타내면, 노점 －30℃이하, 바람직하게는, －65℃이하인 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 완충층(210)의 수분을 양호하게 저감시킬 수 있어, 전기 광학 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 1000Pa 정도의 극저압 하에서 용매 성분의 제거 및 완충층(210)내의 수분의 제거를 행한 후, 건조 질소를 분위기에 도입함으로써, 수증기 분압 0.2Pa로 할 수 있다.
또한, 슬릿 코팅(또는 커텐 코팅)법에 의해, 완충층 재료를 도포해도 좋다. 슬릿으로부터 압출한 완충 재료를 음극 상에 도포하기 때문에, 대면적으로 균일하게 완충 재료를 배치할 수 있다.
또한, 미립자(211)는, 미리 소정의 함유량으로 되도록 완충층 재료가 첨가된다.
또한, 완충층 재료에 질소를 함유시키는 경우에는, 완충층 재료의 도포 직전에 이소시아네트 화합물이나 아민 화합물을 첨가한다. 이것에 의해, 완충층 재료는 도포 후에 중합하여, 120℃이하의 저온에서 경화한다. 120℃이하의 저온이면, 발광층 등에 사용하는 고분자 재료를 열화시키지 않고, 완충층을 형성할 수 있다. 60℃∼80℃의 범위에서 경화시키는 것이 바람직하다. 80℃이하이면, 고분자 재료의 열화를 보다 저감시킬 수 있다. 또한, 60℃이하로 하면, 완충 재료의 경화 반응이 늦어져 완충 재료의 경화에 필요한 시간이 길어지기 때문에 바람직하지 않다.
그 다음에, 도 7(f)에 나타내는 바와 같이, 음극(50) 및 완충층(210)을 덮고, 즉 기체(200)상에 노출하는 음극(50)의 모든 부위를 덮은 상태로 가스 배리어층(30)을 형성한다.
여기서, 이 가스 배리어층(30)의 형성 방법으로는 이온 플레이팅법이나 ECR 플라즈마 CVD법 등, 플라즈마 데미지가 없고 저온에서 치밀한 막을 형성할 수 있는 고밀도 플라즈마 성막법으로 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 복수의 성막법을 조합해도 좋고, 먼저 스패터링법이나 이온 플레이팅법 등의 물리 기상 성장법으로 밀착성이 좋은 막을 형성한 다음, 플라즈마 CVD법 등의 화학 기상 성장법으로 응력이 작고 피복성이 뛰어난 결함이 없는 막을 형성해도 좋다.
또한, 가스 배리어층(30)의 형성에 대해서는, 상술한 바와 같이 동일한 재료에 의해서 단층으로 형성해도 좋고, 또한 다른 재료로 복수의 층으로 적층하여 형성해도 좋고, 또한, 단층으로 형성하지만, 그 조성을 막두께 방향으로 연속적 또는 비연속적으로 변화되도록 형성해도 좋다.
가스 배리어층(30)을 형성하는 재료로는 화학적으로 안정한 규소 화합물이 바람직하고, 그 중에서도 규소질화물 및 규소질산화물은 가스 배리어성이 뛰어나 바람직하다.
또한, 물리 기상 성장법으로 가스 배리어층(30)을 형성할 때, 성막 장치내에 공급하는 산소량을 최초는 적게 하고, 이하, 연속적 또는 비연속적으로 늘림으로써, 형성하는 가스 배리어층(30) 중의 산소 농도를 음극(50)측(내측)에서 낮게 하고, 외측에서는 이것보다 높게 되도록 형성해도 좋다.
또한, 가스 배리어층(30)의 형성에 대해서는 단일 성막법으로 행해도 좋은 것은 물론이며, 그 경우에도, 상술한 바와 같이 산소 농도를 음극(50)측(내측)에서 낮게 되도록 형성함이 바람직하다.
또한, 도 8에 나타내는 바와 같이, 가스 배리어층(30)상에 접착층(205)과 표면 보호층(206)으로 되는 보호층(204)이 마련된다. 접착층(205)은 슬릿 코팅법 등에 의해 가스 배리어층(30)상에 거의 균일하게 도포되고, 그 위에 표면 보호층 (206)이 접합된다.
이와 같이 가스 배리어층(30)상에 보호층(204)을 마련하면, 표면 보호층(206)이 내압성이나 내마모성, 광반사 방지성, 가스 배리어성, 자외선 차단성 등의 기능을 가짐에 의해, 발광층(60)이나 음극(50), 또는 가스 배리어층도 이 표면 보호층(206)에 의해서 보호할 수 있고, 따라서 발광 소자의 장기 수명화를 도모할 수 있다.
또한, 접착층(205)이 기계적 충격에 대해서 완충 기능을 발휘하므로, 외부로부터 기계적 충격이 가해진 경우에, 가스 배리어층(30)이나 그 내측의 발광 소자로의 기계적 충격을 완화하여, 이 기계적 충격에 의한 발광 소자의 기능 열화를 방지할 수 있다.
이상과 같이 하여, EL 표시 장치(1)가 형성된다.
이러한 EL 표시 장치(1)에서는, 음극(50)과 가스 배리어층(30) 사이에, 음극(50)을 덮는 동시에 거의 평탄한 상면이 형성된 완충층(210)이 배치되므로, 완충층(210)이 기체(200)측으로부터 발생하는 휘어짐이나 체적 변화에 의해 발생하는 응력을 완화하고, 불안정한 유기 뱅크층(221)으로부터의 음극(50)의 박리를 방지할 수 있다.
또한, 완충층(210)의 상면이 거의 평탄화되어 있으므로, 완충층(210)상에 형성되는 딱딱한 피막으로 이루어지는 가스 배리어층(30)이 평탄화되므로, 가스 배리어층(30)에 응력이 집중하는 부위가 없어지고, 이것에 의해, 가스 배리어층(30)에서의 크랙의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 완충층(210)이 미립자(211)를 함유하므로, 온도 변화에 대해서 체적 변화를 일으키기 어렵게 되어, 가스 배리어층(30)으로의 부담을 경감할 수 있다.
또한, 완충층(210)을 발광층(60)의 내열 온도 이하로 형성시킨 경우에는, 발광층(60)에 손상을 주지 않고, EL 표시 장치(1)를 장기 수명화시킬 수 있다.
또한, EL 표시 장치(1)에 의하면, 이하와 같은 밀봉 효과를 얻을 수 있다.
EL 표시 장치(1)를 60℃, 90％RH의 환경 하에 방치한 경우에, 다크 스폿(비발광 영역)이 발생할 때까지의 시간을 계측하였다. 또한, EL 표시 장치(1)의 음극 보호층(55)(실리콘 산화물), 완충층(210), 가스 배리어층(30)의 막두께는 각각 50nm, 3㎛, 100nm이다.
우선, 완충층(210)으로서, 아크릴 수지만을 사용한 경우에는, 약 50∼100시간에 다크 스폿의 발생이 확인되었다. 한편, 주쇄에 질소 원자를 함유하는 유기 고분자로 이루어지는 재료, 예를 들면 이소시아네이트 화합물을 아크릴 수지에 중합시킨 중합체를 사용한 경우에는, 다크 스폿의 발생까지 약 400∼500시간을 필요로 하였다.
다음에, 완충층(210)으로서 이소시아네이트 화합물과 아크릴 수지를 사용한 경우에, 음극 보호층(55)의 유무에 의한 밀봉 효과를 비교하면, 음극 보호층(55)을 마련하지 않은 경우에는, 약 50∼100시간에 다크 스폿의 발생이 확인되었다. 한편, 음극 보호층(55)을 마련한 경우에는, 다크 스폿의 발생까지 약 400∼500시간을 필요로 하였다.
또한, 완충층(210)의 형성 공정에서의 건조(고화) 처리를 대기압 하, 수증기 분압 약 1200Pa로 행한 경우에는, 약 200∼300시간에 다크 스폿의 발생이 확인되었다. 한편, 기체에 부착 또는 완충층 재료에 함유되는 수분 또는 용매를 제거하기 위해 약 1000Pa정도로 감압한 후, 건조 질소 가스를 이 분위기에 도입함으로써, 수증기 분압을 약 0.2Pa로 하였다.
이와 같이 하여 대기압 하, 수증기 분압 약 0.2Pa로 한 상태에서 건조(고화)를 행한 경우에는, 다크 스폿의 발생까지 약 400∼500시간을 필요로 하였다.
이상과 같이, 본 실시 형태의 EL 표시 장치(1)에 의하면, 높은 밀봉 효과를 얻음으로써, 수명을 늘릴 수 있다.
또한, 상술한 실시 형태에서는, 톱 에미션형의 EL 표시 장치(1)를 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 바텀 에미션형에도, 또한, 양측으로 발광광을 출사하는 타입의 것에도 적용할 수 있다.
또한, 바텀 에미션형, 또는 양측으로 발광광을 출사하는 타입의 것으로 한 경우, 기체(200)에 형성하는 스위칭용 TFT(112)나 구동용 TFT(123)에 대해서는, 발광 소자의 바로 아래가 아니라, 친액성 제어층(25) 및 유기 뱅크층(221)의 바로 아래에 형성하도록 하여, 개구율을 높이는 것이 바람직하다.
또한, EL 표시 장치(1)에서는 본 발명에서의 제1 전극을 양극으로서 기능시키고, 제2 전극을 음극으로서 기능시켰지만, 이들을 역으로 하여 제1 전극을 음극, 제2 전극을 양극으로 하여 각각 기능시키도록 구성해도 좋다. 단, 그 경우에는, 발광층(60)과 정공 수송층(70)의 형성 위치를 바꾸도록 할 필요가 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 전기 광학 장치에 EL 표시 장치(1)를 적용한 예 를 나타냈지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 기본적으로 제2 전극이 기체의 외측에 마련되는 것이면, 어떠한 형태의 전기 광학 장치에도 적용할 수 있다
다음에, 본 발명의 전자 기기에 대해서 설명한다. 전자 기기는 상술한 EL 표시 장치(전기 광학 장치)(1)를 표시부로서 가진 것이며, 구체적으로는 도 9에 나타내는 것을 들 수 있다.
도 9(a)는 휴대 전화의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 9(a)에서, 휴대 전화(1000)는 상술한 EL 표시 장치(1)를 사용한 표시부(1001)를 구비한다.
도 9(b)는 손목시계형 전자 기기의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 9(b)에서, 시계(1100)는 상술한 EL 표시 장치(1)를 사용한 표시부(1101)를 구비한다.
도 9(c)는 워드프로세서, 퍼스널 컴퓨터 등의 휴대형 정보 처리 장치의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 9(c)에서, 정보 처리 장치(1200)는 키보드 등의 입력부(1202), 상술한 EL 표시 장치(1)를 사용한 표시부(1206), 정보 처리 장치 본체(케이스)(1204)를 구비한다.
도 9(a)∼(c)에 나타내는 각각의 전자 기기는, 상술한 EL 표시 장치(전기 광학 장치)(1)를 가진 표시부(1001, 1101, 1206)를 구비하고 있으므로, 표시부를 구성하는 EL 표시 장치의 발광 소자의 장기 수명화가 도모된 것으로 된다.
본 발명에 의하면, 가스 배리어층의 하지로 되는 층을 형성하는 재료의 유동성을 조정하는 동시에, 체적 변화를 일으키기 어려운 하지층을 형성하여 가스 배리어층으로의 응력 집중을 완화시켜 박리나 크랙을 일으키기 않도록 한 전기 광학 장치 및 그 제조 방법, 및 전자 기기를 제공할 수 있게 된다.

Claims (23)

  1. 기체 상에, 복수의 제1 전극과, 상기 제1 전극의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부를 가진 뱅크 구조체와, 상기 개구부의 각각에 배치되는 전기 광학층과, 상기 뱅크 구조체 및 상기 전기 광학층을 덮는 제2 전극을 갖는 전기 광학 장치에 있어서,
    상기 제2 전극을 덮는 동시에 평탄한 상면이 형성된 완충층과,
    상기 완충층을 덮는 가스 배리어층을 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 완충층은 친유성의 유기 수지 재료로 이루어지고, 도포 형성 후에 감압 하에서 수분 또는 유기 용매 성분 등을 제거한 경화 피막인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 완충층은 자외선 경화 수지에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 완충층은 규소를 함유하는 유기 고분자로 이루어지는 재료에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 완충층은 주쇄에 질소 원자를 갖는 유기 재료에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 완충층은 미립자를 함유하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 미립자는 10nm∼1000nm의 입경을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 미립자는 완충층 내에 10%~70%의 함유율로 함유되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  9. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 미립자는 상기 완충층과 다른 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극과 상기 완충층의 사이에는, 상기 제2 전극의 부식을 방지하는 전극 보호층이 마련되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 전극 보호층은 자외선 흡수 재료에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 뱅크 구조체에서의 상기 개구부를 형성하는 벽면은 상기 기체와 110도∼170도의 각도를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 뱅크 구조체에서의 상기 개구부를 형성하는 벽면은 적어도 그 표면이 발액성을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 완충층은 상기 뱅크 구조체가 노출하지 않도록, 상기 뱅크 구조체보다 도 넓은 범위를 피복하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 가스 배리어층은 상기 완충층이 노출하지 않도록, 상기 완충층보다도 넓은 범위를 피복하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 가스 배리어층, 상기 전극 보호층, 또는 상기 가스 배리어층 및 상기 전극 보호층은 상기 기체의 외주부의 절연층에 접촉하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 전극 보호층과 상기 가스 배리어층은 상기 기체의 외주부에서 접촉하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 가스 배리어층의 상부에, 미립자를 함유하는 접착층을 거쳐서 표면 보호층이 마련되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  19. 기체 상에, 복수의 제1 전극과, 상기 제1 전극의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부를 갖는 뱅크 구조체와, 상기 개구부의 각각에 배치되는 전기 광학층과, 상기 뱅크 구조체 및 상기 전기 광학층을 덮는 제2 전극을 갖는 전기 광학 장치의 제조 방법에 있어서,
    웨트 프로세스에 의해 상기 제2 전극상에 완충층을 배치하는 동시에 평탄한 상면을 형성하는 제1 공정과,
    상기 완충층 상에 가스 배리어층을 형성하는 제2 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제1 공정은 미립자를 함유하는 유기 재료에 의해 상기 완충층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  21. 제19항 또는 제20항에 있어서,
    상기 제1 공정은 주쇄에 질소 원자를 갖는 유기 재료에 의해 상기 완충층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 제1 공정은 웨트 프로세스에 의해 상기 제2 전극상에 액상의 완충 재료를 배치하여, 그 액상의 완충 재료를 수증기 분압 50Pa 이하에서 고화시키는 공정인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  23. 제1항 기재의 전기 광학 장치, 또는 제19항 기재의 제조 방법에 의해 얻어진 전기 광학 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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