KR100680492B1 - 반도체 제조장비용 석영부품의 클리닝 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 제조장비의 석영부품 클리닝 장치에 관해 제시한다. 본 발명은 케미컬을 수용하는 케미컬 배스와, 석영부품을 탑재한 상태로 케미컬 배스 내에 투입되어 이동하는 배스킷과, 케미컬 배스를 거친 석영부품을 린스하는 순수 배스를 구비하는 반도체 제조장비의 석영부품 클리닝 장치에 있어서, 케미컬 배스의 배스킷 이동경로에 그 종점 벽체와 적정간격을 두고 배치되며, 배스킷의 선두에 완충적으로 접촉됨으로써 배스킷의 이동을 제한하는 댐핑 스토퍼가 구비되어 구성된다. 댐핑 스토퍼는 배스킷 이동경로를 가로질러 설치되는 테프론 봉 또는 테프론 테이프로 이루어진다. 본 발명은 석영부품을 탑재하여 케미컬 배스 내에서 이동하는 배스킷이 배스의 기둥이나 종점을 이루는 벽체 등과 충돌하지 않고 안전하게 정지할 수 있어 석영부품의 손상방지와 소자의 코스트 다운에 기여하게 됨은 물론 웨이퍼의 원활한 공정진행을 가능케 한다.

웨이퍼, 석영부품, 클리닝, 케미컬 배스

Description

반도체 제조장비용 석영부품의 클리닝 장치{a quartz parts cleaner of semiconductor equipment}

도 1은 종래의 석영부품 클리닝 장치를 개략적으로 나타낸 발췌 사시도,

도 2는 본 발명에 의한 석영부품 클리닝 장치를 개략적으로 나타낸 발췌 사시도이다.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

10: 케미컬 배스 11: (케미컬배스의) 이송안내부

13: (이송안내부의) 댐핑 스토퍼 14: (케미컬배스의) 기둥

20: 배스킷 30: 순수배스

P: 석영부품

본 발명은 반도체 제조장비의 클리닝 장치에 관한 것으로서, 특히 웨이퍼(wafer)의 표면에 증착이나 산화막 또는 절연막 등을 형성시키는 디퓨전 퍼니스(diffusion furnace)에 사용되고 있는 반응튜브 등의 석영부품(quartz parts)을 세척하기 위한 반도체 제조장비의 석영부품 클리닝 장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체소자의 제조공정 중에서 웨이퍼의 표면에 증착이나 산화막 또는 절연막 등을 형성시키기 위한 장비로 디퓨전 퍼니스가 사용되고 있다. 이러한 디퓨전 퍼니스는 진공상태를 유지하며 실제로 공정이 진행되는 내측튜브 및 내측튜브를 보호하면서 감압된 내부를 대기와 차단하는 외측튜브로 이루어진 긴 원통형의 반응튜브(tube)와, 이 반응튜브를 외부에서 감싸 소정온도로 가열하는 히팅챔버(heating chamber)로 구성된다. 이에 따라 반응튜브내에 웨이퍼들이 탑재된 보트를 투입하고, 소정의 반응가스와 불활성 가스를 주입한 뒤 적절히 가열함으로써 웨이퍼 상에 증착이나 절연막 등을 형성시키게 된다. 이 때, 반응 생성물과 반응에 사용되지 않은 기체들은 진공펌프에 의해서 반응튜브의 내·외측 튜브 사이를 통해 외부로 배기된다.

따라서, 반응튜브의 내·외측 튜브와 보트는 공정이 진행되는 동안 저압고온에 충분히 견딜 수 있어야 하는 바, 내열성이 우수한 석영재질로 구성되는 것이 일반적이다.

한편, 반도체 제조공정 중에 먼지 등의 이물질이 웨이퍼에 부착 또는 침투할 경우 반도체소자에 치명적인 악영향을 미치게 되므로 반도체 제조에 있어서는 웨이퍼의 청결과 함께 제조장비의 청결유지가 매우 중요하다. 특히, 디퓨전 퍼니스와 같이 가스반응에 의해서 웨이퍼 상에 절연막 등을 형성하는 공정에서는 미세한 먼지입자에 의해서도 웨이퍼의 제조불량이 초래되는 바, 공정의 진행에 앞서 반응튜브 등의 청결이 우선적으로 이루어지지 않으면 안된다.

이를 위해 종래에는 도 1에 도시한 바와 같이, 배스킷(basket:1) 위에 반응 튜브 등의 석영부품(P)을 올려놓은 뒤, 이를 케미컬 배스(chemical bath:2)내에 투입한다. 그러면, 케미컬 배스(2)안에 있던 케미컬이 석영부품(P)의 내부로 유입되면서 배스킷(1)이 화살표 방향으로 전진하여 케미컬 세척을 진행하고, 이어서 순수(deionized water)배스(3)에 투입하여 린스(rinse)시킴으로써 석영부품(P)을 세척하고 있다.

그런데, 이러한 종래의 석영부품 클리닝 장치는 배스킷(1)이 케미컬 배스(2)내에서 이동하여 멈출 때, 배스킷(1)이 케미컬 배스(2)의 기둥(4)에 부딪치게 되어 탑재된 석영부품(P)에 충격이 가해지게 됨으로써 석영부품(P)에 손상(damage)이나 크랙(crack)이 발생될 뿐만 아니라 심한 경우 파손되는 문제가 있었다. 특히, 이 때 발생된 석영부품(P)의 손상이나 크랙은 육안으로는 확인이 불가하여 식별이 불가능하며, 이러한 석영부품(P)이 디퓨전 퍼니스에 그대로 사용되어 공정이 진행될 경우 고온/진공상태로 유지되어야 하는 공정에 치명적 악영향을 끼치게 된다.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 감안하여 안출된 것으로서, 석영부품을 탑재하여 케미컬 배스 내에서 이동하는 배스킷이 배스의 기둥이나 벽체 등과 충돌하는 것을 효과적으로 방지하여 석영부품을 안전하게 보호하면서 세척할 수 있는 반도체 제조장비의 석영부품 클리닝 장치를 제공함에 그 목적이 있다.

이와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 반도체 제조장비의 석영부품 클리닝 장치는, 케미컬을 수용하는 케미컬 배스와, 석영부품을 탑재한 상태로 케미컬 배스 내에 투입되어 이동하는 배스킷과, 케미컬 배스를 거친 석영부품을 린스하는 순수 배스를 구비하는 반도체 제조장비의 석영부품 클리닝 장치에 있어서, 케미컬 배스의 배스킷 이동경로에 그 종점 벽체와 적정간격을 두고 배치되며, 배스킷의 선두에 완충적으로 접촉됨으로써 배스킷의 이동을 제한하는 댐핑 스토퍼(damping stopper)가 구비된 것을 특징으로 한다.

이러한 본 발명의 한 바람직한 특징에 의하면, 댐핑 스토퍼가 배스킷 이동경로를 가로질러 설치되는 테프론(tefron) 봉 또는 테프론 테이프로 이루어진다.

이에 따라 본 발명은, 석영부품을 탑재하여 케미컬 배스 내에서 이동하는 배스킷이 배스의 기둥이나 종점을 이루는 벽체 등과 충돌하지 않을 뿐 아니라 배스킷에 적절한 완충을 부여하면서 정지시킬 수 있어 석영부품을 안전하게 세척할 수 있게 되므로 클리닝 장치의 신뢰성과 석영부품의 안전성 향상 및 반도체소자의 코스트 다운에 효과를 발휘하게 된다.

이와 같은 본 발명의 구체적 특징과 다른 이점들은 첨부된 도면을 참조한 이하의 바람직한 실시예의 설명으로 더욱 명확해질 것이다.

도 2 에서, 본 발명에 의한 반도체 제조장비의 석영부품 클리닝 장치는, 예컨대 실리콘웨이퍼의 표면에 증착이나 절연막 또는 산화막 등을 반응가스에 의해 형성시키는 디퓨전 퍼니스에 사용되는 석영부품(P)의 세척에 사용된다.

본 발명의 클리닝 장치는, 세정용 케미컬이 내부에 수용되는 케미컬 배스(10)와, 세척할 석영부품(P)을 탑재하여 케미컬 배스(10)내에 투입되는 배스킷(20) 및 케미컬 배스(10)를 지나온 석영부품(P)을 순수로 린스시키는 순수배 스(30)로 구성된다.

케미컬 배스(10)의 한쪽에는 배스킷(20)이 석영부품(P)을 탑재한 상태로 이동할 수 있도록 도랑형태의 긴 이송안내부(11)가 구비된다. 이송안내부(11)에는 배스킷(20)을 일정속도로 이송시키는 컨베이어(conveyer:도시하지 않음) 등의 배스킷 이송수단이 설치되고, 그 양 측에는 석영부품(P)을 안전하게 지지하기 위한 복수의 지지롤러(12)들이 적절히 배치된다.

한편, 본 발명의 특징에 따라 배스킷(20)의 이동경로, 즉 케미컬 배스(10)의 이송안내부(11) 종점 부근에는 배스킷(20)이 그 종점까지 이동하지 못하도록 제한하는 댐핑 스토퍼(13)가 설치되는데, 이는 케미컬 배스(10)의 단부 기둥(14)의 직전에 그 이동경로의 종점을 이루는 이송안내부(11)의 벽체(11a)와 일정간격을 두고 구비된다. 이러한 댐핑 스토퍼(13)는 이송수단을 타고 진행하는 배스킷(20)을 최소의 정지충격으로 안전하게 정지시킬 수 있어야 하는 바, 도시된 바와 같이 이동중인 배스킷(20)의 선두에 접촉하여 적절한 완충작용을 일으킬 수 있도록 이송안내부(11)를 가로질러 설치되는 라인 형태로 구성된다. 이를 위해 댐핑 스토퍼(13)는 테프론 봉 또는 테프론 테이프 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.

이와 같이 구성된 본 발명에 의한 반도체 제조장비의 석영부품 클리닝 장치는, 먼저 배스킷(20) 위에 세척할 석영부품(P)을 올려놓고, 이를 도시하지 않은 로딩수단에 의해 케미컬 배스(10)의 이송안내부(11)내에 투입시킨다. 그러면, 케미컬 배스(10)안에 있던 케미컬이 석영부품(P)의 내부로 유입되면서 배스킷(20)이 이송수단에 의해 화살표 방향으로 진행하게 된다. 이동중인 배스킷(20)이 이송안내부(11)의 종점 근처에 도달하면, 이송안내부(11)를 가로질러 설치된 댐핑 스토퍼(13)에 배스킷(20)의 선두가 접촉되어 걸리고, 이에 따라 배스킷(20)은 해당위치에서 정지하게 된다.

따라서, 종래와 달리 배스킷(20)이 이송안내부(11) 종점의 벽체(11a) 또는 배스(10)의 기둥(14)과 부딪치는 일없이 매우 안전하게 정지할 수 있게 된다. 이 때, 본 발명의 댐핑 스토퍼(13)는 테프론 봉 또는 테이프 형태로 이루어져 있으므로 배스킷(20)과의 접촉시 적절한 완충작용을 수반하게 되어 탑재된 석영부품(P)에 가해지는 정지충격이 거의 발생되지 않는다. 그러므로 종래와 같은 배스킷(20)의 충돌로 인한 석영부품(P)의 손상과 크랙 및 파손의 불량 없이 석영부품(P)을 안전하게 세척할 수 있게 된다.

한편, 위와 같이 케미컬 배스(10)를 통과한 석영부품(P)은 도시하지 않은 이재수단 등에 의해 순수배스(30)로 투입되어 린스됨으로써 세척을 완료하게 된다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 석영부품을 탑재하여 케미컬 배스 내에서 이동하는 배스킷이 배스의 기둥이나 종점을 이루는 벽체 등과 충돌되지 않고 적절한 완충과 함께 정지되므로 석영부품을 안전하게 세척할 수 있게 된다. 이에 따라 반도체소자의 제조공정이 원활하게 진행될 수 있음은 물론 소손에 의한 석영부품의 낭비를 최소화할 수 있으며, 특히 손상이나 크랙된 석영부품이 디퓨전 퍼니스에 그대로 사용되어 발생될 수 있는 공정의 악영향을 미연에 방지할 수 있게 된다.

따라서 본 발명은, 석영부품 클리닝 장치의 신뢰성과 안전성 향상 및 반도체소자의 코스트 다운에 효과를 발휘하게 된다.

Claims (2)

1. 케미컬(chemical)을 수용하는 케미컬 배스(chemical bath)(10)와, 석영부품을 탑재한 상태로 상기 케미컬 배스(chemical bath)(10) 내에 투입되어 이동하는 배스킷(basket)(20)과, 케미컬 배스(chemical bath)(10)를 거친 석영부품을 린스(rinse)하는 순수배스(deionized water bath)(30)를 구비하는 반도체 제조장비의 석영부품 클리닝 장치에 있어서,

   상기 케미컬 배스(chemical bath)(10)의 상기 배스킷(basket) 이동경로에 그 종점 벽체와 간격을 두고 배치되며, 배스킷(basket)(20)의 선두에 완충적으로 접촉됨으로써 배스킷(basket)(20)의 이동을 제한하는 댐핑 스토퍼(damping stopper)(13)가 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 석영부품 클리닝 장치.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 댐핑 스토퍼(damping stopper)(13)가 상기 배스킷(basket) 이동경로를 가로질러 설치되는 테프론(tefron) 봉 또는 테프론(tefron) 테이프로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 석영부품 클리닝 장치.

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