KR100679611B1

KR100679611B1 - 판상 알파알루미나의 제조방법

Info

Publication number: KR100679611B1
Application number: KR1020050065651A
Authority: KR
Inventors: 장윤식; 이상봉
Original assignee: 주식회사 코델
Priority date: 2005-07-20
Filing date: 2005-07-20
Publication date: 2007-02-08
Also published as: KR20070010777A

Abstract

본 발명은 판상 알루미나의 제조방법에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 쌍정 및 응집이 없고, 좁은 입도분포를 갖고 있어 분산성이 우수한 판상 알파알루미나를 경제적이고 효율적으로 제조하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면 융제법에 의한 판상 알루미나의 제조방법에 있어서, 알루미늄염 또는 전이 알루미나를 80~1800℃/hr의 승온 속도로 700~950℃ 까지 가열한 후 0.1~5시간 유지하고, 다시 30~600℃/hr의 승온 속도로 1000~1400℃까지 재가열한 후 1~10시간 유지하고, 이어서 실온까지 노냉(爐冷)하는 것으로 구성되는, 평균 입경이 10~50㎛이고 입자 두께가 0.1~0.8㎛이며, 종횡비가 50~500인 판상 알파알루미나의 제조방법이 제공되며, 본 발명의 제조방법에 의하여 제조되는 판상 알파알루미나는 쌍정이나 응집, 미립자 또는 단편이 없고, 좁은 입도 분포를 갖고 있으며, 입자 크기가 10~50㎛, 두께가 0.1~0.8㎛이고, 종횡비가 50~500으로서 물에 현탁 교반하면 아름다운 유선을 나타내므로, 그 우수한 분산성으로 인하여 펄 안료, 화장품의 체질안료, 백색안료, 수지 충진제, 연마패드 등의 원료로서 적합하게 사용될 수가 있다.

판상, 알파알루미나, 분산성

Description

판상 알파알루미나의 제조방법{Preparing Method for Platey α- Alumina}

도 1a 및 도 1b는 실시예 1에서 제조한 판상 알파알루미나 입자에 대한 주사전자현미경 사진도이다.

도 2는 실시예 1에서 제조한 판상 알파알루미나 입자에 대한 X선 회절 피크도이다.

본 발명은 펄 안료, 화장품의 체질안료, 백색안료, 수지 충진제, 연마패드 등의 원료로서 적합한 판상 알파알루미나의 제조방법에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 쌍정이나 응집과, 미립자 또는 단편이 없으며 좁은 입도 분포를 갖고 있어 분산성이 우수한 판상 알파알루미나를 효율적으로 제조하는 방법에 관한 것이다.

일반적으로 판상 알루미나는 육방 타일과 유사한 입자 형태가 특징이며, 입자크기를 입자두께로 나눈 것으로 정의되는 입자의 종횡비는 약 10:1 이상이다. 이러한 입자 크기의 측정은 코울터 멀티사이저 계수기를 사용하는 등의 표준 측정법에 의하여 이루어진다.

통상적으로 판상 알루미나는 알루미나 수화물을 조절, 하소시켜 시판되고 있으며(예컨대, Alcoa 사의 P-25 알루미나, 또는 Lonza 사의 MNY 알루미나 등), 통칭 "하소 알루미나"인 이러한 판상 알루미나는 작은 판상체들이 상호 강하게 융합된 응집물을 상당량 함유하고 있어 분산성이 열등하므로 화장료나 페인트 등의 안료나 수지 충진제 등으로 사용 시 퍼짐성이나 도막성, 또는 충진성에 문제를 초래하게 될 우려가 크고, 래핑 시에는 원하지 않는 스크래칭이 발생할 우려가 크다.

이러한 종래의 판상 알루미나가 갖는 문제점을 해소하기 위한 종래의 방안으로서, 일본특허공고 소 35-6977호는 원료에 대한 열처리 공정으로서 불화알루미늄 등의 광화제를 첨가하는 방법을 제안하고 있으며, 또한 일본특허공고 소 37-7750호는 수열합성법을 제안하고 있다. 그러나 이들 제조방법에 의하면 제조되는 판상 알루미나 입자의 입경의 제어가 곤란할 뿐만 아니라, 특히 판상 입자의 두께 박형화에 심각한 곤란성이 있다는 문제점이 있었다.

따라서 본 발명의 목적은 쌍정이나 응집, 미립자 또는 단편이 없으며, 좁은 입도 분포를 갖고 있어 분산성이 우수한 판상 알파알루미나의 효과적인 제조방법을 제공하기 위한 것이다.

상기한 본 발명의 목적을 원활히 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 일 양태(樣態)에 따르면, 융제법에 의한 판상 알루미나의 제조방법에 있어서, 알루미늄염 또는 전이 알루미나를 180~1800℃/hr의 승온 속도로 700~950℃ 까지 가열한 다음 0.1~5 시간 유지하고, 다시 30~600℃/hr의 승온 속도로 1000~1400℃까지 재가열한 다음 1~10시간 유지시킨 후, 실온까지 노냉(爐冷)하는 것으로 구성되는, 평균 입경이 10~50㎛이고 입자 두께가 0.1~0.8㎛이며, 종횡비가 50~500인 판상 알파알루미나의 제조방법이 제공된다.

상기한 본 발명의 목적을 원활히 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 다른 일 양태에 따르면, 상기한 첫 번째 내지 두 번째 양태에 있어서 상기한 노냉에 후속하여, 상온~110℃의 물로 융제를 제거하는 것으로 구성되는 판상 알파알루미나의 제조방법이 제공된다.

상기한 본 발명의 목적을 원활히 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 또 다른 일 양태에 따르면, 상기한 첫 번째 내지 두 번째 양태에 있어서 상기한 융제 제거에 후속하여, 분급 처리 및 산 처리로 이루어지는 후처리를 더욱 수행하는 판상 알파알루미나의 제조방법이 제공된다.

본 발명에 따른 제조방법에 대하여 설명하면, 먼저 수산화알루미늄이나 황산알루미늄 등과 같은 알루미늄염 또는 이를 열처리하여 얻어진 전이 알루미나를 분쇄하여 입도를 조절한 후, NaF 혹은 AlF₃ 등의 불소 화합물과, 또는 NaPF₆ 등의 인화합물과, Na₂SiF₆혹은 MgSiF₆ ㆍ6H₂O 등의 규소화합물, 또는 K₂TiF₆ 혹은 Na₂TiF₆등의 티타늄 불화물이나 K₂ZrF₆ 혹은 Na₂ZrF₆ 등의 지르코늄 불화물과 같은 전이금속 불화물, 또는 MgF₂와 같은 마그네슘 불화물, 또는 CaF₂ 혹은 CaSO₄·1/2H₂O의 칼슘 불화물, 그리고 융제로서의 Na₂SO₄(망초) 또는 Na₂SO₄(망초)와 K₂SO₄혼합물을 첨가하고 건식 또는 습식 분쇄하여 입도조절을 한 다음, 분쇄된 혼합물을 알루미나 도가니에 넣고 밀폐한 후 180~1800℃/hr의 승온 속도로 700~950℃ 까지 가열한 다음 0.1~5시간 유지하고, 다시 30~600℃/hr의 승온 속도로 1000~1400℃까지 재가열한 후 1~10시간 유지 시킨 후, 실온까지 노냉(爐冷)한 다음, 융제 등을 물로 녹여 낸 후, 얻어진 분말을 산 처리 한 후, 건조하고, 분급 및 분쇄하여 쌍정 및 응집, 미립자 및℃ 단편이 없는 입경 10~50㎛, 입자 두께 0.1~0.8㎛, 종횡비가 50~500인 판상 알파알루미나를 만든다.

융제법에 의한 판상 알파알루미나의 제조는 전이 알루미나 또는 알루미늄염이 800~900℃ 전후에서 융제에 녹아 석출될 때 알파알루미나의 핵이 생성되고 이 핵이 성장함으로서 생성된다.

이때 전이 알루미나 또는 알루미늄염을 융제에 잘 녹이기 위해 각종 첨가제가 첨가되며 이들 중 대표적인 것은 불소화합물이다.

한편, 첨가제의 종류에 따라 핵이 성장 할 때 이방성 성장의 특성이 달라지며, 이러한 이방성 성장을 촉진시키는 물질로서는 인(P), 규소(Si), 전이금속(Ti) 등이 있으며, 이방성 성장을 저해시키는 물질로서는 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 등을 들 수 있다. 따라서 P, Si, 또는 전이금속의 화합물과, Mg 또는 Ca 이온으로 구성된 화합물을 첨가하면 형상이 조절된 판상 알파알루미나의 제조가 용이하게 된다.

본 발명에 따른 융제법에 의한 판상 알파알루미나 제조는 전이 알루미나가 800~900℃ 전후에서 융제에 녹아 석출될 때 알파알루미나의 핵이 생성되고 이 핵의 성장에 의해 이루어진다. 이 때 전이 알루미나가 녹는 속도와 핵 생성 속도 및 핵 성장 속도를 제어함으로써 보다 우수한 분산성을 갖는 판상 알파알루미나 입자를 제조 할 수가 있다.

그런데, 첨가제인 불화물의 증기압은 매우 높으므로 전이 알루미나 또는 알루미늄염이 알파알루미나로 전이되는 온도인 700~950℃ 전후 까지는 불화물의 증발을 최소화하는 한편, 이 온도 범위에서 균일한 분포로 핵 생성이 일어나도록 한 후 핵 성장을 지속시키면 쌍정이나 응집이 적고 미립자나 단편이 적은 판상 알파알루미나를 효과적으로 제조할 수가 있다.

따라서 전이 알루미나 또는 알루미늄염이 알파알루미나로 전이되는 온도인 700~950℃ 까지는 가급적 빠른 속도로 승온하여 불화물의 증발을 최소화할 필요성이 있으며, 따라서 승온 속도를 180~1800℃/hr, 일반적으로는 180~1200℃/hr, 바람직하게는 300~1200℃/hr, 더욱 바람직하게는 300~900℃/hr, 가장 바람직하게는 600~900℃/hr로 하여 800~950℃ 까지 가열한 다음 0.1~5시간, 바람직하게는 0.1~3시간, 더욱 바람직하게는 0.5~2시간, 가장 바람직하게는 0.5~1시간 유지시켜 핵형성을 균질하게 분포시킨 후, 다시 승온 속도를 30~600℃/hr, 바람직하게 60~400℃/hr, 더욱 바람직하게는 90~300℃/hr, 가장 바람직하게는 90~200℃/hr로 하여 1000~1400℃까지 재가열한 다음, 이 온도에 도달하면 1~10시간, 바람직하게는 1~8시간, 더욱 바람직하게는 1~5시간, 가장 바람직하게는 1~3시간 유지시킨 후, 실온까지 노냉한다.

본 발명의 제조방법에 있어서, NaF 첨가량은 알루미늄염 또는 전이 알루미나 1몰(mol)에 대하여 0.0001~2mol, 바람직하게는 0.0001~1mol, 더욱 바람직하게는 0.0001~0.7mol, 가장 바람직하게는 0.0001~0.5mol의 양으로 첨가된다.

한편, 무수 황산알루미늄의 첨가량은 알루미늄염 또는 전이 알루미나 1몰(mol)에 대하여 0.0001~0.1mol, 바람직하게는 0.0001~0.05mol, 더욱 바람직하게는 0.0001~0.01mol, 가장 바람직하게는 0.01~0.001mol의 양으로 첨가된다.

AlF₃의 첨가량은 알루미늄염 또는 전이 알루미나 1몰(mol)에 대하여 0.0001~1mol, 바람직하게는 0.0001~0.5mol, 더욱 바람직하게는 0.0001~0.3mol, 가장 바람직하게는 0.01~0.1mol의 양으로 첨가된다.

또한, KPF₆ 또는 NaPF₆로 대표되는 인불화물 및 인이온의 첨가량은 알루미늄염 또는 전이 알루미나 1몰(mol)에 대하여 0.0001~0.3mol, 바람직하게는 0.0001~0.1mol, 더욱 바람직하게는 0.0001~0.05mol, 가장 바람직하게는 0.0001~0.01mol의 양으로 첨가된다.

선택적 첨가 성분으로서의 Na₂SiF₆ 또는 MgSiF₆ ㆍ6H₂O로 대표되는 규소불화물 및 규소이온을 첨가할 경우, 그 첨가량은 알루미늄염 또는 전이 알루미나 1몰(mol)에 대하여 0.0001~0.1mol, 바람직하게는 0.0001~0.03mol, 더욱 바람직하게는 0.0001~0.01mol, 가장 바람직하게는 0.0001~0.005mol의 범위이다.

선택적 첨가 성분으로서의 K₂TiF₆또는 Na₂TiF₆로 대표되는 티타늄불화물 및 티타늄이온을 첨가할 경우, 그 첨가량은 알루미늄염 또는 전이알루미나 1몰(mol)에 대하여 0.0001~0.3mol, 바람직하게는 0.0001~0.1mol,더욱 바람직하게는 0.000~0.05mol, 가장 바람직하게는 0.0001~0.03mol의 범위이다.

선택적 첨가 성분으로서의 MgF₂로 대표되는 마그네슘이온을 첨가할 경우, 그 첨가량은 알루미늄염 또는 전이알루미나 1몰(mol)에 대하여 0.0001~0.2mol, 바람직하게는 0.0001~0.1mol, 더욱 바람직하게는 0.0001~0.05mol, 가장 바람직하게는 0.0001~0.02mol의 범위이다.

선택적 첨가 성분으로서의 CaF₂및 CaSO₄·1/2H₂O 대표되는 칼슘이온을 첨가할 경우, 그 첨가량은 알루미늄염 또는 전이 알루미나 1몰(mol)에 대하여 0.0001~1.0 mol, 바람직하게는 0.0001~0.7mol, 더욱 바람직하게는 0.0001~0.5mol, 가장 바람직하게는 0.0001~0.2mol의 범위이다.

선택적 첨가 성분으로서의 K₂ZrF₆또는 Na₂ZrF₆대표되는 지르코늄불화물 및 지르코늄 이온을 첨가할 경우, 그 첨가량은 알루미늄염 또는 전이 알루미나 1몰(mol)에 대하여 0.0001~0.5mol, 바람직하게는 0.0001~0.2 mol, 더욱 바람직하게는 0.0001~0.1mol, 가장 바람직하게는 0.0001~0.05mol의 범위이다.

열처리된 시료를 수세과정을 통하여 효과적으로 융제인 망초(Na₂SO₄)를 제거하기 위해 시료 100g 당 상온~110℃, 바람직하게는 30~80℃, 더욱 바람직하게는 30~60℃, 가장 바람직하게는 35~50℃의 물 1L에 넣고 물을 교반기로 교반하면서 융제를 제거한다.

여과된 시료를 건조한 후, 제조된 판상 알루미나를 기류식 분급기를 사용하여 과도하게 응집된 입자를 제거한 후, 판 밀 등으로 분쇄한 후 다시 기류식 분급기를 사용하여 분급한 후, 산 처리하고 수세 건조하여 쌍정 및 응집, 미립자나 단 편이 없는 본 발명에 따른 판상 알루미나를 제조할 수 있다.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 하나 이는 본 발명을 예증하기 위한 것일 뿐 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.

실시예 1

먼저 수산화알루미늄을 700℃에서 2시간 열처리하여 전이 알루미나로 전환시켰다.

1 리터 용량의 볼밀에 직경 5mm 알루미나 볼 700g, 전환된 전이 알루미나 50g, 황산나트륨 500g, KPF₆ 0.89g, NaF 9.00g, AlF₃ 1.94g, MgSiF₆ ㆍ6H₂O 0.73g, MgF₂ 0.67g를 넣고 48시간 건식 분쇄하였다. 분쇄 후 볼을 제거한 후 혼합물을 알루미나 도가니에 넣고 뚜껑을 덮은 다음, 1200℃에서 2시간 열처리 한 후 노냉하고, 열처리된 시료를 50℃물로 황산나트륨 등을 제거한 후 90℃에서 1몰 염산용액으로 2시간 처리한 후 수차례 수세하고 여과 건조하였다.

결과의 판상 알루미나 입자를 X선 회절에 의해 조사해 본 결과 검출된 회절피크는 알파알루미나뿐 이었다. SEM에 의한 관찰에서는 입자는 판상체이고, 입자크기는 10~50㎛, 두께 0.1~0.7㎛이었다(도 1a 및 도 1b와 도 2 참조).

얻어진 판상 알파알루미나를 물에 현탁 교반 했을 때 아름다운 유선이 관찰되었다.

실시예 2

1 리터 용량의 볼밀에 직경 5mm 알루미나볼 700g, 전환된 전이 알루미나 50g, 황산나트륨 500g, KPF₆ 0.89g, NaF 9.00g, AlF₃ 1.94g, Na₂SiF₆0.51g, CaF₂ 0.85g, CaSO₄·1/2H₂O 4.88g를 넣고 48시간 건식 분쇄하였다. 분쇄 후 볼을 제거한 다음, 혼합물을 알루미나 도가니에 넣고 뚜껑을 덮은 다음, 1200℃에서 2시간 열처리 한 후 노냉하고, 열처리된 시료를 물로 세척하여 황산나트륨 등의 제거를 제거한 후 90℃에서 1몰 염산용액으로 5시간 처리하고 수차례 수세한 후 여과 건조하였다. 결과의 알루미나 입자를 X선 회절에 의해 조사해 본 결과 검출된 회절피크는 알파알루미나뿐 이었다. SEM에 의한 관찰에서는 입자는 판상체이고, 입자크기는 10~50㎛, 두께 0.1~0.7㎛이었다.

얻어진 판상 알파알루미나를 물에 현탁 교반 했을 때 유선이 관찰되었다

실시예 3

1 리터 용량의 볼밀에 직경 5mm 알루미나볼 700g, 수산화알루미늄 75g, 황산나트륨 500g, KPF₆ 0.89g, NaF 9.00g, AlF₃ 1.94g, MgSiF₆ ㆍ6H₂O0.73g, MgF₂ 0.67g 를 넣고 48시간 건식 분쇄하였다. 분쇄 후 볼을 제거하고, 혼합물을 알루미나 도가니에 넣고 뚜껑을 덮은 다음, 1200℃에서 2시간 열처리 한 후 노냉하고, 열처리된 시료를 물로 세척하여 황산나트륨 등의 제거를 제거한 후 90℃에서 1몰 염산용액으로 5시간 처리한 후 수차례 수세한 후 여과 건조하였다.

결과의 알루미나 입자를 X선 회절에 의해 조사해 본 결과 검출된 회절피크는 알파알루미나뿐 이였다. SEM에 의한 관찰에서는 입자는 판상체이고, 입자크기는 10~40㎛, 두께 0.1~0.7㎛이었다.

이 판상체 알파알루미나를 물에 현탁 교반 했을 때 유선이 관찰되었다

실시예 4

먼저 수산화알루미늄을 700℃에서 2시간 동안 열처리하여 전이 알루미나로 전환시켰다.

1리터 용량의 볼밀에 직경 5mm 알루미나볼 700g, 전환된 전이 알루미나 50g, 황산나트륨 500g, KPF₆ 0.45g, NaF 5.94g, AlF₃ 1.94g, K₂TiF₆ 2.08g, MgF₂ 0.25g, MgSiF₆ 6H₂O0.24g를 넣고 48시간 건식 분쇄하였다. 분쇄 후 볼을 제거하고 혼합물을 알루미나 도가니에 넣고 뚜껑을 덮은 다음, 1200℃에서 2시간 열처리 한 후 노냉하고, 열처리된 시료를 물로 세척하여 황산나트륨 등의 제거를 제거한 후 90℃에서 1몰 염산용액으로 5시간 처리한 후 수차례 수세하고 여과 건조하였다.

결과의 알루미나 입자를 X선 회절에 의해 조사해 본 결과 검출된 회절피크는 알파알루미나뿐 이였다. SEM에 의한 관찰에서는 입자는 판상체이고, 입자크기는 10~50㎛, 두께 0.1~0.7㎛ 이었다.

얻어진 판상 알파알루미나를 물에 현탁 교반 했을 때 유선이 관찰되었다.

실시예 5

1리터 용량의 볼밀에 직경 5mm 알루미나볼 700g, 전환된 전이 알루미나 50g, 황산나트륨 500g, KPF₆ 0.89g, NaF 9.00g, AlF₃ 1.94g, K₂ZrF₆ 1.35g, CaF₂ 0.85g, CaSO₄·1/2H₂O 4.88g를 넣고 48시간 건식 분쇄하였다. 분쇄 후 볼을 제거한 다음, 혼합물을 알루미나 도가니에 넣고 뚜껑을 덮은 후 1200℃에서 2시간 열처리 한 다음, 노냉하고, 열처리된 시료를 5L의 물에 넣고 교반하여 황산나트륨 등을 제거한 후 90℃에서 1몰 염산용액으로 5시간 처리하고 수차례 수세한 후 여과 건조하였다.

결과의 알루미나 입자를 X선 회절에 의해 조사해 본 결과 검출된 회절피크 는 알파알루미나뿐 이였다. SEM에 의한 관찰에서는 입자가 판상체이고, 입자크기는 20~40㎛, 두께 0.2~0.7㎛이었다.

실시예 6

1리터 용량의 볼밀에 직경 5mm 알루미나볼 700g, 전환된 전이 알루미나 50g, 무수황산알루미늄 0.5g, 황산나트륨 500g, KPF₆ 0.89g, NaF 7.00g, AlF₃ 1.94g, Na₂SiF₆ 0.67g, CaF₂ 0.85g, CaSO₄·1/2H₂O 4.88g를 넣고 48시간 건식 분쇄하였다. 분쇄 후 볼을 제거하고 혼합물을 알루미나 도가니에 넣고 뚜껑을 덮은 다음 1200℃에서 2시간 열처리 한 후 노냉하고, 열처리된 시료를 5L의 물에 넣고 교반하여 황산나트륨 등의 제거를 수행한 후 90℃에서 1몰 염산용액으로 5시간 처리하고 수차례 수세한 후 여과 건조하였다.

결과의 알루미나 입자를 X선 회절에 의해 조사해 본 결과 검출된 회절피크는 알파알루미나뿐 이였다. SEM에 의한 관찰에서는 입자가 판상체이고, 입자크기는 20~35㎛, 두께 0.2~0.7㎛이었다.

실시예 7

실시예 1에서 제조된 판상 알파알루미나 1kg을 기류식 분급기를 사용하여 분급([(주)원진TECH WJTS~015] 사용, 2500~5000회/분 회전수, 블로어의 압력 0.3~0.7기압, 찬넬 에어압 1.5~2.5기압, 노즐 압력 1.5~2.5기압)한 후, 휠밀(wheel mill)을 사용하여 분쇄하고 분쇄된 것을 기류식 분급기로 재분급(2500~5000회/분 회전수, 블로어의 압력 0.3~0.7기압, 찬넬 에어압 1.5~2.5기압, 노즐 압력 1.5~2.5기압)한 후 오염물질 제거를 위해 왕수로 재처리하여 건조하였다. 얻어진 판상체 알루미나 입자를 X선 회절에 의해 조사해 본 결과 검출된 회절피크는 알파알루미나뿐 이였다. 또한 SEM에 의한 관찰 결과, 쌍정이나 응집이 없는 판상체 입자인 것으로 판명되었다. 결과의 입자크기는 10~30㎛, 두께는 0.1~0.7㎛이었다.

결과의 판상 알파알루미나를 물에 현탁 교반 했을 때 유선이 관찰되었다

상술한 바와 같이, 본 발명의 제조방법에 따라 제조되는 판상 알루미나는 순수한 판상 알파알루미나로서 쌍정이나 응집, 미립자 또는 단편이 없으며, 좁은 입도 분포를 갖고 있으며, 얻어지는 판상 입자는 입자 크기 10~50㎛, 두께 0.1~0.8㎛이고, 종횡비 50~500으로서 물에 현탁 교반하면 아름다운 유선을 나타내므로, 그 우수한 분산성으로 인하여 펄 안료, 화장품의 체질안료, 백색안료, 수지 충진제, 연마패드 등의 원료로서 적합하게 사용될 수가 있다.

Claims

융제법에 의한 판상 알루미나의 제조방법에 있어서,

알루미늄염 또는 전이 알루미나를 180~1800℃/hr의 승온 속도로 800~950℃ 까지 가열한 후 0.1~5 시간 유지하고, 다시 30~600℃/hr의 승온 속도로 1000~1400℃까지 재가열한 후 1~10시간 유지하고, 이어서 실온까지 노냉(爐冷)하는 것으로 구성되는,

평균 입경이 10~50㎛이고 입자 두께가 0.1~0.8㎛이며, 종횡비가 50~500인 판상 알파알루미나의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기한 노냉에 후속하여, 상온~110℃의 물로 융제를 제거하는 것으로 구성되는 판상 알파알루미나의 제조방법.
제2항에 있어서, 상기한 융제 제거에 후속하여, 분급 처리 및 산 처리로 이루어지는 후처리를 더욱 수행하는 것으로 구성되는 판상 알파알루미나의 제조방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 무수황산알루미늄 첨가량이 수산화알루미늄 또는 전이 알루미나 1몰에 대하여 0.0001~0.1몰의 양으로 첨가되는 판상 알파알루미나 제조방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, NaF가 알루미늄염 또는 전이 알루미나 1몰에 대하여 0.0001~2몰의 양으로 첨가되는 판상 알파알루미나의 제조방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, AlF₃가 알루미늄염 또는 전이 알루미나 1몰에 대하여 0.0001~1몰의 양으로 첨가되는 판상 알파알루미나의 제조방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, KPF₆ 또는 NaPF₆의 인불화물 또는 인 이온이 알루미늄염 또는 전이 알루미나 1몰에 대하여 0.0001~0.3몰의 양으로 첨가되는 판상 알파알루미나의 제조방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, Na₂SiF₆ 또는 MgSiF₆ ㆍ6H₂O의 규소불화물 또는 규소이온이 알루미늄염 또는 전이 알루미나 1몰에 대하여 0.0001~0.1몰의 양으로 첨가되는 판상 알파알루미나의 제조방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, K₂TiF₆또는 Na₂TiF₆로 대표되는 티타늄불화물 또는 티타늄이온이 알루미늄염 또는 전이알루미나 1몰에 대하여 0.0001~0.3몰의 양으로 첨가되는 판상 알파알루미나의 제조방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, MgF₂의 마그네슘이온이 알루미늄염 또는 전이알루미나 1몰에 대하여 0.0001~0.2몰의 양으로 첨가되는 판상 알파알루미나의 제조방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, CaF₂또는 CaSO₄·1/2H₂O의 칼슘이온이 알루미늄염 또는 전이 알루미나 1몰에 대하여 0.0001~1.0몰의 양으로 첨가되는 판상 알파알루미나의 제조방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, K₂ZrF₆또는 Na₂ZrF₆의 지르코늄불화물 및 지르코늄이온이 알루미늄염 또는 전이 알루미나 1몰에 대하여 0.0001~0.5몰의 양으로 첨가되는 판상 알파알루미나의 제조방법.