KR100674736B1 - 기판반송장치와 그 세정방법 및 기판처리 시스템과 그세정방법 - Google Patents

기판반송장치와 그 세정방법 및 기판처리 시스템과 그세정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100674736B1
KR100674736B1 KR1020050034865A KR20050034865A KR100674736B1 KR 100674736 B1 KR100674736 B1 KR 100674736B1 KR 1020050034865 A KR1020050034865 A KR 1020050034865A KR 20050034865 A KR20050034865 A KR 20050034865A KR 100674736 B1 KR100674736 B1 KR 100674736B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
chamber
storage chamber
gas
processing system
Prior art date
Application number
KR1020050034865A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060047497A (ko
Inventor
츠요시 모리야
히로유키 나카야마
Original Assignee
동경 엘렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동경 엘렉트론 주식회사 filed Critical 동경 엘렉트론 주식회사
Publication of KR20060047497A publication Critical patent/KR20060047497A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100674736B1 publication Critical patent/KR100674736B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

기판을 수용하는 수용실과, 상기 수용실 내에 배설되고 또한 상기 기판을 반송하는 기판반송부와, 상기 수용실 내를 배기하는 배기부와, 상기 수용실 내에 기체를 도입하는 기체도입부를 구비하는 기판반송장치가 제공된다. 상기 기판반송부는, 상기 기판을 탑재하는 탑재부와, 상기 탑재부에 일단이 접속되고 또한 상기 탑재부를 이동시키는 아암부와, 상기 탑재부에 배설되고 또한 전압이 인가되는 전극을 가지며, 상기 수용실 내에 상기 기체가 도입되고 또한 상기 수용실 내가 배기되고 있는 때에, 상기 전극에 고전압이 인가된다.
기판반송장치, 기판처리시스템, 세정방법

Description

기판반송장치와 그 세정방법 및 기판처리 시스템과 그 세정방법 {SUBSTRATE TRANSFER DEVICE AND CLEANING METHOD THEREOF AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND CLEANING METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 기판반송장치의 개략구성을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판반송장치가 구비하는 반송아암의 개략구성을 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 따른 기판처리 시스템의 개략구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예로서 실행된 파티클제거처리의 평가 시퀀스(sequence)를 나타내는 플로우차트이다.
도 5는 본 발명의 실시형태에 따른 기판반송장치의 세정방법을 복수회 되풀이하여 실행한 경우에 측정된 PWP의 천이를 나타내는 그래프이다.
도 6a 및 6b는 스탈라 아암식 핸들링장치가 배치된 종래의 클러스터 기판처리 시스템의 개략구성을 도시한 도면으로, 도 6a는, 클러스터기판처리 시스템의 수평단면도이며, 도 6b는 도 6a에 있어서 선 VI-VI에 따르는 단면도이다.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 기판반송장치
11, 32 : 챔버
12 : 반송아암
13, 41 : 반출입구
14 : 게이트밸브
15 : 배기라인
16, 37 : 배기관
17, 36 : DP
18 : 가스도입 라인
19 : 가스공급장치
20 : 가스도입관
21 : 회전대
22 : 제 1 아암부재
23 : 제 2 아암부재
24 : 픽
25 : 전극층
26 : 전선
27 : 직류전원
30 : 기판처리 시스템
31 : 플라즈마처리장치
33 : 서셉터
34 : APC
35 : TMP
38 : 고주파전원
39 : 전극판
40 : 열전도가스공급구멍
42 : 처리가스도입관
43 : 샤워헤드
47 : 버퍼실
본 발명은, 기판반송장치 및 그 세정방법, 및 기판처리 시스템 및 그 세정방법에 관한 것으로, 특히, 기판반송장치의 내부를 대기에 개방하는 일 없이 세정하는 기판반송장치 및 그 세정방법, 그리고 기판처리 시스템 및 그 세정방법에 관한 것이다.
종래에, 이온도핑, 성막, 에칭 등의 각종 플라즈마처리를 웨이퍼에 실시하는 기판처리 시스템으로서, 복수의 기판처리장치가 공통의 기판반송실을 거쳐서 방사 상으로 배치된 클러스터 기판처리시스템이 알려져 있다.
이러한 클러스터 기판처리시스템은 도 6a에 도시하는 바와 같이 웨이퍼를 처리하는 예컨대 2개의 기판처리장치(61)와, 웨이퍼카세트(도시하지 않음)로부터 기판을 반출입하는 로더 모듈(62)과, 해당 로더 모듈(62)로의 웨이퍼 반출입을 행하는 2개의 웨이퍼 반출입실(63)과, 기판처리장치(61) 및 웨이퍼반출입실(63)의 사이에 개재하는, 진공챔버로서의 기판반송실(64)을 구비한다(예컨대, 참조문헌 1 참조).
기판반송실(64)은, 도 6b에 도시하는 바와 같이 그 내부에 N2 가스 등을 퍼지(purge)하는 가스도입부(65)와, 내부를 진공배기하는 펌프부(66)를 구비한다. 또한, 그 내부에 있어 웨이퍼를 반송하는 핸들링 장치(67)를 갖추고, 또한, 기판처리장치(61)나 웨이퍼반출입실(63)과 접하는 측벽에 있어서, 개폐자유자재인 게이트밸브(68)를 갖춘다. 핸들링 장치(67)는, 복수의 아암부재와 회전대를 갖는 스칼라(scalar) 아암식 핸들링 장치이고, 웨이퍼를 기판처리장치(61)나 웨이퍼 반출입실(63)로 게이트 밸브(68)을 거쳐서 반송한다.
이러한 클러스터 기판처리시스템에 있어서, 웨이퍼를 연속처리하면, 웨이퍼에 부착되어 기판반송실(64)에 반입된 파티클(particle)이나 핸들링 장치(67)가 작동할 때에 발생한 절삭가루인 파티클이 기판반송실(64)내에 퇴적한다. 이들 퇴적한 파티클은, 기판반송실(64)내에 N2 가스를 퍼지하거나, 또는 기판반송실(64)내를 진공배기할때에 발생하는 가스 흐름에 의해서 말아 올려지고 웨이퍼에 부착되어, 웨 이퍼의 양품률을 악화시킨다. 그 때문에, 기판반송실(64)내에 퇴적한 파티클을 제거할 필요가 있으며, 통상 기판반송실(64)내에 퇴적한 파티클을 제거할 때에는 작업자가 에틸 알코올 등을 적신 웨이스트(waste) 등에 의해서 기판반송실(64) 내를 청소한다.
(참조문헌 1) 일본국 특허공개 평성 제l0-154739호 공보(도 1)
그러나, 작업자가 웨이스트 등에 의해서 기판반송실(64) 내를 청소하는 경우, 유지보수창(도시하지 않음)이 외부환경(유지보수영역)에 개방되기 때문에, 대기중의 진개(塵芥)가 파티클로서 기판반송실(64)내에 침입하는 일이 있어, 기판반송실(64)내에 퇴적한 파티클을 완전히 제거하는 것은 곤란하다는 문제가 있다. 또한, 작업자에 의한 청소 후 통상 상태로의 복귀까지의 사이에 있어서 기판반송실(64)내의 진공배기와 시즈닝(seasoning)이 필요하여 즉시 웨이퍼를 반송할 수 없기 때문에, 기판처리 시스템의 가동율이 저하된다는 문제도 있다.
본 발명의 목적은, 기판처리 시스템의 가동율을 저하시키는 일 없이 퇴적한 파티클은 충분히 제거할 수 있는 기판반송장치 및 그 세정방법, 그리고 기판처리 시스템 및 그 세정방법을 제공하는 것에 있다.
상기목적을 달성하기 위해서, 청구항 1에 기재된 기판반송장치는, 기판을 수 용하는 수용실과, 상기 수용실 내에 배설되고 또한 상기 기판을 반송하는 기판반송부와, 상기 수용실 내을 배기하는 배기부와, 상기 수용실 내에 기체를 도입하는 기체도입부를 구비하는 기판반송장치에 있어서, 상기 기판반송부는, 상기 기판을 탑재하는 탑재부와, 상기 탑재부에 일단이 접속되고 또한 상기 탑재부를 이동시키는 아암부와, 상기 탑재부에 배설되고 또한 전압이 인가되는 전극을 가지며, 상기 수용실 내에 상기 기체가 도입되고 또한 상기 수용실 내가 배기되고 있는 때에 상기 전극에 고전압이 인가되는 것을 특징으로 한다.
청구항 2에 기재된 기판반송장치는, 청구항 1에 기재된 기판반송장치에 있어서, 상기 전극은 상기 탑재대에 탑재된 상기 기판에 대향하도록 배치되는 것을 특징으로 한다.
청구항 3에 기재된 기판반송장치는, 청구항 1 또는 2에 기재된 기판반송장치에 있어서, 상기 고전압의 절대값은 1~5 kV의 범위에 있는 것을 특징으로 한다.
청구항 4에 기재된 기판반송장치는, 청구항 1 또는 2에 기재된 기판반송장치에 있어서, 상기 전극에 극성이 다른 고전압이 교호적으로 인가되는 것을 특징으로 한다.
청구항 5에 기재된 기판반송장치는, 청구항 1 또는 2에 기재된 기판반송장치에 있어서, 상기 배기부는 상기 수용실 내의 압력을 133 Pa 이상으로 유지되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 청구항 6에 기재된 기판반송장치의 세정방법은, 기판반송장치의 기판의 수용실 내면에 퇴적된 이물을 제거하는 기판반송장치의 세 정방법에 있어서, 상기 수용실 내의 소망의 위치에, 상기 기판을 탑재하는 탑재부를 이동하는 이동단계와, 상기 수용실 내에 기체가 도입되고 또한 상기 수용실 내가 배기되고 있는 때에 상기 이동된 탑재부에 배설된 전극에 고전압을 인가하는 고전압 인가 단계를 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 청구항 7에 기재된 기판처리시스템은, 기판을 수용하는 제 1 수용실 및 상기 제 1 수용실 내에 배치되고 또한 상기 기판을 반송하는 기판반송부를 갖는 기판반송장치와, 상기 기판반송장치에 접속되고 또한 상기 기판을 수용하는 제 2 수용실을 갖는 기판처리장치를 구비하는 기판처리시스템에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 수용실 중 적어도 하나의 수용실 내를 배기하는 배기부와 상기 배기되는 수용실 내에 기체를 도입하는 기체도입구를 더 구비하고, 상기 기판반송부는, 상기 기판을 탑재하는 탑재부와, 상기 탑재부에 일단이 접속되고 또한 상기 탑재부를 이동시키는 아암부와, 상기 탑재부에 배설되고 또한 전압이 인가되는 전극을 가지며, 상기 제 1 및 제 2 수용실 중 상기 탑재부가 이동된 수용실 내에 상기 기체가 도입되고 또한 상기 수용실 내가 배기되고 있는 때에 상기 전극에 고전압이 인가되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 청구항 8에 기재된 기판처리시스템의 세정방법은, 기판처리시스템이 구비하는 기판반송장치 및 기판처리장치 중 적어도 하나의 장치에 있어서의 기판의 수용실 내면에 퇴적된 이물을 제거하는 기판처리시스템의 세정방법에 있어서, 상기 기판반송장치 및 상기 기판처리장치 중 적어도 하나의 장치에 있어서의 기판의 수용실 내의 소망하는 위치에, 상기 기판을 탑재하는 탑재부 를 이동하는 이동단계와, 상기 수용실 내에 기체가 도입되고 또한 상기 수용실 내가 배기되고 있는 때에 상기 이동된 탑재부에 배설된 전극에 고전압을 인가하는 고전압 인가 단계를 갖는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.
우선, 본 발명의 실시형태에 따른 기판반송장치에 대하여 상술한다.
도 1는, 본 발명의 실시형태에 따른 기판반송장치의 개략구성을 나타내는 단면도이다.
도 1에 있어서, 기판반송장치(10)는, 금속제, 예컨대, 알루미늄 또는 스테인리스강제(鋼製)의 보안접지된 상자형의 챔버(제 1 수용실)(11)을 가지며, 해당 챔버(11) 내에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송아암(기판반송부)(12)이 배치되어 있다.
챔버(11)의 측벽에는, 반송아암(12)이 웨이퍼(W)를 챔버(11)내에 반출입할 때 웨이퍼(W)를 통과시키는 반출입구(13)가 배치되고, 해당 반출입구(13)는 개폐 자유로운 게이트밸브(14)에 의해서 밀봉되어 있다. 또한, 챔버(11)의 바닥부에는 배기라인(배기부)(15)이 접속되어 있다. 이 배기라인(15)은, 직경이 예컨대 25 mm 인 배기관(16)과, 해당 배기관(16)의 도중에 배설된 밸브(V1)와, 배기관(16)에 접속된 배기펌프인 드라이펌프(이하「DP」라고 한다)(17)를 가지며, 챔버(11)내를 배기하여 감압한다. 이 밸브(V1)는, 챔버(11)내와 DP(17)를 차단할 수 있다. 또한, 챔버(11)의 천장부에는 가스도입라인(기체도입부)(18)이 접속되어 있다. 이 가스도 입 라인(18)은, 예컨대, N2 가스를 공급하는 가스공급장치(19)와 해당 가스공급장치(19)부터 나온 N2 가스를 챔버(11)내로 도입하는 가스도입관(20)을 구비하고, 가스도입관(20)의 도중에는 밸브(V2)가 배설되어 있다. 이 밸브(V2)는, 챔버(11)내와 가스공급장치(19)를 차단할 수 있다.
이 기판반송장치(10)는, 예컨대, 클러스터(cluster)형이나 패러랠(parallel)형의 기판처리 시스템에 배치되어, 해당 기판처리 시스템이 구비하는 플라즈마처리장치 등에 게이트밸브(14)을 거쳐서 접속된다.
도 2는, 도 1의 기판반송장치가 구비하는 반송아암의 개략구성을 나타내는 사시도이다.
도 2에 있어서, 스칼라 아암식 핸들링장치로서의 반송아암(12)은, 챔버(11)의 저면에 배치되어 해당 저면에 대한 수직축(이하, 「챕버수직축」이라고 한다) 주위로 회전할 수 있는 회전대(21)와, 해당 회전대(21)에 접속된 막대 형상의 제 1 아암부재(22)와, 해당 제 1 아암부재(22)에 접속된 막대 형상의 제 2 아암부재(23)와, 해당 제 2 아암부재(23)의 한쪽 단부에 접속된, 웨이퍼(W)를 탑재하는 픽(탑재부)(24)을 구비한다.
이 반송아암(12)에서는, 제 2 아암부재(23)의 다른쪽 단부가 챔버수직축 주위로 회전 자유롭게 제 1 아암부재(22)의 한쪽 단부와 접속되고, 픽(24)이 챔버수직축 주위로 회전자유롭게 제 2 아암부재(23)의 한쪽 단부와 접속되고, 회전대(21), 제 1 아암부재(22), 제 2 아암부재(23) 및 픽(24)이 협동하여 회전운동을 하 여, 이에 따라 픽(24) 및 해당 픽(24)에 탑재된 웨이퍼(W)를 챔버(11)의 소망하는 위치나 반출입구(13)를 거쳐서 인접하는 플라즈마처리장치 등에 이동한다.
픽(24)은, 소리굽쇠형상을 가지며, 두갈래부에서 웨이퍼(W)를 지지하는 한편, 두갈래부와는 반대의 단부에서, 전술한 제 1 아암부재(23)의 일단과 접속된다. 픽(24)은 3층 구조를 가지며, 챔버의 저면측으로부터 절연체 예컨대 세라믹으로 이루어진 하부 절연층과, 해당 절연층에 적층된 픽(24)의 외형보다 작은 도전막으로 이루어진 전극층(25)과, 해당 전극층(25)에 적층된 내열수지, 예컨대 폴리이미드로 이루어진 상부 절연층을 구비한다. 전극층(25)은, 제 2 아암부재(23), 제 1 아암부재(22) 및 회전대(21)의 내부에 배선된 전선(26)에 의해서 직류전원(27)에 전기적으로 접속되어 있기 때문에, 전압을 인가할 수 있다. 여기서, 전극층(25)은, 2개의 절연층에 끼워질 뿐만 아니라 픽(24)의 주연(周緣)에 있어서도 절연부재에 의해 피복되기 때문에, 챔버(11)내의 분위기에 노출하는 일이 없다. 따라서, 전극층(25)에 전압이 인가되더라도 누전되는 일은 없다.
기판반송장치(10)에서는, 가스도입라인(18)에 의해서 챔버(11)내에 N2 가스가 도입되고 또한 배기라인(15)에 의해서 챔버(11) 내가 배기되고 있는 때에, 소망하는 위치, 예컨대 챔버(11)내면의 근방에 이동한 픽(24)의 전극층(25)에 고전압을 인가하는 것에 의해, 챔버(11)내면과 픽(24)의 사이에 정전장을 발생시켜 챔버(11) 내면에 정전기적인 응력, 예컨대 맥스웰(Maxwell) 응력을 작용시킨다. 이것에 의해, 챔버(11) 내면에 퇴적한 파티클의 부착력이 약해지고, 해당 파티클이 이탈한다. 즉, 기판반송장치(10)는, 픽(24)을 소망하는 위치에 이동시키는 것에 의해, 챔버(11)의 내면에 있어서 소망하는 위치에서 퇴적한 파티클을 박리(剝離)시킬 수 있다.
또, 챔버(11) 내면에 픽(24)이 가까이 갈수록 챔버(11) 내면에 작용하는 정전기적인 응력은 커지기 때문에, 픽(24)을 이동시키는 때는, 될 수 있는 한 챔버(11) 내면에 접근시키는 것이 좋다.
또한, 픽(24)이 웨이퍼(W)를 지지하고 있는 때에는 웨이퍼(W)와 픽(24)의 사이에도 정전장이 발생하여 웨이퍼(W)에 정전기적인 응력이 작용하기 때문에, 웨이퍼(W)에 부착한 파티클도 이탈한다. 이 때, 웨이퍼(W)에 정전기적인 응력을 효과적으로 작용시키기 위해서 전극층(25)은 픽(24)이 지지하는 웨이퍼(W)에 대향하도록 배치되는 것이 좋다. 이들 챔버(11) 내면이나 웨이퍼(W)로부터 이탈한 파티클은, 후술하는 점성류(粘性流)에 의해 챔버(11)의 외부로 배출된다.
그러나, 종래의 기판반송장치에서는, 반송아암의 픽은 세라믹 등의 절연재료로 이루어져 전극층(25)에 상당하는 전극을 갖고 있지 않기 때문에, 파티클이 퇴적되어 있는 면에 정전기적인 응력을 작용시키는 것이 가능하지 않아, 챔버(11) 내면에 퇴적한 파티클이나 웨이퍼(W)에 부착한 파티클을 제거할 수 없다.
픽(24)의 전극층(25)에 인가되는 전압은, 충분한 크기의 정전기적인 응력을 발생시키기 위해서 그 절대값이 수백 V 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 절대값이 1∼5 kV의 범위에 있는 것이 좋다. 단, 인가하는 전압이 클 때 상부절연층의 두께나 유전율이 적절하지 않으면, 리크 전류가 발생하여 상부 절연층이 절연파괴를 일으킬 수 있기 때문에, 상부 절연층의 두께나 유전율은 전극층(25)에 인가되는 전압의 크기에 따라 설정된다. 또한, 반대로 상부 절연층의 두께나 유전율에 따라 전극층(25)에 인가되는 전압의 크기를 설정하여도 좋다.
이하, 기판반송장치(10)에서 실행되는, 챔버(11) 내면에 퇴적한 파티클을 제거하는 기판반송장치의 세정방법에 대하여 설명한다. 이 세정방법에 대응하는 세정처리가 실행되기 전에는 전극층(25)에는 전압이 인가되지 않고, 챔버(11) 내는 배기라인(15)에 의해 배기되어 감압되어 있고, 밸브(V2)는 닫혀 있는 상태이다.
우선, 픽(24)을 회전대(21) 등의 회전운동에 의해서 챔버(11)내의 소망하는 위치로 이동한다. 다음, 밸브(V2)를 열어 가스도입라인(18)으로부터 N2 가스를 챔버(11)내로 도입한다. 도입된 N2 가스는 배기라인(15)에 의해서 챔버(11)의 외부로 배출되기 때문에, 챔버(11)내에서 천장부에서 바닥부를 향해서 N2 가스의 점성류가 발생한다.
이 때, 챔버(11)내가 소정의 압력 이상이면 점성류가 발생하기 쉽게 되기 때문에, 배기라인(15)은 챔버(11)내의 압력이 소정의 압력, 예컨대 133 Pa(l Torr)을 하회(下廻)하지 않도록, 바람직하게는 챔버(11)내의 압력이 수만 Pa(수백 Torr)을 하회하지 않도록 챔버(11)내의 N2 가스를 배출한다. 이것에 의해, 챔버(11)내에서 가스 점성력이 큰 점성류를 확실히 발생시킬 수 있다.
또한, 챔버(11)내로 도입되는 N2 가스의 유량은, 배기라인(15)의 배기능력에 따라 설정되는 것이 좋고, 구체적으로는 수 SLM(L/min at 0°C, 101.3 kPa) 이상이 좋고, 바람직하게는 수십 SLM 이상인 것이 좋다. 챔버(11)내로 도입되는 가스는, N2 가스에 한정되지 않고, 예컨대 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 크세논(Xe), 라돈(Rn) 등의 불활성 가스나 O2 가스 등을 이용하여도 좋다.
또한, 챔버(11) 내로의 N2 가스의 원활한 도입을 실현하기 위해서, 가스도입라인(18)에 있어서 밸브(V2)보다 하류에 오리피스구조, 예컨대 유량제어장치(매스 플로우 컨트롤러)나 슬로우업(slow-up) 밸브가 배치되지 않는 것이 바람직하다.
이어서, 직류전원(27)이 전극층(25)에 극성이 다른 고전압, 예컨대, +1 kV 및 -1 kV의 전압을 교호적으로 인가한다. 이 때, 전극층(25)으로의 고전압 인가에 의하여 정전장이 발생하여 챔버(11) 내면에 정전기적인 응력이 작용함으로써, 챔버(11) 내면으로부터 파티클이 박리된다. 해당 박리된 파티클은 전술한 점성류에 의해서 챔버(11)의 외부로 배출된다.
상기 정전기적인 응력은, 전극층(25)으로의 고전압 인가시 및 정지시에, 챔버(11) 내면에 효과적으로 작용한다. 여기서, 기판반송장치(10)에서는 전극층(25)으로의 고전압 인가가 반복하여 행하여지기 때문에, 챔버(11) 내면에 효과적인 정전기적인 응력이 반복하여 작용한다. 따라서, 챔버(11) 내면에 퇴적한 파티클을 더 충분히 제거할 수 있다.
또한, 전극층(25)에 동일한 극성의 고전압 인가가 반복하여 행해지면, 챔버(11) 내면이 대전(charge-up)하고, 그 결과 챔버(11) 내면에 작용하는 정전기적인 응력이 작게 되어 챔버(11) 내면에 퇴적한 파티클의 제거효율이 저하시키는 일이 있다. 기판반송장치(10)에서는, 전극층(25)에 극성이 다른 고전압이 교호적으로 인가되기 때문에, 챔버(11) 내면이 대전하는 일이 없고, 챔버(11) 내면에 퇴적한 파티클의 제거효율이 저하시키는 것을 방지할 수 있다.
또, 전술한 바와 같이, 상기 정전기적인 응력의 효과적인 작용은 전극층(25)으로의 고전압의 인가의 횟수에 관련되고, 전극층(25)으로의 고전압의 인가시간에는 그다지 관련되지 않는다. 따라서, 전극층(25)으로의 고전압의 인가시간은, 예컨대 1초 이하이더라도 좋다.
그리고, 가스도입라인(18)으로부터 N2 가스를 챔버(11)내에 도입한 상태에 있어서, 전극층(25)으로의 극성이 다른 고전압의 교호적 인가를 소정 횟수만큼 행한 뒤, 가스도입라인(18)의 밸브(V2)를 닫음과 동시에 배기라인(15)의 밸브(V1)를 닫아 본 처리를 종료한다.
전술한 기판반송장치의 기판세정방법에 의하면, 챔버(11)내에 N2 가스가 도입되고 또한 챔버(11)내가 배기되고 있는 때에, 챔버(11)내의 소망하는 위치로 이동한 픽(24)에 배치된 전극층(25)에 극성이 다른 고전압이 교대로 인가되기 때문에, 챔버(11)내에서 점성류가 발생함과 동시에, 챔버(11)내의 소망하는 위치에 있어서 정전장이 발생하여 소망하는 위치근방에 있어서 챔버(11) 내면에 정전기적인 응력이 작용하여 챔버(11) 내면에 퇴적한 파티클이 이탈한다. 이들 이탈한 파티클은 상기 점성류에 의해서 챔버(11)내로부터 배제된다. 따라서, 챔버(11)를 외부환경에 개방하는 일 없이 챔버(11) 내면에 퇴적한 파티클을 제거할 수 있다. 즉, 기 판반송장치(10)를 갖추는 기판처리 시스템의 가동율을 저하시키는 일 없이, 퇴적한 파티클을 충분히 제거할 수 있다.
전술한 기판반송장치(10)에서는, 고전압이 인가되는 전극층(25)이 픽(24)에 배치되었지만, 전극이 배치되는 장소는 픽(24)에 한정되지 않고, 반송아암(12)에 의해서 챔버(11)내의 소망하는 위치에 이동가능한 장소라면 좋고, 예컨대 제 2 아암부재(23)의 단부 근방 등에 배치되더라도 좋다. 단, 전극층(25)이 픽(24)에 마련됨으로써, 웨이퍼(W)의 반송중에 있어, 웨이퍼(W)를 픽(24)에 정전흡착력에 의해 흡착할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 반송속도를 크게 할 수 있어, 스루풋(throughput)을 향상시킬 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)에 부착한 파티클을 제거하는 경우에는, 픽(24)에 웨이퍼(W)를 탑재하여 전술한 기판반송장치의 세정방법을 실행하기 전에, 픽(24)에 웨이퍼(W)를 탑재하는 일 없이 전술한 기판반송장치의 세정방법을 실행하여, 챔버(11) 내면에 퇴적한 파티클을 제거하는 것이 좋다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 부착한 파티클의 제거효율을 향상시킬 수 있다.
다음에, 본 발명의 실시형태에 따른 기판처리 시스템에 대하여 상술한다.
도 3은, 본 발명의 실시형태에 따른 기판처리 시스템의 개략구성을 나타내는 단면도이다.
도 3에 있어서, 기판처리 시스템(30)은 전술한 기판반송장치(10)와, 해당기판반송장치(10)에 게이트밸브(14)을 거쳐서 접속된 플라즈마처리장치(31)를 구비한다.
웨이퍼(W)에 에칭처리를 실시하는 에칭처리장치로서 구성되는 플라즈마처리장치(31)는 금속제의 원통형챔버(제 2 수용실)(32)를 갖고, 해당 챔버(32)내에 웨이퍼(W)를 탑재하는 원주형상의 서셉터(33)가 배치되어 있다.
챔버(32)내는, 챔버(32)의 하부에서 자동압력제어밸브(atomatic pressure control valve)(이하「APC」라고 한다)(34)에 연통(連通)된다. APC(34)는, 터보분자펌프(이하「TMP」라고 한다)(35)에 접속되고, 또한 TMP(35)을 거쳐서 DP(36)에 접속되어 있다. APC(34)는 챔버(32)내의 압력제어를 행하고, TMP(35) 및 DP(36)은 챔버(32)내를 거의 진공상태로 되기까지 감압한다.
또한, 챔버(32)내는 챔버(32)의 하부내벽에서 대강배기라인에 접속되어 있다. 이 대강배기라인은, 챔버(32)내와 DP(36)를 연통시키는 배기관(37)과, 배기관(37)의 도중에 배치된 밸브(V3)를 구비한다. 이 밸브(V3)는, 챔버(32)내와 DP(36)를 차단할 수 있다. 대강배기라인은 챔버(32)내의 기체를 배출한다.
서셉터(33)에는 고주파전원(38)이 전기적으로 접속되어 있고, 이것에 의해 서셉터(33)는 고주파전력이 인가되는 하부전극으로서 기능한다.
서셉터(33)의 내부 상방에는, 웨이퍼(W)를 정전흡착력으로 흡착하기 위한 전극판(39)이 배치되고, 웨이퍼(W)는, 직류전원(48)으로부터 전극판(39)에 인가된 직류전압에 의해 발생하는 쿨롱의 힘 또는 존슨-라벡(Johnsen-Rahbek)의 힘에 의해서 서셉터(33)의 상면에 흡착유지된다.
서셉터(33)의 상면에 있어서 웨이퍼(W)가 흡착되는 부분에는, 복수의 열전도가스공급구멍(40)이 개방되어 있다. 이들 열전도가스공급구멍(40)은, 서셉터(33)내 부에 배치된 열전도가스공급라인을 거쳐서 열전도가스공급장치(도시하지 않음)로부터 나온 열전도가스를 서셉터(33)의 상면과 웨이퍼(W)의 이면의 사이에 공급한다.
챔버(32)의 측벽에는 웨이퍼(W)의 반출입구(41)가 개구(開口)되고, 해당 반출입구(41)는 게이트밸브(14)에 의해서 밀봉되어 있다. 게이트밸브(14)가 개방된 경우, 기판반송장치(10)의 챔버(11)내와 플라즈마처리장치(31)의 챔버(32)내는 연통된다.
또한, 챔버(32)의 천장부에는, 접지전위에 있는 상부 전극으로서의 샤워헤드(43)가 배치되어 있다. 이에 따라, 고주파전원(38)으부터의 고주파전압이 서셉터(33)와 샤워헤드(43)의 사이에 인가된다. 천장부의 샤워헤드(43)에는, 처리가스공급장치(도시하지 않음)로부터 처리가스도입관(42)이 접속되어 있다. 이 처리가스도입관(42)의 도중에는 밸브(V4)가 배치되어 있다. 이 밸브(V4)는, 버퍼실(47)과 처리가스공급장치를 차단할 수 있다.
이 플라즈마처리장치(31)에서는, 에칭처리시 우선 게이트밸브(14)를 열린 상태로 하여 가공대상인 웨이퍼(W)를 반송아암(12)에 의해서 챔버(32)내에 반입하여 서셉터(33)상에 탑재한다. 그리고, 샤워헤드(43)로부터 처리가스(예컨대, 소정의 유량비율의 C4F8 가스, O2 가스 및 Ar 가스로 이루어지는 혼합가스)를 소정의 유량 및 유량비로 챔버(32)내에 도입하고, APC(34) 등에 의해 챔버(32)내의 압력을 소정값으로 한다. 또한, 고주파전원(38)으로부터 고주파전력을 서셉터(33)에 공급하고, 직류전압을 전극판(39)에 인가하여, 웨이퍼(W)를 서셉터(33)상에 흡착한다. 그리고, 샤워헤드(43)로부터 토출된 처리가스는 서셉터(33)와 샤워헤드(43)와의 사이에 형성된 RF 전계에 의해서 플라즈마화한다. 이 플라즈마로 생성되는 라디칼이나 이온은 웨이퍼(W)의 표면을 에칭한다.
전술한 플라즈마처리장치(31)에서는, 생성된 플라즈마중 웨이퍼(W)의 표면으로 수렴되지 않는 것은 챔버(32)의 내벽 등에 충돌하여 파티클을 발생시킨다. 또한, 플라즈마에 의한 반응생성물의 잔류퇴적물이 파티클로 된다. 이들 파티클 중 본배기라인이나 대강배기라인에 의해서 배출되지 않는 파티클은 챔버(32) 내면 등에 퇴적하기 때문에, 이 파티클을 제거할 필요가 있다.
기판처리 시스템(30)에서는, 기판반송장치(10)의 챔버(11)내와 플라즈마처리장치(31)의 챔버(32)내는 반출입구(13), 게이트밸브(14) 및 반출입구(41)를 거쳐서 연통되기 때문에, 반송아암(12)은 반출입구(13), 게이트밸브(14) 및 반출입구(41)를 거쳐서 픽(24)을 챔버(32)내의 소망하는 위치에 이동시킬 수 있다.
플라즈마처리장치(31)에서는, 샤워헤드(43)에 의해 챔버(32)내에 N2 가스가 도입되고 또한 대강배기라인에 의해서 챔버2내가 배기될 때 챔버(32)내의 소망하는 위치, 예컨대 챔버(32) 내면의 근방에 이동한 픽(24)의 전극층(25)에 고전압을 인가하는 것에 의해, 챔버(32) 내면에 정전기적인 응력을 작용시킨다. 이에 따라, 챔버(32) 내면에 퇴적한 파티클의 부착력이 약해져 해당 파티클이 이탈한다. 따라서, 기판처리 시스템(30)에서는, 픽(24)을 소망하는 위치에 이동시키는 것에 의해, 기판반송장치(10)의 챔버(11) 내면뿐만 아니라 플라즈마처리장치(31)의 챔버(32)내면에 퇴적한 파티클을 박리시킬 수 있다.
이하, 기판처리 시스템(30)에 있어서 실행되는 기판반송장치(10)의 챔버(11) 내면 및 플라즈마처리장치(31)의 내면에 퇴적한 파티클을 제거하는 기판처리 시스템의 세정방법에 대하여 설명한다. 또, 픽(24)이 기판반송장치(10)의 챔버(11)내에서의 소망하는 위치로 이동된 경우의 세정방법은 전술한 바와 같이 때문에 설명을 생략하고, 픽(24)이 플라즈마처리장치(31)의 챔버(32)내에서의 소망하는 위치에 이동된 경우의 세정방법에 대하여 설명한다.
이 세정방법에 대응하는 세정처리가 실행되기 전에는, 전극층(25)에는 전압이 인가되지 않고, 챔버(32)내는 대강배기라인에 의해서 배기되어 감압되어 있고, 밸브(V4)는 닫힌 상태이다.
우선, 픽(24)를 회전대(21) 등의 회전운동에 의해서 챔버(32)내의 소망하는 위치로 이동한다. 다음에, 밸브(V4)를 열어, 샤워헤드(43)로부터 N2 가스를 챔버(32)내로 도입한다. 도입된 N2 가스는 대강배기라인에 의해서 챔버(32)의 외부로 배출되기 때문에, 챔버(32)내에 있어서 천장부로부터 하부를 향해서 N2 가스의 점성류가 발생한다. 이 때, 전술한 기판반송장치의 세정방법과 마찬가지로, 대강배기라인은 챔버(32)내의 압력이 소정의 압력을 하회하지 않도록 챔버(32)내의 N2 가스 등을 배출하는 것이 좋다.
또한, 챔버(32)내로 도입되는 N2 가스의 유량이나 종류에 관해서도, 전술한 기판반송장치의 세정방법과 마찬가지이다.
이어서, 직류전원(27)이 전극층(25)에 극성이 다른 고전압, 예컨대, +3 kV 및 -3 kV의 전압을 교호적으로 인가한다. 이 때, 정전장이 발생하여 챔버(32) 내면 에 정전기적인 응력이 작용함으로써, 챔버(32) 내면으로부터 파티클이 이탈한다. 해당 이탈한 파티클은 전술한 점성류에 의해서 챔버(32)의 외부로 배출된다. 전극판(39)에 인가되는 고전압의 절대값이 예컨대 1∼5 kV의 범위에 있는 것이 좋은 것과, 고전압의 인가시간이 예컨대 1초 이하이더라도 좋은 것은 전술한 기판반송장치의 세정방법과 동일하다.
그리고, 샤워헤드(43)로부터 N2 가스를 챔버(32)내로 도입한 상태에 있어서, 전극층(25)으로 극성이 다른 고전압을 교호적으로 소정 횟수만큼 인가한 뒤, 샤워헤드(43)의 밸브(V4)를 닫음과 동시에 대강배기라인의 밸브(V3)를 닫아 본처리를 종료한다.
전술한 기판처리 시스템의 세정방법에 의하면, 챔버(11) 및 챔버(32) 중 픽(24)이 이동된 챔버(이하「픽이동 챔버」라고 한다)내에 N2 가스가 도입되고 또한 픽이동 챔버내가 배기되고 있는 때에 픽(24)에 배치된 전극판(25)에 극성이 다른 고전압이 교대로 인가되기 때문에, 픽이동 챔버내에 있어서 점성류가 발생함과 동시에, 픽이동 챔버내의 소망하는 위치에 있어서 정전장이 발생하여 소망하는 위치근방에 있어서의 픽이동 챔버 내면에 정전기적인 응력이 작용하여, 픽이동 챔버 내면에 퇴적한 파티클이 이탈하고, 또한 이탈한 파티클은 상기 점성류에 의해서 픽이동 챔버 내로부터 배제된다. 따라서, 챔버(11) 및 챔버(32)를 외부환경에 개방하는 일 없이, 퇴적한 파티클을 제거할 수 있다. 즉, 기판처리 시스템(30)의 가동률을 저하시키는 일 없이, 퇴적한 파티클을 충분히 제거할 수 있다.
전술한 기판처리 시스템(30)에서는, 기판반송장치(10) 및 플라즈마처리장치(31)가 각각 배기장치(배기라인(15), 대강배기라인)를 구비하였지만, 기판반송장치(10) 및 플라즈마처리장치(31)가 배기장치를 공유하더라도 좋고, 예컨대 배기라인(15)이 DP(36)에 접속되더라도 좋다.
전술한 기판처리 시스템(30)에서는 플라즈마처리장치(31)가 기판반송장치(10)에 접속되었지만, 기판반송장치(10)에 접속된 기판처리 시스템의 구성장치는 이것에 한정되지 않고, 웨이퍼(W)를 수용하는 챔버(이하「다른 챔버」라고 한다)와, 해당 다른 챔버에 N2 가스 등을 도입하는 가스도입라인과, 다른 챔버내를 배기하는 배기라인과, 다른 챔버 및 챔버(11)를 연통하는 개구부를 구비하는 구성장치라면 좋고, 예컨대, CVD 장치나 애싱장치로서 구성되는 플라즈마처리장치, 또는 도 6a 및 6b에 있어서의 웨이퍼반출입실(63) 등이더라도 좋다. 기판반송장치(10)에 접속된 구성장치는, 전술한 기판처리 시스템의 세정방법에 의해서, 다른 챔버가 외부환경에 개방되는 일없이 퇴적한 파티클이 제거된다.
또한, 기판처리 시스템(30)에 있어서의 기판반송장치(10) 및 플라즈마처리장치(31)의 배치형식은, 특별히 한정되지 않고, 클러스터형 및 패러랠형의 어느 것이어도 좋다.
전술한 기판반송장치(10) 및 기판처리 시스템(30)에서는, 반송아암으로서 스칼라 아암식 핸들링장치가 이용되었지만, 반송아암의 형식은 이것에 한정되지 않고, 프로그 레그(frog leg)식 핸들링장치이어도 좋다.
다음에, 본 발명의 실시예를 구체적으로 설명한다.
이하의 실시예는, 전술한 기판반송장치(10)에서 실행되었다.
도 4는, 본 발명의 실시예로서 실행된 파티클제거처리의 평가 시퀀스를 나타내는 플로우차트이다.
우선, 기판반송장치(10)의 챔버(11)내에서 웨이퍼(W)를 반송하여, 반송된 웨이퍼(W)에 부착한 파티클의 수를 카운트함으로써 초기의 PWP(Particle per Wafer Pass)를 측정하였다(단계 S41). 이어서, 기판반송장치(10)의 유지보수창을 개방하여 대기중의 먼지를 챔버(11)에 취입하고(단계 S 42), 기판반송장치(10)의 유지보수창을 폐쇄하고, 기판반송장치(10)의 제어장치(도시하지 않음)의 카운터를「1」로 세트하고 (단계 S43), 전술한 기판반송장치의 세정방법을 NPPC(Non Plasma Particle Cleaning)로 하여 실행하고(단계 S44), NPPC에 의해 세정된 기판반송장치(10)의 챔버(11)내에서 웨이퍼(W)를 반송하여, 반송된 웨이퍼(W)에 부착한 파티클의 수를 카운트함으로써 세정후의 PWP를 측정하였다(단계 S45).
이어서, 카운터의 값 N이 설정횟수보다 큰가 아닌가를 판정하고(단계 S46), 카운터의 값 N이 설정횟수이하인 때에는(단계 S46에서 NO), 카운터를 증가시키고(단계 S47), 단계 S44로 되돌아가, 카운터의 값 N이 설정횟수보다 커진(스텝 S46에서 YES) 후에 본처리를 종료했다.
이 때, 측정된 PWP를 정리한 그래프를 도 5에 나타낸다.
도 5에 있어서, 가로축은 측정횟수이며 종축은 PWP의 값이다. 또한, 가로축의 우단에서의 PWP는, 기판반송장치(10)에 접속된 카세트챔버(C/C)(도시하지 않음)에 웨이퍼(W)가 세트된 때에 이미 웨이퍼(W)에 부착되어 있었던 파티클의 수(이하, 「백그라운드(background)수」라고 한다)이다.
도 5에 도시하는 바와 같이 NPPC를 한 번 행함으로써, PWP의 값을 크게 감할 수 있다. 즉, 기판반송장치(10)의 챔버(11)내에 퇴적한 파티클을 충분히 제거할 수 있는 것을 알 수 있었다. 또한, NPPC을 4회 이상 실행하면, PWP의 값을 백그라운드수까지 저하시킬 수 있다. 즉, 챔버(11) 내면에 퇴적한 파티클을 거의 제거할 수 있는 것을 알았다. NPPC가 되풀이하여 행하여지고 있는 사이, 기판반송장치(10)의 유지보수창은 폐쇄된 채였다. 따라서, 전술한 기판반송장치의 세정방법을 행하는 것에 의해, 챔버(11)를 외부환경에 개방하는 일 없이 챔버(11) 내면에 퇴적한 파티클을 제거할 수 있다. 즉, 기판반송장치(10)를 갖추는 기판처리 시스템(30)의 가동율을 저하시키는 일 없이, 퇴적한 파티클을 충분히 제거할 수 있음을 알게 되었다.
청구항 1에 기재된 기판반송장치에 의하면, 기판반송부는 기판을 탑재하는 탑재부와, 해당 탑재부에 한쪽 단부가 접속되어 또한 탑재부를 이동하는 아암부를 갖기 때문에, 탑재부를 수용실 내의 소망하는 위치에 이동가능하다. 또한, 수용실 내에 기체가 도입되고 또한 수용실 내가 배기되고 있는 때에 탑재부에 배치된 전극에 고전압이 인가되기 때문에, 수용실 내에서 기체흐름이 발생함과 동시에 수용실 내의 소망하는 위치근방에 있어서 수용실 내면에 정전기적인 응력이 작용하여, 수용실 내면에 퇴적한 이물이 탈리하고, 또한 탈리된 이물은 상기 기체흐름에 의해서 수용실 내로부터 배제된다. 따라서, 수용실 외부환경에 개방되지 않고, 퇴적한 이물을 제거할 수 있다. 즉, 기판반송장치를 구비한 기판처리 시스템의 가동율을 저하시키는 일 없이, 퇴적한 이물을 충분히 제거할 수 있다.
청구항 2에 기재된 기판반송장치에 의하면, 전극은 탑재부에 탑재된 기판에 대향하도록 배치되기 때문에, 기판에 정전기적인 응력이 작용하여 기판에 부착한 이물이 탈리한다. 해당 탈리한 이물은 기체흐름에 의해서 수용실 내로부터 배제되기 때문에, 기판을 세정할 수 있다.
청구항 3에 기재된 기판반송장치에 의하면, 고전압의 절대값은 1∼5 kV의 범위에 있기 때문에, 수용실 내면에 작용하는 정전기적인 응력을 크게 할 수 있어 이물의 탈리를 확실히 실행할 수 있다.
청구항 4에 기재된 기판반송장치에 의하면, 극성이 다른 고전압이 교호적으로 인가되기 때문에 수용실 내면의 대전을 방지할 수 있다. 수용실 내면이 대전하면, 수용실 내면에 작용하는 정전기적인 응력이 작아진다. 따라서, 수용실 내면의 대전을 방지함으로써, 수용실 내면에 퇴적한 이물의 제거효울이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
청구항 5에 기재된 기판반송장치에 의하면, 수용실 내의 압력을 133 Pa 이상으로 유지하기 때문에, 수용실 내에서 가스점성력이 큰 점성류를 확실히 발생시킬 수 있다. 수용실 내면으로부터 탈리한 이물은, 점성류에 말려들게 되고 수용실로부터 배기된다. 따라서, 수용실 내면에 퇴적한 이물을 확실히 제거할 수 있다.
청구항 6에 기재된 기판반송장치의 세정방법에 의하면, 수용실 내에 기체가 도입되고 또한 수용실 내가 배기되고 있는 때에 수용실 내의 소망하는 위치에 이동된 탑재부에 배치된 전극에 고전압이 인가되기 때문에, 수용실 내에서 기체흐름이 발생함과 동시에 수용실 내의 소망하는 위치근방에 있어서의 수용실 내면에 정전기적인 응력이 작용하여, 수용실 내면에 퇴적한 이물이 탈리하고, 또한 탈리한 이물은 상기 기체흐름에 의해서 수용실 내로부터 배제된다. 따라서, 수용실을 외부환경에 개방하는 일 없이, 퇴적한 이물을 제거할 수 있다. 즉, 기판반송장치를 갖추는 기판처리 시스템의 가동율을 저하시키는 일 없이, 퇴적한 이물을 충분히 제거할 수 있다.
청구항 7에 기재된 기판처리 시스템에 의하면, 기판반송부는 기판을 탑재하는 탑재부와, 해당 탑재부에 한쪽 단부가 접속되고 또한 탑재부를 이동하는 아암부를 갖기 때문에, 탑재부를 제1 및 제 2 수용실중 어느 것에 있어서의 소망하는 위치에 이동가능하다. 또한, 탑재부가 이동된 수용실 내에 기체가 도입되고 또한 수용실 내가 배기되고 있는 때에 탑재부에 배치된 전극에 고전압이 인가되기 때문에, 탑재부가 이동된 수용실 내에서 기체흐름이 발생함과 동시에 해당 수용실 내의 소망하는 위치근방에 있어서의 수용실 내면에 정전기적인 응력이 작용하여, 수용실 내면에 퇴적한 이물이 탈리하고, 또한 탈리한 이물은 상기 기체흐름에 의해서 해당 수용실 내로부터 배제된다. 따라서, 제1 및 제 2 수용실을 외부환경에 개방하는 일 없이, 퇴적한 이물을 제거할 수 있다. 즉, 기판처리 시스템의 가동율을 저하시키는 일 없이, 퇴적한 이물을 충분히 제거할 수 있다.
청구항 8에 기재된 기판처리 시스템의 세정방법에 의하면, 탑재부가 이동된 수용실 내에 기체가 도입되고 또한 수용실 내가 배기되고 있는 때에, 탑재부에 배치된 전극에 고전압이 인가되기 때문에, 탑재부가 이동된 수용실 내에서 기체흐름이 발생함과 동시에, 해당 수용실 내의 소망하는 위치근방에 있어서의 수용실 내면에 정전기적인 응력이 작용하여, 수용실 내면에 퇴적한 이물이 탈리하고, 또한 탈리한 이물은 상기 기체흐름에 의해서 해당 수용실 내로부터 배제된다. 따라서, 기판반송장치 및 기판처리장치의 어느쪽의 수용실도 외부환경에 개방하는 일 없이, 퇴적한 이물을 제거할 수 있다. 즉, 기판처리 시스템의 가동율을 저하시키는 일 없이, 퇴적한 이물을 충분히 제거할 수 있다.

Claims (8)

  1. 기판을 수용하는 수용실과,
    상기 수용실 내에 배설되고 또한 상기 기판을 반송하는 기판반송부와,
    상기 수용실 내를 배기하는 배기부와,
    상기 수용실 내에 기체를 도입하는 기체도입부를 구비하는 기판반송장치에 있어서,
    상기 기판반송부는, 상기 기판을 탑재하는 탑재부와, 상기 탑재부에 일단이 접속되고 또한 상기 탑재부를 이동시키는 아암부와, 상기 탑재부에 배설되고 또한 전압이 인가되는 전극을 가지며,
    상기 수용실 내에 상기 기체가 도입되고 또한 상기 수용실 내가 배기되고 있는 때에, 상기 전극에 고전압이 인가되는
    기판반송장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극은 상기 탑재대에 탑재된 상기 기판에 대향하도록 배치되는 것을 특징으로 하는
    기판반송장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 고전압의 절대값은 1~5 kV의 범위에 있는 것을 특징으로 하는
    기판반송장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 전극에 극성이 다른 고전압이 교호적으로 인가되는 것을 특징으로 하는
    기판반송장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 배기부는, 상기 수용실 내의 압력을 133 Pa 이상으로 유지되는 것을 특징으로 하는
    기판반송장치.
  6. 기판반송장치의 기판의 수용실 내면에 퇴적된 이물을 제거하는 기판반송장치의 세정방법에 있어서,
    상기 수용실 내의 소망하는 위치에, 상기 기판을 탑재하는 탑재부를 이동하 는 이동단계와,
    상기 수용실 내에 기체가 도입되고 또한 상기 수용실 내가 배기되고 있는 때에, 상기 이동된 탑재부에 배설된 전극에 고전압을 인가하는 고전압 인가 단계를 갖는 것을 특징으로 하는
    기판반송장치의 세정방법.
  7. 기판을 수용하는 제 1 수용실 및 상기 제 1 수용실 내에 배치되고 또한 상기 기판을 반송하는 기판반송부를 갖는 기판반송장치와,
    상기 기판반송장치에 접속되고 또한 상기 기판을 수용하는 제 2 수용실을 갖는 기판처리장치를 구비하는 기판처리시스템에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 수용실 중 적어도 하나의 수용실 내를 배기하는 배기부와,
    상기 배기되는 수용실 내에 기체를 도입하는 기체도입구를 더 구비하고,
    상기 기판반송부는, 상기 기판을 탑재하는 탑재부와, 상기 탑재부에 일단이 접속되고 또한 상기 탑재부를 이동시키는 아암부와, 상기 탑재부에 배설되고 또한 전압이 인가되는 전극을 가지며,
    상기더 제 1 및 제 2 수용실 중, 상기 탑재부가 이동된 수용실 내에 상기 기체가 도입되고 또한 상기 수용실 내가 배기되고 있는 때에, 상기 전극에 고전압이 인가되는 것을 특징으로 하는
    기판처리시스템.
  8. 기판처리시스템이 구비하는 기판반송장치 및 기판처리장치 중 적어도 하나의 장치에 있어서의 기판의 수용실 내면에 퇴적된 이물을 제거하는 기판처리시스템의 세정방법에 있어서,
    상기 기판반송장치 및 상기 기판처리장치 중 적어도 하나의 장치에 있어서의 기판의 수용실 내의 소망하는 위치에, 상기 기판을 탑재하는 탑재부를 이동하는 이동단계와,
    상기 수용실 내에 기체가 도입되고 또한 상기 수용실 내가 배기되고 있는 때에, 상기 이동된 탑재부에 배설된 전극에 고전압을 인가하는 고전압 인가 단계를 갖는 것을 특징으로 하는
    기판반송장치의 세정방법.
KR1020050034865A 2004-04-28 2005-04-27 기판반송장치와 그 세정방법 및 기판처리 시스템과 그세정방법 KR100674736B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004134175A JP4806165B2 (ja) 2004-04-28 2004-04-28 基板搬送装置及びその洗浄方法、並びに基板処理システム
JPJP-P-2004-00134175 2004-04-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060047497A KR20060047497A (ko) 2006-05-18
KR100674736B1 true KR100674736B1 (ko) 2007-01-25

Family

ID=35444881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050034865A KR100674736B1 (ko) 2004-04-28 2005-04-27 기판반송장치와 그 세정방법 및 기판처리 시스템과 그세정방법

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP4806165B2 (ko)
KR (1) KR100674736B1 (ko)
CN (1) CN100519368C (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070233313A1 (en) 2006-03-28 2007-10-04 Tokyo Electron Limited Transfer pick, transfer device, substrate processing apparatus and transfer pick cleaning method
JP4745099B2 (ja) * 2006-03-28 2011-08-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、搬送ピックのクリーニング方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取り可能な記憶媒体
JP4893481B2 (ja) * 2007-06-04 2012-03-07 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコンウェーハ搬送装置
JP5295808B2 (ja) * 2009-02-09 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 パーティクル付着防止方法及び被処理基板の搬送方法
JP4897030B2 (ja) * 2009-11-09 2012-03-14 東京エレクトロン株式会社 搬送アームの洗浄方法及び基板処理装置
CN102050330B (zh) * 2010-11-05 2013-02-06 深圳市华星光电技术有限公司 机械手臂及具有该机械手臂的搬运装置
CN103007636B (zh) * 2012-11-23 2014-11-05 深圳市华星光电技术有限公司 一种搬送装置及防尘罩
TW202215562A (zh) 2020-09-17 2022-04-16 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、吹淨氣體之控制方法及真空搬運室之清洗方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11312668A (ja) 1998-04-28 1999-11-09 Rohm Co Ltd 半導体ウエハーのドライエッチング装置におけるクリーニング方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07273073A (ja) * 1994-03-31 1995-10-20 Ebara Corp 真空容器の洗浄方法及び洗浄装置
JP3191139B2 (ja) * 1994-12-14 2001-07-23 株式会社日立製作所 試料保持装置
JP2000021947A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Sony Corp 乾式処理装置
JP2001023872A (ja) * 1999-07-09 2001-01-26 Hitachi Ltd 半導体基板処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11312668A (ja) 1998-04-28 1999-11-09 Rohm Co Ltd 半導体ウエハーのドライエッチング装置におけるクリーニング方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005317783A (ja) 2005-11-10
CN100519368C (zh) 2009-07-29
JP4806165B2 (ja) 2011-11-02
CN1736830A (zh) 2006-02-22
KR20060047497A (ko) 2006-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100674736B1 (ko) 기판반송장치와 그 세정방법 및 기판처리 시스템과 그세정방법
JP5154124B2 (ja) プラズマ処理装置
KR100662959B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US7628864B2 (en) Substrate cleaning apparatus and method
US20090301516A1 (en) Substrate transfer device and cleaning method thereof and substrate processing system and cleaning method thereof
US7335601B2 (en) Method of processing an object and method of controlling processing apparatus to prevent contamination of the object
CN112259457B (zh) 等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和基板载置台
KR20190039874A (ko) 파티클 발생 억제 방법 및 진공 장치
KR100782621B1 (ko) 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
KR100674735B1 (ko) 기판세정장치 및 기판세정방법
KR100745153B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 방법
TW201448031A (zh) 電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置
JP4060941B2 (ja) プラズマ処理方法
EP0909837B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus and cleaning method thereof
JP2007258471A (ja) プラズマ処理装置
JPH07273092A (ja) プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法
US7205250B2 (en) Plasma processing method and apparatus
CN113948362A (zh) 等离子体处理装置及等离子体处理方法
JP6956696B2 (ja) パーティクル発生抑制方法及び真空装置
KR100476859B1 (ko) 반도체장치제조설비의파티클제거장치와이를적용한반도체장치제조설비및제거방법
JP2002367967A (ja) プラズマ処理方法及びその装置
JP4902054B2 (ja) スパッタリング装置
WO2023175689A1 (ja) 真空処理装置及び異物排出方法
TW202008459A (zh) 電漿處理裝置
CN115332038A (zh) 晶圆用静电吸盘的清洁方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130111

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140107

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150105

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee