CN100519368C - 基板输送装置及其清洗方法和基板处理系统及其清洗方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种在不降低基板处理系统实际作业率的情况下能充分清除堆积粒子的基板输送装置。基板输送装置(10)由箱状的腔室(11)及腔室(11)内配有的输送臂(12)、负责该腔室(11)内排气的排气管线(15)、使N2气体进入腔室(11)内的气体导入管线(18)等构成。利用输送臂(12)使施加高电压的带有电极层(25)的拾取器(24)移动到腔室(11)内所希望的位置。气体导入管线(18)将N2气体导入腔室(11)内，且由排气管线(15)使腔室(11)排气，使腔室(11)内产生粘性流，再对移至希望位置的拾取器(24)的电极层(25)加高电压，从而使腔室(11)内面和拾取器(24)之间产生静电场，这样，静电应力就会作用于粒子堆积的腔室(11)内面。

Description

基板输送装置及其清洗方法和基板处理系统及其清洗方法
技术领域
本发明涉及基板输送装置及其清洗方法与基板处理系统及其清洗方法，特别是，涉及一种在不向大气开放的状态清洗基板输送装置内部的基板输送装置及其清洗方法以及基板处理系统及其清洗方法。
背景技术
众所周知，目前，作为在基板上施以离子掺杂、成膜、蚀刻等各种等离子体处理的基板处理系统，已知有多个基板处理装置通过共同的基板输送室配设成放射状的集束基板处理系统。
这种集束基板处理系统如图6(a)所示，它包括：由处理晶片的、例如2个基板处理装置61；从晶片盒(未图示)搬入搬出晶片的加载组件62；向该加载组件62进行晶片搬入搬出的2个晶片搬出搬入室63；以及介于基板处理装置61和晶片搬出搬入室63之间的作为真空室的基板输送室64(可参考专利文献1)。
基板输送室64如图6(b)所示，有在其内部冲洗N2等的气体导入部65和把内部抽成真空的泵部66。另外，其内部有输送晶片的装卸装置67。在与基板处理装置61和晶片搬出搬入室63相邻接的侧壁，有开闭自由的闸阀68。装卸装置67是有几个腕部件和旋转台的关节臂式的装置，它把晶片通过闸阀68输送到基板处理装置61和晶片搬出搬入室63。
在这种集束基板处理系统中，当连续处理晶片时，粘附在晶片上被带入基板输送室64的微小粒子以及作为装卸装置67工作时发生的切削粉末的粒子就会堆积在基板输送室64内。这些堆积的粒子因在基板输送室64内冲洗N2气或者因在基板输送室64内抽真空时产生的气流被卷起而粘附在晶片上，致使晶片的合格率降低。因此，就需要去除在基板输送室64内堆积的粒子。通常在去除基板输送室64内堆积的粒子时，作业人员用浸含普通酒精的擦洗部件等来清扫基板输送室64内部。
[专利文献1]特开平10-154739号公报(图1)
作业人员用擦洗部件等清扫基板输送室64内时，由于维修窗(未图示)是与外部环境(维修区域)相通的，这样，大气中的尘埃就会作为粒子侵入基板输送室64内，使得完全清除掉基板输送室64内堆积的粒子变得很困难。另外，在作业人员清扫后至恢复到通常状态的时间，还需在基板输送室64内抽真空及干燥处理，不能立刻输送晶片，这样，也会出现基板处理系统的实际作业率降低的问题。
发明内容
本发明的目的就是提供一种既不会降低基板处理系统的实际作业率，又能充分清除堆积粒子的基板输送装置和清洗方法及基板处理系统和清洗方法。
为了达到上述目的，技术方案1的特征在于，该基板输送装置设有：收容基板的收容室；配置于该收容室内用于输送上述基板的基板输送部；用于使上述收容室内排气的排气部；和用于将气体引入上述收容室内的气体导入部，在该基板输送装置，上述基板输送部设有载置上述基板的载置部；一端与该载置部连接并使上述载置部移动的腕部；和配置在该载置部上且施加电压的电极。对上述收容室内进行气体导入及排放时，对上述电极加高电压。
技术方案2涉及的基板输送装置的特征在于，在技术方案1上述的基板输送装置当中，上述电极配置成与载置在上述载置部的上述基板相面对。
技术方案3涉及的基板输送装置的特征在于，在技术方案1或2上述的基板输送装置中，上述高电压的绝对值的范围是1～5kV。
技术方案4涉及的基板输送装置的特征在于，在技术方案1～3中任一项上述的基板输送装置中，使不同极性的高电压交替加在上述电极。
技术方案5涉及的基板输送装置的特征在于，在技术方案1～4中任一项上述的基板清洗装置中，上述排气部使上述收容室内的压力保持在133Pa以上。
为了达到上述目的，技术方案6涉及的基板输送装置的清洗方法是去除堆积在基板输送装置中的基板收容室内面的异物的基板输送装置的清洗方法。其特征在于，该方法具有：把载置上述基板的载置部移动到上述收容室内希望位置的移动步骤；和在上述收容室内进行气体导入及排气时，向配置在上述所移动的载置部上的电极施加高电压的高电压施加步骤。
为了达到上述目的，技术方案7涉及一种基板处理系统，它包括：有收容基板的第一收容室及配设在该第一收容室内的且输送基板的基板输送部的基板输送装置；和与该基板输送装置连接并具有收容上述基板的第二收容室的基板处理装置，该基板处理系统的特征在于：还具有对上述第一及第二收容室中的至少一个收容室内进行排气的排气部和把气体引入该被排气的收容室内的气体导入部，上述基板输送部具有：载置上述基板的载置部；和一端与该载置部连接并使上述载置部移动的腕部；和配设在上述载置部的且被施加电压的电极，在上述第一及第二收容室中，在向移动了上述载置部的收容室内导入气体和上述收容室内被排气时，向上述电极施加高电压。
为了达到上述目的，技术方案8涉及一种基板处理系统的清洗方法，其特征在于：除去在基板处理系统所包括的基板输送装置和基板处理装置的至少一个装置中的基板收容室内面所堆积的异物，该方法包括：向在上述基板输送装置和上述基板处理装置中的至少一个装置的基板的收容室内的希望位置，移动载置上述基板的载置部的移动步骤；在向上述收容室内进行气体导入及使上述收容室排气时，向上述移动的载置部所配设的电极施加高电压的高电压施加步骤。
如按照技术方案1所述的基板输送装置，由于基板输送部具有载置基板的载置部、和一端与该载置部连接且使载置部移动的腕部，所以可使载置部移动到收容室内所希望的位置。另外，在向收容室内导入气体及使收容室内排气时，由于在载置部所配设的电极施加高电压，这样，在收容室内产生气流的同时，静电应力作用在收容室内所希望位置附近的收容内面，使收容室内面处堆积的异物脱落，而且所脱离的异物随上述气流从收容室内排出。因此，在收容室不向外部环境开放的情况下，就可去除堆积的异物，就是说，具有基板输送装置的基板处理系统不降低实际作业率就能充分清除堆积的异物。
如按照技术方案2所述的基板输送装置，由于电极配置成与载置在载置部的基板相对，所以静电应力作用于基板，使基板上附着的异物脱落，该脱落的异物又随着气流从收容室内排出，这样，基板就能清洗干净了。
如按照技术方案3所述的基板输送装置，因高电压的绝对值是在1～5kV的范围，所以可增大作用在收容室内面的静电应力，可确实使异物脱落。
如按照技术方案4所述的基板输送装置，因交替施加极性不同的高电压，可以防止收容室内面带电。若收容室内面带电，作用于收容室内面的静电应力就会变小，因此，通过防止收容室内面带电，就能够避免降低去除堆积在收容室内面的异物的效率。
如按照技术方案5所述的基板输送装置，由于收容室内的压力保持在133Pa以上，收容室内确实可以产生气体粘性力大的粘性流，从收容室内面脱落的异物就会被粘性流卷走并从收容室排出。所以，收容室内面处堆积的异物确实能够清除。
如按照技术方案6所述的基板输送装置的清洗方法，向收容室内导入气体及使收容室排气时，由于向在移动到收容室内的希望位置处的载置部上所配置的电极施加高电压，在收容室内产生气流，而且，静电应力作用于收容室内的希望位置的近旁，收容室内面上堆积的异物就会脱落，而且脱落的异物借助于上述气流从上述收容室内排出。这样，收容室不向外部环境开放就能够清除堆积的异物，换言之，即不降低具有基板输送装置的基板处理系统的作业率，并可充分地清除堆积的异物。
如按照技术方案7所述的基板处理系统，其基板输送部由于具有载置基板的载置部和一端与该载置部连接并使载置部移动的腕部，所以可以使载置部移动到第一或第二收容室中任意希望的位置。另外，在向移动过载置部的收容室内导入气体及使收容室内排气时，向设置在载置部上的电极施以高电压，所以在载置部移动了的收容室内就会产生气流，并且，在该收容室内希望位置的近旁的收容室内面上作用有静电应力，堆积在收容室内面的异物就会脱落，而脱落的异物就会随着上述气流从该收容室排出。因此，不使第一及第二收容室向外部开放就能够清除堆积的异物，换言之，即在不降低基板处理系统的作业率的情况下能够充分地清除堆积的异物。
如按照技术方案8所述的基板处理系统的清洗方法，在向移动了载置部的收容室内导入气体及使收容室内气体排放时，向设置在载置部上的电极加高电压，这样，在移动了载置部的收容室内就会产生气流，并且，静电应力作用于在收容室内希望位置的近旁的收容室内面，该收容室内面处堆积的异物就会脱落，而脱落的异物就会随着上述气流从该收容室排出。因此，基板输送装置和基板处理装置的任一收容室不向外部环境开放就能够清除所堆积的异物，换言之，即不降低基板处理系统的作业率，能够充分地清除堆积的异物。
附图说明
图1是表示本发明实施方式涉及的基板输送装置的大概结构的截面图。
图2是表示图1的基板输送装置所具有的输送臂的大概结构的立体图。
图3是表示本发明实施方式涉及的基板处理系统大概结构的截面图。
图4是表示作为本发明的实施例而进行的粒子去除处理的评价顺序的流程图。
图5是表示在反复进行多次本发明的实施方式涉及的基板输送装置清洗方法时所测量到的PWP的迁移的图。
图6是表示配有关节臂式装卸装置的现有的集束基板处理系统的大概结构的图。图6(a)是集束基板处理系统的水平截面图；图6(b)是沿着图6(a)中V1—V1线的截面图。
符号说明：10 基板输送装置；11、32 腔室；12 输送臂；13、41搬入搬出口；14 闸阀；15 排气管线；16、37 排气管；17、36 DP；18气体导入管线；19 气体供给装置；20 气体导入管；21 旋转台；22 第一腕部件；23 第二腕部件；24 拾取器；25 电极层；26 电线；27 直流电源；30 基板处理系统；31 等离子体处理装置；33 基座；34 APC；35 TMP；38 高频电源；39 电极板；40 传热气体供给孔；42 处理气体导入管；43 浇淋头；47 缓冲室。
具体实施方式
下面使用附图来说明本发明的实施方式。
首先详细叙述本发明的实施方式涉及的基板输送装置。
图1是表示本发明的实施方式涉及的基板输送装置大概结构的截面图。
在图1中，基板输送装置10有金属制的例如铝制或不锈钢制带保护接地的箱状的腔室(收容室、第一收容室)11，该腔室11内设有输送晶片W的输送臂(基板输送部)12。
在腔室11的侧壁上，设有在输送臂12将晶片W搬入搬出腔室11时使晶片W通过的搬入搬出口13，该搬入搬出口13是由开闭自由的闸阀14来密封。在腔室11的底部，连接着排气管线(排气部)15。该排气管线15具有直径例如25mm的排气管16和在该排气管中途设置的阀门V1、以及作为与排气管16连接的泵的干式排气泵(以下简称“DP”)17，它负责腔室11内的排气减压，而阀门V1则可以将腔室11内与DP17隔断。在腔室11的顶部，连接着气体导入管线(气体导入部)18。此气体导入管线18包括提供诸如N2气体的气体供给装置19、以及从该气体供给装置19把N2气体导入腔室11内的气体导入管20。在气体导入管20的中途设有阀门V2，该阀门V2可以将腔室11与气体供给装置19隔断。
基板输送装置10配置在集束型或并行型的基板处理系统中，它通过闸阀14与该基板处理系统所具有的等离子体处理装置相连接。
图2是表示图1中基板输送装置的输送臂大概结构图的立体图。
在图2中，作为关节臂(scalar arm)式装卸装置的输送臂12包括：设置在腔室11底面能围绕相对于底面的垂直轴(以下称腔室垂直轴)自如旋转的旋转台21、与该旋转台连接的棒状的第一腕部件22、与第一腕部件22连接的棒状的第二腕部件23、以及与第二腕部件23的一端连接的载置晶片W的拾取器(载置部)24。
在输送臂12当中，第二腕部件23的另一端与能围绕腔室垂直轴任意旋转的第一腕部件22的一端连接，而拾取器24则与能围绕腔室垂直轴自由旋转的第二腕部件23的一端相连接。这样，旋转台21、第一腕部件22、第二腕部件23及拾取器24就可协同动作，进行旋转运动。因此，拾取器24及该拾取器24所载置的晶片W就能移到腔室11的所希望的位置，或通过搬入搬出口13移送到邻接的等离子体处理装置等。
拾取器24呈音叉形状，二叉部负责持送晶片W，而与二叉部相反的端部则与上述第二腕部件23的一端相连接。拾取器24为三层结构，从腔室11的底面侧开始，为：由绝缘体例如陶瓷等构成的下部绝缘层；层叠在该绝缘层上的、由比拾取器24外形稍小的导电膜构成的电极层25；由层叠在该电极层25上的聚酰亚胺等耐热树脂类构成的上部绝缘层。电极层25通过配置在第二腕部件23、第一腕部件22和旋转台21内部的电线26与直流电源27电连接，可加压通电。这里，电极层25不仅仅被2个绝缘层夹住，即使在拾取器24的周边也被绝缘材料覆盖，不会暴露在腔室11内的环境气氛里，因此，电极层25即使加电压也不会漏电。
在基板输送装置10中，当N2气体从气体导入管线18进入腔室11内及从排气管线15排出腔室11内时，通过对移动到希望位置例如腔室11内面附近的拾取器24的电极层25施以高电压，使腔室11内面与拾取器24之间产生静电场，使静电应力如麦克斯韦(Maxwell)应力作用在腔室11内面。这样，腔室11内面堆积的粒子的附着力就会减弱，该粒子就会脱落。就是说，基板输送装置10通过把拾取器24移动到所希望的位置，就能够剥离在腔室11内面希望位置处堆积的粒子。
另外，拾取器24离腔室11的内面越近，作用于腔室内面的静电应力就越大，所以，在移动拾取器24时，最好尽量接近腔室11内面。
拾取器24在负责持送晶片W时，晶片W和拾取器24之间也会产生静电场，而使静电应力作用于晶片W上，这样，晶片W上附着的粒子也会脱落。此时，为了使静电应力有效作用于晶片W，电极层25最好设置成与拾取器24持送的晶片W相对向。这些从腔室11内面和晶片W脱落的粒子会随着后述的粘性流向腔室11的外部排出。
而在以往的基板输送装置中，输送臂的拾取器仅由陶瓷等绝缘材料构成，没有与电极层25相当的电极，所以静电应力不会作用在粒子堆积的面上，腔室11内面堆积的粒子及晶片W上附着的粒子也不能去除。
施加在拾取器24的电极层25的电压，为了使充分大的静电应力产生，其绝对值最好有数百V以上，更优选绝对值在1～5kV的范围。不过，所加电压大时，如上部绝缘层的厚度和介电系数的设定不当，就会产生漏电，导致上部绝缘层出现绝缘损坏。上部绝缘层的厚度和介电系数要根据加在电极层25上电压的大小来设定，也可以反之根据上部绝缘层的厚度和介电系数来设定加在电极层25的电压大小。
下面针对在基板输送装置10中实施的、去除腔室11内面处堆积粒子的基板输送装置的清洗方法加以说明。实行对应此方法的清洗处理的前提条件是：电极层25不加电压，腔室11内通过排气管线15排气减压，开关阀V2处于关闭状态。
首先，拾取器24通过旋转台21等的旋转运动移至腔室11内所希望的位置，接着，开启V2，从气体导入管线18向腔室11内导入N2气体。由于导入的N2气体通过排气管线15向腔室11外部排出，这时，腔室11内从顶部向底部产生N2气体的粘性流。
此时，腔室11内若为规定压力以上，就容易产生粘性流。所以，排气管线15按照腔室11的压力不低于规定压力例如133Pa(1Torr)的方式，优选按照腔室11内的压力不低于数万Pa(数百Torr)的方式，排出腔室11内的N2气体，这样，腔室11内就会确实产生气体粘力大的粘性流。
另外，导入腔室11内的N2气体的流量应根据排气管线15的排放能力来设定，具体地讲，可在数SLM(L/min在0°C、101.3kPa)以上，当然，优选在数十SLM以上。往腔室11内导入的气体不仅限于N2气体，只要是非活性气体就行，例如氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)等气体以及O2气体等都可以用。
为了使N2气体平滑地导入腔室11内，优选在气体导入管线18相比于阀门V2在下游设置节流孔结构例如流量控制装置(质量流控制器)或减速阀。
接着，直流电源27对电极层25交替施加极性不同的高电压，例如+1kV和—1kV的电压。此时，因为向电极层25施加高电压而产生了静电场，静电应力便作用于腔室11内面，粒子从腔室11内面便脱落，而脱落的粒子就会随着上述粘性流向腔室11的外部排出。
上述静电应力在对电极层25的高电压施加时和停止时，有效地作用在腔室11内面。由于基板输送装置10反复地向电极层25加高电压，所以静电应力也反复地有效作用于腔室11内面。因此，腔室11内面堆积的粒子就能够特别干净地清除掉。
如果反复给电极层25施加相同极性的高电压，腔室11的内面就会带电(充电)，其结果就会导致作用于腔室11内面的静电应力变小，去除堆积在腔室11内面的粒子的效率就会降低。而在基板输送装置10中，正是由于交替对电极层25施加不同极性的高电压，才可使腔室11内面不会带电，才能防止去除堆积在腔室11内面粒子的效率降低。
此外，如上所述，上述静电应力的效果作用是和向电极层25加高电压的次数有关系的，而与向电极层25施加高电压的时间没多大关系，因此，向电极层25加高电压的时间例如可定为1秒以下。
然后，从气体导入管线18把N2气体导入腔室11内，按规定次数对电极层25交替施加不同极性的高电压后，关闭气体导入管线18的阀门V2，并关闭排气管线15的阀门V1，处理作业结束。
如按照上述基板输送装置的晶片清洗方法，在将N2气体往腔室11内导入及使腔室11内排气时，由于对配置在移至腔室内希望位置的拾取器24上的电极层25交替施加不同极性的高电压，在腔室11内产生粘性流，并在腔室11内的希望位置产生了静电场，静电应力作用于所希望位置附近的腔室11内面，堆积在腔室11内面的粒子就会脱落，这些脱落的粒子随上述粘性流从腔室11内排出。因此，不用使腔室11向外部环境开放，腔室11内面堆积的粒子就能去除。就是说，具有基板输送装置10的基板处理系统，在不会降低实际作业率的情况下可以充分清除堆积的粒子。
在上述基板输送装置10中，施加高电压的电极层25是设置在拾取器24上的，但电极设置的场所不仅限于拾取器24，只要是在利用输送臂12可移动到腔室11内希望位置的地方就行，比如，也可以设在第二腕部件23的端部附近。不过，由于电极层25设在拾取器24上，在输送晶片W当中，可以通过静电吸附力把晶片W吸附在拾取器24上，这样，可以加快晶片W的输送速度，提高生产能力。
另外，清除晶片W上附着的粒子时，在把晶片W载置在拾取器24并进行上述基板输送装置的清洗方法之前，可不把晶片W载置到拾取器24上，实施上述基板输送装置的清洗方法，去除腔室11内面堆积的粒子，这样，可以提高清除晶片W上附着粒子的效率。
下面详细说明本发明的实施方式涉及的基板处理系统。
图3是本发明的实施方式涉及的基板处理系统大概结构的截面图。
在图3中，基板处理系统30包括上述基板输送装置10和通过闸阀14与该基板输送装置10连接的等离子体处理装置31。
作为对晶片W进行蚀刻处理的蚀刻处理装置而构成的等离子体处理装置31，有着金属制的圆筒形腔室(第二收容室)32。在该腔室32内，设置有载置晶片W的圆柱状的基座33。
在腔室32内，腔室32的下部连通着一个自动压力控制阀(automatic pressure control valve—以下简称“APC”)34。APC34连接涡轮分子泵(以下称“TMP”)35，进而通过TMP35与DP36相连接。APC34负责腔室32内的压力控制，而TMP35和DP36则负责减压，使腔室32减压到接近真空状态。
另外，在腔室32内是，在腔室32的下部内壁上，接有粗排放管线。此粗排放管线具有使腔室32和DP36连通的排气管37、以及在排气管37中途设置的阀门V3。该阀门V3可以隔断腔室32与DP36。粗排放管线将腔室32内的气体排出。
基座33电连接高频电源38，这样，基座33就作为施加高频电力的下部电极发挥功能。
在基座33内的上方，设置了用静电吸引力吸附晶片W的电极板39。晶片W是通过加在电极板39的直流电压产生的库仑力或约翰逊·拉别克力(Johnsen-Rahbek)而被吸附保持在基座33上面。
在基座33上面吸附晶片W的部分，开有若干传热气体供给孔40。这些传热气体供给孔40通过设置在基座33内部的传热气体供给管线，将来自传热气体供给装置(未图示)的传热气体提供给基座33的上面和晶片W的背面之间的间隙。
腔室32的侧壁开有晶片W搬入搬出口41，该搬入搬出口41是由闸阀14密封的。在闸阀14开启时，基板输送装置10的腔室11内就与等离子体处理装置31的腔室32内连通了。
另外，在腔室32的室顶部，设置了作为接地电位的上部电极的浇淋头43。这样，基座33和浇淋头43之间施加来自高频电源38的高频电压。顶部的浇淋头43连接着来自处理气体供给装置(未图示)的处理气体导入管42，处理气体导入管42的中途设置了闸阀V4，该闸阀V4可以隔断缓冲室47和处理气体供给装置。
在等离子体处理装置31，在进行蚀刻处理时，首先把闸阀42定为开启状态，然后用输送臂12把加工对象晶片W运至腔室32内并载置到基座33上。接着，从浇淋头43把处理气体(例如规定流量比率的C4F8气体、O2气体及Ar气体形成的混合气)按规定流量及流量比导入腔室32内，用APC34把腔室32内的压力调到规定值。然后，高频电源38向基座33提供高频电力，直流电压加给电极板39，把晶片W吸附在基座33上。而从浇淋头43喷出的处理气体通过在基座33和浇淋头43之间形成的RF电场使之等离子体化。由该等离子体生成的自由基和离子就会对晶片W的表面进行蚀刻。
在上述等离子体处理装置31中，在生成的等离子体中没有聚束在晶片W表面的部分与腔室32内壁碰撞而产生粒子，另外，基于等离子体的反应生成物的残留堆积物也变成粒子。在这些粒子当中，有的并不能随主排放管线及粗排放管线排出，仍堆积在腔室32内面等，所以有必要清除这些粒子。
在基板处理系统30中，基板输送装置10的腔室11内和等离子体处理装置31的腔室32内是通过搬入搬出口13、闸阀14及搬入搬出口41连通的，因此，输送臂12就能够通过搬入搬出口13、闸阀14和搬入搬出口41把拾取器24移至腔室32内所希望的位置。
在等离子体处理装置31中，当通过浇淋头43向腔室32内导入N2气体及通过粗排放管线使腔室32内排气时，由于对移至腔室32内所希望的位置—例如腔室32内面近旁的拾取器24上的电极层25施以高电压，从而使静电应力作用在腔室32内面。这样，堆积在腔室32内面粒子的附着力就会减弱，该粒子脱落。因此，在基板处理系统30中，通过把拾取器24移动到希望的位置，不仅能使基板输送装置10的腔室11内面的粒子脱落，也能把在等离子体处理装置31的腔室32内面堆积的粒子剥离掉。
下面说明在基板处理系统30中实施的去除基板输送装置10的腔室11内面及等离子体处理装置31内面所堆积的粒子的基板处理系统的清洗方法。其中，拾取器24移至基板输送装置10的腔室11内希望位置时的清洗方法前面已有叙述，故此处省略不谈，以下就拾取器24移至等离子体处理装置31的腔室32内希望位置时的清洗方法进行说明。
对应这种清洗方法实施清洗处理的前提条件是：电极层25不加电压、腔室32内用粗排放管线排气减压、闸阀V4处于关闭状态。
首先，通过旋转台21等的旋转动作将拾取器24移至腔室32内所希望的位置，然后开启V4，使N2气体从浇淋头43导入腔室32内。由于导入的N2气体经粗排放管线向腔室32外部排出，这样，腔室32中从顶部向下部便产生N2气体的粘性流。此时，与上述基板输送装置的清洗方法一样，粗排放管线按照腔室32内压力不低于规定压力的方式排出腔室32内的N2气体等。
此外，腔室32内导入的N2气体的流量与种类，也与前述的基板输送装置清洗方法相同。
接着，直流电源27对电极层25交替施加不同极性的高电压，例如+3kV和—3kV的电压，此时，静电场产生并静电应力作用于腔室32内面，致使粒子从腔室32内面脱落，脱落的粒子随上述粘性流排放至腔室32外部。电极板39所加高电压的绝对值例如可在1～5kV的范围，加高电压的时间例如可在1秒以下，和前述基板输送装置清洗方法相同。
然后，在N2气体从浇淋头43导入腔室32内的状态下，向电极层25按规定次数交替施加极性不同的高电压后，关闭浇淋头43的阀门V4，同时关闭粗排放管线的阀门V3，本处理完毕。
按照上述基板处理系统的清洗方法，在向腔室11和腔室32中移动了拾取器24的腔室(以下称“拾取器移动腔室”)内导入N2气体及使拾取器移动腔室排气时，由于向拾取器24上所配置的电极板25交替施加不同极性的高电压，使拾取器移动腔室内产生粘性流，并在拾取器移动腔室内所希望的位置产生静电场，从而静电作用力作用在所希望位置附近的拾取器移动腔室内面，拾取器移动腔室内面处所堆积的粒子就会脱落，而脱落的粒子就会被上述粘性流从拾取器移动腔室排出。这样，不使腔室11和腔室32向外部环境开放就可清除所堆积的粒子，就是说，不会降低基板处理系统30的作业率就可充分清除所堆积的粒子。
在上述基板处理系统30中，基板输送装置10和等离子体处理装置31各自都有自己的排气装置(排气管线15、粗排放管线)。其实，基板输送装置10和等离子体输送装置31也可以共有排气装置，例如把排气管线15与DP36连接在一起。
虽然在上述基板处理系统30中，等离子体处理装置31与基板输送装置10连接，当然，与基板输送装置10连接的基板处理系统的结构装置并不仅限于此，只要构成装置包括以下部分即可：收容晶片W的腔室(以下称“其它腔室”)；向该其他腔室导入N2气体等的气体导入管线；使其他腔室内排气的排气管线；和连通其它腔室和腔室11的开口部。例如，像作为CVD装置及灰化装置构成的等离子体处理装置，或者图6中的基板输送室63等都行。连接在基板输送装置10上的结构装置，按照上述基板处理系统的清洗方法，就可以不使其他腔室向外部环境开放而除去所堆积的粒子。
此外，基板处理系统30中的基板输送装置10和等离子体处理装置31的配置形式并无特别限制，集束型和并行型均可。
在前述基板输送装置10及基板处理系统30中，作为输送臂用关节臂式装卸装置，但实际输送臂的形式并不仅限于此，辙叉式装卸装置也行。
[实施例]
下面具体说明本发明的实施例。
以下的实施例已在上述基板输送装置10中实施。
图4是表示作为本发明实施例实施的粒子去除处理的评价次序的流程图。
首先，将晶片W送入基板输送装置10的腔室11内，通过统计附着在所输送的晶片W上的粒子数，测量初期的PWP(Particle per WaferPass)(步骤S41)。接着，打开基板输送装置10的维修窗，使大气中的灰尘进入腔室11(步骤S42)。然后，关闭基板输送装置10的维修窗，把基板输送装置10的控制装置(未图示)的计数器设定为“1”
(步骤S43)，实施上述基板输送装置的清洗方法作为NPPC(NonPlasma Particle Cleaning：非等离子体粒子清洗)(步骤S44)，然后在利用NPPC洗净的基板输送装置10的腔室11内，输送晶片W，通过计数附着在所输送的晶片W上的粒子数量测量清洗后的PWP(步骤S45)。
接着，判断计数器的值N是否比设定次数大(步骤S46)，计数器的值N在设定次数以下时(在步骤S46中为“否”)，计数器便增加(步骤S47)，回到步骤S44中。计数器的值N比设定次数大(在步骤S46中为“是”)后，处理便告结束。
此时，测量的PWP制成图表便如图5所示。
在图5中，横轴表示测量次数，纵轴是PWP的值。另外，横轴右端的PWP是表示晶片W放置在连接于基板输送装置10的盒式腔室(C/C)(未图示)时，已粘附在晶片W上的粒子数(以下称“基数”)。
从图5中可以看出，进行1次NPPC，就可以大幅降低PWP的值，就是说，基板输送装置10的腔室11内堆积的粒子就可充分去除。如果NPPC进行4次以上，PWP的值就能够降低到基数，即腔室11内面堆积的粒子几乎全被去除。在反复进行NPPC时，基板输送装置10的维修窗是处在关闭的状态，因此，用上述基板输送装置的清洗方法，可以不使腔室11向外部环境开放，就能清除腔室11内面堆积的粒子。即，不降低具有基板输送装置10的基板处理系统30的作业率也可以充分清除所堆积的粒子。

Claims (8)

1.一种基板输送装置，其特征在于，该基板输送装置设有：
收容基板的收容室；
配置于该收容室内且输送所述基板的基板输送部；
对所述收容室内排气的排气部；和
将气体导入所述收容室内的气体导入部，
所述基板输送部包括：载置所述基板的载置部；一端与该载置部连接并使所述载置部移动的腕部；和配置在所述载置部上且施加电压的电极，
所述收容室内进行所述气体导入及使所述收容室内排气时，对所述电极施加高电压。
2.如权利要求1所述的基板输送装置，其特征在于，
所述电极配置成与载置在所述载置部的所述基板相面对。
3.如权利要求1或2所述的基板输送装置，其特征在于，
所述高电压的绝对值在1～5kV的范围。
4.如权利要求1或2所述的基板输送装置，其特征在于，
向所述电极交替施加极性不同的高电压。
5.如权利要求1或2所述的基板输送装置，其特征在于，
所述排气部使所述收容室内的压力保持在133Pa以上。
6.一种基板输送装置的清洗方法，去除堆积在基板输送装置中的基板的收容室内面的异物，其特征在于，该方法具有：
把载置所述基板的载置部移动到所述收容室内希望位置的移动步骤；和
向所述收容室内导入气体且使所述收容室内排气时，向配置在所述移动了的载置部上的电极施加高电压的高电压施加步骤。
7.一种基板处理系统，其特征在于，包括：
具有收容基板的第一收容室及配设在该第一收容室内的且输送所述基板的基板输送部的基板输送装置；和
与该基板输送装置连接并具有收容所述基板的第二收容室的基板处理装置，
该基板处理系统还具有：
对所述第一及第二收容室中的至少一个收容室内进行排气的排气部；和
把气体引入所述被排气的收容室内的气体导入部，
所述基板输送部具有：载置所述基板的载置部；一端与该载置部连接并使所述载置部移动的腕部；和配设在所述载置部的且被施加电压的电极，
在所述第一及第二收容室中，在向移动了所述载置部的收容室内导入气体和所述收容室内被排气时，向所述电极施加高电压。
8.一种基板处理系统的清洗方法，除去在基板处理系统所包括的基板输送装置和基板处理装置中的至少一个装置中的基板收容室内面所堆积的异物，其特征在于，该方法包括：
向在所述基板输送装置和所述基板处理装置中的至少一个装置的基板的收容室内的希望位置，移动载置所述基板的载置部的移动步骤；和
在向所述收容室内进行气体导入及使所述收容室排气时，向在所述移动的载置部所配设的电极施加高电压的高电压施加步骤。
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