CN113948362A - 等离子体处理装置及等离子体处理方法 - Google Patents

等离子体处理装置及等离子体处理方法 Download PDF

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Abstract

提供一种能够延长干式清洗周期的技术。根据本公开的一个实施方式的等离子体处理装置包括：处理容器，具有在侧壁上形成有开口的筒体状，并且多级地容纳多个基板；等离子体区划壁，气密地设置在所述处理容器的侧壁上，并且覆盖所述开口并对等离子体生成空间进行界定；第一等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力；以及第二等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力。

Description

等离子体处理装置及等离子体处理方法
技术领域
本公开涉及一种等离子体处理装置及等离子体处理方法。
背景技术
已知一种技术，其在反应管的外侧以面对用于产生等离子体的区域的方式布置一对颗粒收集用电极，并在成膜周期中，以与置换工序并行的方式对颗粒收集用电极施加正的直流电压(例如参见专利文献1)。
<现有技术文献>
<专利文献>
专利文献1：日本特开2015-167157号公报
发明内容
<本发明要解决的问题>
本公开提供一种能够延长干式清洗周期的技术。
<用于解决问题的手段>
根据本公开的一个实施方式，提供一种等离子体处理装置，包括：处理容器，具有在侧壁上形成有开口的筒体状，并且多级地容纳多个基板；等离子体区划壁，气密地设置在所述处理容器的侧壁上，并且覆盖所述开口并对等离子体生成空间进行界定；第一等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力；以及第二等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力。
<发明的效果>
根据本公开，能够延长干式清洗周期。
附图说明
图1是示出实施方式的等离子体处理装置的一个示例的示意图。
图2是沿图1的II-II线的剖视图。
图3是放大地示出等离子体生成部的图。
图4是示出等离子体生成部的电路构成的一个示例的图。
图5是用于对等离子体生成部的动作的一个示例进行说明的图。
图6是示出实施方式的等离子体处理方法的一个示例的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图对本公开的非限定性的示例性的实施方式进行说明。在所有附图中，针对相同或对应的部件或零件，赋予相同或对应的符号，并省略重复的说明。
[等离子体处理装置]
参照图1和图2对实施方式的等离子体处理装置的一个示例进行说明。图1是示出实施方式的等离子体处理装置的一个示例的示意图。图2是沿图1的II-II线的剖视图。
等离子体处理装置1包括处理容器10、气体供给部20、等离子体生成部30、排气部40、加热部50、以及控制部90。
处理容器10具有下端被开口的附带顶板的纵型的筒体状。整个处理容器10例如由石英形成。在处理容器10的下端的开口经由密封部件(未图示)而连接有被成形为筒体状的金属制的歧管11。
歧管11对处理容器10的下端进行支承，并且从歧管11的下方将多级地放置有多片(例如25～150片)基板W的舟皿12插入处理容器10内。这样一来，在处理容器10内，以沿上下方向具有间隔的方式大致水平地容纳多片基板W。基板W例如是半导体晶圆。
舟皿12例如由石英形成。舟皿12具有3根支柱12a，并且通过形成在支柱12a上的槽(未图示)对多片基板W进行支承。舟皿12经由保温筒13被支承在旋转轴14上。
保温筒13例如由石英形成。保温筒13用于对从处理容器10的下端的开口的散热进行抑制。
旋转轴14贯通盖体15。在旋转轴14的贯通部上，设置有磁性流体密封件(未图示)，并且以气密的方式对旋转轴14进行密封，并以能够旋转的方式对旋转轴14进行支承。旋转轴14安装在由舟形升降机等升降机构(未图示)支承的臂的顶端，并且与舟皿12和盖体15作为一体进行升降，并相对于处理容器10内进行插拔。
盖体15例如由金属形成。盖体15对歧管11的下端的开口进行开闭。在盖体15的周边部与歧管11的下端之间，设置有用于对处理容器10内的气密性进行保持的密封部件(未图示)。
排气口16设置在处理容器10的侧壁的与气体喷嘴21相对的下部，并且经由排气口16对处理容器10内进行真空排气。
气体供给部20向处理容器10内供给各种气体。气体供给部20例如具有2根气体喷嘴21、22。但是，除了2根气体喷嘴21、22之外，气体供给部20还可以具有另外的气体喷嘴。
气体喷嘴21例如由石英形成，并且具有向内侧贯通歧管11的侧壁并向上方弯曲并垂直地延伸的L字形形状。气体喷嘴21的垂直部分设置在处理容器10内。气体喷嘴21与二氯硅烷(DCS；SiH2Cl2)气体的供给源26连接。在气体喷嘴21的垂直部分处，以遍布与舟皿12的晶圆支承范围相对应的上下方向上的长度的方式，空出间隔地形成有大量的气孔21h。各个气孔21h例如朝向处理容器10的中心C，并且向着处理容器10的中心C在水平方向上喷出DCS气体。但是，各个气孔21h可以朝向另外的方向，例如可以以相对于向着处理容器10的中心C的方向具有角度的方式取向，或者可以朝向处理容器10附近的内壁侧。
气体喷嘴22例如由石英形成，并且具有在等离子体区划壁34的下方向上方弯曲并向内侧贯通等离子体区划壁34的下部并向上方垂直地延伸的L字形形状。气体喷嘴22的垂直部分设置在等离子体生成空间A中。气体喷嘴22与氨(NH3)气的供给源27连接。在气体喷嘴22的垂直部分处，以遍布与舟皿12的晶圆支承范围相对应的上下方向上的长度的方式，空出间隔地形成有大量的气孔22h。各个气孔22h例如朝向处理容器10的中心C，并且向着处理容器10的中心C在水平方向上喷出氨气。但是，各个气孔22h可以朝向另外的方向，例如可以以相对于向着处理容器10的中心C的方向具有角度的方式取向。
另外，气体喷嘴21、22还与吹扫气体的供给源(未图示)连接，从各个气孔21h、22h向处理容器10内喷出吹扫气体。吹扫气体例如可以是氩(Ar)气、或氮(N2)气等惰性气体。
等离子体生成部30形成在处理容器10的侧壁的一部分上。等离子体生成部30将从气体喷嘴22供给的氨气等离子体化以生成活性种。稍后将对等离子体生成部30的细节进行说明。
排气部40经由排气口16对处理容器10内进行真空排气。排气部40包括排气管道41和排气装置42。排气管道41连接到排气口16。排气装置42包括压力控制阀、真空泵等。
加热部50对容纳在处理容器10内的基板W进行加热。加热部50包括加热腔室51和加热丝52。加热腔室51具有附带顶板的筒体状，并且以包围处理容器10的外周的方式设置。加热丝52以呈螺旋状的方式设置在加热腔室51的内表面上。
控制部90对等离子体处理装置1的各个部分进行控制。控制部90例如可以是计算机。另外，用于进行等离子体处理装置1的各个部分的动作的计算机的程序存储在存储介质中。存储介质例如可以是软盘、光盘、硬盘、闪存、DVD等。
[等离子体生成部]
参照图3和图4对等离子体生成部30的构成示例进行说明。图3是放大地示出等离子体生成部30的图。图4是示出等离子体生成部30的电路构成的一个示例的图。
等离子体生成部30包括RF(射频：radio frequency)电源31、匹配电路32、继电器电路33、等离子体区划壁34、第一等离子体电极对35、第二等离子体电极对36、绝缘保护罩37、以及供电线路38。
RF电源31经由供电线路38连接到第一等离子体电极对35的下端和第二等离子体电极对36的下端，并向第一等离子体电极对35和第二等离子体电极对36施加预定频率的RF电力。预定频率例如可以是13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz。
匹配电路32设置在供电线路38中的RF电源31与第一等离子体电极对35和第二等离子体电极对36之间。匹配电路32对当从RF电源31侧进行观察时的等离子体侧的阻抗进行控制。匹配电路32包括线圈和电容器(可变电容器)，并且以使反射波的电力最小化的方式对可变电容器的电容进行调整以进行匹配。匹配电路32例如可以是L形匹配电路或π形匹配电路。
继电器电路33设置在匹配电路32的输出侧，即，设置在匹配电路32与第一等离子体电极对35和第二等离子体电极对36之间。继电器电路33是切换部的一个示例，例如是真空继电器单元。继电器电路33的动作由控制部90控制。继电器电路33将匹配电路32的一个输出M1分支并输出到2个输出线路L1、L2，并将另一个输出M2分支并输出到2个输出线路L3、L4。在输出线路L1、L3上设置有继电器R1，并且经由继电器R1的2个输出连接到第一等离子体电极对35。在输出线路L2、L4上设置有继电器R2，并且经由继电器R2的2个输出连接到第二等离子体电极对36。继电器R1、R2被构成为能够根据来自控制部90的控制信号对接通和断开进行切换。另外，继电器电路33包括响应于来自控制部90的控制信号而点亮的指示器I1、I2。
等离子体区划壁34气密地焊接在处理容器10的外壁上。等离子体区划壁例如由石英形成。等离子体区划壁34呈剖面凹状，并且对形成在处理容器10的侧壁上的开口17进行覆盖。开口17以在上下方向上对由舟皿12所支承的全部基板W进行覆盖的方式，在上下方向上形成为细长。在由等离子体区划壁34界定并与处理容器10的内部连通的内侧空间，即等离子体生成空间A中，设置有用于喷出作为等离子体生成用气体的氨气的气体喷嘴22。
第一等离子体电极对35包括一对电极35a、35b。一对电极35a、35b分别具有以上下方向作为长度方向的细长的板形状。一对电极35a、35b以将等离子体区划壁34夹在中间的方式与等离子体区划壁34的两侧的壁的外表面相对地布置。供电线路38连接到各个电极35a、35b的下端，并且经由匹配电路32和继电器电路33向各个电极35a、35b的下端施加来自RF电源31的RF电力。
第二等离子体电极对36包括一对电极36a、36b。一对电极36a、36b分别具有以上下方向作为长度方向的细长的板形状。一对电极36a、36b以将等离子体区划壁34夹在中间的方式与等离子体区划壁34的两侧的壁的外表面相对地布置。供电线路38连接到各个电极36a、36b的下端，并且经由匹配电路32和继电器电路33向各个电极36a、36b的下端施加来自RF电源31的RF电力。第二等离子体电极对36在处理容器10的径向上，在处理容器10的相对于第一等离子体电极对35的中心C侧，以与第一等离子体电极对35之间空出预定的距离L的方式，与第一等离子体电极对35相邻地布置。从能够将沉积在第一等离子体电极对35的附近的等离子体区划壁34的内表面上的膜有效地去除的观点出发，预定的距离L优选为10mm以下，更优选为7mm以下。另外，从能够对第一等离子体电极对35与第二等离子体电极对36之间的沿面放电进行抑制的观点出发，预定的距离L优选为3mm以上，更优选为4mm以上。第二等离子体电极对36的一对电极36a、36b之间的距离G2例如与第一等离子体电极对35的一对电极35a、35b之间的距离G1相同。第二等离子体电极对36的一对电极36a、36b的相对的表面的电极面积例如小于第一等离子体电极对35的一对电极35a、35b的相对的表面的电极面积。但是，第二等离子体电极对36的一对电极36a、36b的相对的表面的电极面积例如也可以与第一等离子体电极对35的一对电极35a、35b的相对的表面的电极面积相同。另外，第二等离子体电极对36的一对电极36a、36b的相对的表面的电极面积例如也可以大于第一等离子体电极对35的一对电极35a、35b的相对的表面的电极面积。
绝缘保护罩37以覆盖第一等离子体电极对35和第二等离子体电极对36的方式安装在等离子体区划壁34的外侧。绝缘保护罩37例如以包括第一等离子体电极对35的电极35a与第二等离子体电极对36的电极36a之间的部分的方式设置，并且以包括第一等离子体电极对35的电极35b与第二等离子体电极对36的电极36b之间的部分的方式设置。由此，能够防止第一等离子体电极对35的电极35a与第二等离子体电极对36的电极36a之间、以及第一等离子体电极对35的电极35b与第二等离子体电极对36的电极36b之间的沿面放电。绝缘保护罩37例如由石英等绝缘体形成。
供电线路38将RF电源31与第一等离子体电极对35和第二等离子体电极对36电连接。
[等离子体生成部的动作]
参照图5对等离子体生成部30的动作的一个示例进行说明。图5是示出等离子体生成部30的动作的一个示例的图。图5(a)示出将继电器R1、R2接通的状态，图5(b)示出将继电器R1接通，并将继电器R2断开的状态，图5(c)示出将继电器R1断开，并将继电器R2接通的状态。
如图5(a)所示，如果根据来自控制部90的控制信号，将继电器电路33的继电器R1、R2接通，则来自RF电源31的RF电力会被施加到第一等离子体电极对35和第二等离子体电极对36。由此，在等离子体生成空间A中，以第一等离子体电极对35的一对电极35a与35b之间、以及第二等离子体电极对36的一对电极36a与36b之间为中心生成等离子体P。
如图5(b)所示，如果根据来自控制部90的控制信号，将继电器电路33的继电器R1接通并将继电器R2断开，则来自RF电源31的RF电力会被施加到第一等离子体电极对35，而不会被施加到第二等离子体电极对36。由此，在等离子体生成空间A中，以第一等离子体电极对35的一对电极35a与35b之间为中心生成等离子体P。
如图5(c)所示，如果根据来自控制部90的控制信号，将继电器电路33的继电器R1断开并将继电器R2接通，则来自RF电源31的RF电力不会被施加到第一等离子体电极对35，而会被施加到第二等离子体电极对36。由此，在等离子体生成空间A中，以第二等离子体电极对36的一对电极36a与36b之间为中心生成等离子体P。
这样一来，通过利用控制部90对继电器电路33的继电器R1、R2的接通/断开进行控制以对RF电源31与等离子体电极对(第一等离子体电极对35和第二等离子体电极对36)的连接状态进行切换，从而能够对生成等离子体P的区域进行改变。例如，通过利用控制部90将继电器电路33的继电器R1、R2控制为接通以将RF电源31与第一等离子体电极对35和第二等离子体电极对36连接，从而能够扩大等离子体生成空间A中的等离子体P的生成区域。另外，例如，通过利用控制部90将继电器电路33的继电器R1、R2中的一者控制为接通并将另一者控制为断开以将RF电源31与第一等离子体电极对35或第二等离子体电极对36连接，从而能够缩小等离子体生成空间A中的等离子体P的生成区域。
[等离子体处理方法]
参照图6对实施方式的等离子体处理方法的一个示例进行说明。图6是示出实施方式的等离子体处理方法的一个示例的流程图。在实施方式中，以通过上述的等离子体处理装置1形成氮化硅膜的情况为例进行说明。以下的等离子体处理方法例如通过由控制部90对等离子体处理装置1的各个单元进行控制来执行。
首先，在步骤S1中，将要实施处理的对象的基板(以下称为“处理前基板”)放入等离子体处理装置1内。处理前基板例如在被容纳在被称为FOUP(Front-Opening UnifiedPod：前开式传送盒)的容器中的状态下，被放置在等离子体处理装置1的装载端口(未图示)处。
接着，在步骤S2中，通过搬送机构(未图示)将容纳在放置于装载端口处的FOUP内的处理前基板转移到舟皿12。
接着，在步骤S3中，通过升降机构，使搭载有处理前基板的舟皿12上升，并将舟皿12搬入(装载)到处理容器10内。另外，通过加热部50，使处理容器10的内部恢复到预定温度。
接着，在步骤S4中，在将舟皿12容纳在处理容器10内的状态下对处理容器10内部进行真空吹扫。真空吹扫例如通过利用排气部40对处理容器10的内部进行真空抽吸来进行。
接着，在步骤S5中，使处理容器10的内部升温至成膜温度。对于成膜温度并无特别限定，例如可以为500℃～600℃。
接着，在步骤S6中，进行循环吹扫。循环吹扫是将包括利用排气部40对处理容器10的内部和气体管线(例如气体喷嘴21、22)进行真空抽吸、以及向处理容器10的内部供给惰性气体的循环进行多次的处理。通过循环吹扫，使得处理容器10的内部变为惰性气体气氛。
接着，在步骤S7中，利用原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法，进行在处理前基板上形成氮化硅膜的成膜处理。在成膜处理中，通过将依次进行用于供给原料气体的步骤S71、进行吹扫的步骤S72、进行氮化的步骤S73、以及进行吹扫的步骤S74的循环重复，从而在处理前基板上形成氮化硅膜。在用于供给原料气体的步骤S71中，例如从气体喷嘴21向处理容器10内供给原料气体、例如DCS气体。在进行吹扫的步骤S72中，例如通过从气体喷嘴21、22向处理容器10内供给吹扫气体、例如惰性气体，从而将残留在处理容器10内的硅原料气体去除。在进行氮化的步骤S73中，通过从气体喷嘴22向等离子体生成空间A供给氮化气体、例如氨气，并且从RF电源31向第一等离子体电极对35施加RF电力，从而在等离子体生成空间A中生成等离子体P。由此，在等离子体P中生成用于氮化的活性种，并且通过生成的活性种将原料、例如DCS氮化。在进行吹扫的步骤S74中，通过从气体喷嘴21、22向处理容器10内供给吹扫气体、例如惰性气体，从而将残留在处理容器10内的氮化气体去除。
另外，在步骤S7中的成膜处理中，也可以在等离子体区划壁34的内表面上沉积氮化硅膜。具体来说，在成膜处理期间被施加RF电力的第一等离子体电极对35的正下方的等离子体区划壁34的内表面上，由于等离子体中的离子的溅射或蚀刻，因此难以沉积氮化硅膜。另一方面，在第一等离子体电极对35的正下方附近的等离子体区划壁34的内表面上，容易沉积氮化硅膜。
接着，在步骤S8中，进行循环吹扫。循环吹扫例如可以与步骤S6中的循环吹扫相同。
接着，在步骤S9中，使处理容器10的内部降温至预定温度。预定温度例如是能够从处理容器10的内部搬出舟皿12的温度。
接着，在步骤S10中，通过向处理容器10的内部导入惰性气体，从而使处理容器10的内部恢复到大气压。
接着，在步骤S11中，通过升降机构，使搭载有实施了成膜处理的基板(以下称为“处理完成基板”)的舟皿12下降，并且从处理容器10内搬出(卸载)舟皿12。另外，对搭载在舟皿12上的处理完成基板进行冷却(cooling)。
接着，在步骤S12中，利用闸门(未图示)将处理容器10的下端的开口气密地封闭，并且利用排气部40对处理容器10的内部进行真空抽吸。
接着，在步骤S13中，判断在等离子体处理装置1中是否存在接着要处理的批次(以下称为“下一批次”)。如果在步骤S13中判断出存在下一批次，则使处理进到步骤S14。另一方面，如果在步骤S13中判定出不存在下一批次，则使处理进到步骤S20。
接着，在步骤S14中，进行循环吹扫。循环吹扫例如可以与步骤S6中的循环吹扫相同。
接着，在步骤S15中，将处理完成基板从舟皿12转移到放置在装载端口处的FOUP内，并将处理完成基板移出到等离子体处理装置1的外部。需要说明的是，从提高生产率的观点出发，优选将步骤S15与步骤S14并行地实施。
接着，在步骤S16中，将下一批次的处理前基板放入等离子体处理装置1内。处理前基板例如在被容纳在FOUP中的状态下，被放置在等离子体处理装置1的装载端口处。需要说明的是，从提高生产率的观点出发，优选将步骤S16与步骤S14和步骤S15并行地实施。
接着，在步骤S17中，进行氨等离子体处理。在氨等离子体处理中，通过从气体喷嘴22向等离子体生成空间A供给氨气，并且从RF电源31向第二等离子体电极对36施加RF电力，从而以第二等离子体电极对36的一对电极36a与36b之间为中心生成等离子体P。由此，通过蚀刻将在步骤S6的成膜处理中沉积在第一等离子体电极对35的正下方附近的等离子体区划壁34的内表面上的氮化硅膜去除。
接着，在步骤S18中，通过搬送机构将容纳在放置于装载端口处的FOUP内的处理前基板转移到舟皿12。需要说明的是，从提高生产率的观点出发，优选将步骤S18与步骤S17并行地实施。
接着，在步骤S19中，通过向处理容器10的内部导入惰性气体，从而使处理容器10的内部恢复到大气压，并使处理返回到步骤S3。
接着，在步骤S20中，进行循环吹扫。循环吹扫例如可以与步骤S6中的循环吹扫相同。
接着，在步骤S21中，将处理完成基板从舟皿12转移到放置在装载端口处的FOUP内，并将处理完成基板移出到等离子体处理装置1的外部。需要说明的是，从提高生产率的观点出发，优选将步骤S21与步骤S20并行地实施。
接着，在步骤S22中，进行氨等离子体处理。氨等离子体处理可以与步骤S17中的氨等离子体处理相同。
接着，在步骤S23中，通过向处理容器10的内部导入惰性气体，从而使处理容器10的内部恢复到大气压，并结束处理。
需要说明的是，如果在步骤S13中判断出不存在下一批次，则可以结束处理，而不进行步骤S22的氨等离子体处理和步骤S23的大气压恢复中的至少一者。
如上所述，根据实施方式的等离子体处理方法，通过向处理容器10的内部供给氨气并向第二等离子体电极对36施加RF电力，从而以第二等离子体电极对36的一对电极36a与36b之间为中心生成等离子体P。由此，通过蚀刻将在成膜处理中沉积在第一等离子体电极对35的正下方附近的等离子体区划壁34的内表面上的氮化硅膜去除。因此，即使在等离子体作用于等离子体区划壁34的内表面的情况下，也能够对颗粒的产生进行抑制，并且能够将干式清洗周期延长至以往的大约两倍。因此，能够提高装置的运转率，并且能够消减用于质量管理的工时和材料成本。需要说明的是，如果将基板放入等离子体处理装置1，并重复氮化硅膜的ALD工序，则当超过一定的累积膜厚的阈值时，在基板的表面上产生的颗粒量会增加。因此，在达到以使颗粒量不超过管理值的方式确定的累积膜厚时，通过干式清洗将处理容器10的内壁的氮化硅膜去除。将两次干式清洗之间的期间称为“干式清洗周期”，并用累积膜厚(μm)表示其长度。
此外，如果在等离子体区划壁34的内表面上沉积了大量的氮化硅膜，则沉积的氮化硅膜的一部分有可能会在成膜处理时因等离子体的作用而剥离，并作为颗粒附着在基板的表面上。特别地，附着在基板的表面上的颗粒多数情况下主要是从设置在基板附近的等离子体生成空间A生成。因此，如实施方式的等离子体处理方法那样，减少针对等离子体区划壁34的内表面的氮化硅膜的成膜量在减少颗粒附着到基板表面上是有效的。
另外，根据实施方式的等离子体处理方法，在完成氮化硅膜的成膜处理并将处理完成基板移出到等离子体处理装置1的外部后，并且在将下一批次的处理前基板搬入处理容器10内为止的时间内进行氨等离子体处理。由此，能够延长干式清洗周期，而不会使生产率降低。
应当认为，根据本次公开的实施方式在所有方面均是示例性的，而非限制性的。在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下，可以对上述实施方式以各种方式进行省略、替换、改变。
虽然在上述实施方式中对第一等离子体电极对和第二等离子体电极对与共同的RF电源连接的情况进行了说明，但是本公开不限于此。例如，第一等离子体电极对和第二等离子体电极对可以与不同的RF电源连接。在此情况下，可以不设置继电器电路。
虽然在上述实施方式中对在等离子体区划壁的两侧的外表面上设置有2个等离子体电极对(第一等离子体电极对和第二等离子体电极对)的情况进行了说明，但是本公开不限于此。例如，可以在等离子体区划壁的两侧的外表面上设置3个以上的等离子体电极对。在此情况下，可以在继电器电路中，使匹配电路32的输出分支，从而以能够将来自RF电源的RF电力切换到3个以上的等离子体电极对的方式进行供给。
虽然在上述实施方式中对通过氨等离子体处理将沉积在等离子体区划壁34的内表面上的氮化硅膜去除的情况进行了说明，但是本公开不限于此。例如，可以通过氮等离子体处理或氩等离子体处理将沉积在等离子体区划壁34的内表面上的氮化硅膜去除，以代替氨等离子体处理。
虽然在上述实施方式中对处理容器为单管结构的容器的情况进行了说明，但是本公开不限于此。例如，处理容器可以是双重管结构的容器。
虽然在上述实施方式中对基板为半导体晶圆的情况进行了说明，但是本公开不限于此。例如，基板可以是用于平板显示器(FPD：Flat Panel Display)的大型基板、用于有机EL面板的基板、或用于太阳能电池的基板。

Claims (11)

1.一种等离子体处理装置，包括：
处理容器，具有在侧壁上形成有开口的筒体状，并且多级地容纳多个基板；
等离子体区划壁，气密地设置在所述处理容器的侧壁上，并且覆盖所述开口并对等离子体生成空间进行界定；
第一等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力；以及
第二等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
所述第二等离子体电极对在所述处理容器的径向上与所述第一等离子体电极对相邻地布置。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，
所述第二等离子体电极对以与所述第一等离子体电极对之间空出3mm～10mm的距离的方式布置。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述第二等离子体电极对的电极之间的距离与所述第一等离子体电极对的电极之间的距离相同。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述第二等离子体电极对的各电极的面积与所述第一等离子体电极对的各电极的面积不同。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置，还包括：
RF电源，向所述第一等离子体电极对和所述第二等离子体电极对施加RF电力；以及
切换部，对所述RF电源与所述第一等离子体电极对和所述第二等离子体电极对的连接状态进行切换。
7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，
所述切换部包括继电器电路。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的等离子体处理装置，还包括：
绝缘保护罩，以包括所述第一等离子体电极对的各电极与所述第二等离子体电极对的各电极之间的部分的方式设置。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述第二等离子体电极对相对于所述第一等离子体电极对布置在所述处理容器的中心侧，
在所述处理容器内存在基板的状态下，向所述第一等离子体电极对施加RF电力，
在所述处理容器内不存在基板的状态下，向所述第二等离子体电极对施加RF电力。
10.一种由等离子体处理装置进行的等离子体处理方法，该等离子体处理装置包括：
处理容器，具有在侧壁上形成有开口的筒体状，并且多级地容纳多个基板；
等离子体区划壁，气密地设置在所述处理容器的侧壁上，并且覆盖所述开口并对等离子体生成空间进行界定；以及
第一等离子体电极对和第二等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力，
所述等离子体处理方法包括：
在所述处理容器内容纳有基板的状态下，向所述第一等离子体电极对施加RF电力以在所述基板上形成膜的成膜工序；以及
在所述处理容器内未容纳有基板的状态下，向所述第二等离子体电极对施加RF电力以将沉积在所述等离子体生成空间处的膜去除的去除工序。
11.根据权利要求10所述的等离子体处理方法，还包括：
将基板搬入所述处理容器内的搬入工序；以及
将在所述成膜工序中形成了膜的所述基板搬出的搬出工序，
其中，依次重复所述搬入工序、所述成膜工序、所述搬出工序、以及所述去除工序。
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