KR100668506B1

KR100668506B1 - 위치에 따른 오버드라이빙 구동량을 테스트하기 위한반도체메모리소자

Info

Publication number: KR100668506B1
Application number: KR1020040031904A
Authority: KR
Inventors: 곽승욱; 김관언
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 2004-05-06
Filing date: 2004-05-06
Publication date: 2007-01-12
Also published as: KR20050106847A; US20050249000A1; US7038957B2

Abstract

본 발명은 위치에 따른 오버드라이빙 구동량을 테스트하기 위한 반도체메모리소자 및 그를 위한 구동방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위한 본 발명으로 뱅크의 메모리셀에 공급되는 노말전원에 일시적으로 고전압을 인가시키기 위한 복수의 뱅크-내부 오버드라이버; 뱅크의 외부에 배치되어 뱅크에 공급되는 노말전원에 일시적으로 고전압을 인가시키기 위한 뱅크-외부 오버드라이버; 주변영역에 위치하여 노말전원에 일시적으로 고전압을 인가시키기 위한 복수의 페리-오버드라이버; 상기 오버드라이버를 선택하기 위한 신호를 입력받는 모드레지스터셋; 및 테스트모드신호에 응답하여 상기 모드레지스터셋의 설정값을 디코딩하여 상기 뱅크 내부 및 외부 오버드라이버와 상기 페리-오버드라이버 중 원하는 위치와 구동력을 갖는 오버드라이버를 선택적으로 구동하기 위한 디코딩부를 구비하는 반도체 메모리 소자를 제공한다.

오버드라이빙, 위치, 구동능력, MRS, 전압

Description

위치에 따른 오버드라이빙 구동량을 테스트하기 위한 반도체메모리소자{SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR TESTFYING OVERDRIVING QUANTITY BY POSITION}

도 1a 및 도 1b는 오버드라이빙 회로 및 그의 동작 파형도.

도 2는 종래기술에 따른 반도체 메모리 소자 내 오버드라이버의 배치도.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 소자 내 오버드라이버의 배치도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

500 : MRS

본 발명은 반도체 설계 기술에 관한 것으로, 특히 위치에 따른 오버드라이빙 구동량을 테스트하기 위한 반도체메모리소자 및 그를 위한 구동방법에 관한 것이 다.

메모리 소자의 저 전력화를 위하여 낮은 구동전압을 사용하게 되면서, DRAM을 비롯한 메모리 소자에서 감지증폭기의 동작을 돕기 위한 여러가지 기술적 보완들이 있어 왔는데, 그 중 하나가 오버드라이빙 구조이다.

도 1a는 반도체 메모리 소자 내 오버드라빙 회로도이다.

도 1a를 참조하면, 오버드라이빙 회로는 노말전원 라인에 고전압을 인가하기 위한 오버드라이버(PM1)와, 오버드라이빙 제어신호(saovdp)를 입력받아 이를 지연및 반전시켜 오버드라이버(PM1)를 구동하기 위한 신호 입력부(1)를 구비한다.

도 1b는 도 1a의 동작 파형도로써, 이를 참조하여 오버드라이빙 회로의 동작을 살펴보도록 한다.

워드라인을 활성화시키기 위한 액티브신호(acten)가 활성화되면, 이에 응답하여 오버드라이빙 제어신호(saovdp)가 활성화된다. 따라서, 오버드라이빙 제어신호(saovdp)에 응답하여 오버드라이버(PM1)가 노말전원(VCORE)에 고전압(VDD)을 인가하여주므로써, 워드라인의 활성화로 떨어진 노말전원(VCORE)의 레벨이 상승된다.

도 2는 종래기술에 따른 반도체 메모리 소자 내 오버드라이빙 회로의 배치도이다.

도 2를 참조하면, 반도체 메모리 소자 내 오버드라이버는 뱅크(10) 내부에서 메모리셀어레이에 공급되는 노말전원의 레벨을 오버드라이빙하기 위한 복수의 뱅크-내부 수직-오버드라이버(12) 및 뱅크-내부 수평-오버드라이버(14)와, 뱅크(10) 전체에 공급되는 노말전원의 레벨을 오버드라이빙하기 위한 뱅크-외부 수 직-오버드라이버(16)와, 소자의 주변 영역(PERI)에 위치하여 노말전원의 레벨을 오버드라이빙하기 위한 남쪽-페리 오버드라이빙부(20) 및 북쪽-페리 오버드라이빙부(30)로 구성된다.

그리고 뱅크-외부 수직-오버드라이버(16)는 뱅크(10) 당 하나씩 구비되는 반면, 뱅크-내부 수평-오버드라이버(14)와 뱅크-내부 수직-오버드라이버(12)는 하나의 뱅크(10) 내 복수개 구비된다. 각 남쪽-페리 오버드라이빙부(20)와, 북쪽-페리 오버드라이빙부(30) 내에는 복수의 페리-오버드라이버(22∼28, 32∼38)가 각각 구비된다.

참고적으로, 상기 뱅크-내부 오버드라이버(12, 14)의 구동력은 뱅크-외부 수직드라이버(16) 또는 페리-오버드라이버(22∼28, 32∼38)에 비해 상대적으로 적다.

다음에서는 오버드라이빙제어신호(saovdp)를 통해 상기 오버드라이버(12,14,16, 22∼28, 32∼38)을 구동하는 방법에 대해 살펴보면, 뱅크의 내부 및 외부에 위치하는 오버드라이버는 뱅크 별로 구별되는 오버드라이빙 제어신호(saovdp<0:7>)에 의해서 구동되는 것을 알 수 있다. 또한, 상술한 오버드라이빙 제어신호(saovdp<0:7>)는 주변영역 내 페리-오버드라이버(22∼28, 32∼38)의 제어신호로 동일하게 사용되는데, 이는 주변영역의 페리-오버드라이버가 뱅크 별로 할당되어 있음을 의미한다. 즉, 설계에 의하여 뱅크의 오버드라이버가 구동되는 것에 따라서 주변영역의 페리-오버드라이버가 구동된다.

따라서, 이러한 종래기술을 이용하는 경우 테스트 시 소자 내 위치에 따라 오버드라이빙이 더 크게 필요하거나, 또는 필요치 않는 경우 회로를 수정하거나, FIB(Focused In Beam) 등을 통하여 연결을 끊어주어야 하기 때문에 테스트 시간이 길어진다.

상술한 기술에서는 한 뱅크를 구동하는 오버드라이빙 제어신호와 주변영역 내 페리-오버드라이버가 일대일 대응되어 구동되는 방법에 대해 예로써 설명한 것으로, 이는 설계 등을 통하여 회로적으로 고정되어져 뱅크 내부 및 외부-오버드라이버가 주변영역의 페리-오버드라이버와 함께 구동되는 것을 보여주기 위한 것이다.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 위치에 따른 오버드라이빙 구동량을 테스트하기 위한 반도체메모리소자 및 그를 위한 구동방법을 제공한다.

상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 메모리 소자는 뱅크의 메모리셀에 공급되는 노말전원에 일시적으로 고전압을 인가시키기 위한 복수의 뱅크-내부 오버드라이버; 뱅크의 외부에 배치되어 뱅크에 공급되는 노말전원에 일시적으로 고전압을 인가시키기 위한 뱅크-외부 오버드라이버; 주변영역에 위치하여 노말전원에 일시적으로 고전압을 인가시키기 위한 복수의 페리-오버드라이버; 상기 오버드라이버를 선택하기 위한 신호를 입력받는 모드레지스터셋; 및 테스트모드신호에 응답하여 상기 모드레지스터셋의 설정값을 디코딩하여 상기 뱅크 내부 및 외부 오버드라이버와 상기 페리-오버드라이버 중 원하는 위치와 구동력을 갖는 오버드라이버를 선택적으로 구동하기 위한 디코딩부를 구비한다.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 소자 내 오버드라이버의 배치도이다.

도 3를 참조하면, 반도체 메모리 소자 내 오버드라이버는 뱅크 내부에서 메모리셀어레이에 공급되는 노말전원의 레벨을 오버드라이빙하기 위한 복수의 뱅크-내부 수직-오버드라이버(120) 및 뱅크-내부 수평-오버드라이버(140)와, 뱅크 전체에 공급되는 노말전원의 레벨을 오버드라이빙하기 위한 뱅크-외부 수직-오버드라이버(160)와, 소자의 주변 영역에 위치하여 노말전원의 레벨을 오버드라이빙하기 위한 남쪽-페리 오버드라이빙부(200) 및 북쪽-페리 오버드라이빙부(300)를 구비한다.

또한, 반도체 메모리 소자는 테스트모드에서 오버드라이버를 위치에 따라 선택적으로 구동되도록 제어하는 신호를 설정할 수 있는 MRS(500)와, 테스트모드신호(tm_drving)에 응답하여 액티브되어 MRS(500)의 설정값을 디코딩하여 상기 뱅크의 내부 및 외부 오버드라이버(120, 140, 160)와 주변영역(200, 300) 내 페리-오버드라이버(220∼280, 320∼380)를 제어하기 위한 오버드라이빙제어신호(saovdp<0:15>)를 출력하기 위한 디코딩부(400)를 구비한다.

본 발명은 테스트모드신호(tm_drving)가 활성화되면 디코딩부(400)를 통해 MRS(500)의 설정된 값을 디코딩하여 오버드라이빙제어신호(saovdp<0:15>)를 생성하고, 이를 통해 반도체메모리소자 내 원하는 위치 및 구동력을 갖는 오버드라이버만을 선택적으로 구동할 수 있다. 즉, 테스트모드에서 MRS(500)의 설정을 통해 뱅크 내부 및 외부 오버드라이버(120, 140, 160)와 주변영역의 페리-오버드라이버(220∼280, 320∼380)를 각각 제어할 수 있다.

참고적으로, 위치가 다른 오버드라이버를 선택적으로 구동시키기 위한 제어신호의 입력은 MRS 뿐 아니라, EMRS로도 가능하다.

전술한 본 발명은 테스트모드에서 MRS를 통해 원하는 위치와 구동력을 갖는 오버드라이버를 구동시킬 수 있어, 반도체 메모리 소자 내 각 부분 별로 필요로 하는 오버드라이빙 구동량을 알 수 있다. 따라서, 원하는 레벨의 노말전압을 유지시켜 주기위해서 수행되었던 회로의 수정 또는 FIB 등이 필요하지 않아 테스트 시간을 줄일 수 있다.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

전술한 본 발명은 테스트모드에서 MRS를 통해 반도체 메모리 소자 내 각 부 분 별로 필요로 하는 오버드라이빙 구동량을 알 수 있어, 이를 알기 위해 수행되었던 회로의 수정 또는 FIB 등이 필요하지 않아 테스트 시간을 줄일 수 있다.

Claims

삭제
뱅크의 메모리셀에 공급되는 노말전원에 일시적으로 고전압을 인가시키기 위한 복수의 뱅크-내부 오버드라이버;

뱅크의 외부에 배치되어 뱅크에 공급되는 노말전원에 일시적으로 고전압을 인가시키기 위한 뱅크-외부 오버드라이버;

주변영역에 위치하여 노말전원에 일시적으로 고전압을 인가시키기 위한 복수의 페리-오버드라이버;

상기 오버드라이버를 선택하기 위한 신호를 입력받는 모드레지스터셋; 및

테스트모드신호에 응답하여 상기 모드레지스터셋의 설정값을 디코딩하여 상기 뱅크 내부 및 외부 오버드라이버와 상기 페리-오버드라이버 중 원하는 위치와 구동력을 갖는 오버드라이버를 선택적으로 구동하기 위한 디코딩부

를 구비하는 반도체메모리소자.
제2항에 있어서,

상기 모드레지스터셋은 확장모드레지스터셋인 것을 특징으로 하는 반도체메모리소자.