KR100657552B1 - 질화갈륨계 화합물 반도체 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 성장챔버내에서 P형 불순물을 포함하는 P층을 성장시키는 단계;상기 성장챔버내의 수소 및 수소원 가스를 방출하는 단계;상기 성장챔버 내에서 외부로 인출하기 위해 상기 P층이 형성된 GaN계 화합물 반도체의 온도를 낮추는 단계;상기 GaN계 화합물 반도체를 인출하는 단계; 및상기 P층위에 Pt, Pd, 및 Au를 포함하는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금으로 P형 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 GaN계 화합물 반도체 제조방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 온도를 낮추는 단계는,상기 성장챔버를 수냉 또는 공냉방식으로 냉각시킴으로써 달성되는 것을 특징으로 하는 GaN계 화합물 반도체 제조방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 온도를 내리는 단계는,상기 성장챔버를 진공상태로 하는 단계; 및상기 진공상태의 성장챔버내에 냉각가스를 공급하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN계 화합물 반도체 제조방법.
- 제 4항 내지 제 6항중 어느 한항에 있어서,상기 P형 불순물이 포함한 P층위에 Pt, Pd 및 Au 중 적어도 하나의 물질 또는 그 혼합물로 형성된 전극 패드를 마련하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 GaN계 화합물 반도체 제조방법.
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2005
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